TW230262B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW230262B TW230262B TW082110382A TW82110382A TW230262B TW 230262 B TW230262 B TW 230262B TW 082110382 A TW082110382 A TW 082110382A TW 82110382 A TW82110382 A TW 82110382A TW 230262 B TW230262 B TW 230262B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor
- notch
- wafer
- edge
- integrated circuit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
230262 A6 B6 ®濟郝申夬標準局Μ工消费合作社印製 五、發明説明(1 ) 技術領域 本發明相關於半導體積體電路之製造。 發明背景 現行半導體積體電路之製造方法包含半導體晶片上形 成個別之稹體電路,半導體晶片預先由半導體材料條切割 而來。不同之識別標記通常被置於晶片之表面(及/或背 面)而於個別電路之間,此識別被用來於晶片在整個製造 過程中傳輸時識別該晶片。識別標記可判別條(塊)號碼 ,及晶片獨一之其他不同細節。不幸地是,識別標記易於 吸收塵土及其他污染物而影響了其後於晶片表面上個別稹 體電路成功之形成及加工。更有甚者,如果標記太淺(爲 將塵土之吸收減至最少等等),於接下來之加工過程中標 記可能會被清除。 發明概說 本發明可解決上述之問題,本發明說明性地包括於晶 片或晶塊之稜邊上形成一組數個凹口。 圖樣之簡要說明 圇1爲本發明之說明實施例中正在被標記之半導體塊 之立體圖; 圖2爲根據本發明之說明實施例刻有識別標記之半導 體晶片之立體圖: {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .訂 線 本纸弦尺度適用中囷國家標準(CNS)甲4規格(210X297公釐ϊ A6 B6 ^30262 五、發明説明(2 ) 圖3爲圖2所示之半導體晶片之一部份的放大立體圖 « 圖4爲另一說明實施例之放大立體圇。 發明之詳細描述 申請人發現可藉著在半導體晶片之稜邊產生一系列之 凹口之方式來識別一晶片,此凹口之型樣類似於條線代碼 使用者所採用之型樣。稜邊標記日後可用一條線代碼讀取 機器使用雷射爲典型加以t讀取'。申請人之稜邊標記不 像置於晶片表面之標記易受吸收塵土之影響。 圖1中參考號11代表具有平台13之半導體塊。劃 線器1 5具有預先選好間隔而安排之一系列平行機械刀具 1 7 ,且此刀具被定位切入塊1 1之平台1 3而形成凹口 。另外,參考號1 7也可代表一系列之雷射適合於切入塊 1 1之平台1 3而形成凹口。 典型上,以往晶片之識別是使用超音波鑽石劃線器或 雷射劃線器於晶片上刻劃批號或晶片號碼。此刻劃形成於 晶片之拋光面使得不須翻轉晶片即可觀察到。如前所述, 較佳之雷射刻劃法在晶片表面上留下許多不規則之刻痕, 此刻痕會捕捉塵土且日後後於設備之敏感層釋放此塵土, 造成不想要之污染且可能對效率有不利之影響。 圖2說明刻劃於晶片2 5之台面1 3上之凹口 2 3。 査驗圖1及圖2顯示如1 7之刀具或雷射產生凹口 2 3。但是,如果刀具或雷射2 1 7未接合或操作,則所 本纸法尺度適用中a國家標準(CNS)甲4規格(210x297公釐1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝 .訂 …線. 830262 A6 B6
禮濟部令夬橒华局Μ工消費合作社U 五、發明説明(3 ) 得爲一平台區域5 0 0。 圇3說明性地顯示,每一凹口之深度18及寬度 1 9可分別爲5 0 0//m及1 0 0#m。連績凹口間之間 距2 1可能1 〇 〇 〇#m。凹口之厚度2 3與晶片之厚度 相同,典型直徑爲5英寸之晶片之厚度約爲2 0密耳(roil )(即5 0 0 pm)。此種尺寸非常適合之現行通用 之典型條線代碼掃描器偵測,此掃描器之光點大小約爲 〇. 2ym。因此,平台13之每一英寸可有25個條線 ,而此相應於每英寸有2 25或7 . 4 X 1 〇 10種不同之組 合。如圖1所示,凹口可在晶片由晶塊切割下來之前被刻 劃於晶片之平台上。一但平台1 3被切割,一系列之機械 刀具或雷射1 7可沿著晶塊之方向依序雕刻凹口。 尖銳之尖角如51通常最好加以軟化或弄平滑。可採 用機械拋光將特點1 8,2 1 ,及1 9軟化或弄平滑而分 別改變成1 7 1 ,1 2 1 ,及1 1 9 ,如圖4所示。另外 ,圖4中所示之具有平滑角之凹口可使用相關形狀之機械 刀具1 7或經調製之雷射1 7而獲得。 於晶片處理過程中在不同時間對條線代碼之讀取操作 可使用類似現行雜貨店結帳櫃台所採用之雷射掃描裝置。 本設計之缺點爲操作者無法直接由晶片上讀取代碼。 但是,以機器讀取整盒晶片之稜邊標記成爲可行且機器讀 取可設於生產台面上不同之位置。此方法具有之優點爲大 量之組合可被刻劃於晶片之平台上。刻劃於平台1 3上並 非是必要的,例如,也可以刻劃在晶片2 7之圓柱形外表 (請先閲讀背面之;±意事項再填寫本頁> 裝 .訂 …線 本紙法尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210x 297公釐) 2ZQ262 A6 B6 五、發明説明(4 ) 面上。預先將刻劃區域正確對準於結晶軸可使平台或其他 定向結構不須要再被使用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -訂 ,線.
本纸弦尺度適用中國國家標準(CNS丨甲4規格(210x297公釐I
Claims (1)
- £30262 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範圍 種半導體稹體電路製造方法,包括之步驟之特 ------1 — ^-------(----;----裝------訂----' 線 (請先閲讀背面之注意事項再填鸾本頁) 經濟部中央標準局g工消费合作社印製 徵爲: 於晶片(例如:2 5 ) —組數個凹口(例如:2 3 2 .如申請專利範圍第 法,其中該凹口(例如:2 一步包括讀取該賫訊之步驟 3 .如申請專利範園第 法,其中該凹口(例如:2 4 .如申請專利範圍第 法,其中該凹口(例如:2 5 .如申請專利範圍第 法,其中該凹口(例如:2 之稜邊(例如:27)上形成 )0 1項之半導體積體電路製造方 3 )("包含識別資訊且此方法進 '、 ' 0 1項之半導體積體電路製造方 3 )使用切割砂輪形成。 1項之半導體積體電路製造方 3 )使用雷射形成。 1項之半導體稹體電路製造方 3 )宽約2 ym且深約2 0 6 . —種半導體積體電路製造方法,包括之步驟之特 徵爲: 於半導體塊(例如:1 1 )之稜邊(例如:1 3 )上 形成一組數個凹口(例如:2 3 );及 將半導體塊鋸成晶片。 7. —種半導體晶片(例如:2 5 ),包括一種稜邊 (例如:2 7 ),且其特微爲該棱邊(例如:2 7 )具有 凹口 (例如:2 3 ) ° 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)甲4視格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US99645692A | 1992-12-24 | 1992-12-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW230262B true TW230262B (zh) | 1994-09-11 |
Family
ID=25542949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW082110382A TW230262B (zh) | 1992-12-24 | 1993-12-08 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0604061A1 (zh) |
JP (1) | JPH06232016A (zh) |
KR (1) | KR940016739A (zh) |
TW (1) | TW230262B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103489752A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-01 | 中国科学院半导体研究所 | 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0147672B1 (ko) * | 1995-11-30 | 1998-08-01 | 김광호 | 웨이퍼를 용이하게 구별하기 위한 라벨 |
JP4109371B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2008-07-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェハ |
JP4197103B2 (ja) | 2002-04-15 | 2008-12-17 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
JP2008294365A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
EP2168158B1 (en) * | 2007-06-13 | 2013-06-05 | Conergy AG | Method for marking wafers |
US20100300259A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate side marking and identification |
JP7096657B2 (ja) * | 2017-10-02 | 2022-07-06 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN111497043B (zh) * | 2020-03-05 | 2022-04-05 | 秦皇岛本征晶体科技有限公司 | 一种氟化镁波片元件的制作方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4084354A (en) * | 1977-06-03 | 1978-04-18 | International Business Machines Corporation | Process for slicing boules of single crystal material |
JPS5572034A (en) * | 1978-11-27 | 1980-05-30 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | Preparing semiconductor element |
JPS61196512A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4794238A (en) * | 1987-10-09 | 1988-12-27 | Ultracision, Inc. | Method and apparatus for reading and marking a small bar code on a surface of an item |
JPH0196920A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Fujitsu Ltd | ウエーハの識別方法 |
JPH02183509A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の識別方法 |
JPH02278809A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハ |
-
1993
- 1993-12-08 TW TW082110382A patent/TW230262B/zh active
- 1993-12-08 EP EP93309852A patent/EP0604061A1/en not_active Withdrawn
- 1993-12-20 JP JP5344610A patent/JPH06232016A/ja active Pending
- 1993-12-22 KR KR1019930028975A patent/KR940016739A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103489752A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-01 | 中国科学院半导体研究所 | 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06232016A (ja) | 1994-08-19 |
KR940016739A (ko) | 1994-07-25 |
EP0604061A1 (en) | 1994-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW230262B (zh) | ||
TW440915B (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
US6562698B2 (en) | Dual laser cutting of wafers | |
US6555447B2 (en) | Method for laser scribing of wafers | |
US5993292A (en) | Production of notchless wafer | |
US20070105345A1 (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
TW460967B (en) | Cutting method | |
WO2003056613A1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
TW201206853A (en) | Cutter wheel for scribing fragile material substrate and method of manufacturing the same | |
JP2017041482A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP7096657B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN108067746A (zh) | 基板的加工方法 | |
JP4113432B2 (ja) | フレキシブルダイの製造方法 | |
JPS6240700B2 (zh) | ||
JP2015097223A (ja) | ウエハ積層体の分断方法並びに分断装置 | |
JP6157991B2 (ja) | ウエーハの管理方法 | |
JP7340838B2 (ja) | ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置 | |
JP2011207739A (ja) | ガラス基板 | |
JP4675559B2 (ja) | 積層ウェーハの加工方法 | |
JP2002346992A (ja) | フイルム打ち抜き装置 | |
CN108682647B (zh) | 晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法 | |
JPH05259340A (ja) | 各種寸法のicパッケージのリードフレーム切出装置及びその方法 | |
JP4319765B2 (ja) | ミシン刃の製造方法 | |
KR102651049B1 (ko) | 톰슨 목형 하판의 접이선 제작 방법 및 그 장치 | |
CN211806598U (zh) | 一种高效率的镶刀结构 |