TW300177B - - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 50
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 46
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 42
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 108
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 11
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011001 backwashing Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
經濟部中央橾準局貝4消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(1 ) 〔發明之背景〕 本發明係關於一種以洗淨液洗淨如半導體晶圓或 L C D用玻璃基板之基板的洗淨處理裝置及洗淨處理方法 〇 在半導體裝置之製造過程中,使用氨水、氟酸及純水 等從半導體晶圓之表面除去微粒,有機污染物*金靥不純 物等的洗淨處理裝置。例如單片式洗淨處理裝置,係以氨 水溶液或氟酸水溶液等之藥液化學洗淨晶圓表面,再以純 水施以水洗洗淨。在這種單片式洗淨處理裝置,係藉旋轉 夾具水平保持晶圓,而對此晶圓在溢液狀地所定時間供應 氨水溶液或氟酸水溶液。 然而,在以往之洗淨處理裝置,係隨著降低藥液之溫 度而降低化學洗淨之反應速度,具有洗淨能力不足之情形 。作爲該對策考慮增大藥液之供應置,俾彌補洗淨能力之 不足。但是,在該方法中,因消耗多置之藥液,而有增大 處理成分的問題。 又’在以往之洗淨處理裝置,一起使用鹼性藥液與酸 性薬液時,則有上一過程之鹼洗淨成分與晶圓一起被帶進 下一過程之酸性洗淨,而降低洗淨效率之問題。 〔發明之概要〕 本發明之目的係在於提供一種可減低基板洗淨用薬液 之使用量,可提髙生產量及提髙成區良品率的洗淨處理裝 置。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29?公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 A7 B7 五、發明説明(2 ) 本發明之洗淨處理裝置,其特徵爲:具備 收容有用於化學洗淨基板所用之洗淨液的洗淨液供應 源,及 可旋轉地保持作爲處理對象之基板的旋轉夾具,及 連通於上述洗淨液供應源,且從上述洗淨液供應源將 洗淨液供應於上述旋轉夾具上之基板的噴嘴,及 調整從該噴嘴向基板供應之洗淨液之溫度的調整溫度 手段,及 覆蓋上述旋轉夾具上之基板地近接,使存在於基板上 之洗淨液實質上不含有溫度變化的調整溫度蓋。 又,本發明之洗淨處理裝置,其特徵爲:具備 可旋轉地保持作爲處理對象之基板的旋轉夾具*及 具有收容用於化學洗淨基板所用之第1洗淨液之第1 洗淨液供應手段的第1洗淨處理部,及 具有收容與上述第1洗淨液不相同之第2洗淨液之第 2洗淨液供應手段的第2洗淨處理部,及 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將基板移送至上述旋轉夾具之上方,在與上述旋轉夾 具之間交接基板的交接搬送手段; 在上述第1洗淨處理部與上述第2洗淨處理部之間設 有上述移送手段之移送路,藉由該移送路,上述第1洗淨 處理部係從上述第2洗淨處理部隔離者· 本發明之洗淨處理方法,其特徵爲: (a )將基板可旋轉地保持在旋轉夾具上, (b)覆蓋該旋轉夾具上之基板地將調整溫度蓋相對 本&張尺度適用中國國家標率(CNS ) Λ4坭格(210X2W公釐) 3GG1/7 A7 __B7____ 五、發明説明(3 ) 地近接於基板。 (C )將與該調整溫度蓋之被調整之溫度實質上被調 整成相同溫度之洗淨液供應於旋轉夾具上之基板,藉由該 洗淨液化學洗淨基板, (d)相對地隔開上述旋轉夾具上之基板與上述調整 溫度蓋。 依照本發明之洗淨處理裝置,由於藉由調整溫度蓋覆 蓋旋轉夾具上之基板地近接,因此,在基板上盛滿液之洗 淨液係實質上不會有溫度變化。故可實行一定之洗淨處理 ,使洗淨液之供應量安定化,而使洗淨處理時間成爲一定 〇 又,依照本發明之洗淨處理裝置,由於藉由移送路可 遠離第1洗淨處理部之鹸性處理環境氣氛與第2洗淨處理 部之酸性處理環境氣氛,因此,可確實地防止在各洗淨處 理中不相同之環境氣氛成分之侵入。 (發明之較佳實施形態) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下,一面參照所附圖式一面說明本發明之各種較佳 實施形態。首先說明將本發明使用於半導體晶圓之洗淨處 理系統之情形。 如第1圖所示,洗淨處理系統係具備:移入/移出部 1 ,及處理部2,及晶圚交接部3,及洗淨液供應箱4。 在移入/移出部1之載置台載置有複數之卡匣C β在卡匣 C內收容有2 5片未處理之半導體晶圓W。處理部2係具 本紙張尺度適用中國國家標半(CNS ) Λ4規格(210Χ 297公釐) ' ' -6 - 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 A7 ______B7_五、發明説明(4 ) 備:洗淨處理晶圓W所用的複數處理單元24,25 * 26,27,及可移動地設於中央通路22的主機臂20 〇 晶圓交接部3係設於移入/移出部1與處理部2之間 ,具備小鉗子30。小鉗子30係具備X軸,Y軸,Z軸 之各軸移動機構(未予圖示)及0旋轉機構(未予圖示) ,具有從卡匣C取出晶圓W,並將該晶圓W交接至主機臂 2 0。主機臂2 0係具備X軸,Y軸,Z軸之各軸移動機 構23及0旋轉機構21 ,具有從小鉗子30接受晶圓W ,並將該晶圚W移入或移出各處理單元2 4〜2 7之功能 〇 洗淨液供應箱4係具備分別收容在各處理單元2 4〜 2 7所使用之藥液及洗濯液的槽。藥液用槽1 0 2分別收 容有含銨過化氫水溶液,稀氟酸水溶液,稀鹽酸水溶液等 。在洗濯液用槽104收容有純水· 在中央通路2 2之其中一方側並排有背面洗淨單元 24及兩個洗淨處理單元25 (以下,簡稱爲第1洗淨處 理部)。在背面洗淨單元洗淨晶圓W之背面。在第1洗淨 處理部2 5以鹼性洗淨液洗淨晶圓W之表面。一方面,在 中央通路22之另一方側並排有兩個洗淨處理單元26 ( 以下,簡稱爲第2洗淨處理部)及洗淨/烘乾處理部2 7 。在第2洗淨處理部2 6以酸性洗淨液洗淨晶圓W之表面 。在洗淨/烘乾處理部2 7精修洗淨晶圓W,並施以烘乾 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 -東 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) ~ 7 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、 發明説明< 5 ) 1 I 因 第 1 洗 淨 處 理 部 2 5 與 第 2 洗 淨 處 理 部 2 6 係 實 質 1 1 上 相 同 之 構 造 9 故在 以 下 僅 對 於 第 1 洗 淨 處 理 部 2 5 加 以 ! 1 說 明 〇 1 I 請 I 如 第 2 圖 所 示 第 1 洗 淨 處 理 部 2 5 係 具 備 旋轉 夾 具 先 閱 1 I 5 0 1 帽 6 0 洗 淨 液 供 t7±ff 應 噴 嘴 ( 第 1 洗 淨 液 供 應 手 段 ) 讀 背 面 1 I 7 0 > 調 節 溫 度 蓋 7 1 〇 在 旋 轉 夾 具 5 0 之 夾 具 本 體 5 2 之 注 意 1 1 與 馬 達 9 6 之 驅 動 帶 輪 之 間 繞 掛 有 確 動 皮 帶 5 2 a 形 成 項 再 1 1 夾 具 本 體 ns. 5 2 被 旋 轉 之 狀 態 〇 又 在 夾 具 本 體 5 2 之 保 持 填 % 本 —^ 1 裝 | 面 下 部 側 形 成 有 通 路 5 7 在 該 通 路 5 7 內 藉 由 循 環 熱 交 頁 1 1 換 媒 體 將 晶 圓 W 及 洗 淨 液 保 持 在 所 定 溫 度 也 可 以 0 1 第 1 洗 淨 處 理 部 2 5 係 設 在 容 器 9 0 內 藉 由 配 設 於 1 I 容 器 9 0 之 頂 部 的 濾 氣 器 9 1 在 容 器 內 供 ofrf 應 清 淨 化 之 空 訂 I 氣 並 從 底 部 排 氣 〇 1 I 如 第 3 圖 所 示 在 夾 具 本體 5 2 之 上 面 設 有複數 個 晶 1 1 圓 保持 爪 5 1 藉 由 保持 爪 5 1 保 持 晶 圓 W 不 會 偏 住 0 在 1 1 1 夾 具 本 體 5 2 之 中 空 部 插 入 有 昇 降 器 5 5 〇 該 升 降 器 5 5 係 連 結 於 缸 5 6 之 桿 * 將 晶 圓 W 藉 由 夾 具 本 體 5 2 之 上 面 1 | 成 爲 昇 降 之 狀 態 〇 在 昇 降 器 5 5 eta 與 夾 具 本 體 5 2 之 間 設 有 1 I 封 閉 軸 承 5 4 1 1 1 帽 6 0 係 設 成 圍 繞旋 轉 夾 具 5 0 之 下 部 及 側 部 藉 由 1 ] 帽 6 0 可 收 容 使 用 過 之 洗 淨 液 0 帽 6 0 係 具 備 位 於 旋 轉 1 1 夾 具 5 0 下 方 之 底 部 6 1 及 內 帽 6 3 及 外 帽 6 4 0 內 1 1 帽 6 3 係 從 底 部 6 1 至 旋 轉 夾 頭 5 0 之 保 持 面 的 下 方 近 旁 1 1 位 置 爲 止 豎 立 〇 外 帽 6 4 係 環 狀 地 形 成 在 內 帽 6 3 外 側 1 1 1 適 度 尺 張 紙 4 Λ Ns c 季 標 家 釐 公 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(6 ) 其上端延伸至旋轉夾具5 0之保持面之上方近旁位置。在 內帽6 3之內側從底部6 1豎立設有環狀之隔間壁6 5 · 內帽6 3之外周側之底部6 1設有洩水孔6 6,而在外帽 64之底部64A設有洩水孔67。經由洩水孔66 *使 用過之洗淨液係成爲從內帽6 3回收至再生裝置(未予圖 示)。回收之洗淨液係以再生裝置除去不純物,成爲可再 使用。經由洩水孔6 7,使用過之洗濯液係成爲從外帽 6 4排出》 洗淨液噴嘴7 0設於調節溫度蓋7 1之下部中央。噴 嘴7 0係經由配管7 3連通於洗淨液供應源1 0 2 ·洗淨 液供應源1 0 2係設於洗淨液供應箱4內,又連通於上述 之再生裝置。 調節溫度蓋7 1係藉由昇降機構7 5支持成可昇降之 狀態。該昇降機構7 5係具備:在調節溫度蓋7 1經由托 架7 8連結之滾珠螺帽7 7,及螺合有螺帽7 7的滾珠螺 旋76,及旋轉螺旋76的馬達9 8。又,代替昇降機構 7 5也可使用具有缸的往復移動機構。 在調節溫度蓋7 1中形成有熱交換通路7 4 ·熱交換 通路7 4係調節溫度水循環器1 0 6,成爲所定溫度之調 節溫度水循環器在通路7 4中。調節溫度水循環器1 0 6 之加熱器電源係連接於控制器1 〇 〇,成爲藉由調節溫度 水循環器1 0 6使調節溫度水控制溫度在6 0〜9 0°C之 範圍內。又,代替這種熱交換器74,106也可用內設 加熱器來加熱蓋7 1。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •装. —-訂 -9 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 __B7 五、發明説明(7 ) 調節溫度蓋7 1之下部周緣部7 2 a係突出在此中央 '部72b向下方突出。當下降調節溫度蓋71而接近晶圓 W時,則在兩者間形成有所定之調節溫度空間。 在旋轉夾具5 0之斜上方設有洗濯噴嘴8 0。洗濯噴 嘴8 0係連通於純水供應源1 0 4,成爲在旋轉夾具5 0 上之晶圓W供應純水。又,洗濯噴嘴8 0係設成可移動在 起始位置與噴射位置之間。使用過之洗濯液係經由帽6 0 之洩水孔67向下方排出。 又,如第1 2圚所示,在旋轉夾具5 0與調節溫度蓋 7 1之間藉由介設封閉軸承3 4 0 *也可將調節溫度蓋 7 1之下部周緣部7 2 a接觸於旋轉夾具5 0。 以下,一面參照第4 A圖至第4 D圖一面說明在第1 洗淨處理部2 5洗淨晶圓W之情形。 首先,如第4A圖所示,在將調節溫度蓋7 1向上方 待機之狀態下向上方突出昇降器5 5,而將昇降器5 5之 上面位在比上面較高之位置•昇降器5 5係從主機臂2 0 交接晶圓。下降昇降器,將晶圓W牢固地保持在旋轉夾具 5 0之上面· 然後,如第4B圖所示,下降調節溫度蓋71 ,在調 節溫度蓋7 1與旋轉夾具5 0之間形成調節溫度空間。在 該狀態下從洗淨液供應噴嘴7 0向晶圓W供應氨水溶液。 此時,靜止或旋轉旋轉夾具5 0而將氨水溶液盛滿液狀於 晶圓W之表面。氨水溶液係被調整在6 0〜9 0°C溫度範 圍•藉保持該狀態所定時間,晶圓W係藉由氨水溶液被化 本紙張尺度通用中國國家標隼(CNS ) Μ現格(2lOX2l)7公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ -訂 -10 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 ___B7_ 五、發明説明(8 ) 學洗淨。又,在旋轉夾具5 0藉設置調整溫度機構5 7可 '將洗淨液之溫度成爲安定。 在洗淨處理後上昇調節溫度蓋7 1 ,如第4 C圚所示 ,從洗濯噴嘴8 0將純水供應至晶圓W,而且髙速旋轉旋 轉夾具5 0,從晶圓W離心分離除去氨水溶液。供應純水 所定時間經洗淨之後,停止純水之供應,仍僅繼績旋轉旋 轉夾具50,俾烘乾晶圓W·然後,停止旋轉夾具50之 旋轉,如第4D圖所示,上昇昇降器5 5,在主機臂2 0 交接晶圓W,將晶画W移送至下一處理過程。 在第2洗淨處理部2 6,作爲洗淨液代替氨水溶液可 使用氟酸水溶液。第2洗淨處理部2 6係與上述第1洗淨 處理部2 5實質上相同之構成。 又,在第1洗淨處理部2 5與第2洗淨處理部2 6之 間設有移送路2 2,因從酸性環境氣氛之第2洗淨處理部 2 6隔開鹸性環境氣氛之第1洗淨處理部2 5,因此,在 酸性洗淨處理晶圓時,則可防止鹼性環境氣氛之成分被帶 進第2洗淨處理部2 6內。 以下,一面參照第5圖一面說明移入/移出部1及晶 圓交接部3之動作。 在移入/移出部1設有卡匣C被移入移出之容器1〇 •該容器1 0係位於氣密室1 1之正上方。卡匣移送用昇 降機構18設於氣密室11內。在機構18之上部設有卡 匣C被載置之載置台1 8b ·氣密室1 1係經由閘閥3 1 連通於晶圓交接部3。 本紙張尺度適用十國國家標準(CNS ) Λ4規格(210><297公釐^ 一 一 11 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 A7 _____B7 五、發明説明(9 ) 容器本體1 0 a係具有下部開口 1 〇 b之硬質塑膠製 或不銹鋼或鋁等之金饜製的箱。在該下部開口 1 0 b可開 閉地設有蓋體1 3 ·在容器1 0內,卡匣C係形成載置於 蓋體1 3之上方。在藉由蓋體1 3蓋住之狀態,卡匣C係 成爲以氣密狀態保管在容器1 0內。該容器1 0內係在 N2氣體等惰性氣體環境氣氛,而其內壓係被設定在常壓 或被稍加壓成比常壓例如0 . 05T〇 r r左右以上之狀 態。又,卡匣C係藉由具有操作把手之氣密地被封閉的保 持構件(未予圖示)推壓固定於容器1 0。藉由解除該保 持構件之推壓成爲解除卡匣C之固定保持。 在容器本體1 0 a之下部安裝有向外方之凸緣1 〇 c 。在向外方之凸緣10c之下面形成有凹溝l〇d,而在 該凹溝1 0 d內設有0型環1 5。蓋體1 3係藉由未予圚 示之鎖定機構,嵌合機構等密裝於向外方之凸緣1 0 c部 分。如此,可將容器1 0內成爲保持在氣密狀態。 這種容器10係藉由未予圖示之移送機構載置於氣密 室1 1之頂部時,則藉由鉗1 6向外方凸緣1 0 c鎖緊在 氣密室1 1之頂部*由此,封閉構件1 5密裝於容器1 0 與氣密室1 1,而氣密地連結容器1 0與氣密室1 1 ·又 ,代替紺1 6,使用在第5圖中以兩點鏈線之推壓構件 1 7,將容器1 0推壓於氣密室1 1之頂部也可以* 在氣密室1 1之頂部形成有開口窗1 1 a,該開口窗 1 1 a係藉由擋門1 4成爲開閉之狀態。在氣密室1 1之 上部側壁形成有供氣口 1 1 b。在該供氣口 1 1 b經由閥 本紙浪尺度逋用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •装· ·'訂 -12 - A7 ____B7 五、發明説明(i〇) VI連通有N2氣體供應源1 Id。又,在氣密室1 1之 底部間設有排氣口lie。在該排氣口11c經由閥V2 連通有真空泵1 1 e。氣密室1 1內係藉由從N2氣體供 應源1 1 d所供應之N2氣體被沖洗,設成與容器1 〇內 相同之常壓或稍加壓成例如0 . 0 5T〇 r r左右之環境 氣氛,或藉由真空泵1 1 e之驅動設成例如1 X 1 〇-1〜 1 0~βΤο r r之所定真空度的環境氣氛。氣密室1 1之 內壓係藉由壓力檢測器1 1 f來測定,依照測定結果之手 動或自動地設定氣密室11內之壓力。 在氣密室1 1內設有昇降機構1 8,昇降機構1 8係 具備馬達M3及昇降桿1 8 a ·在昇降桿1 8 a之上部安 裝有昇降台1 8b »從昇降台1 8b至氣密室1 1之底壁 爲止設置膜盒1 8 c。由於藉由該膜盒1 8 c,氣密室 1 1內係從昇降機構1 8氣密地被隔開,因此可防止從昇 降機構1 8微粒侵入至氣密室1 1內》 以下,參照第6圖至第8圖,及第9A,9B圖,一 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 I丨丨^ Η装! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 面說明依晶圓交接部3之小鉗子3 0的晶圓W之交接情形 〇 晶圓交接部3之小鉗子3 0係設於氣密之室3 2內》 該室3 2係經由開閉擋門3 1 A連通於處理部2。小鉗子 3 0係具備用於支撐晶圓W所用的兩個支撐面30 a , 3 0 b。小鉗子3 0係由如具有氟系樹脂或聚******酮 (PEEK)之耐熱性及耐蝕性之材料所形成。 如第7,9A,9B圖所示,藉由切換移動機構33 本紙張尺度適用申國國家標準(CNS ) Λ4规格(210X 297公釐) " -13 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____B7 _ 五、發明説明(11 ) ,小鉗子3 0係成爲向γ軸方向切換移動之狀態,使這些 支撐面30a ,30b各自位在晶圓W之支撐位置。又, 小鉗子3 0係具備垂直移動機構3 4,藉由該垂直移動機 構34;小鉗子30係向乙軸方向昇降移動。又,小鉗子 3 0係具備旋轉機構(未予圓示),藉由旋轉機構,小鉗 子3 0係在Z軸周圍可施行0旋轉。小紺子3 0係具備X 軸移動機構3 5,藉由該X軸移動機構3 5,小鉗子3 0 係形成向X軸方向移動。又,小鉗子3 0係具有Y軸移動 機構3 6,藉由該Y軸移動機構3 6,小鉗子3 0係形成 向Y軸方向移動。Y軸移動機構3 6係具備導軌3 6 a及 直動軸承3 6 b。 如第7 b圖所示,小鉗子3 0係矩形狀之基端部 3 0 c,及連繞於該基端部之推拔部3 0 d,及又連績於 該推拔部之前端部3 0 e。前端部3 0 e之寬度係比基端 部3 0 e之寬度較狹窄。對於小鉗子3 0之中心線0左右 對稱地形成有支撐面3 0 a及支撐面3 0 b。 如第8圖所示,小鉗子3 0係具備以基端部3 0 c側 與前端部3 0 e側各自規定晶圓W之端面的圓弧狀段部 30i 。以其中一方之支撐面30b支撐晶圓W時,則成 爲在另一方之支撐面3 0 a不會接觸到晶圓W。 來自各支撐面30a ,30b之中心線的偏位量在5 mo以內較理想,而在3 ram以內最理想。又,具有對位用之 缺口的新型式晶圓W時,也可縮短支撐面30a ,30b 之寬度與長度。又,具有定向平坦W a之以往型式之晶圚 1紙張尺度適州中國國家標率(CNS ) Λ4規格(2丨()x 297公廣) — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· .I訂 -14 - 〇G0iV7 at ____B7_ 五、發明説明(12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) w時,即使定向平坦W a部分也能支撐晶圓W地支撐面 3〇a,30b須分別在寬度與長度上具有餘量。又,前 端部3 0 e之橫寬度形成與基端部3 0 c之橫寬度相同也 可以® 如第6圇所示*切換移動機構3 3係具備可正反旋轉 切換之步進馬達1^14 。在步進馬達^14之驅動軸安裝有帶 輪3 0 f ,而在該驅動帶輪3 0 f與從動帶輪3 0 g繞掛 有確動皮帶3 0 h。在確動皮帶3 0 h連結有小鉗子3 0 之基端部3 0 c,隨著確動皮帶3 0 h之動作,小鉗子 3 0係成爲水平移動。當水平移動小鉗子3 0時,在晶圓 交接位置,從其中一方之晶圓支撐面30a (30b)切 換成另一方之晶圓支撐面30b (30a)·又,在切換 移動機構3 3,代替皮帶驅動方式也可使用滾珠螺旋機構 〇 以下,說明使用小鉗子3 0將晶圓W從卡匣C取出並 予以移送之情形· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 首先,如第7圖所示,將小鉗子3 0之中心對準卡匣 C之中心。然後,將小鉗子3 0藉由切換移動機構3 3向 Y軸方向移動,如第9 A圖所示,將小鉗子3 0位於支撐 面3 0 a之中心與卡匣C之中心並排在相同線上之位置· 之後,將小鉗子3 0向X軸方向前進,並將此位於卡匣C 內之晶圓W之正下方•將小鉗子3 0予以上昇,並將晶圓 W移載至支撐面3 0 a之上方•然後,將小鉗子3 0向X 軸方向後退,從卡匣C內取出晶圓W。將小鉗子3 0施以 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) -15 - A7 ______B7__ 五、發明説明(13) 0旋轉,並將晶圓w從小鉗子3 0交接至主機臂2 0。 —方面,如第9 B圖所示,將小鉗子3 0藉由切換機 構3 3向Y軸方向移動,將小紺子3 0位於支撐面之中心 與卡匣C之中心並非在相同線上。在支撐面3 0 b之上面 保持有洗淨處理過之晶圓W。然後,將小鉗子向X軸方向 前進,並將晶圓W***在卡匣C內之磁格槽。然後,將小 鉗子3 0施以下降,並將晶圓W移載於卡匣C內。將小鉗 子3 0向X軸方向後退,從卡匣C退出小鉗子3 0。 如上所述,以其中一方之支撐面3 0 a交接洗淨處理 前之未處理的晶圓W,一方面,以另一面之支撐面3 0 b 交接洗淨處理後之處理過的晶圓W。因此,經由小鉗子 3 0,在晶圓W之背面不會附著異物,而可防止晶圓W之 污染。 以下,一面參照第2圖,第1 0圖至第1 3圖分別說 明洗淨處理裝置之動作態樣。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 7批衣-- - { (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) •^ 首先*藉由移送機器人(未予圚示)等從收容移送至 移入,移出部1之未處理之晶圓W的卡匣C將所期望之晶 圓W以小鉗子3 0之例如支撐面3 0 a接受而移送至晶圓 交接部3內。然後,在處理室2內之主機臂2 0之第1機 臂經由擋門3 1 A接受晶圓交接部3內之晶圓W,之後, 移入至處理部2內之背面洗淨部2 4 *藉由背面洗淨部 2 4內之旋轉夾k保持晶圓W。將晶圓W予以旋轉,而且 一面供應洗淨液一面以洗淨刷洗刷。洗淨背面之後,藉由 主機臂2 0從背面洗淨部2 4取出晶圓W之後*移入第1 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X2^7公釐) -16 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 ____B7 五、發明説明(μ) 洗淨處理部2 5內。 如第2圖所示,晶圓W係載置保持在旋轉夾具50之 上。又將調整溫度蓋7 1予以下降,並將調整溫度蓋7 1 接近於旋轉夾具5 0上。在近接兩者7 1與W之狀態,低 速旋轉晶圖W,而且從噴嘴7 0向晶圓W供應氨水溶液。 供應時之氨水溶液的溫度係被調整在大約8 0°C。由此, 氨水溶液盛滿液在晶圓W表面。此時,從晶固W之零落之 洗淨液係擋在內帽6 3內,經由排出口 1 6 6被排出· 在洗淨液之盛滿液後,停止旋轉夾具5 0之旋轉,僅 所定時間化學洗淨晶圓表面•此時,由於一起將洗淨液及 晶圓W施以調整溫度,故可得到所期望之化學洗淨處理的 結果。 洗淨處理後,將調整溫度蓋7 1施行上昇迴避,並將 洗濯噴嘴8 0位在晶圓W之斜上方,一面將純水撒在晶圓 W —面旋轉晶圓W ·此時使用過之純水係被外帽6 2接受 ,經由排出口 6 7排出至外部•僅所定時間洗濯洗淨晶圓 W之後,停止純水之供應,高速自旋轉晶圓W,俾烘乾晶 圓W。 如此,經洗淨處理之晶画W,係藉由主機臂2 0之第 2機臂從第1洗淨處理部2 5取出之後,移入至第2洗淨 處理部2 6內。之後,從主機臂2 0將晶圓W交接至昇降 器2 5 5。將昇_器2 5 5施佇下降,並將晶圓W載置於 旋轉夾具2 5 0之上面。 然後,將調整溫度蓋2 7 1施以下降,並將調整溫度 本紙張尺度適用中國國家橾隼(CNS ) Λ4規格(210X 公釐) -- * f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- '^ 17 - 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 A7 __________B7 五、發明説明(15) 蓋2 7 1接近於旋轉夾具2 5 0上之晶圓W·如第i 〇圖 所示,調整溫度蓋2 7 1係與噴嘴單元2 8 〇不相同者, 各自形成另外獨立地調節溫度》亦即,在調整溫度蓋 2 7 1之內部通路2 7 2連通有第1調整溫度水循環器 l〇6a,在噴嘴單元280之內部通路282連通有第 2調整溫度水循環器1 〇 6 b。噴嘴2 8 1之通路係連通 於稀氟酸水溶液之槽(未予圖示)》從噴嘴281所供應 之氟酸水溶液,係藉由第2調節溫度水循環器1 〇 6 成調整在約7 0°C之溫度。 如第1 1圖所示,第2洗淨處理部2 6內之旋轉夾具 2 5 0及昇降器2 5 5係形成各自另外獨立地調整溫度. 亦即,在昇降器2 5 5之內部通路2 5 7連通有第3調整 溫度水循環器1 0 6 c,而在旋轉夾具2 5 0之內部通路 2 5 2連通有第4調整溫度水循環器1 0 6 d ·藉由這些 第3及第4調整溫度水循環器106c,l〇6d ,旋轉 夾具2 5 0上之晶圓W係形成調整在大約7 0°C。 在旋轉夾具2 5 0上之晶圓W接近調整溫度蓋2 7 1 。一面低速旋轉晶圓W—面從噴嘴2 8 1將稀氟酸水溶液 供應於晶圓W,在晶圓W上盛滿液狀稀氟水溶液。如此, 停止晶圓W之旋轉,僅所定時間將晶圓W接觸於晶圓W之 表面•晶圓W之表面係藉稀氟酸水溶液施行化學洗淨處理 (蝕刻處理)。化學洗淨處理後,將晶圓W移入洗淨/烘 乾處理單元2 7內,經洗濯水洗,又,將晶圚W施以高速 自轉施以烘乾。 ^紙張尺度適用ίΐ國家標準(CNS ) Λ4規格(2丨0 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 _ 18 _
SuQiV7 A7 B7 五、發明説明() 洗淨處理過之晶圓w ’係再藉由主機臂2 0之第2機 臂從洗淨,烘乾處理部27取出後經由擋門31Α接受在 晶圓交接部3之小鉗子3 0 ·此時’由於藉由與支撐洗淨 前之未處理晶圓W的支撐面3 0 a不相同之支撐面3 0 b 接受處理過之晶圓W,因此’防止對洗淨處理後之晶圓W 之微粒之附著。如此*洗淨處理過之晶圓W係不會被污染 ,藉由小鉗子3 0收容於氣密室1 1內之卡匣C。 在如上述之過程藉洗淨處理晶圓W,可完全地除去附 著於晶圓之微粒,有機污染物,金屬不純物等污染,而且 洗淨處理後之晶固W係維持在清淨之狀態· 又,如第1 2圖所示,在調整溫度蓋3 7 1與旋轉夾 具3 5 0之間設置軸承3 4 0也可以。如此,可將調整溫 度蓋3 7 1最接近於晶圓,從噴嘴3 7 0所供應之洗淨液 及晶圆W之調節溫度效果更提高。 又,如第1 3圖所示,將調整溫度蓋4 7 1與噴嘴單 元4 8 0分別地設置,而藉由皮帶驅動機構4 9 0, 491,492旋轉調整溫度蓋471也可以。此時*調 整溫度蓋4 7 1係同步旋轉成與旋轉夾具4 5 0實質上相 同之旋轉方向及旋轉速度· 依照這種裝置,由於在晶圓W之正上方領域不容易產 生渦狀上昇氣流,因此,在噴嘴4 8 1不易捲進微粒,而 可達成清潔之洗淨處理。又,本實施形態之裝置係洗淨處 理如L C D用玻璃基板之大尺寸之基板時較有效。 依照本發明之洗淨處理裝置,可將供應於基板之洗淨 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS ) Λ4規格(2丨OX297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 •J— . -19 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(17 ) 液保溫在所定溫度而可實行洗淨處理,可將洗淨液之供應 量成爲安定,而且可提高洗淨處理時間之安定化·因此, 成爲可提高生產量及可提高成本之低廉化· 又*依照本發明之洗淨處理裝置,可隔開使用不相同 種類之洗淨液(藥液)的洗淨處理部,可確實地阻止各洗 淨處理過程之不相同的環境氣氛成分。因此,可提高依基 板不相同之氣氛環境的洗淨液的污染之防止,而且可提髙 成品良品率。 〔圖式之簡單說明〕 第1圖係表示半導體晶圓之洗淨處理系統之整體概要 的概略平面圖。 第2圖係表示切除本發明之實施形態之洗淨處理裝置 之一部分的方塊剖面圖。 第3圇係表示吸附保持晶圓之旋轉夾具的平面圖· 第4 A圚至第4 D圖係分別表示說明本發明之實施形 態之洗淨處理方法所用的旋轉夾具總成,蓋總成及小鉗子 總成等的概略剖面圖。 第5圚係表示移入/移出部及晶圓交接部的概略剖面 圖》 第6圚係表示具有晶園交接部的斜視圓。 第7圖係表示交接晶圚之小鉗子的概略平面圖。 第8圖係表示小鉗子的放大剖面圖· 第9 A圖及第9 B圖係分別表示基板之接受動作時及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2ΐυχ2ι)7公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. *va -20 - A7 ___B7_ 五、發明説明(18) 交接動作時之小鉗子的概略平面圖* 第ίο圖係表示其他實施形態之蓋總成的方塊構成圖 第圖第19 成 視 構 透 塊 方 的 成 總 具 夾 轉 旋 之 態 形 施 實 他 其 示 表 係 圖 1 部 內 的 成 總 蓋\ 轉 旋 之 態 形 施 實 他 其 示 表 係 圖 2 部 內 的 成 總 蓋\ 轉 旋 之 態 形 施 實 他 其 示 表 係 圖 3 第 圖 視 透 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. —訂 經滅部中央標準局員工消費合作社印装 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(21 〇 X 2W公釐) -21
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、 申請專利範圍 1 I 1 • 一 種 洗 淨 處 理 裝 置 其 特 徵 爲 : 具 備 1 | 收 容 有 用 於 化 學 洗 淨 基 板 所 用 之 洗 淨 液 的 洗 淨 液 供 rrtc 應 1 I 源 1 0 2 > 及 請 1 先 1 可 旋 轉 地 保 持 作 爲 處 理 對 象 之 基 板 的 旋 轉 夾 具 5 0 9 閱 请 1 背 2 5 0 * 3 5 0 9 4 5 0 及 1 注 | 連 通 於 上 述 洗 淨 液 供 nte 應 源 9 且 從 上 述 洗 淨 液 供 應 源 將 意 事 1 I 洗 淨 液 供 應 於 上 述 旋 轉 夾 具 上 之 基 板 的 噴 嘴 7 0 2 8 1 再> 1 "S I y 3 7 0 > 4 8 1 及 寫 本 裝 頁 1 調 整 從 該 噴 嘴 向 基 板 供 ate if思 之 洗 淨 液 之 溫 度 的 調 整 溫 度 1 I 手 段 1 0 0 1 0 6 1 0 6 a 1 0 6 b 及 1 1 | 覆 蓋 上 述 旋 轉 夾 具 上 之 基 板 地 近 接 使存 在 於 基 板 上 1 訂 之 洗 淨 液 實 質 上 不 會有 溫 度 變 化 的 調 整 溫 度 蓋 7 1 1 2 7 1 3 7 1 4 7 1 0 1 1 2 * 如申 請 專 利 範 圍 第 1 項 所 述 之 裝 置 其 中 具 備 1 1 將 上 述 調 整 溫 度 蓋 7 1 2 7 1 3 7 1 4 7 1 接 近 或 遠 離 於 上 述 旋 轉 夾 具 5 0 2 5 0 3 5 0 4 5 0 上 之 1 I 基 板 的 蓋 移 動 機 構 7 5 0 1 1 I 3 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 所述 之 裝 置 其 中 又 具 1 1 備 調 整 上 述 調 整 溫 度 蓋 7 1 2 7 1 9 3 7 1 本 體 之 溫 度 1 1 的 第 2 調 整 溫 度 機 構 1 0 0 1 0 6 > 1 0 6 b 〇 1 ψ 4 如 中 請 專 利 範 圍 第 1 項 所 述 之 裝 置 其 中 又 具 1 1 備 調 節 上 述 旋 轉 夾 具 5 0 » 2 5 0 3 5 0 4 5 0 本 體 1 | 之 溫 度 的 第 2 調 整 溫 度 機 構 5 7 1 0 0 9 1 0 6 C t 1 I 1 0 6 d 〇 1 1 本紙张尺度逋用t國國家標準(CNS〉Λ4規格(210X297公釐) -22 - 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 .如申請專利範圔第1項所述之裝置,其中,又具 備調整上述噴嘴70,281,370,481本體之溫 度的第2調整溫度機構}〇〇,1〇6,l〇6b。 6 .如申請專利範圍第χ項所述之裝置,其中,又具 _將洗濯液供應於化學洗淨處理之基板的洗濯機構8 〇, 1 0 4 〇 7 .如申請專利範圍第1項所述之裝置/其中,上述 洗淨液供應源1 〇 2係包括鹸性洗淨液及酸性洗淨液。 8 .如申請專利範圍第χ項所述之裝置,其中,又具 備將上述調整溫度蓋3 7 1可旋轉地接觸於上述旋轉夾具 350之軸承構件340。 9 _如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中,又具 備將上述調整溫度蓋4 7 1與上述旋轉夾具4 5 0同步旋 轉的機構490,491,492。 1 0 .如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中,上 述調整溫度蓋71 ,371係與上述噴嘴70,370 — 體設置者。 經濟部令央標準局員工消費合作社印裝 1 1 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中,上 述調整溫度蓋271,471係與上述噴嘴281, 4 8 1另外地設置者。 1 2 .如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中,又 具備 移送基板所用的移送機構2 0,及 __在與該移送機構之間爲了交接基板而從上述旋轉夾具 本紙浪疋度適用中國國家標準(CNS ) Λ4現格(210X297公釐) ~~ -23 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ^ ____ D8 六'申請專利範圍 .50,250,350,450舉起基板的昇降器機構 55,56,255,355,455。 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中,上 述調節溫度蓋71,271 ,371 ,471係其周緣下 部7 2 a比中央下部7 2 b向下方突出者。 14.一種洗淨處理裝置,其特徵爲:具備 可旋轉地保持作爲處理對象之基板的旋轉夾具5 0, 250,350,450,及 具有收容用於化學洗淨基板所用之第1洗淨液之第1 洗淨液供應手段的第1洗淨處理部24,25,及 具有收容與上述第1洗淨液不相同之第2洗淨液之第 2洗淨液供應手段的第2洗淨處理部26,27,及 將基板移送至上述旋轉夾具之上方,在與上述旋轉夾 具之間交接基板的交接搬送手段20; 在上述第1洗淨處理部與上述第2洗淨處理部之間設 有上述移送手段之移送路2 2,藉由該移送路,上述第1 洗淨處理部係從上述第2洗淨處理部隔離者。 15 種洗淨處理方法,其特徵爲: (a )將基板可旋轉地保持在旋轉夾具上, (b) 覆蓋該旋轉夾具上之基板地將調整溫度蓋相對 地近接於基板。 (c) 將與該調整溫度蓋之被調整之溫度實質上被調 整成相同溫度之洗淨液供應於旋轉夾具上之基板,藉由該 洗渖液化璺洗淨基板,_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉八4規格(2丨0X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· Ja -24 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A8 B8 C8 · D8々、申請專利範圍 (d)相對地隔開上述旋轉夾具上之基板與上述調整 溫度蓋。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之方法,其中, 在過程(a )加熱旋轉夾具上之基板而調整成6 0〜 9 0°C之溫度領域, 在過程(b )加熱調整溫度蓋而調整成6 0〜9 0°C 之溫度領域; 在過程(c )加熱洗淨液而調整成6 0〜9 0°C之溫 度領域; 在將該調整溫度之調整溫度蓋近接於基板之狀態下, 將調節溫度之洗淨液向調整溫度之基板供應者。 17.如申請專利範圍第15項所述之方法,其中, 一面以第1旋轉速度旋轉基板一面將洗淨液供應於基 板,然後停止基板之旋轉,在洗淨液盛裝於基板上之狀態 下暫時放置; 又,以比上述第1旋轉速度快之第2旋轉速度旋轉基 板,從基板離心分離洗淨液。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項所述之方法,其中, 與旋轉夾具一起旋轉基板,並將洗濯液撒在基板而洗濯洗 淨基板》 1 9 .如申請專利範圍第1 5項所述之方法,其中, 將調整溫度蓋4 7 1與旋轉夾具4 5 0同步地旋轉者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) -25 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18353795A JP3250090B2 (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW300177B true TW300177B (zh) | 1997-03-11 |
Family
ID=16137567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW085107641A TW300177B (zh) | 1995-06-27 | 1996-06-25 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5868865A (zh) |
EP (1) | EP0753884B1 (zh) |
JP (1) | JP3250090B2 (zh) |
KR (1) | KR100309029B1 (zh) |
DE (1) | DE69631566T2 (zh) |
TW (1) | TW300177B (zh) |
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EP0753884B1 (en) | 2004-02-18 |
EP0753884A2 (en) | 1997-01-15 |
KR100309029B1 (ko) | 2001-12-17 |
DE69631566T2 (de) | 2004-07-29 |
KR970003595A (ko) | 1997-01-28 |
JP3250090B2 (ja) | 2002-01-28 |
JPH0917761A (ja) | 1997-01-17 |
DE69631566D1 (de) | 2004-03-25 |
US5868865A (en) | 1999-02-09 |
EP0753884A3 (en) | 1997-07-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |