TW202331874A - 晶片的檢查方法 - Google Patents

Abstract

[課題]本發明提供一種晶片的檢查方法，其能適當地評價藉由分割被加工物所形成之晶片。[解決手段]晶片的檢查方法包含：分割步驟，其藉由將被加工物以預定的分割加工條件進行加工，而將被加工物分割成多個晶片；攝像步驟，其藉由拍攝晶片的側面，而取得顯示晶片的側面之側面影像；以及檢查步驟，其藉由將從側面影像所提取之評價值與閾值進行比較，而檢查晶片的狀態。

Description

晶片的檢查方法

本發明係關於一種晶片的檢查方法，其檢查藉由分割被加工物所形成之晶片。

在元件晶片的製程中係使用在藉由互相交叉之多條切割道（分割預定線）所劃分之多個區域中分別形成有元件之晶圓。藉由將此晶圓沿著切割道進行分割，而能得到分別具備元件之多個元件晶片。元件晶片被組裝至行動電話、個人電腦等各種電子設備。

晶圓的分割例如係使用切割裝置。切割裝置具備：卡盤台，其保持被加工物；以及切割單元，其切割被加工物。在切割單元中內建有主軸，且在主軸的前端部裝設環狀的切割刀片。以卡盤台保持晶圓，使切割刀片一邊旋轉一邊切入晶圓，藉此將晶圓進行切割而分割成多個元件晶片。

又，近年來，亦正開發藉由雷射加工而分割晶圓之製程。例如，一邊使對晶圓具有穿透性之雷射光束在晶圓的內部聚光，一邊將雷射光束沿著切割道進行掃描，藉此在晶圓的內部沿著切割道形成改質層。晶圓的形成有改質層之區域相較於其他區域變脆。因此，若對形成有改質層之晶圓施加外力，則改質層發揮作為分割起點的功能，而將晶圓沿著切割道進行分割。

在分割晶圓後，實施確認各元件晶片的抗撓強度（彎曲強度）是否滿足預定的基準之檢查，僅將滿足基準之元件晶片安裝於產品。又，在形成有不滿足預定的基準的元件晶片之情形中，以將後續製造之元件晶片的抗撓強度維持在固定以上之方式，重設晶圓的加工條件。

在測量元件晶片的抗撓強度時，將晶圓分割成多個元件晶片後，作業者需要重複以下作業：使用鑷子等以手動作業逐一拾取元件晶片並搬送至進行測量抗撓強度之測量裝置。因此，元件晶片的檢查係作業繁雜。又，若以手動作業進行元件晶片的搬送，則有元件晶片的配置產生偏差或誤傷元件晶片之疑慮。

於是，在元件晶片的抗撓強度的測量中，有時會使用專用的檢查裝置。例如，在專利文獻1中揭示了一種檢查裝置（試驗裝置），其自動地實施用於測量元件晶片的抗撓強度之一系列作業（拾取、搬送、測量等）。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2021-5678號公報

[發明所欲解決的課題] 在以如上述般的檢查裝置檢查藉由分割晶圓等被加工物分割所得之晶片之情形中，根據藉由檢查裝置所測量之抗撓強度的值是否在預先所設定之容許範圍內而評價晶片。然後，抗撓強度的值超出容許範圍的晶片則作為不良晶片而從產品用晶片排除。

然而，僅確認藉由檢查裝置所測量之晶片的抗撓強度，會有作為實際的晶片強度的評價並不充分之情形。例如，未適當地設定分割被加工物時的加工條件之情形，即使晶片的抗撓強度的值落入容許範圍內，有時也會在晶片的內部殘留非預期的加工痕。然後，在之後的晶片的安裝製程、將晶片組裝至產品後的階段中，由加工痕所導致之晶片的強度降低會明顯化，在晶片被施加突發性衝擊時，會有加工痕成為契機而晶片損壞之疑慮。

本發明係鑒於所述問題而完成，目的在於提供一種晶片的檢查方法，其可適當地評價藉由分割被加工物所形成之晶片。

[解決課題的技術手段] 根據本發明之一態樣，提供一種晶片的檢查方法，其包含：分割步驟，其藉由將被加工物以預定的分割加工條件進行加工，而將該被加工物分割成多個晶片；攝像步驟，其藉由拍攝該晶片的側面，而取得顯示該晶片的側面之側面影像；以及檢查步驟，其藉由將從該側面影像所提取之評價值與閾值進行比較，而檢查該晶片的狀態。

又，根據本發明之另一態樣，可提供一種晶片的檢查方法，其包含：第一分割步驟，其藉由將多個第一被加工物以多個加工條件進行加工，而將該第一被加工物分別分割成多個第一晶片；第一攝像步驟，其藉由拍攝該第一晶片的側面，而取得顯示該第一晶片的側面之第一側面影像；測量步驟，其測量該第一晶片的抗撓強度；分割加工條件設定步驟，其將多個該加工條件之中能形成抗撓強度最高之該第一晶片的加工條件設定成分割加工條件；基準影像設定步驟，其將顯示藉由將該第一被加工物以該分割加工條件進行加工所形成之該第一晶片的側面之該第一側面影像設定成基準影像；閾值設定步驟，其設定從該基準影像所提取之評價值的閾值；第二分割步驟，其藉由將第二被加工物以該分割加工條件進行加工，而將該第二被加工物分割成多個第二晶片；第二攝像步驟，其藉由拍攝該第二晶片的側面，而取得顯示該第二晶片的側面之第二側面影像；以及檢查步驟，其藉由將從該第二側面影像所提取之評價值與該閾值進行比較，而檢查該第二晶片的狀態。

此外，較佳為，該分割步驟包含：改質層形成步驟，其藉由沿著切割道照射對該被加工物具有穿透性之雷射光束，而在該被加工物的內部沿著該切割道形成改質層；以及外力施加步驟，其藉由對該被加工物施加外力，而以該改質層為起點，將該被加工物沿著該切割道進行分割。又，較佳為，該評價值係與在該側面影像的顯示該改質層之區域中之階度對應之值，或與該側面影像所顯示之該改質層的位置對應之值。

[發明功效] 在本發明的一態樣之晶片的檢查方法中，根據從顯示晶片的側面之側面影像所提取之評價值而檢查晶片的狀態。藉此，更詳細地掌握在僅測量晶片的抗撓強度時不足以進行評價之晶片的狀態，而變得能對藉由分割被加工物所得之晶片進行適當的品質評價。

以下，參照附加圖式而說明本發明的實施方式。首先，針對本實施方式之晶片的檢查方法所能使用之被加工物及檢查裝置的構成例進行說明。

＜被加工物的構成例＞ 圖1（A）係表示被加工物11之立體圖。例如，被加工物11係以單晶矽等半導體材料而成之圓盤狀的晶圓，且具備互相大致平行的正面（第一面）11a及背面（第二面）11b。

被加工物11係藉由以互相交叉的方式排列成網格狀之多條切割道（分割預定線）13而被劃分成多個矩形狀的區域。又，在被加工物11的正面11a側的藉由切割道13所劃分之區域中，分別形成有IC（Integrated Circuit，積體電路）、LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）、LED（Light Emitting Diode，發光二極體）、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）元件等元件15。

但是，被加工物11的材質、形狀、構造、大小等並無限制。例如，被加工物11亦可為由矽以外的半導體（GaAs、InP、GaN、SiC等）、玻璃、陶瓷、樹脂、金屬等而成之基板（晶圓）。又，元件15的種類、數量、形狀、構造、大小、排列等亦無限制。

被加工物11係被切割裝置、雷射加工裝置等各種加工裝置加工，並沿著切割道13被分割。在以加工裝置加工被加工物11時，為了便於被加工物11的處理（搬送、保持、加工等），而藉由環狀的框架17支撐被加工物11。框架17例如係由SUS（不鏽鋼）等金屬而成，在框架17的中央部設有在厚度方向貫通框架17之圓形的開口17a。此外，開口17a的直徑大於被加工物11的直徑。

在被加工物11及框架17貼附膠膜19。膠膜19包含被形成為圓形之薄膜狀的基材與設置於基材上之黏著層（糊層）。例如，基材係由聚烯烴、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂而成，黏著層係由環氧系、丙烯酸系或橡膠系的接著劑等而成。

在將被加工物11配置於框架17的開口17a的內側之狀態下，將膠膜19的中央部貼附於被加工物11的背面11b側，且將膠膜19的外周部貼附於框架17。藉此，被加工物11係透過膠膜19而被框架17支撐，而構成包含被加工物11、框架17及膠膜19之被加工物單元（框架單元）。

圖1（B）係表示已被分割成多個晶片21之被加工物11之立體圖。藉由將被加工物11沿著切割道13進行分割，而製造分別具備元件15之多個晶片21（元件晶片）。此外，針對被加工物11的分割方法的具體例，將於後述（參照圖16、圖17（A）、圖17（B））。

多個晶片21分別在後續步驟中被從膠膜19剝離並被拾取。因此，膠膜19較佳為具有藉由實施預定的處理而接著力降低之性質。例如，膠膜19包含以紫外線硬化性樹脂而成之黏著層。此情形，藉由對膠膜19照射紫外線，而使膠膜19對於晶片21之接著力降低，變得容易從膠膜19剝離晶片21。

＜檢查裝置的構成例＞ 接著，針對檢查藉由分割被加工物11所形成之晶片21之檢查裝置（測量裝置、試驗裝置）的構成例進行說明。圖2係表示檢查裝置2之立體圖。又，為了便於說明，圖3係省略構成要素的一部分（後述的拾取機構70及筒夾移動機構80）而表示檢查裝置2之立體圖。在圖2及圖3中，X軸方向（第一水平方向、左右方向）與Y軸方向（第二水平方向、前後方向）係互相垂直的方向。又，Z軸方向（鉛直方向、高度方向、上下方向）係與X軸方向及Y軸方向垂直的方向。

檢查裝置2具備基台4，所述基台4支撐構成檢查裝置2之各構成要素。如圖3所示，在基台4的前端側的角部設有矩形狀的開口4a。又，在開口4a的內側配置有藉由升降機構（未圖示）而升降之卡匣載置台6。在卡匣載置台6的上表面上載置能容納多個被加工物11的卡匣8。此外，在圖2及圖3中僅以虛線表示卡匣8的輪廓。

已被分割成多個晶片21之被加工物11（參照圖1（B））係在被框架17支撐之狀態下被容納於卡匣8。此外，在將被加工物11容納於卡匣8之前，亦可視需要而實施使膠膜19的接著力降低之處理（照射紫外線等）。

如圖3所示，在卡匣載置台6的後方側設有暫置被加工物11之暫置機構10。暫置機構10具備互相大致平行地配置之一對導軌12。一對導軌12分別具備與水平面（XY平面）大致平行的第一支撐面12a及第二支撐面12b。

第一支撐面12a分別以與第二支撐面12b重疊的方式配置於第二支撐面12b的上方。而且，一對第一支撐面12a與一對第二支撐面12b分別支撐框架17的下表面側，所述框架17支撐著被加工物11。例如，一對第一支撐面12a支撐已從卡匣8搬出之被加工物11，一對第二支撐面12b支撐搬入卡匣8之被加工物11。

在暫置機構10的後方設有固定框架17之框架固定機構14，所述框架17支撐著被加工物11。框架固定機構14具備：框架支撐部16，其支撐框架17的下表面側；以及框架按壓部18，其配置於框架支撐部16的上方。框架支撐部16及框架按壓部18係與框架17的形狀對應而被形成為環狀，且以互相重疊的方式配置。

框架支撐部16被構成為能沿著Z軸方向移動（升降）。在框架17被框架支撐部16支撐之狀態下，若使框架支撐部16往上方移動，則框架17的上表面側會接觸於框架按壓部18。藉此，框架17被框架支撐部16與框架按壓部18夾住並固定。此時，藉由判定框架支撐部16與框架按壓部18是否透過框架17導通，而可確認框架17是否被框架固定機構14適當地固定。

在暫置機構10及框架支撐部16的上方設有搬送機構20，所述搬送機構20係在卡匣8與框架固定機構14之間搬送被加工物11。搬送機構20被構成為能沿著Y軸方向及Z軸方向移動，並具備從上下握持框架17之第一握持部22a及第二握持部22b。第一握持部22a設於搬送機構20的前端部，第二握持部22b設於搬送機構20的後端部。

在從卡匣8搬出被加工物11時，在以第一握持部22a握持被容納於卡匣8之框架17的端部之狀態下，使搬送機構20沿著Y軸方向移動至暫置機構10側。藉此，將被加工物11從卡匣8拉出，並配置於一對第一支撐面12a上。之後，解除由第一握持部22a所進行之框架17的握持。

接著，在以第二握持部22b握持框架17的端部之狀態下，使搬送機構20沿著Y軸方向移動至框架固定機構14側。藉此，框架17被搬送至框架支撐部16與框架按壓部18之間，並被框架支撐部16支撐。

此外，在框架按壓部18的前端部設有切口部18a（參照圖3）。切口部18a被形成為搬送機構20能通過的大小。藉此，在將框架17搬送至框架固定機構14時，避免搬送機構20與框架按壓部18的接觸。

之後，解除由第二握持部22b所進行之框架17的握持，使框架支撐部16往上方移動。藉此，框架17被框架支撐部16與框架按壓部18夾住並固定。

在框架固定機構14連結有調節框架固定機構14的位置之移動機構30。移動機構30具備：X軸移動機構32，其使框架固定機構14沿著X軸方向移動；以及Y軸移動機構42，其使框架固定機構14沿著Y軸方向移動。藉由X軸移動機構32及Y軸移動機構42而調節框架固定機構14在水平方向之位置。

X軸移動機構32具備沿著X軸方向配置於基台4上之一對X軸導軌34。在一對X軸導軌34之間設有與X軸導軌34大致平行地配置之X軸滾珠螺桿36。在X軸滾珠螺桿36的端部連結有使X軸滾珠螺桿36旋轉之X軸脈衝馬達38。

在一對X軸導軌34能滑動地裝設有移動板40。在移動板40的下表面側（背面側）設有螺帽部（未圖示），X軸滾珠螺桿36螺合於此螺帽部。若藉由X軸脈衝馬達38而使X軸滾珠螺桿36旋轉，則移動板40沿著X軸導軌34在X軸方向移動。

Y軸移動機構42具備沿著Y軸方向配置於移動板40上之一對Y軸導軌44。在一對Y軸導軌44之間設有與Y軸導軌44大致平行地配置之Y軸滾珠螺桿46。在Y軸滾珠螺桿46的端部連結有使Y軸滾珠螺桿46旋轉之Y軸脈衝馬達48。

在一對Y軸導軌44能滑動地裝設有框架固定機構14。在框架固定機構14的下表面側設有螺帽部（未圖示），Y軸滾珠螺桿46螺合於此螺帽部。若藉由Y軸脈衝馬達48而使Y軸滾珠螺桿46旋轉，則框架固定機構14沿著一對Y軸導軌44在Y軸方向移動。

在一對X軸導軌34之間設有形成於基台4的上表面側之矩形狀的開口4b。又，在開口4b的內側設有圓柱狀的上推機構50，所述圓柱狀的上推機構50將藉由分割被加工物11所形成之晶片21（參照圖1（B））從下往上推。在上推機構50連結有使上推機構50沿著Z軸方向移動（升降）之氣缸等升降機構（未圖示）。

在以框架固定機構14固定框架17之狀態下，以移動機構30使框架固定機構14沿著X軸方向移動，藉此將被加工物11定位於開口4b的正上方。若在此狀態下使上推機構50上升，則會將配置於與上推機構50重疊之位置之晶片21進行上推。藉此，變得容易將特定的晶片21翻起（tip-up）。此外，上推機構50的尺寸係因應晶片21的尺寸而適當調節。

在上推機構50的上方設有拍攝被加工物11之攝像單元60。攝像單元60被配置於能拍攝被配置於開口4b上之被加工物11的整體的位置。根據藉由以攝像單元60拍攝被加工物11所取得之影像，而以將預定的晶片21定位於上推機構50的正上方之方式，調整框架固定機構14的位置。藉此，進行晶片21與上推機構50的對位。

已被上推機構50上推之晶片21係藉由圖2所示之拾取機構70而被拾取。拾取機構70具備筒夾76，所述筒夾76拾取已被上推機構50上推之晶片21。又，在拾取機構70連結有調節筒夾76的位置之筒夾移動機構80。

圖4係表示拾取機構70之立體圖。拾取機構70具備：移動塊72，其連結於筒夾移動機構80；以及柱狀的臂部74，其將筒夾76與筒夾移動機構80進行連接。臂部74被配置成從移動塊72朝向筒夾移動機構80的相反側並沿著X軸方向。又，臂部74具備：柱狀的第一支撐部74a，其透過移動塊72而連接於筒夾移動機構80；以及第二支撐部74b，其從第一支撐部74a的前端部朝向下方突出。

此外，第一支撐部74a與第二支撐部74b被構成為能互相連結及分離。例如，第一支撐部74a與第二支撐部74b係透過工具變換器等裝卸機構而互相裝卸自如地連接。

在第二支撐部74b的下端側固定有保持晶片21（參照圖1（B））之筒夾76。筒夾76的下表面係與水平面（XY平面）大致平行的平坦面，並構成吸引晶片21之吸引面76a。例如，吸引面76a係透過形成於筒夾76的內部之吸引路徑（未圖示）而與噴射器等吸引源（未圖示）連接。在使晶片21與吸引面76a接觸之狀態下，使吸引源的吸引力（負壓）作用於吸引面76a，藉此晶片21被筒夾76吸引保持。

如圖2所示，筒夾移動機構80具備：Y軸移動機構82，其使拾取機構70沿著Y軸方向移動；以及Z軸移動機構92，其使拾取機構70沿著Z軸方向移動。藉由Y軸移動機構82及Z軸移動機構92而調節筒夾76在Y軸方向及Z軸方向之位置。

Y軸移動機構82具備沿著Y軸方向配置之一對Y軸導軌84。在一對Y軸導軌84之間設有與Y軸導軌84大致平行地配置之Y軸滾珠螺桿86。在Y軸滾珠螺桿86的端部連結有使Y軸滾珠螺桿86旋轉之Y軸脈衝馬達88。

在一對Y軸導軌84能滑動地裝設有移動板90。在移動板90設有螺帽部（未圖示），Y軸滾珠螺桿86螺合於此螺帽部。若藉由Y軸脈衝馬達88而使Y軸滾珠螺桿86旋轉，則移動板90會沿著Y軸導軌84在Y軸方向移動。

Z軸移動機構92具備沿著Z軸方向配置於移動板90的正面之一對Z軸導軌94。在一對Z軸導軌94之間設有與Z軸導軌94大致平行地配置之Z軸滾珠螺桿96。在Z軸滾珠螺桿96的端部連結有使Z軸滾珠螺桿96旋轉之Z軸脈衝馬達98。

在一對Z軸導軌94能滑動地裝設有拾取機構70的移動塊72。在移動塊72設有螺帽部（未圖示），Z軸滾珠螺桿96螺合於此螺帽部。若藉由Z軸脈衝馬達98而使Z軸滾珠螺桿96旋轉，則移動塊72會沿著Z軸導軌94在Z軸方向移動。

已被上推機構50上推之晶片21（參照圖1（B））係藉由拾取機構70的筒夾76而被拾取。具體而言，首先，藉由移動機構30而使已被框架固定機構14固定之被加工物11移動，並配置於上推機構50上。又，根據藉由攝像單元60所取得之影像，以所拾取之預定晶片21與上推機構50重疊之方式，調整框架固定機構14的位置。再者，將筒夾76配置於與上推機構50的上表面重疊之位置。

接著，使上推機構50往上方移動，隔著膠膜19將晶片21的下表面側朝向上方上推。又，使拾取機構70往下方移動，使筒夾76的吸引面76a（參照圖4）與已被上推機構50上推之晶片21的上表面側接觸。然後，在筒夾76的吸引面76a與晶片21已接觸之狀態下，使負壓作用於吸引面76a。藉此，晶片21被筒夾76吸引保持。若在此狀態下使拾取機構70往上方移動，則晶片21從膠膜19被剝離，並被筒夾76拾取。

此外，在膠膜19具有藉由照射紫外線而接著力降低之性質之情形，在上推機構50的上表面側亦可具備照射紫外線之光源。此情形，在使上推機構50與膠膜19接觸時，僅對膠膜19之中位於欲拾取之晶片21的下側之區域照射紫外線，而可局部地減弱膠膜19的接著力。藉此，變得容易拾取預定的晶片21，且藉由膠膜19的未照射紫外線之區域的接著力而維持其他晶片21的配置。

又，亦可在上推機構50或筒夾76設置用於測量施加於晶片21之負載的荷重元（load cell）。此情形，可藉由荷重元測量拾取晶片21時施加於晶片21之負載。而且，根據藉由荷重元所測量之負載，例如變得能確認晶片21在拾取時是否已損壞、或適當地變更拾取的條件（拾取晶片21時的筒夾76的高度等）。

晶片21已被拾取後的被加工物11亦可再次被容納於卡匣8。在此情形中，首先，使框架固定機構14移動至暫置機構10的後方，解除由框架固定機構14所進行之框架17的固定。接著，以搬送機構20的第二握持部22b握持框架17，將框架17搬送至一對第二支撐面12b上。之後，以搬送機構20的第一握持部22a握持框架17的端部，將被加工物11容納於卡匣8。

另一方面，已被筒夾76拾取之晶片21係被筒夾移動機構80搬送至前方。在上推機構50的前方設有晶片觀察機構（晶片觀察單元）100，所述晶片觀察機構（晶片觀察單元）100觀察已被筒夾76拾取之晶片21。

晶片觀察機構100具備：下表面觀察機構102，其觀察晶片21的下表面；以及側面觀察機構112，其觀察晶片21的側面。下表面觀察機構102與側面觀察機構112分別具備用於拍攝晶片21之攝像單元（攝影機）。

圖5（A）係表示下表面觀察機構102之立體圖。下表面觀察機構102具備：長方體狀的支撐基台104；以及柱狀的支撐構造106，其從支撐基台104的一端側的上表面朝向上方配置。又，在支撐基台104的另一端側的上表面設有用於拍攝晶片21的下表面之攝像單元（下表面攝像單元）108。

在基台4（參照圖2及圖3）與支撐基台104之間例如設有以防振橡膠等防振材料而成之防振構件110，攝像單元108被配置於防振構件110上。藉由防振構件110而抑制振動從基台4傳遞至攝像單元108。

此外，如前述般，臂部74的第一支撐部74a與第二支撐部74b被構成為能互相連結及分離。又，支撐構造106的上表面係與水平面（XY平面）大致平行的平坦面，並構成保持面106a，所述保持面106a保持已從第一支撐部74a分離之第二支撐部74b。

圖5（B）係表示保持臂部74的第二支撐部74b之下表面觀察機構102之立體圖。藉由保持面106a而支撐已從第一支撐部74a分離之第二支撐部74b的下表面74c。藉此，第二支撐部74b被固定於下表面觀察機構102。

例如，保持面106a係透過形成於支撐構造106的內部之流路（未圖示）而與噴射器等吸引源（未圖示）連接，藉由吸引第二支撐部74b的下表面74c而保持第二支撐部74b。但是，保持第二支撐部74b之方法並無限制。例如，亦可藉由磁石而構成保持面106a，並藉由磁力而保持以磁性材料而成之第二支撐部74b的下表面74c。

攝像單元108係在以保持面106a保持第二支撐部74b之狀態下，拍攝保持於筒夾76之晶片21的下表面。藉此，避免起因於筒夾移動機構80的驅動等之第一支撐部74a的振動傳遞至晶片21，而可提升由攝像單元108所進行之晶片21的拍攝的精確度。

圖6（A）係表示拍攝晶片21的下表面之攝像單元108之前視圖。已被筒夾76保持之晶片21係以與攝像單元108重疊的方式被定位，並藉由攝像單元108而拍攝晶片21的下表面側。其結果，取得顯示晶片21的下表面之影像（下表面影像）。藉此，在以後述的測量單元200測量晶片21的強度之前，可預先確認晶片21的下表面的狀態。

此外，攝像單元108被設置於與筒夾76的移動路徑重疊之位置。因此，藉由調節筒夾76的位置，而可將晶片21維持在被筒夾76保持之狀態下直接配置於攝像單元108的正上方。

又，如圖2及圖3所示，在下表面觀察機構102的前方設有側面觀察機構112。側面觀察機構112具備：柱狀的晶片支撐台114，其支撐晶片21；以及攝像單元（側面攝像單元）116，其拍攝晶片21的側面。

晶片支撐台114的上表面係與水平面（XY平面）大致平行的平坦面，並構成支撐晶片21之支撐面114a。又，在晶片支撐台114連結有使晶片支撐台114繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸旋轉之馬達等旋轉驅動源（未圖示）。而且，攝像單元116被配置於能拍攝已配置於支撐面114a上之晶片21的側面的位置。

圖6（B）係表示拍攝晶片21的側面之攝像單元116之前視圖。已被筒夾76保持之晶片21係配置於晶片支撐台114的支撐面114a上。然後，藉由攝像單元116而拍攝晶片21的側面。其結果，取得顯示晶片21的側面之影像（側面影像）。藉此，在以後述的測量單元200測量晶片21的強度之前，可預先確認晶片21的側面的狀態。

此外，晶片支撐台114被設置於與筒夾76的移動路徑重疊之位置。因此，藉由調節筒夾76的位置，而可將晶片21配置於晶片支撐台114上。

又，一邊使晶片支撐台114旋轉，一邊以攝像單元116多次拍攝晶片21，藉此可取得兩個以上的側面影像。例如，藉由攝像單元116拍攝被晶片支撐台114支撐之晶片21的一側面後，使晶片支撐台114旋轉90°，藉由攝像單元116拍攝晶片21的另一側面。藉由重複此種程序，而拍攝晶片21的四個側面。

再者，在由攝像單元116所進行之晶片21的拍攝後，藉由控制晶片支撐台114的旋轉角度，而可調節從晶片支撐台114搬送至後述的測量單元200（參照圖2及圖3）之晶片21的朝向。藉此，可將晶片21以任意的朝向配置於測量單元200。

藉由上述的下表面觀察機構102及側面觀察機構112而觀察已被筒夾76拾取之晶片21的下表面及側面。此外，拍攝晶片21的側面之攝像單元116亦可設於能拍攝被筒夾76保持之狀態的晶片21（參照圖6（A））的側面的位置。在此情形中，可藉由攝像單元108、116而同時拍攝晶片21的下表面與側面。

攝像單元108、116的種類係因應所要求之下表面影像及側面影像的解析度、晶片21的材質等而適當選擇。例如，作為攝像單元108、116，可使用具備光學顯微鏡與CCD（Charged-Coupled Devices，電荷耦合元件）感測器、CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互補金氧半導體）感測器等攝像元件之攝影機（可見光攝影機、紅外線攝影機等）。又，攝像單元108、116亦可藉由具備干涉物鏡之干涉計等而構成。藉此，可檢測形成於晶片21之細微凹凸。

圖7（A）係表示攝像單元108之局部剖面前視圖。攝像單元108具備：箱型的外殼120；攝像元件122，其設於外殼120的上部；以及干涉物鏡124，其設於外殼120的下部。在外殼120中容納有：白色LED等光照射部126；以及半反射鏡（half mirror）128，其配置於攝像元件122與干涉物鏡124之間。光照射部126被配置於能朝向半反射鏡128照射光之位置。

在外殼120與干涉物鏡124之間設有壓電元件130，所述壓電元件130係因應從電源132供給之電壓而變化長度。藉由控制從電源132供給至壓電元件130之電壓，而調節干涉物鏡124在Z軸方向之位置（高度）。

圖7（B）係表示干涉物鏡124之示意圖。干涉物鏡124具備：物鏡134、設置於玻璃板136之參考鏡138、以及半反射鏡140。參考鏡138係相對於半反射鏡140而配置於與物鏡134的焦點位置對稱的位置。

從光照射部126射出之白色光會被半反射鏡128反射並射入干涉物鏡124。而且，穿透半反射鏡140而在晶片21的下表面反射之光與在半反射鏡140及參考鏡138反射之光會發生干涉。藉由攝像元件122而檢測由此干涉所得之光。

由干涉所得之光會產生干涉條紋，所述干涉條紋係對應干涉物鏡124與晶片21的下表面之間的距離。根據此干涉條紋的強度，檢測晶片21的下表面的細微的凹凸。

此外，圖7（B）中係表示米勞（Mirau）型的干涉物鏡124，但干涉物鏡124的構造並無限制。例如，攝像單元108亦可具備邁克生（Michelson）型或林尼克（Linnik）型的干涉物鏡。又，圖7（A）及圖7（B）所示之攝像單元108的構成亦可應用於攝像單元116。

如圖2及圖3所示，在側面觀察機構112的晶片支撐台114的上方設有使晶片21上下反轉之晶片反轉機構150。晶片反轉機構150被構成為在以前端部保持晶片21之狀態下能繞著與X軸方向大致平行的旋轉軸旋轉180°。

圖8（A）係表示晶片反轉機構150之立體圖。晶片反轉機構150具備：板狀的基底部150a，其與YZ平面大致平行地配置；以及板狀的連接部150b，其從基底部150a的正面以沿著X軸方向的方式朝向晶片支撐台114及攝像單元116側配置。

在連接部150b的前端部設有從連接部150b的上表面往上方突出之矩形狀的晶片保持部150c。晶片保持部150c係與晶片21的形狀對應而形成為矩形狀。又，晶片保持部150c的上表面係與水平面（XY平面）大致平行的平坦面，並構成保持晶片21之保持面150d。例如，保持面150d係透過形成於晶片保持部150c的內部之流路（未圖示）而與噴射器等吸引源（未圖示）連接。

基底部150a被構成為能繞著與X軸方向大致平行的旋轉軸旋轉180°。又，晶片保持部150c被配置成在基底部150a旋轉而晶片保持部150c被配置於連接部150b的下方時（參照圖8（B））會與晶片支撐台114的支撐面114a相向（重疊）。

在使晶片21的朝向上下反轉時，首先，使基底部150a往第一方向（從攝像單元116側觀看為逆時針方向）旋轉180°，而使晶片反轉機構150的上下反轉。藉此，晶片保持部150c係與被晶片支撐台114支撐之晶片21相向，並與晶片21的上表面接觸。然後，使吸引源的吸引力（負壓）作用於晶片保持部150c的保持面150d，藉由晶片保持部150c而吸引保持晶片21。圖8（B）係表示保持晶片21之晶片反轉機構150之立體圖。

若在以晶片保持部150c保持晶片21之狀態下使基底部150a往第二方向（從攝像單元116側觀看為順時針方向）旋轉180°，則晶片反轉機構150上下反轉。藉此，成為晶片21的下表面側（相當於被加工物11的背面11b側）在上方露出之狀態，晶片21上下反轉。圖8（C）係表示已使晶片21反轉之晶片反轉機構150之立體圖。

若藉由筒夾76（參照圖4等）而保持在上方露出之晶片21的下表面側，則可在使晶片21的下表面側朝上之狀態下，將晶片21搬送至後述的測量單元200。如此，藉由晶片反轉機構150而變更被搬送至測量單元200之晶片21的上下方向的朝向。

如圖2及圖3所示，在晶片觀察機構100及晶片反轉機構150的前方設有測量晶片21的強度之測量單元（測量機構）200。測量單元200測量藉由分割被加工物11而得之晶片21的抗撓強度（彎曲強度）。

已被上推機構50上推之晶片21係藉由拾取機構70及筒夾移動機構80而被從上推機構50的上方搬送至測量單元200。此外，下表面觀察機構102及側面觀察機構112被配置於與筒夾76的移動路徑重疊之區域，所述筒夾76的移動路徑係從上推機構50的上方朝向測量單元200。因此，在將晶片21搬送至測量單元200之中途，可進行由晶片觀察機構100所進行之晶片21的觀察。

圖9係表示測量單元200之立體圖。測量單元200具備被形成為長方體狀之箱型的下部容器（容納部）204。在下部容器204形成有：長方體狀的開口204b，其係在下部容器204的上表面204a側且朝向上方開口。在開口204b的內部設有：支撐單元206，其支撐欲藉由測量單元200測量強度之晶片21（參照圖1（B））。將已被筒夾76（參照圖2等）拾取之晶片21搬送至測量單元200，並配置於支撐單元206上。

圖10係表示支撐單元206之立體圖。支撐單元206具備支撐晶片21之一對支撐台208。一對支撐台208分別被形成為長方體狀，且以在一對支撐台208之間設有間隙210的方式，以互相分開之狀態配置。又，支撐台208包含矩形狀的上表面208a，且被配置成上表面208a的長邊方向沿著Y軸方向。在一對支撐台208上配置欲測量強度之晶片21。

在一對支撐台208的上表面208a側分別形成有從上表面208a往上方突出之柱狀（棒狀）的支撐部208b。支撐部208b例如係以不鏽鋼等金屬而成，且以長度方向沿著Y軸方向的方式與間隙210相鄰配置。一對支撐部208b係以夾著間隙210而彼此分開之狀態配置，並支撐晶片21的下表面側。此外，在圖10中，表示上表面被形成為曲面狀之支撐部208b。

又，在一對支撐台208的上表面208a側分別設有以比支撐部208b更柔軟的材質（橡膠海綿等）而成之板狀的接觸構件212。一對接觸構件212在俯視下被形成為矩形狀，並被設於一對支撐部208b的兩側。亦即，接觸構件212分別被配置於與支撐部208b的間隙210為相反側，一對支撐部208b被配置於一對接觸構件212之間。

接觸構件212的上表面構成與晶片21接觸並支撐晶片21之矩形狀的接觸面212a。此外，接觸構件212被設置成接觸面212a配置於比支撐部208b的上端更上方（例如，從支撐部208b的上端起1mm左右上方）。因此，若將晶片21配置於一對支撐台208上，則晶片21的下表面側並不與支撐部208b接觸，而與接觸構件212的接觸面212a接觸。此外，針對支撐部208b及接觸構件212與晶片21的接觸的詳細內容將於後述（參照圖12～圖14）。

在一對支撐台208的背面側（檢查裝置2的前面側）設有使一對支撐台208分別沿著X軸方向移動之支撐台移動機構214。支撐台移動機構214具備長方體狀的支撐構造216。在支撐構造216的正面側（檢查裝置2的後面側），沿著X軸方向以預定的間隔固定有一對導軌218。

在一對導軌218之間設有與導軌218大致平行地配置之一對滾珠螺桿220。在一對滾珠螺桿220的端部分別連結有使滾珠螺桿220旋轉之脈衝馬達222。

再者，支撐台移動機構214具備分別固定於一對支撐台208的背面側之一對移動板224。移動板224分別能滑動地裝設於一對導軌218。又，在一對移動板224的背面側分別設有螺帽部（未圖示）。在設於一移動板224之螺帽部螺合有一滾珠螺桿220，且在設於另一移動板224之螺帽部螺合有另一滾珠螺桿220。

若藉由脈衝馬達222而使滾珠螺桿220旋轉，則螺合於滾珠螺桿220之移動板224沿著導軌218在X軸方向移動。藉此，調節一對支撐台208各自在X軸方向之位置與間隙210的寬度。

支撐單元206及支撐台移動機構214容納於圖9所示之下部容器204的開口204b。此外，下部容器204及開口204b的形狀、尺寸係因應支撐單元206及支撐台移動機構214的形狀、尺寸而適當設定。

在下部容器204的上方設有推壓單元226。推壓單元226推壓被支撐單元206支撐之晶片21，且在推壓晶片21時測量施加於推壓單元226之負載。

圖11係表示推壓單元226之立體圖。推壓單元226具備連結於移動機構240之移動基台228。在移動基台228的下表面側連接有從移動基台228的下表面朝向下方配置之圓柱狀的第一支撐構件230。在第一支撐構件230的下端側固定有藉由荷重元等所構成之負載量測器232。

在負載量測器232的下側，透過圓柱狀的第二支撐構件234而連接有夾持構件236。夾持構件236從正面觀看被形成為大致門型的形狀，且具備彼此相向之一對夾持面236a。在一對夾持面236a之間固定有壓頭238，所述壓頭238推壓被支撐單元206支撐之晶片21。

壓頭238的前端部（下端部）被形成為寬度朝向下方變窄之尖錐形狀。亦即，壓頭238的前端部的兩側面相對於鉛直方向呈傾斜。又，壓頭238的前端（下端）被形成為圓角的形狀（R形）（參照圖12等）。但是，壓頭238的形狀並不受限於上述。

壓頭238係以其下端沿著Y軸方向的方式被夾持構件236支撐。亦即，壓頭238的下端與支撐單元206所具備之一對支撐部208b（參照圖10）被配置為大致互相平行。

又，在推壓單元226的背面側（檢查裝置2的前表面側）設有使推壓單元226沿著Z軸方向移動之移動機構240。移動機構240具備長方體狀的支撐構造242。在支撐構造242的正面側（檢查裝置2的後表面側），沿著Z軸方向以預定的間隔固定有一對導軌244。

在一對導軌244之間設有與導軌244大致平行地配置之滾珠螺桿246。在滾珠螺桿246的端部連結有使滾珠螺桿246旋轉之脈衝馬達248。

移動基台228的背面側能滑動地裝設於一對導軌244。又，在移動基台228的背面側設有螺帽部（未圖示），滾珠螺桿246螺合於此螺帽部。若藉由脈衝馬達248而使滾珠螺桿246旋轉，則移動基台228沿著導軌244在Z軸方向移動。藉此，控制推壓單元226在Z軸方向之位置。藉由移動機構240而使推壓單元226沿著Z軸方向移動，藉此，壓頭238相對於支撐單元206而相對地接近及分開。

如圖9所示，在移動基台228的兩側面固定有被形成為板狀之一對連接構件250。連接構件250係從移動基台228的側面朝向下方設置，連接構件250的下端被配置於比夾持構件236的下端更下方。

在一對連接構件250的下端部形成有朝向壓頭238側突出之一對上部容器支撐部250a。在一對上部容器支撐部250a之間固定有覆蓋壓頭238的前端部之長方體狀的上部容器（蓋）252。上部容器252被配置於下部容器204的上方，上部容器252的兩側面被一對上部容器支撐部250a支撐。

上部容器252例如係以透明的材質（玻璃、塑膠等）而成之箱型的構件。在上部容器252形成有在上部容器252的下表面252a側且朝向下方開口之長方體狀的開口252b（參照圖12等）。又，在上部容器252的上表面252c側形成有壓頭***孔252d，壓頭238的前端部***壓頭***孔252d。因此，壓頭238的前端部被上部容器252覆蓋。此外，在圖9中，以虛線表示被上部容器252覆蓋之壓頭238的一部分。

上部容器252被形成為能***下部容器204的開口204b之大小，且在俯視下配置於下部容器204的開口204b的內側。又，上部容器252的開口252b（參照圖12等）被形成為能容納支撐單元206之大小。因此，若藉由移動機構240而使推壓單元226移動至下方，則上部容器252被***下部容器204的開口204b，且支撐單元206的上側被上部容器252覆蓋。

在上部容器252的側壁252e設有噴嘴***孔252f。在噴嘴***孔252f連接氣體供給單元254，所述氣體供給單元254對壓頭238的前端部噴吹空氣等氣體。

氣體供給單元254具備朝向壓頭238噴射氣體之噴嘴256。噴嘴256的一端側係透過噴嘴***孔252f而***上部容器252的內部，噴嘴256的另一端側係透過閥258而連接於氣體供給源260。又，噴嘴256的一端側的前端256a（參照圖12等）朝向壓頭238的前端部的側面開口。

將從氣體供給源260透過閥258而供給至噴嘴256之空氣等氣體噴吹至壓頭238的前端部的側面。藉此，將附著於壓頭238的前端部、支撐部208b、接觸面212a（參照圖10）等之異物去除。此外，針對氣體供給單元254的動作的詳細內容，將於後述。

在下部容器204的底部形成有從下部容器204的開口204b的底部貫通下部容器204的下表面（底面）204c之排出口204d。在排出口204d連接有排出單元262，所述排出單元262將存在於下部容器204的內部之晶片21的碎片等異物排出。

排出單元262具備構成用於排出異物的路徑之排出路徑264。例如，排出路徑264係藉由管線、管材等所構成。排出路徑264的一端側連接於排出口204d。又，排出路徑264的另一端側係透過閥266而與噴射器等吸引源268連接。

又，在排出路徑264中設有回收異物之回收部270。回收部270係藉由過濾器等所構成，並捕捉通過排出路徑264之異物。若將閥266打開，則散落於下部容器204的開口204b的內部之晶片21的碎片等會從排出口204d被吸引，並被回收部270回收。此外，針對排出單元262的動作的詳細內容，將於後述。

又，在下部容器204的前後方，攝像單元272與朝向攝像單元272照射光之光源274係以夾住支撐單元206的上部且彼此相向之方式設置。攝像單元272及光源274的位置被調整為能藉由攝像單元272而拍攝被支撐單元206支撐之晶片21、壓頭238的前端部等。

一邊從光源274照射光，一邊以攝像單元272拍攝壓頭238的前端部，藉此可觀察晶片21被壓頭238推壓之態樣、壓頭238的前端部的狀態（有無附著異物、有無崩缺等）。但是，在充分明亮的環境下由攝像單元272進行拍攝之情形中，亦可省略光源274。

藉由使用上述的測量單元200，可進行晶片21的三點彎曲試驗。藉由三點彎曲試驗而測量晶片21的抗撓強度（彎曲強度）。以下，針對測量晶片21的強度時的測量單元200的動作例進行說明。

圖12係表示晶片21已被支撐單元206支撐之狀態的測量單元200之剖面圖。如圖12所示，壓頭238被配置成在一對支撐部208b的上方與一對支撐部208b之間的區域（間隙210）重疊。又，壓頭238被配置成其前端（下端）沿著支撐部208b的長度方向（Y軸方向）。

在測量晶片21的強度時，首先，藉由支撐台移動機構214（參照圖10）而調整一對支撐台208在X軸方向之位置。一對支撐台208的位置被調整成因應晶片21的尺寸等而形成適當寬度的間隙210。之後，將晶片21配置於一對支撐台208上。具體而言，在將被筒夾76（參照圖2等）保持之晶片21定位於一對支撐台208上之狀態下，解除由筒夾76所進行之晶片21的吸引。此時，晶片21被配置成兩端部被一對支撐台208支撐且中央部與間隙210重疊。

此外，在將晶片21配置於一對支撐台208上時，若假設晶片21的下表面側與支撐部208b接觸，則有時會因配置時的衝擊而損傷晶片21的下表面側。此情形，晶片21的強度會發生變化，有時變得難以利用同一條件測量多個晶片21的強度。

然而，在支撐台208的上表面208a側設有柔軟的接觸構件212。又，接觸構件212的接觸面212a位於比支撐部208b的上端更上方。因此，若將晶片21配置於一對支撐台208上，則晶片21並不與支撐部208b接觸，而與接觸構件212的接觸面212a接觸，並被接觸面212a支撐。藉此，可防止在配置晶片21時晶片21的下表面側與支撐部208b接觸而損傷。

接著，藉由移動機構240（參照圖11）而使推壓單元226下降。若使推壓單元226下降，則壓頭238的前端與晶片21的上表面側接觸，晶片21被壓頭238推壓。又，藉由負載量測器232（參照圖11）而測量因推壓晶片21而施加於壓頭238之負載（Z軸方向的力）。

若使推壓單元226進一步下降，則晶片21被壓頭238進一步地推壓，而會在晶片21產生撓曲，且支撐晶片21之接觸構件212會變形。其結果，晶片21的下表面側會與支撐台208的支撐部208b接觸。此外，依據接觸構件212的柔軟性的不同，亦有僅發生接觸構件212的變形而不發生晶片21的撓曲之情形。

圖13係表示晶片21已與支撐台208的支撐部208b接觸之狀態的測量單元200之剖面圖。若晶片21與一對支撐部208b接觸，則晶片21被一對支撐部208b支撐，而施加於推壓晶片21之壓頭238之負載會增大。又，若使推壓單元226進一步下降，則晶片21會在被一對支撐部208b支撐之狀態下被壓頭238進一步地推壓。而且，若從壓頭238施加於晶片21之推壓力超過預定的值，則晶片21會被破壞。

圖14係表示晶片21已被破壞之狀態的測量單元200之剖面圖。若晶片21被破壞，則藉由負載量測器232所測量之負載會從最大值減少至零。因此，從藉由負載量測器232所測量之負載值的變化，可檢測晶片21已被破壞之時間點。又，藉由負載量測器232所測量到之負載的最大值係對應於晶片21的強度。

具體而言，根據施加於壓頭238之負載的最大值、一對支撐部208b的上端間的距離、晶片21的尺寸，而計算晶片21的彎曲應力值。若將施加於推壓晶片21之壓頭238之負載的最大值設為W[N]、將一對支撐部208b的上端間的距離設為L[mm]、將晶片21的寬度（在與連結一對支撐部208b之直線垂直的方向（Y軸方向）之晶片21的長度）設為b[mm]、將晶片21的厚度設為h[mm]，則晶片21的彎曲應力值σ係以σ=3WL／2bh ²表示。

若晶片21被破壞，則晶片21的碎片23會飛散。但是，在晶片21被壓頭238推壓時，上部容器252係以覆蓋晶片21及支撐單元206的上側的方式被定位。藉此，可防止晶片21的碎片23飛散至測量單元200的外部。

此外，若藉由壓頭238而推壓晶片21，則有時異物（晶片21的碎片23等）會附著於壓頭238。此異物有時會對試驗的精確度造成影響，因此較佳為將其去除。於是，在進行晶片21的試驗後，較佳為藉由氣體供給單元254而對壓頭238噴吹氣體，去除附著於壓頭238之異物。

具體而言，打開氣體供給單元254的閥258，將從氣體供給源260所供給之空氣等氣體從噴嘴256的前端256a朝向壓頭238的前端部的側面噴射。藉此，附著於壓頭238的前端部之異物會被吹飛、去除。此外，使用氣體供給單元254去除異物之時間點並無限制。例如，異物的去除係在一晶片21的試驗完成後且進行下一晶片21的試驗之前的期間，視需求實施。

又，朝向壓頭238的前端部噴射之氣體係在上部容器252的內部流動，且亦會被吹至一對支撐台208上。其結果，附著於支撐部208b或接觸構件212的接觸面212a之異物（晶片21的碎片23等）會被氣體吹飛而去除。藉此，在進行下一試驗時，可防止異物與晶片21的下表面側接觸而損傷晶片21。

此外，若假設噴嘴256的前端256a係朝向支撐台208的上表面208a配置，則從噴嘴256所噴射之空氣會被強力地吹至支撐台208的上表面208a側。此情形，附著於支撐部208b或接觸構件212之異物在被空氣吹飛而在上部容器252的內部飛揚後，有時會再次附著於支撐部208b或接觸構件212。因此，難以將異物從支撐台208的上表面208a側適當去除。

於是，在測量單元200中，以噴嘴256的前端256a朝向壓頭238的前端部的側面開口的方式定位噴嘴256。藉此，被吹至支撐台208的上表面208a之空氣的強度會被適度減弱。其結果，會從支撐台208的上表面208a側適當地去除異物。

若反復進行晶片21的強度的測量及由氣體供給單元254所進行之異物去除，則在下部容器204的內部會累積晶片21的碎片23。於是，使用排出單元262（參照圖9）將累積於下部容器204的內部之碎片23進行回收。

具體而言，打開排出單元262的閥266，從設於下部容器204之排出口204d吸引累積於開口204b的內部之碎片23。所吸引之碎片23通過排出路徑264，在回收部270被回收。藉此，無需以手動作業清掃下部容器204的開口204b的內部，即可迅速地去除碎片23。

此外，在測量單元200中，上部容器252被形成為比下部容器204的開口204b更小，又，在上部容器252形成有供壓頭238***之壓頭***孔252d等。因此，即便使上部容器252朝向下部容器204下降，下部容器204的開口204b亦不會被上部容器252密封。藉此，在從排出口204d吸引晶片21的碎片23時，外部空氣會容易地被吸入開口204b，而可順利地進行晶片21的碎片23的吸引。

如圖2及圖3所示，在測量單元200的前方側設有顯示單元（顯示部、顯示裝置）280，所述顯示單元（顯示部、顯示裝置）280顯示關於檢查裝置2之資訊。顯示單元280可藉由各種顯示器構成，並顯示關於檢查晶片之各種資訊（檢查條件、檢查狀況、檢查結果等）。

例如，能使用觸控面板式的顯示器作為顯示單元280。此情形，顯示單元280亦發揮作為用於將資訊輸入檢查裝置2之輸入單元（輸入部、輸入裝置）的功能，操作員可藉由顯示單元280的觸控操作，而將資訊輸入檢查裝置2。亦即，顯示單元280發揮作為使用者界面的功能。

又，檢查裝置2具備控制檢查裝置2之控制單元（控制部、控制裝置）290。控制單元290與構成檢查裝置2之各構成要素（卡匣載置台6、框架固定機構14、搬送機構20、移動機構30、上推機構50、攝像單元60、拾取機構70、筒夾移動機構80、晶片觀察機構100、晶片反轉機構150、測量單元200、顯示單元280等）連接。

例如，控制單元290係藉由電腦所構成，且包含：CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）等處理器，其進行檢查裝置2的運轉所需的運算；以及ROM（Read Only Memory，唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory，隨機存取記憶體）等記憶體，其等記憶用於檢查裝置2的運轉之各種資訊（資料、程式等）。而且，控制單元290係藉由將控制信號輸出至檢查裝置2的各構成要素，而控制各構成要素的動作，使檢查裝置2運轉。

＜晶片的檢查例一＞ 接著，針對使用圖2及圖3所示之檢查裝置2檢查晶片之晶片的檢查方法的具體例進行說明。圖15係表示第一晶片檢查方法之流程圖。第一晶片檢查方法包含：分割步驟S1、攝像步驟S2以及檢查步驟S3。藉由依序實施分割步驟S1、攝像步驟S2、檢查步驟S3，而將被加工物11分割成多個晶片21（參照圖1（B）），且檢查晶片21的狀態。

首先，藉由將被加工物11以預定的分割加工條件進行加工，而將被加工物11分割成多個晶片21（分割步驟S1）。在分割步驟S1中，使用切割裝置、雷射加工裝置等加工裝置而加工被加工物11，藉此將被加工物11分割成多個晶片21。以下，作為一例，針對分割步驟S1包含在被加工物11的內部形成改質層之步驟（改質層形成步驟）與對被加工物11施加外力之步驟（外力施加步驟）之情形進行說明。

圖16係表示雷射加工裝置300之局部剖面前視圖。在改質層形成步驟中，以雷射加工裝置300對被加工物11實施雷射加工，藉此在被加工物11的內部形成改質層。此外，在圖16中，X軸方向（加工進給方向、第一水平方向）與Y軸方向（分度進給方向、第二水平方向）係互相垂直的方向。又，Z軸方向（鉛直方向、上下方向、高度方向）係與X軸方向及Y軸方向垂直的方向。

雷射加工裝置300具備保持被加工物11之卡盤台（保持台）302。卡盤台302的上表面係與水平面（XY平面）大致平行的圓形的平坦面，並構成保持被加工物11之保持面302a。保持面302a係透過形成於卡盤台302的內部之流路（未圖示）、閥（未圖示）等而與噴射器等吸引源（未圖示）連接。

在卡盤台302連結有使卡盤台302沿著X軸方向及Y軸方向移動之滾珠螺桿式的移動機構（未圖示）。又，在卡盤台302連結有使卡盤台302繞著與保持面302a大致垂直的旋轉軸旋轉之馬達等旋轉驅動源（未圖示）。再者，在卡盤台302的周圍設有多個夾具304，所述夾具304將支撐被加工物11之框架17握持並固定。

又，雷射加工裝置300具備照射雷射光束之雷射照射單元306。雷射照射單元306具備：YAG雷射、YVO ₄雷射、YLF雷射等雷射振盪器（未圖示）；以及配置於卡盤台302的上方之雷射加工頭308。

在雷射加工頭308中內建有將從雷射振盪器射出之脈衝振盪的雷射光束導引往被加工物11之光學系統，光學系統包含使雷射光束聚光之聚光透鏡等光學元件。藉由從雷射加工頭308所照射之雷射光束310而將被加工物11進行加工。

再者，雷射加工裝置300具備控制雷射加工裝置300之控制單元（控制部、控制裝置）312。控制單元312係與構成雷射加工裝置300之各構成要素（雷射照射單元306等）連接。

例如，控制單元312係藉由電腦所構成，且包含：CPU等處理器，其進行雷射加工裝置300的運轉所需的運算；以及ROM、RAM等記憶體，其記憶用於雷射加工裝置300的運轉之各種資訊（資料、程式等）。而且，控制單元312藉由將控制信號輸出至雷射加工裝置300的各構成要素，而控制各構成要素的動作，使雷射加工裝置300運轉。

在以雷射加工裝置300加工被加工物11時，首先，藉由卡盤台302而保持被加工物11。例如，被加工物11係以正面11a側朝向上方且背面11b側（膠膜19側）與保持面302a相向的方式配置於卡盤台302上。又，框架17被多個夾具304固定。若在此狀態下使吸引源的吸引力（負壓）作用於保持面302a，則被加工物11係隔著膠膜19而被卡盤台302吸引保持。

接著，使卡盤台302旋轉，將預定的切割道13（參照圖1（A））的長度方向對齊X軸方向。又，以將照射雷射光束310之區域定位於預定的切割道13的延長線上之方式，調節卡盤台302在Y軸方向之位置。再者，以將雷射光束310的聚光點定位於與被加工物11的內部（正面11a與背面11b之間）相同的高度位置（在Z軸方向之位置）之方式，調節雷射加工頭308的位置、光學系統的配置。

然後，一邊從雷射加工頭308照射雷射光束310，一邊使卡盤台302沿著X軸方向移動。藉此，卡盤台302與雷射光束310係沿著加工進給方向以預定的速度（加工進給速度）相對地移動。其結果，從被加工物11的正面11a側沿著切割道13照射雷射光束310。

此外，雷射加工裝置300以預先被登錄於控制單元312之預定的分割加工條件加工被加工物11。具體而言，以被加工物11中已照射雷射光束310之區域會因多光子吸收而改質並變質的方式，設定雷射光束310的照射條件。

雷射光束310的波長被設定成至少雷射光束310的一部分穿透被加工物11。亦即，雷射光束310係對被加工物11具有穿透性之雷射光束。又，雷射光束310的其他照射條件亦被設定成被加工物11會適當地被改質。例如，在被加工物11為單晶矽晶圓之情形中，雷射光束310的照射條件可設定如下。 波長：1064nm 平均輸出：1W 重複頻率：100kHz 加工進給速度：800mm/s

若以上述的分割加工條件加工被加工物11，則被加工物11的內部會因多光子吸收而改質並變質，而在被加工物11的內部沿著切割道13形成改質層（變質層）25。之後，藉由重複同樣的程序，而沿著其他切割道13照射雷射光束310。其結果，在被加工物11的內部，多個改質層25沿著各切割道13形成為網格狀。

被加工物11之中形成有改質層25之區域變得比被加工物11的其他區域脆。因此，若對被加工物11施加外力，則被加工物11會以改質層25為起點而沿著切割道13被分割。亦即，改質層25發揮作為分割起點（分割的契機）的功能。

此外，改質層25亦可在被加工物11的厚度方向形成有多段。例如，在被加工物11為厚度200μm以上的單晶矽晶圓等之情形中，藉由形成兩層以上的改質層25，而變得容易適當地分割被加工物11。在形成多個改質層25之情形，一邊改變雷射光束310的聚光點的高度位置，一邊沿著各切割道13分別多次逐一照射雷射光束310。

接著，藉由對被加工物11施加外力，而以改質層25為起點沿著切割道13分割被加工物11（外力施加步驟）。例如，在外力施加步驟中，將貼附於被加工物11之膠膜19拉伸而擴張，藉此對被加工物11施加外力。此外，膠膜19的擴張可使用專用的擴張裝置進行，亦可由作業者以手動作業進行。

圖17（A）係表示擴張裝置400之局部剖面前視圖。擴張裝置400具備被形成為中空圓柱狀之鼓輪402。在鼓輪402的上端部，沿著鼓輪402的圓周方向大致等間隔地排列有多個滾輪404。又，在鼓輪402的外側配置有多個柱狀的支撐構件406。在支撐構件406的下端部分別連結有使支撐構件406沿著鉛直方向移動（升降）之氣缸（未圖示）。

在多個支撐構件406的上端部固定有環狀的工作台408。在工作台408的中央部設有在厚度方向貫通工作台408之圓形的開口408a。開口408a的直徑大於鼓輪402的直徑，成為能將鼓輪402的上端部***開口408a。又，在工作台408的外周部配置有多個夾具410，所述夾具410將支撐被加工物11之框架17握持並固定。

在分割被加工物11時，首先，藉由氣缸（未圖示）而使支撐構件406升降，並將工作台408的上表面配置於與滾輪404的上端大致相同之高度位置。然後，將框架17配置於工作台408上，藉由多個夾具410而固定框架17。此時，被加工物11被配置成與鼓輪402的內側重疊。

接著，藉由氣缸（未圖示）而使支撐構件406下降，而降低工作台408及夾具410。藉此，框架17被下壓，膠膜19在被滾輪404支撐之狀態下被拉伸。其結果，膠膜19放射狀地延伸而擴張。

圖17（B）係表示擴張膠膜19之擴張裝置400之局部剖面前視圖。若膠膜19被擴張，則會對被固定於膠膜19之被加工物11施加朝向被加工物11的半徑方向外側之外力。其結果，改質層25發揮作為分割起點的功能，被加工物11沿著切割道13斷裂。藉此，被加工物11被分割成分別具備元件15（參照圖1（B））之多個晶片21。

晶片21包含：大致互相平行的正面（第一面）21a及背面（第二面）21b；以及與正面21a及背面21b連接之四個側面21c。正面21a相當於被加工物11的正面11a的一部分，背面21b相當於被加工物11的背面11b的一部分。又，側面21c相當於藉由分割被加工物11而新形成之面（被分割面、被加工面）。

如上所述，在分割步驟S1中，藉由實施改質層形成步驟及外力施加步驟，而將被加工物11分割成多個晶片21。但是，被加工物11的分割方法並無限制。例如，在分割步驟S1中，亦可對被加工物11實施雷射燒蝕加工。在此情形中，沿著切割道13照射對被加工物11具有吸收性之雷射光束。藉此，對被加工物11施加燒蝕加工，沿著切割道13形成從被加工物11的正面11a至背面11b之雷射加工槽。若沿著全部切割道13形成雷射加工槽，則被加工物11被分割成多個晶片21。

接著，藉由拍攝晶片21的側面，而取得顯示晶片21的側面之影像（側面影像）（攝像步驟S2）。例如，在攝像步驟S2中，藉由檢查裝置2（參照圖2及圖3）而取得晶片21的側面影像。

在分割步驟S1中已被分割成多個晶片21之被加工物11被容納於卡匣8（參照圖2及圖3），並被搬送至檢查裝置2。然後，檢查裝置2運轉，藉由測量單元200而測量晶片21的強度。

此處，如同前述，在藉由拾取機構70及筒夾移動機構80（參照圖2）而將晶片21搬送至測量單元200之中途，進行由晶片觀察機構100所進行之晶片21的觀察。此時，藉由側面觀察機構112所具備之攝像單元116而拍攝晶片21的側面。其結果，取得顯示晶片21的側面之影像（側面影像）。

圖18係表示晶片21的側面影像500之影像圖。若將被加工物11分割成多個晶片21，則發揮作為分割起點的功能之改質層25會作為加工痕而殘留於晶片21的側面21c。因此，若拍攝晶片21的側面21c，則會取得包含加工痕（改質層25）的影像之側面影像500。

接著，藉由將從側面影像500所提取之評價值與閾值進行比較，而檢查晶片21的狀態（檢查步驟S3）。在檢查步驟S3中，從側面影像500提取與晶片21的強度對應之預定值作為評價值。然後，藉由判定評價值是否在預定的容許範圍內，而檢查晶片21的狀態為正常或異常。

例如，作為評價值，提取與在側面影像500中顯示改質層25之區域500a中之階度對應之值。晶片21的改質層25所殘留之區域係因照射雷射光束而被改質。因此，側面影像500的區域500a係以與側面影像500的其他區域不同之階度而顯示。例如，如圖18所示，側面影像500的區域500a係以比其他區域更深色而顯示。

再者，側面影像500的區域500a的階度係因應晶片21的改質的程度而不同。例如，雷射光束310（參照圖16）的平均輸出越高，則改質的程度越大，側面影像500的區域500a以越深色顯示。又，有晶片21的改質程度越大，則晶片21的強度越降低之傾向。因此，從側面影像500提取區域500a的階度，並將區域500a的階度與預先設定之預定的閾值進行比較，藉此可評價晶片21的強度。

具體而言，在檢查晶片21前預先設定閾值，所述閾值定義表示區域500a的色相、彩度或亮度等之值（階度值）的容許範圍。例如，設定階度值的上限值作為閾值。然後，對藉由拍攝晶片21所取得之側面影像500施加影像處理，而計算區域500a的階度值。此外，區域500a的範圍可藉由已目視確認側面影像500之操作員以手動而指定，亦可藉由對側面影像500施加影像處理而自動特定。

之後，藉由將區域500a的階度值與閾值進行比較，而確認區域500a的階度值是否落入容許範圍內。例如，將區域500a所包含之各像素的階度的平均值與閾值進行比較。然後，在區域500a的階度值為閾值（上限值）以下之情形中，晶片21的強度滿足基準，判定晶片21為正常。另一方面，在區域500a的階度值大於閾值（上限值）之情形中，晶片21的強度不滿足基準，判定晶片21為異常。

又，作為評價值，亦可提取與側面影像500所顯示之改質層25的位置對應之值。如圖18所示，在側面影像500中顯示晶片21的背面21b與殘留於晶片21之加工痕（改質層25）。而且，改質層25越接近晶片21的背面21b，則對晶片21施加衝擊時晶片21越容易發生損壞，晶片21的強度變越低。因此，例如可將從改質層25起至晶片21的背面21b為止的距離S使用作為評價值。

在使用距離S作為評價值之情形中，在檢查晶片21前預先設定定義距離S的容許範圍之閾值。例如，設定距離S的下限值作為閾值。然後，對藉由拍攝晶片21所取得之側面影像500施加影像處理，而計算距離S。此外，距離S亦可藉由已目視確認側面影像500之操作員指定改質層25的位置與背面21b的位置而計算，亦可藉由對側面影像500施加影像處理而自動計算。

之後，藉由將距離S與閾值進行比較，而確認距離S的值是否落入容許範圍內。具體而言，在距離S為閾值（下限值）以上之情形中，晶片21的強度滿足基準，判定晶片21為正常。另一方面，在距離S低於閾值（下限值）之情形中，晶片21的強度不滿足基準，判定晶片21為異常。

但是，從側面影像500所提取之評價值並不受限於區域500a的階度值或距離S。例如，亦可將從改質層25起至晶片21的正面21a為止的距離、改質層25的厚度等使用作為評價值。

此外，在判定晶片21為異常之情形中，查明異常的原因，並因應需要而變更在分割步驟S1中之被加工物11的分割加工條件（雷射光束的照射條件、膠膜19的擴張條件等）。例如，在區域500a的階度值大於閾值（上限值）之情形中，藉由降低雷射光束310（參照圖16）的平均輸出，而減少被加工物11的改質程度。又，在距離S低於閾值（下限值）之情形中，調節雷射光束310（參照圖16）的聚光點的高度位置。藉此，將之後所形成之晶片21的強度維持在一定以上。

又，在重設被加工物11的分割加工條件時，藉由操作員而確認側面影像500。藉此，會直觀地掌握晶片21的改質狀態，變得容易查明晶片21的強度降低之原因。

如上所述，根據從側面影像500所提取之評價值而檢查晶片21的狀態，藉此更詳細地掌握在僅由測量單元200（參照圖2及圖3）所進行之抗撓強度的測量時不足以進行評價之晶片21的狀態（改質的程度、改質層25的位置等）。藉此，變得能對藉由分割被加工物11而得之晶片21進行適當的品質評價。

＜晶片的檢查例二＞ 接著，針對使用檢查裝置2（參照圖2及圖3）、雷射加工裝置300（參照圖16）及擴張裝置400（參照圖17（A）及圖17（B））之晶片的檢查方法的更詳細的具體例進行說明。圖19係表示第二晶片檢查方法之流程圖。在第二晶片檢查方法中，實施設定晶片的評價條件之評價條件設定步驟S10與評價晶片之評價步驟S20。

圖20（A）係表示在評價條件設定步驟S10中所使用之被加工物（第一被加工物）31之立體圖，圖20（B）係表示在評價步驟S20中所使用之被加工物（第二被加工物）41之立體圖。在評價條件設定步驟S10中，使用藉由分割被加工物31所得之晶片（第一晶片）而設定晶片的評價條件。又，在評價步驟S20中，評價藉由分割被加工物41所得之晶片（第二晶片）。

被加工物31具備大致互相平行的正面（第一面）31a及背面（第二面）31b，且藉由排列成網格狀之多條切割道（分割預定線）33而被劃分成多個矩形狀的區域。又，在藉由切割道33所劃分之多個區域分別形成有元件35。被加工物31相當於用於設定晶片的評價條件之晶圓。

被加工物41具備大致互相平行的正面（第一面）41a及背面（第二面）41b，且藉由排列成網格狀之多條切割道（分割預定線）43而被劃分成多個矩形狀的區域。又，在藉由切割道43所劃分之多個區域分別形成有元件45。被加工物41相當於用於製造產品用晶片之晶圓。

被加工物31、41的材質、形狀、構造、大小等可與被加工物11（參照圖1（A））同樣地設定。又，元件35、45的種類、數量、形狀、構造、大小、排列等可與元件15（參照圖1（A））同樣地設定。被加工物31、41分別隔著膠膜19而被框架17支撐。

在本晶片的檢查方法中，使用藉由分割被加工物31而得之第一晶片來選定評價條件，之後，根據該評價條件，評價藉由分割被加工物41而得之第二晶片。因此，被加工物31的材質、形狀、構造、大小等較佳為與被加工物41相同。又，元件35的種類、數量、形狀、構造、大小、排列等較佳為與元件45相同。但是，在第一晶片的強度與第二晶片的強度之間不產生大幅差異之範圍內，被加工物31與被加工物41、以及第一晶片與第二晶片亦可稍有差異。

圖21係表示檢查裝置2及雷射加工裝置300之方塊圖。在圖21中，除了表示檢查裝置2的控制單元290及雷射加工裝置300的控制單元312的功能性構成之方塊以外，還圖示了表示檢查裝置2的攝像單元116、測量單元200、顯示單元280之方塊以及表示雷射加工裝置300的雷射照射單元306之方塊。

檢查裝置2的控制單元290包含：設定部292，其執行設定被加工物的加工條件及晶片的評價條件所需的處理；檢查部294，其執行檢查晶片所需的處理；以及記憶部296，其記憶用於在設定部292及檢查部294中之處理之資訊（資料、程式等）。又，控制單元290包含收發部298，所述收發部298將資訊發送至檢查裝置2的外部，且接收從檢查裝置2的外部輸入之資訊。

雷射加工裝置300的控制單元312包含：處理部314，其執行被加工物的加工所需的處理；以及記憶部316，其記憶用於在處理部314中之處理之資訊（資料、程式等）。又，控制單元312包含收發部318，所述收發部318將資訊發送至雷射加工裝置300的外部，且接收從雷射加工裝置300的外部輸入之資訊。

檢查裝置2的收發部298與雷射加工裝置300的收發部318係透過網路而以有線或無線連接。因此，可在檢查裝置2與雷射加工裝置300之間進行資訊的收發。例如，記憶於檢查裝置2的記憶部296之資訊可從收發部298發送至雷射加工裝置300，記憶於雷射加工裝置300的記憶部316之資訊可從收發部318發送至檢查裝置2。

接著，一邊參照圖19～圖21一邊說明晶片檢查的具體例。藉由使檢查裝置2與雷射加工裝置300協作，而實施評價條件設定步驟S10與評價步驟S20。

首先，以多個加工條件加工多個被加工物31（第一被加工物，參照圖20（A）），藉此將被加工物31分別分割成多個第一晶片（第一分割步驟S11）。在第一分割步驟S11中，準備多個被加工物31，分別藉由雷射加工裝置300而加工被加工物31。

具體而言，首先，控制單元312的處理部314所包含之加工條件設定部314a設定用於雷射加工被加工物31之多個加工條件（雷射光束的照射條件等）。例如，藉由操作員而指定多個加工條件，加工條件設定部314a將被指定之多個加工條件寫入記憶部316所包含之加工條件記憶部316a。

接著，處理部314所包含之驅動控制部314b讀取被記憶於加工條件記憶部316a之第一加工條件，以利用第一加工條件將第一片被加工物31進行加工之方式，將控制信號輸出至雷射加工裝置300的各構成要素（雷射照射單元306等）。藉此，以第一加工條件將第一片被加工物31進行加工，在第一片被加工物31的內部沿著切割道33形成改質層（參照圖16）。

接著，驅動控制部314b讀取被記憶於加工條件記憶部316a之第二加工條件，以利用第二加工條件將第二片被加工物31進行加工之方式，將控制信號輸出至雷射加工裝置300的各構成要素。藉此，以第二加工條件將第二片被加工物31進行加工，在第二片被加工物31的內部沿著切割道33形成改質層（參照圖16）。

藉由重複上述的處理，分別以不同的加工條件將多個被加工物31進行加工，而在多個被加工物31的內部形成改質層。之後，多個被加工物31被搬送至擴張裝置400（參照圖17（A）及圖17（B）），並藉由擴張裝置400對被加工物31施加外力。藉此，將多個被加工物31分別分割成多個第一晶片。

此外，由雷射加工裝置300及擴張裝置400所進行之被加工物31的加工的詳細內容係與在前述的分割步驟S1（參照圖15）中之對於被加工物11的加工同樣。然後，已被分割成多個第一晶片之被加工物31分別被容納於卡匣8（參照圖2及圖3），並被搬送至檢查裝置2。又，用於被加工物31的加工之多個加工條件係從收發部318被發送至檢查裝置2。

接著，藉由拍攝第一晶片的側面，而取得顯示第一晶片的側面之第一側面影像（第一攝像步驟S12）。在第一攝像步驟S12中，將被加工物31從卡匣8（參照圖2及圖3）搬出，並配置於上推機構50的上方。又，藉由拾取機構70而從被加工物31拾取第一晶片，並將第一晶片搬送至側面觀察機構112。然後，藉由攝像單元116而拍攝第一晶片的側面，取得顯示第一晶片的側面之第一側面影像（參照圖18）。此外，由攝像單元116所進行之第一晶片的拍攝的詳細內容係與在前述的攝像步驟S2（參照圖15）中之晶片21的拍攝同樣。

將藉由攝像單元116所取得之第一側面影像輸入控制單元290的設定部292所包含之影像登錄部292a。又，將從雷射加工裝置300發送之加工條件（在形成第一晶片時之被加工物31的加工條件）輸入影像登錄部292a。然後，影像登錄部292a將第一晶片的第一側面影像與用於形成該第一晶片之加工條件登錄於記憶部296所包含之影像記憶部296a。藉此，第一側面影像在已與加工條件相關聯之狀態下被記憶於影像記憶部296a。

接著，測量第一晶片的抗撓強度（測量步驟S13）。在測量步驟S13中，已被攝像單元116拍攝側面之第一晶片被搬送至測量單元200（參照圖2及圖3），並藉由測量單元200而測量第一晶片的抗撓強度（參照圖12～圖14）。

將藉由測量單元200所測量之第一晶片的抗撓強度輸入控制單元290的設定部292所包含之強度登錄部292b。又，將從雷射加工裝置300發送之加工條件（在形成第一晶片時之被加工物31的加工條件）輸入強度登錄部292b。然後，強度登錄部292b將第一晶片的抗撓強度與用於形成該第一晶片之加工條件登錄於記憶部296所包含之強度記憶部296b。藉此，第一晶片的抗撓強度在已與加工條件相關聯之狀態下被記憶於強度記憶部296b。

分別對被容納於卡匣8（參照圖2及圖3）之多個被加工物31實施上述的第一攝像步驟S12及測量步驟S13。其結果，在影像記憶部296a中，針對每個加工條件記憶多個第一側面影像，在強度記憶部296b中，針對每個加工條件記憶多個第一晶片的抗撓強度。

接著，將多個加工條件之中能形成抗撓強度最高之第一晶片的加工條件設定成分割加工條件（分割加工條件設定步驟S14）。在分割加工條件設定步驟S14中，根據被記憶於強度記憶部296b之第一晶片的抗撓強度，而設定在後續步驟中以雷射加工裝置300加工被加工物41（參照圖20（B））時的加工條件。

具體而言，首先，控制單元290的設定部292所包含之分割加工條件設定部292c針對每個加工條件讀取被記憶於強度記憶部296b之多個第一晶片的抗撓強度。然後，強度記憶部296b將多個第一晶片的抗撓強度進行比較，特定出抗撓強度最高之第一晶片的抗撓強度。

之後，強度記憶部296b選定被用於形成抗撓強度最高之第一晶片之加工條件作為分割加工條件，並將分割加工條件寫入記憶部296所包含之分割加工條件記憶部296c。藉此，用於形成高抗撓強度之晶片的分割加工條件被登錄於分割加工條件記憶部296c。

接著，將顯示藉由以分割加工條件加工第一被加工物所形成之第一晶片的側面之第一側面影像設定成基準影像（基準影像設定步驟S15）。在基準影像設定步驟S15中，從被記憶於影像記憶部296a之多個第一側面影像中選定成為後述的閾值設定的基準之第一側面影像。

具體而言，首先，控制單元290的設定部292所包含之基準影像設定部292d針對每個加工條件讀取被記憶於影像記憶部296a之多個第一側面影像。又，基準影像設定部292d讀取被記憶於分割加工條件記憶部296c之分割加工條件。

之後，基準影像設定部292d特定出多個第一側面影像中顯示藉由以分割加工條件加工被加工物31所形成之第一晶片（抗撓強度最高之第一晶片）的側面之第一側面影像。然後，基準影像設定部292d將所特定之第一側面影像作為基準影像而寫入記憶部296所包含之基準影像記憶部296d。藉此，高抗撓強度之晶片的第一側面影像作為基準影像而被登錄於基準影像記憶部296d。

接著，設定從基準影像所提取之評價值的閾值（閾值設定步驟S16）。在閾值設定步驟S16中，從記憶於基準影像記憶部296d之基準影像提取成為晶片的評價基準之評價值，且設定該評價值的閾值。

具體而言，首先，控制單元290的設定部292所包含之閾值設定部292e讀取被記憶於基準影像記憶部296d之基準影像。然後，基準影像記憶部296d藉由對基準影像施加影像處理，而提取與晶片的強度對應之預定值作為評價值。此外，評價值的具體例係如同前述。例如，提取與在第一側面影像中顯示改質層之區域中之階度對應之值、與第一側面影像所顯示之改質層的位置對應之值作為評價值（參照圖18）。

接著，閾值設定部292e將定義所提取之評價值的容許範圍之閾值寫入記憶部296所包含之閾值記憶部296e。藉此，用於評價晶片之閾值被登錄於閾值記憶部296e。

例如，操作員一邊目視確認顯示於顯示單元280之基準影像，一邊選定預想晶片的強度被維持在一定以上之評價值的範圍，並輸入檢查裝置2。然後，閾值設定部292e將藉由操作員所選定之閾值寫入閾值記憶部296e。但是，閾值設定部292e亦可將依照預定的條件而自主地選定之閾值寫入閾值記憶部296e。

藉由上述的評價條件設定步驟S10（第一分割步驟S11～閾值設定步驟S16）而特定出用於得到高抗撓強度之晶片的分割加工條件，且選定用於檢查晶片的狀態的閾值。然後，被記憶於分割加工條件記憶部296c之分割加工條件從收發部298被發送至雷射加工裝置300，並被記憶於雷射加工裝置300的記憶部316所包含之加工條件記憶部316a。

接著，藉由以分割加工條件加工被加工物41（第二被加工物，參照圖20（B）），而將被加工物41分割成多個第二晶片（第二分割步驟S21）。被加工物41係用於製造實際的產品之產品用被加工物。亦即，藉由分割被加工物41，而製造預計作為實際產品出貨的第二晶片。

在第二分割步驟S21中，藉由雷射加工裝置300而加工被加工物41，在被加工物41的內部沿著切割道43形成改質層（參照圖16）。此時，雷射加工裝置300的處理部314所包含之驅動控制部314b讀取從檢查裝置2被發送並被記憶於加工條件記憶部316a之分割加工條件。然後，驅動控制部314b係以利用分割加工條件加工被加工物41之方式，將控制信號輸出至雷射加工裝置300的各構成要素（雷射照射單元306等）。藉此，藉由以形成高強度之晶片的方式被選定之分割加工條件而加工被ㄅ加工物41。

形成有改質層之被加工物41被搬送至擴張裝置400（參照圖17（A）及圖17（B）），並藉由擴張裝置400而對被加工物41施加外力。藉此，被加工物41被分割成多個第二晶片。

此外，由雷射加工裝置300及擴張裝置400所進行之被加工物31的加工的詳細內容係與在前述的分割步驟S1（參照圖15）中之對被加工物11的加工同樣。然後，已被分割成多個第二晶片之被加工物41被容納於卡匣8（參照圖2及圖3），並被搬送至檢查裝置2。

接著，藉由拍攝第二晶片的側面，而取得顯示第二晶片的側面之第二側面影像（第二攝像步驟S22）。在第二攝像步驟S22中，藉由側面觀察機構112的攝像單元116而拍攝第二晶片的側面。藉此，取得顯示第二晶片的側面之第二側面影像（參照圖18）。此外，由攝像單元116所進行之第二晶片的拍攝的詳細內容係與在前述的攝像步驟S2（參照圖15）中之晶片21的拍攝同樣。

接著，藉由將從第二側面影像所提取之評價值與閾值進行比較，而檢查第二晶片的狀態（檢查步驟S23）。在檢查步驟S23中，從第二側面影像提取與第二晶片的強度對應之預定值作為評價值。然後，藉由判定評價值是否在預定的容許範圍內，而檢查第二晶片的狀態為正常或異常。此外，第二晶片的檢查的詳細內容係與在前述的檢查步驟S3（參照圖15）中之晶片21的檢查同樣。

具體而言，將藉由攝像單元116所取得之第二側面影像輸入控制單元290的檢查部294所包含之側面檢查部294a。然後，側面檢查部294a藉由對第二側面影像施加預定的影像處理，而從第二側面影像提取評價值。例如，與前述的檢查步驟S3（參照圖15）同樣地，提取與在第二側面影像中顯示改質層之區域中之階度對應之值、與第二側面影像所顯示之改質層的位置對應之值作為評價值。

又，側面檢查部294a讀取被記憶於閾值記憶部296e之閾值，並將評價值與閾值進行比較。藉此，判定評價值是否在預定容許範圍內。然後，在評價值在容許範圍內之情形中，判定第二晶片為正常，在評價值超出容許範圍之情形中，判定第二晶片為異常。

之後，檢查部294所包含之通知部294c將控制信號輸出至顯示單元280，並使與檢查結果對應之資訊顯示於顯示單元280。藉此，將第二晶片的檢查結果通知操作員（通知步驟S24）。

此外，由檢查部294所進行之檢查的結果，在判定第二晶片為異常之情形中，通知部294c將控制信號輸出至顯示單元280，並顯示通知第二晶片的異常之錯誤資訊。藉此，例如將通知評價值為異常值之主旨之警告信息顯示於顯示單元280。

又，檢查裝置2除了顯示單元280以外，亦可具備對操作員通報資訊之通報單元（通報部、通報裝置）。例如，設置顯示燈（警告燈）作為通報單元。在此情形中，通知部294c藉由使顯示燈亮燈或閃爍，而對操作員通知錯誤。又，亦可設置揚聲器作為通報單元。在此情形中，通知部294c藉由使揚聲器發出通知異常之聲音或語音，而通知操作員錯誤。

再者，由檢查部294所進行之檢查的結果，亦可從收發部298被發送至雷射加工裝置300。在此情形中，雷射加工裝置300亦可將第二晶片的檢查結果通知操作員。例如，與檢查裝置2同樣地，雷射加工裝置300具備顯示單元，控制單元312使通知第二晶片的異常之錯誤資訊顯示於顯示單元。藉此，可使通知評價值為異常值之主旨之警告信息、催促變更加工條件（雷射照射條件等）之指示信息等顯示於雷射加工裝置300的顯示單元。

藉由上述的評價步驟S20（第二分割步驟S21～通知步驟S24）而檢查第二晶片。然後，評價值超出容許範圍的第二晶片係作為不良晶片而被從產品用的晶片排除。

此外，在檢查步驟S23中，除了第二側面影像的判定以外，亦可進行第二晶片的抗撓強度的測量。在此情形中，已被攝像單元116拍攝側面之第二晶片被搬送至測量單元200（參照圖2及圖3），並藉由測量單元200而測量第二晶片的抗撓強度（參照圖12～圖14）。

將藉由測量單元200所測量之第二晶片的抗撓強度輸入控制單元290的檢查部294所包含之強度檢查部294b。然後，強度檢查部294b將所測量之第二晶片的抗撓強度與預先被記憶於記憶部296之閾值進行比較，藉此判定第二晶片的抗撓強度是否在預定的容許範圍內。

之後，檢查部294所包含之通知部294c例如將控制信號輸出至顯示單元280，並使與由強度檢查部294b所進行之抗撓強度的檢查結果對應之資訊顯示於顯示單元280。藉此，將第二晶片的檢查結果通知操作員（通知步驟S24）。

如同上述，在本實施方式之晶片的檢查方法中，根據從顯示晶片的側面之側面影像所提取之評價值而檢查晶片的狀態。藉此，更詳細地掌握在僅測量晶片的抗撓強度時不足以進行評價之晶片的狀態，而變得能對藉由分割被加工物而得之晶片進行適當的品質評價。

此外，在上述實施方式中，雖針對使用雷射加工裝置300分割被加工物之例子進行說明（參照圖16），但亦可使用其他加工裝置分割被加工物。例如，亦可藉由以切割裝置切割被加工物，而分割被加工物11。

切割裝置具備：卡盤台，其保持被加工物；以及切割單元，其切割被加工物。在切割單元中內建有主軸，且在主軸的前端部裝設環狀的切割刀片。以卡盤台保持被加工物，使切割刀片一邊旋轉一邊切入被加工物，藉此沿著切割道切割被加工物，而分割成多個晶片。

若以切割刀片切割被加工物，則會在晶片的側面（被分割面、被加工面）殘留崩裂。此崩裂會對晶片的強度造成影響。因此，在檢查步驟S3（參照圖15）及檢查步驟S23（參照圖19）中，亦可從側面影像提取表示殘留於晶片之崩裂的長度、寬度、位置等之值以作為評價值，並用於評價晶片。

又，在上述實施方式中，雖針對藉由檢查裝置2所具備之攝像單元116而拍攝晶片的側面之情形進行說明，但雷射加工裝置300（參照圖16）、擴張裝置400（參照圖17（A）及圖17（B））亦可具備能拍攝晶片的側面之攝像單元。在此情形中，亦可使用雷射加工裝置300或擴張裝置400進行晶片的檢查。

另外，上述實施方式之構造、方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，則可進行適當變更並實施。

11:被加工物 11a:正面（第一面） 11b:背面（第二面） 13:切割道（分割預定線） 15:元件 17:框架 17a:開口 19:膠膜 21:晶片 21a:正面（第一面） 21b:背面（第二面） 21c:側面 23:碎片 25:改質層（變質層） 31:被加工物（第一被加工物） 31a:正面（第一面） 31b:背面（第二面） 33:切割道（分割預定線） 35:元件 41:被加工物（第二被加工物） 41a:正面（第一面） 41b:背面（第二面） 43:切割道（分割預定線） 45:元件 2:檢查裝置（測量裝置、試驗裝置） 4:基台 4a:開口 4b:開口 6:卡匣載置台 8:卡匣 10:暫置機構 12:導軌 12a:第一支撐面 12b:第二支撐面 14:框架固定機構 16:框架支撐部 18:框架按壓部 18a:切口部 20:搬送機構 22a:第一握持部 22b:第二握持部 30:移動機構 32:X軸移動機構 34:X軸導軌 36:X軸滾珠螺桿 38:X軸脈衝馬達 40:移動板 42:Y軸移動機構 44:Y軸導軌 46:Y軸滾珠螺桿 48:Y軸脈衝馬達 50:上推機構 60:攝像單元 70:拾取機構 72:移動塊 74:臂部 74a:第一支撐部 74b:第二支撐部 74c:下表面 76:筒夾 76a:吸引面 80:筒夾移動機構 82:Y軸移動機構 84:Y軸導軌 86:Y軸滾珠螺桿 88:Y軸脈衝馬達 90:移動板 92:Z軸移動機構 94:Z軸導軌 96:Z軸滾珠螺桿 98:Z軸脈衝馬達 100:晶片觀察機構（晶片觀察單元） 102:下表面觀察機構 104:支撐基台 106:支撐構造 106a:保持面 108:攝像單元（下表面攝像單元） 110:防振構件 112:側面觀察機構 114:晶片支撐台 114a:支撐面 116:攝像單元（側面攝像單元） 120:外殼 122:攝像元件 124:干涉物鏡 126:光照射部 128:半反射鏡 130:壓電元件 132:電源 134:物鏡 136:玻璃板 138:參考鏡 140:半反射鏡 150:晶片反轉機構 150a:基底部 150b:連接部 150c:晶片保持部 150d:保持面 200:測量單元（測量機構） 204:下部容器（容納部） 204a:上表面 204b:開口 204c:下表面（底面） 204d:排出口 206:支撐單元 208:支撐台 208a:上表面 208b:支撐部 210:間隙 212:接觸構件 212a:接觸面 214:支撐台移動機構 216:支撐構造 218:導軌 220:滾珠螺桿 222:脈衝馬達 224:移動板 226:推壓單元 228:移動基台 230:第一支撐構件 232:負載量測器 234:第二支撐構件 236:夾持構件 236a:夾持面 238:壓頭 240:移動機構 242:支撐構造 244:導軌 246:滾珠螺桿 248:脈衝馬達 250:連接構件 250a:上部容器支撐部 252:上部容器（蓋） 252a:下表面 252b:開口 252c:上表面 252d:壓頭***孔 252e:側壁 252f:噴嘴***孔 254:氣體供給單元 256:噴嘴 256a:前端 258:閥 260:氣體供給源 262:排出單元 264:排出路徑 266:閥 268:吸引源 270:回收部 272:攝像單元 274:光源 280:顯示單元（顯示部、顯示裝置） 290:控制單元（控制部、控制裝置） 292:設定部 292a:影像登錄部 292b:強度登錄部 292c:分割加工條件設定部 292d:基準影像設定部 292e:閾值設定部 294:檢查部 294a:側面檢查部 294b:強度檢查部 294c:通知部 296:記憶部 296a:影像記憶部 296b:強度記憶部 296c:分割加工條件記憶部 296d:基準影像記憶部 296e:閾值記憶部 298:收發部 300:雷射加工裝置 302:卡盤台（保持台） 302a:保持面 304:夾具 306:雷射照射單元 308:雷射加工頭 310:雷射光束 312:控制單元（控制部、控制裝置） 314:處理部 314a:加工條件設定部 314b:驅動控制部 316:記憶部 316a:加工條件記憶部 318:收發部 400:擴張裝置 402:鼓輪 404:滾輪 406:支撐構件 408:工作台 408a:開口 410:夾具 500:側面影像 500a:區域

圖1（A）係表示被加工物之立體圖，圖1（B）係表示已被分割成多個晶片之被加工物之立體圖。 圖2係表示檢查裝置之立體圖。 圖3係省略構成要素的一部分而表示檢查裝置之立體圖。 圖4係表示拾取機構之立體圖。 圖5（A）係表示下表面觀察機構之立體圖，圖5（B）係表示保持臂部的第二支撐部之下表面觀察機構之立體圖。 圖6（A）係表示拍攝晶片的下表面之攝像單元之前視圖，圖6（B）係表示拍攝晶片的側面之攝像單元之前視圖。 圖7（A）係表示下表面觀察機構的攝像單元之局部剖面前視圖，圖7（B）係表示干涉物鏡之示意圖。 圖8（A）係表示晶片反轉機構之立體圖，圖8（B）係表示保持晶片之晶片反轉機構之立體圖，圖8（C）係表示已使晶片反轉之晶片反轉機構之立體圖。 圖9係表示測量單元之立體圖。 圖10係表示支撐單元之立體圖。 圖11係表示推壓單元之立體圖。 圖12係表示晶片被支撐單元支撐之狀態的測量單元之剖面圖。 圖13係表示晶片已與支撐台的支撐部接觸之狀態的測量單元之剖面圖。 圖14係表示晶片已被破壞之狀態的測量單元之剖面圖。 圖15係表示第一晶片檢查方法之流程圖。 圖16係表示雷射加工裝置之局部剖面前視圖。 圖17（A）係表示擴張裝置之局部剖面前視圖，圖17（B）係表示擴張膠膜之擴張裝置之局部剖面前視圖。 圖18係表示晶片的側面影像之影像圖。 圖19係表示第二晶片檢查方法之流程圖。 圖20（A）係表示在評價條件設定步驟中所使用之第一被加工物之立體圖，圖20（B）係表示在評價步驟中所使用之第二被加工物之立體圖。 圖21係表示檢查裝置及雷射加工裝置之方塊圖。

11:被加工物

11a:正面(第一面)

11b:背面(第二面)

13:切割道(分割預定線)

15:元件

17:框架

17a:開口

19:膠膜

21:晶片

Claims (4)

1. 一種晶片的檢查方法，其特徵在於，包含： 分割步驟，其藉由將被加工物以預定的分割加工條件進行加工，而將該被加工物分割成多個晶片； 攝像步驟，其藉由拍攝該晶片的側面，而取得顯示該晶片的側面之側面影像；以及 檢查步驟，其藉由將從該側面影像所提取之評價值與閾值進行比較，而檢查該晶片的狀態。
2. 一種晶片的檢查方法，其特徵在於，包含： 第一分割步驟，其藉由將多個第一被加工物以多個加工條件進行加工，而將該第一被加工物分別分割成多個第一晶片； 第一攝像步驟，其藉由拍攝該第一晶片的側面，而取得顯示該第一晶片的側面之第一側面影像； 測量步驟，其測量該第一晶片的抗撓強度； 分割加工條件設定步驟，其將多個該加工條件之中能形成抗撓強度最高之該第一晶片的加工條件設定成分割加工條件； 基準影像設定步驟，其將顯示藉由將該第一被加工物以該分割加工條件進行加工所形成之該第一晶片的側面之該第一側面影像設定成基準影像； 閾值設定步驟，其設定從該基準影像所提取之評價值的閾值； 第二分割步驟，其藉由將第二被加工物以該分割加工條件進行加工，而將該第二被加工物分割成多個第二晶片； 第二攝像步驟，其藉由拍攝該第二晶片的側面，而取得顯示該第二晶片的側面之第二側面影像；以及 檢查步驟，其藉由將從該第二側面影像所提取之評價值與該閾值進行比較，而檢查該第二晶片的狀態。
3. 如請求項1之晶片的檢查方法，其中，該分割步驟包含： 改質層形成步驟，其藉由沿著切割道照射對該被加工物具有穿透性之雷射光束，而在該被加工物的內部沿著該切割道形成改質層；以及 外力施加步驟，其藉由對該被加工物施加外力，而以該改質層為起點，將該被加工物沿著該切割道進行分割。
4. 如請求項3之晶片的檢查方法，其中，該評價值係與在該側面影像的顯示該改質層之區域中之階度對應之值，或與該側面影像所顯示之該改質層的位置對應之值。