TW202343147A - 輔助曝光裝置、曝光方法及記憶媒體 - Google Patents

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藤原慎
西山淳
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題] 提高在待處理基板的每個產品區域周邊的曝光分辨率。 [解決手段] 輔助曝光裝置，係具備：搬送部；光源單元；及聚光透鏡。搬送部，係沿第一方向搬送包含多個產品區域和位於每個產品區域周邊的周邊區域之待處理基板。光源單元，係藉由在與第一方向交叉的第二方向排列多個光源而形成，並且對沿第一方向搬送的待處理基板照射光。聚光透鏡，係配置在光源單元與待處理基板之間，並且使由光源單元向待處理基板的沿第二方向延伸的周邊區域照射的光沿著第一方向聚光。

Description

輔助曝光裝置、曝光方法及記憶媒體
本公開關於輔助曝光裝置、曝光方法及記憶媒體。
以往，除了轉印例如遮罩圖案的普通曝光裝置之外，已知有對塗佈在待處理基板上的抗蝕劑膜進行局部曝光處理的輔助曝光裝置。
例如，專利文獻1公開了一種輔助曝光裝置，其具備將多個LED(Light Emitting Diode)元件排列成一列狀的光源單元。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2013-186191號公報
[發明所欲解決的課題]
本公開提供了一種能夠提高待處理基板的每個產品區域周邊的曝光分辨率的技術。 [解決課題的手段]
本公開的一態樣的輔助曝光裝置，係具備：搬送部；光源單元；聚光透鏡。搬送部，係沿第一方向搬送包含多個產品區域和位於每個產品區域周邊的周邊區域之待處理基板。光源單元，係藉由在與第一方向交叉的第二方向排列多個光源而形成，並且對沿第一方向搬送的待處理基板照射光。聚光透鏡，係配置在光源單元與待處理基板之間，並且使由光源單元向待處理基板的沿第二方向延伸的周邊區域照射的光沿第一方向聚光。 [發明效果]
根據本公開，可以提高在待處理基板的每個產品區域周邊的曝光分辨率。
[實施形態]
以下參照附圖詳細說明實施本公開的噴嘴、輔助曝光裝置、曝光方法和記憶媒體的形態(以下稱為“實施形態”)。另外，本公開不限於該實施形態。另外，在不與處理內容相抵觸的範圍內，能夠適當組合各實施形態。另外，在以下的各實施形態中，對相同的部分標記相同的符號，並省略重複的說明。
此外，在下述實施形態中，有可能使用諸如“恆定”、“正交”、“垂直”或“平行”等表述，但是這些表述不必是嚴格的“恆定”、“正交”、“垂直”或“平行”。亦即，上述各表述均允許例如製造精度和設置精度的偏差。
另外，在以下參照的各圖中，為了使說明容易理解，可以表示正交座標系，其中定義彼此正交的X軸方向、Y軸方向和Z軸方向，並且Z軸正方向是垂直向上的方向。
這裡，前後方向定義為X軸正方向為前方，X軸負方向為後方，左右方向定義為Y軸正方向為左方，Y軸負方向為右方。上下方向定義為Z軸正方為上方，Z軸負方向為下方。
順便提及，在使用LED元件的情況下，曝光分辨率可能受到從LED元件照射的光的擴展的限制。例如，當對待處理基板的位於每個產品區域周邊的周邊區域進行局部曝光處理時，由於從LED元件照射的光的照射範圍比周邊區域擴大並與每個產品區域重疊，因此每個產品區域周邊的曝光分辨率降低。
因此，期待提高待處理基板的每個產品區域周邊的曝光分辨率。
(第一實施形態) ＜基板處理系統的構成＞ 參照圖1說明第一實施形態的基板處理系統100的構成。圖1是表示第一實施形態的基板處理系統100的構成的示意性平面圖。
基板處理系統100設置在潔淨室內。基板處理系統100例如使用LCD(Liquid Crystal Display)用的玻璃基板G作為待處理基板，在LCD製造過程中進行光刻工程中的洗淨、塗佈抗蝕劑、預烘烤、顯影、後烘烤等一系列的處理。曝光處理由與基板處理系統100相鄰設置的外部曝光裝置20(EXP)進行。
基板處理系統100具備收納盒站1和搬入部2(IN PASS)。基板處理系統100還具備洗淨裝置3(SCR)、第一乾燥部4(DR)、第一冷卻部5(COL)、塗佈裝置6(COT)、第二乾燥部7(DR)、預烘烤部8(PRE BAKE)和第二冷卻部9(COL)。基板處理系統100還具備介面站10和輔助曝光裝置11(AE)。基板處理系統100還具備顯影裝置12(DEV)、後烘烤部13(POST BAKE)、第三冷卻部14(COL)、檢測部15(IP)、搬出部16(OUT PASS)和控制部17。
在收納盒站1與介面站10之間，設置有用於將玻璃基板G從收納盒站1搬送到介面站10的去路搬送路徑。在該去路搬送路徑上從收納盒站1到介面站10按此順序設置有搬入部2、洗淨裝置3、第一乾燥部4、第一冷卻部5、塗佈裝置6、第二乾燥部7、預烘烤部8和第二冷卻部9。
在收納盒站1與介面站10之間，設置有用於將玻璃基板G從介面站10搬送到收納盒站1的返路搬送路徑。在該返路搬送路徑上從介面站10到收納盒站1按此順序設置有輔助曝光裝置11、顯影裝置12、後烘烤部13、第三冷卻部14、檢測部15和搬出部16。另外，去路搬送路徑和返路搬送路徑例如由輥搬送路徑等構成。
收納盒站1是用於搬入/搬出收納盒C的出入口，該收納盒C中收納有多層堆疊而成的多片玻璃基板G。收納盒站1具備可在一個水平方向(Y軸方向)上並排載置例如4個的收納盒載台1a，和用於相對於收納盒載台1a上的收納盒C搬入/搬出玻璃基板G的搬送裝置1b。搬送裝置1b具有保持玻璃基板G的搬送臂，可沿X、Y、Z、θ的4軸動作，在與相鄰的收納盒載台1a、搬入部2、搬出部16之間進行玻璃基板G的傳遞。
介面站10具備搬送裝置10a。搬送裝置10a具有保持玻璃基板G的搬送臂，能夠沿著X、Y、Z、θ的4軸動作，在與鄰接的第二冷卻部9、輔助曝光裝置11、曝光裝置20之間可以進行玻璃基板G之傳遞。除了搬送裝置10a之外，在介面站10還可以設置有例如周邊曝光裝置或標題器等裝置。周邊曝光裝置進行用於除去顯影時附著在玻璃基板G的周邊部的抗蝕劑的曝光處理。標題器用於在玻璃基板G上的預定部位記錄預定的資訊。
控制部17例如是CPU(Central Processing Unit)，藉由讀出並執行記憶在記憶部(未圖示)中的程式(未圖示)來控制基板處理系統100整體。控制部17可以僅由硬體構成而不使用程式。
圖2是表示基板處理系統100中針對1片玻璃基板G的所有工程的處理順序的流程圖。首先，在收納盒站1中，搬送裝置1b從收納盒載台1a上的任一收納盒C取出玻璃基板G，將取出的玻璃基板G搬入搬入部2(步驟S101)。
搬入搬入部2的玻璃基板G在去路搬送路徑上搬送，被搬入洗淨裝置3，進行洗淨處理(步驟S102)。在此，洗淨裝置3藉由對在去路搬送路徑上水平移動的玻璃基板G進行刷洗或吹洗來去除基板表面的微粒狀污染物，之後，進行漂洗處理。結束在洗淨裝置3中的一連串的洗淨處理後，將玻璃基板G搬入第一乾燥部4。
接著，玻璃基板G在第一乾燥部4中實施預定的乾燥處理(步驟S103)後，搬入第一冷卻部5冷卻至預定溫度(步驟S104)。之後，將玻璃基板G搬入塗佈裝置6。
在塗佈裝置6中，例如藉由使用狹縫噴嘴的無旋轉法在玻璃基板G的基板上表面(待處理面)塗佈抗蝕劑液(步驟S105)。之後，將玻璃基板G搬入第二乾燥部7，藉由例如減壓在常溫下進行乾燥處理(步驟S106)。
從第二乾燥部7搬出的玻璃基板G被搬入預烘烤部8，在預烘烤部8中被加熱至預定溫度(步驟S107)。藉由該處理，殘留在玻璃基板G上的抗蝕劑膜中的溶劑被蒸發除去，抗蝕劑膜與玻璃基板G的密合性增強。
接著，將玻璃基板G搬入第二冷卻部9，在第二冷卻部9中冷卻至預定溫度(步驟S108)。之後，玻璃基板G被介面站10的搬送裝置10a搬入曝光裝置20。另外，玻璃基板G也可以在搬入曝光裝置20之前搬入周邊曝光裝置(未圖示)。
在曝光裝置20中，在玻璃基板G上的抗蝕劑上對預定的電路圖案進行曝光(步驟S109)。已經進行了圖案曝光後的玻璃基板G從曝光裝置20搬出，藉由介面站10的搬送裝置10a搬入輔助曝光裝置11。另外，玻璃基板G也可以在搬入輔助曝光裝置11之前搬入未圖示的標題器。
在輔助曝光裝置11中，對曝光處理後的玻璃基板G實施用於提高顯影處理後得到的抗蝕劑圖案的膜厚和線寬的均勻性的局部曝光處理(以下適當地稱為“輔助曝光處理”。)(步驟S110)。結束輔助曝光處理後的玻璃基板G被搬入顯影裝置12，在顯影裝置12中進行顯影、沖洗、乾燥等一系列的顯影處理(步驟S111)。
結束顯影處理後的玻璃基板G被搬入後烘烤部13，在後烘烤部13中進行顯影處理後的熱處理(步驟S112)。結果，殘留在玻璃基板G的抗蝕劑膜上的顯影液和洗淨液被蒸發除去，抗蝕劑圖案對基板的密合性提高。之後，將玻璃基板G搬入第三冷卻部14，在第三冷卻部14中冷卻至預定溫度(步驟S113)。
接著，玻璃基板G被搬入檢測部15。在檢測部15中對玻璃基板G上的抗蝕圖案進行非接觸式的線寬檢測、膜質/膜厚檢測等(步驟S114)。檢測部15的檢測結果被輸出到控制部17並且由控制部17記憶在記憶部(未示出)中。
搬出部16從檢測部15接受檢測結束後的玻璃基板G，並交接到收納盒站1的搬送裝置1b。搬送裝置1b將從搬出部16接收到的處理後的玻璃基板G收容在收納盒C內(步驟S115)。至此，對1片玻璃基板G的基板處理的全部工程結束。
＜玻璃基板的構成＞ 接下來，參照圖3說明第一實施形態的玻璃基板G的構成。圖3是表示第一實施形態的玻璃基板G的構成的圖。如圖3所示，玻璃基板G構成為包括多個(此處為八個)產品區域A1和位於每個產品區域A1周邊的周邊區域A2。
產品區域A1為形成有與LCD對應的電路圖案的抗蝕劑的區域。多個產品區域A1以矩陣形式排列在玻璃基板G上。
周邊區域A2是形成有與驅動LCD的驅動電路對應的電路圖案(以下適當稱為“驅動電路圖案”)的抗蝕劑的區域。周邊區域A2包括第一周邊區域A2a和第二周邊區域A2b。第一周邊區域A2a在與輔助曝光裝置11中的玻璃基板G的掃描方向(X軸負方向，參照圖4)交叉的左右方向(Y軸方向)上延伸。第二周邊區域A2b在輔助曝光裝置11中的玻璃基板G的掃描方向(X軸負方向)延伸。在玻璃基板G上，在第一周邊區域A2a或第二周邊區域A2b中形成有驅動電路圖案。在本實施形態中，驅動電路圖案形成在三個第一周邊區域A2a中的每一個中。在圖3中，形成在三個第一周邊區域A2a中的每一個中的驅動電路圖案由斜線表示。
＜輔助曝光裝置的構成＞ 接著，參照圖4和圖5說明第一實施形態的輔助曝光裝置11的構成。圖4是從左右方向觀察第一實施形態的輔助曝光裝置11的圖。圖5是從前後方向觀察第一實施形態的輔助曝光裝置11的圖。
如圖4所示，輔助曝光裝置11具備沿掃描方向(X軸負方向)搬送玻璃基板G的平流搬送部30、以及向由平流搬送部30搬送的玻璃基板G上的抗蝕劑照射光、具體而言是預定波長的紫外線(UV)的光源單元32。另外，輔助曝光裝置11還具備用於控制裝置內的每個部分的控制部17，以及用於記憶或保存控制部17使用的各種程式和數據的記憶體42。
平流搬送部30具備例如藉由在搬送方向上敷設多個輥44而成的輥搬送路徑46，以及經由具有例如皮帶或齒輪的傳動機構48旋轉驅動每個輥44以在輥搬送路徑46上搬送玻璃基板G的掃描驅動部50。輥搬送路徑46構成圖1所示的基板處理系統100中從介面站10到收納盒站1的返路搬送路徑的一部分。
平流搬送部30將曝光處理後的玻璃基板G平流搬送到輔助曝光裝置11內，並平流搬送玻璃基板G以在輔助曝光裝置11內進行輔助曝光處理的掃描。輔助曝光處理後的玻璃基板G以平流的方式被搬出至顯影裝置12。控制器17可以藉由設置在輥搬送路徑46的不同位置的位置感測器(未示出)來檢測或把握玻璃基板G的當前位置。
光源單元32配置在輥搬送路徑46的上方，由未圖示的支撐部件支撐。如圖5所示，光源單元32藉由在與掃描方向交叉的左右方向(Y軸方向)上排列多個光源321而形成。光源321發射紫外線(UV)。光源321例如是LED元件。例如雷射束產生器等其他光源可以用作為光源321。光源單元32可以個別點亮和關閉多個光源321的每一個。該光源單元32向沿掃描方向(X軸負方向)搬送的玻璃基板G照射光。
順便提及，在輔助曝光裝置11中，使用LED元件的光源321時的曝光分辨率可能受到從光源321照射的光的擴展的限制。例如，當對玻璃基板G的第一周邊區域A2a(參照圖3)進行局部曝光處理時，由於從光源321照射的光的照射範圍擴大到第一周邊區域A2a之外並與每個產品區域A1重疊，因此每個產品區域A1周邊的曝光分辨率降低。
因此，如圖4及圖5所示，本實施形態的輔助曝光裝置11在光源單元32與玻璃基板G之間配置有聚光透鏡34。聚光透鏡34例如是在掃描方向(X軸負方向)上具有聚光性的線性菲涅爾透鏡。聚光透鏡34將從光源單元32向玻璃基板G的第一周邊區域A2a照射的光沿掃描方向(X軸負方向)聚光。
具體而言，聚光透鏡34將從光源單元32照射的光沿掃描方向(X軸負方向)縮小並投射到通過光源單元32下方的玻璃基板G的第一周邊區域A2a。
藉由該聚光透鏡34能夠使從光源單元32照射的光的照射範圍收斂在玻璃基板G的第一周邊區域A2a的範圍內。換言之，藉由使用聚光透鏡34，能夠避免光源單元32照射到玻璃基板G的第一周邊區域A2a的光的照射範圍與每個產品區域A1重疊。因此，根據本實施形態的輔助曝光裝置11，與受限於從LED元件照射的光的擴展的已知的輔助曝光裝置相比，可以提高在玻璃基板G的每個產品區域A1周邊的曝光分辨率。特別是，根據本實施形態的輔助曝光裝置11，能夠提高沿玻璃基板G的左右方向(Y軸方向)延伸的第一周邊區域A2a的曝光分辨率。
＜輔助曝光裝置的處理動作＞ 接下來，參照圖6說明第一實施形態的輔助曝光裝置11的處理動作。圖6是表示第一實施形態的輔助曝光裝置11的處理動作的一例的說明圖。
控制部17控制平流搬送部30以在掃描方向(X軸負方向)上搬送玻璃基板G。當對玻璃基板G的在左右方向(Y軸方向)延伸的第一周邊區域A2a進行輔助曝光處理時，在第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的位置處，控制部17使光源單元32將光照射到第一周邊區域A2a。結果，每次玻璃基板G的第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對時，從光源單元32照射的光被聚光透鏡34沿掃描方向(X軸負方向)縮小並投射到第一周邊區域A2a上。在圖6的示例中，第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的三個位置由虛線表示。
這樣，在對玻璃基板G的第一周邊區域A2a進行輔助曝光處理時，輔助曝光裝置11的控制部17可以在第一周邊區域A2a與聚光透鏡34面對的位置處控制光源單元32以使向第一周邊區域A2a照射光。藉由這樣，從光源單元32照射的光在第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的每個位置處被聚光透鏡34沿著掃描方向(X軸負方向)縮小，因此可以提高沿掃描方向的曝光分辨率。
(第二實施形態) 在玻璃基板G中，驅動電路圖案可以形成在第二周邊區域A2b而不是形成在第一周邊區域A2a中。在這種情況下，形成有驅動電路圖案的第二周邊區域A2b成為輔助曝光處理的對象。
以下，在說明第二實施形態的輔助曝光裝置11的構成之前，參照圖7說明第二實施形態的玻璃基板G的構成。圖7是表示第二實施形態的玻璃基板G的構成的圖。在圖7所示的玻璃基板G中，在第二周邊區域A2b形成有驅動電路圖案。在本實施形態中，驅動電路圖案形成在三個第二周邊區域A2b中的每一個。在圖7中，形成在三個第二周邊區域A2b中的每一個的驅動電路圖案由斜線表示。
第二實施形態的玻璃基板G的構成可以與圖3所示的第一實施形態的玻璃基板G的構成相同。亦即，在玻璃基板G中，驅動電路圖案可以形成在第一周邊區域A2a中。在這種情況下，形成有驅動電路圖案的第一周邊區域A2a成為輔助曝光處理的對象。用於確定成為輔助曝光處理的對象的區域的數據，係預先記憶在記憶體42中。
接著，參照圖8和圖9說明第二實施形態的輔助曝光裝置11的構成。圖8是從左右方向觀察第二實施形態的輔助曝光裝置11的圖。圖9是從前後方向觀察第二實施形態的輔助曝光裝置11的圖。
圖8和圖9所示的輔助曝光裝置11，除了圖4所示的構成以外，還具備局部光源33和局部聚光透鏡35。
局部光源33被配置在與沿玻璃基板G的掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b對應的位置，由未圖示的支撐構件支撐。局部光源33的配置位置可以藉由位置調整機構(未圖示)進行微調。局部光源33照射紫外線(UV)。局部光源33例如是LED元件。例如雷射束產生器等其他光源可以用作為局部光源33。該局部光源33向沿掃描方向(X軸負方向)搬送的玻璃基板G照射光。
局部聚光透鏡35設置在局部光源33和玻璃基板G之間。局部聚光透鏡35例如是在左右方向(Y軸方向)上具有聚光性的線性菲涅耳透鏡。局部聚光透鏡35使從局部光源33向玻璃基板G的第二周邊區域A2b照射的光沿左右方向(Y軸方向)聚光。
具體而言，局部聚光透鏡35使從局部光源33照射的光沿左右方向(Y軸方向)縮小並投射到通過局部光源33下方的玻璃基板G的第二周邊區域A2b。
藉由該局部聚光透鏡35，能夠使從局部光源33照射的光的照射範圍收斂在玻璃基板G的第二周邊區域A2b的範圍內。換句話說，藉由使用局部光源33和局部聚光透鏡35，可以避免局部光源33照射到玻璃基板G的第二周邊區域A2b的光的照射範圍與每個產品區域A1的重疊。因此，根據本實施形態的輔助曝光裝置11，與受限於從LED元件照射的光的擴展的已知的輔助曝光裝置相比，可以提高玻璃基板G的每個產品區域A1周邊的曝光分辨率。特別是，根據本實施形態的輔助曝光裝置11，能夠提高在玻璃基板G的掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b中的曝光分辨率。
接下來，將參照圖10說明第二實施形態的輔助曝光裝置11的處理動作。圖10是表示第二實施形態的輔助曝光裝置11的處理動作的一例的說明圖。
控制部17控制平流搬送部30以在掃描方向(X軸負方向)上搬送玻璃基板G。控制部17參照記憶體42，並根據用於確定輔助曝光處理的對象區域的數據，將第一周邊區域A2a和第二周邊區域A2b中的一方確定為輔助曝光處理的對象。
當對玻璃基板G的沿左右方向(Y軸方向)延伸的第一周邊區域A2a進行輔助曝光處理時，在第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的位置處，藉由控制部17控制光源單元32將光照射到第一周邊區域A2a。結果，在玻璃基板G的第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的每個位置處，從光源單元32照射的光被聚光透鏡34沿掃描方向(X軸負方向)縮小並投射到第一周邊區域A2a上。在光源單元32向第一周邊區域A2a照射光的期間，控制器17關閉局部光源33。
另一方面，當對玻璃基板G的沿掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b進行輔助曝光處理時，如圖10所示，控制部17藉由局部光源33將光照射到第二周邊區域A2b。結果，從局部光源33照射的光被局部聚光透鏡35在左右方向(Y軸方向)上縮小並投射到第二周邊區域A2b上。當局部光源33將光照射到第二周邊區域A2b時，控制器17關閉光源單元32。在圖10的示例中，向第二周邊區域A2b照射光的局部光源33和局部聚光透鏡35的位置由虛線表示。
這樣，在對玻璃基板G的沿掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b進行輔助曝光處理時，輔助曝光裝置11的控制部17可以控制局部光源33將光照射到第二周邊區域A2b。藉此，從局部光源33照射的光被局部聚光透鏡35在左右方向(Y軸方向)上縮小，從而可以提高在左右方向上的曝光分辨率。
(第三實施形態)
接著，參照圖11和圖12說明第三實施形態的輔助曝光裝置11的構成。圖11是從左右方向觀察第三實施形態的輔助曝光裝置11的圖。圖12是從前後方向觀察第三實施形態的輔助曝光裝置11的圖。第三實施形態的輔助曝光裝置11與第一實施形態的不同之處在於，除了對玻璃基板G的第一周邊區域A2a進行輔助曝光處理的構成以外，還具有對玻璃基板G的第二周邊區域A2b進行輔助曝光處理的構成。
圖11和圖12所示的輔助曝光裝置11除了圖4所示的構成以外，還具備遮罩構件36和移動部37。
遮罩構件36配置在聚光透鏡34與玻璃基板G之間。遮罩構件36屏蔽與沿玻璃基板G的掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b(參照圖7)相鄰的其他區域。遮罩構件36在與玻璃基板G的第二周邊區域A2b對應的位置處具有比第二周邊區域A2b窄的狹縫。
移動部37使遮罩構件36在聚光透鏡34與玻璃基板G之間的處理位置與預定的退避位置之間移動。圖11和圖12的示例表示位於處理位置的遮罩構件36。
如圖12所示，本實施形態的光源單元32經由位於處理位置的遮罩構件36向玻璃基板G的第二周邊區域A2b照射光。光源單元32照射的光穿過遮罩構件36的狹縫。藉由該遮罩構件36能夠將光源單元32照射的光的照射範圍收斂在玻璃基板G的第二周邊區域A2b的範圍內。換句話說，藉由使用遮罩構件36，能夠避免從光源單元32照射到玻璃基板G的第二周邊區域A2b的光的照射範圍與每個產品區域A1重疊。因此，根據本實施形態的輔助曝光裝置11，與受限於從LED元件照射的光的擴展的已知的輔助曝光裝置相比，可以提高在玻璃基板G的每個產品區域A1周邊的曝光分辨率。特別是，根據本實施形態的輔助曝光裝置11，能夠提高在玻璃基板G的掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b中的曝光分辨率。
接下來，參照圖13說明第三實施形態的輔助曝光裝置11的處理動作。圖13是表示第三實施形態的輔助曝光裝置11的處理動作的一例的說明圖。
控制部17控制平流搬送部30以在掃描方向(X軸負方向)上搬送玻璃基板G。控制部17參照記憶體42，並根據用於確定輔助曝光處理的對象區域的數據，將第一周邊區域A2a和第二周邊區域A2b中的一方確定為輔助曝光處理的對象。
當對玻璃基板G的沿左右方向(Y軸方向)延伸的第一周邊區域A2a進行輔助曝光處理時，控制部17藉由移動部37使遮罩構件36退避到退避位置。在圖13的例子中，位於退避位置的遮罩構件36用虛線表示。然後，控制部17使光源單元32在第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的位置處將光照射到第一周邊區域A2a。結果，在玻璃基板G的第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的每個位置處，從光源單元32照射的光被聚光透鏡34沿掃描方向(X軸負方向)縮小並投射到第一周邊區域A2a上。
另一方面，當對玻璃基板G的沿掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b進行輔助曝光處理時，如圖13所示，控制部17藉由移動部37使遮罩構件36從退避位置移動到處理位置。然後，控制部17使來自光源單元32的光經由位於處理位置的遮罩構件36照射到第二周邊區域A2b。結果，從光源單元32照射的光沿左右方向(Y軸方向)被遮罩構件36縮窄並且投射到第二周邊區域A2b上。
這樣，在對玻璃基板G的沿掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b進行輔助曝光處理時，輔助曝光裝置11的控制部17可以控制光源單元32經由遮罩構件36將光照射到第二周邊區域A2b。藉此，從光源單元32照射的光被遮罩構件36在左右方向(Y軸方向)上變窄，從而可以提高在左右方向上的曝光分辨率。
(第四實施形態) 接著，參照圖14及圖15說明第四實施形態的輔助曝光裝置11的構成。圖14是從左右方向觀察第四實施形態的輔助曝光裝置11的圖。圖15是從前後方向觀察第四實施形態的輔助曝光裝置11的圖。第4實施形態的輔助曝光裝置11與第一實施形態的不同之處在於，除了對玻璃基板G的第一周邊區域A2a進行輔助曝光處理的構成以外，還具有對玻璃基板G的第二周邊區域A2b進行輔助曝光處理的構成。
圖14和圖15所示的輔助曝光裝置11除了圖4所示的構成以外，還具備液晶模組38。
液晶模組38配置在聚光透鏡34與玻璃基板G之間。液晶模組38是將多個透過型液晶元件排列成矩陣狀而形成的透過型液晶模組。液晶模組38可以在玻璃基板G未被屏蔽的透過模式，和與在玻璃基板G的掃描方向(X軸負方向)上延伸的第二周邊區域A2b(參照圖7)相鄰的其他區域被屏蔽的屏蔽模式之間進行切換。液晶模組38中的透過模式和屏蔽模式之間的轉換係根據控制部17的控制來執行。屏蔽模式的液晶模組38係在玻璃基板G的與第二周邊區域A2b對應的位置處形成寬度比第二周邊區域A2b窄的狹縫。在圖15的示例中示出了屏蔽模式的液晶模組38。
如圖15所示，根據本實施形態的光源單元32，係經由屏蔽模式的液晶模組38將光照射到玻璃基板G的第二周邊區域A2b。光源單元32所照射的光透過液晶模組38的狹縫。在這樣的液晶模組38中，光源單元32照射的光的照射範圍能夠包含在玻璃基板G的第二周邊區域A2b的範圍內。換句話說，藉由使用液晶模組38，能夠避免從光源單元32照射到玻璃基板G的第二周邊區域A2b的光的照射範圍與每個產品區域A1重疊。因此，根據本實施形態的輔助曝光裝置11，與受到從LED元件照射的光的擴展之限制的已知的輔助曝光裝置相比，可以提高在玻璃基板G的每個產品區域A1周邊的曝光分辨率。特別是，根據本實施形態的輔助曝光裝置11，能夠提高在玻璃基板G的掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b中的曝光分辨率。
接下來，參照圖16說明第四實施形態的輔助曝光裝置11的處理動作。圖16是表示第四實施形態的輔助曝光裝置11的處理動作的一例的說明圖。
控制部17控制平流搬送部30以在掃描方向(X軸負方向)上搬送玻璃基板G。控制部17參照記憶體42，並根據用於確定輔助曝光處理的對象區域的數據，將第一周邊區域A2a和第二周邊區域A2b中的一方確定為輔助曝光處理的對象。
當對玻璃基板G的沿左右方向(Y軸方向)延伸的第一周邊區域A2a進行輔助曝光處理時，控制部17將液晶模組38切換至透過模式。然後，控制部17在第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的位置處使來自光源單元32的光經由透過模式的液晶模組38照射到第一周邊區域A2a。結果，在玻璃基板G的第一周邊區域A2a與聚光透鏡34彼此面對的每個位置處，從光源單元32照射的光被聚光透鏡34沿掃描方向(X軸負方向)縮小並投射到第一周邊區域A2a上。
另一方面，當對玻璃基板G的沿掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b進行輔助曝光處理時，如圖16所示，控制部17使液晶模組38切換至屏蔽模式。然後，控制部17使來自光源單元32的光經由屏蔽模式的液晶模組38照射到第二周邊區域A2b。結果，從光源單元32照射的光沿左右方向(Y軸方向)被液晶模組38變窄並且投射到第二周邊區域A2b上。
這樣，在對玻璃基板G的沿掃描方向(X軸負方向)延伸的第二周邊區域A2b進行輔助曝光處理時，輔助曝光裝置11的控制部17可以使來自光源單元32的光經由液晶模組38照射到第二周邊區域A2b。藉此，從光源單元32照射的光被液晶模組38在左右方向(Y軸方向)上變窄，從而可以提高在左右方向上的曝光分辨率。
＜變形例＞ 在上述第一實施形態中，說明了對玻璃基板G的沿左右方向(Y軸方向)延伸的第一周邊區域A2a進行輔助曝光處理的例子。然而，在沿掃描方向(X軸負方向)搬送玻璃基板G的期間，可以對第一周邊區域A2a和每個產品區域A1連續地執行輔助曝光處理。在這種情況下，例如，輔助曝光裝置11的控制部17可以在沿掃描方向(X軸負方向)搬送玻璃基板G的期間執行以下處理。亦即，控制部17在玻璃基板G的沿左右方向(Y軸方向)延伸的第一周邊區域A2a與聚光透鏡34面對的位置處使光源單元32以第一照度將光照射到第一周邊區域A2a。另外，控制部17在玻璃基板G的每個產品區域A1與聚光透鏡34面對的位置處使光源單元32向每個產品區域A1照射與第一照度不同的第二照度的光。這樣，在玻璃基板G沿掃描方向(X軸負方向)搬送的期間，藉由對第一周邊區域A2a和每個產品區域A1連續進行輔助曝光處理，可以提高輔助曝光處理的處理效率。
＜其他變形例＞ 在上述各實施形態中，具備以平流方式搬送玻璃基板G的平流搬送部30，並且光源單元32固定在掃描方向上的固定位置。但是，也可以實現例如玻璃基板G被固定在載台上，光源單元32在載台上沿掃描方向移動的掃描方式，或者移動玻璃基板G和光源單元32兩者的掃描方式。
另外，在上述各實施形態中，待處理基板為FPD的用玻璃基板，但不限於此，還可以是其他平板顯示器用基板、半導體晶圓、有機EL、太陽能電池用的各種基板、CD基板、光罩、印刷基板等。
如上所述，實施形態的輔助曝光裝置(例如輔助曝光裝置11)具備搬送部(例如平流搬送部30)、光源單元(例如光源單元32)、和聚光透鏡(例如聚光透鏡34)。搬送部沿第一方向(例如掃描方向)搬送包括多個產品區域(例如產品區域A1)和位於每個產品區域周邊的周邊區域(例如周邊區域A2)的待處理基板(例如玻璃基板G)。光源單元藉由在與第一方向交叉的第二方向(例如左右方向)上排列多個光源(例如光源321)而形成，並將光照射到在第一方向上搬送的待處理基板。聚光透鏡設置在光源單元與待處理基板之間，並且使從光源單元照射到沿待處理基板的第二方向延伸的周邊區域(第一周邊區域A2a)的光沿著第一方向聚光。因此，根據實施形態的輔助曝光裝置，能夠提高在待處理基板的每個產品區域周邊的曝光分辨率。
另外，實施形態的輔助曝光裝置還可以具備局部光源(例如局部光源33)和局部聚光透鏡(例如局部聚光透鏡35)。局部光源可以設置在與待處理基板沿第一方向延伸的周邊區域(例如第二周邊區域A2b)對應的位置，並且照射光到沿第一方向搬送的待處理基板。局部聚光透鏡設置於局部光源與待處理基板之間，並且可以沿第二方向聚光從局部光源照射到沿待處理基板的第一方向延伸的周邊區域的光。因此，根據實施形態的輔助曝光裝置，能夠提高在待處理基板的沿第一方向延伸的周邊區域的曝光分辨率。
此外，實施形態的輔助曝光裝置還可以具備控制各部的控制部(例如控制部17)。在對待處理基板的沿第二方向上延伸的周邊區域進行曝光處理(例如局部曝光處理)時，控制部可以在周邊區域和聚光透鏡彼此面對的位置使來自光源單元的光照射到周邊區域。另外，在對待處理基板的沿第一方向上延伸的周邊區域進行曝光處理時，控制部可以使來自局部光源的光照射到周邊區域。因此，根據實施形態的輔助曝光裝置，由於從局部光源照射的光被局部聚光透鏡沿第二方向縮小，因此可以提高沿第二方向的曝光分辨率。
此外，實施形態的輔助曝光裝置也可以具備遮罩構件(例如遮罩構件36)，該遮罩構件設置在聚光透鏡與待處理基板之間並且屏蔽與沿待處理基板的第一方向延伸的周邊區域相鄰的其他區域。此外，光源單元可以經由遮罩構件將光照射在待處理基板的沿第一方向上延伸的周邊區域。因此，根據實施形態的輔助曝光裝置，能夠提高被處理基板的沿第一方向延伸的周邊區域的曝光分辨率。
此外，實施形態的輔助曝光裝置還具備：移動部(例如移動部37)，其使遮罩構件在聚光透鏡和待處理基板之間的處理位置與預定的退避位置之間移動；及控制各部的控制部(例如控制部17)。當對待處理基板的沿第二方向延伸的周邊區域進行曝光處理時，控制部藉由移動部使遮罩構件退避至退避位置，並且在聚光透鏡與周邊區域彼此面對的位置處來自光源單元的光可以照射到周邊區域。進而，在對待處理基板的沿第一方向延伸的周邊區域進行曝光處理時，控制部藉由移動部使遮罩構件從退避位置移動到處理位置，並且使來自光源單元的光經由位於處理位置的遮罩構件照射到周邊區域。因此，根據實施形態的輔助曝光裝置，由於從光源單元照射的光被遮罩構件沿第二方向變窄，所以可以提高沿第二方向的曝光分辨率。
進一步地，實施形態的輔助曝光裝置還具備：液晶模組(例如液晶模組38)，其配置於聚光透鏡與待處理基板之間，並且可以在不屏蔽待處理基板的第一模式(例如透過模式)和屏蔽與在待處理基板的第一方向上延伸的周邊區域相鄰的其他區域的第二模式(例如屏蔽模式)之間進行切換。此外，光源單元可以經由第二模式的液晶模組照射光到沿待處理基板的第一方向延伸的周邊區域。因此，根據實施形態的輔助曝光裝置，能夠提高在待處理基板的沿第一方向延伸的周邊區域的曝光分辨率。
此外，實施形態的輔助曝光裝置還可以具備控制各部的控制部(例如控制部17)。當對待處理基板的沿第二方向延伸的周邊區域進行曝光處理時，控制部使液晶模組切換到第一模式，在聚光透鏡與周邊區域彼此面對的位置處，來自光源單元的光可以經由第一模式的液晶模組照射到周邊區域。另外，當對待處理基板的沿第一方向延伸的周邊區域進行曝光處理時，控制部使液晶模組切換到第二模式，來自光源單元的光可以經由第二模式的液晶模組照射到周邊區域。因此，根據實施形態的輔助曝光裝置，從光源單元照射的光被液晶模組沿第二方向變窄，從而可以提高沿第二方向的曝光分辨率。
此外，實施形態的輔助曝光裝置還可以具備控制各部的控制部(例如控制部17)。在待處理基板沿第一方向搬送的期間，控制部在待處理基板沿第二方向延伸的周邊區域與聚光透鏡彼此面對的位置處，可以使來自光源單元的光以第一照度照射到周邊區域。進一步地，控制部可以在待處理基板的每個產品區域與聚光透鏡彼此面對的位置處使來自光源單元的光以不同於第一照度的第二照度照射到每個產品區域。因此，根據實施形態的輔助曝光裝置，能夠提高輔助曝光處理的處理效率。
應當認為，本次公開的實施形態在所有方面都是示例性的，而不是限制性的。實際上，上述實施形態可以以許多不同的形態體現。此外，在不脫離所附的申請專利範圍的範圍和精神的情況下，可以以各種方式省略、替換或變更上述實施形態。
11:輔助曝光裝置 17:控制部 30:平流搬送部 32:光源單元 33:局部光源 34:聚光透鏡 35:局部聚光透鏡 36:遮罩構件 37:移動部 38:液晶模組 100:基板處理系統 321:光源 A1:產品區域 A2:周邊區域 A2a:第一周邊區域 A2b:第二周邊區域 G:玻璃基板
[圖1]是表示第一實施形態的基板處理系統的構成的示意性平面圖。 [圖2]是表示基板處理系統中對一片玻璃基板的所有工程的處理順序的流程圖。 [圖3]是表示第一實施形態的玻璃基板的構成的圖。 [圖4]是從左右方向觀察第一實施形態的輔助曝光裝置的圖。 [圖5]是從前後方向觀察第一實施形態的輔助曝光裝置的圖。 [圖6]是表示第一實施形態的輔助曝光裝置的處理動作的一例的說明圖。 [圖7]是表示第二實施形態的玻璃基板的構成的圖。 [圖8]是從左右方向觀察第二實施形態的輔助曝光裝置的圖。 [圖9]是從前後方向觀察第二實施形態的輔助曝光裝置的圖。 [圖10]是表示第二實施形態的輔助曝光裝置的處理動作的一例的說明圖。 [圖11]是從左右方向觀察第三實施形態的輔助曝光裝置的圖。 [圖12]是從前後方向觀察第三實施形態的輔助曝光裝置的圖。 [圖13]是表示第三實施形態的輔助曝光裝置的處理動作的一例的說明圖。 [圖14]是從左右方向觀察第四實施形態的輔助曝光裝置的圖。 [圖15]是從前後方向觀察第四實施形態的輔助曝光裝置的圖。 [圖16]是表示第四實施形態的輔助曝光裝置的處理動作的一例的說明圖。
11:輔助曝光裝置
17:控制部
30:平流搬送部
32:光源單元
34:聚光透鏡
42:記憶體
44:輥
46:輥搬送路徑
48:傳動機構
50:掃描驅動部
G:玻璃基板

Claims (10)

  1. 一種輔助曝光裝置，係具備： 搬送部，係沿第一方向搬送包含多個產品區域和位於每個前述產品區域周邊的周邊區域之待處理基板； 光源單元，係藉由在與前述第一方向交叉的第二方向排列多個光源而形成，並且對沿前述第一方向搬送的前述待處理基板照射光；及 聚光透鏡，係配置在前述光源單元與前述待處理基板之間，並且使由前述光源單元向前述待處理基板在沿前述第二方向延伸的前述周邊區域照射的光沿著前述第一方向聚光。
  2. 如請求項1之輔助曝光裝置，其中 還具備： 局部光源，其配置於前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域所對應的位置處，並且向沿前述第一方向搬送的前述待處理基板照射光；及 局部聚光透鏡，其配置於前述局部光源與前述待處理基板之間，並且使由前述局部光源向前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域照射的光沿著前述第二方向聚光。
  3. 如請求項2之輔助曝光裝置，其中 還具備：控制部，用於控制各部， 當對前述待處理基板在前述第二方向延伸的前述周邊區域進行曝光處理時，在前述周邊區域與前述聚光透鏡彼此面對的位置處，前述控制部使前述光源單元照射光到前述周邊區域， 當對前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域進行曝光處理時，前述控制部使前述局部光源照射光到前述周邊區域。
  4. 如請求項1之輔助曝光裝置，其中 還具備：遮罩構件，其配置於前述聚光透鏡與前述待處理基板之間，並且用於屏蔽與前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域相鄰的其他區域， 前述光源單元係經由前述遮罩構件向前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域照射光。
  5. 如請求項4之輔助曝光裝置，其中 還具備： 移動部，其使前述遮罩構件在前述聚光透鏡與前述待處理基板之間的處理位置和預定的退避位置之間移動；及 控制部，用於控制各部； 當對前述待處理基板在前述第二方向延伸的前述周邊區域進行曝光處理時，前述控制部藉由前述移動部使前述遮罩構件退避至前述退避位置，在前述聚光透鏡與前述周邊區域彼此面對的位置處，藉由前述光源單元向前述周邊區域照射光， 當對前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域進行曝光處理時，前述控制部藉由前述移動部使前述遮罩構件從前述退避位置移動到前述處理位置，並藉由前述光源單元經由位於前述處理位置的前述遮罩構件向前述周邊區域照射光。
  6. 如請求項1之輔助曝光裝置，其中 還具備：液晶模組，其配置於前述聚光透鏡與前述待處理基板之間，並且可以在不屏蔽前述待處理基板的第一模式與屏蔽和前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域相鄰的其他區域的第二模式之間進行轉換， 前述光源單元係經由前述第二模式的前述液晶模組向前述待處理基板在前述第一方向延伸的向前述周邊區域照射光。
  7. 如請求項6之輔助曝光裝置，其中 還具備：控制部，用於控制各部， 當對前述待處理基板在前述第二方向延伸的前述周邊區域進行曝光處理時，前述控制部使前述液晶模組轉換為前述第一模式，在前述聚光透鏡與前述周邊區域彼此面對的位置處藉由前述光源單元經由前述第一模式的前述液晶模組向前述周邊區域照射光， 當對前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域進行曝光處理時，前述控制部使前述液晶模組轉換為前述第二模式，藉由前述光源單元經由前述第二模式的前述液晶模組向前述周邊區域照射光。
  8. 如請求項1之輔助曝光裝置，其中 還具備：控制部，用於控制各部， 在沿前述第一方向搬送前述待處理基板的期間，在前述待處理基板在前述第二方向延伸的前述周邊區域與前述聚光透鏡彼此面對的位置處，前述控制部藉由前述光源單元以第一照度向前述周邊區域照射光， 在前述待處理基板的每個前述產品區域與前述聚光透鏡彼此面對的位置處，前述控制部藉由前述光源單元以不同於前述第一照度的第二照度向每個前述產品區域照射光。
  9. 一種輔助曝光裝置的曝光方法， 該輔助曝光裝置具備： 搬送部，係沿第一方向搬送包含多個產品區域和位於每個前述產品區域周邊的周邊區域之待處理基板； 光源單元，係藉由在與前述第一方向交叉的第二方向排列多個光源而形成，並且對沿前述第一方向搬送的前述待處理基板照射光； 聚光透鏡，其配置在前述光源單元與前述待處理基板之間，並且使由前述光源單元向前述待處理基板在沿前述第二方向延伸的前述周邊區域照射的光沿著前述第一方向聚光； 局部光源，其配置於前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域所對應的位置處，並且向沿前述第一方向搬送的前述待處理基板照射光；及 局部聚光透鏡，其配置於前述局部光源與前述待處理基板之間，並且使由前述局部光源向前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域照射的光沿著前述第二方向聚光； 該曝光方法包含： 當對前述待處理基板在前述第二方向延伸的前述周邊區域進行曝光處理時，在前述周邊區域與前述聚光透鏡彼此面對的位置處，藉由前述光源單元照射光到前述周邊區域， 當對前述待處理基板在前述第一方向延伸的前述周邊區域進行曝光處理時，藉由前述局部光源照射光到前述周邊區域。
  10. 一種記憶有程式的記憶媒體，藉由該程式使電腦執行如請求項9之曝光方法。
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