TW384386B - Method and device for measuring structures on a transparent substrate - Google Patents

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Carola Dr Blasing-Bangert
Klaus Dr Rinn
Ulrich Kaczynski
Mathias Dr Beck
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Leica Microsystems
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Description

A7 B7 經濟部暫慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明(I ) 發明背景 本發明申謫對1998年4月30日提出的德國申謫案第 198 19 429.7號文件享有優先權並将其中所掲示的内容 明文地列為本發明的參考文獻。 發_明铕域 本發明係有鼷一種用於測量透明基板上結構之方法及 裝置。此裝置包含:一镳入射光照明裝置,一届成像装 置,和一瘺用於偵測已成像結構的偵測器裝置,以及一 值用於保持基板的測量平臺。此拥量平臺是依干涉儀用 可澜量方式相對於成像裝置之光_作可位移的配置《 相Μ钵絍銳明 由Carola Biasing博士在1998年3月31日發表於瑞士 日内瓦教育課程的Senicon會議中標題為「用於遮罩製 作的圏案安置用度量衡學(Pattern Placeuent Metrology for Mask Making)」的論文掲示了一俱這種 型式的測《裝置。此測量装置是安裝於琛保氣候空腔内 以便逹成毫徹米範圍的測量準確度》澜董出形成於像光 軍及半導體晶圓之類基板上像各圏案邊级之類各種结構 或器件的位置座標》此裝置是装設在已作振動阻泥的花 尚石塊上》藉由自動操縱条统將遮軍及晶國放在测量平 臺上〇 瀏量平臺會經由花阏石塊表面上的氣龌轅承並藉由滑 行而蓮動》將配置成互為垂直(直交)的各平面鏡裝設在 測量平臺的兩襴。有一種雷射干涉儀条统會決定出拥量 (婧先閱讀背面之注 > ^ I* 1 § } :填寫本頁)
mm I 訂· -ϋ I * 本紙張尺度適用中B國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 五、發明說明( 平饔的位置。 利用具有高解析度且經複消色差校正的顯微光學元件 ,以落在近紫外線(near UV)波譜範圍内的入射光對待 測1結構進行照射及成像β有一個CCD(電Μ耦合裝置) 攝影機會扮演箸用於使結構成像之偵潮器的角色《糎別 像素形成了攝影機的偵測器陣列。測量信號是從位於所 定義測最視窗之内的鵪別像素得到的。所拥量結構的強 度縱剖而圈示是藉由成像處理測量得的信號導出的,例 如由此能夠決定出該結構的邊線位置。 最好是使用上述薄!量裝置以決定出用於半導體製程之 遮罩及晶圓上結構的各邊緣《各結構是形成於加到遮軍 表面上的各層内。各表面具有不同程度的反射率這些 層的各邊緣(或钿翼)會因為製造程序以及因為製作時的 不同潔淨程度而有不同的陡峭度(斜率)》測量裝置中使 用的是TV (電視}自動聚焦条统以捜尋具有最鮮明反差的 設定以使邊緣的影像最佳化。在這種設定下測量了邊線 相對於國像条統之光軸的位置並結合測量得的平臺位置 而給出機器座樺条統内結構元件的位置座檁。遵循先前 對機器(_虽裝置)内遮軍的校準並與結構元件的設計資 料作比較,可以將機器座檫条统内的各位置座檫轉換成 一掴遮軍座標条统。例如於線性結構元件的情形中也能 同時澜最得兩個邊緣位置。於是可以將中心線(或是各 邊緣之間的中點)選為這棰目的下的位置座標。於十宇 形的(交叉)結構中,可以將各中心線的交點指定為此位 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) 靖 先 閲 讀 背 ib 之 注
1〇 !裝 頁I ά 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 _B7_、 . ’ 五、發明說明(4 ) 置。 測屋得的邊緣位置會取決於邊緣本身的物理最及所使 用的光學測鼍方法,連同圖像条統的數量。其關偽可參 閲由 W.Mirande發表於 VDI Berichte, No.1102(1993), pages 137et seq.標題為「撤型結構上的邊緣測鼉(Edge Measureieent. on Microstructure)」的論文中的說明。 若將结構位置定義成從中心線到兩艇邊緣上,則一般而 言在測扈得遴緣位置造成的影堪不會對测量得的結構位 置有仟何的效應。另一方而,在不同的拥量裝置内可能 會對結構寬度測量之測量結果的評估産生不同的結果。 於半導醱製程中,是以步進裝置内的透射光照射遮單 並使之成像於半導體晶圓之上。因此,有趣的是能夠決 定出結構元件的實際光遮蔽寬度。為了這侮目的,已發 展了特殊的拥黌顯檝鏡並於其内以透射光照射遮單而專 颶地浦鼉出不透明結構影像的寬度。然而,在此不會提 供瘡些用於決定結構元件之位置座樣的已知潮鼉裝置。 若遮單表面内待測量的是透明的結構元件而不是不透明 的結構元件時瘡些考鼉同樣會適用。 於遮罩製造中對品管上與日俱增的需求會要求製造商 檢驗遮罩結構亦即結構元件的設計參數亦即其位置及有 效投影寬度兩項專有名詞。此外,必須在日益滅短的處 理畤間之内完成這種檢驗程序。為了將遮罩放在測最裝 置内,ft需要在操縱程序中付出日益增多的關心程度以 達成必要的潔淨要求β因為遮罩日益增大的尺寸以及曰 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----0!裝--------訂· (請先閱讀背面之注$?^填寫本頁) -k· ϋ ϋ I n 1% ϋ n j A7 B7_, 五、發明說明(4 ) 益增大的結構密度,故遮罩的價值(例如其製迪成本)也 會隨箸程序中的毎一個步驟而增加,使得小心操縱以保 護遮罩免於損壊或破壊會明顯地變成搔重要的因素。 發11述一 因此,本發明的一個目檫是提供一種方法及測量裝置 ,而能在不需要知道基板的幾何邊緣縱剖而圖示下同時 完成正確位置的決定以及對有鼷基板上結構的結構寬度 的可靠描述β 這項及其他目的是於根據本發明的測量裝置内達成的 ,其中是將潮量平蹇設計成一雇具有用於接收基板岩架 的開放式框架,並於測量平驀底下提供一個使用透射光 的照明裝置。此照明裝置的光軸是與入射光照明裝置的 光軸對齊。於適合達成上述目檫的方法中,依本發明可 以用入射光或透射光照射基板。以下將會説明遵循其特 性的有利改良β 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 ------------裝! (請先閱讀背面之注寫本買) 根據本發明的測量裝置設計本身是吾人所熟知的,能 夠只以相同測虽裝置内的一値基板操縱程序並利用入射 光和透射光的照射而同時测景出位置座檫及基板結構的 結構寬度。痦有利地排除使用其他方法時因移動到第二 傾潮景裝置所需要的安裝時間而使·潮最時間達最短,因 此加速了測蜃程序並提高了品管標準。排除對額外測鼉 裝置的需求使檢潮費用變得更便宜,簡化了将檢澜用測 量裝置結合到生産線之内的程序,並減低基板於操縱期 間受到損壊的危險。直接比較在評估條件下利用不同型 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 297公釐) 五、發明說明( A7 B7 值 數 各 的 同 相 是 時 〇 法析 方分 他的 其序 用程 即造 亦製 的之 得罩 量 遮 測對 所充 射擴 照許 的允 式而 框準 個霣 一 潮 成的 計置 設裝 驀 1 平測 量之 測標 將座 使置 即位 現 1 發測 已於 ,用 是持 的保 異夠 訝能 入也 令時 架 準確與 的明值 同上數 相罩得 標遮鼉 座與測 置是對 位以光 與可射 以度透 而寬和 射構光 照結射 的 a 入 光,用 射度利 透寬。 用構關 利結有 以出置 可囅位 C測的 度度定 確確決 這且 依 , 〇 示 訊圓 資面 外剖 額縱 的的 計緣 設邊 緣稱 邊對 颺不 有到 供測 提偵 會能 較是 比別 作特 置, 位式 緣方 邊棟 列 下 為 因 會 將 質 〇 性顙 待明 β 奇更 標及得 座、變 置點而 位優示 正、圖 校的附 以目所 件他合 元其聯 構的明 結明説 用發細 使本詳 能 的 圖 塊 方 視 侧 的 置 裝 量 測 之 明 發 本 明據 說根 單俗 簡圈 之 1 示第 圖 照用 的估 光評 射之 透明 和發 光本 射如 入示 之顯 明及 發以 本線 如曲 用面 利剖 是縱 的度 示強 顯的 圖成 2 形 第而 射 -rfpllt— — — — — — — — — — - — IIIIII * 1^1 ί I I I 1 I /__v^ (請先閲讀背面之注寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 線 曲 而 剖 m 度 強 及 構 结 偁 一 另 的 明 〇 發 線本 曲據明 而稂說 剖傜細 縱圖詳 構 3 之 結第明 的 發 作 已 依 由 是 置 裝 量 測 種 1 有 中 例 施 實 明的 說示 的所 例圓 m 1 富第 隹如 帱 的 架X’ 框向 之方 40交 口直 開傾 有兩 含的 方成出 泥計示 阻設標 動艏號 振一箭 架 脚 於 設 裝 式 之 上 0 配 。沿在 的由而 成經,6 構以i 1 可 as 填 4 石臺 崗平 花量 承 軸 體 氣 的 置
-4B> n n Λψ I n · I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7_ . 五、發明說明(b ) 花崗石塊1丄移痛^測景平畜4的框架偽有利地由具有 低熱膨脹偽數的玻璃陶瓷構成的。為了簡潔的目的而未 將用以移動潮量平驀的驅動裝置顯示出來。利用雷射干 渉儀条統7沿X和y方向偵測出測1平棗4的位置。 將像遮罩8之類的基板放在測置平臺4的框架之内。 此遮罩8是由像石英玻璃之類例如其表面上配置有像圖 案器件之類不同結構的透明材料構成的。由於測量平臺 4是設計成一個框架,故也能透過框架的開口 40從底下 透視遮罩8 。 將一値高品質的光學圖像糸統10配置於遮罩8上方。 可以在z方向上.調節圓像条統1 0以便使光射束沿其光_ 11聚焦^藉由分光器12使來自照明光源13的光沿光學射 束的路徑傳導,並使來自遮罩8的成像射束偏轉到一掴 偵測器裝置14上》此偵測器裝置14可以是一個CCD攝影 機,例如一傾含有高解析度的像素偵測器陣列。於較佳 實施例中,光源13會發射落在近紫外線波譜範圍内的光。 .將一耱額外的照明裝置配置於與遮罩8相對的一邊上 ,例如落在花崗石塊1之内。此一額外的照明裝置是由 一铜乘直式可調聚光器15以及一餡光源16構成的。可以 將光導46的出口表面當作光源16。令聚光器15的光軸舆 成像俗統10的光軸對齊。以光源16對聚光器15進行的垂 首調整是用來調整將要瞄準在遮箪的結構9上的照明射 束以便計算能於框架内測量得的漉罩8上各光學厚度β 特別是能將聚光器頭42伸展到潮量平臺4上框架的開口 (請先閲讀背面之注 1 1· I · n n ο 項寫本頁> -------钉 i·. -.^c a— · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) 五、發明說明(7 ) A7 B7 位光 軎聚 平此 量將 測以 在可 抗也 對, 以壞 42損 頭的 器受 光遭 聚時 護而 保表 了 8 為罩. 過遮 不個 c 整 内過 之通 ο 4 移 獨 為 互 在 以 可 ο 下 底 而 表 部 〇 6 頂 1 的和 塊13 石源 岡光 花換 到切 低下 降形 2 i 4 情 頭的 器立 測位 偵的 素 7 像統 自条 來儀 收涉 接干 會自 如來 例及 44以 腦號 電信 的像 作影 操得 下測 制偵 控的 4 體 1 軟列 在陣 器 號統 信条 訊像 資 _ 置學 光標 制!¥ 控ί 能 有 含 也 4 4 腦 BR ^ * 的測 解 於 了 夠 锘 然 當 用 及 以 5 il 位 單 肋 403 驅 的 4 0 平 依資 而量 像測 影的 的構 得結 測上 偵板 理基 處於 以關 制定 控決 式式 程形 行知 進已 44的 腦下 電如 對論 β 討 )要 示將 訊 元由 構在 結疊 的重 造式 塑形 想的 理形 作矩 艏長 一 伸 過依 穿是 中的 0 示 2 顯 第圖 於而 截 -件 像 的偵 ¾)列線, 3Γ (*素 17 f β 榻榜 結逭 的射 17照 件18 元光 構射 結入 想以 理若 ο ο 線米 曲徹 的 ο 面30 淨 ο ο 縱 2 度概 強大 對是 相能 之可 得度 澜高 測最 偵有 素而 像10 在統 並条 射像 反圖 到由 受經 18使 光即 射 Sc 入 , 令像 後成 然上 4 > IX 7 8 1 桷 件影 元攝 構列 結陣 的器 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 導嬈 而的 鼴點 效像 射影 嬈個 為一 因毎 會 。 也象 像現 影的 的明 到鮮 得不 所有 , 會 序内 程域 焦匾 聚緣 的邊 化在 佳致 塔 盾 Mff 簡遵 作。 在案 1圖 D 面的 C 剖示 從縱所 値度線 1 強虛 有對之 c相遴 件的半 元緣上 素遴圖 像各 CS3 傾到第 一 演如 於推有 大地具 是询時 都禎達 碟度表 射強的 素 像 之 件 元 準形 位種 度這 強依 %用 50利 的 C 而置 剖位 縱的 度 1 強2’ 在20 是緣 奸邊 最17 即件 亦元 鼍構 考結 的出 上定 論決 理處 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) > I n ϋ n ϋ I mb ·· as· · I ^pap Mih I 壤 ·__· 1· _> Mme ϋ aa_i ·1 n ^n I _p t d (請先閱讀背面之注<w^項寫本頁) -n 41 em— ϋ tmAW n· I emmmm n n - A7 _B7_· , 五、發明說明(^ ) 式(蕻由50%的強度位準}所決定關於邊緣位置20, 21的 中心線2 2以定義出結構元件ί 7的位置座標。 菘以穿過透明遮罩8的光2 3照射結構元件1 7 ,則結構 元件17會在成像光學元件上顯現為暗影24。這裡再次使 陰影遴緣(邊界)大戣鮮明地成像在C Π)偵測器元件上。 依相同的方式,得到相對的強度縱剖而2 5並以虛線繪製 於第2圖下半邊若再次以強度縱剖而的5 0 %位準定義 出邊緣的位置,則在這種理想將況下會得到相同的邊緣 位置2 (Γ,2 1 '如同使用入射光1 8的情況一般β同時,在 中心線22'上決定出相同的位置座標。結構元件17從某 一饍邊線1到另一艏邊線(以箭號標示)的寬度,無論是 由兩個邊緣位置20,21或是邊線位置2(Γ,21'之間的差異 得到的都是相同的數值》 不過實際上,真實的結構元件2 6可能具有如第3圖所 示的不對稱梯形遴緣縱剖而2 6 (實線U作為可替代的實 例,各邊緣可能會同時在結構元件的兩側陡峭地掉落以 致只在腳架區内例如肇因於不潔淨的蝕刻程序而有單邊 拓寬的現象。任何事件中的TV自動聚焦条统都會調整成 像稈序以令結構元件表面的成像具有最高反差^邊線縱 剖而丄不對稱部位的歪斜表而在此一成像程序上幾乎没 有库生任何效應。所以用入射光1 8得到類似於第2圖的 強度縱剖商27,舱由此一縱剖而導出結構元件26的邊緣 位置28,29以及結構元件26的位置座標30,雖然真實的 遴緣縱剖而會在真實與理想情況之間出現差異。 _ 1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項_ ")!裝---- 寫本買) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 I# 1· —i e-k · 五、發明說明(〒 A7 B7 用結 對有 , 只 3 , 2 言 光而 的31 8 影 罩陰 遮的 明上 透之 過列 穿陣 用器 使測 明偵 發 η 木CC 據於 根像 , 成 過定 不決 於 基會 到量 得測 次的 写 8 8» 1 ,光 以射 所入 〇 用 的只 性之 鍵較 關 , 有而 具剖 是縱 區 度 架強 腳的 的稱 2R對 件呈 元上 構本 象實 3 現真線 的在心 移致中 右導由 朝會旦 }時而 準始, 位初度 度異寬 強差構 的的結 %間 3£: 50之大 '(,較 9 9 2 2费 置— 量 位28潮 緣置上 邊位2G 傾緣件 一 邊元 將各構 有 C結 異 , 差訊 的資 間項 之瘡 ο 了 ,3有 ο 3 ο 標性 XII ί. 痤 _ 置對 位的 r 6 各 2 〇 面 標剖 座縱 置線 位遴 的出 同示 不檫 出會 定此 決因 言 而 面 。剖 析縱 分緣 的邊 好形 更梯 作的 序稱 程對 造锢 製一 對對 能地 此顯 因明 商很 造, 製然 罩當 遮 置訊 位資 的fii· 定闋 決有 所度 線寛 心構 中結 各與 由有 0 R 而, 量裡 測逋 光 C 射浴 反別 和分 光有 射沒 λ 是 用檫 利座 說線 面邊 剖解 縱理 e 度能 訊強就 資及快 的緣很 用邊 。 有的置 7略裝 供簡最 提用測 序利及 程已法 造,方 製的的 為目明 也的發 瑄^本 C 展據 變了根 改為了 會明 圍 範 長 波 在 落 β. 萝 0 是下 別況 特 情 , 的 的關 雑相 複距 更間 是構 能結 可及 而度 剖寬 縱構 度結 強之 及内 --^1 «1 ϋ t— ^ I» ϋ I · n .1 I ·1 ϋ ^ · ϋ ϋ .Γ ϋ n 1 ^ I -(請先閱讀背面之注$3填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 成到 的得 同光 相射 及反 以和 段光 地射 等入 均用 上利 板對 基故 是, 的的 用到 使得 料而 資_ 董統 镧条 為估 因評 只和 像 第種 人逭 吾的 令内 明統 發条 本標 0 越 的罩 確遮 .ΪΕ為 是能 較即 比亦 的光 作射 所透 料用 資利 Μ置 測安 述能 上次 的 一 FL »· ? 度其 寬而 構的 結佈 的發 得而 最明 測發 而本 光示 的展 示 了 標為 置是 位只 對容 絶内 個的 一 示 到掲 派已 指前 構先 結 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 * 297公釐) A7 _B7五、發明說明(、° ) 能, 人正 的修 計的 設作 知所 習涵 悉内 熟及 於神 由精 0fii 制明 限發 的本 明同 發連 本例 為施 作實 是示 不掲 意所 用對 其 及 圍 範 利 專 請 申 附 所。 在目 落項 含有 包所 成的 釋内 解以 明構 發架 本之 將目 該項 0 效 故等 -----Μ---------------t--I b------ (請先閱讀背面之注<w^項'Sfi寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 A7 _B7五、發明說明(、’) 參考符號説明 t ...鲁 •化网α呢 2,3.. ..·腳架 4 .... .測量平驀 5,0.. ...氣體軸承 7 .… .雷射干涉儀条統 8 .… .遮罩 9 .... .結構 10... ..鬮像条統 11... ..光軸 12.·, ..分光器 13,16 .....光源 14... ..偵測器裝置 15... ..可調聚光器 1 7… ..理想結構元件 18... ..入射光 r「裝 丨J (請先閲讀背面之注填寫本頁) -tfi ,
_1 ϋ 1ΒΒ_· a— *f MMe n n I 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 19,25.....相對強度縱剖面 2 0,2 0' ,21,21' ,28,28' ,2 9,2 9'.....邊緣位置 2 2 , 2 2' ,3 0,3 0'.....中心線 2 3.....光線 24.....暗影 26.....真實結構元件 2 7 , 3 2 .....強度縱剖面 31.....陰影 -1 3- a 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 五、發明說明(π ) 頭 器 口 光腦導 開聚電光 A7 B7 Λ 裝--------訂--------c C (請先閲讀背面之注意事項^:寫本頁) -K. 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 卜. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. A8B8C8D8 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一榑用於測雇透明基板上結構的測鼍裝置,包括: 一悃人射光照明装置; 一储成像裝置; 一掴用於偵測己成像結構的偵測器裝置;以及 一個测董平臺是依垂直於且相對於成像裝置之光軸 作可位移的配置使得能以干涉儀測量出其位置,該澜 鼉平蹇是用以接牧基板; 其中將此澜最平臺設計成一個含有用於基板之接收 遴緣的開放式框架; 也包活一個透射光照射裝置是提供於測量平臺底下 ,而透射光照射装置的光軸是與入射光照射裝置的光 軸對齊的。 2·如申謫專利範圍第1項之測最裝置,其中該偵測器裝 置是一糎CCD攝影機。 3. 如申謓專利範阑第1項之潮量裝置,其中該入射光及 透射光照射裝置是可以作互為獼立的切換β 4. 一種用於測量透明基板上結構亦即能在一個垂直於成 像方向的平面内依干涉儀用可測量方式作平移的方法 ,其步驟包括: 選擇性地以入射到基板上的光或是穿過基板的光照 射透明基板上的結構;以及 使受到照射的結構成像在用於決定測鱟的偵測器裝 置上。 5. 如申請專利範圍第4項之方法,也包括同時以入射光及 -1 5- (請先閲讀背面之注意事S -裝 i I ' 填寫本頁) 訂· Ί -I. —if— · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 · .六、申請專利範圍 透射光照射以決定各結構_座標的步驟。 6.如申請專利範圍第5項之方法,也包括至少利用入射光 及透射光的照射之一對各結構進行結構寬度潮量的評 估。 7 —穐用於測蜃待測量基板上結構的裝置,包括: 一個測鼷平蓽含有適於接收待潮量基板的開口;以及 一傾影像偵測器僳以來自待測鼍基板的第一倒而沿 垂育於潮鼠平事之移動平而的第一光軸入射到結構上 的光為基礎而形成結構的第一影像,並以來自待測量 基板的第二側而沿與第一光軸呈同軸的第二光軸穿透 待澜最基板而通過該結構的光為基礎而形成結構的第 二影像。 8. 如申讅專利範圍第7項之裝置,其中該岩架至少是局 部地形成於測量平臺内圍繞開口的内部周緣上。 9. 如申請專利範圍第7項之裝置,其中該_量平臺内該 開口的形狀實質上是相應於待測量基板的形狀。 1Q如申請專利範圍第9項之裝置,其中該岩架至少是局 部地形成於澜鼍平驀内圍繞開口的内部周緣上。 11. 如申謓專利範阐第7項之裝置,也包括一傾干涉儀条統 以偵測澜最平事相對於第一和第一.光軸的蓮動β 12. 如申請專利範阑第7項之裝置,也包括: 一傾第一照明光源會提供入射到基板上的光;以及 一個第二照明光源會提供透射待測量基板的光。 13. 如申請專利範圍第12項之裝置,其中可以S為獨立地 -I 6 - (請先闓讀背面之注意事填寫本頁) 10 I - I I I -I11lilt — — — — — (f 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) C8 · D8 - . 1 六、申請專利範圍 發動第一和第Γ1照明光源。 14.如申謓專利範圍第1 2項之裝置,其中該第二照明光源 是配置於測最平襄底下》 15如申請專利範圍第1 4項之裝置,也包括: 一傾基底其上配置有可移動的該測蜃平裹;且 其中該第二照射光源含有配置於該基底内的垂直可 調聚光器。 16.如申讅專利範圃第7項之裝置,其中該偵測器裝置是 一楠CCD攝影機。 17如申謓專利範圍第1 6項之裝置,也包括: 一楢電腦俗耦合於影像偵測器而用於處理第一和第 二影像以得到與待測量基板上结構相關的各測量結果。 18. 如申請專利範圍第7項之裝置,也包括: 一镅電瞩係網合於影像偵測器而用於處理第一和第 二影像以得到與待測最基板上結構相關的各測量結果。 19. 一種用於測鼉待測最基板上結構的裝置,包括: 一個潮氰平麋含有適於接收待測量基板的開口; 一個第一照明光源會提供自待測量基板的第一 «沿 實質上垂直於測量平蹇的第一光_入射到結構上的光 ;和 一偁第二照明光源會提供自待測量基板的相對一铟 沿輿第一光軸呈同軸的第二光軸穿透基板照射到結構 上的光;以及 一傾影像偵測器會接收入射和透射光以偵測結構的 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事^^填寫本頁) 裝 訂· 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 884386 A8SC8D8 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 六、申請專利範圍 影像。 2Q如申誚專利範圍第19項之裝置,其中該岩架至少是局 部地形成於潮鼍平軎内阐繞開口的内部周緣上。 21.如申請專利範閘第19項之裝置,其中該潮量平臺内該 開口的形狀實質上是相醮於待測最基板的形狀》 汔如申讅専利範圃第21項之裝置,其中該岩架至少是局 部地形成於測量平畜内圍鐃開口的内部周緣上。 23.如申請專利範圍第19項之裝置,也包括一個干涉儀糸統 以偵潮測屋平驀相對於第一和第二光軸的運動。 24如申請專利範圍第19項之裝置,其中該第二照明光源 是配置於制最平臺底下。 25. 如申請專利範園第24項之裝置,也包括: 一匍基底其上配置有可移動的該測量平蹇;且 其中該第二照明光源含有配置於該基底内的垂直可 調聚光器。 26. 如申謓專利範圍第19項之裝置,其中該偵测器裝置是 一個CCJ)攝影機。 27如申請專利範圍第19項之裝置,也包括: 一個電臑像耦合於影像偵測器而用於處理第一和第 二影像以得到與待測量基板上結構相關的各測量結果。 28如申請專利範闋第19項之裝置,其中可以互為獨立地 發動第一和第二照明光源〇 29. —種用於得到有颸形成於基板第一側上結構之資訊的 方法,此方法的步驟包括: -18* (請先閱讀背面之注意事 * ·1111111 B I I T I I I π寫本頁) •Ί . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公羞〉 S8^38G A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 以來自基板的相對的第二倒穿透基板的光照射到结 構上;且 以透射光為基礎從基板的第一側偵測結構的第一影 像〇 30. 如申請專利範圍第29項之方法,也包括下列步驟: 以來自基板的第一倒入射到結構上的光照射到結構 上;且 以入射光為基礎從基板的第一側偵澜結構的第二影 31. 如申請專利範園第3 0項之方法,也包括比較結構上第一 和第二影像以評估結構之邊緣及座檫位置的步驟。 32. 如申請專利範園第30項之方法,其中以使用同軸光軸 的透射和入射光照射結構的步驟也包括下列步驟: 於垂直於光軸的平面内決定出基板相對於同軸光軸 的運動。 33. 如申請專利範鬮第29項之方法,也包括下列步驟: 利用以透射光形成的第一影像去評估結構的各器件。 34. 如申請專利範圍第3 0項之方法,也包括下列步驟: 利用以入射和透射光形成的各影侏去評估結構的各 器件。 35如申議專利範阐第30項之方法,其中該結構的各影像 都是經由一個CCI)攝影機而形成的光強度縱剖而》 36. —種用於得到有醑形成於基板表面上結構之資訊的方 法,此方法的步嫌包括: -1 9- ϋ 1_1 I ϋ (請先閱讀背面之注填寫本頁) 訂---.------ if n I n ϋ ϋ -n- ϋ· n 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) S8<i386 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 基 從 光 射 透 以 是 或 側 1 的 板及 基以 從 ., 光構 射結 入射 以照 地俩 件一 擇.另 選的 板 偵 去 器 0 偵 的 用 共 値 一 用 礎 基 為 光 〇 射像 透影 和各 射的 λ 構 以結 該 第射 阐入 範與 利板 專基 謓測 申偵 如 3? 軸 同 是 軸 光 遶 動 蒙- :對 驟相 步-的 0 列間的 下之動 括軸連 包光對 也,各相 法,的此 方光於 之射直 項透垂 36和而 定 決 : 以 驟像 步影 列構 下結 括各 包的 ,ft成 法’形 方光 之射 項透。 37及標 第射座 _ λ 置 範由位 利8f各 專分的 請較,構 申比結 如 出 量 測 : 度 驟寛 步構 列結 下於 活用 包估 也·評 法,礎 方基 之為 項光 38射 第透 。 圍或置 範 / 位 利及緣 專射邊 請人構 申以結 如 的 39. — — — — — — — - I I I n I I I Bllf — — — — · (請先閲讀背面之注10填 寫本頁) —fr · 經濟部智慧財產局貝工消费合作杜印製 VI . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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