TW202320241A

TW202320241A - 電子裝置

Info

Publication number: TW202320241A
Application number: TW111114000A
Authority: TW
Inventors: 何家齊; 紀仁海; 丁景隆
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2021-07-13
Filing date: 2022-04-13
Publication date: 2023-05-16
Also published as: TWI818509B; CN115623678A

Abstract

本揭露提供一種電子裝置包括基板、第一金屬層、電子部件、覆蓋層以及黏著層。第一金屬層形成在基板上。電子部件接合至基板且電連接第一金屬層。黏著層黏附至基板以及覆蓋層。

Description

電子裝置

本發明是有關於一種電子裝置。

電子裝置的應用領域越來普及，部分電子裝置需被應用且裝設於戶外空間。因此，電子裝置的環境可靠度為極需注重的課題。

本發明的電子裝置包括基板、第一金屬層、電子部件以及黏著層。第一金屬層形成在基板上。電子部件接合至基板且電連接第一金屬層。黏著層黏附至基板以及覆蓋層。

通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。

本揭露通篇說明書與所附的請求項中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。

在下文說明書與請求項中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。

應了解到，當元件或膜層被稱為「設置在」另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有***的元件或膜層(非直接情況)。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有***的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「電連接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或非直接電連接。

術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。

雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。請求項中可不使用相同術語，而依照請求項中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在請求項中可能為第二組成元件。

本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間可具有開關、二極管、電容、電感、電阻、其他適合的元件、或上述元件的組合，但不限於此。

在本揭露中，長度、寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距的量測方式可以是採用光學顯微鏡(optical microscopy，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式量測而得，詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包括欲量測的元件的剖面結構影像，並量測各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。

另外，本揭露中所提到的術語“等於”、“相等”、“相同”、“實質上” 、“約”或“大致上”通常代表落在給定數值或範圍的10%之內、5%之內、3%之內、2%之內、1%之內、或0.5%之內的範圍。此外，用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)可具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成可具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。

在本揭露中，電子裝置可包括顯示裝置、發光裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。在本揭露中，電子部件可包括被動元件與主動元件，例如晶片(chip)、電容(capacitor)、電阻(resistor)、電感(inductor)、二極體(diode)、電晶體(transistor)等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。在本揭露中，顯示面板可包括自發光或非自發光面板。自發光面板例如包括有機發光二極體(OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(QD LED)，但不以此為限。非自發光面板例如包括液晶、或其他合適材料。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以拼接裝置來說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。

須說明的是，下文中不同實施例所提供的技術方案可相互替換、組合或混合使用，以在未違反本揭露精神的情況下構成另一實施例。

圖1為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。在圖1中，電子裝置100包括基板110、第一金屬層120、電子部件130、覆蓋層140以及黏著層150。第一金屬層120形成在基板110上。電子部件130接合至基板110且電連接第一金屬層120。黏著層150黏附至基板110及覆蓋層140。覆蓋層140與基板110彼此相對設置，且第一金屬層120與電子部件130位在基板與覆蓋層140之間。黏著層150用於將基板110與覆蓋層140連接在一起。在一些實施例中，黏著層150設置於電子裝置100的周邊且可以為呈環狀圖案(例如由上視圖來看)。如此，基板110、覆蓋層140與黏著層150可以包圍電子部件130與第一金屬層120，藉此封裝電子部件130、第一金屬層120或其他形成於基板上的元件，可降低外在水氣或氧氣對電子部件130的影響，進而提升可電子裝置可靠度，但不以此為限。在其他實施例中，電子部件130可以利用其他的方式被包覆起來，而可省略覆蓋層140與黏著層150中至少一者。舉例而言，例如可在基板110上形成一封裝層並包圍電子部件130或其他形成於基板上的元件，而可省略覆蓋層140與黏著層150中至少一者，但不以此為限，其中封裝層材料可為透光或不透光材料。

基板110可以是玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或是其他具有足夠支撐性質的元件。舉例而言，基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料）、或是其它可適用的材料其中之一的單層或堆疊，或上述至少二種材料的堆疊或混合，不限於此。在此，可作為基板110的塑膠基板包括，但不以此為限，聚醯亞胺基板、液晶高分子基板、環烯烴聚合物(Cyclo Olefin Polymer, COP)基板、聚甲基丙烯酸甲酯(poly (methyl methacrylate, PMMA)基板、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)基板、聚四氟乙烯基板(Poly tetra fluoroethylene, PTFE)等，但不以此為限。

在一些實施例中，電子裝置100是可以接收多種電磁波頻寬的裝置，例如天線裝置。第一金屬層120例如是接地金屬層且第一金屬層120以大面積的方式設置在基板110上。舉例而言，第一金屬層120可佔據基板110的面積的80%~90%。第一金屬層120可堆疊於基板110上。在一些實施例中，第一金屬層120可利用沉積、印刷、電鍍等方式形成在基板110上。舉例而言，以沉積來說，第一金屬層120可利用濺鍍、蒸鍍等方式形成在基板110上。第一金屬層120的材質包括銅、錫、鎳或其他金屬。在一些實施例中，第一金屬層120可以是電鍍於基板110上的銅層，但不以此為限。

第一金屬層120可具有多個開孔122，但圖1僅示出一個開孔122以方便說明。根據一些實施例，開孔122兩側的第一金屬層120為連續的，且都電性接地。也就是說，開孔122可以是封閉的圖案，且被第一金屬層120的材料包圍。開孔122的寬度W122可與電子裝置100可接收/發出的電磁波訊號的波長有關。因此，開孔122的寬度W122可依據電子裝置100需要的功能而決定。

電子部件130的設置位置可對應第一金屬層110的開孔122。詳細而言，在基板110的法線方向DN上，電子部件130重疊開孔122。在圖1中，第一方向D1垂直法線方向DN，電子部件130在第一方向D1上具有一寬度W，開孔122在第一方向D1上具有一寬度W122，其中寬度W大於寬度W122。在一些實施例中，電子部件130可以重疊開孔122的一側S1的第一金屬層120也重疊開孔122的另一側S2的第一金屬層120。電子部件130可電連接第一金屬層120。具體而言，電子部件130透過對應的接合墊P1與接合墊P2電性連接至第一金屬層120，使得電子部件130接合且固定於基板110上。在一些實施例中，電子部件130可包括電容、半導體晶片等。電子部件130可例如是變容器(varactor)或是集成電路(IC)晶片，但不以此為限。

覆蓋層140可以具有板狀的結構，但不以此為限。在一些實施例中，覆蓋層140可以是玻璃基板、陶瓷基板、聚醯亞胺基板、液晶高分子基板、環烯烴聚合物(Cyclo Olefin Polymer, COP)基板、壓克力基板(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基板)、聚碳酸酯(PC)基板、聚四氟乙烯基板(Poly tetra fluoroethylene, PTFE)等。覆蓋層140與基板110可以為相同材質或是不同材質。根據一些實施例，覆蓋層140可以接觸電子部件130。進一步而言，覆蓋層140可以接觸電子部件130的一上表面，使得電子部件130可用於維持基板110與覆蓋層140之間的距離，但不以此為限。

黏著層150用於黏附基板110與覆蓋層140，也就是說基板110與覆蓋層140可透過黏著層150彼此固定。黏著層150可以設置於電子裝置100的周邊。因此，基板110、覆蓋層140與黏著層150可以圍出一空間，且第一金屬層120、電子部件130等構件可以設置在基板110、覆蓋層140與黏著層150圍出來的空間中。黏著層150可以是框膠材料或是其他的膠材。黏著層150可以是可固化的材料，例如熱固化膠、光固化膠等。黏著層150、基板110與覆蓋層140的外側側壁可以彼此切齊也可以不互相對齊。在一些實施例中，覆蓋層140可省略而直接以黏著層150覆蓋電子部件130，使電子部件130被黏著層150與基板110包覆。

另外，電子裝置100還包括電晶體160。電晶體160在圖1中可形成在基板110上，但不以此為限。在其他實施例中，電晶體160可以形成在覆蓋層140上。電晶體160可以電連接電子部件130，以調整或控制電子部件130的特性。舉例而言，電子部件130為變容器時，電子部件130可以電連接電晶體160以利用電晶體160調整與控制電子部件130的電容大小。如此一來，電晶體160的電容大小可決定電子裝置100接收/發出的電磁波訊號的頻率。換言之，電子裝置100是可以接收/發出不同頻率的電磁波訊號的裝置。在一些實施例中，電晶體160可以是薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)、具有獨立封裝的電晶體或是其他形式的電晶體。以薄膜電晶體為例，電晶體160可以由半導體層、多層導電層與多層絕緣層等多個層堆疊而構成。

根據一些實施例，電子裝置100還包括形成在基板110上的第二金屬層170。第二金屬層170用於將電子部件130電連接至電晶體160。第二金屬層170的製作方法與材質可參照第一金屬層120，但不以此為限。第二金屬層170與第一金屬層120可採用相同材料或是不同材料製作。另外，電子裝置100還包括形成在基板110上的接合墊P3，且第二金屬層170延伸在接合墊P3與電晶體160之間。電子部件130可連接至接合墊P3而通過接合墊P3與第二金屬層160電連接至電晶體160。根據一些實施例，電子部件130可通過接合墊P1與接合墊P2電連接至第一金屬層120且通過接合墊P3電連接至第二金屬層170以及電晶體160，因此電子部件130可以具有三個接點，但不以此為限。接合墊P1、接合墊P2與接合墊P3例如是焊錫，但不以此為限。舉例而言，第二金屬層170以及電晶體160可形成於覆蓋層140上，接著透過黏著層150黏附基板110與覆蓋層140，但不以此為限。

第一金屬層120設置於第二金屬層170與基板110之間，且如圖1所示，電子裝置100還包括設置於第一金屬層120與第二金屬層170之間的絕緣層IL。絕緣層IL可包括無機絕緣材料、有機絕緣材料等絕緣材料。在一些實施例中，絕緣層IL可以由多種絕緣材料堆疊而成的多層結構層。無機絕緣材料例如氧化矽(silicon oxide，SiO _x)、氮化矽(silicon nitride，SiN _x)、氮氧化矽(silicon oxide nitride，SiO _xN _y)等，而無機絕緣材料例如聚醯亞胺、光阻材料、平坦層材料等，但不以此為限。

根據一些實施例，電子部件130、電晶體160等構件設置在基板110與覆蓋層140之間且基板110與覆蓋層140黏附於黏著層150的相對兩側，這可使得電子部件130與電晶體160被包圍在黏著層150、基板110與覆蓋層140圍繞的空間中而可保護電子部件130與電晶體160不易受損。另外，電子裝置100還可包括填充材料180。填充材料180介於基板110與覆蓋層140之間。填充材料180可以是具有低介電常數( dielectric constant, Dk )的材料或是低介電損失( dielectric Loss, Df )的材料，其中填充材料180的介電損失係數在高頻下(例如1 GHz下)大於0且小於等於4。在一些實施例中，填充材料180的介電損失係數例如大於0且小於等於3.5，但不以此為限。由於信號的傳播延遲取決於介電常數的大小、介電損失係數的大小和傳輸線結構。舉例而言，傳播時間與介電常數的平方根成正比，因此使用低介電常數的基板材料可以減少訊號的傳播延遲，或可降低導線之間的耦合電容值，進而降低訊號之間的串擾( Cross Talk ) ，但不以此為限。填充材料180的設置可不影響電子部件130的電性特性，且不影響電子裝置100對電磁波的收發。填充材料180在一些實施例中可以為空氣或是其他氣體(例如惰性氣體等)。填充材料180在一些實施例中可以為膠。填充材料180在一些實施例中可以為味之素堆積膜(Ajinomoto build-up film , ABF)。填充材料180在一些實施例中可以為雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(bismaleimide–triazine, BT)。填充材料180在一些實施例中可以為液態材料。填充材料180可填滿基板110與覆蓋層140之間的體積，但不以此為限。舉例而言，電子部件130與接合墊P1~P3之間可能存在空隙，而未被填充材料180完全填滿，但不以此為限。

根據一些實施例，電子部件130與電晶體160等電子構件可被基板110、覆蓋層140、黏著層150與填充材料180包覆。因此，電子部件130與電晶體160不容易受潮或是被氧化，而不容易損壞。在一些實施例中，電子裝置100可以是經封裝的可收發多重頻率的電磁波的裝置。

圖2為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖2的電子裝置200大致類似圖1的電子裝置100，且兩實施例中相同的元件符號可表示相同及/或類似的元件而可彼此參照。電子裝置200包括基板110、第一金屬層120、電子部件130、覆蓋層140、黏著層150、電晶體160、第二金屬層170、填充材料180與絕緣層IL。在圖2中，電子裝置200還包括間隙物290。間隙物290設置在基板110與覆蓋層140之間。在一些實施例中，間隙物290可以維持基板110與覆蓋層140之間的距離，使得覆蓋層140不接觸及/或抵壓電子部件130。舉例而言，間隙物290的高度H290可大於電子部件130的高度H130。在一些實施例中，電子部件130為半導體晶片時，高度H130例如為0.2mm至0.5mm。如此，間隙物290的高度H290例如為毫米或次毫米等級。間隙物290可以為球狀間隙物，且間隙物290可以規則的或是不規則的分布於電子裝置100中。在其他實施例中，間隙物290可以是其他形式的間隙物。

圖3為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖2的電子裝置300大致類似圖2的電子裝置200，且兩實施例中相同的元件符號可表示相同及/或類似的元件。電子裝置300包括基板110、第一金屬層120、電子部件130、覆蓋層140、黏著層150、電晶體160、第二金屬層170、填充材料180、間隙物390與絕緣層IL。具體而言，電子裝置300不同於電子裝置200之處主要在於間隙物390，而電子裝置300的其餘元件可參照圖1與圖2的說明。根據一些實施例，間隙物390例如為柱狀間隙物。間隙物390的寬度W390可以由一端向另一端變化，但不以此為限。舉例而言，間隙物390的寬度W390在圖2中是以由接近基板110的一端向接近覆蓋層140的一端逐漸減小來說明，例如間隙物390可為梯形，但不以此為限。在其他實施例中，間隙物390的寬度W390可以是由接近基板110的一端向接近覆蓋層140的一端逐漸增加，例如間隙物390可為倒梯形，但不以此為限。在一些實施例中，間隙物390的寬度W390可以是由接近基板110的一端向接近覆蓋層140的一端維持一致。另外，間隙物390的高度H390可參照圖1中間隙物290的高度H290。舉例而言，間隙物390的高度H390可以大於電子部件130的高度H130。間隙物390的高度H390可以是毫米或次毫米等級。在一些實施例中，間隙物390可採用微影法製作。間隙物390的材質例如包括光阻材料，但不以此為限。

圖4為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖4的電子裝置400大致類似圖1的電子裝置100，且兩實施例中相同的元件符號可表示相同及/或類似的元件而可彼此參照。電子裝置400包括基板110、第一金屬層120、電子部件130、覆蓋層140、黏著層450、電晶體160、第二金屬層170與絕緣層IL，其中電子裝置400不同於電子裝置100之處主要在於，電子裝置400的黏著層450取代了圖1中的黏著層150與填充材料180。如圖4所示，黏著層450連續的設置於基板110與覆蓋層130之間，且直接接觸電子部件130與電晶體160。黏著層450可以具有低介電常數( dielectric constant, Dk )或是低介電損失( dielectric Loss, Df )。在一些實施例中，黏著層450可包括矽膠、壓克力膠或其他膠。在一些實施例中，黏著層450可以為味之素堆積膜(Ajinomoto build-up film , ABF)或是雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(bismaleimide–triazine, BT)。黏著層450可填滿基板110與覆蓋層140之間的體積，但不以此為限。舉例而言，電子部件130下方的接合墊P1~P3之間可能存在空隙VD，而未被黏著層450完全填滿，但不以此為限。

圖5為為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖5的電子裝置500大致類似圖1的電子裝置100，且兩實施例中相同的元件符號可表示相同及/或類似的元件而可彼此參照。電子裝置500包括基板110、第一金屬層120、電子部件130、覆蓋層140、黏著層150、電晶體160、第二金屬層170與填充材料180。電子裝置500不同於電子裝置100之處主要在於：電子裝置500的電晶體160與第二金屬層170形成於覆蓋層140上，且電子裝置500更包括間隙物592與間隙物594。

根據一些實施例，電子部件130可透過接合墊P3連接至形成在覆蓋層140上的第二金屬層170，第二金屬層170延伸於電晶體160與接合墊P3之間，且電晶體160通過第二金屬層170電連接電子部件130。另外，間隙物592設置在基板110與覆蓋層140之間以維持基板110與覆蓋層140之間的距離，而間隙物594設置在第一金屬層120與第二金屬層170之間以避免兩金屬層短路。間隙物592的高度可以大於間隙物594的高度。間隙物592與間隙物594在圖5中以球狀間隙物為例，但不以此為限。在一些實施例中，間隙物592與間隙物594可以為柱狀間隙物(類似圖3中的間隙物390)。

圖6為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖6主要示出電子裝置600中的部分構件以便說明。應理解，電子裝置600可包括前述實施例所說明的其他構件，甚至本文未提出的其他構件。圖6中，電子裝置600包括第一金屬層120、多個電子部件130、多個電晶體160、第二金屬層170、多條訊號線SL1以及多條訊號線SL2。圖6可以做為圖1至圖5中第一金屬層120、電子部件130、電晶體160與第二金屬層170在上視圖中的一種實施方式，但不以此為限。

第一金屬層120具有多個開孔122。開孔122的寬度W122可與電子裝置600要收發的電磁波波長有關。開孔122可以具有長形形狀，其長度L122大於寬度W122。多個開孔122在圖6中以彼此平行設置為例，但不以此為限。在一些實施例中，開孔122的長度L122的延伸方向可以排列在不同方向。例如，相鄰兩個開孔122的延伸方向可以相交。

多個電子部件130分別對應於其中一個開孔122設置，且各個電子部件130可以重疊其中一個開孔122。換言之，在圖6呈現的俯視圖中，電子部件130的面積可以重疊開孔122的輪廓所圍繞的面積。參照前述實施例的說明，各個電子部件130可以透過對應的接合墊(例如前述的接合墊P1與接合墊P2)電連接第一金屬層120。另外，第二金屬層170可包括多個獨立的圖案EE，且各電子部件130可透過第二金屬層170的其中一個圖案EE電連接至對應的一個電晶體160。如此，每個電子部件130可獨立由一個電晶體160控制。

多條訊號線SL1各自沿第一方向D1延伸，多條訊號線SL2各自沿第二方向D2延伸，且多條訊號線SL1以及多條訊號線SL2交錯設置。在一些實施例中，訊號線SL1可以傳遞掃描訊號與資料訊號其中一者，而訊號線SL2可以傳遞掃描訊號與資料訊號另一者。各電晶體160可連接至其中一條訊號線SL1以及其中一條訊號線DL2。因此，訊號線SL1、訊號線SL2與電晶體160可以構成主動元件陣列。另外，訊號線SL1與訊號線SL2可為不同的導電層，且兩導電層可由對應的絕緣層分隔開來。在一些實施例中，訊號線SL1與訊號線SL2中其中一者可與第二金屬層170相同層，但不以此為限。在一些實施例中，電晶體160可以是由半導體層、多層導電層等膜層構成的薄膜電晶體，且電晶體160中的導電層可與訊號線SL1、訊號線SL2及第二金屬層170中至少一層相同。

綜上所述，本揭露實施例的電子裝置將電子部件等電子構件設置於基板與覆蓋層之間，可保護電子部件不易受潮及/或氧化。另外，本揭露實施例的電子裝置還利用填充材料或是黏著層將電子部件封裝，這有助於提高電子部件的保護。

100、200、300、400、500、600:電子裝置 110:基板 120:第一金屬層 122:開孔 130:電子部件 140:覆蓋層 150、450:黏著層 160:電晶體 170:第二金屬層 180:填充材料 290、390、592、594:間隙物 D1:第一方向 DN:法線方向 EE:圖案 H130、H290、H390:高度 IL:絕緣層 L122:長度 P1、P2、P3:接合墊 S1、S2:側 SL1、SL2:訊號線 VD:空隙 W、W122、W390:寬度

圖1為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖2為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖3為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖4為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖5為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖6為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。

100:電子裝置

110:基板

120:第一金屬層

122:開孔

130:電子部件

140:覆蓋層

150:黏著層

160:電晶體

170:第二金屬層

180:填充材料

D1:第一方向

DN:法線方向

IL:絕緣層

L122:長度

P1、P2、P3:接合墊

S1、S2:側

W、W122:寬度

Claims

一種電子裝置，包括：基板；第一金屬層，形成在所述基板上；電子部件，接合至所述基板且電連接所述第一金屬層；覆蓋層；以及黏著層，黏附至所述基板以及所述覆蓋層。
如請求項1所述的電子裝置，還包括電晶體，形成在所述基板與所述覆蓋層至少一者上，且電連接所述電子部件。
如請求項2所述的電子裝置，還包括第二金屬層，形成在所述覆蓋層上，其中所述電晶體的至少一者形成在所述覆蓋層上且通過所述第二金屬層電連接所述電子部件。
如請求項1所述的電子裝置，還包括間隙物，設置在所述基板與所述覆蓋層之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述電子部件接觸所述覆蓋層。
如請求項1所述的電子裝置，還包括填充材料，介於所述基板與所述覆蓋層之間。
如請求項6所述的電子裝置，其中所述填充材料為空氣。
如請求項6所述的電子裝置，其中所述填充材料為膠。
如請求項6所述的電子裝置，其中所述填充材料為味之素堆積膜。
如請求項6所述的電子裝置，其中所述填充材料為低介電損失的材料。