TW202240314A - 曝光裝置及配線圖案形成方法 - Google Patents

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水野恭志
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Abstract

為提升基板上FO－WLP之配線圖案形成中之處理量，曝光裝置，具備：空間光調變器；作成部，從測量在第1基板上配置複數個之半導體晶片組各個中所含之半導體晶片之位置的測量系統取得測量結果，根據測量結果，決定將半導體晶片間加以連接之配線圖案，在生成所決定之配線圖案時作成利用於空間光調變器之控制的第1控制資料，將之儲存於第1記憶部；以及曝光處理部，使用第1控制資料控制空間光調變器，以曝光出將半導體晶片間加以連接之配線圖案；在曝光處理部對與第1基板不同之第2基板進行曝光處理之期間，實施第1基板上之半導體晶片之位置的測量、測量結果的取得、配線圖案的決定、第1控制資料的作成、以及第1控制資料往第1記憶部的儲存中之至少1種。

Description

曝光裝置及配線圖案形成方法
本發明係關於曝光裝置及配線圖案形成方法。
近年來，已知有被稱為FO－WLP（Fan Out Wafer Level Package）、FO－PLP（Fan Out Plate Level Package）之半導體元件之封裝。
例如，於FO－WLP之製造，係將複數個半導體晶片排列於晶圓狀之支承基板，以樹脂等之模料加以固定據以形成虛擬晶圓，並使用曝光裝置形成用以將半導體晶片之墊彼此加以連接的再配線層。
從而，冀望能提升在FO－WLP及FO－PLP之再配線層形成中之處理量（throughput）（例如專利文獻1）。 先行技術文獻
[專利文獻1] 特開2018－081281號公報
本發明所揭示之態樣，係一種曝光裝置，具備：空間光調變器；作成部，從測量在第1基板上配置複數個之半導體晶片組各個中所含之該半導體晶片之位置的測量系統取得測量結果，根據該測量結果，決定將各該組中所含之該半導體晶片間加以連接之配線圖案，在生成所決定之該配線圖案時作成利用於該空間光調變器之控制的第1控制資料，將之儲存於第1記憶部；以及曝光處理部，使用該第1記憶部中所儲存之該第1控制資料控制該空間光調變器，以曝光出將各該組中所含之該半導體晶片間加以連接的配線圖案；在該曝光處理部對與該第1基板不同之第2基板進行曝光處理之期間，實施該第1基板上之該半導體晶片之位置的測量、該測量結果的取得、該配線圖案的決定、該第1控制資料的作成、以及該第1控制資料往該第1記憶部的儲存中之至少1種。
又，後述實施形態之構成可適當加以改良，或者，亦可將至少一部分以其他構成物加以替代。此外，關於其配置，若係無特別限定之構成要件，則不限於實施形態所揭示之配置，可配置在可達成其功能之位置。
《第1實施形態》 針對第1實施形態之曝光裝置，根據圖1～圖9加以說明之。又，以下之說明中，僅記載為基板P之情形時，係代表矩形基板，針對晶圓狀基板則記載為晶圓WF。此外，將後述載置於基板載台30之基板P或晶圓WF之法線方向設為Z軸方向、在與此正交之面内相對空間光調變器（SLM：Spatial Light Modulator）基板P或晶圓WF相對掃描之方向設為X軸方向、與Z軸及X軸正交之方向為Y軸方向，並設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉（傾斜）之方向分別為θx、θy、及θz方向來進行說明。作為空間光調變器之例，例如有液晶元件、數位反射鏡裝置（數位微反射鏡裝置、DMD）、磁光學空間光調變器（MOSLM：Magneto Optic Spatial Light Modulator）等。第1實施形態之曝光裝置EX，作為空間光調變器係具備DMD204，但亦可以是具備其他空間光調變器。
圖1係顯示包含一實施形態之曝光裝置EX之FO－WLP及FO－PLP之配線圖案形成系統500之概要的俯視圖。圖2係概略顯示曝光裝置EX之構成的立體圖。
配線圖案形成系統500，係用以形成將如圖3（A）所示之晶圓WF上所配置之半導體晶片（以下，記載為晶片）間、或如圖3（B）所示之基板P上所配置之晶片間加以連接之配線圖案的系統。
於本實施形態，係形成將晶圓WF或基板P上所配置之複數個晶片組（以二點鍊線顯示）之各個中所含之晶片C1與晶片C2之間加以連接的配線圖案。又，於本實施形態，各組中所含之晶片數雖為2個，但不限於此，亦可以是3個以上。
以下，說明形成將晶圓WF上配置之晶片間加以連接之配線圖案之情形。
如圖1所示，配線圖案形成系統500，具備塗布顯影裝置CD（Coater/Developer）與曝光裝置EX。
塗布顯影裝置CD將感光性抗蝕劑塗布於晶圓WF。被塗上抗蝕劑之晶圓WF，被搬入能儲存複數片晶圓WF之緩衝部PB。緩衝部PB兼作為晶圓WF之收授埠。
詳言之，緩衝部PB係以搬入部與搬出部構成。於搬入部，從塗布顯影裝置CD將塗布有抗蝕劑之晶圓WF每次搬入1片。經塗布抗蝕劑之晶圓WF，係從塗布顯影裝置CD以既定時間間隔每次1片搬入搬入部，之後再將複數片一起搭載於後述托盤TR上，因此搬入部之功能在於作為暫存晶圓WF之緩衝。
又，搬出部之功能在於，作為將曝光後之晶圓WF從塗布顯影裝置CD搬出時之緩衝。塗布顯影裝置CD僅能每次取出1片曝光後之晶圓WF。因此，將搭載有複數片曝光後晶圓WF之托盤TR置於搬出部。據此，塗布顯影裝置CD即能從托盤TR上每次取出1片曝光後之晶圓WF。
曝光裝置EX，由本體部1與基板更換部2構成。於基板更換部2，如圖1所示，設置有機器人RB。機器人RB將置於緩衝部PB之晶圓WF在1個托盤TR上排列複數片。
如圖1及圖2所示，於本第1實施形態，可在後述之基板載台30R、30L載置4片×3列之晶圓WF。本第1實施形態之托盤TR，係可將4片×1列之晶圓WF依序載置於基板載台30R、30L之格子狀托盤。又，托盤TR，亦可以是在基板載台30R、30L之全面一次載置晶圓WF之托盤（亦即可配置4片×3列之晶圓WF的托盤）。
又，如圖2所示，基板更換部2具備更換臂20R、20L。更換臂20R係進行晶圓WF（更具體而言，係載置有複數片晶圓WF之托盤TR）往基板載台30R之基板保持具PH的搬入、搬出，更換臂20L係進行晶圓WF往基板載台30L之基板保持具PH的搬入、搬出。此外，以下之說明中，在無需特別區分更換臂20R、20L之情形時，記載為更換臂20。再者，圖2以外，省略了基板保持具PH之圖示。
又，一般而言，更換臂20R、20L配置有用以搬入托盤TR之搬入臂與用以搬出托盤TR之搬出臂的2個。據此，可高速更換托盤TR。搬入晶圓WF時，由基板更換銷10支承格子狀之托盤TR。當基板更換銷10降下時，托盤TR沉入形成在基板載台30之未圖示的溝内，晶圓WF被基板載台30上之基板保持具PH吸附、保持。又，如圖2所示，在托盤TR裝載1列基板之情形時，於基板載台30R、30L，配合載置各托盤TR之位置，變更基板載台30R、30L之位置或更換臂20R、20L之位置。
當於基板保持具PH吸附晶圓WF時，以搭載於光學平台110之對準系統ALG－R或ALG－L測量晶圓WF之對準標記或配線之墊之位置。通常，各晶圓WF之位置測量，係以可算出基板保持具PH上所載置之晶圓WF之X方向位移（X）、Y方向位移（Y）、旋轉（Rot）、X方向倍率（X_Mag）、Y方向倍率（Y_Mag）、正交度（Oth）之6個參數之方式，決定其測量點數及測量點之配置。
於機柱100上以可動方式支承之光學平台110，如圖4所示，配置有複數個照明投影模組200、自動對焦系統AF、對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C。
如圖2所示，本實施形態中，配置有複數個包含複數個照明投影模組200之列（圖2中為4列）。又，圖1中，為簡化說明僅記載1列包含複數個照明投影模組200之列。此外，圖2中，為簡化說明，省略了對準系統ALG_R、ALG_L之圖示。
又，照明投影模組200，只要是設置有複數個而能使不同組内之配線圖案一次曝光的話即可，照明投影模組200之列數可以是1列～3列、亦可以是5列以上。此外，各列中所含之照明投影模組200之數量，只要是2以上即可。再者，在複數個晶圓WF載置於基板保持具上之情形時，以照明投影模組200一次曝光之不同組，可以是同一晶圓WF内之不同組、亦可以是不同晶圓WF内之組。
圖5（A）係顯示照明投影模組200之光學系統的圖。照明投影模組200，具備準直透鏡201、複眼透鏡202、主聚光透鏡203及DMD204等。
從光源LS射出之雷射光透過傳輸光纖FB被擷取至照明投影模組200。雷射光經過準直透鏡201、複眼透鏡202、主聚光透鏡203，大致均勻的照明DMD204。
圖5（B）係概略顯示DMD204的圖、圖5（C）顯示電源為OFF時之DMD204。又，圖5（B）～圖5（E）中，ON狀態之反射鏡係以陰影線加以顯示。
DMD204，具有複數個可變更控制反射角之微反射鏡204a。各微反射鏡204a藉由繞Y軸傾斜而成為ON狀態。圖5（D）中，顯示了僅使中央的微反射鏡204a為ON狀態，其他微反射鏡204a為中性狀態（既非ON亦非OFF之狀態）之情形。又，各微反射鏡204a係藉由繞X軸傾斜而成為OFF狀態。圖5（E）中，顯示了僅使中央的微反射鏡204a為OFF狀態，其他微反射鏡204a為中性狀態之情形。DMD204，藉由切換各微反射鏡204a之ON狀態及OFF狀態，生成將晶片間加以連接之配線之曝光圖案（之後，記載為配線圖案）。
被OFF狀態之反射鏡反射之照明光，如圖5（A）所示，被OFF光吸收板205吸收。照明投影模組200，具有將DMD204之1像素以既定大小加以投影之倍率，藉由透鏡之Z軸驅動進行之對焦、與藉由部分透鏡之驅動，能略為修正倍率。又，DMD204本身可於X方向、Y方向及θz方向驅動，以進行例如基板載台30相對於目標值之偏差分的修正。
又，由於以上係以DMD204為空間光調變器之例做了說明，因此係以反射雷射光之反射型為例做了說明，但空間光調變器可以是使雷射光穿透之穿透型、亦可以是使雷射光繞射之繞射型。空間光調變器可空間性且時間性的對雷射光進行調變。
回到圖4，自動對焦系統AF係以夾著照明投影模組200之方式配置。據此，即能不受限於晶圓WF之掃描方向，而在形成將晶圓WF上配置之晶片間加以連接之配線圖案的曝光動作前，藉由自動對焦系統AF進行測量。
圖6係照明投影模組200附近的放大圖。如圖6所示，在照明投影模組200附近設有用以測量基板載台30之位置的固定鏡54。
又，如圖6所示，在基板載台30設有對準裝置60。對準裝置60具備基準標記60a及二維攝影元件60e等。對準裝置60，係使用於各種模組之位置之測量及校正，亦用於光學平台110上配置之對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C之校正。
各模組之位置之測量、校正，係將校正用之DMD圖案以照明投影模組200投影至對準裝置60之基準標記60a上，藉由測量基準標記60a與DMD圖案之相對位置，據以測量各模組之位置。
又，對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C之校正，可藉由以對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C測量對準裝置60之基準標記60a來進行。亦即，藉由以對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C測量對準裝置60之基準標記60a，即能求出對準系統ALG_R、ALG_L、ALG_C之位置。再者，亦可使用基準標記60a求出與模組位置之相對位置。
又，在基板載台30設有用於測量基板載台30之位置的移動鏡MR、DM監測器70等。
對準系統ALG_R及ALG_L具備複數個測量顯微鏡，以對準裝置60之基準標記60a為基準，測量基板載台30之基板保持具上載置之各晶圓WF上配置之晶片之位置或待配線之晶片之墊之位置。更具體而言，對準系統ALG_R、ALG_L係以基準標記60a為基準，根據各晶片之設計位置，測量各晶片之位置。測量結果輸出至後述資料作成裝置300。
對準系統ALG_C，在曝光開始前，以對準裝置60之基準標記60a為基準，測量基板載台30之基板保持具上載置之晶圓WF之位置。根據對準系統ALG_C之測量結果，檢測晶圓WF相對於基板載台30之位置偏移，變更曝光開始位置等。
圖7係顯示本實施形態之曝光裝置EX之控制系統600的方塊圖。如圖7所示，控制系統600，具備資料作成裝置300、第1記憶裝置310R、第2記憶裝置310L及曝光控制裝置400。
資料作成裝置300從對準系統ALG_R及ALG_L，接收設在基板載台30之基板保持具上所載置之晶圓WF之各晶片之位置或各晶片之墊之位置的測量結果。資料作成裝置300，根據各晶片之位置之測量結果，決定將晶片間加以連接之配線圖案，在生成所決定之配線圖案時，作成利用於DMD204之控制之控制資料。接著，針對控制資料之作成，進一步詳細說明。
圖8（A）係顯示所有晶片皆配置在設計上位置（以下，記載為設計位置）之狀態之晶圓WF的概略圖。如圖8（A）所示，將晶片C1與晶片C2加以連接之配線圖案WL，以曝光裝置EX加以曝光（形成）出。此處，於FO－WLP，係在晶圓WF上以樹脂等之模料固定晶片，因此如圖8（B）所示，會有各個晶片之位置相對設計位置偏移之情形。此場合，使用將位於設計位置之晶片間加以連接之配線圖案的資料（之後，記載為設計值資料）控制DMD204進行配線圖案之曝光時，有產生配線圖案從墊之位置偏移而導致連接不良或短路的可能性。
因此，於本實施形態，係以對準系統ALG_R或ALG_L來測量配置在晶圓WF之複數個晶片組各個中所含之晶片之位置。資料作成裝置300根據從對準系統ALG_R或ALG_L取得之測量結果，作成修正了設計值資料之一部分的配線圖案資料。
作成之配線圖案資料，儲存至第1記憶裝置310R或第2記憶裝置310L。第1記憶裝置310R及第2記憶裝置310L係例如SSD（Solid State Drive）。
第1記憶裝置310R，係儲存在使載置於基板載台30R之晶圓WF曝光時使用於DMD204之控制的配線圖案資料。第2記憶裝置310L，係儲存在使載置於基板載台30L之晶圓WF曝光時使用於DMD204之控制的配線圖案資料。儲存在第1記憶裝置310R或第2記憶裝置310L之配線圖案資料被傳送至曝光控制裝置400。
接著，說明在本實施形態之曝光裝置EX中之FO－WLP之配線圖案形成順序之一例。圖9係曝光裝置EX中之FO－WLP之配線圖案之形成順序的概念圖。
如圖9所示，於本實施形態，例如在進行基板載台30R上之晶圓WF之曝光處理期間，進行晶圓WF往基板載台30L之搬入，進行使用對準系統ALG_L之晶片位置之測量。根據晶片位置之測量結果，資料作成裝置300依序作成配線圖案資料，將作成之配線圖案資料儲存（傳送）至第2記憶裝置310L。儲存在第2記憶裝置310L之配線圖案資料，配合基板載台30L上之晶圓WF之開始曝光，依序被傳送至曝光控制裝置400。
又，如圖2所示，在一個托盤TR將晶圓WF排列成4片×1列之情形時，可在1個托盤TR將4片晶圓WF載置結束時，將托盤TR載置於基板載台30L上，以對準系統ALG_L開始晶片位置之測量。此場合，可同時進行使用對準系統ALG_L之晶片位置之測量、與其他晶圓WF對下一個托盤TR之載置處理。並且可與將排列有其他晶圓WF之托盤TR載置於基板載台30L上之處理並行，進行根據使用對準系統ALG_L之測量結果，作成晶片位置之測量已結束之晶圓WF之配線圖案資料，並將之儲存於第2記憶裝置310L之處理。此種並行處理，在配線圖案資料之作成與傳送及儲存需要耗費時間之情形時，特別有效。此外，在晶片位置之測量與配線圖案資料之作成及儲存所耗費之時間較曝光時間短之情形時，亦可在1個托盤TR載置例如4片×3列之晶圓WF後，將之搬入基板載台30L上，進行使用對準系統ALG_L之測量。又，於載置處理，只要進行將晶圓WF載置於托盤TR的載置動作、與進行將晶圓WF載置於托盤TR之準備的載置準備動作中之任一者即可。
另一方面，當基板載台30L上之晶圓WF之曝光開始時，在進行基板載台30R上已曝光完成之晶圓WF之搬出後，新的晶圓WF即被搬入基板載台30R上。之後，進行使用對準系統ALG_R之晶片位置之測量。根據晶片位置之測量結果，資料作成裝置300依序作成配線圖案資料，將作成之配線圖案資料傳送至第1記憶裝置310R。第1記憶裝置310R中儲存之配線圖案資料，配合基板載台30R上之晶圓WF之曝光開始，被依序傳送至曝光控制裝置400。
如以上所述，於本實施形態，在使用2個基板載台30R及30L中之一方進行曝光處理之期間，在另一方之基板載台進行已曝光完成晶圓之搬出、新晶圓之搬入、晶片位置之測量、配線圖案資料之作成、傳送。如此，藉由使用2個基板載台30R、30L之並行處理，能將晶片位置之測量、以及配線圖案資料之作成、傳送之處理時間隱藏在曝光處理時間中。據此，能提升在FO－WLP之配線圖案形成中之處理量。又，所謂曝光處理，包含用以進行曝光之基板載台之驅動、與曝光結束後基板載台至基板更換位置之驅動為止的一連串動作。
如以上之詳細說明，本第1實施形態之曝光裝置EX，具備空間光調變器（第1實施形態中為DMD204）、資料作成裝置300與曝光控制裝置400。又，曝光裝置EX，具備複數個基板載台30R、30L與對準系統ALG_R、ALG_L。對準系統ALG_L，在載置於基板載台30R之晶圓WF上曝光出配線圖案之期間，測量載置於基板載台30L之晶圓WF上所配置之複數個半導體晶片之組之各個中所含之晶片C1及C2之位置。資料作成裝置300從對準系統ALG_L取得測量結果，根據測量結果，決定將基板載台30L上之晶圓WF上配置之複數個晶片組之各個中所含之晶片C1與晶片C2間加以連接的配線圖案WL。此外，資料作成裝置300作成在所決定之配線圖案WL之生成時利用於DMD204之控制的配線圖案資料，將之儲存於第2記憶裝置310L。曝光控制裝置400，在基板載台30R之曝光處理結束時，利用儲存於第2記憶裝置310L之配線圖案資料控制DMD204，曝光出將載置於基板載台30L之晶圓WF上之組各個中所含之晶片C1與C2間加以連接的配線圖案WL。如此，即能在對基板載台30R上之晶圓WF進行曝光處理之期間，進行基板載台30L上載置之基板上之晶片位置之測量、根據測量結果之配線圖案資料之作成、傳送。據此，由於能有效利用時間，能提升在FO－WLP之配線圖案形成中之處理量。
又，本第1實施形態中，晶圓WF係在曝光裝置EX具備之基板載台30R、30L上配置複數個。據此，由於能對複數個晶圓WF形成將半導體晶片間加以連接之配線圖案，因此能提升在FO－WLP之配線圖案形成中之處理量。
又，本第1實施形態中，曝光裝置EX具備用以更換基板載台30R、30L所分別保持之晶圓WF的複數個更換臂20R、20L。而在例如對基板載台30R上之晶圓WF進行曝光處理之期間，更換臂20L進行基板載台30L上之晶圓WF之更換。如此，由於能有效利用時間，因此能提升在FO－WLP之配線圖案形成中之處理量。
又，本第1實施形態中，曝光裝置EX具備複數個DMD204，複數個DMD204分別形成將不同組内之半導體晶片間加以連接的配線圖案。如此，由於能同時形成將不同組内之半導體晶片間加以連接之配線圖案，因此能提升在FO－WLP之配線圖案形成中之處理量。
又，上述第1實施形態，係在使用2個基板載台30R及30L之一方進行曝光處理之期間，在另一方之基板載台進行已曝光完成晶圓之搬出、新晶圓之搬入、晶片位置之測量、配線圖案資料之作成、傳送，但不限於此。只要是在使用2個基板載台30R及30L之一方進行曝光處理之期間，進行另一在一方之基板載台之已曝光完成晶圓之搬出、新晶圓之搬入、晶片位置之測量、及配線圖案資料之作成、傳送之至少1種即可。
（變形例） 又，資料作成裝置300，亦可以不是作成配線圖案資料，而是作成用以規定DMD204之驅動量及透鏡致動器之驅動量的驅動資料。亦即，DMD204係使用設計值資料生成配線圖案，可藉由變更DMD204之驅動量及透鏡致動器之驅動量，變更投影至晶圓WF上之配線圖案投影像之位置，來使晶圓WF上形成之配線圖案之形狀變化。此外，亦可藉由光學性修正配線圖案之像，據以變更配線圖案之形狀。
《第2實施形態》 由於在晶圓WF貼合晶片之步驟，係在以曝光裝置EX進行之配線圖案之形成前進行，因此，資料作成裝置300可使用在對晶圓WF之各晶片之位置之檢査的檢査步驟中取得之測量資料，來作成配線圖案資料或驅動資料。
圖10係顯示第2實施形態之配線圖案形成系統500A之概要的俯視圖。第2實施形態之配線圖案形成系統500A，具備測量晶圓WF上之晶片之位置的晶片測量站CMS。
晶片測量站CMS，具備複數個測量顯微鏡61，測量不同組内之晶片之位置。此處，複數個測量顯微鏡61所測量之不同組内之晶片之位置，可以是同一晶圓WF上之不同組内之晶片之位置，亦可以是不同晶圓WF上之各組内之晶片之位置。於本實施形態，複數個測量顯微鏡61係測量不同晶圓WF上之各組内之晶片之位置。
晶片之位置測量結果被送至資料作成裝置300。資料作成裝置300根據從晶片測量站CMS接收之晶片位置之測量結果，作成配線圖案資料（亦可以是驅動資料）。又，資料作成裝置300所作成之配線圖案資料，係儲存在與現在曝光中之基板之曝光控制所使用之配線圖案資料被儲存之記憶裝置不同之記憶裝置。亦即，在現在曝光中之晶圓WF之曝光控制所使用之配線圖案資料是儲存在第1記憶裝置310R之情形時，資料作成裝置300係將作成之配線圖案資料儲存（傳送）至第2記憶裝置310L。
於第2實施形態之曝光裝置EX－A，本體部1A具備1個基板載台30。又，於第2實施形態，由於係以晶片測量站CMS測量晶片位置，因此可省略對準系統ALG_L及ALG_R。
結束晶片位置測量之晶圓WF，被以塗布顯影裝置CD塗布感光性抗蝕劑後，被搬入緩衝部PB。被置於緩衝部PB之晶圓WF，藉由設置在基板更換部2A之機器人RB，在1片托盤TR上排列複數片（第2實施形態中為4片×3列），被搬入本體部1A，載置於基板載台30之基板保持具上。
對準系統ALG_C，測量各晶圓WF相對基板保持具之位置，修正曝光開始位置等。又，在將晶圓WF載置於基板保持具時因晶圓WF繞Z軸旋轉等，使晶片位置從資料作成裝置300所作成之配線圖案資料之位置偏移之情形時，若使用該配線圖案資料形成配線時，可能會有晶片間無法正確連接之虞。
此場合，資料作成裝置300，如在第1實施形態及其變形例之說明，可藉由作成配線圖案資料或作成驅動資料，以可將晶片間加以連接之方式修正配線圖案之形狀即可。例如，資料作成裝置300根據以晶片測量站CMS所測量之晶片相對於各晶圓WF之位置的位置，從以對準系統ALG_C測量之各晶圓WF之位置，檢測出各晶片從配線圖案資料之位置的位置偏移。資料作成裝置300，根據該偏移，修正配線圖案資料或作成驅動資料。據此，即使是在將晶圓WF載置於基板保持具時因晶圓WF繞Z軸旋轉等之情形時，亦能形成將晶片間加以連接之配線。
又，對準系統ALG_C，亦可在晶圓WF之位置測量使用晶片之對準標記。
圖11係在第2實施形態之FO－WLP之配線圖案形成順序的概念圖。與第1實施形態同樣的，由於係在本體部1A之曝光處理中，進行晶片位置之測量、配線圖案資料（亦可以是驅動資料）之作成與傳送、對晶圓WF之抗蝕劑塗布、及晶圓WF往托盤TR之載置，因此可提升FO－WLP之配線圖案形成中之處理量。
本第2實施形態之曝光裝置EX，具備空間光調變器（DMD204）、資料作成裝置300、以及曝光控制裝置400。資料作成裝置300，從測量晶圓WF上配置複數個之半導體晶片組各個中所含之晶片C1及C2之位置的晶片測量站CMS取得測量結果，根據測量結果，決定將各個組中所含之晶片C1與晶片C2間加以連接之配線圖案WL，作成在生成所決定之配線圖案WL時利用於DMD204之控制的配線圖案資料，將之儲存於第1記憶裝置310R或第2記憶裝置310L。曝光控制裝置400，利用儲存在第1記憶裝置310R或第2記憶裝置310L之配線圖案資料控制DMD204，曝光出將各個組中所含之晶片C1與晶片C2之間加以連接的配線圖案WL。晶圓WF上之晶片之位置測量，係在與該晶圓WF一起被測量晶片位置之晶圓WF之組不同之晶圓WF之組曝光之期間進行。如此，即能在比較耗時的曝光處理之期間，進行晶片位置之測量、根據測量結果之配線圖案資料之作成、傳送，而能有效利用時間，因此能提升FO－WLP之配線圖案形成中之處理量。
《第3實施形態》 亦可將晶圓WF貼於底（base）基板B，在晶片測量站CMS測量各晶片相對底基板B之位置。
圖12係顯示第3實施形態之配線圖案形成系統500B之概要的俯視圖。第3實施形態之配線圖案形成系統500B，具有將配置了晶片之複數片晶圓WF貼合於底基板B之晶圓配置裝置WA。晶圓配置裝置WA，係用以使晶圓WF相對於底基板B之位置不會變更之物。
藉由晶圓配置裝置WA而貼合有複數片晶圓WF之底基板B，被搬入晶片測量站CMS。
晶片測量站CMS具備複數個測量顯微鏡61，測量各晶片相對於底基板B之位置。複數個測量顯微鏡61係測量不同組内之晶片之位置。晶片位置之測量結果被送至資料作成裝置300。
資料作成裝置300，根據從晶片測量站CMS接收之晶片位置之測量結果，作成配線圖案資料（亦可以是驅動資料）。又，資料作成裝置300所作成之配線圖案資料，係儲存在與儲存有現在曝光中之底基板B上之晶圓WF之曝光控制所使用之配線圖案資料之記憶裝置不同的記憶裝置。亦即，現在曝光中之底基板B上之晶圓WF之曝光控制所使用之配線圖案資料係儲存在第1記憶裝置310R之情形時，資料作成裝置300將作成之配線圖案資料儲存（傳送）至第2記憶裝置310L。
晶片位置之測量結束之晶圓WF，係與底基板B一起被搬入塗布顯影裝置CD，在塗布感光性抗蝕劑後，被搬入基板更換部2B之埠PT。之後，晶圓WF係連同底基板B一起被載置於基板載台30之基板保持具上。
後續處理與第2實施形態相同，因此省略詳細之說明。於第3實施形態，可使用晶圓WF被載置、固定之底基板B之位置進行所有的管理、曝光。例如，對準時亦只要進行對底基板B之EGA測量與修正即可。也就是說，由於晶圓WF係被載置、固定於底基板B，因此在底基板B被載置於基板載台30之基板保持具上時無需進行對各晶圓WF／各晶片之對準，僅進行底基板B之對準即可。此外，晶圓配置裝置WA雖係將晶圓WF貼合於底基板B，但亦可將晶圓WF直接載置、固定在托盤TR上。
於第3實施形態，亦可藉由在本體部1A之曝光處理中，進行晶片位置之測量、配線圖案資料之作成、傳送、對晶圓WF之抗蝕劑塗布，而能提升在FO－WLP之再配線層形成中之處理量。
（變形例） 第3實施形態中，雖然晶圓配置裝置WA與晶片測量站CMS係不同的裝置，但不限於此構成。測量顯微鏡61，亦可以晶圓配置裝置WA，從貼合於底基板B之晶圓WF開始晶片位置之測量。換言之，與複數個晶圓WF往底基板B之貼合動作並行，進行使用測量顯微鏡61之測量動作。又，測量顯微鏡61可以在1片晶圓WF貼合於底基板B後開始測量動作，亦可以在複數片晶圓WF貼合於底基板B後開始測量動作。此外，測量顯微鏡61，可以在晶圓WF被載置於底基板B之時間點，暫時中斷測量動作。此係由於為防止將晶圓WF載置於底基板B時產生之振動，對測量顯微鏡61之測量結果造成影響之故。
又，上述第1～第3實施形態及其變形例中，雖然第1記憶裝置310R與第2記憶裝置310L係設定為不同之記憶裝置，但亦可以將載置於基板載台30R之晶圓WF之曝光處理所使用之資料（配線圖案資料及驅動資料中之至少1種）與載置於基板載台30L之晶圓WF之曝光處理所使用之資料（配線圖案資料及驅動資料中至少1種），儲存在1個記憶裝置之不同儲存區域。不過，利用1個記憶裝置之不同儲存區域之情形時，由於在對一方之儲存區域進行存取時，無法對另一方之儲存區域進行存取，因此會有整體之處理時間變長之虞。此外，SSD會隨著每一次的寫入而逐漸劣化，因此使用時間亦會影響其壽命。是以，由於本第1實施形態中之資料對記憶裝置之寫入次數較多，因此使用1台SSD之情形時，有可能經過較短期間即必須進行SSD之更換。因此，使用2台記憶裝置是較佳的。
又，上述第1～第3實施形態與其變形例，雖係針對將複數個晶圓狀基板載置於基板載台30之情形做了說明，但亦可以是將複數個矩形基板載置於基板載台30上。
又，第1～第3實施形態及其變形例，亦可適用於將圖3（B）所示之基板P上之晶片間加以連接之配線圖案之形成。
上述實施形態係本發明之較佳實施例。不過，不限於此，在不脫離本發明要旨之範圍内可以有各種變形實施。
1、1A:本體部 10:基板更換銷 100:機柱 110:光學平台 2、2A、2B:基板更換部 20L、20R:更換臂 200:照明投影模組 201:準直透鏡 202:複眼透鏡 203:主聚光透鏡 204:DMD 204a:微反射鏡 205:OFF光吸收板 30、30L、30R:基板載台 300:資料作成裝置 310R:第1記憶裝置 310L:第2記憶裝置 400:曝光控制裝置 54:固定鏡 500、500A、500B:配線圖案形成系統 60:對準裝置 60a:基準標記 60e:二維攝影元件 61:測量顯微鏡 600:控制系統 70:DM監測器 AF:自動對焦系統 ALG_C、ALG_G、ALG_L、ALG_R:對準系統 B:底基板 C1、C2:半導體晶片 CD:塗布顯影裝置 CMS:晶片測量站 EX、EX－A、EX－B:曝光裝置 FB:傳輸光纖 LS:光源 MR:移動鏡 PB:緩衝部 PH:基板保持具 PT:埠 RB:機器人 TR:托盤 WF:晶圓 WL:配線圖案 P:基板
[圖1]係顯示包含第1實施形態之曝光裝置、FO－WLP之配線圖案形成系統之概要的俯視圖。 [圖2]係概略顯示第1實施形態之曝光裝置之構成的立體圖。 [圖3]（A）及圖3（B）係用以說明以配線圖案形成系統形成之配線圖案的圖。 [圖4]係用以說明配置在光學平台之模組的圖。 [圖5]（A）係顯示照明投影模組之光學系統的圖、圖5（B）係概略顯示DMD的圖、圖5（C）係顯示電源為OFF時之DMD的圖、圖5（D）係用以說明ON狀態之反射鏡的圖、圖5（E）係用以說明OFF狀態之反射鏡的圖。 [圖6]係照明投影模組附近的放大圖。 [圖7]係顯示第1實施形態之曝光裝置之控制系統的方塊圖。 [圖8]（A）係顯示所有的晶片配置在設計位置之狀態之晶圓WF的概略圖、圖8（B）係顯示晶片從設計位置偏移而配置之晶圓WF的概略圖。 [圖9]係顯示曝光裝置中之FO－WLP之配線圖案形成順序的概念圖。 [圖10]係顯示第2實施形態之配線圖案形成系統之概要的俯視圖。 [圖11]係第2實施形態中之FO－WLP之製造順序的概念圖。 [圖12]係顯示第3實施形態之配線圖案形成系統之概要的俯視圖。
30L、30R:基板載台

Claims (9)

  1. 一種曝光裝置，具備： 空間光調變器； 作成部，從測量在第1基板上配置複數個之半導體晶片組各個中所含之該半導體晶片之位置的測量系統取得測量結果，根據該測量結果，決定將各該組中所含之該半導體晶片間加以連接之配線圖案，在生成所決定之該配線圖案時作成利用於該空間光調變器之控制的第1控制資料，將之儲存於第1記憶部；以及 曝光處理部，使用該第1記憶部中所儲存之該第1控制資料控制該空間光調變器，以曝光出將各該組中所含之該半導體晶片間加以連接的配線圖案； 在該曝光處理部對與該第1基板不同之第2基板進行曝光處理之期間，實施該第1基板上之該半導體晶片之位置的測量、該測量結果的取得、該配線圖案的決定、該第1控制資料的作成、以及該第1控制資料往該第1記憶部的儲存中之至少1種。
  2. 如請求項1所述之曝光裝置，其中，該第1基板係在該曝光裝置所具備之基板保持具上配置複數個。
  3. 如請求項1或2所述之曝光裝置，其具備：複數個基板保持具與該測量系統； 在該複數個基板保持具中之第1基板保持具載置該第1基板； 在該曝光處理部於該第1基板上進行該配線圖案之曝光處理之期間，實施以該測量系統進行之對載置於與該第1基板保持具不同之第2基板保持具之基板上配置之複數個半導體晶片組各個中所含之該半導體晶片之位置的測量、以該作成部進行之該半導體晶片之位置測量結果的取得、以該作成部進行之根據該測量結果將載置於該第2基板保持具之基板上之該組各個中所含之該半導體晶片間加以連接之配線圖案的決定、以該作成部進行之生成所決定之該配線圖案時利用於該空間光調變器之控制之第2控制資料的作成、以及以該作成部進行之該第2控制資料往與該第1記憶部不同之第2記憶部的儲存中之至少1種。
  4. 如請求項3所述之曝光裝置，其具備用以更換該複數個基板保持具之各個所保持之基板的複數個更換手段； 在該第1基板之曝光處理中，該複數個更換手段之1個進行該第2基板保持具所保持之基板之更換。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之曝光裝置，其中，該測量系統具備複數個測量裝置； 該複數個測量裝置，大致同時測量不同半導體晶片之位置。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之曝光裝置，其具備複數個該空間光調變器； 複數個該空間光調變器，係形成用以將不同組内之該半導體晶片間加以連接之配線圖案。
  7. 如請求項2所述之曝光裝置，其中，係進行複數個該第1基板中、已載置於該基板保持具上之載置完成基板之該半導體晶片之位置的測量，且進行未載置於該基板保持具之未載置基板往該基板保持具的載置處理。
  8. 如請求項7所述之曝光裝置，其中，該作成部係從已結束該半導體晶片之位置之測量的該載置完成基板依序作成該第1控制資料，將該第1控制資料儲存至該第1記憶部。
  9. 一種配線圖案形成方法，其包含： 從測量第1基板上所配置之複數個半導體晶片之組之各個中所含之該半導體晶片之位置的測量系統取得測量結果，根據該測量結果決定用以將該組之各個中所含之該半導體晶片間加以連接的配線圖案，並作成在生成所決定之該配線圖案時利用於空間光調變器之控制的第1控制資料，將之儲存於第1記憶部的動作；以及 使用該第1記憶部中儲存之該第1控制資料控制該空間光調變器，曝光出用以將該組之各個中所含之該半導體晶片間加以連接之配線圖案的動作； 在進行與該第1基板不同之第2基板之曝光處理之期間，實施測量該第1基板上之該半導體晶片之位置的動作、取得該測量結果的動作、決定該配線圖案的動作、作成該第1控制資料的動作、以及將該第1控制資料儲存於該第1記憶部的動作中之至少1種。
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