CN115623678A - 电子装置 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一种电子装置包括基板、第一金属层、电子部件、覆盖层以及粘着层。第一金属层形成在基板上。电子部件接合至基板且电连接第一金属层。粘着层粘附至基板以及覆盖层。

Description

电子装置

技术领域

本揭露涉及一种电子装置。

背景技术

电子装置的应用领域越来普及，部分电子装置需被应用且装设于户外空间。因此，电子装置的环境可靠度为亟需注重的课题。

发明内容

根据本揭露的实施例，一种电子装置包括基板、第一金属层、电子部件、覆盖层以及粘着层。第一金属层形成在基板上。电子部件接合至基板且电连接第一金属层。粘着层粘附至基板以及覆盖层。

为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合附图作详细说明如下

附图说明

包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图；

图2为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图；

图3为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图；

图4为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图；

图5为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图；

图6为本揭露一实施例的电子装置的局部上视示意图。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。

在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

应了解到，当元件或膜层被称为“设置在”另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或膜层，或者两者之间存在有***的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有***的元件或膜层。当元件或膜层被称为“电连接”到另一个元件或膜层时，其可解读为直接电连接或非直接电连接。

术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值的正负20％范围以内，或解释为在所给定的值的正负10％、正负5％、正负3％、正负2％、正负1％或正负0.5％的范围以内。

虽然术语“第一”、“第二”、“第三”…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。

本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间可具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的组件、或上述组件的组合，但不限于此。

在本揭露中，长度、宽度、厚度、高度或面积、或元件之间的距离或间距的测量方式可以是采用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanningelectron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量而得，详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包括欲测量的元件的剖面结构图像，并测量各元件的宽度、厚度、高度或面积、或元件之间的距离或间距，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。

另外，本揭露中所提到的术语“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”、“约”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％之内、5％之内、3％之内、2％之内、1％之内、或0.5％之内的范围。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)可具有与本揭露所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成可具有与相关技术及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本揭露实施例有特别定义。

在本揭露中，电子装置可包括显示装置、发光装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。在本揭露中，电子部件可包括被动元件与主动元件，例如芯片(chip)、电容(capacitor)、电阻(resistor)、电感(inductor)、二极管(diode)、晶体管(transistor)等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。在本揭露中，显示面板可包括自发光或非自发光面板。自发光面板例如包括有机发光二极管(OLED)、次毫米发光二极管(miniLED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(QD LED)，但不以此为限。非自发光面板例如包括液晶、或其他合适材料。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以拼接装置来说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。

须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本揭露精神的情况下构成另一实施例。

图1为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图。在图1中，电子装置100包括基板110、第一金属层120、电子部件130、覆盖层140以及粘着层150。第一金属层120形成在基板110上。电子部件130接合至基板110且电连接第一金属层120。粘着层150黏附至基板110及覆盖层140。覆盖层140与基板110彼此相对设置，且第一金属层120与电子部件130位于基板与覆盖层140之间。粘着层150用于将基板110与覆盖层140连接在一起。在一些实施例中，粘着层150设置于电子装置100的周边且可以为呈环状图案(例如由上视图来看)。如此，基板110、覆盖层140与粘着层150可以包围电子部件130与第一金属层120，借此封装电子部件130、第一金属层120或其他形成于基板上的元件，可降低外在水气或氧气对电子部件130的影响，进而提升可电子装置可靠度，但不以此为限。在其他实施例中，电子部件130可以利用其他的方式被包覆起来，而可省略覆盖层140与粘着层150中至少一者。举例而言，例如可在基板110上形成一封装层并包围电子部件130或其他形成于基板上的元件，而可省略覆盖层140与粘着层150中至少一者，但不以此为限，其中封装层材料可为透光或不透光材料。

基板110可以是玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或是其他具有足够支撑性质的元件。举例而言，基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料其中之一的单层或堆叠，或上述至少二种材料的堆叠或混合，不限于此。在此，可作为基板110的塑胶基板包括，但不以此为限，聚酰亚胺基板、液晶高分子基板、环烯烃聚合物(Cyclo OlefinPolymer,COP)基板、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate,PMMA)基板、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)基板、聚四氟乙烯基板(Poly tetra fluoroethylene,PTFE)等，但不以此为限。

在一些实施例中，电子装置100是可以接收多种电磁波频宽的装置，例如天线装置。第一金属层120例如是接地金属层且第一金属层120以大面积的方式设置在基板110上。举例而言，第一金属层120可占据基板110的面积的80％～90％。第一金属层120可堆叠于基板110上。在一些实施例中，第一金属层120可利用沉积、印刷、电镀等方式形成在基板110上。举例而言，以沉积来说，第一金属层120可利用溅镀、蒸镀等方式形成在基板110上。第一金属层120的材质包括铜、锡、镍或其他金属。在一些实施例中，第一金属层120可以是电镀于基板110上的铜层，但不以此为限。

第一金属层120可具有多个开孔122，但图1仅示出一个开孔122以方便说明。根据一些实施例，开孔122两侧的第一金属层120为连续的，且都电性接地。也就是说，开孔122可以是封闭的图案，且被第一金属层120的材料包围。开孔122的宽度W122可与电子装置100可接收/发出的电磁波信号的波长有关。因此，开孔122的宽度W122可依据电子装置100需要的功能而决定。

电子部件130的设置位置可对应第一金属层110的开孔122。详细而言，在基板110的法线方向DN上，电子部件130重叠开孔122。在图1中，第一方向D1垂直法线方向DN，电子部件130在第一方向D1上具有一宽度W，开孔122在第一方向D1上具有一宽度W122，其中宽度W大于宽度W122。在一些实施例中，电子部件130可以重叠开孔122的一侧S1的第一金属层120也重叠开孔122的另一侧S2的第一金属层120。电子部件130可电连接第一金属层120。具体而言，电子部件130通过对应的接合垫P1与接合垫P2电性连接至第一金属层120，使得电子部件130接合且固定于基板110上。在一些实施例中，电子部件130可包括电容、半导体芯片等。电子部件130可例如是变容器(varactor)或是集成电路(IC)芯片，但不以此为限。

覆盖层140可以具有板状的结构，但不以此为限。在一些实施例中，覆盖层140可以是玻璃基板、陶瓷基板、聚酰亚胺基板、液晶高分子基板、环烯烃聚合物(Cyclo OlefinPolymer,COP)基板、压克力基板(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基板)、聚碳酸酯(PC)基板、聚四氟乙烯基板(Poly tetra fluoroethylene,PTFE)等。覆盖层140与基板110可以为相同材质或是不同材质。根据一些实施例，覆盖层140可以接触电子部件130。进一步而言，覆盖层140可以接触电子部件130的一上表面，使得电子部件130可用于维持基板110与覆盖层140之间的距离，但不以此为限。

粘着层150用于黏附基板110与覆盖层140，也就是说基板110与覆盖层140可通过粘着层150彼此固定。粘着层150可以设置于电子装置100的周边。因此，基板110、覆盖层140与粘着层150可以围出一空间，且第一金属层120、电子部件130等构件可以设置在基板110、覆盖层140与粘着层150围出来的空间中。粘着层150可以是框胶材料或是其他的胶材。粘着层150可以是可固化的材料，例如热固化胶、光固化胶等。粘着层150、基板110与覆盖层140的外侧侧壁可以彼此切齐也可以不互相对齐。在一些实施例中，覆盖层140可省略而直接以粘着层150覆盖电子部件130，使电子部件130被粘着层150与基板110包覆。

另外，电子装置100还包括晶体管160。晶体管160在图1中可形成在基板110上，但不以此为限。在其他实施例中，晶体管160可以形成在覆盖层140上。晶体管160可以电连接电子部件130，以调整或控制电子部件130的特性。举例而言，电子部件130为变容器时，电子部件130可以电连接晶体管160以利用晶体管160调整与控制电子部件130的电容大小。如此一来，晶体管160的电容大小可决定电子装置100接收/发出的电磁波信号的频率。换言之，电子装置100是可以接收/发出不同频率的电磁波信号的装置。在一些实施例中，晶体管160可以是薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)、具有独立封装的晶体管或是其他形式的晶体管。以薄膜晶体管为例，晶体管160可以由半导体层、多层导电层与多层绝缘层等多个层堆叠而构成。

根据一些实施例，电子装置100还包括形成在基板110上的第二金属层170。第二金属层170用于将电子部件130电连接至晶体管160。第二金属层170的制作方法与材质可参照第一金属层120，但不以此为限。第二金属层170与第一金属层120可采用相同材料或是不同材料制作。另外，电子装置100还包括形成在基板110上的接合垫P3，且第二金属层170延伸在接合垫P3与晶体管160之间。电子部件130可连接至接合垫P3而通过接合垫P3与第二金属层160电连接至晶体管160。根据一些实施例，电子部件130可通过接合垫P1与接合垫P2电连接至第一金属层120且通过接合垫P3电连接至第二金属层170以及晶体管160，因此电子部件130可以具有三个接点，但不以此为限。接合垫P1、接合垫P2与接合垫P3例如是焊锡，但不以此为限。举例而言，第二金属层170以及晶体管160可形成于覆盖层140上，接着通过粘着层150黏附基板110与覆盖层140，但不以此为限。

第一金属层120设置于第二金属层170与基板110之间，且如图1所示，电子装置100还包括设置于第一金属层120与第二金属层170之间的绝缘层IL。绝缘层IL可包括无机绝缘材料、有机绝缘材料等绝缘材料。在一些实施例中，绝缘层IL可以由多种绝缘材料堆叠而成的多层结构层。无机绝缘材料例如氧化硅(silicon oxide，SiO_x)、氮化硅(siliconnitride，SiN_x)、氮氧化硅(silicon oxide nitride，SiO_xN_y)等，而无机绝缘材料例如聚酰亚胺、光致抗蚀剂材料、平坦层材料等，但不以此为限。

根据一些实施例，电子部件130、晶体管160等构件设置在基板110与覆盖层140之间且基板110与覆盖层140粘附于粘着层150的相对两侧，这可使得电子部件130与晶体管160被包围在粘着层150、基板110与覆盖层140围绕的空间中而可保护电子部件130与晶体管160不易受损。另外，电子装置100还可包括填充材料180。填充材料180介于基板110与覆盖层140之间。填充材料180可以是具有低介电常数(dielectric constant,Dk)的材料或是低介电损失(dielectric Loss,Df)的材料，其中填充材料180的介电损失系数在高频下(例如1GHz下)大于0且小于等于4。在一些实施例中，填充材料180的介电损失系数例如大于0且小于等于3.5，但不以此为限。由于信号的传播延迟取决于介电常数的大小、介电损失系数的大小和传输线结构。举例而言，传播时间与介电常数的平方根成正比，因此使用低介电常数的基板材料可以减少信号的传播延迟，或可降低导线之间的耦合电容值，进而降低信号之间的串扰(Cross Talk)，但不以此为限。填充材料180的设置可不影响电子部件130的电性特性，且不影响电子装置100对电磁波的收发。填充材料180在一些实施例中可以为空气或是其他气体(例如惰性气体等)。填充材料180在一些实施例中可以为胶。填充材料180在一些实施例中可以为味之素堆积膜(Ajinomoto build-up film,ABF)。填充材料180在一些实施例中可以为双马来酰亚胺三嗪树脂(bismaleimide-triazine,BT)。填充材料180在一些实施例中可以为液态材料。填充材料180可填满基板110与覆盖层140之间的体积，但不以此为限。举例而言，电子部件130与接合垫P1～P3之间可能存在空隙，而未被填充材料180完全填满，但不以此为限。

根据一些实施例，电子部件130与晶体管160等电子构件可被基板110、覆盖层140、粘着层150与填充材料180包覆。因此，电子部件130与晶体管160不容易受潮或是被氧化，而不容易损坏。在一些实施例中，电子装置100可以是经封装的可收发多重频率的电磁波的装置。

图2为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图。图2的电子装置200大致类似图1的电子装置100，且两实施例中相同的元件符号可表示相同和/或类似的元件而可彼此参照。电子装置200包括基板110、第一金属层120、电子部件130、覆盖层140、粘着层150、晶体管160、第二金属层170、填充材料180与绝缘层IL。在图2中，电子装置200还包括间隙物290。间隙物290设置在基板110与覆盖层140之间。在一些实施例中，间隙物290可以维持基板110与覆盖层140之间的距离，使得覆盖层140不接触和/或抵压电子部件130。举例而言，间隙物290的高度H290可大于电子部件130的高度H130。在一些实施例中，电子部件130为半导体芯片时，高度H130例如为0.2mm至0.5mm。如此，间隙物290的高度H290例如为毫米或次毫米等级。间隙物290可以为球状间隙物，且间隙物290可以规则的或是不规则的分布于电子装置100中。在其他实施例中，间隙物290可以是其他形式的间隙物。

图3为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图。图2的电子装置300大致类似图2的电子装置200，且两实施例中相同的元件符号可表示相同和/或类似的元件。电子装置300包括基板110、第一金属层120、电子部件130、覆盖层140、粘着层150、晶体管160、第二金属层170、填充材料180、间隙物390与绝缘层IL。具体而言，电子装置300不同于电子装置200之处主要在于间隙物390，而电子装置300的其余元件可参照图1与图2的说明。根据一些实施例，间隙物390例如为柱状间隙物。间隙物390的宽度W390可以由一端向另一端变化，但不以此为限。举例而言，间隙物390的宽度W390在图2中是以由接近基板110的一端向接近覆盖层140的一端逐渐减小来说明，例如间隙物390可为梯形，但不以此为限。在其他实施例中，间隙物390的宽度W390可以是由接近基板110的一端向接近覆盖层140的一端逐渐增加，例如间隙物390可为倒梯形，但不以此为限。在一些实施例中，间隙物390的宽度W390可以是由接近基板110的一端向接近覆盖层140的一端维持一致。另外，间隙物390的高度H390可参照图1中间隙物290的高度H290。举例而言，间隙物390的高度H390可以大于电子部件130的高度H130。间隙物390的高度H390可以是毫米或次毫米等级。在一些实施例中，间隙物390可采用微影法制作。间隙物390的材质例如包括光致抗蚀剂材料，但不以此为限。

图4为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图。图4的电子装置400大致类似图1的电子装置100，且两实施例中相同的元件符号可表示相同和/或类似的元件而可彼此参照。电子装置400包括基板110、第一金属层120、电子部件130、覆盖层140、粘着层450、晶体管160、第二金属层170与绝缘层IL，其中电子装置400不同于电子装置100之处主要在于，电子装置400的粘着层450取代了图1中的粘着层150与填充材料180。如图4所示，粘着层450连续的设置于基板110与覆盖层130之间，且直接接触电子部件130与晶体管160。粘着层450可以具有低介电常数(dielectric constant,Dk)或是低介电损失(dielectric Loss,Df)。在一些实施例中，粘着层450可包括硅胶、压克力胶或其他胶。在一些实施例中，粘着层450可以为味之素堆积膜(Ajinomoto build-up film,ABF)或是双马来酰亚胺三嗪树脂(bismaleimide-triazine,BT)。粘着层450可填满基板110与覆盖层140之间的体积，但不以此为限。举例而言，电子部件130下方的接合垫P1～P3之间可能存在空隙VD，而未被粘着层450完全填满，但不以此为限。

图5为为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图。图5的电子装置500大致类似图1的电子装置100，且两实施例中相同的元件符号可表示相同和/或类似的元件而可彼此参照。电子装置500包括基板110、第一金属层120、电子部件130、覆盖层140、粘着层150、晶体管160、第二金属层170与填充材料180。电子装置500不同于电子装置100之处主要在于：电子装置500的晶体管160与第二金属层170形成于覆盖层140上，且电子装置500还包括间隙物592与间隙物594。

根据一些实施例，电子部件130可通过接合垫P3连接至形成在覆盖层140上的第二金属层170，第二金属层170延伸于晶体管160与接合垫P3之间，且晶体管160通过第二金属层170电连接电子部件130。另外，间隙物592设置在基板110与覆盖层140之间以维持基板110与覆盖层140之间的距离，而间隙物594设置在第一金属层120与第二金属层170之间以避免两金属层短路。间隙物592的高度可以大于间隙物594的高度。间隙物592与间隙物594在图5中以球状间隙物为例，但不以此为限。在一些实施例中，间隙物592与间隙物594可以为柱状间隙物(类似图3中的间隙物390)。

图6为本揭露一实施例的电子装置的局部上视示意图。图6主要示出电子装置600中的部分构件以便说明。应理解，电子装置600可包括前述实施例所说明的其他构件，甚至本文未提出的其他构件。图6中，电子装置600包括第一金属层120、多个电子部件130、多个晶体管160、第二金属层170、多条信号线SL1以及多条信号线SL2。图6可以作为图1至图5中第一金属层120、电子部件130、晶体管160与第二金属层170在上视图中的一种实施方式，但不以此为限。

第一金属层120具有多个开孔122。开孔122的宽度W122可与电子装置600要收发的电磁波波长有关。开孔122可以具有长形形状，其长度L122大于宽度W122。多个开孔122在图6中以彼此平行设置为例，但不以此为限。在一些实施例中，开孔122的长度L122的延伸方向可以排列在不同方向。例如，相邻两个开孔122的延伸方向可以相交。

多个电子部件130分别对应于其中一个开孔122设置，且各个电子部件130可以重叠其中一个开孔122。换言之，在图6呈现的俯视图中，电子部件130的面积可以重叠开孔122的轮廓所围绕的面积。参照前述实施例的说明，各个电子部件130可以通过对应的接合垫(例如前述的接合垫P1与接合垫P2)电连接第一金属层120。另外，第二金属层170可包括多个独立的图案EE，且各电子部件130可通过第二金属层170的其中一个图案EE电连接至对应的一个晶体管160。如此，每个电子部件130可独立由一个晶体管160控制。

多条信号线SL1各自沿第一方向D1延伸，多条信号线SL2各自沿第二方向D2延伸，且多条信号线SL1以及多条信号线SL2交错设置。在一些实施例中，信号线SL1可以传递扫描信号与资料信号其中一者，而信号线SL2可以传递扫描信号与资料信号另一者。各晶体管160可连接至其中一条信号线SL1以及其中一条信号线DL2。因此，信号线SL1、信号线SL2与晶体管160可以构成主动元件阵列。另外，信号线SL1与信号线SL2可为不同的导电层，且两导电层可由对应的绝缘层分隔开来。在一些实施例中，信号线SL1与信号线SL2中其中一者可与第二金属层170相同层，但不以此为限。在一些实施例中，晶体管160可以是由半导体层、多层导电层等膜层构成的薄膜晶体管，且晶体管160中的导电层可与信号线SL1、信号线SL2及第二金属层170中至少一层相同。

综上所述，本揭露实施例的电子装置将电子部件等电子构件设置于基板与覆盖层之间，可保护电子部件不易受潮和/或氧化。另外，本揭露实施例的电子装置还利用填充材料或是粘着层将电子部件封装，这有助于提高电子部件的保护。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层，形成在所述基板上；

电子部件，接合至所述基板且电连接所述第一金属层；

覆盖层；以及

粘着层，粘附至所述基板以及所述覆盖层。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括晶体管，形成在所述基板与所述覆盖层至少一者上，且电连接所述电子部件。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，还包括第二金属层，形成在所述覆盖层上，其中所述晶体管的至少一者形成在所述覆盖层上且通过所述第二金属层电连接所述电子部件。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括间隙物，设置在所述基板与所述覆盖层之间。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子部件接触所述覆盖层。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括填充材料，介于所述基板与所述覆盖层之间。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述填充材料为空气。

8.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述填充材料为胶。

9.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述填充材料为味之素堆积膜。

10.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述填充材料为为低介电损失的材料。

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