TW202400411A - 光學積層體、透鏡部及顯示方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可實現VR護目鏡之輕量化、提升視辨性之光學積層體。本發明實施形態之光學積層體，依序具備：具有基材與表面處理層之積層薄膜、反射型偏光構件及包含吸收型偏光膜之吸收型偏光構件；且前述吸收型偏光構件之表面平滑性為0.4arcmin以下。

Description

光學積層體、透鏡部及顯示方法

本發明涉及光學積層體、透鏡部及顯示方法。

以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如有機EL顯示裝置)為代表之影像顯示裝置急速普及。影像顯示裝置中，為了實現影像顯示、提高影像顯示之性能，一般係使用偏光構件、相位差構件等光學構件(例如參照專利文獻1)。

近年來，有開發出影像顯示裝置之新用途。例如，有開始將用以實現Virtual Reality(VR)之附顯示器之護目鏡(VR護目鏡)產品化。有在檢討將VR護目鏡利用在各種情況下，因而期望其輕量化、提升視辨性等。輕量化例如可藉由將用於VR護目鏡之透鏡予以薄型化來達成。另一方面，亦期望開發適於使用薄型透鏡之顯示系統的光學構件。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2021-103286號公報

發明欲解決之課題 鑑於上述，本發明主要目的在於提供一種可實現VR護目鏡之輕量化、提升視辨性之光學積層體。

用以解決課題之手段 1.本發明實施形態之光學積層體，依序具備：具有基材與表面處理層之積層薄膜、反射型偏光構件及包含吸收型偏光膜之吸收型偏光構件；且前述吸收型偏光構件之表面平滑性為0.4arcmin以下。 2.如上述1之光學積層體中，上述吸收型偏光膜之厚度為7µm以下。 3.如上述1或2之光學積層體中，上述吸收型偏光膜係配置成與上述反射型偏光構件相鄰接，且上述吸收型偏光膜之厚度亦可為4µm以下。 4.如上述1或2之光學積層體中，上述吸收型偏光膜係配置成與上述反射型偏光構件鄰接，且上述吸收型偏光膜之厚度亦可為6µm以上。 5.如上述1或2之光學積層體中，上述吸收型偏光構件包含保護層，且上述吸收型偏光膜之厚度亦可小於6µm。 6.如上述1至5中任一項之光學積層體中，上述積層薄膜、上述反射型偏光構件及上述吸收型偏光構件亦可使用黏著劑層而一體化，且前述黏著劑層之厚度亦可為4µm~13µm。 7.如上述1至6中任一項之光學積層體中，上述積層薄膜之上述表面處理層亦可具有抗反射功能。 8.如上述1至7中任一項之光學積層體，亦可依序具備：上述積層薄膜、上述反射型偏光構件、上述吸收型偏光構件及相位差構件。 9.如上述1至8中任一項之光學積層體，其積層體平滑性亦可為0.7arcmin以下。 10.如上述1至9中任一項之光學積層體，其偏光度亦可為99.5%以上。 11.如上述1至10中任一項之光學積層體，其霧度亦可為0.5%以下。 12.本發明實施形態之透鏡部，係用於對使用者顯示影像之顯示系統者，其具備：如上述1至11中任一項之光學積層體，其會反射從顯示影像之顯示元件的顯示面朝前方射出且通過偏光構件及第1λ/4構件之光；第一透鏡部，配置於前述顯示元件與前述光學積層體之間的光路上；半反射鏡，配置於前述顯示元件與前述第一透鏡部之間，該半反射鏡會將從前述顯示元件射出之光透射，並將前述光學積層體之前述反射型偏光構件所反射之光朝前述反射型偏光構件反射；第二透鏡部，配置於前述光學積層體之前方；及第2λ/4構件，配置於前述半反射鏡與前述光學積層體之間的光路上。 13.本發明實施形態之顯示方法，具有以下步驟：將隔著偏光構件及第1λ/4構件而射出之顯示影像的光通過半反射鏡及第一透鏡部之步驟；將通過前述半反射鏡及前述第一透鏡部之光通過第2λ/4構件之步驟；使得通過前述第2λ/4構件之光在如上述1至11中任一項之光學積層體朝向前述半反射鏡反射之步驟；藉由前述第2λ/4構件，可將前述光學積層體之前述反射型偏光構件及前述半反射鏡所反射之光透射前述反射型偏光構件之步驟；及，將透射前述反射型偏光構件之光通過第二透鏡部之步驟。

發明效果 根據本發明實施形態之光學積層體，可實現VR護目鏡之輕量化、提升視辨性。

以下參照圖式針對本發明實施形態進行說明，惟本發明不受該等實施形態所限。為了更明確說明圖式，相較於實施形態，有將各部分之寬度、厚度、形狀等示意顯示之情形，但僅為一例，非用以限定解釋本發明。又，關於圖式，有時會對相同或同等之要素賦予相同符號，並省略重複說明。

(用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」為面內折射率達最大之方向(亦即慢軸方向)的折射率，「ny」為在面內與慢軸正交之方向(亦即快軸方向)的折射率，而「nz」為厚度方向的折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係在23℃下以波長λnm之光測定之面內相位差。例如，「Re(550)」係於23℃下以波長550nm之光測定之面內相位差。Re(λ)可於令層(薄膜)之厚度為d(nm)時，藉由式：Re(λ)=(nx-ny)×d求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係於23℃下以波長λnm之光測定之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」係於23℃下以波長550nm之光測定之厚度方向之相位差。Rth(λ)可於令層(薄膜)厚度為d(nm)時，藉由式：Rth(λ)=(nx-nz)×d求出。 (4)Nz係數 Nz係數可藉由Nz=Rth/Re求出。 (5)角度 本說明書中提及角度時，該角度包含相對於基準方向往順時針方向及逆時針方向兩方向。因此，例如「45°」係指±45°。

圖1係顯示本發明一實施形態之顯示系統之概略構成的示意圖。圖1中係示意圖示顯示系統2之各構成要素之配置及形狀等。顯示系統2具備有：顯示元件12、反射型偏光構件14、第一透鏡部16、半反射鏡18、第一相位差構件20、第二相位差構件22及第二透鏡部24。反射型偏光構件14係配置於顯示元件12之顯示面12a側即前方，其可反射從顯示元件12射出之光。第一透鏡部16係配置於顯示元件12與反射型偏光構件14之間的光路上，半反射鏡18係配置於顯示元件12與第一透鏡部16之間。第一相位差構件20係配置於顯示元件12與半反射鏡18之間的光路上，第二相位差構件22係配置於半反射鏡18與反射型偏光構件14之間的光路上。

有時會將從半反射鏡起或從第一透鏡部起配置於前方之構成要素(圖式例中，為半反射鏡18、第一透鏡部16、第二相位差構件22、反射型偏光構件14及第二透鏡部24)統稱為透鏡部(透鏡部4)。

顯示元件12例如為液晶顯示器或有機EL顯示器，且具有用以顯示影像之顯示面12a。要從顯示面12a射出之光例如會通過顯示元件12可包含之偏光構件(代表上為偏光薄膜)後射出，成為第1直線偏光。

第一相位差構件20包含第1λ/4構件，其可將入射第一相位差構件20之第1直線偏光轉換成第1圓偏光。第一相位差構件不包含第1λ/4構件以外之構件時，第一相位差構件便相當於第1λ/4構件。第一相位差構件20亦可設於顯示元件12上而成一體。

半反射鏡18會將從顯示元件12射出之光透射，並將反射型偏光構件14所反射之光朝反射型偏光構件14反射。半反射鏡18係設於第一透鏡部16上而成一體。

第二相位差構件22包含第2λ/4構件，其可使在反射型偏光構件14及半反射鏡18反射之光透射反射型偏光構件14。第二相位差構件不包含第2λ/4構件以外之構件時，第二相位差構件便相當於第2λ/4構件。第二相位差構件22亦可設於第一透鏡部16上而成一體。

從第一相位差構件20所含之第1λ/4構件射出之第1圓偏光會通過半反射鏡18及第一透鏡部16，藉由第二相位差構件22所含之第2λ/4構件轉換成第2直線偏光。從第2λ/4構件射出之第2直線偏光不會透射反射型偏光構件14而朝半反射鏡18反射。此時，入射反射型偏光構件14之第2直線偏光的偏光方向係與反射型偏光構件14之反射軸同方向。因此，入射反射型偏光構件14之第2直線偏光會被反射型偏光構件14反射。

被反射型偏光構件14反射之第2直線偏光藉由第二相位差構件22所含之第2λ/4構件轉換成第2圓偏光，而從第2λ/4構件射出之第2圓偏光係通過第一透鏡部16而被半反射鏡18反射。被半反射鏡18反射之第2圓偏光會通過第一透鏡部16，藉由第二相位差構件22所含之第2λ/4構件轉換成第3直線偏光。第3直線偏光會透射反射型偏光構件14。此時，入射反射型偏光構件14之第3直線偏光的偏光方向係與反射型偏光構件14之透射軸同方向。因此，入射反射型偏光構件14之第3直線偏光會透射反射型偏光構件14。

透射反射型偏光構件14之光會通過第二透鏡部24入射使用者之眼睛26。

例如，顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與反射型偏光構件14之反射軸可配置成互相大致平行，亦可配置成大致正交。顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與第一相位差構件20所含之第1λ/4構件之慢軸構成的角度例如為40°~50°，可為42°~48°，亦可為約45°。顯示元件12所含之偏光構件之吸收軸與第二相位差構件22所含之第2λ/4構件之慢軸構成的角度例如為40°~50°，可為42°~48°，亦可為約45°。

第1λ/4構件之面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm，可為110nm~180nm，可為130nm~160nm，亦可為135nm~155nm。第1λ/4構件宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。第1λ/4構件宜滿足Re(450)＜Re(550)＜Re(650)之關係。第1λ/4構件之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上且小於1，亦可為0.8以上且0.95以下。

第2λ/4構件之面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm，可為110nm~180nm，可為130nm~160nm，亦可為135nm~155nm。第2λ/4構件宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。第2λ/4構件宜滿足Re(450)＜Re(550)＜Re(650)之關係。第2λ/4構件之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上且小於1，亦可為0.8以上且0.95以下。

透鏡部4中，第一透鏡部16與第二透鏡部24之間可形成空間。此時，配置於第一透鏡部16與第二透鏡部24之間的構件宜設置於第一透鏡部16與第二透鏡部24中之任一者上而成一體。例如，配置於第一透鏡部16與第二透鏡部24之間的構件宜透過接著層而設置於第一透鏡部16與第二透鏡部24中之任一者上而成一體。根據所述形態，例如各構件之處理性可優異。接著層可以接著劑形成，亦可以黏著劑形成。具體上，接著層可為接著劑層，亦可為黏著劑層。接著層之厚度例如為0.05µm~30µm。

圖2係顯示圖1中所示之顯示系統之透鏡部之詳細內容之一例的示意剖面圖。具體上，圖2中係顯示第一透鏡部、第二透鏡部及配置於該等之間的構件。透鏡部4具備：第一透鏡部16、設置成與第一透鏡部16相鄰接之第一積層部100、第二透鏡部24及設置成與第二透鏡部24相鄰接之第二積層部200。圖2所示例中，第一積層部100與第二積層部200係隔著間隔配置。雖未圖示，但半反射鏡可設於第一透鏡部16上而成一體。以下，有時會將第二積層部稱為光學積層體。

第一積層部100包含第二相位差構件22、及配置於第一透鏡部16與第二相位差構件22之間的接著層(例如黏著劑層)41，且藉由接著層41設置於第一透鏡部16上而成一體。第一積層部100更包含有配置於第二相位差構件22之前方的第一保護構件31。第一保護構件31係透過接著層(例如黏著劑層)42積層於第二相位差構件22上，且配置成與第二相位差構件22相鄰。第一保護構件31可位於第一積層部100之最表面。此外，本說明書中，所謂相鄰接係不僅直接相鄰，還包含隔著接著層相鄰之情形。

圖2所示之例中，第二相位差構件22除了包含第2λ/4構件(第一相位差層)22a外，還包含有展現折射率特性展現nz＞nx≧ny之關係的構件(第二相位差層)22b。第二相位差構件22具有第一相位差層22a與第二相位差層22b之積層結構。藉由使用展現nz＞nx≧ny之關係的構件22b，可防止漏光(例如斜向之漏光)。如圖2所示，第二相位差構件22中，第2λ/4構件22a宜位於較展現nz＞nx≧ny之關係的構件22b更前方。

第2λ/4構件(第一相位差層)22a與展現nz＞nx≧ny之關係的構件(第二相位差層)22b係透過接著劑層51積層。第二相位差構件22包含有第一相位差層22a、接著劑層51及第二相位差層22b。

上述第2λ/4構件宜為折射率特性展現nx＞ny≧nz之關係。在此「ny=nz」不只ny與nz完全相同之情況，還包含實質上相同之情況。因此，在不損及本發明效果之範圍下可有成為ny＜nz之情形。第2λ/4構件之Nz係數宜為0.9~3，較宜為0.9~2.5，更宜為0.9~1.5，尤宜為0.9~1.3。

第2λ/4構件係以可滿足上述特性之任意適當之材料形成。第2λ/4構件例如可為樹脂薄膜之延伸薄膜或液晶化合物之定向固化層。

上述樹脂薄膜所含之樹脂可列舉：聚碳酸酯系樹脂、聚酯碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯縮醛系樹脂、聚芳酯系樹脂、環狀烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂等。該等樹脂可單獨使用，亦可組合來使用。組合方法可舉例如摻合、共聚。第2λ/4構件展現逆色散波長特性時，可適宜使用含聚碳酸酯系樹脂或聚酯碳酸酯系樹脂(以下有時僅稱為聚碳酸酯系樹脂)之樹脂薄膜。

上述聚碳酸酯系樹脂可使用任意適當之聚碳酸酯系樹脂。例如，聚碳酸酯系樹脂包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元及源自選自於由脂環式二醇、脂環式二甲醇、二、三或聚乙二醇、以及伸烷基二醇或螺甘油所構成群組中之至少1種二羥基化合物之結構單元。聚碳酸酯系樹脂宜包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元、源自脂環式二甲醇之結構單元以及/或是源自二、三或聚乙二醇之結構單元；更宜包含源自茀系二羥基化合物之結構單元、源自異山梨醇系二羥基化合物之結構單元及源自二、三或聚乙二醇之結構單元。聚碳酸酯系樹脂亦可視需要包含有源自其他二羥基化合物之結構單元。此外，可適宜用於第2λ/4構件之聚碳酸酯系樹脂及第2λ/4構件之形成方法的詳細內容，例如記載於日本專利特開2014-10291號公報、日本專利特開2014-26266號公報、日本專利特開2015-212816號公報、日本專利特表2015-212817號公報、日本專利特表2015-212818號公報中，本說明書即援用該等公報之記載作為參考。

以樹脂薄膜之延伸薄膜構成之第2λ/4構件的厚度例如為10µm~100µm，宜為10µm~70µm，較宜為20µm~60µm。

上述液晶化合物之定向固化層係液晶化合物在層內於預定方向定向且其定向狀態經固定之層。此外，「定向固化層」之概念包含如後述使液晶單體硬化而得之定向硬化層。以第2λ/4構件來說，代表上係棒狀液晶化合物沿第2λ/4構件之慢軸方向排列之狀態下定向(沿面定向)。棒狀液晶化合物可舉例如液晶聚合物及液晶單體。液晶化合物宜可聚合。液晶化合物若可聚合，便可使液晶化合物於定向後進行聚合，藉此固定液晶化合物的定向狀態。

上述液晶化合物之定向固化層(液晶定向固化層)可藉由下述方式來形成：對預定基材之表面施行定向處理，並於該表面塗敷含液晶化合物的塗敷液，使該液晶化合物於對應上述定向處理之方向定向，並固定該定向狀態。定向處理可採用任意適當之定向處理。具體上可舉機械性定向處理、物理性定向處理、化學性定向處理。機械性定向處理的具體例可舉磨擦處理、延伸處理。物理性定向處理的具體例可舉磁場定向處理、電場定向處理。化學性定向處理的具體例可舉斜向蒸鍍法、光定向處理。各種定向處理的處理條件可按目的採用任意適當之條件。

液晶化合物的定向可因應液晶化合物的種類在可展現液晶相之溫度下進行處理來進行。藉由進行所述溫度處理，液晶化合物會變為液晶狀態，而該液晶化合物會因應基材表面之定向處理方向而定向。

在一實施形態中，定向狀態之固定係藉由冷卻依上述方式定向之液晶化合物來進行。當液晶化合物為聚合性或交聯性時，定向狀態之固定係藉由對依上述方式定向之液晶化合物施行聚合處理或交聯處理來進行。

上述液晶化合物可使用任意適當之液晶聚合物及/或液晶單體。液晶聚合物及液晶單體各自可單獨使用，亦可組合。液晶化合物之具體例及液晶定向固化層之製作方法記載於例如日本專利特開2006-163343號公報、日本專利特開2006-178389號公報、國際公開第2018/123551號公報中。本說明書即援用該等公報之記載作為參考。

以液晶定向固化層構成之第2λ/4構件的厚度例如為1µm~10µm，宜為1µm~8µm，較宜為1µm~6µm，更宜為1µm~4µm。

上述折射率特性展現nz＞nx≧ny之關係的構件(第二相位差層)之厚度方向的相位差Rth(550)宜為-260nm~-10nm，較宜為-230nm~-15nm，更宜為-215nm~-20nm。在一實施形態中，第二相位差層為折射率展現nx=ny之關係即所謂正C板。在此，「nx=ny」不僅包含nx與ny嚴格上相等之情況，還包含nx與ny實質上相等之情況。例如亦包含Re(550)小於10nm之情形。在另一實施形態中，第二相位差層其折射率展現nx＞ny之關係。此時，第二相位差層之面內相位差Re(550)宜為10nm~150nm，較宜為10nm~80nm。

折射率特性展現nz＞nx≧ny之關係的構件可以任意適當之材料形成。宜由含固定成垂面定向之液晶材料的薄膜構成。可使垂面定向的液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體，亦可為液晶聚合物。所述液晶化合物及薄膜之形成方法的具體例可舉日本專利特開2002-333642號公報之段落[0020]~[0042]中記載之液晶化合物及形成方法。此時，厚度宜為0.1µm~5µm，較宜為0.5µm~4µm。

以另一理想具體例來說，折射率特性展現nz＞nx≧ny之關係的構件亦可為以日本專利特開2012-32784號公報中記載之延胡索酸二酯系樹脂形成之相位差薄膜。此時，厚度宜為5µm~50µm，較宜為10µm~35µm。

上述第一保護構件代表上包含基材。基材之厚度宜為5µm~80µm，較宜為10µm~50µm，更宜為15µm~40µm。基材之表面平滑性宜為0.7arcmin以下，較宜為0.6arcmin以下，更宜為0.5arcmin以下。此外，表面平滑性可藉由使照射光聚焦於對象之表面來測定。

基材可以任意適當之薄膜構成。作為構成基材之薄膜之主成分的材料可列舉例如：三醋酸纖維素(TAC)等之纖維素系樹脂、聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系等之環烯烴系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系及乙酸酯系等之樹脂。在此，(甲基)丙烯酸意指丙烯酸及/或甲基丙烯酸。在一實施形態中，基材宜以(甲基)丙烯酸系樹脂構成。藉由採用(甲基)丙烯酸系樹脂，可利用擠製成形將平滑性優異(例如滿足上述表面平滑性)之基材製膜。而且可獲得平滑性優異之保護構件。

第一保護構件宜以具有基材與形成於基材上之表面處理層的積層薄膜構成。積層薄膜之厚度宜為10µm~80µm，較宜為15µm~60µm，更宜為20µm~45µm。表面處理層之厚度宜為0.5µm~10µm，較宜為1µm~7µm，更宜為2µm~5µm。

表面處理層代表上包含硬塗層。硬塗層代表上係藉由於基材塗佈硬塗層形成材料並使塗佈層硬化來形成。硬塗層形成材料代表上包含作為層形成成分之硬化性化合物。硬化性化合物之硬化機制可舉例如熱硬化型、光硬化型。硬化性化合物可舉例如單體、寡聚物、預聚物。宜可使用多官能單體或寡聚物作為硬化性化合物。多官能單體或寡聚物可列舉例如具有2個以上(甲基)丙烯醯基之單體或寡聚物、胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯或胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯之寡聚物、環氧系單體或寡聚物、聚矽氧系單體或寡聚物。

硬塗層之厚度宜為0.5µm~10µm，較宜為1µm~7µm，更宜為2µm~5µm。

表面處理層宜包含機能層。機能層宜作為抗反射層發揮功能。在理想實施形態中，表面處理層係從上述基材側起依序包含上述硬塗層與抗反射層。機能層之厚度宜為0.05µm~10µm，較宜為0.1µm~5µm，更宜為0.1µm~2µm。

具有表面處理層之第一保護構件可配置成表面處理層位於前方側。具體而言，表面處理層可位於第一積層部之最表面。表面處理層可具有任意適當之功能。表面處理層例如由抑制在與空氣之界面的光損耗之觀點及提升視辨性之觀點來看，宜具有抗反射功能。在一實施形態中，第一保護構件在波長420nm至680nm之範圍中的5°正常反射率光譜之最大值宜為2.0%以下，較宜為1.2%以下，更宜為1.0%以下，尤宜為0.8%以下。在此，5°正常反射率例如可使用下述方式測定：使用黏著劑將測定對象貼附於黑壓克力板而製作出測定試樣，測定裝置係使用光譜光度計(Hitachi High-Tech公司製，商品名「U-4100」)，且將光對測定試樣的入射角設為5°。

第一保護構件之表面平滑性宜為0.5arcmin以下，較宜為0.4arcmin以下。實質上，第一保護構件之表面平滑性例如為0.1arcmin以上。

第二積層部200包含有反射型偏光構件14、及配置於反射型偏光構件14與第二透鏡部24之間的接著層(例如黏著劑層)。例如由提升視辨性之觀點來看，第二積層部200更包含有配置於反射型偏光構件14與第二透鏡部24之間的吸收型偏光構件28。吸收型偏光構件28係透過接著層(例如黏著劑層)44積層於反射型偏光構件14之前方。吸收型偏光構件28至少包含吸收型偏光膜。如圖2所示，吸收型偏光構件28不含吸收型偏光膜以外之構件(例如保護層)時，吸收型偏光構件28可相當於吸收型偏光膜。而且，吸收型偏光膜可配置成與反射型偏光構件14相鄰接。反射型偏光構件14之反射軸與吸收型偏光構件28所含之吸收型偏光膜之吸收軸可配置成互相大致平行，且反射型偏光構件14之透射軸與吸收型偏光構件28所含之吸收型偏光膜之透射軸可配置成互相大致平行。藉由透過接著層積層，反射型偏光構件14與吸收型偏光構件28會被固定，而可防止反射軸與吸收軸(透射軸與透射軸)之軸配置偏移。又，可抑制可能形成於反射型偏光構件14與吸收型偏光構件28之間的空氣層造成之不良影響。

第二積層部200更包含有配置於反射型偏光構件14之後方的第二保護構件32。第二保護構件32係透過接著層(例如黏著劑層)43積層於反射型偏光構件14上。第二保護構件32可位於第二積層部200之最表面。第一保護構件31與第二保護構件32係隔著空間配置成相對向。第二保護構件與上述第一保護構件同樣地，代表上可為具有基材與表面處理層之積層薄膜。此時，表面處理層可位於第二積層部之最表面。關於第二保護構件之詳細內容，可應用與上述第一保護構件相同之說明。具體而言，關於第二保護構件之反射特性與其效果、平滑性、厚度及構成材料，可應用與上述第一保護構件相同之說明。

如圖2所示，第二積層部200更可包含有配置於吸收型偏光構件28與第二透鏡部24之間的第三相位差構件30。第三相位差構件30係透過接著層(例如黏著劑層)45積層於吸收型偏光構件28上。又，第三相位差構件30係透過接著層(例如黏著劑層)46積層於第二透鏡部24上，第二積層部200係設於第二透鏡部24上而成一體。第三相位差構件30例如包含第3λ/4構件。吸收型偏光構件28之吸收軸與第三相位差構件30所含之第3λ/4構件之慢軸構成的角度例如為40°~50°，可為42°~48°，亦可為約45°。藉由設置所述構件，例如可防止來自第二透鏡部16側之外光反射。第三相位差構件30不包含第3λ/4構件以外之構件時，第三相位差構件30便相當於第3λ/4構件。

圖3係顯示圖2所示之光學積層體(第二積層部)之變形例的示意剖面圖。圖3所示之例中，吸收型偏光構件28除吸收型偏光膜28a外還包含有保護層28b。吸收型偏光膜28a與保護層28b係透過接著劑層52積層。吸收型偏光構件28包含有吸收型偏光膜28a、接著劑層52及保護層28b。設置保護層28b時，如圖3所示，保護層28b可相對於吸收型偏光膜28a配置於反射型偏光構件14側，亦可相對於吸收型偏光膜28a配置於第二透鏡部24側。

上述反射型偏光構件可在將與其透射軸平行之偏光(代表上為直線偏光)維持其偏光狀態之狀態下透射，並反射其以外之偏光狀態的光。反射型偏光構件代表上係以具有多層結構之薄膜(有時稱為反射型偏光薄膜)構成。此時，反射型偏光構件之厚度例如為10µm~150µm，宜為20µm~100µm，更宜為30µm~60µm。

圖4係顯示反射型偏光薄膜所含之多層結構之一例的示意立體圖。多層結構14a交替具有具雙折射性之層A與實質上不具雙折射性之層B。構成多層結構之層的總數亦可為50~1000。舉例而言，A層之x軸方向的折射率nx大於y軸方向的折射率ny，而B層之x軸方向的折射率nx與y軸方向的折射率ny係實質上相同；A層與B層之折射率差在x軸方向上大，在y軸方向上則實質上為零。結果x軸方向會成為反射軸，y軸方向會成為透射軸。A層與B層在x軸方向上之折射率差宜為0.2~0.3。

上述A層代表上係以藉由延伸展現雙折射性之材料構成。所述材料可舉萘二甲酸聚酯(例如聚萘二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯及丙烯酸系樹脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯)。上述B層代表上係以即使延伸而實質上也不會展現雙折射性之材料構成。所述材料可舉例如萘二甲酸與對苯二甲酸之共聚酯。上述多層結構可組合共擠製與延伸來形成。例如，將構成A層之材料與構成B層之材料擠製後，進行多層化(例如使用倍增器)。接著，將所得多層積層體予以延伸。圖式例之x軸方向可對應延伸方向。

反射型偏光薄膜之市售物可舉例如3M公司製之商品名「DBEF」、「APF」、日東電工公司製之商品名「APCF」。

反射型偏光構件(反射型偏光薄膜)之正交透射率(Tc)例如可為0.001%~3%。反射型偏光構件(反射型偏光薄膜)之單體透射率(Ts)例如為43%~49%，宜為45%~47%。反射型偏光構件(反射型偏光薄膜)之偏光度(P)例如可為92%~99.99%。

上述正交透射率、單體透射率及偏光度例如可使用紫外線可見光光譜光度計來測定。偏光度P可使用紫外線可見光光譜光度計測定單體透射率Ts、平行透射率Tp及正交透射率Tc，並從所得Tp及Tc利用下述式來求算。此外，Ts、Tp及Tc係以JIS Z 8701之2度視野(C光源)進行測定並進行視感度校正後之Y值。 偏光度P(%)={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)}1/2×100

上述吸收型偏光構件包含吸收型偏光膜。吸收型偏光構件(吸收型偏光膜)之正交透射率(Tc)宜為0.5%以下，較宜為0.1%以下，更宜為0.05%以下。吸收型偏光構件(吸收型偏光膜)之單體透射率(Ts)例如為41.0%~45.0%，宜為42.0%以上。吸收型偏光構件(吸收型偏光膜)之偏光度(P)例如為99.0%~99.997%，宜為99.8%以上。

吸收型偏光構件之表面平滑性宜為0.4arcmin以下，較宜為0.3arcmin以下，更宜為0.2arcmin以下。在上述顯示系統中，影像會在透鏡部(例如藉由凸透鏡)被放大，從而光學積層體之平滑性可能會大幅影響視辨性。藉由使容易影響光學積層體整體之平滑性的吸收型偏光構件滿足上述表面平滑性，可獲得平滑性優異的光學積層體。又，根據所述光學積層體，可在上述顯示系統中實現顯著優異之視辨性。例如，可抑制稱為重影之看到雙重影像的現象。又例如，可實現無變形之清晰的影像。實質上，吸收型偏光構件之表面平滑性例如為0.1arcmin以上。

吸收型偏光膜代表上係由含碘、有機染料等之二色性物質之偏光膜構成。吸收型偏光膜之厚度例如為10µm以下，宜為9µm以下，較宜為8µm以下，更宜為7µm以下。藉由使用具有所述厚度之吸收型偏光膜，可良好地滿足上述表面平滑性。另一方面，吸收型偏光膜之厚度例如為1µm以上。

例如，吸收型偏光膜可由液晶化合物構成。由液晶化合物構成之吸收型偏光膜之厚度可設為例如4µm以下，可設為3µm以下，亦可設為2µm以下。藉由使用由液晶化合物構成之吸收型偏光膜，可達成極高之表面平滑性。且，藉由使用由液晶化合物構成之吸收型偏光膜，即便如圖2所示不使用保護層，仍可良好地滿足後述耐久性。

上述液晶化合物宜可使用溶致液晶性聚合物。液晶化合物典型上係在吸收型偏光膜中於預定方向定向，且其定向狀態經固定。具體而言，吸收型偏光膜可為液晶化合物之定向固化層。液晶化合物之液晶相之構成可為例如向列相、層列相及柱相中之任一者。

上述溶致液晶性聚合物具有例如包含環結構、連結基、磺酸基及/或磺酸鹽基之結構單元。環結構代表上包含於溶致液晶性聚合物之主鏈中。各結構單元中所含之環結構之個數例如為1以上且5以下。環結構代表上可舉芳香族環。環結構可舉例如苯環、㗁唑環、噻唑環、㗁二唑環、聯苯環及其等之縮合環。宜可使用苯環。連結基例如連結有二個環結構。連結基之兩末端例如係直接鍵結於環結構上。連結基可舉例如含sp3碳之連結基、醯胺鍵。宜可使用含sp3碳之連結基。含sp3碳之連結基之具體例可舉伸烷基、氧伸烷基。宜可使用碳數1至8之伸烷基，較宜可使用亞甲基、伸乙基。

磺酸基及/或磺酸鹽基可對溶致液晶性聚合物賦予水溶性及溶致液晶性。磺酸基及/或磺酸鹽基例如係直接鍵結於環結構上。各結構單元中所含之磺酸基及/或磺酸鹽基之個數例如為1以上且5以下。磺酸鹽基之相對陽離子代表上可舉鹼金屬陽離子，宜可舉Li ⁺、Na ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺。藉由將磺酸鹽基之相對陽離子交換成水溶性更低的陽離子(所謂不溶解處理)，可獲得耐水性優異的吸收型偏光膜。水溶性較鹼金屬陽離子更低之陽離子代表上可舉銨離子、多價金屬陽離子。銨離子代表上可使用分子中具有2個以上氮原子之有機氮化合物的銨離子。有機氮化合物中所含之氮原子之數量無特別限定，宜為2個~5個，較宜為2個~3個，更宜為2個。多價金屬陽離子可舉例如鹼土族金屬陽離子(例如Ca ²⁺、Mg ²⁺、Sr ²⁺、Ba ²⁺)、過渡金屬陽離子(例如La ³⁺、Fe ³⁺、Cr ³⁺、Mn ²⁺、Cu ²⁺、Ce ³⁺)、卑金屬陽離子(例如Al ³⁺、Pb ²⁺、Sn ²⁺、Zn ²⁺)。

溶致液晶性聚合物之結構單元可舉例如下述式(1)至(23)所示之結構。在此，式(1)、(3)~(10)表示具有伸烷基(連結基)及苯環(環結構)之結構單元。式(2)表示具有醯胺鍵(連結基)及苯環(環結構)之結構單元。式(11)~(19)表示具有伸烷基(連結基)及縮合環(環結構)之結構單元。式(20)~(23)表示具有氧伸烷基(連結基)及苯環(環結構)之結構單元。下述式(2)~(23)中，為求方便而包含有磺酸基，但亦可為磺酸鹽基。

[化學式1] (式(1)中，X表示氫原子或選自銨離子、鹼金屬陽離子、鹼土族金屬陽離子、過渡金屬陽離子或卑金屬陽離子中之相對陽離子)。

[化學式2]

[化學式3]

[化學式4]

[化學式5]

所述結構單元中，可適宜使用具有伸烷基(連結基)及苯環(環結構)之結構單元(上述式(1)、(3)~(10))、具有醯胺鍵(連結基)及苯環(環結構)之結構單元(上述式(2))，較宜可使用上述式(1)所示之結構單元。溶致液晶性聚合物例如可單獨具有上述結構單元中之1個結構單元，亦可組合複數個結構單元來具有。溶致液晶性聚合物宜為單獨具有上述結構單元中之1個結構單元之均聚物(homopolymer)，較宜為上述式(1)或(2)所示之結構單元之均聚物，更宜為上述式(1)所示之結構單元之均聚物。

溶致液晶性聚合物中，結構單元之重複數例如為25以上且1000以下。溶致液晶性聚合物本身可為透明，實質上不顯示吸收二色性。溶致液晶性聚合物之單體透射率例如為85%以上且100%以下。

在一實施形態中，由液晶化合物構成之吸收型偏光膜可包含可賦予吸收二色性之有機染料作為二色性物質。所述有機染料可舉例如下述式(24)~式(26)所示之有機染料。 [化學式6] (式(24)中，A表示磺酸基或磺酸鹽基；m表示1以上且4以下；B表示氯原子；p表示0以上且2以下；m+p為4以下；A為磺酸鹽基時，其相對陽離子為Na ⁺、K ⁺、Cs ⁺或NH ₄ ⁺)。 [化學式7] (式(25)中，A表示磺酸基或磺酸鹽基；m表示1以上且4以下；B表示羥基；p表示0以上且4以下；C表示磺醯基；n表示0以上且2以下；R表示氧原子；q表示0以上且4以下；m+p+q為6以下；A為磺酸鹽基時，其相對陽離子為Na ⁺、K ⁺、Cs ⁺或NH ₄ ⁺)。 [化學式8] (式(26)中，A表示磺酸基或磺酸鹽基；A為磺酸鹽基時，其相對陽離子為Na ⁺、K ⁺、Cs ⁺或NH ₄ ⁺)。

又，有機染料可列舉例如：日本專利特表2004-528603號公報之段落[0035]~[0037]中記載之偶氮染料、氧基偶氮染料、次甲基偶氮染料、二苯乙烯染料、聚次甲基染料、陽離子系染料、萘系染料、苝系染料、蒽酮系染料；美國專利第5,007,942號或美國專利第5,340,504號中記載之二苯乙烯染料；歐洲專利第 0 530 106 號、歐洲專利申請案公開第 0 626 598 號或美國專利第5318856號中所記載之偶氮及金屬化染料。

又，有機染料可列舉例如：C.I.直接黃12、C.I.直接黃28，C.I.直接黃44、C.I.直接黃142、C.I.直接橙6、C.I.直接橙26、C.I.直接橙39、C.I.直接橙72、C.I.直接橙107、C.I.直接紅2、C.I.直接紅31、C.I.直接紅79、C.I.直接紅81、C.I.直接紅240、C.I.直接紅247、C.I.直接紫9、C.I.直接紫48、C.I.直接紫51、C.I.直接藍1、C.I.直接藍15、C.I.直接藍71、C.I.直接藍78、C.I.直接藍98、C.I.直接藍168、C.I.直接藍202、C.I.直接棕106、C.I.直接棕223、C.I.直接綠85等之直接染料；C.I.活性黃1、C.I.活性紅1、C.I.活性紅6、C.I.活性紅14、C.I.活性紅46、C.I.活性紫1、C.I.活性藍9、C.I.活性藍10等之活性染料；C.I.酸性橙63、C.I.酸性紅85、C.I.酸性紅144、C.I.酸性紅152、C.I.酸性棕32、C.I.酸性紫50、C.I.酸性藍18、C.I.酸性藍44、C.I.酸性藍61、C.I.酸性藍102、C.I.酸性黑21等之酸性染料；C.I.鹼性紅12、鹼性棕(C.I.33500)、C.I.鹼性黑等之陽離子性染料。

並且，有機染料可舉例如美國專利申請案公開第2001/0029638號中記載之有機分子。具體例方面可列舉：聚次甲基染料(例如假異花青素、頻哪氰醇)、三芳基甲烷染料(例如鹼性綠松色(Basic Turquose)、酸性淺藍3(Acid Light Blue 3))、二胺基二苯并哌喃染料(例如磺醯羅丹明)、吖啶染料(例如鹼性・黃K)、磺化吖啶染料(例如反式喹吖酮)、蒽醌染料之水溶性衍生物(例如活性・淺・藍KX)、磺化甕染料(vat dye)(例如黃士酮(flavanthrone)、陰丹士林・黃、甕・黃4K、甕・深・綠G、甕・紫C、陰丹士林、苝・紫、甕・猩紅2G)、偶氮染料(例如偶氮紫紅素4B、直接・淺耐曬・黃O)、水溶性二𠯤染料(例如酸性・深・藍3)、磺化二㗁𠯤染料(例如顏料・紫・二㗁𠯤)、可溶性噻𠯤染料(例如亞甲藍)、水溶性酞青衍生物(例如銅辛羧基酞青鹽)、色甘酸二鈉、苝四甲酸二醯亞胺紅(PADR)、PADR之苯并咪唑(亦即紫)、萘四甲酸(亦即黃、深紅紫)、啡啉-9´,10´:2,3‐喹㗁啉、苯并***類之磺酸衍生物。

所述有機染料可單獨使用或組合二種以上來使用。在理想實施形態中，係組合上述式(24)~(26)所示之有機染料來使用。

由液晶化合物構成之吸收型偏光膜例如可藉由將水系溶劑中溶解有上述溶致液晶性聚合物之液晶聚合物溶液塗敷於基材薄膜並乾燥而形成溶致液晶層後，將溶致液晶層染色來獲得。染色後可去除過多之染色液。

上述水系溶劑可舉例如水、水與醇之混合溶劑，宜可使用水。液晶聚合物溶液中之固體成分濃度例如為5質量%以上且30質量%以下，宜為10質量%以上且20質量%以下。塗敷液晶聚合物溶液時，亦可於基材薄膜之塗敷面形成有底漆層(例如包含聚乙亞胺)。底漆層之厚度例如為10nm以上且50nm以下。液晶聚合物溶液可藉由可賦予剪切應力之塗敷方法來塗敷。塗敷代表上可使用線棒。可將液晶聚合物溶液之塗敷膜乾燥而形成溶致液晶層。乾燥溫度例如為40℃以上且80℃以下，宜為50℃以上且70℃以下。乾燥時間例如為10秒以上且10分鐘以下，宜為5分鐘以下。溶致液晶性聚合物可藉由塗敷時之剪切應力定向，而於溶致液晶層中展現於塗敷方向具有慢軸之相位差。

上述染色代表上可將溶致液晶層浸漬於含二色性物質之染色液中來進行。染色時染色液的溫度例如為10℃以上且50℃以下，宜為20℃以上且40℃以下。浸漬時間(染色時間)例如為5秒以上且300秒以下，宜為30秒以上且180秒以下。

二色性物質為碘時，染色液宜更包含碘化合物，較宜更包含碘化合物及多價金屬鹽。碘化合物可列舉例如：碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦。宜可使用碘化鉀。染色液中之碘與碘化合物之質量比(碘：碘化合物)例如為1：5~1：30，宜為1：5~1：15。藉由染色液包含多價金屬鹽，可對吸收型偏光膜賦予耐水性。多價金屬鹽可舉例如氯化物、硫酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽、草酸鹽、乙酸鹽。多價金屬鹽之對金屬可舉例如鹼金屬、鹼土族金屬、過渡金屬、卑金屬，具體上可舉鋇、鋁、鉛、鉻、鍶、鈰、鑭、釤、釔、銅、鐵。宜可使用氯化鍶。染色液中之碘與多價金屬鹽之質量比(碘：多價金屬鹽)例如為1：5~1：30，宜為1：5~1：15。

二色性物質為有機染料時，染色液中之有機染料的固體成分濃度例如為0.1質量%以上且3.0質量%以下，宜為1.0質量%以上。又，併用上述式(24)~(26)所示之有機染料時，式(24)：式(25)：式(26)之質量比例如為40~60：10~30：10~30。

又，例如吸收型偏光膜可以樹脂偏光膜構成。此時，吸收型偏光膜宜為含碘之聚乙烯醇(PVA)系薄膜。在一實施形態中，以樹脂偏光膜構成之吸收型偏光膜之厚度宜為6µm以上。根據所述厚度，即便如圖2所示不使用保護層，仍可良好地滿足後述耐久性。在另一實施形態中，以樹脂偏光膜構成之吸收型偏光膜之厚度宜小於6µm。所述厚度亦可如圖3所示藉由使用保護層，來良好地滿足後述之耐久性。

以樹脂構成之吸收型偏光膜之製造方法可舉包含以下步驟之方法：於長條狀熱塑性樹脂基材之單側形成含聚乙烯醇系樹脂(PVA系樹脂)與鹵化物之聚乙烯醇系樹脂層(PVA系樹脂層)，而製成積層體；及，對積層體依序施行空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理，該乾燥收縮處理係將積層體邊往長邊方向輸送邊加熱，藉此使其於寬度方向收縮2%以上。所得吸收型偏光膜之厚度例如可藉由調整水中延伸處理中之延伸倍率來控制。

上述PVA系樹脂層宜藉由將含PVA系樹脂與鹵化物之塗佈液塗佈於熱塑性樹脂基材並乾燥來形成。PVA系樹脂層中之鹵化物之含量相對於PVA系樹脂100重量份宜為5重量份~20重量份。PVA系樹脂層之厚度宜為3µm~40µm，更宜為3µm~20µm。

塗佈液之塗佈方法可列舉例如輥塗法、旋塗法、線棒塗佈法、浸塗法、模塗法、簾塗法、噴塗法、刮刀塗佈(knife coat)法(缺角輪塗佈(comma coating)法等)等。塗佈液之塗佈、乾燥溫度宜為50℃以上。

由提升熱塑性樹脂基材與PVA系樹脂層之密著性之觀點來看，可在形成PVA系樹脂層前對熱塑性樹脂基材施行電暈處理等表面處理，亦可於熱塑性樹脂基材上形成易接著層。

熱塑性樹脂基材之厚度宜為20µm~300µm，較宜為50µm~200µm。若小於20µm，例如恐難以形成PVA系樹脂層。若大於300µm，例如恐有在後述水中延伸處理時熱塑性樹脂基材需要長時間吸水且還會對延伸造成過大的負荷之虞。

熱塑性樹脂基材之吸水率宜為0.2%以上，較宜為0.3%以上。熱塑性樹脂基材可吸水，水可發揮塑化劑的作用進行塑化。結果可使延伸應力大幅降低而可高倍率地延伸。另一方面，熱塑性樹脂基材之吸水率宜為3.0%以下，較宜為1.0%以下。藉由使用所述熱塑性樹脂基材，可防止製造時基材的尺寸穩定性顯著降低而造成所得吸收型偏光膜之外觀惡化等不良情況。並可防止基材於水中延伸時斷裂、或PVA系樹脂層從基材剝離之情況。此外，熱塑性樹脂基材之吸水例如可藉由將改質基導入構成材料來調整。吸水率係依循JIS K 7209求算之值。

熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)宜為120℃以下。藉由使用所述熱塑性樹脂基材，可抑制PVA系樹脂層之結晶化，同時充分確保積層體之延伸性。若考慮以水將熱塑性樹脂基材塑化與良好地進行水中延伸，Tg較宜為100℃以下，更宜為90℃以下。另一方面，熱塑性樹脂基材之Tg宜為60℃以上。藉由使用所述熱塑性樹脂基材，可防止在塗佈、乾燥上述塗佈液時，基材變形(發生例如凹凸或垂塌、起皺等)等不良情況，從而良好地製作積層體。又，可在適宜的溫度(例如60℃左右)下進行PVA系樹脂層的延伸。此外，熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度例如可藉由使用可將改質基導入構成材料之結晶化材料進行加熱來調整。玻璃轉移溫度(Tg)係依循JIS K 7121求算之值。

熱塑性樹脂可列舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等酯系樹脂、降𦯉烯系樹脂等環烯烴系樹脂、聚丙烯等烯烴系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂及該等之共聚物樹脂。該等當中，宜可使用降𦯉烯系樹脂、非晶質之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。

在一實施形態中，宜使用非晶質之(未結晶化之)聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。其中，宜可使用非晶性之(難結晶化之)聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂。非晶性之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之具體例，可舉更包含間苯二甲酸及/或環己烷二羧酸作為二羧酸的共聚物、或是更包含環己烷二甲醇或二乙二醇作為甘醇的共聚物。

在理想之實施形態中，熱塑性樹脂基材係以具有間苯二甲酸單元之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂構成。所述熱塑性樹脂基材具有極優異之延伸性並且可抑制延伸時之結晶化。吾等推測其係藉由導入間苯二甲酸單元來對主鏈賦予巨大的撓曲所致。聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂具有對苯二甲酸單元及乙二醇單元。相對於全部重複單元之合計，間苯二甲酸單元之含有比率宜為0.1莫耳%以上，較宜為1.0莫耳%以上。其係因可獲得具有極優異延伸性之熱塑性樹脂基材之故。另一方面，相對於全部重複單元之合計，間苯二甲酸單元之含有比率宜為20莫耳%以下，較宜為10莫耳%以下。藉由設定成所述含有比率，可在後述之乾燥收縮處理中良好地增加結晶度。

熱塑性樹脂基材亦可於形成PVA系樹脂層前業已利用任意適當之方法進行延伸。例如，亦可經沿長條狀熱塑性樹脂基材之橫向延伸。橫向宜為與後述之積層體的延伸方向大致正交之方向。熱塑性樹脂基材之延伸溫度相對於玻璃轉移溫度(Tg)宜為Tg-10℃~Tg+50℃。熱塑性樹脂基材之延伸倍率宜為1.5倍~3.0倍。

如上述，塗佈液可包含PVA系樹脂與鹵化物。塗佈液代表上可為已使PVA系樹脂及鹵化物溶解於溶劑中之溶液。溶劑可列舉例如：水、二甲基亞碸、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、各種甘醇類、三羥甲丙烷等多元醇類、伸乙二胺、二伸乙三胺等胺類。該等中又宜可使用水。PVA系樹脂濃度相對於溶劑100重量份宜為3重量份~20重量份。塗佈液中之鹵化物含量相對於PVA系樹脂100重量份宜為5重量份~20重量份，較宜為10重量份~15重量份。

上述PVA系樹脂可舉例如聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可藉由將聚乙酸乙烯酯皂化而得。乙烯-乙烯醇共聚物可藉由將乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化而得。PVA系樹脂之皂化度例如為85莫耳%~100莫耳%，宜為95.0莫耳%~99.95莫耳%，較宜為99.0莫耳%~99.93莫耳%。皂化度可依循JIS K 6726-1994而求得。PVA系樹脂之平均聚合度例如為1000~10000，宜為1200~4500，較宜為1500~4300。平均聚合度可依循JIS K 6726-1994而求得。上述鹵化物可舉例如碘化鉀、碘化鈉及碘化鋰等碘化物、氯化鈉。該等中又宜可使用碘化鉀。

塗佈液中亦可摻混添加劑。添加劑可舉例如塑化劑、界面活性劑等。塑化劑可舉例如乙二醇或甘油等多元醇。界面活性劑可舉例如非離子界面活性劑。

PVA系樹脂層經延伸，藉此PVA樹脂層中之聚乙烯醇分子之定向性會變高，但若將延伸後之PVA系樹脂層浸漬於含水之液體中，則有聚乙烯醇分子之定向紊亂而定向性降低之情形。為了使熱塑性樹脂之延伸穩定，而在相對較高之溫度下將熱塑性樹脂與PVA系樹脂層之積層體在硼酸水中進行延伸時，定向性降低的傾向會很明顯。對此，藉由將含鹵化物之PVA系樹脂層與熱塑性樹脂基材之積層體於在硼酸水中進行延伸前在空氣中進行高溫延伸(輔助延伸)，可促進輔助延伸後之積層體之PVA系樹脂層中的PVA系樹脂之結晶化。結果，在將PVA系樹脂層浸漬於液體中時，相較於PVA系樹脂層不含鹵化物之情況，更能抑制聚乙烯醇分子之定向紊亂及定向性降低。藉此，可提升經由染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中來進行的處理而得之吸收型偏光膜的光學特性。

為了獲得高光學特性，可選擇組合空中延伸(輔助延伸)與硼酸水中延伸之二段延伸之方法。藉由導入輔助延伸，可一邊抑制熱塑性樹脂基材之結晶化一邊進行延伸，解決在後續之硼酸水中延伸中因熱塑性樹脂基材過度結晶化造成延伸性降低之問題，而可以高倍率延伸積層體。又，在將PVA系樹脂塗佈於熱塑性樹脂基材上時，為了抑制熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度之影響，例如必須使塗佈溫度比將PVA系樹脂塗佈於金屬滾筒上之情況更低。結果，可能發生PVA系樹脂之結晶化相對變低而無法獲得充分光學特性之問題。對此，藉由導入輔助延伸，即使是在將PVA系樹脂塗佈於熱塑性樹脂上之情況下仍可提升PVA系樹脂之結晶性，而可達成高光學特性。又，同時事先提高PVA系樹脂之定向性，可在後續之染色處理或延伸處理中浸漬於水中時，防止PVA系樹脂之定向性降低或溶解等問題，而可達成高光學特性。

空中輔助延伸之延伸方法可為固定端延伸(例如使用拉幅延伸機來延伸之方法)，亦可為自由端延伸(例如使積層體通過不同周速的輥件間來進行單軸延伸之方法)。由獲得高光學特性之觀點來看，宜可使用自由端延伸。

空中輔助延伸之延伸倍率宜為2.0倍~3.5倍。空中輔助延伸可在一階段中進行亦可分多階段進行。分多階段進行時，延伸倍率為各階段之延伸倍率之積。空中輔助延伸中之延伸方向宜與水中延伸之延伸方向大致相同。

空中輔助延伸之延伸溫度宜為熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)以上，較宜為熱塑性樹脂基材之Tg+10℃以上，更宜為熱塑性樹脂基材之Tg+15℃以上。另一方面，延伸溫度的上限宜為170℃。藉由在所述溫度下延伸可抑制PVA系樹脂之結晶化急速進展，而可抑制結晶化所造成的不良情況(例如，因延伸而妨礙PVA系樹脂層之定向)。空中輔助延伸後之PVA系樹脂的結晶化指數宜為1.3~1.8，較宜為1.4~1.7。PVA系樹脂之結晶化指數可用傅立葉轉換紅外光光譜光度計，藉由ATR法進行測定。具體上是以偏光作為測定光來實施測定，並用所得光譜之1141cm ^-1及1440cm ^-1之強度，按下述式算出結晶化指數。 結晶化指數=(I _C/I _R) 於此，I _C係入射測定光並進行測定時之1141cm ^-1的強度，I _R係入射測定光並進行測定時之1440cm ^-1的強度。

亦可在空中輔助延伸處理之後且在水中延伸處理或染色處理之前，施行不溶解處理。不溶解處理代表上係將PVA系樹脂層浸漬於硼酸水溶液中來進行。藉由不溶解處理，可對PVA系樹脂層賦予耐水性，防止浸漬於水中時PVA之定向降低。不溶解處理之硼酸水溶液的濃度相對於水100重量份宜為1重量份~4重量份。不溶解浴(硼酸水溶液)之液溫宜為20℃~50℃。

上述染色處理代表上係以碘將PVA系樹脂層染色來進行。具體上係藉由使碘吸附於PVA系樹脂層來進行。碘之吸附方法宜採用使PVA系樹脂層(積層體)浸漬於含碘之染色液(染色浴)中之方法。

上述染色液宜為碘水溶液。此時，碘之摻混量相對於水100重量份宜為0.05重量份~0.5重量份。為了提高碘對水的溶解度，宜於碘水溶液中摻混碘化物。碘化物可列舉例如：碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦。該等中又宜可使用碘化鉀。碘化物之摻混量相對於水100重量份宜為0.1重量份~10重量份，較宜為0.3重量份~5重量份。為了抑制PVA系樹脂溶解，染色液於染色時的液溫宜為20℃~50℃。使PVA系樹脂層浸漬於染色液時，為了確保PVA系樹脂層之透射率，浸漬時間宜為5秒~5分鐘，較宜為30秒~90秒。

染色條件(濃度、液溫、浸漬時間)可以使所得吸收型偏光膜之單體透射率及偏光度成為上述範圍內之方式進行設定。例如，作為染色液宜將碘水溶液中之碘與碘化鉀之含量比設為1：5~1：20，較宜設為1：5~1：10。

在將積層體浸漬於含硼酸之處理浴的處理(例如不溶解處理)之後接續進行染色處理時，該處理浴中所含之硼酸會混入染色浴中造成染色浴之硼酸濃度隨時間變化，結果有染色性變得不穩定之情形。為了抑制所述染色性的不穩定化，染色浴之硼酸濃度的上限係相對於水100重量份宜調整成4重量份，較宜調整成2重量份。另一方面，染色浴之硼酸濃度的下限相對於水100重量份宜為0.1重量份，較宜為0.2重量份，更宜為0.5重量份。在一實施形態中，係使用預先摻混有硼酸之染色浴。藉此，可減低上述處理浴之硼酸混入染色浴中時硼酸濃度變化之比率。預先摻混至染色浴中的硼酸之摻混量(亦即非來自於上述處理浴之硼酸的含量)，相對於水100重量份宜為0.1重量份~2重量份，較宜為0.5重量份~1.5重量份。

亦可在染色處理後且在水中延伸處理前施行交聯處理。上述交聯處理代表上係藉由使PVA系樹脂層浸漬於硼酸水溶液中來進行。藉由交聯處理，可賦予PVA系樹脂層耐水性，防止在後續之水中延伸中浸漬於高溫的水中時PVA之定向降低。交聯處理之硼酸水溶液的濃度相對於水100重量份宜為1重量份~5重量份。又，於上述染色處理後進行交聯處理時，宜進一步摻混碘化物。藉由摻混碘化物，可抑制已吸附於PVA系樹脂層之碘溶出。碘化物之摻混量相對於水100重量份宜為1重量份~5重量份。碘化物之具體例如上述。交聯浴(硼酸水溶液)之液溫宜為20℃~50℃。

水中延伸處理係使積層體浸漬於延伸浴來進行。藉由水中延伸處理，可在比上述熱塑性樹脂基材或PVA系樹脂層之玻璃轉移溫度(代表上為80℃左右)更低的溫度下延伸，而可在抑制PVA系樹脂層其結晶化的同時進行延伸。結果可製出具有優異光學特性之偏光膜。

積層體之延伸方法可採用任意適當的方法。具體言之，可為固定端延伸，亦可為自由端延伸(例如使積層體通過周速相異之輥間進行單軸延伸的方法)。宜選擇自由端延伸。積層體之延伸可在一階段中進行亦可分多階段進行。分多階段進行時，後述積層體之延伸倍率為各階段之延伸倍率之積。

水中延伸宜使積層體浸漬於硼酸水溶液中來進行(硼酸水中延伸)。藉由使用硼酸水溶液作為延伸浴，可對PVA系樹脂層賦予得以承受延伸時施加之張力的剛性與不溶於水的耐水性。具體上，硼酸在水溶液中會生成四羥基硼酸陰離子而可藉由氫鍵與PVA系樹脂交聯。結果，可賦予PVA系樹脂層剛性與耐水性，良好地進行延伸，從而製出具有優異光學特性之吸收型偏光膜。

上述硼酸水溶液宜使硼酸及/或硼酸鹽溶解於屬溶劑的水而得。硼酸濃度相對於水100重量份宜為1重量份~10重量份，較宜為2.5重量份~7重量份，更宜為3重量份~6重量份。藉由令硼酸濃度為1重量份以上，可有效抑制PVA系樹脂層溶解，製造更高特性之吸收型偏光膜。此外，除硼酸或硼酸鹽外，亦可使用將硼砂等之硼化合物、乙二醛、戊二醛等溶解於溶劑而得之水溶液。

宜於上述延伸浴(硼酸水溶液)中摻混碘化物。藉由摻混碘化物，可抑制已吸附於PVA系樹脂層之碘溶出。碘化物之具體例如上述。碘化物之濃度相對於水100重量份宜為0.05重量份~15重量份，較宜為0.5重量份~8重量份。

延伸溫度(延伸浴之液溫)宜為40℃以上，較宜為60℃以上。若為所述溫度，便可良好地延伸。具體而言如上述，以與形成PVA系樹脂層之關係來說，熱塑性樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)宜為60℃以上。此時，延伸溫度若低於40℃，則即使考慮以水將熱塑性樹脂基材塑化，也恐無法良好地延伸。另一方面，延伸溫度(延伸浴之液溫)宜為85℃以下，較宜為75℃以下。延伸浴之溫度愈高溫，PVA系樹脂層之溶解性便愈高，而恐無法獲得優異的光學特性。積層體浸漬於延伸浴之浸漬時間宜為15秒~5分鐘。

在一實施形態中，利用水中延伸進行之延伸倍率宜為1.0倍~2.2倍，較宜為1.1倍~2.0倍，更宜為1.1倍~1.8倍，尤宜為1.2倍~1.6倍。藉由將利用水中延伸進行之延伸倍率設定在所述範圍內，可不組合保護層便獲得後述可達成耐久性之吸收型偏光膜。且可獲得已抑制住沿吸收軸方向之斷裂的偏光膜。積層體之總延伸倍率相對於積層體的原長宜為3.0倍~4.5倍，較宜為3.0倍~4.3倍，更宜為3.0倍~4.0倍。

在一實施形態中，利用水中延伸進行之延伸倍率宜為1.5倍以上，較宜為3.0倍以上。積層體之總延伸倍率相對於積層體的原長宜為5.0倍以上，更宜為5.5倍以上。藉由達成所述高延伸倍率，可製造光學特性優異的吸收型偏光膜。所述高延伸倍率可藉由採用水中延伸方式(硼酸水中延伸)來達成。

上述乾燥收縮處理可藉由將區域整體加熱之區域加熱來進行，亦可藉由將輸送輥加熱(所謂使用加熱輥)來進行。宜使用這兩者。藉由使用加熱輥使其乾燥，可有效率地抑制積層體之加熱捲曲，而製造出外觀優異的吸收型偏光膜。具體而言，藉由在使積層體巡經加熱輥之狀態下進行乾燥，可有效率地促進上述熱塑性樹脂基材之結晶化而增加結晶度，即使是在相對較低的乾燥溫度下，仍可良好地增加熱塑性樹脂基材之結晶度。結果，熱塑性樹脂基材之剛性會增加而成為得以承受PVA系樹脂層因乾燥而收縮的狀態，從而抑制捲曲。又，藉由使用加熱輥，可在將積層體維持平坦狀態的同時進行乾燥，因此不只可抑制捲曲還可抑制起皺發生。此時，積層體可透過乾燥收縮處理使其於寬度方向收縮，來提升光學特性。其係因可有效提升PVA及PVA/碘錯合物之定向性之故。積層體進行乾燥收縮處理所得寬度方向之收縮率宜為1%~10%，較宜為2%~8%，尤宜為4%~6%。藉由使用加熱輥，可在輸送積層體的同時使其連續於寬度方向收縮，而可實現高生產性。

例如，藉由調整輸送輥之加熱溫度(加熱輥之溫度)、加熱輥之數量及與加熱輥的接觸時間等，可控制乾燥條件。加熱輥之溫度宜為60℃~120℃，較宜為65℃~100℃，更宜為70℃~80℃。可良好地增加熱塑性樹脂之結晶度而良好地抑制捲曲，同時可賦予積層體優異之強度。此外，加熱輥之溫度可利用接觸式溫度計測定。輸送輥通常可使用2個~40個，宜可使用4個~30個。積層體與加熱輥之接觸時間(總接觸時間)宜為1秒~300秒，較宜為1~20秒，更宜為1~10秒。

加熱輥可設置於加熱爐(例如烘箱)內，亦可設置於一般的製造產線(室溫環境下)。宜設置於具備送風機構的加熱爐內。藉由併用利用加熱輥進行之乾燥與熱風乾燥，可抑制在加熱輥間急遽的溫度變化，而可容易控制寬度方向之收縮。熱風乾燥之溫度宜為30℃~100℃。熱風乾燥時間宜為1秒~300秒。熱風之風速宜為10m/秒~30m/秒左右。此外，該風速係在加熱爐內之風速，可利用迷你扇葉型數位風速計測定。

宜在水中延伸處理之後且在乾燥收縮處理之前進行洗淨處理。上述洗淨處理例如可藉由使PVA系樹脂層浸漬於碘化鉀水溶液中來進行。

上述吸收型偏光構件可包含之保護層可以任意適當之薄膜構成。作為構成保護層之薄膜之主成分的材料可列舉例如：三醋酸纖維素(TAC)等之纖維素系樹脂、聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系等之環烯烴系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系及乙酸酯系等之樹脂。該等中又宜可使用(甲基)丙烯酸系樹脂、環烯烴系樹脂。藉由採用該等樹脂，可利用擠製成形而製膜出平滑性優異的保護層，而可獲得平滑性優異的吸收型偏光構件。又，以環烯烴系樹脂構成之保護層可具有優異之雙折射特性之耐久性(例如歷時變化少)。

保護層之厚度宜為5µm~80µm，較宜為10µm~50µm，更宜為15µm~40µm。保護層之表面平滑性宜為0.7arcmin以下，較宜為0.6arcmin以下，更宜為0.5arcmin以下。

吸收型偏光構件28亦可包含之接著劑層52可以任意適當之接著劑形成。接著劑宜可使用水系接著劑。藉由使用水系接著劑，可形成極薄的接著層。此外，藉由使用水系接著劑，所得吸收型偏光構件可具有優異的平滑性，而可滿足上述表面平滑性。此外，接著劑可使用例如紫外線硬化型接著劑等硬化型接著劑。硬化型接著劑在形成接著劑層時會硬化收縮，而硬化收縮會影響所得吸收型偏光構件的平滑性。

水系接著劑宜包含PVA系樹脂。由接著性這點來看，水系接著劑所含之PVA系樹脂之平均聚合度宜為100~5000左右，更宜為1000~4000。由接著性這點來看，平均皂化度宜為85莫耳%~100莫耳%左右，更宜為90莫耳%~100莫耳%。PVA系樹脂宜含有乙醯乙醯基。其係因可使吸收型偏光膜與保護層之密著性優異之故。含乙醯乙醯基之PVA系樹脂例如可藉由以任意方法使PVA系樹脂與倍羰烯進行反應而得。含乙醯乙醯基之PVA系樹脂的乙醯乙醯基改質度例如為0.1莫耳%以上，宜為0.1莫耳%~40莫耳%，較宜為1莫耳%~20莫耳%，更宜為2莫耳%~7莫耳%。此外，乙醯乙醯基改質度係可藉由NMR測定之值。

上述水系接著劑亦可包含有任意適當之交聯劑。作為交聯劑，例如可使用具有與上述PVA系樹脂具反應性之官能基(例如羥甲基)的化合物。又，上述水系接著劑亦可包含有金屬化合物膠體。金屬化合物膠體可為金屬化合物微粒子分散於分散介質中者，亦可為因微粒子之同種電荷互相排斥而靜電性穩定化從而具有永續穩定性者。形成金屬化合物膠體之微粒子的平均粒徑只要不對吸收型偏光構件之光學特性造成不良影響，便可為任意適當之值。形成金屬化合物膠體之微粒子的平均粒徑例如為1nm~100nm，宜為1nm~50nm。根據所述平均粒徑，例如可使微粒子均勻分散於接著劑層中，確保接著性同時可抑制裂點。在此，所謂「裂點」意指在吸收型偏光膜與保護層之界面產生之局部性的凹凸缺陷。

吸收型偏光構件亦可包含之接著劑層的厚度宜為1µm以下，較宜為0.5µm以下，更宜為0.2µm以下。根據所述厚度，可獲得可良好地滿足上述表面平滑性之吸收型偏光構件。由接著性等觀點來看，吸收型構件亦可包含之接著劑層的厚度例如為0.01µm以上。

上述第3λ/4構件之面內相位差Re(550)例如為100nm~190nm，可為110nm~180nm，可為130nm~160nm，亦可為135nm~155nm。第3λ/4構件宜展現相位差值隨測定光之波長而變大的逆色散波長特性。第3λ/4構件之Re(450)/Re(550)例如為0.75以上且小於1，亦可為0.8以上且0.95以下。第3λ/4構件宜為折射率特性展現nx＞ny≧nz之關係。第3λ/4構件之Nz係數宜為0.9~3，較宜為0.9~2.5，更宜為0.9~1.5，尤宜為0.9~1.3。

第3λ/4構件係以可滿足上述特性之任意適當之材料形成。第3λ/4構件例如可為樹脂薄膜之延伸薄膜或液晶化合物之定向固化層。關於以樹脂薄膜之延伸薄膜或液晶化合物之定向固化層構成之第3λ/4構件，可應用與上述第2λ/4構件相同之說明。第2λ/4構件與第3λ/4構件可為構成(例如形成材料、厚度、光學特性等)相同之構件，亦可為不同構成之構件。

上述各構件之積層所用之黏著劑層之厚度各自可設定成任意適當之厚度。上述各構件之積層所用之黏著劑層各自之厚度宜為20µm以下，可為15µm以下，亦可為13µm以下。根據所述厚度，可抑制黏著劑層表面之凹凸程度，從而積層部之平滑性可優異。另一方面，上述各構件之積層所用之黏著劑層各自之厚度宜為3µm以上，亦可為4µm以上。例如，第二保護構件(積層薄膜)32、反射型偏光構件14及吸收型偏光構件28、或第二保護構件(積層薄膜)32、反射型偏光構件14、吸收型偏光構件28及第三相位差構件30可使用厚度4µm~13µm之黏著劑層而一體化。

光學積層體200之積層體平滑性宜為0.7arcmin以下，較宜為0.6arcmin以下，更宜為0.5arcmin以下。光學積層體藉由滿足所述積層體平滑性，可抑制漫射光發生，而可抑制影像變得不清晰。光學積層體200之積層體平滑性例如為0.1arcmin以上。此外，積層體平滑性可藉由對對象照射照射光，檢測構成對象(積層體)之各構件的反射及透射情形而得。

光學積層體200之耐久性宜優異。例如，光學積層體200放置在80℃之溫度環境下500小時後之積層體平滑性宜為0.7arcmin以下，較宜為0.6arcmin以下，更宜為0.5arcmin以下。

光學積層體200之偏光度(P)例如為99.5%~99.99%，宜為99.8%以上。

光學積層體200之霧度宜為0.5%以下，較宜為0.4%以下，可為0.3%以下，亦可為0.2%以下。藉由可與透鏡組合之光學積層體滿足所述霧度值，可實現優異之視辨性。例如可減低上述重影。光學積層體200之霧度例如為0.01%以上。

實施例 以下，藉由實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。此外，厚度、相位差值及表面平滑性係藉由下述測定方法測定之值。又，只要無特別明記，「份」及「%」即為重量基準。 ＜厚度＞ 10µm以下的厚度係使用掃描型電子顯微鏡(日本電子公司製，製品名「JSM-7100F」)進行測定。大於10µm的厚度係使用數位測微器(Anritsu公司製，產品名「KC-351C」)進行測定。 ＜相位差值＞ 使用穆勒矩陣偏光儀(Axometrics公司製，製品名「Axoscan」)，在23℃下測定在各波長下之相位差值。 ＜表面平滑性＞ 使用掃描型白色干涉計(Zygo公司製，製品名「NewView9000」)進行測定。具體而言，係於附防振台之測定台上載置測定試料，並使用單一白色LED照明產生干涉條紋，將具有基準面的干涉物鏡(1.4倍)沿Z方向(厚度方向)掃描，藉此選擇性取得在12.4mm□之視野範圍中之測定對象最表面的平滑性(表面平滑性)。 測定對象為黏著劑層時，係於載玻片(松浪硝子工業公司製，製品名「S200200」)貼合黏著劑層，測定露出之黏著面的平滑性。測定對象為薄膜時，係於上述玻璃形成厚度5µm之凹凸少的丙烯酸系黏著劑層，並以不使異物或氣泡、變形的條痕進入之方式將測定對象之薄膜層合於該黏著面，測定與黏著劑層相反側之表面之平滑性。此外，上述厚度5µm之凹凸少的丙烯酸系黏著劑層之表面平滑性為0.30arcmin。 關於解析，係角度的指標「Slope magnitude RMS」乘以2倍後所得之值(相當於2σ)，並將其定義為表面平滑性(單位：arcmin)。

[實施例1] (吸收型偏光膜之製作) 依循美國專利申請案公開第2020/0110209號而調製出底漆組成物。用線棒將所得底漆組成物塗敷於厚度25µm之TAC薄膜(Konica Minolta公司製，「KC2UA」)上，將塗敷膜在60℃下乾燥3分鐘，而形成厚度30nm之底漆層。 接著，將由上述式(1)之結構單元構成之溶致液晶性聚合物以使成為14質量%之固體成分濃度之方式溶解於水中。溶致液晶性聚合物係依循美國專利申請案公開第2020/0110209號之實施例17，而製作出雙折射芳香族聚合物(Birefringent Aromatic Polymer)(結構物P1(Structure P1))溶致液晶性聚合物具有磺酸鈉鹽基。以線棒將所得液晶聚合物水溶液塗敷於上述底漆層上，並在60℃下乾燥3分鐘，而形成厚度2µm之溶致液晶層。本材料係藉由塗敷時之剪切應力行分子定向，因此展現於塗敷方向具有慢軸之相位差。 接著，依循美國專利申請案公開第2020/0110209號調製出上述式(24)~(26)所示之有機染料。然後，以式(24)：式(25)：式(26)=18：7：8之質量比使上述式(24)~(26)之有機染料溶解於水中，而調製出固體成分濃度1.9質量%之染色液。 接著，將上述溶致液晶層浸漬於上述染色液中90秒鐘進行染色後，於10質量%之SrCl ₂水溶液中浸漬3秒，施行不溶解處理。之後，將溶致液晶層浸漬於純水中3秒鐘進行洗淨後，以壓縮空氣吹散過多的水進行風乾。 依上述步驟，於TAC薄膜上形成了厚度2µm且表面平滑性0.18arcmin之吸收型偏光膜。

(λ/4構件之製作) 使用由2台具備有攪拌葉片及控制成100℃之回流冷卻器的直立式反應器構成之批次聚合裝置進行聚合。饋入雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)茀-9-基]甲烷29.60質量份(0.046mol)、異山梨醇(ISB)29.21質量份(0.200mol)、螺甘油(SPG)42.28質量份(0.139mol)、碳酸二苯酯(DPC)63.77質量份(0.298mol)及作為觸媒的乙酸鈣一水合物1.19×10 ^-2質量份(6.78×10 ^-5mol)。將反應器內進行減壓氮取代後，以熱介質加溫，並於內溫達100℃之時間點開始攪拌。於升溫開始40分鐘後使內溫達到220℃，控制維持該溫度的同時開始減壓，在達到220℃後以90分鐘使其成為13.3kPa。將隨聚合反應副生成之苯酚蒸氣導入100℃之回流冷卻器，使苯酚蒸氣中所含些許量之單體成分返回反應器，並將未凝聚之苯酚蒸氣導入45℃的凝聚器中回收。將氮導入第1反應器暫時使其回復到大氣壓後，將第1反應器內之經寡聚化的反應液移至第2反應器。接著，開始進行第2反應器內的升溫及減壓，並以50分鐘使內溫成為240℃、壓力成為0.2kPa。然後，進行聚合直到達到預定之攪拌功率。在達到預定功率之時間點將氮導入反應器中使壓力回復，並將所生成之聚酯碳酸酯系樹脂擠出至水中，裁切束狀物而獲得丸粒。

將所得聚酯碳酸酯系樹脂(丸粒)在80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠製機(東芝機械公司製，缸筒設定溫度：250℃)、T型模(寬200mm，設定溫度：250℃)、冷卻輥(設定溫度：120~130℃)及捲取機之薄膜製膜裝置，製作出厚度135µm之長條狀樹脂薄膜。將所得長條狀樹脂薄膜以延伸溫度143℃、延伸倍率2.8倍往寬度方向延伸，而獲得厚度47µm之延伸薄膜。所得延伸薄膜之Re(550)為143nm，Re(450)/Re(550)為0.86，Nz係數為1.12。

(保護構件之製作) 將下述硬塗層形成材料塗佈於具有內酯環結構之丙烯酸薄膜(厚度40µm，表面平滑性0.45arcmin)並以90℃加熱1分鐘，再以高壓水銀燈對加熱後之塗佈層照射累積光量300mJ/cm ²之紫外線使塗佈層硬化，而製作出形成有厚度4µm之硬塗層的丙烯酸薄膜(厚度44µm，硬塗層側之表面平滑性0.4arcmin)。 接著，以線棒將下述抗反射層形成用塗敷液A塗敷於上述硬塗層上，並將已塗敷之塗敷液以80℃加熱1分鐘使其乾燥，而形成塗膜。利用高壓水銀燈對乾燥後之塗膜照射累積光量300mJ/cm ²之紫外線，使塗膜硬化，而形成厚度140nm之抗反射層A。 接著，以線棒將下述抗反射層形成用塗敷液B塗敷於抗反射層A上，並將已塗敷之塗敷液以80℃加熱1分鐘使其乾燥，而形成塗膜。利用高壓水銀燈對乾燥後之塗膜照射累積光量300mJ/cm ²之紫外線，使塗膜硬化，而形成厚度105nm之抗反射層B。 依上述方式而獲得保護構件(厚度44µm，抗反射層側之表面平滑性0.4arcmin)。

(硬塗層形成材料) 混合胺甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(新中村化學公司製，「NK Oligo UA-53H」)50份、以新戊四醇三丙烯酸酯為主成分之多官能丙烯酸酯(大阪有機化學工業公司製，商品名「Viscoat #300」)30份、丙烯酸4-羥丁酯(大阪有機化學工業公司製)20份、調平劑(DIC公司製，「GRANDIC PC4100」)1份及光聚合引發劑(Ciba Japan公司製，「IRGACURE 907」)3份，並以甲基異丁基酮稀釋使固體成分濃度成為50%，而調製出硬塗層形成材料。

(抗反射層形成用塗敷液A) 混合多官能丙烯酸酯(荒川化學工業股份公司製，商品名「OPSTAR KZ6728」，固體成分20重量%)100重量份、調平劑(DIC公司製，「GRANDIC PC4100」)3重量份及光聚合引發劑(BASF公司製，商品名「OMNIRAD907」，固體成分100重量%)3重量份。於該混合物中，使用乙酸丁酯作為稀釋溶劑，使固體成分成為12重量%並攪拌，而調製出抗反射層形成用塗敷液A。

(抗反射層形成用塗敷液B) 混合以新戊四醇三丙烯酸酯為主成分之多官能丙烯酸酯(大阪有機化學工業股份公司製，商品名「Viscoat #300」，固體成分100重量%)100重量份、中空奈米二氧化矽粒子(日揮觸媒化成工業股份公司製，商品名「THRULYA 5320」，固體成分20重量%，重量平均粒徑75nm)150重量份、實心奈米二氧化矽粒子(日產化學工業股份公司製，商品名「MEK-2140Z-AC」，固體成分30重量%，重量平均粒徑10nm)50重量份、含氟元素之添加劑(信越化學工業股份公司製，商品名「KY-1203」，固體成分20重量%)12重量份及光聚合引發劑(BASF公司製，商品名「OMNIRAD907」，固體成分100重量%)3重量份。於該混合物中，添加以60：25：15重量比混合TBA(三級丁醇)、MIBK(甲基異丁基酮)及PMA(丙二醇單甲基醚乙酸酯)而成之混合溶劑作為稀釋溶劑，使整體之固體成分成為4重量%，並攪拌而調製出抗反射層形成用塗敷液B。

(光學積層體之製作) 透過厚度11µm且表面平滑性0.30arcmin之黏著劑層，於上述保護構件(形成有硬塗層及抗反射層之丙烯酸薄膜)上貼合反射型偏光薄膜(日東電工公司製之「APCF」)。在此，係貼合成使保護構件之丙烯酸薄膜位於反射型偏光薄膜側。 接著，透過厚度11µm且表面平滑性0.30arcmin之黏著劑層，以使反射型偏光薄膜之反射軸與吸收型偏光膜之吸收軸配置成互相平行之方式，僅將上述吸收型偏光膜貼合於反射型偏光薄膜上作為吸收型偏光構件。貼合後，從吸收型偏光膜剝離TAC薄膜(包含底漆層)。 接著，以使吸收型偏光膜之吸收軸與λ/4構件之慢軸構成45°角度之方式，透過厚度5µm且表面平滑性0.30arcmin之黏著劑層將上述λ/4構件貼合於吸收型偏光構件上。 接著，於λ/4構件形成厚度15µm且表面平滑性0.30arcmin之黏著劑層而獲得光學積層體。

[實施例2] 除了使用如下述製出之偏光膜作為吸收型偏光膜外，以與實施例1相同方式而獲得光學積層體。

(吸收型偏光膜之製作) 熱塑性樹脂基材是使用長條狀且吸水率0.75%、Tg約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：100µm)。對樹脂基材之單面施行了電暈處理。 在以9：1混合聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(Mitsubishi Chemical Co.製，商品名「GOHSENX Z410」)而成之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份，並將所得者溶於水中而調製出PVA水溶液(塗佈液)。 於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並在60℃下乾燥，藉此形成厚度13µm之PVA系樹脂層，而製作出積層體。 將所得之積層體於130℃之烘箱內在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行自由端單軸延伸成2.4倍(空中輔助延伸處理)。 接著，使積層體浸漬於液溫40℃的不溶解浴(相對於水100重量份摻混4重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶解處理)。 接著，於液溫30℃的染色浴(相對於水100重量份，以1：7之重量比摻混碘與碘化鉀而得之碘水溶液)中調整濃度的同時使其浸漬於其中60秒鐘，以使最後所得偏光膜的單體透射率(Ts)成為42.0%以上(染色處理)。 接著，使其浸漬於液溫40℃的交聯浴(相對於水100重量份摻混3重量份之碘化鉀並摻混5重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。 然後，一邊使積層體浸漬於液溫62℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%)中，一邊在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行單軸延伸成1.46倍(以使總延伸倍率達3.5倍)(水中延伸處理)。 之後，使積層體浸漬於液溫20℃的洗淨浴(相對於水100重量份摻混4重量份之碘化鉀而得之水溶液)中(洗淨處理)。 之後，一邊在保持於90℃之烘箱中乾燥，一邊使其接觸表面溫度保持於75℃之SUS製加熱輥約2秒(乾燥收縮處理)。積層體進行乾燥收縮處理所得寬度方向之收縮率為2%。 經由以上步驟，於樹脂基材上形成了厚度6.7µm且表面平滑性0.24arcmin偏光膜(吸收型偏光膜)。

[實施例3] 除了使用如下述製出之偏光膜作為吸收型偏光膜外，以與實施例1相同方式而獲得光學積層體。

(吸收型偏光膜之製作) 熱塑性樹脂基材是使用長條狀且吸水率0.75%、Tg約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：100µm)。對樹脂基材之單面施行了電暈處理。 在以9：1混合聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(Mitsubishi Chemical Co.製，商品名「GOHSENX Z410」)而成之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份，並將所得者溶於水中而調製出PVA水溶液(塗佈液)。 於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並在60℃下乾燥，藉此形成厚度13µm之PVA系樹脂層，而製作出積層體。 將所得之積層體於130℃之烘箱內在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行自由端單軸延伸成2.4倍(空中輔助延伸處理)。 接著，使積層體浸漬於液溫40℃的不溶解浴(相對於水100重量份摻混4重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶解處理)。 接著，於液溫30℃的染色浴(相對於水100重量份，以1：7之重量比摻混碘與碘化鉀而得之碘水溶液)中調整濃度的同時使其浸漬於其中60秒鐘，以使最後所得偏光膜的單體透射率(Ts)成為42.0%以上(染色處理)。 接著，使其浸漬於液溫40℃的交聯浴(相對於水100重量份摻混3重量份之碘化鉀並摻混5重量份之硼酸而得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。 然後，一邊使積層體浸漬於液溫62℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%)中，一邊在周速相異之輥間往縱向(長邊方向)進行單軸延伸以使總延伸倍率達5.5倍(水中延伸處理)。 之後，使積層體浸漬於液溫20℃的洗淨浴(相對於水100重量份摻混4重量份之碘化鉀而得之水溶液)中(洗淨處理)。 之後，一邊在保持於90℃之烘箱中乾燥，一邊使其接觸表面溫度保持於75℃之SUS製加熱輥約2秒(乾燥收縮處理)。積層體進行乾燥收縮處理所得寬度方向之收縮率為5.2%。 經由以上步驟，於樹脂基材上形成了厚度5µm且表面平滑性0.26arcmin之偏光膜(吸收型偏光膜)。

[實施例4] 除了使用如下述製出之吸收型偏光構件作為吸收型偏光構件外，以與實施例1相同方式而獲得光學積層體。

(吸收型偏光構件之製作) 使用下述水系接著劑(硬化後之厚度0.1µm)，於以與實施例3相同方式製出之吸收型偏光膜貼合厚度20µm且表面平滑性0.10arcmin之具有內酯環結構的丙烯酸薄膜，而獲得吸收型偏光構件。

(水系接著劑之調製) 相對於具有乙醯乙醯基之PVA系樹脂(平均聚合度1200，皂化度98.5莫耳%，乙醯乙醯基改質度5莫耳%)100重量份，將羥甲基三聚氰胺50重量份溶解於純水而調製出固體成分濃度3.7重量%之水溶液後，相對於該水溶液100重量份，加入以固體成分濃度10重量%含有具有正電荷的氧化鋁膠體(平均粒子徑15nm)的水溶液18重量份，而調製出水系接著劑。

[比較例1] 除了使用如下述製出之吸收型偏光構件作為吸收型偏光構件外，以與實施例1相同方式而獲得光學積層體。

(吸收型偏光構件之製作) 使用下述紫外線硬化型接著劑(硬化後之厚度0.7µm)，於以與實施例3相同方式製出之吸收型偏光膜貼合厚度20µm且表面平滑性0.10arcmin之具有內酯環結構的丙烯酸薄膜，而獲得吸收型偏光構件。

(紫外線硬化型接著劑之調製) 將羥乙基丙烯醯胺(興人公司製，商品名「HEAA」)62重量份、丙烯醯基嗎福林(興人公司製，商品名「ACMO」)25重量份、PEG400 #二丙烯酸酯(共榮社化學公司製，商品名「LIGHT ACRYLATE 9EG-A」)7重量份、BASF公司製之商品名「IRGACURE 907」3重量份及日本化藥公司製之商品名「KAYACURE DETX-S」3重量份混合60分鐘，而調製出紫外線硬化型接著劑。

針對實施例及比較例所得之光學積層體進行以下評估。將評估結果顯示於表1。 (1)積層體平滑性 使用相位移式雷射干涉計(Zygo公司製，製品名「DynaFiz」)測定積層體平滑性。具體而言，係以不使異物或氣泡、變形的條痕進入之方式，將光學積層體層合於載玻片(松浪硝子工業公司製，製品名「S200200」)上。接著，為了去除微小氣泡的影響，利用加壓脫泡裝置(高壓釜)進行了脫泡。脫泡條件設為50℃、0.5MPa、30分鐘。脫泡後，在室溫下自然冷卻30分鐘以上，而獲得測定試料。 於附防振台之測定台載置測定試樣，使用單一波長(波長633nm)之雷射，使其與已確保平坦度之基準器進行干涉，測定預定區域(30mmφ之圓)內之相對位移。關於解析，係挑選出0.1/mm~1/mm頻率之值所得之角度的指標「Slope magnitude RMS」乘以2倍後所得之值(相當於2σ)，並將其定義為積層體平滑性(單位：arcmin)。 (2)耐久性 於上述(1)之測定後，將測定試料放置於80℃之烘箱中500小時。然後，以與上述(1)相同方法測定積層體平滑性，算出加熱前後之測定值的差並評估耐久性。 (評估基準) ・非常良好：測定值的變化量小於+0.05arcmin ・良好：測定值的變化量為+0.05arcmin以上且小於0.10arcmin (3)透映 使用光學透鏡(Thorabs公司製，商品名「LA1145」)與點光源(Hamamatsu Photonics公司製，型號「L8425-01」)，評估光學積層體之透映(透鏡透射光)。 具體而言，係在光學透鏡之平坦側以不使異物或氣泡、變形的條痕進入表面之方式，層合切割成45mmφ之圓形的光學積層體。接著，為了去除微小氣泡的影響，利用加壓脫泡裝置(高壓釜)進行了脫泡。脫泡條件設為50℃、0.5MPa、30分鐘。脫泡後，在室溫下自然冷卻30分鐘以上，而獲得測定試料。 依序設置點光源、光學透鏡(測定試料)及螢幕，將透過光學透鏡之點光源的光映射於螢幕上，評估該透映。在此，係藉由保持具將透鏡保持於從光學透鏡之平坦側入射點光源之光的位置。從點光源至螢幕為止之距離設為1050mm，從光學透鏡至螢幕為止之距離設為130mm。 以肉眼觀察映射於螢幕之透過光學透鏡之光，並藉由下述評估基準評估透映。 (評估基準) ・良好：未視辨到皺褶・波狀起伏 ・不良：視辨到皺褶・波狀起伏 (4)霧度 針對光學積層體，依循JIS 7136使用霧度計(村上色彩科學研究所公司製，製品名「HN-150」)測定霧度。 具體而言，係以不使異物或氣泡、變形的條痕進入之方式，將光學積層體層合於載玻片(松浪硝子工業公司製，製品名「S200200」)上。接著，為了去除微小氣泡的影響，利用加壓脫泡裝置(高壓釜)進行了脫泡。脫泡條件設為50℃、0.5MPa、30分鐘。脫泡後，在室溫下自然冷卻30分鐘以上，而獲得測定試料。將所得測定試料供於上述測定。

[表1]

本發明不受上述實施形態所限，可進行各種變形。例如，可以實質上與上述實施形態所示構成相同之構成、可發揮相同作用效果之構成或可達成相同目的之構成作取代。

產業上之可利用性 本發明實施形態之光學積層體例如可用於VR護目鏡等之顯示體。

2:顯示系統 4:透鏡部 12:顯示元件 12a:顯示面 14:反射型偏光構件 14a:多層結構 16:第一透鏡部 18:半反射鏡 20:第一相位差構件 22:第二相位差構件 22a:第一相位差層 22b:第二相位差層 24:第二透鏡部 26:使用者之眼睛 28:吸收型偏光構件 28a:吸收型偏光膜 28b:保護層 30:第三相位差構件 31:第一保護構件 32:第二保護構件 41:接著層 42:接著層 43:接著層 44:接著層 45:接著層 46:接著層 51:接著劑層 52:接著劑層 100:第一積層部 200:第二積層部(光學積層體) A,B:層

圖1係顯示本發明一實施形態之顯示系統之概略構成的示意圖。 圖2係顯示圖1中所示之顯示系統之透鏡部之詳細內容之一例的示意剖面圖。 圖3係顯示圖2所示之光學積層體之變形例的示意剖面圖。 圖4係顯示反射型偏光薄膜所含之多層結構之一例的示意立體圖。

4:透鏡部

14:反射型偏光構件

16:第一透鏡部

22:第二相位差構件

22a:第一相位差層

22b:第二相位差層

24:第二透鏡部

28:吸收型偏光構件

30:第三相位差構件

31:第一保護構件

32:第二保護構件

41:接著層

42:接著層

43:接著層

44:接著層

45:接著層

46:接著層

51:接著劑層

100:第一積層部

200:第二積層部(光學積層體)

Claims (13)

1. 一種光學積層體，依序具備：具有基材與表面處理層之積層薄膜、反射型偏光構件及包含吸收型偏光膜之吸收型偏光構件；且 前述吸收型偏光構件之表面平滑性為0.4arcmin以下。
2. 如請求項1之光學積層體，其中前述吸收型偏光膜之厚度為7µm以下。
3. 如請求項1之光學積層體，其中前述吸收型偏光膜係配置成與前述反射型偏光構件相鄰接，且前述吸收型偏光膜之厚度為4µm以下。
4. 如請求項1之光學積層體，其中前述吸收型偏光膜係配置成與前述反射型偏光構件相鄰接，且前述吸收型偏光膜之厚度為6µm以上。
5. 如請求項1之光學積層體，其中前述吸收型偏光構件包含保護層，且前述吸收型偏光膜之厚度小於6µm。
6. 如請求項1之光學積層體，其中前述積層薄膜、前述反射型偏光構件及前述吸收型偏光構件係使用黏著劑層而一體化，且前述黏著劑層之厚度為4µm~13µm。
7. 如請求項1之光學積層體，其中前述積層薄膜之前述表面處理層具有抗反射功能。
8. 如請求項1之光學積層體，其依序具備前述積層薄膜、前述反射型偏光構件、前述吸收型偏光構件及相位差構件。
9. 如請求項1之光學積層體，其積層體平滑性為0.7arcmin以下。
10. 如請求項1之光學積層體，其偏光度為99.5%以上。
11. 如請求項1之光學積層體，其霧度為0.5%以下。
12. 一種透鏡部，係用於對使用者顯示影像之顯示系統者，其具備： 如請求項1至11中任一項之光學積層體，其會反射從顯示影像之顯示元件的顯示面朝前方射出且通過偏光構件及第1λ/4構件之光； 第一透鏡部，配置於前述顯示元件與前述光學積層體之間的光路上； 半反射鏡，配置於前述顯示元件與前述第一透鏡部之間，該半反射鏡會將從前述顯示元件射出之光透射，並將前述光學積層體之前述反射型偏光構件所反射之光朝前述反射型偏光構件反射； 第二透鏡部，配置於前述光學積層體之前方；及 第2λ/4構件，配置於前述半反射鏡與前述光學積層體之間的光路上。
13. 一種顯示方法，具有以下步驟： 將隔著偏光構件及第1λ/4構件而射出之顯示影像的光通過半反射鏡及第一透鏡部之步驟； 將通過前述半反射鏡及前述第一透鏡部之光通過第2λ/4構件之步驟； 使得通過前述第2λ/4構件之光在如請求項1至11中任一項之光學積層體朝向前述半反射鏡反射之步驟； 藉由前述第2λ/4構件，可將前述光學積層體之前述反射型偏光構件及前述半反射鏡所反射之光透射前述反射型偏光構件之步驟；及 將透射前述反射型偏光構件之光通過第二透鏡部之步驟。

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