TW202307191A - 電路基板用樹脂膜的剝離劑及電路基板的製造方法 - Google Patents
電路基板用樹脂膜的剝離劑及電路基板的製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202307191A TW202307191A TW111121783A TW111121783A TW202307191A TW 202307191 A TW202307191 A TW 202307191A TW 111121783 A TW111121783 A TW 111121783A TW 111121783 A TW111121783 A TW 111121783A TW 202307191 A TW202307191 A TW 202307191A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- resin film
- release agent
- component
- circuit board
- mass
- Prior art date
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 52
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 95
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 239000013556 antirust agent Substances 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 abstract 1
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- WPAHVUADNLXSOM-SNVBAGLBSA-N 3-[5-chloro-6-[(1R)-1-pyridin-2-ylethoxy]-1,2-benzoxazol-3-yl]propanoic acid Chemical compound ClC=1C(=CC2=C(C(=NO2)CCC(=O)O)C=1)O[C@H](C)C1=NC=CC=C1 WPAHVUADNLXSOM-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000033558 biomineral tissue development Effects 0.000 description 5
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 4
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- SFHYNDMGZXWXBU-LIMNOBDPSA-N 6-amino-2-[[(e)-(3-formylphenyl)methylideneamino]carbamoylamino]-1,3-dioxobenzo[de]isoquinoline-5,8-disulfonic acid Chemical compound O=C1C(C2=3)=CC(S(O)(=O)=O)=CC=3C(N)=C(S(O)(=O)=O)C=C2C(=O)N1NC(=O)N\N=C\C1=CC=CC(C=O)=C1 SFHYNDMGZXWXBU-LIMNOBDPSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 3
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N Butanol Natural products CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001062093 Homo sapiens RNA-binding protein 15 Proteins 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 102100029244 RNA-binding protein 15 Human genes 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008235 industrial water Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/72—Ethers of polyoxyalkylene glycols
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2003—Alcohols; Phenols
- C11D3/2006—Monohydric alcohols
- C11D3/201—Monohydric alcohols linear
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2003—Alcohols; Phenols
- C11D3/2006—Monohydric alcohols
- C11D3/2017—Monohydric alcohols branched
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/288—Removal of non-metallic coatings, e.g. for repairing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
本發明提供一種可在短時間內將形成於電路基板的樹脂膜剝離，將樹脂膜細碎化的性能高且對環境的負荷低的電路基板用樹脂膜的剝離劑。本發明的一態樣是關於一種電路基板用樹脂膜的剝離劑，含有：式（1）所表示的化合物（成分（A））；及脂肪族醇（成分（B）），碳數為1以上且6以下、並且分子量為30以上且120以下，所述剝離劑的pH為13.0以上且小於14.0，成分（A）的含量為0.1質量%以上且5質量%以下，成分（B）的含量為5質量%以上且40質量%以下。
R
1-O-(A
1O)a-H ･･･式（1）
（在式（1）中，R
1表示碳數為6以上且10以下的分支烷基，A
1O表示碳數為2以上且3以下的氧伸烷基，作為氧伸烷基的平均加成莫耳數的a為2以上且15以下的數。）
Description
本發明是有關於一種電路基板用樹脂膜的剝離劑及電路基板的製造方法。
近年來，在電子資訊設備領域中，用於能夠應對電子元件的小型化及輕量化或大容量通訊的技術進化正在進行。為了能夠進行該些技術進化，正在追求電子電路構件的高精度化。電子電路構件藉由使用感光性樹脂的曝光圖案化而形成。而且，為了應對電子電路構件的高精度化，對所述感光性樹脂要求提高光反應性及硬化後的強度以便能夠進行精細的曝光圖案化。另一方面，對所述感光性樹脂亦要求在曝光圖案化的處理後可容易地自基板剝離並去除。但是，難以兼顧硬化後的更強的強度與曝光圖案化處理後的自基板的高剝離性。
另外，以往自基板剝離去除所述感光性樹脂時，使用含有氫氧化四級銨等胺化合物的剝離劑，但含有胺化合物的剝離劑存在毒性強、並且對環境的負荷高的問題。因此，需要開發一種藉由替代性的鹼性剝離劑來提高感光性樹脂的剝離性的方法。
例如，在專利文獻1中記載了一種水系的光阻劑用剝離液，其為光阻劑（感光性樹脂）的剝離劑，所述光阻劑（感光性樹脂）塗佈於形成有包含鋁或銀等的導電性金屬膜的基板，所述水系的光阻劑用剝離液包含界面活性劑、防腐蝕材料及水溶性有機溶劑。
另外，專利文獻2中記載了一種包含無機鹼、多元醇及其他有機溶劑的水系的樹脂遮罩剝離用洗滌劑組成物。
另外，專利文獻3中記載了一種包含無機鹼及具有環氧乙烷基的界面活性劑的樹脂遮罩剝離用洗滌劑組成物。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-58624號公報
[專利文獻2]日本專利特開2019-117331號公報
[專利文獻3]日本專利特開2019-105670號公報
[發明所欲解決之課題]
但是，根據本發明者等人的見解，所述替代性的剝離劑中存在由於作為胺化合物的特長的感光性樹脂膜等樹脂膜的細碎化性能不充分等，因此難以將樹脂膜的殘渣充分去除的問題。
例如，專利文獻1中記載的剝離劑的樹脂膜的剝離性不充分，有時樹脂膜的殘渣會殘存於電路基板上。另外，專利文獻2中記載的洗滌劑組成物的有效成分相對於樹脂膜的浸透性不足，有時出現由樹脂膜的細碎化性能不充分引起的剝離性的不足，樹脂膜的殘渣仍會殘存於電路基板上。另外，專利文獻3中記載的洗滌劑組成物存在如下問題：雖然有效成分相對於樹脂膜的浸透性提高，但樹脂膜的剝離性仍然不充分，為了將樹脂膜充分剝離而需要長時間的處理，從而導致生產性下降。
本發明是鑒於所述情況而成者，其目的在於提供一種可在短時間內將形成於電路基板的樹脂膜剝離，藉由將樹脂膜細碎化而減少電路基板上的殘渣的性能高且對環境的負荷低的電路基板用樹脂膜的剝離劑及使用所述剝離劑的電路基板的製造方法。
[解決課題之手段]
用於解決所述課題的本發明一態樣中的電路基板用樹脂膜的剝離劑含有：式（1）所表示的化合物（成分（A））；及脂肪族醇（成分（B）），碳數為1以上且6以下、並且分子量為30以上且120以下，所述剝離劑的pH為13.0以上且小於14.0，相對於所述剝離劑的總質量，所述成分（A）的含量為0.1質量%以上且5質量%以下，所述成分（B）的含量為5質量%以上且40質量%以下。
R
1-O-(A
1O)a-H ･･･式（1）
（在式（1）中，R
1表示碳數為6以上且10以下的分支烷基，A
1O表示碳數為2以上且3以下的氧伸烷基，作為所述氧伸烷基的平均加成莫耳數的a為2以上且15以下的數。）
用於解決所述課題的本發明另一態樣中的電路基板的製造方法具有：準備在至少一個面形成有樹脂膜的電路基板的步驟；以及使所述剝離劑與所述樹脂膜接觸的步驟。
[發明的效果]
根據本發明，提供一種可在短時間內將形成於電路基板的樹脂膜剝離，藉由將樹脂膜細碎化而減少電路基板上的殘渣的性能高且對環境的負荷低的電路基板用樹脂膜的剝離劑及使用所述剝離劑的電路基板的製造方法。
以下，對本發明的實施方式進行說明。
本發明一實施方式相關的電路基板用樹脂膜的剝離劑（以下，亦簡稱為「剝離劑」）含有：式（1）所表示的化合物（成分（A））；及脂肪族醇（成分（B）），碳數為1以上且6以下、並且分子量為30以上且120以下，所述剝離劑的pH為13.0以上且小於14.0。
R
1-O-(A
1O)a-H ･･･式（1）
（在式（1）中，R
1表示碳數為6以上且10以下的分支烷基，A
1O表示碳數為2以上且3以下的氧伸烷基，作為所述氧伸烷基的平均加成莫耳數的a為2以上且15以下的數。）
以下，對剝離劑中所含的各成分進行說明。
[成分（A）]
成分（A）為式（1）所表示的化合物（聚伸烷基二醇）。成分（A）可使電路基板用樹脂膜（以下，亦簡稱為「樹脂膜」）充分細碎化而使其容易剝離，可減少電路基板上的殘渣。
R
1-O-(A
1O)a-H ･･･式（1）
在式（1）中，R
1表示碳數為6以上且10以下的分支烷基。R
1較佳為碳數為8以上且9以下的分支烷基。若R
1為碳數為6以上且10以下的分支烷基，則成分（A）容易浸透至樹脂膜，可使樹脂膜充分細碎化而使其容易剝離，可減少電路基板上的殘渣，並且使剝離劑中不易產生泡且保存剝離劑時的穩定性變得更高。
特別是成分（A）藉由R
1為分支烷基，可進一步提高樹脂膜的剝離性能。就所述觀點而言，R
1中所含的分支鏈較佳為碳數為1以上且3以下的烷基，更佳為甲基分支或乙基分支。
R
1的具體例包含異辛基、2-乙基己基、異壬基、3,5,5-三甲基己基及異癸基等。
在式（1）中，A
1O表示碳數為2以上且3以下的氧伸烷基。再者，A
1O可僅為氧伸乙基，亦可僅為氧伸丙基，亦可包含氧伸乙基及氧伸丙基此兩者。A
1O較佳為僅為氧伸乙基、或包含氧伸乙基及氧伸丙基此兩者。
當A
1O包含氧伸乙基及氧伸丙基此兩者時，較佳為單獨或形成嵌段的氧伸乙基（EO基）與單獨或形成嵌段的氧伸丙基（PO基）以R
1-O-EO基-PO基-H的順序進行了加成。A
1O為此種結構的成分（A）對樹脂膜的浸透性特別高，可將樹脂膜更精細地細碎化且使其剝離，可進一步減少電路基板上的殘渣。
在式（1）中，a為氧伸烷基（A
1O）的平均加成莫耳數，為2以上且15以下的數。a較佳為4以上且7以下的數。另外，當A
1O僅包含氧伸乙基時，a較佳為2以上且10以下的數，當A
1O僅包含氧伸丙基時，a較佳為2以上且6以下的數，當A
1O包含氧伸乙基及氧伸丙基此兩者時，a較佳為5以上且10以下的數。
當A
1O包含氧伸乙基及氧伸丙基此兩者時，若將氧伸乙基的平均加成莫耳數設為a'、將氧伸丙基的平均加成莫耳數設為a''，則a'/a''較佳為0.5以上且1.5以下。a'/a''為所述範圍的成分（A）對樹脂膜的浸透性更高，可進一步減少電路基板上的殘渣。另外，a'/a''為所述範圍的成分（A）由於使剝離劑中不易產生泡，因此可減少剝離劑對周圍環境所帶來的負荷、並且可減少對使用裝置的負荷而進一步提高生產性。
剝離劑可僅包含一種、亦可包含多種式（1）所表示的化合物作為成分（A），但就剝離性能的觀點而言，更佳為包含多種。
在包含多種的情況下，更佳為將R
1為碳數6以上且8以下的分支烷基的化合物（a1）與R
1為碳數9或10的分支烷基的化合物（a2）組合，進而佳為將碳數8的分支烷基的化合物與碳數9的分支烷基的化合物組合。
在將（a1）與（a2）組合的情況下，關於（a1）與（a2）的比率以質量比計較佳為（a1）/（a2）=99/1～40/60，更佳為98/2～50/50，進而佳為98/2～75/25，特佳為97/3～80/20。
成分（A）的親水親油平衡（hydrophilic-lipophilic balance，HLB）值並無特別限定，例如可設為5以上且13以下。
相對於剝離劑的總質量的成分（A）的含量為0.1質量%以上且5質量%以下，較佳為0.5質量%以上且5質量%以下，更佳為1質量%以上且2質量%以下。若成分（A）的所述含量為0.1質量%以上，則可提高剝離劑對樹脂膜的浸透性，進一步減少電路基板上的殘渣。若成分（A）的所述含量為10質量%以下，則保存剝離劑時的穩定性更高。
[成分（B）]
成分（B）為碳數為1以上且6以下、並且分子量為30以上且120以下的脂肪族醇。成分（B）可提高樹脂膜自電路基板的剝離性，另一方面，使剝離劑中不易產生泡且進一步提高保存剝離劑時的穩定性。
剝離劑可僅包含一種、亦可包含多種所述脂肪族醇作為成分（B），但就細碎化性能的觀點而言，更佳為包含多種。
在包含多種的情況下，更佳為將在分子內具有一個羥基的（b1）與在分子內具有兩個以上羥基的（b2）組合，進而佳為將羥基數為一個的化合物與羥基數為三個的化合物組合。
在將（b1）與（b2）組合的情況下，關於（b1）與（b2）的比率以質量比計較佳為（b1）/（b2）=99/1～80/20，更佳為98/2～85/15，特佳為97/3～90/10。
成分（B）較佳為水溶性的醇。另外，成分（B）可具有脂環式結構、亦可具有非脂環式（直鏈狀或分支鏈狀）結構。另外，成分（B）可在分子內具有醚結構。成分（B）只要在分子內具有一個以上的羥基即可。成分（B）在分子內所具有的羥基的數並無限定，較佳為1個以上且3個以下。
在成分（B）的例子中，可列舉：甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、二乙二醇、甘油、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇單丁醚、3-甲氧基-1-丁醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、四氫糠醇等。
該些中較佳為3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、四氫糠醇、甘油、二乙二醇及甲醇，更佳為3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇及甘油。
相對於剝離劑的總質量的成分（B）的含量為5質量%以上且40質量%以下，較佳為5質量%以上且35質量%以下，更佳為5質量%以上且30質量%以下。若成分（B）的所述含量為5質量%以上，則可將樹脂膜充分細碎化。若成分（B）的所述含量為40質量%以下，則樹脂膜的剝離性及細碎化性能變高且保存剝離劑時的穩定性更高。
[成分（C）]
剝離劑除了包含所述各成分以外，亦可包含防鏽劑（成分（C））。成分（C）可使本發明的效果進一步提高。
剝離劑可僅包含一種、亦可包含多種所述防鏽劑作為成分（C）。
防鏽劑的種類並無特別限定，可使用具有咪唑環、吡唑環、噁唑環、噻唑環、***環及四唑環等公知的防鏽劑。
就提高樹脂膜的剝離性的觀點而言，成分（C）較佳為具有***環的化合物，更佳為具有苯並***結構的化合物，進而佳為式（2）所表示的化合物。
[化1]
在式（2）中，R
2表示氫原子、甲基或羧基。該些中，就進一步提高成分（C）的水溶性及樹脂膜的剝離性的觀點而言，R
2較佳為氫原子或羧基。更佳為氫原子。
相對於剝離劑的總質量的成分（C）的含量並無特別限定，較佳為0.5質量%以上且2質量%以下，更佳為0.5質量%以上且1.5質量%以下，進而佳為1.0質量%以上且1.5質量%以下。若成分（C）的所述含量為0.5質量%以上，則可提高保存剝離劑時的穩定性。另外，若成分（C）的所述含量為0.5質量%以上，則可使樹脂膜充分細碎化而使其容易剝離，可減少電路基板上的殘渣。若成分（C）的所述含量為2質量%以下，則使剝離劑中不易產生泡。另外，若成分（C）的所述含量為2質量%以下，則保存剝離劑時的穩定性更高。另外，若成分（C）的所述含量為2質量%以下，則可使樹脂膜充分細碎化而使其容易剝離，可減少電路基板上的殘渣。
[pH、鹼成分]
剝離劑的pH為13.0以上且14.0以下，較佳為13.2以上且13.8以下，更佳為13.4以上且13.6以下。若pH為所述範圍，則樹脂膜的剝離性充分提高。剝離劑的pH可藉由公知的鹼成分的添加而調整至所述範圍。
所述鹼成分為水溶性且溶解於水中時使水溶液為鹼性的化合物。所述鹼成分可為在分子中包含碳原子的有機鹼成分，亦可為在分子中不包含碳原子的無機鹼成分。
剝離劑可僅包含一種、亦可包含多種用於調整pH的所述鹼成分。
在所述有機鹼成分的例子中，包含單乙醇胺、二乙醇胺及三乙醇胺等。在所述無機鹼成分的例子中，包含氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氫氧化鈣、碳酸鈉、碳酸鉀、矽酸鈉及矽酸鉀等。
就進一步提高樹脂膜的剝離性的觀點而言，所述有機鹼成分較佳為氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉或碳酸鉀，更佳為氫氧化鈉或氫氧化鉀。
[其他成分]
剝離劑除了包含所述各成分以外，亦可包含在先前的電路基板用樹脂膜的剝離劑中一般所調配的其他成分。在所述其他成分的例子中，亦可調配有防腐劑、增稠劑、著色劑等。
[剝離劑的製備]
剝離劑可藉由利用水對所述成分以適當的濃度進行稀釋而製成水溶液的公知的方法進行製備。作為用於所述稀釋的水，可使用離子交換水、蒸餾水、逆滲透（reverses osmosis，RO）水、自來水及工業用水等。
相對於剝離劑的總質量的所述水的含量較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而佳為70質量%以上，雖然所述水的含量並無特別限定，但較佳為90質量%以下。
[剝離劑的使用]
剝離劑用於在電路基板的公知的製造方法中，將在電路基板的表面暫時性形成的樹脂膜在進行必要的加工後予以去除。
即，所述電路基板的製造方法具有：在電路基板的表面形成樹脂膜的步驟；對在至少一個面形成有所述樹脂膜的電路基板進行加工的步驟；以及使用剝離劑，自所述加工後的電路基板去除所述樹脂膜的步驟。
在所述電路基板的表面形成的樹脂膜可為藉由光及熱等外部刺激而硬化的負型樹脂膜，亦可為藉由所述外部刺激而溶解的正型樹脂膜，較佳為負型樹脂膜。在所述負型樹脂膜的例子中，包含負型乾膜抗蝕劑及負型液狀抗蝕劑。藉由該些外部刺激（具體而言為曝光及顯影）在所述樹脂膜上形成精細的圖案，從而可將形成有所述圖案的樹脂膜作為遮罩（保護膜），對所述電路基板進行精細加工。電路基板的加工方法並無特別限定，可使用雷射照射及蝕刻等公知的方法。
其後，藉由使剝離劑與樹脂膜接觸，可將所述加工後的樹脂膜去除。所述接觸只要利用所述電路基板在剝離液中的浸漬、及對所述電路基板噴射剝離液等公知的方法進行即可。
認為剝離劑在電路基板與樹脂膜的界面將樹脂膜溶解或者浸透至樹脂膜的內部使樹脂膜膨脹，使電路基板與樹脂膜的界面的密接性降低，藉此使樹脂膜剝離。為了更充分地發揮出該些作用，較佳為使剝離劑充分浸透至樹脂膜的內部，以使充分量的剝離劑到達電路基板與樹脂膜的界面。進而，認為剝離劑藉由所述浸透而使樹脂膜細碎化，藉此亦使樹脂膜更容易剝離。
使剝離劑與樹脂膜接觸時的剝離劑的溫度較佳為設為20℃～60℃左右。
[實施例]
以下，使用實施例及比較例對本發明進行說明，但本發明並不限定於任何以下的實施例。
1.剝離劑的準備
1-1.材料
1-1-1.具有式（1）所表示的結構的醇
準備表1所示的化合物A1、化合物A2及化合物A1'。化合物A1及化合物A2為式（1）所表示的化合物（成分（A）），化合物A1'為具有式（1）所表示的結構，但由於R
1不同因此並非成分（A）的化合物。
R
1-O-(A
1O)a-H ･･･式（1）
表1中示出化合物A1、化合物A2及化合物A1'的式（1）中的R
1的結構（官能基名）、R
1的碳數、A
1O的構成、EO基及PO基的數（平均值）、a'/a''的值（EO基的數（平均值）/PO基的數（平均值））及a的數（平均值）。
[表1]
| 化合物 | R 1 | A 1O | a | ||||
| 官能基名 | 碳數 | 構成 | EO基數 | PO基數 | a'/a'' | ||
| A1 | 2-乙基己基 | 8 | EO | 4 | 4 | ||
| A2 | 3,5,5'-三甲基己基 | 9 | EO/PO | 4 | 3 | 1.3 | 7 |
| A1' | 十二烷基 | 12 | 0 |
1-1-2.有機溶媒
準備表2中記載的化合物B1～化合物B5及化合物B1'。化合物B1～化合物B5為碳數為1以上且6以下、並且分子量為30以上且120以下的脂肪族醇（成分（B）），化合物B1'為並非成分（B）的有機溶媒。
表2中示出化合物B1～化合物B5及化合物B1'的化合物名、分子量、碳數及羥基數。
[表2]
| 化合物 | 化合物名稱 | 分子量 | 碳數 | 羥基數 |
| B1 | 3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇 | 118 | 6 | 1 |
| B2 | 四氫糠醇 | 102 | 5 | 1 |
| B3 | 甘油 | 92 | 3 | 3 |
| B4 | 二乙二醇 | 62 | 4 | 2 |
| B5 | 甲醇 | 32 | 1 | 1 |
| B1' | 二乙二醇單丁醚 | 162 | 1 | 1 |
1-1-3.防鏽劑
準備苯並***。苯並***為在式（2）中R
2為H的化合物（成分（C））。
[化2]
1-1-4.鹼成分
準備表3中記載的化合物D1～化合物D3。化合物D1～化合物D3均為鹼成分（成分D）。
表3中示出化合物D1～化合物D3的化合物名。
[表3]
| 化合物 | 化合物名稱 |
| D1 | 氫氧化鈉 |
| D2 | 氫氧化鉀 |
| D3 | 單乙醇胺 |
1-2.剝離劑的製備
將所述各成分溶解於水，進而以總量成為100質量%的方式添加水，製備水系的電路基板用樹脂膜的剝離劑1～剝離劑14及電路基板用樹脂膜的剝離劑21～剝離劑28。
1-3.pH的測定
剝離劑1～剝離劑14及剝離劑21～剝離劑28的pH是使用pH計（pH meter）（「拉誇（LAQUA）F-72」：堀場製作所股份有限公司製造）進行測定。再者，測定溫度設為25℃，在25℃下的恆溫槽中一邊攪拌各剝離劑一邊進行測定。
2.剝離劑的評價
利用以下的基準對所述準備好的剝離劑1～剝離劑14及剝離劑21～剝離劑28進行評價。
2-1.剝離試驗
2-1-1.電路基板用樹脂膜的形成
作為積體電路用樹脂膜，使用感光性印刷電路板（printing circuit board，PCB）電路用膜（廣州提雅林電子科技有限公司（Guang Zhou TiYaLin Electronic Technology Co.,Ltd）製造）。所述膜為負型乾膜抗蝕劑。
作為電子電路基板，使用無氧銅板（「無氧銅板」：TP技研股份有限公司製造，長度×寬度×厚度=50 mm×15 mm×1 mm）。將所述負型乾膜抗蝕劑塗佈於所述電子電路基板上。具體而言，將所述負型乾膜抗蝕劑加工成規定的尺寸（縱×橫=20 mm×15 mm），將半個面的保護膜剝下後，使剝下了所述保護膜的面密接於所述電子電路基板上。在此種狀態下，使用加熱板在100℃條件下，進行30秒熱壓接。其後，使用紫外線（ultraviolet，UV）點光源（「萊格寧庫（LIGHTNING CURE）LC6」：濱松光子（Hamamatsu Photonics）股份有限公司製造），對在所述電子電路基板上的熱壓接有所述負型乾膜抗蝕劑的面照射UV（照射時間：120秒、總光線量：約22 mW），使所述負型乾膜抗蝕劑硬化，獲得形成有樹脂膜（電路基板用樹脂膜）的電路基板。
2-1-2.剝離試驗（剝離評價、細碎化評價）
將塗佈有所述負型乾膜抗蝕劑的電路基板在50 mL螺口管內全部浸漬於約50 g的所述製備出的剝離劑中的任一種，一邊以500 rpm進行攪拌一邊測量直至利用目視確認樹脂膜被完全去除為止的時間。另外，自剝離劑中任意取出數個剝離後的試驗片，測量所述試驗片的四邊長並算出該些的平均值。剝離試驗時的液溫以成為50℃的方式進行調整來實施試驗。反覆實施3次所述一系列的剝離步驟。
將電路基板浸漬於某剝離液中後，將直至目視下樹脂膜被完全去除為止所需的時間的、進行3次實驗後的平均值設為基於所述剝離液的「剝離時間」。另外，將電路基板浸漬於某剝離液中所測定的所述試驗片的四邊長的平均值的、進行3次試驗後的平均值設為藉由所述剝離液而形成的「剝離片的四邊長」。
基於所述「剝離時間」及「剝離片的四邊長」，利用以下的基準對各個剝離液進行評價。
＜（1-1）剝離評價＞
◎：剝離時間為90秒以內
○：剝離時間超過90秒、且為120秒以內
×：剝離時間超過120秒
＜（1-2）細碎化評價＞
◎：剝離片的平均四邊長為2 mm以下
○：剝離片的平均四邊長超過2 mm、且為5 mm以下
×：剝離片的平均四邊長超過5 mm
2-2.低泡性試驗
將以總量成為100質量%的方式添加水之前的所述剝離劑在100 ml螺口管中分別秤量各10 g。其後，蓋上蓋子劇烈地上下搖動10秒後靜置。測定靜置30秒後的自液面的泡高度。
基於所述測定出的泡高度，利用以下的基準對各個剝離液進行評價。
＜（2）低泡性＞
◎：泡高度為5 mm以下
○：泡高度高於5 mm、且為10 mm以下
×：泡高度高於10 mm
2-3.穩定性試驗
向100 ml的螺口管中分別投入所述剝離劑各50 ml，在-10℃及25℃下的恆溫槽中分別靜置一週。對靜置後的剝離劑的外觀進行確認。
基於所述觀察到的剝離劑的外觀，利用以下的基準對各個剝離液進行評價。
＜（3）穩定性＞
○：在任一溫度下，靜置後的剝離劑均勻且透明
×：在至少其中一個溫度下，靜置後的剝離劑發生白濁
將剝離劑1～剝離劑15及剝離劑21～剝離劑28中所含的所述各成分的含量及各剝離液的pH、以及關於各剝離液的所述評價的結果示於表4～表8。再者，關於表4～表8中的成分的數值表示相對於剝離劑的總質量的比例（單位為質量%）。
[表4]
| 備註 | 實施例 1 | 實施例 2 | 實施例 3 | 實施例 4 | 實施例 5 | |||
| 剝離劑No. | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |||
| 剝離劑 | 成分 | 式（1）的 化合物 | A1 | 0.9 | 0.6 | 0.9 | 2.5 | 3 |
| A2 | 0.1 | 0.4 | 0.1 | 0.5 | 2 | |||
| 有機溶媒 | B1 | 15 | 20 | 5 | 10 | 25 | ||
| B2 | ||||||||
| B3 | 0.5 | 1 | 5 | |||||
| B4 | ||||||||
| B5 | ||||||||
| 防鏽劑 | C1 | |||||||
| 鹼成分 | D1 | 3 | 1 | 5 | ||||
| D2 | 3 | |||||||
| D3 | 1 | 3 | ||||||
| 水 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | |||
| pH | 13.6 | 13.5 | 13.8 | 13.8 | 13.1 | |||
| 評價結果 | （1） 剝離 | （1-1） 剝離性 | 評價 | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ○ |
| 剝離時間 （秒） | 80 | 118 | 74 | 86 | 110 | |||
| （1-2） 細碎化 | 評價 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ○ | ||
| 剝離片 尺寸 （mm） | 1 | 1 | 4 | 5 | 4 | |||
| （2）低泡性 | 評價 | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ||
| 泡高度 （mm） | 5 | 6 | 3 | 4 | 5 | |||
| （3）穩定性 | 評價 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ |
[表5]
| 備註 | 實施例 6 | 實施例 7 | 實施例 8 | 實施例 9 | 實施例 10 | |||
| 剝離劑No. | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | |||
| 剝離劑 | 成分 | 式（1）的 化合物 | A1 | 1 | 5 | 0.9 | 2.9 | 0.6 |
| A2 | 0.1 | 0.1 | 0.4 | |||||
| 有機溶媒 | B1 | 15 | 20 | 25 | ||||
| B2 | 15 | |||||||
| B3 | 0.5 | 1 | 1 | 1 | ||||
| B4 | 15 | |||||||
| B5 | ||||||||
| 防鏽劑 | C1 | |||||||
| 鹼成分 | D1 | 3 | 2 | 3 | 3 | 3 | ||
| D2 | ||||||||
| D3 | 1 | |||||||
| 水 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | |||
| pH | 13.6 | 13.4 | 13.5 | 13.5 | 13.6 | |||
| 評價結果 | （1）剝離 | （1-1）剝離性 | 評價 | ○ | ○ | ○ | ◎ | ○ |
| 剝離時間 （秒） | 101 | 112 | 91 | 82 | 112 | |||
| （1-2）細碎化 | 評價 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ||
| 剝離片 尺寸 （mm） | 2 | 2 | 1 | 2 | 5 | |||
| （2）低泡性 | 評價 | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ||
| 泡高度 （mm） | 6 | 3 | 4 | 1 | 5 | |||
| （3）穩定性 | 評價 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ |
[表6]
| 備註 | 實施例11 | 實施例12 | 實施例13 | 實施例14 | 實施例15 | |||
| 剝離劑No. | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | |||
| 剝離劑 | 成分 | 式（1）的 化合物 | A1 | 1.8 | 1.5 | 0.9 | 0.9 | 3 |
| A2 | 0.2 | 0.5 | 0.1 | 0.1 | 2 | |||
| 有機溶媒 | B1 | 15 | 15 | 15 | 15 | |||
| B2 | 5 | |||||||
| B3 | 0.5 | 0.5 | ||||||
| B4 | 1 | |||||||
| B5 | 20 | |||||||
| 防鏽劑 | C1 | 0.5 | 2 | 1 | ||||
| 鹼成分 | D1 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | ||
| D2 | ||||||||
| D3 | ||||||||
| 水 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | |||
| pH | 13.6 | 13.5 | 13.6 | 13.4 | 13.5 | |||
| 評價結果 | （1）剝離 | （1-1）剝離性 | 評價 | ◎ | 〇 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 剝離時間 （秒） | 89 | 118 | 70 | 81 | 77 | |||
| （1-2）細碎化 | 評價 | 〇 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ||
| 剝離片 尺寸 （mm） | 5 | 1 | 1 | 4 | 3 | |||
| （2）低泡性 | 評價 | ◎ | ◎ | ◎ | 〇 | ◎ | ||
| 泡高度 （mm） | 3 | 2 | 4 | 10 | 4 | |||
| （3）穩定性 | 評價 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 |
[表7]
| 備註 | 比較例 1 | 比較例 2 | 比較例 3 | 比較例 4 | 比較例 5 | |||
| 剝離劑No. | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | |||
| 剝離劑 | 成分 | 式（1）的 化合物 | A1 | 1 | 1 | 10 | ||
| A'1 | 3 | |||||||
| 有機溶媒 | B1 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | ||
| B'1 | ||||||||
| 防鏽劑 | C1 | 1 | 1 | |||||
| 鹼成分 | D1 | 0.09 | 3 | 3 | 3 | |||
| 水 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | |||
| pH | 7.1 | 12.9 | 13.8 | 13.3 | 13.6 | |||
| 評價結果 | （1）剝離 | （1-1）剝離性 | 評價 | × | × | × | 〇 | 〇 |
| 剝離時間 （秒） | 不可 剝離 | 220 | 184 | 104 | 92 | |||
| （1-2）細碎化 | 評價 | × | 〇 | × | 〇 | 〇 | ||
| 剝離片 尺寸 （mm） | 不可 剝離 | 5 | 6 | 3 | 5 | |||
| （2）低泡性 | 評價 | 〇 | 〇 | 〇 | × | × | ||
| 泡高度 （mm） | 9 | 7 | 2 | 14 | 26 | |||
| （3）穩定性 | 評價 | 〇 | 〇 | 〇 | × | × |
[表8]
| 備註 | 比較例 6 | 比較例 7 | 比較例 8 | |||
| 剝離劑No. | 26 | 27 | 28 | |||
| 剝離劑 | 成分 | 式（1）的 化合物 | A1 | 1 | 1 | 1 |
| A'1 | ||||||
| 有機溶媒 | B1 | 55 | ||||
| B'1 | 15 | |||||
| 防鏽劑 | C1 | 1 | 1 | |||
| 鹼成分 | D1 | 3 | 3 | 3 | ||
| 水 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | 剩餘部分 | |||
| pH | 13.5 | 13.6 | 13.5 | |||
| 評價結果 | （1）剝離 | （1-1）剝離性 | 評價 | × | 〇 | × |
| 剝離時間 （秒） | 162 | 115 | 152 | |||
| （1-2）細碎化 | 評價 | × | × | × | ||
| 剝離片 尺寸 （mm） | 7 | 10 | 12 | |||
| （2）低泡性 | 評價 | ◎ | × | 〇 | ||
| 泡高度 （mm） | 4 | 11 | 7 | |||
| （3）穩定性 | 評價 | × | 〇 | × |
如根據表4～表8而明確般，可知包含成分（A）及成分（B）的剝離劑可在短時間內將形成於電路基板的樹脂膜剝離，將樹脂膜細碎化的性能高，且由於起泡少，因此對環境的負荷低。
本申請案是主張基於2021年6月24日提出申請的日本專利申請案號2021-104677號的優先權的申請案，所述申請案的申請專利範圍及說明書中記載的內容被引用至本申請案中。
[產業上的可利用性]
根據本發明，提供一種可在短時間內將形成於電路基板的樹脂膜剝離，將樹脂膜細碎化的性能高且對環境的負荷少的剝離劑。期待本發明有助於縮短電子電路構件的製造時間及減少製造負荷，從而帶來使用電子電路構件的各領域的進一步發展。
無
無
Claims (4)
- 一種電路基板用樹脂膜的剝離劑，含有：成分（A），式（1）所表示的化合物；及 成分（B），其為碳數為1以上且6以下且分子量為30以上且120以下的脂肪族醇，所述電路基板用樹脂膜的剝離劑中， 所述電路基板用樹脂膜的剝離劑的pH為13.0以上且小於14.0， 相對於所述電路基板用樹脂膜的剝離劑的總質量，所述成分（A）的含量為0.1質量%以上且5質量%以下，所述成分（B）的含量為5質量%以上且40質量%以下， R 1-O-(A 1O)a-H ･･･式（1） （在式（1）中，R 1表示碳數為6以上且10以下的分支烷基，A 1O表示碳數為2以上且3以下的氧伸烷基，作為所述氧伸烷基的平均加成莫耳數的a為2以上且15以下的數）。
- 如請求項1所述的電路基板用樹脂膜的剝離劑，更含有防鏽劑（成分（C）），相對於所述電路基板用樹脂膜的剝離劑的總質量，所述成分（C）的含量為0.5質量%以上且2質量%以下。
- 如請求項2所述的電路基板用樹脂膜的剝離劑，其中所述防鏽劑為式（2）所表示的化合物，（在式（2）中，R 2表示氫原子、甲基或羧基）。
- 一種電路基板的製造方法，具有： 準備在至少一個面形成有樹脂膜的電路基板的步驟；以及 使如請求項1至請求項3中任一項所述的電路基板用樹脂膜的剝離劑與所述樹脂膜接觸的步驟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021104677 | 2021-06-24 | ||
| JP2021-104677 | 2021-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202307191A true TW202307191A (zh) | 2023-02-16 |
Family
ID=84543846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111121783A TW202307191A (zh) | 2021-06-24 | 2022-06-13 | 電路基板用樹脂膜的剝離劑及電路基板的製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP4316678A1 (zh) |
| JP (1) | JPWO2022270333A1 (zh) |
| KR (1) | KR20240024847A (zh) |
| CN (1) | CN117355798A (zh) |
| TW (1) | TW202307191A (zh) |
| WO (1) | WO2022270333A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4884889B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-02-29 | 東京応化工業株式会社 | フォトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 |
| EP3274172B1 (en) | 2015-03-25 | 2023-04-26 | Stratasys Ltd. | Method and system for in situ sintering of conductive ink |
| KR20190034148A (ko) * | 2016-07-28 | 2019-04-01 | 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤 | 레지스트 박리액 조성물 |
| JP6860276B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2021-04-14 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
| JP6249260B1 (ja) * | 2016-11-22 | 2017-12-20 | ナガセケムテックス株式会社 | レジスト剥離液及びレジストの剥離方法 |
| JP7057653B2 (ja) | 2017-12-08 | 2022-04-20 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
| JP7020905B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-02-16 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
-
2022
- 2022-06-10 CN CN202280036287.6A patent/CN117355798A/zh active Pending
- 2022-06-10 KR KR1020237044431A patent/KR20240024847A/ko unknown
- 2022-06-10 JP JP2023529841A patent/JPWO2022270333A1/ja active Pending
- 2022-06-10 EP EP22828250.5A patent/EP4316678A1/en active Pending
- 2022-06-10 WO PCT/JP2022/023448 patent/WO2022270333A1/ja active Application Filing
- 2022-06-13 TW TW111121783A patent/TW202307191A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117355798A (zh) | 2024-01-05 |
| JPWO2022270333A1 (zh) | 2022-12-29 |
| WO2022270333A1 (ja) | 2022-12-29 |
| KR20240024847A (ko) | 2024-02-26 |
| EP4316678A1 (en) | 2024-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105717756B (zh) | 具有改进的硅钝化的半水性光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物 | |
| TWI315030B (en) | Photoresist stripper composition, and exfoliation method of a photoresist using it | |
| JP6006711B2 (ja) | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 | |
| JP4741315B2 (ja) | ポリマー除去組成物 | |
| TW573238B (en) | Composition and process for removing a photoresist or a residue of a semiconductor element | |
| US7655608B2 (en) | Reduced metal etch rates using stripper solutions containing a copper salt | |
| WO2009023675A2 (en) | Improved metal conservation with stripper solutions containing resorcinol | |
| TW201504775A (zh) | 用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其之光阻剝離方法 | |
| CN106062637A (zh) | 用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法 | |
| JP2018530774A (ja) | Ｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 | |
| TW201616248A (zh) | 用於移除光阻的剝離劑組成物及使用其的光阻的剝離方法 | |
| KR20140082713A (ko) | 구리/아졸 중합체 억제를 갖는 마이크로일렉트로닉 기판 세정 조성물 | |
| CN111448522A (zh) | 树脂掩膜剥离用清洗剂组合物 | |
| CN105556392A (zh) | 用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法 | |
| TW202307191A (zh) | 電路基板用樹脂膜的剝離劑及電路基板的製造方法 | |
| TW546553B (en) | Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same | |
| JP7291704B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| TWI795433B (zh) | 用於移除乾膜光阻的剝離組成物及使用所述組成物的剝離方法 | |
| CN106019862A (zh) | 光刻用显影液及抗蚀图案形成方法 | |
| KR20170097256A (ko) | 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 | |
| TW202215172A (zh) | 基板之洗淨方法 | |
| JP2015230333A (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いたレジスト剥離方法 | |
| JP2004348103A (ja) | フォトレジスト剥離剤 | |
| JP7132214B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
| KR101130353B1 (ko) | 포토레지스트용 박리 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 |