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Description
301750 α7 ______Β7_ 五、發明説明(i) 〔發明之背景〕 本發明係關於一種具備例如DRAM或疑似S RAM 等,發生實行更新動作所用之更新信號的更新定時器的半 導體積體電路及更新定時器週期調整方法,尤其是,關於 一種隨著更新動作之消耗電流的減低化對策。 近幾年來,隨著資訊通信用攜帶機器之普及,對於 DRAM等記憶體提高減低耗電之要請。尤其是, DRAM係在保持資料時也發生依更新之耗電流,因此, 保持資料時之低耗電成爲重要之課題。
如第1 4圖所示,DRAM之記憶體格的保持資料時 間係具有溫度依存性,溫度愈高則保持資料時間愈短。具 體而言,電源電位V cc爲3 . 6V時,溫度每上昇1 0°C ,則保持資料時間係大約1 / 1 . 5地縮短,而在7 5 °C 時之保持資料時間係僅約2 5 °C時之1/1 0。如此,具 有自動更新模態的DRAM係保証溫狀態之保持資料,設 定有對應於高溫時之保持資料時間之極短更新週期。因此 ,因在常溫狀態或低溫狀態下使用時成爲必需以上實行更 新,故成爲該分量消耗不需要之電流。 以下,在输出更新信號的更新定時器上具有溫度依存 性,藉低溫時之更新週期成爲比髙溫時長,而減低低溫時 之更新電流的技術,記載於ISSCC Dige st of Technical Papers, ρρ·268 - 269,Feb. 1991。說明該技術。 保持資料時間之界限要因,係表示於第1 5 ( a )圖
之NM0S電晶體時或表示於第1 5 ( b )圖之PM0S 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4洗格(210 X 297公釐) 請- 先 閱 Λ 之 注 意
I 經濟部中央標準局男工消費合作杜印製 A 7 B7 五、發明説明(2 ) 電晶體時,均爲發生在記憶體格電晶體之PN接合部之漏 電° 因保持資料時間之溫度依存性係起因於P N接合的漏 電流之溫度依存性,因此,成爲將更新定時器之溫度特性 配合記憶體格漏洩之溫度特性即可以。故,在更新間隔因 具有與記憶體格漏流同等之溫度特性,因此,一般利用記 憶體格之漏流速度來控制更新定時器之更新間隔。 以下,利用第1圖表示利用以往的記憶體格之漏流速 度之更新定時器的電路圖之一例。 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第1 6圖所示,因一個記憶體格電容器2 0之電容 極小,爲了未受到電位比較電路2 0 6之输入電容或雜訊 等之影響,約1 0 0 0個之記憶體格,係並聯地連接而構 成作爲本體記億體之虛設的記憶體格塊2 0 1。亦即,儲 存節點2 0 4彼此間.及格板節點2 0 5彼此間係分別互相 地結線,並聯地連接有所有電容器2 0 3。儲存節點 2 〇 4之電位變化係輸入於電位比較電路2 0 6,而在電 位比較逾路2 0 6上與基準電位VREF相比較。又,記億 體格塊2 0 1—般係與記億體本體另外地布置在更新電路 用。 以下,說明如上所述所構成所更新定時器之電路動作 0 首先,如第1 6圚所示,儲存節點2 0 4經記億體格 電晶體2 0 2而充電成電源電位Vcc之期間,在定時器電 路2 〇 8,將作爲更新信號之振擻信號從振遒電路2 0 9 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4规格(2〖0X297公釐) r 經濟部中央樣準局貞工消費合作社印製 301750_^_五、發明説明(3 ) 輸出至輸出端子out,隨著該振盪信號,,記憶體本體 被更新。又,振盪信號之振盪次數係以計數器電路210 被計數,僅振盪更新記憶體本體之全格的次數時,則計數 器電路2 1 0輸出信號而復置閂電路2 0 7,即可停止振 盪電路2 0 9之振盪(停止更新)。 然後,復置閂電路2 0 7時,將記憶體格電晶體 2 0 2成爲斷開,儲存節點2 0 4從電源被切離。如此, 則保持在儲存節點2 0 4之電荷,係藉由記憶體格電晶體 2 0 2之PN接合漏流而逐渐地減少,降低儲存節點 2 0 4之電位。 然後,儲存節點2 0 4之電位下降至基準電位VREF 時,藉電位比較電路2 0 6設定閂電路2 0 7,當閂電路 2 0 7輸出信號時,則定時器電路2 0 8被復置,振逢電 路2 0 9再開始振盪,計時器電路2 1 0再開始振盪次數 之計時(開始更新)。又,當閂電路2 0 7輸出信號時, 電晶體2 0 2成爲導通之狀態,儲存節點2 0 4再充電成 電源電位Vcc。如此,交互地重複實行更新期間與停止更 新期間。 停止更新期間係如上所述,儲存節點2 0 4之電位係 藉從電源電位Vcc下降至基準電位VREF爲止所需之時間 所規定。此時,儲存節點2 0 4之電位降速度係設計成與 記億體本體之電位降速度大約相等,又,溫度特性地設計 成大約相等。因此,依照本電路則不管溫度變化,可設定 最合適之停止更新期間,亦即可設定最合適之更新間隔。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遥用中國國家標準(CNS ) Μ见格(210 X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ΒΊ_ 五、發明説明(4 ) 然後,因更新成爲必需之時期,係保持資料時間在所 有本體記億體格之間並不是相等,因此作爲整體記憶體格 °須藉保持資料期間之最短記憶體格來規定。但是,在保 持資料時間之最短的記憶體格與保持資料時間之平均的記 憶體格之間,保持時間也有約3 0倍之不相同。在第1 7 圖表示電源電位V cc爲3 . 6V,而週邊溫度爲7 5°C時 之DRAM記憶格之保持時間的測定結果。由第1 7圖可 知,保持資料時間短之記憶體格係形成群,惟僅佔整體記 憶體格之約0 . 1%。又如在第1 6圖所述的更新定時器 ,並聯地連接多數記憶體格而形成平均化儲存節點電位之 下降速度時,即使須更新保持資料時間最短之記憶體格, 更新定時器之儲存節點2 0 4之電位係也成爲平均化,而 成爲幾乎不會下降。例如,電源電位V cc爲5 V時,儲存 節點2 0 4之電位僅極緩慢地下降至約4 . 9 5V。因此 ,可知開始更新期間之時間,不得不對於基準電位VREF 之些微變動也極敏感,而很難設定最合適之更新間隔。 作爲該對策,考量將儲存節點之電位很快下降至基準 電位VREF 。以往,如記載於日本專利公報特開平4 — 2 5 9 9 8 3號:將記憶體格電容器之電容比記憶體本體 之電容器之電容成爲約10分1而使儲存節點之電荷快速 地消失,或是如記載於日本專利公報特開平5 — 2 2 5 7 7 7號;提案在虛設用記憶體格之基板部分設置 不純物澳度髙之領域,使電晶體之P N接合的電阻値成爲 較小値,而將漏電流僅增加例如進1位至1 . 5位。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明(5 ) 然而,具有上述以往之更新定時器電路的半導體積體 電路裝置係有如下所述之幾個問題。亦即,欲將記憶體格 板之電容成爲10分之1時,很難仍然使用記億體本體之 記憶體格,須另外製作之問題。如此,不能成爲嚴格上之 虛設而因在溫度依存特性上不相同,有很難設定合適之更 新間隔的問題。 又爲了減小電阻値時,因最好的記憶體格之製造過程 成爲多餘之幾種過程,因此在費用方面有成爲不利之問題 。此外,也有在漏電流量上容置產生偏差之缺點。 〔發明之概要〕 本發明係一舉地解決上述以往之問題,其目的係在於 藉更新週期之最合適化,而可減低D RAM等之低溫或常 溫時的更新電流。 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 爲了達成上述之目的所用的本發明,係減小記憶體格 電容器之容量,因而可容易地得到依照本體記憶體之溫度 依f性的漏電流特性,且,儲存節點電位之效果速度加快 的構成者。 本發明之半導體積體電路裝置,其特徵爲:具備儲存 電荷之儲存節點的第1電極與連接於格板的第2電極相對 向所成的電容器,及第1電極連接於上述儲存節點,第2 電極連接於在上述電容器之上述第1電極供應電荷的第1 電源,第3電極連接於控制上述電容器之電荷儲存量之控 制線的電晶體所構成的記憶體格配列所成的本體側的記憶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明(6 ) 體格陣列,及輸出保持本體側之該記憶體格陣列之資料所 用之更新信號的更新定時器;該更新定時器係由檢測依上 述記憶體格陣列之漏電流之電壓降的漏流監察器機構,及 接收該漏流監察器機構所輸出之檢測信號,輸出上述更新 信號而且在控制上述漏流監察器機構之控制機構輸出信號 的脈衝產生機構所構成:上述漏流監察器機構係具有與構 成本體側之上述記億體格陣列的記億體格相同之構成,且 上述電晶體之上述第3電極連接於上述控制機構之記憶格 配列所成,產生依上述漏電流之電壓降的虛設記憶體格陣 列,及連接於構成該虛設記億體格陣列的記憶體格之儲存 節點或格板之任何一方,比較產生上述虛設記憶體格陣列 之電位與所定電位,當上述電位與上述所定之電位一致時 輸出信號的電位比較機構,及加速構成上述虛設記憶體格 陣列的上述記憶體格之電壓降的漏流加速機構。 依照上述之半導體積體電路裝置,因漏流監察器機構 係具有與本體側之記憶格相同構成的記憶體格,因此可確 實地監察漏電流,而且因具有加速漏流監察器機構之虛設 記億體格陣列之電壓降的漏流加速機構,可急速地下降漏 流監察器機構的虛設記憶體格陣列之電壓降的漏流加速機 構,而可急速地下降漏流監察器機構之電容器之電位,故 可將更新週期成爲最合適,可減低DRAM等之本體記億 體之低溫時或常溫時之更新電流。 在上述之半導體稹體電路裝置中,上述電位比較機構 係分別連接於構成上述虛設記億體格陣列的上述記億體格 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 301750 五、發明説明(7 ) 請 先 閱 讀 背 孓 S 事 項 再 填 寫 本 頁 之各格板較理想。構成如此,即使在儲存節點側沒有多餘 布置配置電位比較機構時,也可使用與本體側之記憶體格 相同之記憶體格。 在上述之半導體積體電路裝置中,第1漏流加速機構 係構成上述虛設記憶體格陣列的上述記億體格之各格板被 電氣地開放較理想。 構成如上所述時,因鼸著電位從儲存節點消失,相對 向側電極之電荷也自然地消失,因此,儲存節點之電荷係 形成不受大電阻而可消失。故,停止對儲存節點之電荷供 應之後。因快速地經電晶體之接合部而漏流,因此儲存節 點之電位急速地下降,成爲接近保持資料時間之最短記憶 體格的儲存節點之電位降速度。由此,可最合適化更新週 期,更提高DRAM等之本體記憶體之低溫時或常溫時之 更新電流的減低化。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 又,在上述之半導體積體電路裝置中,第2漏流加速 機構,係第1電極連接於構成上述虛設記憶體格陣列的上 述記憶體格之各格板,而第2電極連接於第2電源,第3 電極連接於上述控制機構的補助電晶體較理想。 構成如此,補助電晶體成爲斷開時,因格板側之節點 成爲電氣地被開放之狀態,在儲存節點之電位下降時,可 發揮與具有上述第1漏流加速機構之發明同樣之作用。此 外,因補助電晶體之接合漏流所產生之格板側的節點之電 位降,儲存節點之電壓降成爲更加速。相反地,在儲存節 點之電位降時,補助電晶體成爲導通時,因儲存節點之電 本紙張尺度適用中國國家橾隼(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) 10 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(8 ) 位降被抑制,因此電位降速度被減速。因此,藉補助電晶 體之導通,斷開動作,不僅儲存節點之電位降速度與具有 上述第1漏流加速機構之發明之情形更被加速之外,因可 控制儲存節點之電位降速度之加減速,故可更合適化更新 時期。 又,儲存節點之電位下降至所定電位而每當再初期化 成第1電源電位,因格板側之節點藉第2電源成爲與第1 電源相同之電位方向的電位,因此,形成可抑制電容器之 第1電極及第2電極間的電位上昇時或電位降時之不平衡 。由此,成爲可避免起因於不平衡的電容器之電容絕緣膜 之破壞等之不方便。 具有上述第1或第2之漏流加速機構時,上述記憶體 格之電晶體係N型MOS電晶體,而上述漏流加速機構係 比上述虛設記億體格陣列連接於比施加於上述本體側的記 億體格陣列之上述第1電源更高電位之昇壓電源較理想。 構成如此,因N型MOS電晶體之PN接合的電位差 會變大,因此成爲增加接合漏流,可更加速儲存節點之電 位效果速度。因此,成爲可較大地採取基準電位VREF之 設定界限,裝置之動作成爲安定。 又,此時,上述記憶體格之電晶體係N型MO S電晶 體,上述漏流加速機構係上述虛設記億體格陣列側的上述 N型M〇 S電晶體之基板,連接於比連接於上述本體側之 虛設記憶體格陣列側的上述N型MO S電晶體之基板的電 源較低電位之降壓電源較理想。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) (請先閲讀t面之注意事項再填寫本頁) 叫裝· 訂 11 五、發明説明(9 ) 構成如此,因N型MOS電晶體之PN接合的電位差 會變大,因此成爲增加接合漏流,可更加速儲存節點之電 位效果速度。因此,成爲可較大地採取基準電位VREF之 設定界限,裝置之動作成爲安定。 又,此時,在上述虛設記億體格陣列側之上述儲存節 點或上述格板之至少一方,經由保險絲連接有其中一方之 電極,而連接有另一方之電極所接地的至少一個預備之電 容器,結合於上述儲存節點的電容量値係藉上述保險絲被 切斷可調整較理想。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 構成如此,因藉第1電源,電荷供應在儲存節點,儲 存節點及格板側之節點的電位上昇時,也經由保險絲有電 荷儲存在儲存節點側或格板側之預備電容器,因此,僅存 在預備電容器之分量成爲增加儲存節點之電荷保持量。由 此,當保險絲被切斷時,則僅預備電容器之電荷保持置的 分量減少儲存節點之電荷保持置。因此,被結合在儲存節 點的電容量値,係藉保險絲之切斷而減少地成爲可微調整 ,因此,例如在製造更新定時器時,成爲對每一批可實行 減少電容量値而調整電壓降速度之方向。 又,此時,在上述虛設記憶體格陣列側之上述儲存節 點或上述格板之至少一方,經由保險絲連接有第1電極, 第2電極連接於上述第1電源,而第3電極連接有連接於 上述控制機構之至少一個預備之電晶體,上述儲存節點之 電位降速度係藉上述保險絲被切斷可調整較理想。 構成如此,因在儲存節點及格板側之節點的電壓下降 本紙張尺度通用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12 - 301750 B7 經濟部中央橾隼局貝工消費合作社印製 五、發明説明( 10 ) 時 > 也 經 由 保 險 絲 有 電 荷 流 在儲 存 節 點 側 或 格 板 側 的 預 備 電 晶 體 9 因 此 9 僅存 在在 預 備 電 晶 體 之分 置 9 成 爲 增 加 電 晶 體 之 接合 漏 流 0 由 此 9 當 保 險 絲 被 切 斷 時 9 則 僅 預 備 電 晶 體 之 接 合 漏 流 的 分 量 減 少 作 爲 全 體 之 接合 漏 流 〇 因 此 9 儲 存 節 點 電 位 之 下 降 速 度 9 係 藉 保 險 絲 之 切 斷 而 減 少 地 成 爲 可 微 調 整 9 因 此 9 例 如 在製 造 更 新 定 時 器 時 成 爲 對 每 —* 批 可 實 行 調 整 延 遲 電 壓 降 速 度 之 方 向 〇 在 上 述 半 導體積 體 電 路 裝 置 中 上 述 脈 衝發 生 機嫌 极稱 係 具 有 連 接 於 上 述 電 位 比 較機構 與 上 述控 制 機構 9 及 連 接 於 該 信 號 閂 機構 9 输 出 成 爲 上 述 更 新 信 號 之 脈 衝 的 振 盪 機構 及 計 測 該 脈 衝 之 所 定 次 數 的 計 數 器 所 構 成 的 定 時 器 機構較 理 想 0 構 成 如 此 可 從 漏 流 監 察 器 機構所 输 出 之 檢測 信 號 確 實 地 發 生 更 新 信 號 0 在 上 述 半 導 體 ruz. 積體 電 路 裝 置 中 9 上 述 脈 衝發 生 機構 係 具 有 連 接於 上 述 電 位 比 較 M ti* 极稱 與 上 述 控 制 機構 9 延 遲 接 收 信 號 的 延 遲 機構較 理 想 〇 構 成 如 此 因 可 以 不 需 要 振 盪 機进 様稱 及 計 數 器 等 9 因 此 可 簡 化 裝 置 之 構 成 〇 又 9 也 可 容 易 地 對 應 藉 發 生 同 步 於 漏 流 監 察 器 機4M 饿稱 所 输 出 之 檢 測 信 □Ο» 號 的 脈 衝 所 實 行 的 分 散 更 新模 態 0 在 上 述 之 半 導 體 稹 體 電 路 裝 置 中 > 上 述 脈 衝 發 生 •UHt 雄 俄稱 係 集 中 在 上 述 檢 測 信 號 之 發 生 週 期 的 更 新 週 期 之 期 間 中 的 一 部 分 输 出 所 有 上 述 更 新 信 號 較 理 想 0 構 成 如 此 9 在 更 新 本紙張尺度適用中國國家橾隼(CNS > A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印掣 A7 __B7_五、發明説明(η ) 週期之期間中,因對於本體側之所有記憶體格發生更新信 號,故可確實地實行更新動作。 在上述之半導體稹體電路裝置中,上述脈衝發生機構 係附加輸出同步於上述檢出信號之發生週期的一脈衝所成 的上述更新信號之構成者。 構成如此,同步於漏流監察器機構所输出之檢出信號 的發生週期的一脈衝所成的更新信號,因依次選擇連接於 本體側之記憶體格陣列的一條字線而實行更新動作,因而 與集中在更新週期之一部分期間而送出更新信號的集中更 新模態相比較,送出更新信號之間隔較廣,故形成可抑制 動作中之電路的發熱,可安定裝置之動作。 本發明之第1種更新定時器週期調整方法,其特徵爲 :具備具有檢測記億體格陣列之漏電流所產生之電壓降的 漏流監察器機構,測定輸出保持上述記憶體格陣列之資料 所用的更新信號之更新定時器之週期的測定過程,及比較 依照構成上述記憶體格陣列的裝置之規格値事先決定的目 標値與上述測定値並予以評價的評價過程,及在未達到評 價之結果之結果目標値時,調整更新週期調整機構的調整 過程等。 依照上述之更新定時器週期調整方法,因在測定過程 測定更新定時器之週期後,在評價過程比較依照裝置之規 格値事先決定之目標値與測定値並予以評價,而在未達到 目標値時則在調整過程調整更新週期調整機構,因此,即 使在最惡劣溫度條件下也形成可以保持資料,而且因隨著 (請先聞讀背面之注$項再填寫本瓦) 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 14 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明( 12 ) 記 憶 體 格 之 保 持 特 性 可 擴 張 常 溫 或 低 溫 時 之 更 新 週 期 9 因 此 可 減 低 常 溫 或低 溫 時 之 更 新 動 作 所 產 生 的 耗 電 0 本 發 明 之 第 2 種 更 新 定 時 器 週 期 調 整 方 法 , 其 特徵 爲 • 具 備 9 在 所 定 條 件 之 下 測 定 構 成 記 億 格 陣 列 的 裝 置 之 保 持 資 料 時 間 9 而 從 該 測 定 値 設 定 巨 標 値 的 準 備 過 程 9 及 具 有 檢 測 上 述 記 憶 體 格 陣 列 之 漏 電 流 所 產 生 之 電 壓 降 的 漏 流 監 察 器 機 構 藉 與 上 述 準 備 過 程 相 同 條 件 測 定 輸 出 保 持 上 述 記 憶 體 格 陣 列 之 資 料 所 用 之 更 新 信 號 的 更 新 定 時 器 之 週 期 的 測 定 過 程 9 及 比 較 依 上 述 準 備 過 程 之 巨 標 値 與 上 述 測 定 過 程 之 測 定値 並 予 以 評 價 的 評 價 過 程 > 及 在 未 達 到 評 價 之 結 果 巨 標 値 時 9 细 調 整 更 新 週 期 調 整 機構 的 調 整 過 程 等 〇 依 照 上 述 之 更 新 定 時 器 週 期 3Ββ m 整 方 法 時 因 在 所 定 條 件 下 測 定 在 準 備 •?ra, 過 程 中 構 成 記 憶 體 格 陣 列 的 裝 置 之 保持 資 料 時 間 9 從 該 測 定 値 設 定 巨 標 値 > 而 在 測 定 過 程 中 9 藉 與 準 備 適 程 相 同 之 條 件 測 定 具 有 檢 測 依 記 憶 體 格 陣 列 之 漏 電 流 的 電 壓 降 的 漏 流 監 察 器 機構 而 输 出 保 持 上 述 記 憶 體 格 陣 列 之 資 料 所 用 之 更 新 信 號 的 更 新 定 時 器 之 週 期 後 9 在 評 價 過 程 比 較 評 價 依 準 備 過 程 之 巨 標 値 與 依 測 定 過 程 之 測 定 値 9 而 在 未 達 到 評 價 之 結 果 巨 標 値 時 9 則 在 調 整 過 程 調 整 更 新 週 期 調 整 機構 9 因 而 不 被 限 定 於 裝 置 之 規 格値 9 對 每 一 裝 置 可 設 定 最 適 當 之 更 新 週 期 9 因 此 9 可 更 減低 常 溫 或 低 溫 時 之 更 新 所 產 生 之 耗 電 流 〇 又 , 因 在 所 定 條 件 下 實 際 地 測 定 在 準 備 過 程 所 使 用 的 裝 置 9 因 而 在 測 定 過 程 以 與 準 備 過 程 相 同 條件 下 測 定 即 可 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(13 ) 以,而不須要依最惡劣溫度條件下之測定,成爲容易實行 溫度管理。 在第1或第2更新定時器週期調整方法,上述調整過 程係包括重複從上述測定過程至上述調整過程直到達到上 述目標値爲止的過程較理想。構成如此,可確實地得到具 有所期望之更新週期的更新定時器。 又,第1或第2更新定時器週期調整方法,上述更新 週期調整機構係具有儲存電荷之儲存節點的第1電極與連 接於格板之第2電極相對向的電容器,及連接於上述儲存 節點與將電源供應於該儲存節點的電源之間,控制上述儲 存節點的電荷之儲存量的電晶體所成的虛設記憶體跨的上 述漏流監察器機構,其特徵爲:在上述虛設記憶體格之上 述儲存節點或上述格板之一方,經由保險絲連接有其中一 方之電極,連接有另一方之電極被接地之至少—個預備之 .電容器所成;上述調整過程之調整方法係藉切斷上述保險 絲實行較理想。 經濟部中央標準局属工消費合作社印«. 構成如此,因藉切斷連接於預備電容器之保險絲減少 結合電容量,因此可將儲存節點之電位降速度實行微調整 向加速之方向。因此,在例如製造更新定時器時,在每一 批可實行減少電容器之電容量而將電位降速度調整向加速 之方向。 又,第1或第2更新定時器週期調整方法,上述更新 週期調整機構係具有儲存電荷之儲存節點的第1電極與連 接於格板之第2電極相對向的電容器,及連接於上述儲存 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~·— _ 301750 A7 B7 經濟部中央梯準局負工消费合作社印製 五、發明説明(14 ) 節 點 與 將 電 源 供 應 於 該 儲存 節 點 的 電 源 之 間 9 控 制 上 述 儲 存 節 點 的 電 荷 之 儲存 量 的 電 晶 體 所 成 的 虛 設 記 億體格 的 上 述 漏 流 監 察 器 機構 9 其 特 徵 爲 : 在 上 述虛 設 記 憶體格 之 上 述 儲 存 節 點 或 上 述 格 板 之 一 方 > 經 由 保 險 絲 連 接有 第 1 電 極 第 2 電 極 連 接 於 上 述 電 源 9 第 3 電 極 連 接有 連 接 於 控 制 上 述 電 容 器 之 電 荷儲存 量 的 控 制 機構 之 至 少 一 預 備 電 晶 體 所 成 〇 上 述 調 整 過 程 之 調 整 方 法係 藉 切 斷 上 述 保 險 絲 實 行 較 理 想 〇 構 成 如 此 9 因 藉 切 斷 連 接 於 預 備 電 晶 體 之 保 險 絲 消 除 從 預 備 電 晶 體 流 出 之 漏 電 流 9 因 此 9 在 例 如 製 造 更 新 定 時 器 時 9 在 每 —. 批 可 實 行 將 電 位 降 速 度 調 整 向 延 遲 之 方 向 〇 C 實 施 例 ) 以 下 依 照 圖 式 說 明 本 發 明 之 第 1 實 施 形 態 0 第 1 實 施 形 態 ) 第 1 圖 係 表 示 本 發 明 的 第 1 實 施 形 態 之 半 導 體 阻 積 體 電 路 裝 置 的 整 Μϋ. 贈稱 成 圖 〇 在 第 1 圖 9 由 一 電 容 器 與 — 電 晶 體 所 構 成 之 記 憶 體 格 配 列 所 成 的 記 億 體 格 陣 列 9 係 從 更 新 定 時 器 經 由 更 新 計 數 器 及 字 驅 動 器 9 週 期 地 接 收 更 新 信 號 0 更 新 定 時 器 係 具 有 與 本 體 側 之 記 億 體 格 相 同 構 成 的 記 憶 體 格 9 檢 測 到 記 憶 體 格 之 儲 存 節 點 的 電 位 下 降 直 到 所 定 電 位 而 通 知 至 脈 衝 發 生 電 路 的 漏 流 齡 ΤΤΠ- 察 器 饿稱 9 及 發 生 作 爲 更 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 請-先* 閲 讀 背· 意 事 項 再 填 本 頁 -17 A7 B7 經濟部中央搮準局貝工消费合作社印裝 五、發明説明( 15 ) 1 I 新 信 號 之 Maa 觸 發 器 的 脈 衝 發 生 電 路所 構 成 0 字 驅 動 器 係 連 接 1 1 I 於 記 1® 體 格 陣 列 之 所 有 字 線 9 藉 活 性 化 連 接 於 由 更 新 計 數 1 1 1 器 依 次 選 擇 的 字 線 ( W L η ) 的 電 晶 體 9 俾 供 應 保 持 資 料 1 I 請- 1 | 用 之 電 荷 〇 先 閲 I I 讀 1 I 第 2 ( a ) 圖 係 表 示 本 發 明 的 第 1 實 施 形 態 之 半 導 體 背 之 1 積 體 電 路 裝 置 的 更 新 定 時 器 之 漏 流 監 察 器 電 路 的 電 路 圖 〇 £ 意 1 I 事 1 如 第 2 ( a ) 圖 所 示 9 更 新 定 時 器 係 由 : 配 設有第 1 電 極 項 再 1 填 1 1 a 及 第 2 電 極 1 1 b 所 成 的 電 容 器 1 1 9 及 連 接 於 電 寫 本 古 裝 I 容 器 1 1 之 第 1 電 極 1 1 a 9 形 成 儲 存 電 荷 的 儲存節 點 貝 1 1 1 1 2 之 第 1 電 極 的 汲 極 1 3 a 連 接 於 供 應儲存 於 儲存 節 1 1 點 1 2 之 電 荷 的 第 1 電 源 1 5 A ( 電 位 : V C C ) 之 第 2 電 1 1 極 的 源 極 1 3 b 及 連 接 於 控 制 汲 極 1 3 a 與 源 極 1 3 b 門 訂 1 之 電 流 的 控 制 端 子 R S T 之 第 3 電 極 的 閘 極 1 3 分 別 配 設 1 I 在 基 板 上 所 成 的 N Μ 0 S 電 晶 體 1 3 9 及 監 察 儲 存 節 點 1 1 1 2 之 電 位 9 當 經 電 晶 體 1 3 充 電 成 雷 源 之 電 位 V C C 的 儲 1 1 存 節 點 1 2 之 電 位 因 電 晶 體 1 3 之 漏 奮 流 而 下 降 至 基 準 電 1 1 I* 位 V R E F 時 9 作 爲 更 新 定 時 器 將 信 號 输 出 至 端 子 R Q 的 電 1 1 位 比 較 電 路 1 6 所 構 成 〇 作 爲 本 實 施 形 態 之 特 徵 , 電 容 器 f 1 1 1 之 第 2 電 極 1 1 b 係 形 成 格 板 1 4 9 電 氣 方 式 地 被 開 1 1 放 0 1 I 又 9 未 予 圖 示 9 電 容 器 1 1 與 電 晶 體 1 3 所 構 成 的 記 1 1 1 憶 體 格 係 並 聯 地 連 接 約 1 0, 0 0 個 形 成 虛 設 記 憶 體 格 陣 1 1 1 列 1 7 0 * 1 1 以 下 9 使 用 第 2 ( a ) 9 ( b ) 圓 說 明 如 上 所 構 成 的 1 1 本紙張尺度適用中國國家標举(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局貝工消費合作杜印裝 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(16 ) 漏流監察器電路之動作。第2 (b)圖係表示漏流監察器 電路裝置的模式剖面圖。在與表示於第2 ( a )圖之構成 要素柑同之構成要素附與相同之記號而省略說明。首先, 控制端子R S T库爲導通狀態時,在電晶體1 3之閘極 1 3 C施加有所定電壓,藉電荷從位元線1 5 B供應至儲 存節點1 2,儲存節點之電位係成爲電源電位之Vcc。之 後,控制端子R S T成爲斷開狀態時,儲存於儲存節點 12的電荷係主要從電晶體13之汲極成爲漏電流18而 流到基板,故儲存節點1 2之電位逐漸地下降。連接於儲 存節點12的電位比較器16係經常地監察儲存節點12 之電位,當儲存節點1 2之電位下降至基準電位VREF以 下時,則輸出檢出信號。 儲存節點12之電位降速度,係因電氣方式地開放格 板1 4,因而結合於儲存節點1 2的寄生容量1 9等會相 對地減小,因此被加速。 以下,說明在儲存節點12之電位降。 首先,電晶體13成爲導通狀態,儲存節點12之電 位成爲Vcc。之後,電晶體1 3成爲斷開狀態,因儲存節 點1 2成爲浮動狀態,儲存在儲存節點1 2的電荷係主要 作爲電晶體1 3之接合漏電流而失去,因此降低儲存節點 12之電位。該儲存節點12之電位降速度係由漏電流路 徑之電阻値,及結合於儲存節點1 2之電容量値所決定。 欲改變漏電流路徑之電阻値,調整電晶體1 3之尺寸即可 以。又,欲改變電容量値,若電容器11之第2電極 -19 - (#-先閲讀會面之注意Ϋ項再填寫本頁) 裝· 訂 A7 B7 五、發明説明(17 ) 1 1 b之電位時,調整電容器1 1之尺寸即可以。然而, 布置狀況上,因電晶體13及電容器11之尺寸被限定, 因此,產生無法設定漏電流路徑之電阻値或結合於儲存節 點1 2的電容置値之相乘積,亦即產生無法將儲存節點 1 2之電壓降速度設定在所期望之數値。 以下,說明儲存節點之電位降速度與更新週期之關係 。爲了保持記憶體本體之全記憶體格之資料所需的更新週 期,係藉保持資料特性最差之記憶體格被規定,如第1 6 圖所示,在保持資料時間之最差的記憶體格無法保持資料 之時間與5 0 %之記憶體格無法保持資料的時間,約有 3 0倍之時間差。例如將1 0 0 0個之記憶體格如第2 ( a )圖所示地塊化時,因儲存節點1 2之電位降速度係成 爲1 0 0 0個之平均,因此成爲保持資料時間最短的記億 體格之儲存節點1 2的電位降速度之約1/3。亦即,即 使保持資料時間最短的記憶體格之儲存節點12僅下降 IV,虛設記憶體格1 7所結線的儲存節點1 2之電位係 成爲僅下降〇 . 0 3V。因此,即使基準電位VREF·只有 0 . Ο IV之變動,也成爲電位比較電路1 6輸出信號之 時間會大幅度地變動。 /第3圖係表示比較本實施形態的漏流監察器電路之電 位降速度與以往的漏流監察器電路之電位降速度的圈式。 將控制端子RST成爲斷開之時刻作爲t = 0,表示經過 時間t與儲存節點電位之變化。如第3圖所示,實線2 0 係本實施形態的儲存節點之電位變化,而虛線2 1係以往 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) ----「裝-- -· , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準扃貝工消费合作社印製 -20 - A7 ΒΊ_ 五、發明説明(18 ) 的儲存節點之電位變化。因對於所定時間t ,虛線 2 1係電位幾乎沒有變化,因此無法設定基準電位VR 之設定餘置,一方面,依照本實施形態時,因電位降速度 被加速,因而所定時間t附近的儲存節點電位之變化置比 以往者大,故可用餘量2 2設定基準電位VREF ,可將更 新週期之誤差容許範圍2 3集中在較狹窄範圍。 如上所述,爲了加速如第2 ( a )圖所示之儲存節點 12之電位降速度,在虛設記億體格17互相結線格板節 點1 2,而將格板1 4側之節點作爲成爲浮動之構成。因 此,在例如使用0 . 5//m過程之1 6M位元DRAM時 ,結合於儲存節點12的浮游電容量,係成爲電容器11 之電容量値之約1/2 0,而儲存節點1 2之電位降速度 係僅加速約2 0倍。 經濟部中央揉準局負工消费合作社印装 (t先閲讀_背面之注意事項再填寫本頁) 具體上,歩隹4圖表示測定例子。將實驗性1 6 Μ位 元DRAM作爲對象,在電源電位Vcc=3 . 6V,週邊 溫度7 5°C,基板電位VBB=— 1 . 3V之條件下,實測 本實施形態之漏流監察器電路之電位降速度與以往的漏流 監察器電路之電位降速度的圖式。將控制端子R S T成爲 斷開之時刻作爲t = 0,而表示經過時間t與儲存節點電 位之變化。表示於第4圖之曲線2 4係表示本實施形態的 儲存節點之電位變化,曲線2 5係表示以往的儲存節點之 電位變化。表示以往之電位變化之曲線2 5,係時間經過 一秒鐘後的儲存節點電位係超過3.5V,不可能設定基 準電位VREF 。對此,表示依本實施形態之電位變化的曲 本紙張尺度遍用中國國家梂隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) 21 A7 301750 B7 五、發明説明(19 ) 線2 4,係時間經過一秒鐘後之儲存節點電位係下降至 2 . 6V,而可設定基準電位VREF 。又,表示依本實施 形態之電位變化的曲線2 4,係也可確認接近保持特性差 之少數記億體格群的錯誤格之儲存節點的電壓降速度。 如此,依照本實施形態,在更新定時器之漏流監察器 電路中,藉電氣方式地開放格板1 4側之節點,因可急速 地下儲存節點1 2之電位,可接近於保持資料時間之最短 本體記憶體格的儲存節點電位之下降速度,因此,成爲可 設定反映保持資料時間的更新間隔。因此,可得到最合適 之更新週期,因而可得到減低半導體記億裝置之低溫或常 溫時的更新電流。 (第1實施形態之第1變形例) 以下,依照圖式說明本發明的第1實施形態之第1變 形例。 經濟部中央標準局男工消費合作社印裝 ( a )圖係表示本變形例的半導體稹體電路裝置 之更新定時器之漏流監察器電路的電路圖。在與表示於第 2 ( a )圖之構成要素相同之構成要素附與相同記號而省 略說明。欲互相結線依第1實施形態的虛設記憶體格陣列 1 7的記憶體格之各儲存節點1 2,必須變更儲存節點 1 2之形狀。因此.,無法直接使用與本體側之記億體格相 同之記憶體格。又,在依表示於第2圖之第1實施形態的 更新定時器。欲拉出儲存節點12而輸出在電位比較電路 1 6,若考量布置也有極難之情形。 本紙張尺度遑用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) -22 - B7 五、發明説明(20 ) 依本變形例,電位比較電路16係連接電容器11的 第2電極1 1 b,亦即連接於格板1 4,俾監察第2電極 1 1 b之電位。 亦即,即使以電位比較電路16監察格板14時,因 格板14係與儲存節點12相同速度下降電位,因此,以 監察儲存節點12時同樣之時間,電位比較電路16係輸 出信號。又,在上述之16M位元DRAM,可知各格板 節點14本來就結線,如第5 (b)圖所示,從格板1 4 拉出配線比從儲存節點12拉出配線更容易输出至電位比 較電路1 6。 如此,依照本變形例,因電位比較電路1 6係連接於 格板14而監察格板14之電極的電位,因此即使在儲存 節點1 2側沒有餘裕來配置電位比較電路1 6之布置時, 也可使用與本體記億體相同之記憶體格。 (第1實施形態之第2變形例) 以下,依照圖式說明本發明的第1實施形態之第2變 形例。 ( a )圖係表示本變形例的半導體積體電路裝置 之更新定時器之漏流監察器電路的電路圖°在與表示於第 2 ( a )圖之構成要素相同之構成要素附與相同記號而省 略說明。在第6 (a)圖,構成虛設記憶體格陣列17之 記憶體格的電晶體1 3之源極1 3 b係連接有比連接於構 成本體側之記憶體格的電晶體之第2電極的電源v 較高 請: 先 閲 背 之 注 項 再 填 本 頁 經濟部中央樣準局员工消費合作社印製 本紙垠尺度逋用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 23 - 經濟部中央標準局肩工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(21 ) 之昇壓電源15C (電位:VD )。又,在相同電晶體 1 3之基板,連接有比連接於本體側之記憶體格的電晶體 之基板較低電位的降壓電源(電壓:VSUB )。 依照本變形例,因可將施加於NMOS電晶體的電晶 體1 3之PN接合之電位差形成較大(VD — VSUB ), 因而僅該分量會增加接合漏電流,故可更加快儲存節點 12之電位降速度。在第6 (b)圖表示測定例子。表示 本變形例的漏流監察器電路之電位降速度與第1實施形態 的漏流監察器電路之電位降速度的圖式。將控制端子 RST成爲斷開之時刻作爲t = 0,表示經過時間t與儲 存節點電位之變化。比較依本變形例之曲線2 6與依第1 實施形態之曲線2 7相比較,因經過時間t後的電位變化 之傾斜較大,因此可增大基準電位VREF之設定餘量。 (第2實施形態) 以下,依照圖式說明本發明的第2實施形態。 ¥ 7圖係表示本發明之第2實施形態的半導’體積體電 路裝置之更新定時器之漏流監察器電路的電路圖。在與表 示於第2 ( a )圖之第1實施例的漏流監察器電路之構成 要素相同之構成要素附與相同之記號而省略說明。在第7 圖中,當儲存節點1 2之電位變化時,對於電容器1 1之 第1電極1 1 a及第2電極1 1 b之耦合,在電位上昇時 與電位下降時若在幫氣上未平衡時,由於儲存節點1 2重 複充放電,格板14之電位係成爲繼續上升昇或繼續下降 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > A4現格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 -24 A7 __B7___ 五、發明説明(22 ) 。若格板1 4側的第2電極1 1 b之電位繼績上昇或下降 時,也有產生破壞電容器1 1之電容量絕緣膜等之不良影 響之虞。 本實施形態之漏流監察器電路係將電容器1 1之第2 電極1 1 b構成經由第1電極之汲極3 0 a連接於格板 1 4,第2電極之電源3 Ob連接於第2電源3 1A,第 3電極之閘極3 0 e連接於控制端子RST的補助電晶體 3 0而連接於第2電源3 1A (電位:V c c〉。亦即,電 晶體1 3成爲導通之狀態而在儲存節點12連接於第1電 源1 5 A之電位V cc的期間將格板1 4充電成第2電源 3 1 A之電位Vcc,而且電晶體1 3成爲斷開之狀態而儲 存節點1 2之電位開始下降之前,將補助電晶體3 0成爲 斷開之狀態而將儲存節點12成爲浮動狀態。 又,電晶體1 3依照成爲導通或斷開之控制信號,另 外設有變更儲存節點12之電位降速度而控制補助電晶體 3 0之截止動作的控制電路,該控制電路係構成可變更補 助電晶體3 0之截止動作的時間。 因此,依照本實施形態,儲存節點1 2之電位降速度 係與第1實施形態時同樣地,比固定格板14之電位時成 爲加速之狀態。又,此時,因格板14係每一週期地充電 成第2電源3 1 A之電位Vcc,因此,不會產生格板1 4 之電位繼續上昇或下降之情形。又,藉補助電晶體3 0之 接合漏電流,因格板14之電位降成爲更加速,因此,對 於儲存節點1 2之電位降,也如第1實施形態時,比僅將 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~~ ^ 請· 先 閲 讀. 背 之 ,注
I 寫 本 頁 裝 訂 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Α7 Β7 經濟部中央橾準局貞工消費合作社印製 五、發明説明(23 ) 1 | 格板 1 4 電 氣 方 式 地 開 放 時 成 爲 更 加 速 0 1 I 此 外 5 由 補 助 電 晶 體 3 0 之 截 止 動 作 9 不 但 加 速 儲 存 1 1 I 節 點 1 2 之 電 位 降 速 度 9 因 藉 控 制 電 路 控 制 儲存 節 點 1 2 1 I nr I 之 電 位 降 速 度 之 加 減 速 9 因 此 可 提 高 更 新 時 期 之合 適 化 先 閲 it 1 1 Ο 亦 即 9 在 儲 存 節 點 1. 2 之 電 位 降 時 9 因 將 補 助 電 晶 體 背· ώ 之 1 3 0 成 爲 斷 開 5 可 加 快 儲 存 節 點 1 2 之 電 位 降 速 度 〇 相 反 注 意 1 1 事 地 若 將 補助 電 晶 體 3 0 成 爲 導 通 9 可 減 速儲存節 點 項 再 1 填 1 2 4 之 電 位 降 速度 〇 爲 本 百 裝 I 依 第 2 實 施 形 態 之 漏 流 監 察 器 電 路 9 係 說 明 將 電 晶 體 只 1 1 1 1 3 成 爲 斷 開 之 刖 9 將 補 助 電 晶 體 3 0 成 爲 斷 開 9 並 將 格 1 1 板 1 4 成 爲 浮 動 狀 態 9 惟 儲 存 節 點 1 2 下 降 至 所 定 電 位 爲 1 1 止 , 將 格板 1 4 之 電 位 固 定在 第 2 電 源 3 1 A 之 電 位 V C C 訂 1 而 不 加 速儲 存節 點 1 2 之 電 位 降 速 度 9 使儲存節 點 1 2 之 1 | 電 位 下 降 至 比 基 準 電 位 V R E F 較 髙 之 所 定 電 位 之 後 9 才 將 1 I 補 助 電 晶 體 3 0 成 爲 斷 開 而 將 格 板 1 4 成 爲 浮 動 狀 態 9 加 1 1 快 儲 存 節 點 1 2 4 之 電 位 降 速 度 , 即 可 設 定 更 詳 細 之 時 間 又 9 依 第 2 實 施 形 態 的 漏 流 監 察 器 電 路 9 係 在 格 板 1 ί 1 1 4 經 由 補 助 電 晶 體 3 0 連 接 於 第 2 電 源 3 1 A 之 電 位 - 1 | V C C > 惟 由 Ν Μ 0 S 電 晶 體 構 成 補 助 電 晶 體 3 0 時 9 考 慮 1 I 儲 存節 點 1 2 之 電 位 降 置 在 N Μ 0 S 電 晶 體 ns» 之 接 合 不 在 1 1 | 順偏 壓 之 範 圍 內 J 設 定 連 接 之 電 源 電 壓 即 可 以 〇 此 時 之 一 1 1 指 標 係 將 第 2 電 源 3 1 A 之 電 位 9 成 爲 第 1 電 源 1 5 A 之 1 1 電 位 V c C 與 補 助 電 晶 體 3 0 之 基 準 節 點 電 位 V B B ( 負 電 位 1 1 本紙張尺度逋用中國國家橾隼(CNS ) A4規格(21〇Χ297公釐〉 A7 一__B7_ 五、發明説明(24 ) )之合計値(VCC+VBB)以上。又,藉PMOS電晶體 構成補助電晶體3 0時。若在不會有不良影響之範圍,則 完全不需考慮連接之電源電壓。 (第2實施形態之第1變形例) 以下,依照圖式說明本發明的第2實施形態之第1變 形例。 圖係表示本變形例的半導體積體電路裝置之更新 定時器之漏流監察器電路的電路圖。在與表示於第7圖之 構成要素相同之構成要素附與相同記號而省略說明。 如第8圖所示,本變形例之漏流監察器電路,係在儲 存節點1 2,分別經由保險絲F 2 1〜F 2 η並聯地連接 有一個以上之預備電晶體C 1 1〜C 1 η之其中一方的電 極,而分別接地有另一方之電極;在格板1 4,分別經由 保險絲F 3 1〜F 3 η並聯地連接有一個以上之預備電晶 體C 2 1〜C 2 η。結合於儲存節點1 2之電容量値係構 成藉保險絲F 2 1〜F 2 η或F 3 1〜F 3 η之遮斷可調 整成減少。 又,在儲存節點1 2,分別經由保險絲FI 1〜 F 1 η並聯地連接有一個以上之預備電晶體Τ 1 1〜 ΤΙ η之各汲極,各源極分別連接於第1電源1 5Α,各 閘極分別連接於控制端子RST,而在格板1 4,分別經 由保險絲F 4 1〜F 4 η並聯地連接一個以上之預備電晶 體Τ21〜Τ2η之各汲極,各源極分別連接於第2電源 請- 先 閲 背· 之 注 項 再d 填叫 % 装 本衣 頁 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210x297公釐) -27 - A7 B7 五、發明説明(25 ) 3 1A,各閘極分別連接於控制端子RST。從儲存節點 1 2所流出之漏電流量,係構成藉保險絲F 1 1〜F 1 n 或F 4 1〜F 4 η之遮斷可調整成減少。 如上所述,儲存節點1 2之電位降速度係在配置有結 合於儲存節點1 2之浮游電容器,電晶體1 3之漏電流之 補助電晶體3 0時,藉其漏電流分別被規定。 因此,欲加快儲存節點1 2之電位降速度,則減少結 合於儲存節點1 2之浮游電容量,或增加電晶體1 3或補 助電晶體3 0漏電流即可以。相反地,欲減速儲存節點 1 2之電位降速度,則增加結今於儲存節點1 2之浮游電 容量,或減少電晶體1 3或補助電晶體3 0之漏電流即可 以0 由此,爲了將結合於儲存節點1 2之浮游電容量調整 向減少方向,構成將一個以上之預備電晶體C 1 1〜
Cl η及C2 1〜C2n,分別經由保險絲F2 1〜 F 2 η及F 3 1〜F 3 η分別連接於儲存節點1 2及格板 1 4 ,藉適當地遮斷保險絲F2 1〜F2n或F3 1〜 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 (免先閲讀常面之注意事項再填寫本頁) F 3 η中之幾個保險絲,可減少結合於儲存節點1 2 5之 電容量値。當然,預備電晶體Cl 1〜Cl η及C2 1〜 C 2 η係僅配置於儲存節點1 2或格板1 4之任何一方均 可以。 爲了將電晶體1 3及補助電晶體3 0之漏電流調整向 減少方向,構成將一個以上之預備電晶體Τ 1 1〜Τ 1 η 及Τ2 1〜Τ2 η,分別經由保險絲F 1 1〜F 1 η及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨Ο X 297公釐) ' A7 B7 301750 五、發明説明(26〉 F 4 f〜F 4 η分別連結於儲存節點1 適當地遮斷保險絲F 1 1〜F 1 η或F 幾個保險絲。可減少從儲存節點12所 ,預備電晶體ΤΙ 1〜ΤΙ η及Τ2 1 置於儲存節點12或格板14之任何一 例如,欲加快儲存節點1 2之電位 斷連接於預備之電容器C 1 1〜C 1 η 的保險絲F21〜F2n或F31〜F 絲。此時,未遮斷連接預備電晶體T 1 T2 1〜T2n的保險絲FI 1〜F1 F 4 η,仍然在該狀態下即可以。 如此,依照本變形例,藉遮斷預備 Cl η及C2 1〜C2n之保險絲F2 F 3 1〜F 3 η可調整加快儲存節點1 。相反地,藉遮斷預備電晶體Τ1 1〜 Τ2η之保險絲FI 1〜Fin或F4 2及格板1 4,藉 4 1〜F 4 η中之 漏流之電流。當然 〜Τ 2 η,係僅配 方均可以。 降速度,適當地遮 及C 2 1〜C 2 η 3 η中之幾個保險 1〜Τ 1 π及 η及F 4 1〜 電容器C 1 1〜 1〜F 2 η或 2 4之電位降速度 Τ 1 η及Τ 2 1〜 1〜F 4 η之幾個
請-先 閲 讀 背. * fL 連 減 成 整 調 可 絲 險 保 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 體 導 半 。 之 態態 形形 施施 實實 3 3 第第 之的 發發 本本 明示 說表 式係 ), 圖圖 態照} 形依 a 施,{ 實下^ 3 以^ 第 圖 路 t pr 的 器 時 > 晶電 a 電生 ί 助發 9 補衝 第之脈 於態的 示形明 表施說 ,實所 2 態 第形 述施 上實 依本 有在 定具及 新由路 更係電 之器器 置時察 裝定監 路新流 電更漏 體之的 稹圖體 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29 - A7 B7 五、發明説明(27 ) 路及漏流監察器電路之控制機構的驅動電路所構成。因此 ,在與表示於第7圖之漏流監察器電路相同之構成要素附 與相同記號而省略說明,以脈衝發生電路爲中心加以說明 脈衝發生電路係由:藉漏 設定的閂電路4 0,及接收閂 號而輸出作爲更新信號之振盪 振盪次數分量之振盪信號時輸 接收藉該信號所復置的閂電路 信號之輸出的定時器電路41 定時器電路4 1係由:接 所設定的閂電路4 0之輸出而 4 2,及計數振盪次數而在達 電路4 0輸出復置信號的計數 以下,一面參照表示於第 流監察器電路之檢出信號所 電路4 0設定時所输出之信 信號,而且在結束輸出所定 出復置問電路4 0之信號, 4 0之输出信號而停止振盪 所構成。 收藉漏流監察器電路之輸出 輸出振盪信號的振盪電路 到所定之振垦次數時,在閂 器電路4 3所構成。 9 (b)圖之時序圖一面說 請· 先 閲 背 ft 之 注 意 事 項 再/ 填 )I裝 頁 訂 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印裝 明如上所構成的更新 在時刻t 1,漏流監 1 3被充電成第1電 被充電之期間,定時 爲更新信號之脈衝信 電路4 3計數該脈衝 憶體格陣列係同步於 而被更新。然後,在 憶體格陣列之所有記 定時器之基本上的 察器電路之儲存節 源1 5 A之電位V 器電路4 1,係從 號输出至输出端子 信號之振盪次數。 從定時器電路4 1 時刻t 2僅振盪結 憶體格之次數分置 電路動作。 點1 2經電 cc。儲存節 振盪電路4 0 U T,在 同時,本體 所輸出之脈 束更新本體 時,則計數 首先, 晶體 點1 2 2將成 計數器 側之記 衝信號 側之記 器電路 本紙張尺度逋用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(28 ) 4 3輸出信號而復置閂電路4 0,停止振盪電路4 2之振 盪(停止更新)° 之後,閂電路4 0被復置時,接收該復置信號之驅動 器電路4 4,係斷開漏流監察器電路之電晶體1 3而從第 1電源1 5 A切開儲存節點1 2,而且斷開補助電晶體 3 0,從第2電源3 1A切開格板1 4。又,如第2實施 形態所述,分別可控制電晶體1 3與補助電晶體3 0較理 想。 之後,保持在儲存節點12之電荷係藉電晶體13之 接合漏流逐漸地減少,開始下降儲存節點1 2之電位。附 帶地,如使用第3圖所述,儲存節點12之電位降量係如 曲線4 5所示與'依以往之漏流監察器電路之虛線4 6相比 較成爲較大,因而使基準電位VREF之設定餘童增大。在 時刻t 3,儲存節點1 2之電位下降至基準電位VREF時 ,則藉來自電位比較電路1 6之輸出信號設定閂電路4 0 而從閂電路4 0输出信號。藉該閂電路4 0之输出信號復 置定時器電路41,振盪電路再開始振盪,計數器電路 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 3成爲再開始振盪次數之計數(開始更新)。 藉被復置之閂電路4 0之输出信號,漏流監察器電路 之電晶體1 3及補助電晶體3 0成爲導通狀態,儲存節點 1 2成爲再被充電成第1電源1 5A之電位Vcc。如此, 交互地重複實行更新期間與停止更新期間。 如此,依照本實施形態之更新定時器,則在漏流監察 器電路藉加快儲存節點1 2之電位降速度,藉接近於保持 本紙张尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4说格(210X297公釐) A7 B7 301750 五、發明説明(29 ) 請·-先 閲 讀. 背 之 注 意 事 項 填 、 寫癸 本衣 頁 資料時間最短的本體記億體之儲存節點之電位降速度,成 爲可設定反映保持資料時間的更新間隔。當然,在漏流監 察器電路,使用其他之實施形態或變形例之漏流監察器電 路或脈衝發生電路,成爲可設定更合適之更新間隔。 (第4實施形態〉 以下,依照圇式說明本發明的第4實施形態。 \y# 1 0 ( a )圖係表示本發明的第4實施形態之半導 體積體電路裝置之更新定時器的電路圖。表示於第10 ( 訂 a)圖之更新定時器係由:具有依上述第2實施形態之捕 助電晶體的漏流監察器電路及在本實施形態所說明之脈衝 發生電路及漏流監察器電路的控制機構的驅動器電路所構 成。因此,在與表示於第7圖之漏流監察器電路相同之構 成要素藉附與相同之記號而省略說明,以脈衝發生電路爲 中心加以說明。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本脈衝發生電路係由:接收漏流監察器電路內之電位 比較器1 6檢測基準電位VREF並輸出之檢測信號延遲且 反轉該檢測信號的延遲電路5 0,及藉延遲電路5 0所輸 出之信號,輸出成爲更新信號之脈衝信號的振盪電路4 2 ,及僅所定次數分量計數該脈衝信號計數器電路4 3所構 成。 以下,使用表示於第1 0 ( b )圖之時序圖說明如上
所構成的更新定時器之動作。首先,在時刻t1,漏流監 察器電路內之儲存節點1 2的電位下降至基準電位VREF 本紙張尺度遑用中國國家橾準(CMS ) Α4規格(2丨0Χ297公釐) 32 經濟部十央橾準局貝工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(30 ) 以下時’,電位比較器1 6輸出檢測信號。該檢測信號係輸 入在脈衝發生電路之延遲電路5 0。藉延遲電路5 0所延 遲之輸出信號係在時刻t 2,輸入於發生電路4 2而振盪 電路4 2係將脈衝信號輸出於輸出端子OUT,而且經由 驅動器電路4 4而输入至漏流監察器電路之電晶體1 3及 補助電晶體3 0之閘極。由此,儲存節點1 2直到時刻 t 3爲止再充電至電位Vcc,停止漏流監察器電路的檢出 信號之输出。亦即,延遲電路5 0係問扣漏流監察器電路 之输出,藉生成延遲時間t 4之脈衝寬,規定儲存節點 1 2之充電時間。漏流監察器電路之動作週期t係成爲合 計輸出信號之輸出時間的兩倍時間(t 4 X 2 )及儲存節 點1 2之電位從Vcc下降至基準電位VREF爲止之電位降 時間t 5的時間。 延遲電路5 0之输出成爲觸發信號,藉振盪電路4 2 施行振盪,作爲更新定時器输出信號。同步於該信號,依 次選擇該本體側之記憶體格陣列之字線,而實行更新。又 ,漏流監察器電路之输出直接連接於振盪電路4 2也可以 〇 在振盪電路4 2連接有計數器電路4 3,振盪電路 4 2結束對應於字線之條數的所定次數分量之振盪時,藉 計數器電路4 3停止振塗電路4 2,結束更新動作。此時 ,更新動作係成爲集中於漏流監察器電路之動作週期t的 期間之一部分所實行的集中更新模態。 又,發生延遲電路5 0之延遲時間t 4係只要充分成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ------Γ--Ί「,裝-- (t先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -33 - 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明説明(31 ) 爲振逢電路4 2之觸發信號即可以,而不要求精確度。 又,發生振盪電路5 0之延遲時間t 4係比更新金字 線所需之時間更久時,若使用作爲振盪電路4 2之啓動信 號的漏流監察器電路之輸出或振盪電路5 0之輸出,則計 數器電路4 3係成爲不需要。附帶地,振遒電路4 2係成 爲輸入有啓動信號之期間係繼續振盪。 如此,依照本實施形態之更新定時器,則在漏流監察 器電路加快儲存節點1 2之電位降速度,藉接近保持資料 時間最短之本體記億體格的儲存節點之電位降速度,成爲 可設定反映保持資料時間的更新間隔。當然,在漏流監察 器電路,使用其他之實施形態或變形例之漏流監察器電路 或脈衝發生電路,成爲可設定更合適之更新間隔。 (第4實施形態之第1變形例) 以下,依照圖式說明本發明的第4實施形態之第1變 形例。 '、第1 1 ( a )圖係表示本變形例的半導體積體電路裝 置之更新定時器的電路圖。表示於第1 1 ( a )圖之時器 係由:具有依上述第2實施形態之補助電晶體的漏流監察 器電路及在本實施形態所說明之脈衝發生電路及漏流監察 器電路的控制機構的驅動器電路所構成。因此,在與表示 於第7圖之漏流監察器電路相同之構成要素藉附與相同之 記號而省略說明,以脈衝發生電路爲中心加以說明。 本脈衝發生電路係由:接收漏流監察器電路內之電位 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (免先閲讀.背面之注意事項再填寫本頁) ,裝· 訂 34 301750 A7 B7 五、發明説明(32 ) 比較器1 6檢測基準電位V R E F並输出之檢測信號,延遲 且反轉該檢測信號的延遲電路5 1 ,及反轉延遲電路5 1 輸出之信號,並输出更新信號的反轉電路5 2所構成。 以下,使用第11 (b)圖將本變形例的更新定時器 之動作比較說明依第4實施形態的更新定時器之動作。 表示於第1 1 (a)圖的漏流監察器電路,係在加快 儲存節點1 2之電位降速度,漏流監察器電路之動作週期 t可設定成比更新週期之上限更短時,可適用同步於漏流 監察器之輸出而選擇字線的分散更新模態,亦即,藉漏流 監察器電路之輸出週期t與更新定時器之输出週期t REF 同步的更新定時器之輸出,依次選擇字線而可實行更新。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 (诜先閲讀背面之注意事項再填寫本X) 將依第4實施形態之集中更新模態與依本實施形態之 分散更新模態,比較相等地設定一條字線之更新間隔之情 形。自某一字線被選擇之後直到下一字線被選擇爲止的更 新週期,係在集中更新模態,因存有停止更新期間,因此 集中模態者較短。因此,發生依電路動作之發熱現象,因 而更新週期愈短發熱量愈多。因對於一條字線之更新間隔 相等,因此平均之發熱量係相等,惟因在集中更新模態會 集中發熱,故裝置之溫度上昇係集中更新者形成較大。 因資料之保持資料係溫度愈低愈優異,因而分散更新 模態者可設定較長之更新間隔,故可更減低耗電量。 又,依照本變形例,因與依其他實施形態之脈衝發生 電路相比較不需要振盪電路及計數器電路,故可減小脈衝 發生電路之電路規模。 本紙張尺度逍用中國國家標率(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) -35 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(33 ) (第5實施形態) 以下,說明本發明之第5實施形態。 在從裝置之外部使用控制更新動作之模態時,則在更 新週期決定規格値,而裝置之保持資料特性係須滿足規格 。因此,在自動更新模態中,若更新週期在規格値以內, 裝置也可繼續保持正確之資料。例如在6 M D R AM之 4k更新對應版,係因更新週期規格成64ms,因此, 本發明之更新定時器係在最差溫度條件,實現6 4 m s以 下之更新週期即可以。如使用第16圖所述,因記憶體格 之漏流特性係不一樣,因此使用本發明之虛設記憶體格之 漏流特性也不一樣。更新定時器週期係每一裝置不相同。 若使用如第8圖所示之更新週期調整電路,則也可伸縮更 新週期。首先,藉最差溫度條件,在每一裝置測定更新定 時器所發生之更新信號的週期,並比較測定結果與規格値 所設定的目標範圍。測定結果若未在目標範圍時,藉更新 週期調整電路來調整更新週期之後,再測定並再比較。 以下,一面參照圖式一面說明更新定時器週期調整方 法之具體例。 /第1 2圖係表示本發明之第5實施形態之更新定時器 週期調整方法的流程圖。 首先,在過程SY1,將更新週期之目標値對規格値 之6 4ms設定在5 Oms〜6 Oms。當然,該目標値 係滿足規格値之數値即可以,對設定範圍並沒有嚴格之意 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS > A4規格(210X297公釐) (請先閲讀#·面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂 -36 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(34 ) 義,惟愈接近規格値則愈增大依本發明之更新動作所耗之 耗電流的削減效果。 之後,在過程ST 2,每一裝置藉最差溫度條件下測 定更新定時器所输出之更新信號之週期。 然後,在過程ST3,若依某一裝置之第1次之測定 結果爲1 0 Oms時,則比較上述目標値與第一次之測定 値而成爲不及格者。 然後,在過程ST4 ;藉修正具有判定爲不及格之裝 置的更新定時器的漏流監察器電路之虛設記憶體格內的預 備電晶體之保險絲,使更新週期調整成較短。 然後,重複過程ST2,再測定經微調之裝置,因得 到第2次測定結果之5 6ms,因此在下一比較過程 S T 3中比較上述目標値與第2次之測定結果而成爲合格 者0 當然,再測定之結果與目標範圍偏離時,再實行保險 絲之修正,重複再測定即可以。 依照本實施形態時,在最差溫度條件下也可保持資料 ,且隨著記憶體格之保持特性可實現常溫或低溫時之更新 週期被擴張之更新定時器。 又,更新週期之目標値係沿著檢査規格來設定也可以 。亦即,一般,檢査保持特性之規格値係對於外部更新規 格値成爲餘量(邊界)自由,因在不降低良品率之範圍內 設定較高,因此配合檢査規格値決定更新定時器週期者, 可更減低依更新之耗電。 (請先閲讀_背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210XW7公釐) -37 - 經濟部中央梂準局貝工消費合作杜印製 A7 B7_五、發明説明(35 ) (第5實施形態之第1變形例) 以下,說明本發明的第5實施形態之第1變形例。 依來自裝置外部之控制的更新週期係被規格化成特定 値,惟在實際裝置中,保持特性格外地優異,即使作爲規 格値之十倍以上之更新週期,也可保持資料之情形。 因此,在本變形例,測定每一裝置之保持特性,而以 該測定値作爲基礎設定更新定時器週期之目標値。 以下,一面參照圖式一面說明更新定時器週期調整方 法之具體例子。 \^第1 3圖係表示本變形例之更新定時器週期調整方法 的流程圖。 首先,在過程ST11,測定某一裝置之保持資料時 間,假定爲5 0 Oms。 然後,在過程ST1 2,以實測値5 0 0 ms爲基礎 ,作爲估計餘量之目標値,設定爲3 5 0ms〜4 0 0 m s ° 之後,在過程ST1 3,測定使用與實測之裝置相同 之裝置的更新週期。 之後,在過程ST 1 4,依某一裝置之第1次測定結 果爲2 5 0ms時,則比較上述目標値與第1次之測定値 而成爲不及格者。 然後,在過程ST15:藉修正具有判定爲不及格之 裝置的更新定時器的漏流監察器電路之虛設記憶體格內的 (#·'先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4現格(210 X297公釐) -38 - 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(36 ) 預備電晶體之保險絲,更新週期調整成較長。 然後,重複過程ST1 3,再測定經微調之裝置,因 得到第2次測定結果之3 7 Oms,因此在下一比較過程 ST 1 4中比較上述目標値與第2次之測定結果,因第2 次之測定結果在目標範圍內,故成爲合格者。 依照此方法,則在每一裝置可設定最合適之更新間隔 。又,因在過程S T 1 1的測定保持資料時間時之溫度條 件與在過程ST1 1的測定更新定時器週期時之溫度條件 若一致,則在最差溫度條件下不窬要測定或調整更新定時 器週期,因此溫度管理成爲容易。 〔圖式之簡單說明〕 X/第1圖係表示本發明的第1實施形態之半導體積體電 路裝置的整體構成圖。 ~第2 ( a )圖係表示本發明的第1實施形態之半導體 積體電路裝置之更新定時器之漏流監察器電路的電路圖。 ( b )圖係表示本發明的第1實施形態之半導體 積體電路裝置之更新定時器之漏流監察器電路的模式剖面 圖° 第/3圖係表示本發明的第1實施形態之半導體稹體電 電路裝置之漏流監察器電路之電位降速度與以往之漏流監 察器^路之電位降速度的比較圖。 第4圖係表示本發明的第1實施形態之半導體積體電 電路裝置之漏流監察器電路之電位降速度與以往之漏流監 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀實面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂 -39 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ______B7五、發明説明(37 ) 察器電路之電位降速度的實測圖。 第5 ( a )圖係表示本發明的第丨實施形態之第1變 形例的半導體積體電電路裝置之更新定時器之漏流監察器 電路的電路圖。 \/第5 ( b )圖係表示本發明的第1實施形態之第}變 形例的半導體稹體電電路裝置之更新定時器之漏流監察器 電路的模式剖面圖。 ^^第6 ( a )圖係表示本發明的第1實施形態之第2變 形例的半導體積體電電路裝置之更新定時器之漏流監察器 電路的電路圖。 ' / __ ▽第6 (b)圖係表示本發明的第1實施形態之第2變 形例的半導體稹體電路裝置的漏流監察器電路之電位降速 度與本發明的第1實施形態之半導體稹體電路裝置的漏流 監察器電路之電位降速度的比較圖。 \/第7圖係表示本發明的第2實施形態之半導體積體電 路裝置之更新定時器之漏流監察器電路的電路圖。 以第8圖係表示本發明的第2實施形態之第1變形例的 半導體積體電路裝置之更新定時器之漏流監察器電路的電 路圖。 \/ 第9 ( a )圖係表示本發明的第3實施形態之半導體 積#電路裝置之更新定時器的電路圓。 第9 ( b )圖係表示本發明的第3實施形態之半導體 稹體電路裝置之更新定時器的時序圖。 / 第1 0 ( a )圖係表示本發明的第4實施形態之半導 先 閲 讀 背_ * 之 注 項 再 填 窝 本 頁 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家揉準(€奶>八4规格(210父297公釐} -40 - B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(38 )體積體電路裝置之更新定時器的電路圖。 y第1 0 (b)圖係表示本發明的第4實施形態之半導體積體電路裝置之更新定時器的時序圖。 以第1 1 ( a )圖係表示本發明的第4實施形態之第1變形例的半導體積體電路裝置之更新定時器的電路圖。 V..第1 1 ( b )圖係表示本發明的第4實施形態之第1變形例的半導體稹體電路裝置之更新定時器的時序圚。I箱1 2圖係表示本發明的第5實施形態之更新定時器 週期調整方法的流程圖。 例之 形 間 變 時 1 料 第資 之持 態 保 形 之 施。格 實圖體 5 程憶 第流記 的的 Μ 明法 A 發方R 本整D 示調示 表期表 係週係 圇器圖 3 時 4 1 定 1 3 新½ L更 \ 的 式 圖 的 性 存 1 依,第 度 溫 圖模圖 } 的 } 體 晶 電 s 1 ο 第 Μ V Ν 5 5 5- 先 閲 攻 ft 之 注 項 再 填 窝 本 頁 a b 之 流 電 漏 之 部 合 接 N P 示 表 係 之 流 電 漏 之 部 合 接 ο N 圖 P 面示 剖表 式係 更 之 度 .ιη/ι a 流 漏 之 格 體 憶 記 〇 的 圖往 面以 剖用 式利 模示 的表 體係 晶圖 電 6 s 1 0第 Μ υ ρ 的 性 特 料 資 持 保 之 格 體 憶 記 Μ A R D 。 示 圖表 路係 電圖 的 7 器 1 時/第。 定υ 式 新 圖 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 經濟部中央橾準局®:工消费合作社印策 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 νΐ .·—種半導體積體電路裝置,其特徴爲:具備 儲存電荷之儲存節點的第1電極與連接於格板的第2 電極相對向所成的電容器,及第1電極連接於上述儲存節 點,第2電極連接於在上述電容器之上述第1電極供應電 荷的第1電源,第3電極連接於控制上述電容器之電荷儲 存存量之控制線的電晶體所構成的記憶體格配列所成的本 體側的記憶體格陣列,及 輸出保持本體側之該記憶體格陣列之資料所用之更新 信號的更新定時器: 該更新定時器係由 檢測依上述記憶體格陣列之漏電流之電壓降的漏流監 察器機構,及接收該漏流監察器機構所輸出之檢測信號, 輸出上述更新信號而且在控制上述漏流監察器機構之控制 機構輸出信號的脈衝產生機構所構成; 上述漏流監察器機構係具有 與構成本體側之上述記憶體格陣列的記憶體格相同之 構成,且上述電晶體之上述第3電極連接於上述控制機構 之記憶格配列所成,產生依上述漏電流之電壓降的虛設記 憶體格陣列,及 連接於構成該虛設記憶體格陣列的記憶體格之儲存節 點或格板之任何—方,比較產生上述虛設記憶體格陣列之 電位與所定電位,當上述電位與上述所定之電位一致時輸 出信號的電位比較機構,及 加速構成上述虛設記憶體格陣列的上述記憶體格之電 本纸張尺度適用中國«家揉準(CNS ) Α4洗格(210Χ297公釐) (价先Mtt背面之注意事項再填寫本育) 訂 A8 B8 C8 D8 301750 々、申請專利範圍 壓降的漏流加速機構。 .,2 .如申請專利範圍第1項所述之半導體積體電路裝 (*.先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 置,其中,上述電位比較機構係分別連接於構成上述虛設 記憶體格陣列的上述記憶體格之各格板者。 J.如申請專利範圍第1項所述之半導體積體電路裝 置,其中,上述漏流加速機構係構成上述虛設記憶體格障 列的上述記憶體格之各格板被電氣地開放者。 •多.如申請專利範圍第3項所述之半導體積體電路裝 置,其中,上述記憶體格之電晶體係N型.Μ 0 S電晶體, 而上述漏電加速機構係比上述虛設記憶體格陣列連接於比 施加於上述本體側的記億體格陣列之上述第1電源更高電 位之昇壓電源者。 經濟部中央標準局男工消費合作社印装 '芯.如申請專利範圍第3項所述之半導體積體電路裝 置,其中,上述記憶體格之電晶體係Ν型MOS電晶體, 上述漏電加速機構係上述虛設記憶體格陣列側的上述Ν型 M〇S電晶體之基板,連接於比連接於上述本體側之記憶 體格陣列側的上述Ν型Μ 0 S電晶體之基板的電源較低電 位之降壓電源者。 如申請專利範圍第3項所述之半導體積體電路裝 置,其中,在上述虛設記憶體格陣列側之上述儲存節點或 上述格板之至少一方,經由保險絲連接有其中一方之電極 ,而連接有另一方之電極所接地的至少一個預備之電容器 ,結合於上述儲存節點的電容量値係藉上述保險絲被切斷 可調整者。 本紙張尺度適用中«國家梂準(CNS ) A4规格(210XW7公釐) -43 - 經濟部中央梂準局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 _D8 六、申請專利範圍 '/·.如申請專利範圍第3項所述之半導體稹體電路裝 置,其中,在上述虛設記憶體格陣列側之上述儲存節點或 上述格板之至少一方,經由保險絲連接有第1電極,第2 電極連接於上述第1電源,而第3電極連接有連接於上述 控制機構之至少一個預備之電晶體,上述儲存節點之電位 降速度係藉上述保險絲被切斷可調整者。 $ .如申請專利範圍第1項所述之半導體積體電路裝 置,其中,上述漏流加速機構,係在構成上述記憶體格陣 列的上述記憶體格之各格板連接有第1電極,第2電極連 接於第2電源,第3電極連接有上述控制機構者。 Ύ .如申請專利範圍第8項所述之半導體積體電路裝 置,其中,第2電源係相等於上述第1電源之電位者。 lv 0 .如申請專利範圍第8項所述之半導髅積體電路 裝S,其中,上述記憶體格之電晶體係Ν型MOS電晶體 ,而上述漏流加速機構係比上述虛設記憶體格陣列連接於 心施加於上述本體側的記憶體格陣列之上述第1電源更高 電位之昇壓電源者。 1V1 .如申請專利範圍第8項所述之半導體積體電路 裝S,其中,上述記憶體格之電晶體係N型MO S電晶體 ,上述漏流加速機構係上述虛設記憶體格陣列側的上述N 型MO S電晶體之基板,連接於比連接於上述本體側之虛 設記憶體格陣列側的上述N型MO S電晶體之基板的電源 較低電位之降壓電源者。 1 ^ .如申請專利範圍第8項所述之半導體稹體霄路 ^紙張尺度適用t國國家橾準(CNS ) A4規格(YlOX297^釐) """" -44 - ϋ I .. - -I I I - ml 1-1 ,^----1 II - I - -I I I I I n - - I I - - 1 ί —Μι (免先閲讀t面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 裝置,其中,在上述虛設記憶體格陣列側之上述儲存節點 或上述格板之至少一方,經由保險絲連接有其中一方之電 極,而連接有另一方之電極所接地的至少一個預備之電容 器,結合於上述儲存節點的電容量値係藉上述保險絲被切 斷可調整者。 1、/ .如申請專利範圍第8項所述之半導體積體竄路 裝置,其中,在上述虛設記憶體格陣列側之上述儲存節點 或上述格板之至少一方,經由保險絲連接有第1電極,第 2電極連接於上述第1電源,而第3電極連接有連接於上 述控制機構之至少一個預備之電晶體,上述儲存節點之電 位降速度係藉上述保險絲被切斷可調整者。 lv4 .如申請專利範圔第8項所述之半導體稹體電路 裝置,其中,上述控制機構係分別控制上述虛設記億體格 陣列之上述電晶體之動作與上述補助電晶體之動作者。 /5 .如申請專利範圍第1項所述之半導體積體電路 裝置,其中,上述脈衝發生機構係具有連接於上述電位比 較機構與上述控制機構,及連接於該信號閂機構,輸出成 爲上述更新信號之脈衝的振逢機構及計測該脈衝之所定次 數的計數器所構成的定時器機構者。 Γ、-·6 .如申請專利範圍第1項所述之半導體積體電路 裝置,其中,上述脈衝發生機構係具有連接於上述電位比 較機構與上_控制機構,延遲接收信號的延遲機構者。 1Υ.如申請專利範園第1項所述之半導體積體電路 裝置,其中,上述脈衝發生機構係集中在上述檢測信號之 本紙•張尺度適用不國國家揉準(CNS > A4*t$ ( 210X297公釐) -----:---s--^------tr------1 (t先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) -45 - A8 B8 C8 D8 t、申請專利範圍 胃&週期的更新週期之期間中的一部分輸出所有上述更新 經濟部中央揉準局負工消費合作社印裝 信號者。 1以.如申請專利範圍第1項所 裝@,其中,上述脈衝發生機構係附 出信號之發生週期的一脈衝所成的上 Ϊ /9 . 一種更新定時器週期調整 具備 具有檢測記憶髏格陣列之漏電流 流監察器機構,惻定輸出保持上述記 用的更新信號之更新定時器之週期的 比較依照構成上述記憶體格陣列 決定的目檩値與上述測定値並予以評 在未達到評價之結果之結果目標 調整機構的調整過程等。 2/ 〇 .如申請專利範圍第1 9項 期調整方法,其中,上述調整過程係 爲止重複從上述測定過程至上述調整 2/1 .如申請專利範圍第1 9項 期調整方法,其中,上述更新週期調 荷之儲存節點的第1電極與連接於格 的電容器,及連接於上述儲存節點與 節點的電源之間,控制上述儲存節點 晶體所成的虛設記憶體格的上述漏流 爲:在上述虛設記憶體格之上述儲存 述之半導體積體電路 加輸出同步於上述檢 述更新信號者。 方法,其特徵爲爲: 所產生之電壓降的漏 憶體格陣列之資料所 測定過程,及 的裝置之規格値事先 價的評價過程,及 値時,調'整更新週期 所述之 包括到 過程的 所述之 整機構 板之第 將電源 的電荷 監察器 節點或 更新定 達上述 過程者 更新定 係具有 2電極 供應於 之儲存 機構, 上述格 時器週 目標値 0 時器週 儲存電 相對向 該儲存 量的電 其特徵 板之一 請-- 先 閲 St 之 注 意 I 旁 訂 本紙張尺度逍用中國國家揲準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 46 Λ8 B8 C8 D8 301750 六、申請專利範圍 方,經由保險絲連接有其中一方之電極,連接有另一方之 電極被接地之至少一個預備之電容器所成: 上述調整過程之調整方法係藉切斷上述保險絲實行者 〇 4 .如申請專利範圍第1 9項所述之更新定時器週 期調整方法,其中,上述更新週期調整機構係具有儲存電 荷之儲存節點的第1電極與連接於格板之x第2電極相對向 的電容器,及連接於上述儲存節點與將電源供應於該儲存 節點的電源之間,控制上述儲存節點的電荷之儲存量的電 晶體所成的虛設記憶體格的上述漏流監察器機構,其特徵 爲:在上述虛設記憶體格之上述儲存節點或上述格板之至 少一方,經由保險絲連接有其第一電極,第2電極連接於 上述電源,第3電極連接有連接於控制上述電容器之電荷 儲存量的控制機構之至少一個預傭之電晶體所成: 上述調整過程之調整方法係藉切斷上述保險絲實行者 0 3v/3 . —種更新定時器週期調整方法,其特徴爲:具 備 在所定條件之下測定構成記憶體格的裝置之保持資料 時間,而從該測定値設定目檩値的準備過程,及 具有檢測上述記憶體格陣列之漏電流所產生之電壓降 的漏流監察器機構,藉與上述準備過程相同條件測定輸出 保持上述記憶體格陣列之資料所用之更新信號的更新定時 器之週期的測定過程,及 本紙張尺度逋用中國國家糅準(CNS > A4洗格(210X297公釐) -----.—J--^ — (姝先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揲準局負工消费合作社印製 -47 · 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印*. A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 比較依上述準備過程之目標値與上述測定過程之測定 値並予以評價的評價過程,及 在未達到評價之結果目標値時,調整更新週期調整機 構的調整過程等。 V4 .如申請專利範圍第2 3項所述之更新定時器週 期調整方法,其中,上述調整過程係包括到達上述目標値 爲止重複從上述測定過程至上述調整過程的過程者。 β 5 .如申請專利範圍第2 3項所述之更新定時器週 期調整方法,其中,上述更新週期調整機構係具有儲存電 荷之儲存節點的第1電極與連接於格板之第2電極相對向 的電容器,及連接於上述儲存節點與將電源供應於該儲存 節點電源之間,控制上述儲存節點的電荷之儲存量的電晶 體所成的虛設記憶體格的上述漏流監察器機構,其特徴爲 :在上述虛設記憶體格之上述儲存節點或上述格板之一方 ,經由保險絲連接有其中一方之電極,連接有另一方之電 極被接地之至少一個預備之電容器所成; 上述調整過程之調整方法係藉切斷上述保險絲實行者 0 6 .如申請專利範圍第2 3項所述之更新定時器週 期調整方法,其中,上述更新週期調整機構係具有儲存電 荷之儲存節點的第1電極與連接於格板之第2電極相對向 的電容器,及連接於上述儲存節點與將電源供應於該儲存 節點電1之間,控制上述儲存節點的電荷之儲存量的電晶 體所成的虛設記憶體格的上述漏流監察器機構,其特徵爲 本纸張尺度逋用中國國家榣準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 -48 - A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 :在上述虛設記億體格之上述儲存節點或上述格板之至少 一方,經由保險絲連接有第一電極,第2電極連接於上述 電源,第3電極連接有連接於控制上述電容器之電荷儲存 量的控制機構之至少一個預備之電晶體所成; 上述調整過程之調整方法係藉切斷上述保險絲實行者 n m· *^ϋ— I --- i — * ^ 1^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Μ ! 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度逋用中國國家標率(CNS ) A4规格(210X297公釐〉 -49 -
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