TW202305973A - 玻璃基板及玻璃中介層 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種「可一邊抑制生產成本，一邊實現玻璃中介層之窄間距化」的玻璃基板及使用該玻璃基板的玻璃中介層。 [解決手段]玻璃基板(12)，係具有複數個貫穿孔(126)。該玻璃基板(12)，係具備有：配線填充用凹部(128)，被設置於主面的配線形成預定位置；及貫通配線部(122)及面內配線部(124)，由被分別配置於貫穿孔(126)及配線填充用凹部(128)的導電性材料所構成。面內配線部(124)之上面與玻璃基板(12)之主面，係被配置於同一平面上，且分別具有平滑面。

Description

玻璃基板及玻璃中介層
本發明，係關於玻璃基板及使用該玻璃基板之玻璃中介層。
以往，作為中介層之材料，係廣泛地採用矽系材料或樹脂系材料。
然而，在考慮了連接墊(凸塊)之窄間距化及應對配線的微細化時，若為矽系材料則存在有生產成本變高這樣的缺點，若為樹脂系材料，則存在有不易實現微細化這樣的缺點。
因此，在習知技術中，係存在有使用玻璃材料構成玻璃中介層的技術(例如，參閱專利文獻1。)。根據該技術，解決金屬化這樣的玻璃特有之技術課題，從而實現適宜的玻璃中介層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2019-044212號公報
[本發明所欲解決之課題]
然而，由於包含上述專利文獻1之以往的玻璃中介層，係在玻璃基板上形成由玻璃以外之複數個材料所構成的多層配線層，因此，有時連接墊(凸塊)之窄間距化及配線的微細化變得困難。
例如，存在有因玻璃與多層配線層之間的熱膨脹係數之差而發生翹曲或多層配線層因層積時之外力而變形這樣的缺點。
而且，在多層配線層由樹脂所構成的情況下，係如上述般微細化困難，而且，由於用以形成多層配線層之工程涉及多個工程，因此，存在有生產成本變高的傾向。
本發明之目的，係提供一種「可一邊抑制生產成本，一邊實現玻璃中介層之窄間距化」的玻璃基板及使用該玻璃基板的玻璃中介層。 [用以解決課題之手段]
本發明之玻璃基板，係具有複數個微細貫通孔。微細貫通孔之直徑，係5μm~500μm左右的範圍，例如藉由雷射輔助蝕刻所形成。
該玻璃基板，係具備有配線填充用凹部及配線部。配線填充用凹部，係被設置於玻璃基板之主面的配線形成預定位置。作為配線填充用凹部之例子，係雖可列舉出配置有微細配線的微細溝或以覆蓋所期望區域之方式而擴展的凹部等，但並不限定於此。
配線部，係由以銅或鉻等之金屬材料為代表的導電性材料所構成，被分別配置於微細貫通孔及配線填充用凹部。
該配線部中之被配置於配線填充用凹部的配線部之上面與玻璃基板之主面，係被配置於同一平面上且分別具有平滑面。為了實現像這樣的構成，係例如在將配線部填充於配線填充用凹部後，藉由化學性機械研磨處理等，對玻璃基板主面的整個區域進行拋光為佳。
在上述構成中，配置於配線填充用凹部之配線部的上面之平滑面與玻璃基板的主面之平滑面的表面粗糙度Ra，係只要分別為10nm以下即可，1nm以下為較佳。
其理由在於，玻璃基板之主面的平滑性越高，越容易將玻璃基板彼此接合而構成玻璃中介層。而且，當平滑面之表面粗糙度Ra藉由化學性機械研磨處理等被平滑化至0.5nm以下(更佳為0.1nm以下)時，則可藉由常溫接合容易地接合玻璃基板。
藉由「提高複數個玻璃基板彼此的密著性，並使該些層積而構成具有多層配線構造之中介層」的方式，可低成本地形成不會因熱膨脹所引起的翹曲且不易因外力而變形的多層配線構造。
特別是，由於玻璃基板，係容易實現大型化或超薄化，因此，與採用樹脂、陶瓷、矽等的其他材料的情形相比，容易抑制生產窄間距之中介層時的成本。 [發明之效果]
根據該發明，可一邊抑制生產成本，一邊實現玻璃中介層的窄間距化。
圖1(A)~圖1(D)，係表示作為本發明的一實施形態之玻璃中介層10的概略。玻璃中介層10，係藉由探針卡2，位置調整自如地被支撐。在該實施形態中，係雖說明在探針卡2中使用玻璃中介層10的例子，但玻璃中介層10，係可使用於半導體記憶體等的其他用途。
探針卡2，係被安裝於針測機4，該針測機4，係被構成為與測試器等連接並且移動自如。探針卡2，係被構成為測定平台(省略圖示)上之測定對象物6(例如，形成有半導體積體電路之矽晶圓等)的電氣特性。
在玻璃中介層10中之與測定對象物6對向的主面，係連接有探針支撐基板8。該探針支撐基板8，係具有複數個探針9。另外，探針9，係僅圖示便於圖解的數量。探針支撐基板8，係雖由具有複數個貫通孔的樹脂、陶瓷、矽等所構成，但與玻璃中介層10相同地，亦可採用玻璃構件。
玻璃中介層10，係被構成為使設置在探針支撐基板8之探針9的間距適應於設置在探針卡2之彈簧電極(spring electrode)7的間距。具體而言，係被構成為使圖1(B)所示之配置間距相互不同的連接墊70與連接墊90之間導通。
如圖1(B)所示般，玻璃中介層10，係被構成為層積複數個玻璃基板12。在該實施形態中，玻璃中介層10，係雖使三片玻璃基板12常溫接合而構成，但玻璃基板12的數量或接合手法並不限定於該些。
由於構成玻璃中介層10之玻璃基板12，係相互大致相同的構成，因此，在此，係為了方便起見，說明關於單一玻璃基板12。
如圖1(C)及圖1(D)所示般，玻璃基板12，係具備有：貫通配線部122，被設置於貫穿孔126的內壁面；及面內配線部124，作為電路圖案，從貫穿孔126的開口部被設置於玻璃基板12之主面的預定部分。面內配線部124，係以被填充於配線填充用凹部128的方式而配置。
在該實施形態中，貫通配線部122及面內配線部124，係雖皆藉由銅鍍層所構成，但只要為具有導電性的層，則不限定於此。藉由上述貫通配線部122、面內配線部124、連接墊70、連接墊90及因應所需而被設置於貫穿孔126內或其附近的導電糊(銀、鉻、氮化矽等)，電性連接探針9與彈簧電極7。
在玻璃基板12中，係配線填充用凹部128內的面內配線部124之上面與玻璃基板12之主面被配置於同一平面上，而且，面內配線部124之上面與玻璃基板12之主面分別被實施表面處理為使得表面粗糙度1Ra成為1nm以下。
採用像這樣的構成之理由在於，容易使玻璃基板12彼此接合。當在玻璃基板12之接合面存在有凹凸時，雖層積玻璃基板12而構成玻璃中介層10變得困難，但藉由使包含面內配線部124之上面的玻璃基板12之主面整個區域平滑化的方式，容易進行玻璃基板12彼此之接合。例如，在藉由常溫接合將玻璃基板12彼此接合的情況下，係表面粗糙度1Ra為1nm以下，更佳為0.1nm~0.5nm左右，進而較佳為0.1nm以下。又，即便在使用接著劑等的情況下，玻璃基板12亦具有表面粗糙度10nm以下左右的平滑度為較佳。
接著，使用圖2(A)~圖2(E)，說明製造玻璃基板12之手法的一例。首先，如圖圖2(A)~圖2(B)所示般，在玻璃基板12之主面的電路圖案形成位置設置配線填充用凹部128。配線填充用凹部128，係例如藉由「使用光阻、鉻光罩、耐蝕刻性膜而進行選擇性地蝕刻」的方式來形成。
其後，如圖2(C)所示般，設置貫穿孔126。貫穿孔126，係藉由所謂的雷射輔助蝕刻等所形成。在該實施形態中，係雖形成直徑50μm~100μm程度的貫穿孔126，但貫穿孔126之直徑，係可藉由調整雷射光之光束直徑的方式，適當地設定為5μm~500μm左右之範圍。
接著，如圖2(D)所示般，形成貫通配線部122及面內配線部124。在此，係在藉由無電解鍍銅形成1μm左右的銅晶種層後，藉由電解鍍形成50~60μm的銅鍍層。而且，因應所需，將鉻等的導電性膏填充於貫穿孔126。
但是，貫通配線部122及面內配線部124之形成手法，係不限定於此。例如，關於貫通配線部122及面內配線部124，亦可採用以濺鍍來形成Ti或TiW等的黏著層及銅晶種層之手法。又，在形成銅晶種層時，亦可使用由溶膠-凝膠法(Sol-Gel method)所進行的金屬氧化物膜形成或底漆。
而且，如圖2(E)所示般，藉由CMP(Chemical Mechanical Polishing)處理亦即化學性機械研磨處理，包含面內配線部124之上面的玻璃基板12之主面整個區域被實施表面處理。
在該實施形態中，係藉由SeO等的研磨劑(研磨粒)所具有之表面化學作用與漿料所含有的化學成分之作用，增大玻璃基板12之主面與漿料的相對運動所致之機械性研磨效果。該結果，可獲得足以常溫接合表面粗糙度1Ra為0.1nm以下之平滑的研磨面。
對主面施予了CMP處理之玻璃基板12，係藉由常溫接合，層積恰好所需的數量以用來構成玻璃中介層10。作為常溫接合之手法，係可列舉出表面活性化法或原子擴散接合法等的習知之接合方法。
圖3(A)~圖3(C)，係表示在使用圖2(B)所說明的玻璃基板12之主面形成配線填充用凹部128的態樣者。
在此，係首先，如圖3(A)所示般，將耐蝕刻性的光阻30塗佈於玻璃基板12之主面，藉由曝光･顯像等去除所期望位置的光阻30，藉此，使配線填充用凹部128的形成位置露出。
其後，如圖3(B)所示般，藉由蝕刻處理，使玻璃基板12的所期望位置溶解，藉此，形成配線填充用凹部128。而且，如圖3(C)所示般，在形成配線填充用凹部128後，去除光阻30。另外，亦可代替由光阻30所進行的處理，在將耐蝕刻性膜貼附於玻璃基板12之主面後，以雷射處理去除所期望位置的膜，藉此，使配線填充用凹部128之形成位置露出或藉由以鉻光罩所進行的處理或其他手法來進行相同處理。
圖4(A)及圖4(B)，係表示在玻璃基板12形成貫穿孔126之手法的一例。此處，係對玻璃基板12中之應當形成貫穿孔126的位置照射雷射光束，藉此，在該位置形成容易被蝕刻之性質的改質部。
雷射光束，係只要可將12中之貫穿孔126的形成預定位置改質成容易被蝕刻之性質，則其種類及照射條件並不特別受到限定。在該實施形態中，係雖從雷射頭照射自短脈衝雷射(例如皮秒雷射、飛秒雷射)所振盪的雷射光束，但例如亦可使用CO 2雷射、奈秒雷射等。
又，在該實施形態中，係以使雷射光束之平均雷射能量成為約30μJ~300μJ左右的方式進行輸出控制，但並不限定於此。
雷射光束，係適當地調整其聚光區域為較佳。在此，係將雷射光束之聚光區域調整為遍及玻璃基板12之厚度方向的整個區域，藉此，貫穿孔126變得容易被形成。
接續於上述雷射加工處理，藉由蝕刻上述改質部的方式，在玻璃基板12形成貫穿孔126。
蝕刻處理，係例如使用如圖5(A)及圖5(B)所示般之枚葉式噴霧蝕刻方式的蝕刻裝置50。玻璃基板12，係被導入至蝕刻裝置50，施予包含氟酸及鹽酸等的蝕刻液所進行的蝕刻處理。通常，使用包含有氟酸1~10重量%、鹽酸5~20重量%的蝕刻液，並因應所需適當地併用界面活性劑等。
在蝕刻裝置50中，係如圖5(A)及圖5(B)般，一邊藉由搬送滾輪搬送玻璃基板12，一邊在蝕刻腔室52內使蝕刻液接觸於玻璃基板12之主面，藉此，進行對於玻璃基板12的蝕刻處理。
由於在蝕刻裝置50中之蝕刻腔室52的後段，係設置有用以沖洗附著於玻璃基板12之蝕刻液的洗淨腔室53，因此，玻璃基板12，係在去除了蝕刻液的狀態下，從蝕刻裝置50被排出。
如此一來，藉由以雷射加工來輔助蝕刻的手法，可將蝕刻處理時間最小化至極限。
該結果，在貫穿孔126之形成時，玻璃基板12的表面變得不易粗糙化或貫穿孔126的形狀變得不易變形。貫穿孔126之直徑，係可適當地調整為5μm~500μm左右的範圍。
原則上，若玻璃基板12之板厚薄，則容易減小貫穿孔126的直徑。其理由，係在蝕刻處理中，貫穿孔126之直徑比雷射光束直徑微增。
作為針對微增化之對策，藉由申請人的實驗明確了如下述內容：在蝕刻處理中，添加氧化鈦等的氟錯合劑或氫氧化鉀、氫氧化鈉等的鹼，藉此，蝕刻處理中之貫穿孔126的溝寬之微增化得到抑制。因此，因應所需，在蝕刻液中適量添加氟錯合劑或鹼，藉此，可調整貫穿孔126的直徑或形狀。
接著，如圖6(A)及圖6(B)所示般，進行貫通配線部122及面內配線部124之形成處理與對於玻璃基板12的CMP處理。如上述般，在此，係在藉由無電解鍍銅形成1μm左右的銅晶種層後，藉由電解鍍形成50~60μm的銅鍍層。
另外，由於在貫穿孔126之直徑超過100μm的情況下，係存在有「僅藉由電解鍍，難以將導電性材料填充於貫穿孔126」的傾向，因此，將鉻等的導電性膏適當地填充於貫穿孔126為較佳。通常，貫穿孔126內之銅鍍層的厚度之1.1~1.5倍程度的厚度之銅鍍層，係被形成於玻璃基板12的兩主面。
而且，如圖2(E)所示般，藉由CMP(Chemical Mechanical Polishing)處理亦即化學性機械研磨處理，包含面內配線部124之上面的玻璃基板12之主面整個區域被實施表面處理。
在該實施形態中，係藉由SeO等的研磨劑(研磨粒)所具有之表面化學作用與漿料所含有的化學成分之作用，增大玻璃基板12之主面與漿料的相對運動所致之機械性研磨效果。該結果，表面粗糙度1Ra可調整成從10nm至0.1nm以下的範圍，並可獲得足以常溫接合之平滑的研磨面。
對主面施予了CMP處理之玻璃基板12，係藉由常溫接合，層積恰好所需的數量以用來構成玻璃中介層10。
根據上述實施形態，可適當地進行對玻璃基板的微細孔形成或金屬化，而且，可低成本地實現與連接墊之窄間距化對應的玻璃中介層10。
藉由將上述雷射輔助蝕刻適當地使用於外形加工的方式，即便玻璃基板12為異形形狀(例如在角具有圓弧的多角形、圓形、橢圓形等)，亦可適切地進行外形加工。
在上述實施形態中，係雖表示了藉由噴霧蝕刻方式之蝕刻裝置50進行蝕刻處理的例子，但並不限定於此。例如，如圖7(A)所示般，亦可採用「在溢流型之蝕刻腔室54中，一邊與溢流之蝕刻液接觸，一邊搬送玻璃基板12」的構成。
再者，如圖7(B)所示般，亦可採用「使被收納於載體之單數或複數個玻璃基板12浸泡於收納有蝕刻液的蝕刻槽56」之浸漬式的蝕刻。
當然，如該圖所示般，玻璃基板12之形狀，係不僅為圓形，亦可為四角形。又，藉由適當地準備治具，亦可對應於所有形狀的玻璃基板12。
在玻璃基板12之尺寸小且存在有搬送或操作出現障礙的可能性時，係亦可將具備有耐蝕刻性之網目構件使用支撐托盤、筐、治具等的載體構件。
又，如圖8(A)~圖8(C)所示般，亦可利用雷射輔助蝕刻，同時形成貫穿孔126及配線填充用凹部128。
在該情況下，如圖8(A)所示般，藉由「一邊調整雷射焦點，一邊照射雷射光束」的方式，對玻璃基板12中之應當形成配線填充用凹部128的區域進行改質。
而且，如圖8(B)所示般，藉由雷射光束，對貫穿孔126的位置進行改質。而且，如圖8(C)所示般，藉由蝕刻處理使改質部分溶解，藉此，同時形成貫穿孔126及配線填充用凹部128。
上述實施形態之說明，係應被認為在所有方面皆為例示而並非限制性者。本發明之範圍，係並非藉由上述實施形態而是藉由申請專利範圍所表示。而且，在本發明之範圍，係意圖包含與申請專利範圍均等的意思及範圍內的所有變更。
10:玻璃中介層 12:玻璃基板 122:貫通配線部 124:面內配線部 126:貫穿孔 128:配線填充用凹部
[圖1]表示本發明之一實施形態的玻璃中介層之概略構成的圖。 [圖2]表示玻璃中介層的製造方法之一例的圖。 [圖3]表示配線填充用凹部的形成手法之一例的圖。 [圖4]表示貫穿孔的形成手法之一例的圖。 [圖5]表示在玻璃中介層之製造中使用的蝕刻裝置之一例的圖。 [圖6]表示貫通配線部及面內配線部的形成手法之一例的圖。 [圖7]表示在玻璃中介層之製造中使用的蝕刻裝置之其他例的圖。 [圖8]表示配線填充用凹部及貫穿孔的形成手法之其他例的圖。
2:探針卡
4:針測機
6:測定對象物
7:彈簧電極
8:探針支撐基板
9:探針
10:玻璃中介層
12:玻璃基板
70:連接墊
90:連接墊
122:貫通配線部
124:面內配線部
126:貫穿孔
128:配線填充用凹部

Claims (3)

  1. 一種玻璃基板，係具有複數個微細貫通孔，該玻璃基板，其特徵係，至少具備有： 配線填充用凹部，被設置於前述玻璃基板之主面的配線形成預定位置；及 配線部，由被分別配置於前述微細貫通孔及前述配線填充用凹部的導電性材料所構成， 配置於前述配線填充用凹部的配線部之上面與玻璃基板之主面，係被配置於同一平面上且分別具有平滑面。
  2. 如請求項1之玻璃基板，其中， 配置於前述配線填充用凹部之配線部的上面之平滑面與玻璃基板的主面之平滑面的表面粗糙度Ra分別為1nm以下。
  3. 一種玻璃中介層，係接合複數個如請求項1或2之玻璃基板而成。
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JP4214068B2 (ja) * 2004-03-09 2009-01-28 パナソニック株式会社 多層ガラス基板の製造方法
JP2014236102A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 凸版印刷株式会社 貫通電極付き配線基板、その製造方法及び半導体装置
JP6840935B2 (ja) * 2016-05-10 2021-03-10 凸版印刷株式会社 配線回路基板の製造方法
JP2019036607A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 リード・エレクトロニクス株式会社 回路付きガラス基板含有多層配線板及びその製造方法

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