TW230262B - - Google Patents

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TW230262B TW082110382A TW82110382A TW230262B TW 230262 B TW230262 B TW 230262B TW 082110382 A TW082110382 A TW 082110382A TW 82110382 A TW82110382 A TW 82110382A TW 230262 B TW230262 B TW 230262B
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Description

230262 A6 B6 ®濟郝申夬標準局Μ工消费合作社印製 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明相關於半導體積體電路之製造。 發明背景 現行半導體積體電路之製造方法包含半導體晶片上形 成個別之稹體電路，半導體晶片預先由半導體材料條切割 而來。不同之識別標記通常被置於晶片之表面（及/或背 面）而於個別電路之間，此識別被用來於晶片在整個製造 過程中傳輸時識別該晶片。識別標記可判別條（塊）號碼 ，及晶片獨一之其他不同細節。不幸地是，識別標記易於 吸收塵土及其他污染物而影響了其後於晶片表面上個別稹 體電路成功之形成及加工。更有甚者，如果標記太淺（爲 將塵土之吸收減至最少等等），於接下來之加工過程中標 記可能會被清除。 發明概說 本發明可解決上述之問題，本發明說明性地包括於晶 片或晶塊之稜邊上形成一組數個凹口。 圖樣之簡要說明 圇1爲本發明之說明實施例中正在被標記之半導體塊 之立體圖； 圖2爲根據本發明之說明實施例刻有識別標記之半導 體晶片之立體圖： {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .訂 線 本纸弦尺度適用中囷國家標準（CNS)甲4規格（210X297公釐ϊ A6 B6 ^30262 五、發明説明（2 ) 圖3爲圖2所示之半導體晶片之一部份的放大立體圖 « 圖4爲另一說明實施例之放大立體圇。 發明之詳細描述 申請人發現可藉著在半導體晶片之稜邊產生一系列之 凹口之方式來識別一晶片，此凹口之型樣類似於條線代碼 使用者所採用之型樣。稜邊標記日後可用一條線代碼讀取 機器使用雷射爲典型加以t讀取'。申請人之稜邊標記不 像置於晶片表面之標記易受吸收塵土之影響。 圖1中參考號11代表具有平台13之半導體塊。劃 線器1 5具有預先選好間隔而安排之一系列平行機械刀具 1 7 ，且此刀具被定位切入塊1 1之平台1 3而形成凹口 。另外，參考號1 7也可代表一系列之雷射適合於切入塊 1 1之平台1 3而形成凹口。 典型上，以往晶片之識別是使用超音波鑽石劃線器或 雷射劃線器於晶片上刻劃批號或晶片號碼。此刻劃形成於 晶片之拋光面使得不須翻轉晶片即可觀察到。如前所述， 較佳之雷射刻劃法在晶片表面上留下許多不規則之刻痕， 此刻痕會捕捉塵土且日後後於設備之敏感層釋放此塵土， 造成不想要之污染且可能對效率有不利之影響。 圖2說明刻劃於晶片2 5之台面1 3上之凹口 2 3。 査驗圖1及圖2顯示如1 7之刀具或雷射產生凹口 2 3。但是，如果刀具或雷射2 1 7未接合或操作，則所 本纸法尺度適用中a國家標準（CNS)甲4規格（210x297公釐1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝 .訂 …線. 830262 A6 B6
禮濟部令夬橒华局Μ工消費合作社U 五、發明説明（3 ) 得爲一平台區域5 0 0。 圇3說明性地顯示，每一凹口之深度18及寬度 1 9可分別爲5 0 0//m及1 0 0#m。連績凹口間之間 距2 1可能1 〇 〇 〇#m。凹口之厚度2 3與晶片之厚度 相同，典型直徑爲5英寸之晶片之厚度約爲2 0密耳（roil )(即5 0 0 pm)。此種尺寸非常適合之現行通用 之典型條線代碼掃描器偵測，此掃描器之光點大小約爲 〇. 2ym。因此，平台13之每一英寸可有25個條線 ，而此相應於每英寸有2 25或7 . 4 X 1 〇 10種不同之組 合。如圖1所示，凹口可在晶片由晶塊切割下來之前被刻 劃於晶片之平台上。一但平台1 3被切割，一系列之機械 刀具或雷射1 7可沿著晶塊之方向依序雕刻凹口。 尖銳之尖角如51通常最好加以軟化或弄平滑。可採 用機械拋光將特點1 8，2 1 ，及1 9軟化或弄平滑而分 別改變成1 7 1 ，1 2 1 ，及1 1 9 ，如圖4所示。另外 ，圖4中所示之具有平滑角之凹口可使用相關形狀之機械 刀具1 7或經調製之雷射1 7而獲得。 於晶片處理過程中在不同時間對條線代碼之讀取操作 可使用類似現行雜貨店結帳櫃台所採用之雷射掃描裝置。 本設計之缺點爲操作者無法直接由晶片上讀取代碼。 但是，以機器讀取整盒晶片之稜邊標記成爲可行且機器讀 取可設於生產台面上不同之位置。此方法具有之優點爲大 量之組合可被刻劃於晶片之平台上。刻劃於平台1 3上並 非是必要的，例如，也可以刻劃在晶片2 7之圓柱形外表 (請先閲讀背面之;±意事項再填寫本頁> 裝 .訂 …線 本紙法尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210x 297公釐） 2ZQ262 A6 B6 五、發明説明（4 ) 面上。預先將刻劃區域正確對準於結晶軸可使平台或其他 定向結構不須要再被使用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -訂 ，線.
本纸弦尺度適用中國國家標準（CNS丨甲4規格（210x297公釐I

Claims (1)

  1. £30262 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範圍 種半導體稹體電路製造方法，包括之步驟之特 ------1 — ^-------(----；----裝------訂----' 線 (請先閲讀背面之注意事項再填鸾本頁) 經濟部中央標準局g工消费合作社印製 徵爲： 於晶片（例如：2 5 ) —組數個凹口（例如：2 3 2 .如申請專利範圍第 法，其中該凹口（例如：2 一步包括讀取該賫訊之步驟 3 .如申請專利範園第 法，其中該凹口（例如：2 4 .如申請專利範圍第 法，其中該凹口（例如：2 5 .如申請專利範圍第 法，其中該凹口（例如：2 之稜邊（例如：27)上形成 )0 1項之半導體積體電路製造方 3 )("包含識別資訊且此方法進 '、 ' 0 1項之半導體積體電路製造方 3 )使用切割砂輪形成。 1項之半導體積體電路製造方 3 )使用雷射形成。 1項之半導體稹體電路製造方 3 )宽約2 ym且深約2 0 6 . —種半導體積體電路製造方法，包括之步驟之特 徵爲： 於半導體塊（例如：1 1 )之稜邊（例如：1 3 )上 形成一組數個凹口（例如：2 3 );及 將半導體塊鋸成晶片。 7. —種半導體晶片（例如：2 5 )，包括一種稜邊 (例如：2 7 )，且其特微爲該棱邊（例如：2 7 )具有 凹口 （例如：2 3 ) ° 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)甲4視格（210 X 297公釐）
TW082110382A 1992-12-24 1993-12-08 TW230262B (zh)

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