TW202242628A - 觸控顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

揭露一種觸控顯示裝置，用以避免影像品質的劣化。觸控顯示裝置係構造為使多個觸控感測器係設置在封裝發光元件的封裝單元上。觸控顯示裝置包含驅動訊號線，包含設置於封裝單元下方的第一驅動訊號線以及設置於封裝單元上方的第二驅動訊號線以接觸第一驅動訊號線。據此，可以降低驅動訊號線的線電阻，進而避免影像品質的劣化。

Description

觸控顯示裝置
本發明係關於一種觸控顯示裝置，特別係關於一種用以避免影像品質劣化的觸控顯示裝置。
觸控螢幕為使用者可以藉由使用手或物件選擇顯示在顯示裝置的螢幕上的指示以輸入指令的輸入裝置。亦即，觸控螢幕將直接接觸使用者的手或物件的接觸位置轉換為電訊號，並基於接觸位置接收選擇的指示作為輸入訊號。這樣的觸控螢幕可以代替連接至顯示裝置並運作的個別的輸入裝置，例如鍵盤或滑鼠，並因此觸控螢幕的應用範圍持續地增加。
近來，已經在觸控顯示裝置上進行了積極的研究及開發，其中觸控螢幕係設置於例如為液晶顯示面板或有機電致發光顯示面板（organic electroluminescent display panel）的顯示面板上。隨著觸控顯示裝置的解析度越來越高且尺寸越來越大，歸因於每一訊號線的線電阻器（R）及電容器（C）的驅動訊號的電阻電容延遲（RC delay）增加。因此，存在的問題在於取決於每一子像素的位置的每一驅動訊號的延遲的變化所導致之亮度的變化。
鑒於上述，本發明提供一種觸控顯示裝置，其本質上消除了由於現有技術的限制及缺點而導致的一或多個問題。
本發明的目的在於提供用以避免影像品質劣化的觸控顯示裝置。
本發明的其他優點、目的及特徵將於以下的描述中部份地闡述，並且在查看以下內容之後對於本領域的技術人員而言，將變得顯而易見，或者可以從實踐本發明中獲悉。藉由在說明書及專利申請範圍以及附圖中特別指出的結構，可以實現並獲得本發明的目的和其他優點。
為了實現這些目的和其他優點，並且根據本發明的目的，如在此具體實現和廣泛描述的，觸控顯示裝置係構造為使得多個觸控感測器設置在封裝發光元件的封裝單元上。觸控顯示裝置包含驅動訊號線，該驅動訊號線包含設置在封裝單元下方的第一驅動訊號線以及設置在封裝單元上方以與第一驅動訊號線接觸的第二驅動訊號線。
應當理解，本發明的以上概述和以下詳細描述都是示例性和解釋性的，並且旨在提供對所要求保護的本發明的進一步解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
圖1係示出依據本發明的觸控顯示裝置的透視圖。
圖1所示的觸控顯示裝置響應於使用者通過圖2所示的觸控電極152e及154e在觸控時段的觸控，藉由感測互電容Cm（觸控感測器）的變化感測觸控的存在與否及觸控位置。圖1所示的觸控顯示裝置經包含發光元件120的單元像素顯示影像。
為此，觸控顯示裝置包含由以矩陣形式佈置在基板111上的複數個子像素SP組成的單元像素、設置在該些子像素SP上的封裝單元140以及設置於封裝單元140上的觸控感測器Cm。
單元像素由佈置成行（row）的紅（R）、綠（G）及藍（B）的子像素SP構成。可替代地，如圖1所示，單元像素由（row）的紅（R）、綠（G）、藍（B）及白（W）的子像素SP構成。
每一個子像素SP包含像素驅動電路及連接至像素驅動電路的發光元件120。
像素驅動電路包含開關電晶體T1、驅動電晶體T2以及儲存電容器Cst。在本發明中，藉由示例描述了像素驅動電路包含兩個電晶體T及一個電容器C的結構，然本發明不以此為限。亦即，可以使用具有3T1C結構或3T2C結構的像素驅動電路，其中設置了三個或多個的電晶體T及一個或多個的電容器C。
開關電晶體T1在掃描脈衝被供予掃描線SL時被導通，開關電晶體T1並將被供予資料線DL的資料訊號提供至儲存電容器Cst及驅動電晶體T2的閘極電極。
驅動電晶體T2響應於被供至其閘極電極的資料訊號，控制由高電壓（VDD）供應線提供的電流至發光元件120，進而調整發光元件120的發光量。即使當開關電晶體T1被關斷時，驅動電晶體T2藉由使用充入儲存電容器Cst的電壓，提供恆定的電流量至發光元件120以維持發光元件120的發光，直到被供予下一幀的資料訊號。
驅動電晶體T2（130），如圖3所示，包含設置於緩衝層112上的半導體層134、重疊半導體層134且閘極絕緣膜102***於其間的閘極電極132，以及形成在層間絕緣膜114上進而與半導體層134接觸的源極電極136和汲極電極138。半導體層134係由非晶（amorphous）半導體材料、多晶（polycrystalline）半導體材料及氧化半導體材料的至少其中之一形成。
發光元件120包含陽極122、形成在陽極122上的發光堆疊（stack）124，以及形成在發光堆疊124上的陰極126。
陽極122電性連接至驅動電晶體T2（130）的汲極電極138，其中汲極電極138透過穿透像素平面化層118的像素接觸孔而暴露。
至少一個發光堆疊124形成在由堤部（bank）128所界定的發光區域中的陽極122上。藉由將孔相關層、有機發光層及電子相關層以此順序或相反的順序堆疊在陽極122上而形成所述的至少一個發光堆疊124。此外，發光堆疊124可以包含面對彼此且中間夾有電荷產生層的第一發光堆疊及第二發光堆疊。在這個情況下，第一發光堆疊及第二發光堆疊中的任一者的有機發光層產生藍光，且第一發光堆疊及第二發光堆疊中的另一者的有機發光層產生黃－綠光，進而透過第一發光堆疊及第二發光堆疊產生白光。由於在發光堆疊124內產生的白光入射到位於發光堆疊124上的濾色器，故可以實現彩色影像。可替代地，對應到每一子像素的彩色光可以不需個別的濾色器地在每一發光堆疊124中產生，以實現彩色影像。亦即，紅色（R）子像素的發光堆疊124可以產生紅光，綠色（G）子像素的發光堆疊124可以產生綠光，而藍色（B）子像素的發光堆疊124可以產生藍光。
陰極126被形成以面對陽極122，且其間設有發光堆疊124。陰極126連接至低電壓（VSS）供應線。
封裝單元140避免外部的濕氣或氧氣進入易受外部的濕氣或氧氣影響的發光元件120。為此，封裝單元140包含複數個無機封裝層142及146，以及設置於該些無機封裝層142及146之間的有機封裝層144。無機封裝層146設置於封裝單元140的頂部。在這個情況下，封裝單元140包含至少兩個無機封裝層142及146，以及至少一個有機封裝層144。在本發明中，將透過示例的方式描述有機封裝層144設置於第一無機封裝層142和第二無機封裝層146之間的封裝單元140的結構。
第一無機封裝層142形成在最接近發光元件120的位置處且在其上已經形成陰極126的基板111上。第一無機封裝層142係由可以在低溫下沉積的無機絕緣材料形成，例如氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）、氮氧化矽（SiON）或氧化鋁（Al2O3）。由於第一無機封裝層142係在低溫環境下沉積，故在沉積第一無機封裝層142的過程中，可以避免易受高溫環境影響的發光堆疊124受到損傷。
有機封裝層144用於減輕由於有機發光顯示裝置的彎曲而導致的各層之間的壓力，並且用於提高平面化性能（planarization performance）。有機封裝層144係由有機絕緣材料形成，例如丙烯樹脂（acrylic resin）、環氧樹脂（epoxy resin）、聚醯亞胺（polyimide）、聚乙烯（polyethylene）或碳氧化矽（silicon oxycarbide，SiOC）。
當有機封裝層144係透過噴墨（inkjet）方法形成時，至少一個壩部104被設置以避免處於液態的有機封裝層144擴散至基板111的邊緣。該至少一個壩部104可以避免有機封裝層144擴散至形成在基板111的最外部的墊區域（pad area），其中墊區域設置有電力墊160（包含電力墊160A及160B）、觸控墊170及顯示墊108。為此，該至少一個壩部104可以被形成以完全地包圍設置有發光元件120的主動區域，如圖2所示。當墊區域係設置在基板111的一側時，該至少一個壩部104僅被設置在基板111的該一側。當墊區域係設置在基板111的對側時，該至少一個壩部104僅被設置在基板111的該對側。該至少一個壩部104係形成為單層結構或多層結構。該至少一個壩部104係與像素平面化層118、堤部128及間隔物（spacer）的至少其中一個同時形成，且係由相同的材料製成。
第二無機封裝層146係形成在其上已經形成有機封裝層144的基板111上，以覆蓋有機封裝層144及第一無機封裝層142的頂部及側表面。據此，第二無機封裝層146最小化或避免外部濕氣或氧氣滲入第一無機封裝層142及有機封裝層144。第二無機封裝層146係由無機絕緣材料形成，例如氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）、氮氧化矽（SiON）或氧化鋁（Al2O3）。
觸控感測器Cm係設置在封裝單元140上。觸控感測器Cm包含觸控絕緣膜156，並更包含設置為彼此相交且其間設置有觸控絕緣膜156的觸控感測線154及觸控驅動線152。觸控感測器Cm使用提供給觸控驅動線152的觸控驅動脈衝充電電荷，並將電荷釋放到觸控感測線154。
觸控驅動線152包含複數個第一觸控電極152e及將該些第一觸控電極152e電性連接於彼此的第一橋152b。
該些第一觸控電極152e在觸控絕緣膜156上在X方向上以規則間距彼此間隔，其中X方向為第一方向。每個第一觸控電極152e透過第一橋152b電性連接至相鄰的第一觸控電極152e。
第一橋152b透過穿過觸控絕緣膜156的觸控接觸孔158而暴露，並電性連接至第一觸控電極152e。
觸控感測線154包含複數個第二觸控電極154e及將該些第二觸控電極154e電性連接於彼此的第二橋154b。
該些第二觸控電極154e在觸控絕緣膜156上在Y方向上以規則間距彼此間隔，其中Y方向為第二方向。每個第二觸控電極154e透過第二橋154b電性連接至相鄰的第二觸控電極154e。
與第二觸控電極154e共平面的第二橋154b設置於觸控絕緣膜156上，並因此在沒有個別的接觸孔的情況下電性連接於第二觸控電極154e。
觸控緩衝膜148可以被設置在觸控驅動線152及觸控感測線154中的每一個與封裝單元140之間。由於觸控驅動線152及觸控感測線154中的每一個與陰極126之間的間隔距離因觸控緩衝膜148而增加，觸控驅動線152及觸控感測線154中的每一個與陰極126之間的寄生電容器的電容值可以被降低。
第一及第二觸控電極152e及154e以及第一及第二橋152b及154b以網狀型形成，使得它們不與每個子像素SP的發光區域重疊並與堤部128重疊。據此，可以避免開口率（aperture ratio）及透射率（transmissivity）因第一及第二觸控電極152e及154e以及第一及第二橋152b及154b而劣化。
第一及第二觸控電極152e及154e以及第一及第二橋152b及154b具有較透明導電膜高的導電，並因此形成為低電阻（low-resistance）電極。第一及第二觸控電極152e及154e以及第一及第二橋152b及154b與佈線150一起使用由具有高耐腐蝕性及耐酸性並具有良好的導電性的材料（例如，鉭（Ta）、鈦（Ti）、銅（Cu）或鉬（Mo））形成的觸控金屬層形成為單層或多層結構。舉例而言，第一及第二觸控電極152e及154e、第一及第二橋152b及154b以及佈線150係以三層結構形成，例如鈦/鋁/鈦（Ti/Al/Ti）、鉬鈦/銅/鉬鈦（MoTi/Cu/MoTi），或鈦/鋁/鉬（Ti/Al/Mo）。據此，第一及第二觸控電極152e及154e、第一及第二橋152b及154b以及佈線150的每一者的電阻及電容被降低。因此，減小了阻容延遲（RC delay），也因此改善了觸控的敏感度。
依據本發明，觸控驅動線152及觸控感測線154的每一者經佈線150及觸控墊170連接至觸控驅動單元（未示出）。
佈線150將在觸控驅動單元內產生的觸控驅動脈衝經觸控墊170傳輸至觸控驅動線152，並透過觸控墊170將來自觸控感測線154的觸控訊號傳輸至觸控驅動單元。據此，佈線150係形成於第一及第二觸控電極152e及154e的每一者與觸控墊170之間，以將第一及第二觸控電極152e及154e的每一者電性連接至觸控墊170。
如圖2所示，佈線150從第一觸控電極152e延伸至主動區域的左側及右側的至少其中之一，且連接至觸控墊170。此外，佈線150從第二觸控電極154e延伸至主動區域的上側及下側的至少其中之一，且連接至觸控墊170。佈線150的此種佈置可以根據顯示裝置的設計需求而做各種改變。
佈線150被設置在觸控緩衝膜148以及無機封裝層142及146的至少其中一者，以沿著觸控緩衝膜148以及無機封裝層142及146的至少其中一者的側表面延伸。
觸控墊170連接至訊號傳輸膜（未示出），且其上安裝有觸控驅動單元。觸控墊170係由第一觸控墊電極172及第二觸控墊電極174組成。
第一觸控墊電極172係設置在基板111、緩衝層112及層間絕緣膜114中的至少一者上，第一觸控墊電極172係設置在封裝單元140下方。第一觸控墊電極172係由與驅動電晶體T2（130）閘極電極132、源極電極136以及汲極電極138的至少其中一者相同的材料形成在同一平面上，並且具有單層或多層結構。舉例而言，由於第一觸控墊電極172係由與源極電極136以及汲極電極138相同的材料形成且係設置在層間絕緣膜114上，第一觸控墊電極172係經與源極電極136以及汲極電極138相同的遮罩製程（mask process）形成。
第一觸控墊電極172透過第一觸控輔助電極192及第二觸控輔助電極194電性連接至佈線150。第一觸控輔助電極192透過穿透觸控緩衝膜148及觸控絕緣膜156的觸控輔助孔198a而暴露。第一觸控輔助電極192係由與第一觸控墊電極172相同的材料形成且係設置在相同的平面。此外，第二觸控輔助電極194透過穿透第二層間絕緣膜114的第二觸控輔助孔198b而暴露，且與第一觸控墊電極172接觸。此外，第二觸控輔助電極194係透過穿透第二層間絕緣膜114的第三觸控輔助孔198c而暴露，且與第一觸控墊電極172接觸。第二觸控輔助電極194係設置在與閘極電極132相同的平面且由相同的材料製成。
第二觸控墊電極174電性連接於第一觸控墊電極172，其中第二觸控墊電極174透過穿過觸控緩衝膜148及觸控絕緣膜156的觸控墊接觸孔176而暴露。由於第二觸控墊電極174係由與佈線150相同的遮罩製程形成，第二觸控墊電極174係由與佈線150相同的材料形成在相同的平面。
第二觸控墊電極174從佈線150延伸，且透過非等向（anisotropic）導電膜（未示出）連接至其上安裝有觸控驅動單元的訊號傳輸膜（未示出）。
顯示墊108及電力墊160A及160B被一起設置在設置有觸控墊170的非主動區域（邊框（bezel））。舉例而言，如圖2所示，顯示墊108可以被設置在觸控墊170之間，或觸控墊170可以被設置在顯示墊108之間。可替代地，觸控墊170可以被設置在顯示面板的一側，且顯示墊108可以被設置在顯示面板的相反側。然而，觸控墊170及顯示墊108的佈置不限於圖2所示的結構，且可以根據顯示裝置的設計需求而做各種改變。顯示墊108被連接至掃描線及資料線的至少其中一者。顯示墊108係以不同於觸控墊170的堆疊結構形成，或係以相同於觸控墊170的堆疊結構形成。
複數個電力墊160A及160B被連接至提供低電位電壓VSS或高電位電壓VDD的驅動訊號線180。舉例而言，電力墊包含設置於基板111的一側的第一電力墊160A以及設置於基板111的相反側的第二電力墊160B。第一電力墊160A及第二電力墊160B的每一者包含第一電力墊電極162以及第二電力墊電極164，如圖4所示之電力墊160。
第一電力墊電極162被設置在基板111、緩衝層112及層間絕緣膜114中的至少一者上，且第一電力墊電極162係設置在封裝單元140的下方。第一電力墊電極162係使用與第一觸控墊電極172相同材料且在相同的平面以單層或多層結構形成。
第一電力墊電極162透過第一電力輔助電極196及第二電力輔助電極168電性連接至驅動訊號線180。
第一電力輔助電極196從驅動訊號線180的第一驅動訊號線182延伸。第一電力輔助電極196係設置在與第一觸控墊電極172相同的平面且由相同的材料製成。
第二電力輔助電極168透過穿透層間絕緣膜114的第一電力輔助孔188a暴露，且與第一電力輔助電極196接觸。此外，第二電力輔助電極168透過穿透層間絕緣膜114的第二輔助孔188b暴露，且與第一電力墊電極162接觸。第二電力輔助電極168係設置在與閘極電極132相同的平面且以相同的材料製成。
第二電力墊電極164電性連接至第一電力墊電極162，其中第一電力墊電極162透過穿透觸控緩衝膜148及觸控絕緣膜156的電力緩衝接觸孔166而暴露。由於第二電力墊電極164係由與佈線150相同的遮罩製程形成，第二電力墊電極164係形成在與佈線150相同的平面且以相同的材料製成。
如圖5所示，用以彎曲或折疊基板111的彎曲區域BA係包含於非主動區域內，其中非主動區域內設置有電力墊160A及160B、觸控墊170及顯示墊108。設置於彎曲區域BA內的第一電力輔助電極196及第一觸控輔助電極192係以鋸齒（zigzag）形狀設置，或設置為使多個中空的多邊形單元結構、多個中空的圓形單元結構或其組合以列（row）彼此連接。據此，即使當因彎曲區域BA的曲率而受到外力施加時，也可以最小化第一電力輔助電極196及第一觸控輔助電極192的損害。
防裂層178被設置在彎曲區域BA內以使彎曲區域BA容易被彎曲。防裂層178係使用具有較無機絕緣膜更高的應變率（strain rate）及更高的耐衝擊度的有機絕緣材料，形成在第一電力輔助電極196及第一觸控輔助電極192上。舉例而言，由於防裂層178係與像素平面化層118及堤部128的至少其中之一一起形成，防裂層178係由與像素平面化層118及堤部128的至少其中之一相同材料製成且形成在相同的平面。由有機絕緣材料形成的防裂層178具有高於無機絕緣材料的應變率並因此減緩因彎折基板111所造成的壓力。據此，防裂層178可以避免彎曲區域BA的破裂，並因此避免裂痕擴散到主動區域AA。
依據本發明，連接至電力墊160A及160B的驅動訊號線180被設置於設置在壩部104外的左邊框區域及右邊框區域內，或亦被設置於設置在壩部104外的上邊框區域以及左邊框區域及右邊框區域內。舉例而言，如圖2所示，驅動訊號線180係以「U」字型形成以包圍除了設置有電力墊160A及160B、觸控墊170及顯示墊108的墊區域以外的區域。如圖6所示，驅動訊號線180包含第一驅動訊號線182及第二驅動訊號線184。第一驅動訊號線182及第二驅動訊號線184係形成為在其中沒有空（empty）的空間，或者形成為在其中具有至少一個狹縫（slit）。
第一驅動訊號線182係與閘極電極132、源極電極136、汲極電極138、陽極122以及陰極126的至少其中之一的第一導電層一起形成，其中閘極電極132、源極電極136、汲極電極138、陽極122以及陰極126的至少其中之一係設置在封裝單元140的下方。舉例而言，由於第一驅動訊號線182係與源極電極136及汲極電極138一起形成，故第一驅動訊號線182係形成在層間絕緣膜114上且係由與源極電極136及汲極電極138相同的材料製成。當驅動訊號線180提供低電位電壓VSS給發光元件120的陰極126時，第一驅動訊號線182透過像素連接電極116連接至陰極126。在這個情況下，像素連接電極116係形成在與陽極122相同的平面且由相同的材料製成。
第二驅動訊號線184係與觸控電極152e及154e以及第一橋152b的至少其中之一的第二導電層一起形成，其中觸控電極152e及154e以及第一橋152b的至少其中之一係設置在封裝單元140的下方。舉例而言，由於第二驅動訊號線184係與觸控電極152e及154e一起形成，故第二驅動訊號線184係形成在觸控絕緣膜156上且係由與觸控電極152e及154e相同的材料製成。
第二驅動訊號線184電性連接於第一驅動訊號線182，其中第一驅動訊號線182透過穿透觸控緩衝膜148及觸控絕緣膜156的複數個電力接觸孔186而暴露。在這個情況下，第一驅動訊號線182及第二驅動訊號線184在壩部104以外且未設置有機封裝層140的區域透過電力接觸孔186連接於彼此。據此，由於電力接觸孔186被形成以穿透較有機封裝層140薄的觸控緩衝膜148及觸控絕緣膜156，故有助於形成電力接觸孔186的過程。
如上所述，依據本發明，如圖7所示，提供高電位電壓VDD及低電位電壓VSS的至少其中一者的驅動訊號線180被以多層並聯結構形成。據此，相較於具有單層結構的驅動訊號線，本發明的驅動訊號線180可以降低線電阻R182及R184。據此，本發明可以避免高電位電壓VDD或低電位電壓VSS的壓降，進而降低歸因於這種壓降的亮度變化。
此外，若包含第一驅動訊號線182及第二驅動訊號線184的具有多層結構的驅動訊號線180被設計為具有相當於具有單層結構的驅動訊號線的電阻位準（resistance level），則可以降低具有多層結構的驅動訊號線180的線寬，因此實現狹窄的邊框。
圖8係示出依據本發明的第二實施例的觸控顯示裝置的平面圖，而圖9係示出沿著圖8的IV-IV’線截取的觸控顯示裝置的截面圖。
圖8及9所示的觸控顯示裝置具有與依據第一實施例的觸控顯示裝置相同的組件，除了更包含第三電力墊160C及第三驅動訊號線212。因此，將省略對相同組件的詳細描述。
第三電力墊160C被設置於第一及第二電力墊160A及160B之間，且更被設置於顯示墊108之間或觸控墊170之間。第三電力墊160C具有相同於第一及第二電力墊160A及160B的堆疊結構，且透過第一及第二電力輔助電極196及168連接於第三驅動訊號線212。
如圖11所示，至少一條第三驅動訊號線212係形成在彎曲區域BA的至少一部份，並係設置於彎曲區域BA及主動區域AA之間的非主動區域內，或係設置於彎曲區域BA及主動區域AA之間的非主動區域內以及彎曲區域BA內。在這個情況下，由於第三驅動訊號線212與連接於顯示墊108的顯示鏈接（display link）LK及佈線150的至少其中一者相交，故防止了第三驅動訊號線212與其電性短路。舉例而言，第三驅動訊號線212被設置以絕緣於顯示鏈接LK且觸控緩衝膜148***於其間，第三驅動訊號線212並被設置以絕緣於佈線150且觸控絕緣膜156***於其間。在這個情況下，第三驅動訊號線212被設置於觸控緩衝膜148上且係由與第一橋152b相同的材料製成。第三驅動訊號線212連接於第一電力輔助電極196，其中第一電力輔助電極196透過穿透觸控緩衝膜148的第三電力輔助孔110而暴露。此外，第三驅動訊號線212連接於第二驅動訊號線184，其中第二驅動訊號線184透過穿透觸控緩衝膜148的第四電力輔助孔214而暴露。
如上所述，依據本發明的顯示裝置可以透過第一到第三電力墊160A、160B及160C提供高電位電壓VDD及低電位電壓VSS的至少其中一者予驅動訊號線182、184及212。據此，本發明可以透過第一到第三電力墊160A、160B及160C的每一者提供驅動電壓，進而穩定地提供驅動電壓。
此外，依據本發明，用以提供高電位電壓VDD及低電位電壓VSS的至少其中一者的驅動訊號線180係以多層結構形成，相較於具有單層結構的驅動訊號線進而減小了線電阻。據此，本發明可以避免高電位電壓VDD或低電位電壓VSS的壓降，進而減小了歸因於此壓降而造成的亮度變化。
此外，若具有多層結構並包含第一到第三驅動訊號線182、184及212的驅動訊號線被設計為具有相當於具有單層結構的驅動訊號線的電阻位準，驅動訊號線180的總線寬可以被降低，進而實現狹窄邊框。
圖11係依據本發明的第三實施例的觸控顯示裝置的平面圖，而圖12係沿著圖11的V-V’線截取的觸控顯示裝置的截面圖。
圖11及12所示的觸控顯示裝置具有與依據第二實施例的觸控顯示裝置相同的組件，除了第一到第三驅動訊號線182、184及212的至少其中一者被設置以重疊壩部104的至少一部份。因此，將省略對相同組件的詳細描述。
第一到第三驅動訊號線182、184及212的至少其中一者被設置以在基板111的邊緣與壩部104之間的區域重疊壩部104的至少一部份。據此，第一到第三驅動訊號線182、184及212的面積增加，進而降低第一到第三驅動訊號線182、184及212的電阻值。
此外，依據本發明，驅動訊號線180係以多層結構形成，相較於具有單層結構的驅動訊號線進而減小了線電阻。據此，本發明可以避免高電位電壓VDD或低電位電壓VSS的壓降，進而減小了歸因於此壓降而造成的亮度變化。
此外，若具有多層結構並包含第一到第三驅動訊號線182、184及212的驅動訊號線被設計為具有相當於具有單層結構的驅動訊號線的電阻位準，驅動訊號線180的總線寬可以被降低，進而實現狹窄邊框。
依據本發明的觸控顯示裝置的驅動訊號線被設置於非主動區域NA內，如圖13A及13B所示。
如圖13A所示，設置在主動區域AA的左側及右側的非主動區域NA包含第一非主動區域NA1及第二非主動區域NA2，且第一非主動區域NA1及第二非主動區域NA2係設置於主動區域AA及修整線TRL之間，其中修整線TRL為基板111的邊緣。如圖13A所示，第一及第二驅動訊號線182及184被設置於第二非主動區域NA2內，其中第二非主動區域NA2被設置於主動區域AA的左側及右側。具體地，第一及第二驅動訊號線182及184被設置在有機封裝層144的邊緣區域M1以及無機封裝層142及146的邊緣區域M2，其中邊緣區域M1及M2係包含於第二非主動區域NA2內。第一驅動訊號線182係形成為閘極驅動電路GIP與修整線TRL之間的源極及汲極金屬層SDM，且第二驅動訊號線184係形成為佈線150與修整線TRL之間的觸控金屬層TM。
設置於主動區域AA下方的非主動區域NA係貼附有訊號傳輸膜的區域，其中訊號傳輸膜上安裝有驅動電路，且如圖13B所示，非主動區域NA包含邊框區域BA以及第一及第二非主動區域NA1及NA2。
第一及第二驅動訊號線182及184係設置在第一及第二非主動區域NA1及NA2以及邊框區域BA內，其中第一及第二非主動區域NA1及NA2以及邊框區域BA係設置在主動區域AA的下方。第一及第二驅動訊號線182及184在第一及第二非主動區域NA1及NA2內重疊訊號鏈接LNK，其中訊號鏈接LNK係形成為閘極金屬層GAM。第一驅動訊號線182可以與像素平面化層118直接接觸，如圖6所示。可替代地，第一驅動訊號線182可以重疊像素平面化層118並其間設有保護膜PAS。
雖然已經透過具有像素電路包含兩個電晶體T及一個電容器C的結構的示例方式描述了本發明，本發明不以此為限。如圖14所示，本發明可以具有7T1C結構，其中像素電路包含七個或多個電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及DT以及一個或多個電容器Cst，該些電晶體連接至掃描線SL1及SL2或發光控制線14。
像素電路的電晶體DT的源極電極電性連接至提供高電位電壓VDD的驅動訊號線180。據此，電晶體DT的閘極電極與源極電極之間的電位差Vgs依據由提供高電位電壓VDD的驅動訊號線180的線電阻導致的高電位電壓的改變而變化。此外，流經發光元件120的電流量依據電晶體DT的閘極電極與源極電極之間的電位差Vgs而變化，亮度並因此變化。此外，影像品質受到初始化電壓Vinit及低電位電壓VSS以及連接至驅動電晶體DT的高電位電壓VDD的變化影響。因此，依據本發明，用以提供初始化電壓Vinit及低電位電壓VSS的驅動訊號線180以及用以提供高電位電壓VDD的驅動訊號線180係使用設置於封裝單元140下方的至少一個第一導電層以及設置於封裝單元140上方的至少一個第二導電層，以多層結構形成。據此，本發明可以降低提供高電位電壓VDD、初始化電壓Vinit及低電位電壓VSS的驅動訊號線180的線電阻值。
雖然已經透過具有矩形結構的示例方式描述了依據本發明的觸控顯示裝置，本發明亦可以應用於各種其他結構，例如。圓形結構、橢圓形結構、具有至少一個傾斜表面的多邊形結構，或具有至少一個圓形表面的不規則形狀結構。由於相較於具有矩形結構的觸控顯示裝置，具有不規則形狀結構的觸控顯示裝置包含具有面積減小的角落部分，因此形成有驅動訊號線的面積減小，導致線電阻的變化。據此，如圖15A所示，由於在設置有角落部分的區域以及非角落部分的其他區域之間的線電阻的差異，設置有角落部分的區域以及非角落部分的其他區域之間發生亮度的差異，導致出現暗塊（block dim）。為了解決此問題，依據本發明，驅動訊號線180係使用設置於封裝單元140下方的至少一個第一導電層以及設置於封裝單元140上方的至少一個第二導電層，以多層結構形成。據此，本發明可以降低驅動訊號線180的線電阻。因此，如圖15B所示，本發明可以藉由降低設置有角落部分的區域以及非角落部分的其他區域之間的亮度差異，進而改善影像品質。
雖然已經透過具有互電容類型觸控感測器結構的示例方式描述了本發明，本發明不以此為限。本發明亦可以被應用於自電容類型觸控感測器結構。也就是說，每一該些觸控電極包含形成在其中的電容，並因此被用為感測因使用者的觸控引起的電容的變化的自電容類型觸控感測器。每個觸控電極以一對一的對應方式連接於個別的一條佈線。每個觸控電極電性連接於對應的一條佈線，且未連接到其餘的佈線。舉例而言，第m個觸控電極（其中m為自然數）電性連接於第m條佈線，且未連接到非第m條佈線的其他佈線。第(m+1)個觸控電極電性連接於第(m+1)條佈線，且未連接到非第(m+1)條佈線的其他佈線。在這個情況下，佈線可以被設置跨越觸控電極，或可以被設置在觸控電極之間。佈線被設置在不同於觸控電極的層，且其間設置有觸控絕緣膜，並因此透過穿透觸控絕緣膜的接觸孔電性連接於觸控電極。可替代地，佈線可以被設置在與觸控電極相同的層，並因此可以直接連接於觸控電極而不需個別的接觸孔。
從以上描述顯而易見的是，在依據本發明的觸控顯示裝置中，驅動訊號線係以多層並聯結構形成。據此，相較於具有單層結構的驅動訊號線，本發明的驅動訊號線可以降低線電阻。因此，本發明可以避免高電位電壓或低電位電壓的壓降，進而降低歸因於此壓降的亮度變化。
此外，若具有多層結構的驅動訊號線被設計為具有相 於具有單層結構的驅動訊號線的電阻位準，則具有多層結構的驅動訊號線的線寬可以被降低，因此實現狹窄邊框。
對對本領域技術人員而言顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變型。 因此，在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。
102:閘極絕緣膜 104:壩部 108:顯示墊 111:基板 112:緩衝層 114:層間絕緣膜 116:像素連接電極 118:像素平面化層 120:發光元件 122:陽極 124:發光堆疊 126:陰極 128:堤部 130:驅動電晶體 132:閘極電極 134:半導體層 136:源極電極 138:汲極電極 140:封裝單元 142:第一無機封裝層 144:有機封裝層 146:第二無機封裝層 148:觸控緩衝膜 150:佈線 152:觸控驅動線 152b:第一橋 152e:第一觸控電極 154:觸控感測線 154b:第二橋 154e:第二觸控電極 156:觸控絕緣膜 158:觸控接觸孔 160:電力墊 160A:第一電力墊 160B:第二電力墊 160C:第三電力墊 162:第一電力墊電極 164:第二電力墊電極 166:電力緩衝接觸孔 196:第一電力輔助電極 168:第二電力輔助電極 170:觸控墊 172:第一觸控墊電極 174:第二觸控墊電極 176:觸控墊接觸孔 178:防裂層 180:驅動訊號線 R182、R184:線電阻 182:第一驅動訊號線 184:第二驅動訊號線 212:第三驅動訊號線 186:電力接觸孔 188a:第一電力輔助孔 188b:第二電力輔助孔 110:第三電力輔助孔 214:第四電力輔助孔 192:第一觸控輔助電極 194:第二觸控輔助電極 198a:觸控輔助孔 198b:第二觸控輔助孔 198c:第三觸控輔助孔 SP:子像素 Cm:觸控感測器 T1:開關電晶體 T2:驅動電晶體 Cst:儲存電容器 DL:資料線 VSS:低電位電壓 VDD:高電位電壓 AA:主動區域 BA:彎曲區域 BA:邊框區域 NA:非主動區域 NA1:第一非主動區域 NA2:第二非主動區域 LK:顯示鏈接 LNK:訊號鏈接 M1、M2:邊緣區域 GIP:閘極驅動電路 TRL:修整線 SDM:源極及汲極金屬層 TM:觸控金屬層 GAM:閘極金屬層 PAS:保護膜 T1～T6、DT:電晶體 SL1、SL2:掃描線 14:發光控制線
為提供對本發明的進一步理解被包含且併入本發明並構成本發明的一部份的附圖繪示本發明的實施例，且與說明書一起用於解釋本發明的原理。 圖1係示出依據本發明的觸控顯示裝置的透視圖。 圖2係示出依據本發明的第一實施例的觸控顯示裝置的平面圖。 圖3係沿著圖2的I-I’線截取的觸控顯示裝置的截面圖。 圖4係沿著圖2的II-II’線截取的觸控顯示裝置的截面圖。 圖5係示出依據本發明的觸控顯示裝置的彎曲區域的平面圖。 圖6係沿著圖2的III-III’線截取的觸控顯示裝置的截面圖。 圖7係示出圖6所示的第一驅動線及第二驅動線之間的連接關係的電路圖。 圖8係示出依據本發明的第二實施例的觸控顯示裝置的平面圖。 圖9係示出沿著圖8的IV-IV’線截取的觸控顯示裝置的截面圖。 圖10係示出設置有圖9所示的第三驅動訊號線的區域的平面圖。 圖11係依據本發明的第三實施例的觸控顯示裝置的平面圖。 圖12係沿著圖11的V-V’線截取的觸控顯示裝置的截面圖。 圖13A及13B係詳細示出依據本發明設置有驅動訊號線的區域的截面圖。 圖14係示出依據本發明的像素驅動電路的另一實施例的電路圖。 圖15A及15B係示出依據比較示例的觸控顯示裝置的影像品質與依據本發明的實施例的觸控顯示裝置的影像品質的視圖。
104:壩部
108:顯示墊
111:基板
150:佈線
152:觸控驅動線
152b:第一橋
152e:第一觸控電極
154:觸控感測線
154b:第二橋
154e:第二觸控電極
158:觸控接觸孔
160A:第一電力墊
160B:第二電力墊
162:第一電力墊電極
164:第二電力墊電極
166:電力緩衝接觸孔
196:第一電力輔助電極
168:第二電力輔助電極
170:觸控墊
172:第一觸控墊電極
174:第二觸控墊電極
176:觸控墊接觸孔
180:驅動訊號線
182:第一驅動訊號線
184:第二驅動訊號線
186:電力接觸孔
188a:第一電力輔助孔
188b:第二電力輔助孔
192:第一觸控輔助電極
194:第二觸控輔助電極
198a:觸控輔助孔
198b:第二觸控輔助孔
198c:第三觸控輔助孔
Cm:觸控感測器

Claims (9)

  1. 一種觸控顯示裝置，包含： 一基板，包括一主動區域及相鄰於該主動區域的一邊框區域；一發光元件，位於該基板上；一封裝單元，位於該發光元件上；複數個觸控感測器，位於該封裝單元件上；一第一訊號線，位於該邊框區域中，該第一訊號線設置於該封裝單元下方；一第二訊號線，位於該邊框區域中，該第二訊號線電性連接於該第一訊號線且設置於該封裝單元上；以及一觸控絕緣膜，位於該第一訊號線與該第二訊號線之間，其中，在該邊框區域中，該第一訊號線與該第二訊號線彼此重疊且其之間設有該觸控絕緣膜，及其中該第一訊號線為一低電位電壓線，提供低電位電壓至該發光元件。
  2. 如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該些觸控感測器包含： 複數個第一觸控電極，以一第一方向佈置；複數個第二觸控電極，以與該第一方向相交的一第二方向佈置；以及一第一橋，將該些第一觸控電極電性連接於彼此，其中該觸控絕緣膜設置於該些第一觸控電極及該些第二觸控電極與該第一橋之間。
  3. 如請求項2所述的觸控顯示裝置，更包含一驅動電晶體，連接於該發光元件， 其中該驅動電晶體包括一閘極電極、一源極電極及一汲極電極。
  4. 如請求項3所述的觸控顯示裝置，其中該第一訊號線係由與該驅動電晶體的該閘極電極、該源極電極及該汲極電極的至少其中一者相同的材料所形成，且該第一訊號線係設置在與該驅動電晶體的該閘極電極、該源極電極及該汲極電極的至少其中一者相同的平面中，並且 其中該第二訊號線係由與該些第一觸控電極、該些第二觸控電極及該第一橋的至少其中一者相同的材料所形成。
  5. 如請求項2所述的觸控顯示裝置，更包含一觸控緩衝膜，位於該封裝單元上， 其中該觸控緩衝膜設置於該封裝單元與該些觸控感測器之間。
  6. 如請求項5所述的觸控顯示裝置，其中該觸控緩衝膜設置於該封裝單元與該第一橋之間。
  7. 如請求項5所述的觸控顯示裝置，其中該觸控緩衝膜及該觸控絕緣膜係設置於該第一訊號線與該第二訊號線之間，且 其中，在該邊框區域中，該第一訊號線與該第二訊號線彼此重疊且其之間設有該觸控絕緣膜及該觸控緩衝膜。
  8. 如請求項5所述的觸控顯示裝置，其中該第一橋設置於該觸控緩衝膜上，且 該些第一觸控電極及該些第二觸控電極係設置於該觸控絕緣膜上。
  9. 如請求項8所述的觸控顯示裝置，其中該第二訊號線係由與該些第一觸控電極及該些第二觸控電極相同的材料形成。
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