A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 B7 五、發明説明（！） 〔產業上之利用領域〕 本發明係關於由將作爲支持基板之半導體晶圓，與作 爲活性基板之半導體晶圓貼合而成之貼合晶圓，來製造 SO I基板之SO I基板的製造方法# 〔先行技術〕 近年來對於高性能之半導體裝置用基板，由高耐壓性 或高速性等因索而選擇S 0 I基板，能滿足此種要求之大 面稹且結晶缺陷較少之S 0 I基板，若是由以2片半導體 晶圓貼合所成的貼合晶圆來作成的話，會變得比較簡單。 通常像這種貼合晶圚的製造，是以下列所示的工程來 進行（參考圖3 ) * (1 )對活性基板1 1作熱處理，當其表面形成氧化 膜1 3後，一方面對與支持基板1 2之接合面1 1 a施以 鏡面處理，一方面亦對支持基板1 2的接合面1 2 a施以 鏡面處理（圖3 (a))。 (2 )洗淨已各自施以鏡面處理之基板的接合面1 1 a，12a，作親水處理，當乾燥處理後，在尙保持親水 性的狀態下，令各自的接合面11a ，12a互相接合。 對此再度進行熱處理後，當活性基板1 1與支持基板1 2 互相貼著時，在支持基板1 2亦形成氣化膜1 3。由此可 得到貼合晶圖1 4 (圖3 ( b ))。 然而作親水處理及乾燥處理容易使殘留氫或氫離子， 聚集於此貼合晶圖1 4的外圍部，此成了形成氣泡發生未 本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公；t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T f B7 五、發明説明（2 ) 接著部（void )的原因。由於此未接著部較其它部位的 強度爲弱，會成了在往後的裝置工程中發生碎屑（chipping ) 或微粒 （ particles ) 的原因 * 因此包含未接著 部之活性基板11的外圍部有除去的必要。 以往除去此活性基板1 1的外圔部之方法，是以下列 使所貼合的晶園14的徑縮小之方法來進行。 即如圖4 ( a )所示般，對活性基板1 1的上面作平 面研削至所定的厚度爲止後，當對貼合晶園1 4作水平方 向回轉時，亦同時令變形輪1 5作水平方向回轉·令貼合 晶圓1 4的外圍部與此變形輪1 5的上剖研削面 1 5 a抵合，僅研削距水平方向約1英吋程度的宽度使徑 縮小。 接下來如圖4(b) 、 （c)所示般’使徑已欒小之 貼合晶園1 4的周緣部與變形輪1 5的下部研削面1 5 b 抵合，對此周緣部作平滑面處理。 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 最後在殘留中間氧化膜5 a的狀態下’以氟酸溶液作 蝕刻除去氧化膜1 3，對活性基板1 1的上面加以研磨使 其更薄而得到SOI基板（圖上未曾標示）。 〔發明所欲解決之課題〕 然而在這種對貼合晶圚的外園部由水平方向開始研削 ，使貼合晶圓的徑縮小之方法上’研削的寬度約爲1英吋 程度之大，水平方向的研削壓力會有長時間施加在貼合晶 園上而發生加工應變，由此發生了 &裂等結晶缺陷（Pi1: 本紙張尺度遑用中國國家橾隼（〇奶）八4規格（210'/ 297公釐）_5_ 3〇3483 A7 B7 五、發明説明（3 ) )之問題點。 且研削的宽度約有1英时程度之大，由水平方向開始 研削的時間過長，而有生產效率太差之問題點》 本發明鑑於上列之問題，其目的在於提供一 S 0 I基 板的製造方法*除不會對貼合之晶圜造成研削壓力防止結 晶缺陷（pit )的發生外，並且能較傅統技術的製造方 法有更好的生產效率· 〔用以解決問題之手段〕 因此在本發明中，關於將爲支持基板之半導《晶圓， 與爲活性基板之半導體晶圖貼合之S 0 I基板的製造，在 除去貼合之半導髏晶圚的外困部的方法上，以對貼合之半 導髏晶圓呈略垂直方向回轉之切片，切斷上述半導體晶圓 的外園部。 〔實施例〕 以下，基於本發明的實施例圓面來加以說明。 第1圖係有關本發明之S 0 I基板的製造方法所示之 模式圖，第2圖係有關本發明之S Ο I基板的製造方法的 製造工程所示之圖，第3圚係貼合晶圚的製造工程的—例 所示之圖，第4圚係以往技術之SO I基板的製造方法所 示之圖。 本實施例之S 0 I基板的製造方法，至得到貼合晶_ 4爲止•與上述以往的技術相同。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） f------1τ------M I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印焚 A7 B7 五、發明説明（4 ) 即如圖2 ( a )所示般，對支持基板2作熱處理，俟 其表面成長氧化膜5後，經過親水處理及乾燥處理，在其 上接合活性基板3。 如圓2 ( b )所示般，當對所接合之支持基板2與活 性基板3作熱處理使兩者更加貼著時•亦讓全體成長氧化 膜5而得到貼合晶圓4。 如圖2 ( c )所示般，以研削機對貼合晶圚4的活性 基板3的上面作平面研削。 接下來對有關本資施例的外困部的除去方法加以說明 〇 如圖1 (a)所示般，令已平面研削之貼合晶晒4作 水平方向回轉•接下來令設在旋轉機器上之園盤狀的切片 1對活性基板3呈略垂直方向回轉，由上方朝箭頭A的方 向下降。 如圖1 (b)所示般，隨著切片1的下降，活性基板 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3與支持基板2，在外圔部會沿著同一面作略垂直地切斷 ，當切片1切斷支持基板2的底面的氧化膜5時，包含未 接著部在內之外圔部會呈環狀由貼合晶圓4被切離，結束 切斷* 再來，回到圈2的工程圓，以下列的工程製造SO I 基板。 如圖2 ( d )所示般，由貼合晶圖4取下環狀的外園 部。 如圚2 ( e )所示般，對已取下外圔部之貼合晶圚4 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（5 ) 施以平滑面處理加工。 最後，對殘留於此貼合晶圖4的底面之氧化膜5，以 氟酸溶液之蝕刻作去除，對活性基板3的上面使其更薄加 以硏磨，得到S 0 I基板（圔上未標示）。 而在上述實施例中，雖是當對活性基板3完成平面研 削後，再對貼合晶圓4作切斷，但除此而外，亦可在對活 性基板完成平面硏削前切断貼合晶圓，而後再對活性基板 作平面研削。 〔發明之效果〕 由於本發明爲以上之構成，因此在切除貼合晶園的外 園部的未接著部時，不會對貼合晶圖造成研削壓力，而具 有可防止結晶缺陷（pit )的發生之良好效果。 且垂直方向的切斷較水平方向的硏削，更可在短時間 內切除外圔部，而具有生產效率良好之優異效果· 〔圖面之簡單說明〕 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖係關於SO I基板的製造方法所示之楔式圖。 第2圇係關於S Ο I基板的製造方法之製造工程所示 之圓。 第3園係貼合晶圓的製造工程的一例所示之圖。 第4圖係傅統技術的SO I基板的製造方法所示之圖 9 〔圓號說明〕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 〇 A7 B7 五、發明説明（6 ) 1 :切片 2 :支持基板 3 :活性基板 4 ·貼合晶圓 5 :氧化膜 5 a :中間氧化膜 1 1 :活性基板 1 2 :支持基板 1 3 :氧化膜 1 3 a :中間氧化膜 1 4 :貼合晶圚 1 5 :變形輪 1 5 a :上部研削面 1 5 b :下部研削面 -—--I I ! I - - -- 1- - - - - - - —-I- - - ........ — - «! 一SJ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X：297公釐）