TW303483B - - Google Patents
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27417894A JPH08107193A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Soi基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW303483B true TW303483B (ja) | 1997-04-21 |
Family
ID=17538129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW85100485A TW303483B (ja) | 1994-09-30 | 1996-01-16 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08107193A (ja) |
TW (1) | TW303483B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2869455B1 (fr) * | 2004-04-27 | 2006-07-14 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de puces et support associe |
FR2935536B1 (fr) * | 2008-09-02 | 2010-09-24 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detourage progressif |
JP5519256B2 (ja) | 2009-12-03 | 2014-06-11 | 株式会社荏原製作所 | 裏面が研削された基板を研磨する方法および装置 |
CN110854011A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-02-28 | 芯盟科技有限公司 | 堆叠键合晶圆的处理方法 |
JP7339905B2 (ja) * | 2020-03-13 | 2023-09-06 | キオクシア株式会社 | 貼合装置および貼合方法 |
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1994
- 1994-09-30 JP JP27417894A patent/JPH08107193A/ja active Pending
-
1996
- 1996-01-16 TW TW85100485A patent/TW303483B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08107193A (ja) | 1996-04-23 |
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