TW202239528A - 用於水平預清潔模組的墊載體 - Google Patents
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Abstract
一種水平預清潔模組包括:腔室,該腔室包括共同地限定處理區域的盆和蓋;可旋轉真空台,該可旋轉真空台設置在該處理區域中,該可旋轉真空台包括基板接收表面;墊調節站,該墊調節站靠近該可旋轉真空台;墊載體定位臂,該墊載體定位臂具有第一端和遠離該第一端的第二端;墊載體組件,該墊載體組件耦接到該墊載體定位臂的該第一端;和致動器,該致動器耦接到該墊載體定位臂的該第二端並且被配置為使該墊載體組件在該可旋轉真空臺上方的第一位置與該墊調節站上方的第二位置之間擺動。該墊載體組件包括萬向節基座和耦接到該萬向節基座的墊載體,該萬向節基座和該墊載體被配置為經由機械夾持機構和抽吸夾持機構支撐磨光墊。
Description
本文描述的實施例大體係關於用於製造電子元件的設備,並且更具體地,係關於一種可用於在半導體元件製造製程中清潔基板的表面的水平預清潔(HPC)模組。
化學機械拋光(CMP)通常用於製造高密度積體電路,以平坦化或拋光沉積在基板上的材料層。在CMP製程中使用的水平預清潔(HPC)模組中,旋轉磨光墊被壓靠在基板的表面上的材料層上,並且經由由拋光液提供的化學和機械活動與磨光墊和基板的相對運動的組合來跨材料層去除材料。與由材料(諸如多孔材料或填充或未填充聚合物材料)形成的習知磨光墊相比,由聚乙烯醇(PVA)材料形成的磨光墊因機械強度和耐磨性而為化學和機械拋光提供了高剪切力。PVA材料是吸水、柔軟且彈性的,而且固有地比習知材料更厚且更大。此外,更大的磨光墊提高了效能並減少了在化學機械清潔中的磨光時間。然而,由PVA材料形成的磨光墊在由墊載體支撐時可能因固有的更厚且更大的尺寸而下垂。
因此,需要用於支撐大且厚的吸水磨光墊而同時防止該磨光墊下垂的系統和方法。
本揭露內容的實施例提供了一種水平預清潔模組。該水平預清潔模組包括:腔室,該腔室包括共同地限定處理區域的盆和蓋;可旋轉真空台,該可旋轉真空台設置在該處理區域中,該可旋轉真空台包括基板接收表面;墊調節站,該墊調節站靠近該可旋轉真空台;墊載體定位臂,該墊載體定位臂具有第一端和遠離該第一端的第二端;墊載體組件,該墊載體組件耦接到該墊載體定位臂的該第一端;和致動器,該致動器耦接到該墊載體定位臂的該第二端並且被配置為使該墊載體組件在該可旋轉真空臺上方的第一位置與在該墊調節站上方的第二位置之間擺動。該墊載體組件包括萬向節基座和耦接到該萬向節基座的墊載體,該萬向節基座和該墊載體被配置為經由機械夾持機構和抽吸夾持機構支撐磨光墊。
本揭露內容的實施例還提供了一種用於水平預清潔模組中的墊載體組件。一種墊載體組件包括:萬向節基座;和墊載體,該墊載體耦接到該萬向節基座。該萬向節基座和該墊載體被配置為經由機械夾持機構和抽吸夾持機構支撐磨光墊。
本揭露內容的實施例還提供了一種在水平預清潔模組中支撐磨光墊的方法。該方法包括:經由萬向節基座的唇部分和墊載體的錐形部分將磨光墊機械地夾持在該磨光墊的周邊邊緣上,其中該萬向節基座和該墊載體耦接並設置在水平預清潔模組中;和經由抽吸夾持機構支撐該磨光墊並防止該磨光墊下垂。
本文描述的實施例大體係關於用於製造電子元件的設備,並且更具體地,係關於一種可用於在半導體元件製造製程中清潔基板的表面的水平預清潔(HPC)模組。
由聚乙烯醇(PVA)材料製成的磨光墊因機械強度和耐磨性而可為化學和機械拋光提供高剪切力。然而,PVA材料是吸水、柔軟且彈性的,而且固有地比習知材料更厚且更大,並且因此由PVA材料形成的磨光墊在由墊載體支撐時可能下垂。
在本文描述的實施例中,墊載體支撐大且厚的吸水磨光墊而同時在化學機械清潔期間經由機械夾持機構和抽吸夾持機構防止磨光墊下垂。
圖1A是根據一個或多個實施例的示例性化學機械拋光(CMP)處理系統100的示意性平面圖,該CMP處理系統使用本文描述的水平預清潔(HPC)模組。圖1B是根據一個或多個實施例的示例性CMP處理系統100的頂部等角視圖,其可對應於圖1A所示的示意圖。圖1C是根據一個或多個實施例的圖1B的CMP處理系統100的頂視圖,其可對應於圖1A所示的示意圖。在圖1B和圖1C中,省去了外殼的某些部分和某些其他內部和外部部件,以更清楚地顯示CMP處理系統100內的HPC模組。這裡,CMP處理系統100包括第一部分105和耦接到第一部分105並與其整合的第二部分106。第一部分105是具備複數個拋光站(未示出)的基板拋光部分。
第二部分106包括一個或多個CMP後清潔系統110、複數個系統裝載站130、一個或多個基板搬運器(例如第一機器人124和第二機器人150)、一個或多個計量站140、一個或多個位置特定拋光(LSP)模組142、一個或多個HPC模組200和一個或多個乾燥單元170。HPC模組200被配置為處理以基本上水平的取向(即,在x-y平面中)設置的基板120。在一些實施例中,第二部分106可選地包括一個或多個豎直清潔模組112,該一個或多個豎直清潔模組被配置為處理以基本上豎直的取向(即,在z-y平面中)設置的基板120。
每個LSP模組142典型地被配置為使用具有小於要拋光基板120的表面積的表面積的拋光構件(未示出)僅拋光基板表面的一部分。LSP模組142通常在基板120已經用拋光模組拋光之後用以從基板的相對小的部分修整(例如,去除額外材料)。
計量站140用於在拋光之前和/或之後測量設置在基板120上的材料層的厚度,在拋光之後檢查基板120以決定材料層是否已經從其場表面清除,和/或在拋光之前和/或之後檢查基板表面是否存在缺陷。在那些實施例中,基板120可基於使用計量站140獲得的測量或表面檢查結果而返回到拋光墊以進一步拋光和/或引導到不同基板處理模組或站(諸如第一部分105內的拋光模組)或LSP模組142。如圖1A所示,計量站140和LSP模組142位於第二部分106的區域中,該區域在CMP後清潔系統110中的一者的部分上方(在Z方向上)。
第一機器人124被定位成將基板120傳送進出複數個系統裝載站130,例如,在複數個系統裝載站130與第二機器人150之間和/或在CMP後清潔系統110與複數個系統裝載站130之間傳送。在一些實施例中,第一機器人124被定位成在系統裝載站130中的任一者與定位在其附近的處理系統之間傳送基板120。例如,在一些實施例中,第一機器人124可用於在系統裝載站130中的一者與計量站140之間傳送基板120。
第二機器人150用於在第一部分105與第二部分106之間傳送基板120。例如,這裡,第二機器人150被定位成將從第一機器人124接收的要拋光基板120傳送到第一部分105以在其中進行拋光。然後,使用第二機器人150將經拋光基板120從第一部分105(例如從第一部分105內的傳送站(未示出))傳送到HPC模組200中的一者和/或在位於第二部分106內的不同站和模組之間傳送。替代地,第二機器人150將基板120從第一部分105內的傳送站傳送到LSP模組142或計量站140中的一者。第二機器人150還可將基板120從LSP模組142或計量站140中的任一者傳送到第一部分105以在其中進一步拋光。
圖1A中的CMP處理系統100具備設置在第二機器人150的任一側上的兩個CMP後清潔系統110。在圖1A中,CMP後清潔系統110中的一者的至少一些模組(例如,一個或多個豎直清潔模組112)位於計量站140和LSP模組142下方(在Z方向上)並且因此未示出。計量站140和LSP模組142未在圖1C中示出。在一些其他實施例中,CMP處理系統100僅具有一個CMP後清潔系統110。這裡,CMP後清潔系統110中的每一者包括HPC模組200、一個或多個豎直清潔模組112(例如刷或噴射箱)、乾燥單元170和用於在兩者間傳送基板120的基板搬運器180。這裡,每個HPC模組200都設置在第二部分106內靠近第一部分105的位置。
典型地,HPC模組200經由形成在HPC模組200的側面板中的第一開口(未示出)(例如經由設置在側面板中的門或狹縫閥)從第二機器人150接收經拋光基板120。基板120由HPC模組200以水平取向接收以定位在HPC模組200中的水平地設置的基板支撐表面上。然後,HPC模組200在使用基板搬運器180從該HPC模區塊轉送基板120之前在基板120上執行預清潔製程,諸如磨光製程。
基板120經由第二開口(這裡是開口224(圖1B))從HPC模組200傳送,該第二開口典型地是穿過HPC模組200的第二側面板設置的水平狹槽,可用門(例如狹縫閥)關閉。因此,當基板120從HPC模組200傳送時,該基板仍處於水平取向。在基板120從HPC模組200傳送之後,基板搬運器180使基板120擺動到豎直位置以在CMP後清潔系統110的豎直清潔模組112中進一步處理。
在該示例中,HPC模組200具有面向CMP處理系統100的第一部分105的第一端202、背向第一端202的第二端204、面向第二機器人150的第一側206和背向第一側206的第二側208。第一側206和第二側208在第一202與第二端204之間正交地延伸。
複數個豎直清潔模組112位於第二部分106內。一個或多個豎直清潔模組112是接觸式和非接觸式清潔系統中的任一種或組合,以用於從基板的表面去除拋光副產物,例如噴射箱和/或刷箱。
乾燥單元170用於在基板已經被豎直清潔模組112處理之後和在基板120由第一機器人124傳送到系統裝載站130之前乾燥基板120。這裡,乾燥單元170是水平乾燥單元,使得乾燥單元170被配置為在基板120設置在水平取向上時經由開口(未示出)接收基板120。
在本文中,基板120使用基板搬運器180來在HPC模組200與豎直清潔模組112之間、在豎直清潔模組112中的各個豎直清潔模組之間以及在豎直清潔模組112與乾燥單元170之間移動。
在本文的實施例中,包括基板搬運器180的CMP處理系統100的操作由系統控制器160指引。系統控制器160包括可程式化中央處理單元(CPU)161,該可程式化CPU可與記憶體162(例如,非揮發性記憶體)和支援電路163一起操作。支援電路163習知地耦接到CPU 161,並且包括耦接到CMP處理系統100的各種部件的快取記憶體、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源等以及上述項的組合,以促成對CMP處理系統的控制。CPU 161是在工業環境中使用的任何形式的通用電腦處理器中的一種,諸如可程式化邏輯控制器(PLC),用於控制處理系統的各種部件和子處理器。耦接到CPU 161的記憶體162是非暫態的,並且典型地是易獲得的記憶體中的一者或多者,諸如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟機、硬碟或任何其他形式的數位儲存裝置(本地或遠端)。
典型地,記憶體162是含有指令的非暫態電腦可讀儲存介質的形式(例如,非揮發性記憶體),該指令在由CPU 161執行時促成CMP處理系統100的操作。在記憶體162中的指令是程式產品的形式,諸如實現本揭露內容的方法的程式。程式碼可遵照許多不同程式化語言中的任一種。在一些示例中,本揭露內容可被實現為儲存在用於與電腦系統一起使用的電腦可讀儲存介質上的程式產品。程式產品的程式定義實施例(包括本文描述的方法)的功能。
例示性非暫態電腦可讀儲存介質包括但不限於:(i)其上可持久地儲存資訊的不可寫儲存介質(例如,在電腦內的唯讀記憶體裝置,諸如可由CD-ROM驅動器讀取的CD-ROM碟、快閃記憶體、ROM晶片或任何類型的固態非揮發性半導體記憶體元件,例如固態驅動器(SSD));和(ii)在其上儲存可變更資訊的可寫儲存介質(例如,在磁碟機或硬碟驅動器內的軟碟或任何類型的固態隨機存取半導體記憶體)。當實施指示本文中描述的方法的功能的電腦可讀指令時,此類電腦可讀儲存介質是本揭露內容的實施例。在一些實施例中,本文闡述的方法或其部分由一個或多個專用積體電路(ASIC)、現場可程式化閘陣列(FPGA)或其他類型的硬體實現方式執行。在一些其他實施例中,本文闡述的基板處理和/或搬運方法由軟體常式、ASIC、FPGA和/或其他類型的硬體實現方式的組合執行。一個或多個系統控制器160可與本文描述的各種模組化拋光系統中的一者或任何組合和/或其單獨的拋光模組一起使用。
圖2A是可用於本文描述的CMP處理系統100中的示例性HPC模組200的第二側208的頂部等角視圖。在圖2A中,省略了維修進出面板,以更清楚地示出HPC模組200的內部部件。圖2B是圖2A的HPC模組200的第二側208的另一個頂部等角視圖。在圖2B中,進一步省略了蓋216的頂面板,以更清楚地示出HPC模組200的內部部件。圖2C是圖2A的HPC模組200的第一側206的頂部等角視圖。在圖2C中,省略了蓋216,以更清楚地示出HPC模組200的內部部件。
大體上,HPC模組200包括由共同地限定處理區域212的複數個側面板形成的腔室210、盆214和蓋216。
第一側面板218形成在HPC模組200的面向第二機器人150的第一側206上。第一側面板218包括用於用第二機器人150將基板120定位在可旋轉真空台230上的第一基板搬運器進出門220。第二側面板222形成在HPC模組200的背對第一部分105的第二端204上。第二側面板222包括用於用基板搬運器180從可旋轉真空台230移除基板120的第二基板搬運器進出門221。第三側面板226形成在HPC模組200的第二側208上。第三側面板226包括維修進出面板開口228。形成在HPC模組200的相對側面板上的第一基板搬運器進出門220和維修進出面板開口228的對稱性有利地提供了可安裝在處理系統100的任一側上的水平磨光模組,如圖1C所示。
設置在處理區域212內的HPC模組200進一步包括用於真空吸緊基板120的可旋轉真空台230、設置在可旋轉真空台230徑向外側的環形基板升降機構270、靠近可旋轉真空台230設置的墊調節站280以及可在可旋轉真空台230上方的第一位置與在墊調節站280上方的第二位置之間移動的墊載體定位臂300。
可旋轉真空台230、環形基板升降機構270、墊調節站280和墊載體定位臂300各自獨立地安裝到盆214。HPC模組200還包括安裝到盆214的沖洗歧管290。基板中心沖洗棒292和一個或多個基板噴射棒294從沖洗歧管290的一側延伸。基板中心沖洗棒292用於將沖洗流體(例如,清潔流體或水)引向可旋轉真空台230的中心區域。基板噴射棒294用於將噴霧引向可旋轉真空台230的一個或多個其他區域,例如可旋轉真空台230的周邊區域或側面部分。沖洗歧管290朝向盆214的角部定位,並且基板中心沖洗棒292和基板噴射棒294在第二側板222內沿著HPC模組200的第二端204延伸。在一些實施例中,沖洗歧管290與第二側208相鄰(圖2A至圖2B)。在一些其他實施例中,沖洗歧管290與第一側206相鄰(圖2C)。HPC模組200進一步包括安裝到盆214的刷沖洗件296。刷沖洗件296朝向HPC模組200的第一端202且鄰近墊調節站280定位,以用於沖洗墊調節站280的一個或多個部件。
圖3A是圖2C的HPC模組200的平面圖。環形基板升降機構270設置在可旋轉真空台230徑向外側。升降機構270包括靠近可旋轉真空台230的圓周邊緣設置的複數個基板接觸點272。基板接觸點272中的每一者是形成在圍繞夾盤232的基板箍274上的面向上肩部。升降機構270被配置為使得當從可旋轉真空台230的基板接收表面266抬起基板120時,複數個基板接觸點272中的一者在多個基板接觸點272中的另一者之前接觸基板120。環形基板升降機構270與前面描述的真空壓力的排放和可選的氮氣淨化一起作用,以從夾盤232移除基板120。有利地,相對於僅排放和可選的氮氣淨化,使用基板升降機構270使得能夠使基板120更快地脫離吸持。
圖3B是可用於圖3A的HPC模組200中的示例性墊調節站280的側截面圖。墊調節站280靠近可旋轉真空台230設置。墊調節站280包括背對盆214的調節刷282。在一些實施例中,調節刷282包括纖維材料。在一些實施例中,纖維由耐綸或另一種類似的材料形成。調節刷282耦接到可旋轉刷軸284。刷軸284延伸穿過流體耦接到調節流體源(未示出)的盆214。刷軸284被配置為將調節流體(例如去離子水)輸送到靠近調節刷282設置的噴射噴嘴286。在墊調節站280的操作期間,調節刷282由刷軸284旋轉。在旋轉期間,調節流體經由刷軸284流到噴射噴嘴286,從而潤濕調節刷282並促進調節製程。
圖3C是可用於圖3A的HPC模組200中的示例性墊載體定位臂300的側截面圖。墊載體定位臂300靠近可旋轉真空台230和墊調節站280設置。墊載體定位臂300的遠端302包括可豎直地移動的墊載體組件304,以用於在其下端處支撐磨光墊306。墊載體組件304包括用於使磨光墊306圍繞軸線c2旋轉的頭部電機308,該軸線基本上對齊在重力方向上。墊載體組件304包括萬向節基座310,該萬向節基座經由球面軸承312耦接到頭部馬達308,從而允許墊載體組件304的磨光表面相對於與軸線c2正交的平面樞轉。墊載體組件304進一步包括耦接到萬向節基座310的墊載體314。在一些實施例中,墊載體314的尺寸被設定為支撐直徑為約134mm的磨光墊306,該直徑大於在預清潔模組中使用的習知磨光墊。在一些實施例中,與習知預清潔模組相比,本揭露的墊載體定位臂300支撐更大的磨光墊306。
圖4A是示例性萬向節基座310和可用於圖3C的墊載體組件304中的墊載體314的側截面圖。在一些實施例中,萬向節基座310包括磁體316,並且墊載體314包括磁體318,使得萬向節基座310和墊載體314經由磁力耦接。萬向節基座310和墊載體314經由定位銷320對齊。
在一些實施例中,磨光墊306由聚乙烯醇(PVA)材料形成。PVA材料具有親水性,並且可吸水和保水。在潤濕時,PVA材料是彈性、柔性且柔軟的,具有機械強度和耐磨性。與用作磨光墊的習知材料(諸如多孔材料或填充或未填充聚合物材料)相比,PVA材料為化學和機械清潔提供了高剪切力。由PVA材料形成的磨光墊306具有約134mm的直徑,其大於由習知材料形成的具有約67mm直徑的典型磨光墊的直徑。更大的磨光墊提高了效能並減少了在化學機械清潔中的磨光時間。此外,由PVA材料形成的磨光墊306比由習知材料形成的典型磨光墊厚。墊載體314被設計成支撐大且厚的吸水磨光墊306而同時經由機械夾持機構和抽吸夾持機構防止磨光墊306下垂。
萬向節基座310進一步包括在萬向節基座310的周邊邊緣上的唇部分322。墊載體314包括在墊載體314的周邊邊緣上的錐形部分324,該錐形部分從墊載體314的底表面朝向面向萬向節基座310的頂表面逐漸變窄,使得錐形部分324基本上平行於萬向節基座310的唇部分322的內表面。萬向節基座310的唇部分322和墊載體314的錐形部分324一起沿著磨光墊306的周邊邊緣機械地夾持磨光墊306。墊載體314在底表面上具有約128mm的直徑和約4.2mm的厚度。在頂表面上的墊載體314的直徑比墊載體314的直徑小約4.6mm。
圖4B和圖4C是根據第一實施例的墊載體314的平面圖和側截面圖。在圖4C中,還示出了萬向節基座310和磨光墊306的一部分。墊載體314包括中心狹槽326,桿328穿過中心狹槽326被推動到磨光墊306中。狹槽326為圓形,其直徑為約15mm,並且從面向萬向節基座310的表面向面向磨光墊306的表面反向地逐漸變窄(即,面向萬向節基座310的表面的直徑大於在磨光墊306的基礎資料表面處的直徑)。桿328呈圓柱形,其直徑略大於狹槽326的直徑,使得桿328在***到狹槽326中時被壓縮。桿328、墊載體314和磨光墊306相互密封並且在其中產生與外部大氣壓力相比的內部較低壓力區域。大氣壓力壓在被桿328、墊載體314和磨光墊306包圍的較低壓力區域上並產生對磨光墊306的抽吸夾持力。萬向節基座310和墊載體314可由塑膠或聚合物形成,諸如聚醚醚酮(PEEK)。經由由萬向節基座310的唇緣部分322和墊載體314的周邊邊緣組成的機械夾持機構和由桿328和磨光墊306組成的抽吸夾持機構,磨光墊306可被墊載體314安全地支撐。在圖4B和圖4C中,示出了一個圓形狹槽326和一個圓柱形桿328。然而,墊載體314可具有多個狹槽326,狹槽中的每一者接收一個桿328,以產生對磨光墊306的更大的抽吸夾持力。桿328可以是任何形狀,並且狹槽具有與桿328的形狀相匹配的形狀,使得桿328和墊載體314在其中產生內部低壓力。
圖4D是根據第二實施例的墊載體314的側截面圖。在圖4D中,還示出了萬向節基座310和磨光墊306的一部分。墊載體314包括中心狹槽326,桿328穿過中心狹槽326被推動到磨光墊306中,如圖4C所示的第一實施例中那樣。在第二實施例中,與磨光墊306接觸的背襯330設置在墊載體314的表面上。背襯330可由塑膠形成並增加了磨光墊306的硬度,從而進一步防止了磨光墊306下垂。
圖4E和圖4F是根據第三實施例的磨光墊306的頂視圖。在第三實施例中,磨光墊306具有形成在磨光墊306的面向墊載體314的表面上的凸起接觸特徵,並且墊載體314具有多個狹槽326,接觸特徵中的一者接合在狹槽中的每一者中。磨光墊306的凸起接觸特徵和墊載體314相互密封並且在其中產生與外部大氣壓力相比的內部較低壓力區域,從而產生對磨光墊306的抽吸夾持力。在圖4E中,凸起接觸特徵是多個柱332,並且柱332中的每一者接合在墊載體314的一個狹槽326中。在圖4F中,接觸特徵包括接合在與柱334的形狀相匹配的圓形狹槽326中的柱334和徑向輻條336,每個輻條都接合在與徑向輻條336的形狀相匹配的矩形狹槽326中。
在本文描述的實施例中,墊載體支撐大且厚的吸水磨光墊(諸如由聚乙烯醇(PVA)材料製成的磨光墊)而同時在化學機械清潔中經由機械夾持機構和抽吸夾持機構防止磨光墊下垂。由聚乙烯醇(PVA)材料製成的磨光墊因機械強度和耐磨性而可為化學和機械拋光提供高剪切力。大尺寸磨光墊提供了提高的清潔效能。
儘管前述內容針對的是本揭露內容的實施例,但是在不脫離本揭露內容的基本範圍的情況下可設想本揭露內容的其他和進一步實施例,並且本揭露內容的範圍由所附權利要求書的範圍決定。
100:化學機械拋光(CMP)處理系統
105:第一部分
106:第二部分
110:CMP後清潔系統
112:豎直清潔模組
120:基板
124:第一機器人
130:系統裝載站
140:計量站
142:LSP模組
150:第二機器人
160:系統控制器
161:可程式化中央處理單元(CPU)
162:記憶體
163:支援電路
170:乾燥單元
180:基板搬運器
200:HPC模組
202:第一端
204:第二端
206:第一側
208:第二側
210:腔室
212:處理區域
214:盆
216:蓋
218:第一側面板
220:第一基板搬運器進出門
221:第二基板搬運器進出門
222:第二側面板
224:開口
226:第三側面板
228:維修進出面板開口
230:可旋轉真空台
232:吸緊板
266:基板接收表面
270:機構
272:基板接觸點
274:基板箍
280:墊調節站
282:調節刷
284:刷軸
286:噴射噴嘴
290:沖洗歧管
292:基板中心沖洗棒
294:基板噴射棒
296:刷沖洗件
300:墊載體定位臂
302:遠端
304:墊載體組件
306:磨光墊
308:頭部馬達
310:萬向節基座
312:球形軸承
314:墊載體
316:徑向輻條
318:磁體
320:銷
322:唇緣部分
324:錐形部分
326:矩形狹槽
328:桿
330:背襯
332:柱
334:柱
為了可詳細地理解本揭露內容的上述特徵,可參考實施例來得到以上簡要地概述的本揭露內容的更具體的描述,實施例中的一些示出在附圖中。然而,需注意,附圖僅僅示出了本揭露內容的典型實施例,並且因此不應當被視為對其範圍的限制,因為本揭露內容可允許其他等效實施例。
圖1A是根據一個或多個實施例的示例性化學機械拋光(CMP)處理系統的示意性平面圖,該CMP處理系統使用本文描述的水平預清潔(HPC)模組。
圖1B是根據一個或多個實施例的示例性CMP處理系統的頂部等角視圖,其可對應於圖1A所示的示意圖。
圖1C是根據一個或多個實施例的圖1B的CMP處理系統的頂視圖,其可對應於圖1A所示的示意圖。
圖2A是根據一個或多個實施例的示例性HPC模組的一側的頂部等角視圖。
圖2B是圖2A的HPC模組的一側的另一個頂部等角視圖。
圖2C是圖2A的HPC模組另一側的頂部等角視圖。
圖3A是根據一個或多個實施例的示例性HPC模組的平面圖。
圖3B是根據一個或多個實施例的示例性墊調節站的側截面圖。
圖3C是根據一個或多個實施例的示例性墊載體定位臂的側截面圖。
圖4A是根據一個或多個實施例的示例性萬向節基座和墊載體的側截面圖。
圖4B和圖4C是根據一個或多個實施例的墊載體的平面圖和側截面圖。
圖4D是根據一個或多個實施例的墊載體的側截面圖。
圖4E和圖4F是根據一個或多個實施例的磨光墊的頂視圖。
為了促成理解,已經盡可能使用相同的附圖標記標示各圖共有的相同要素。設想的是,實施例的要素和特徵可有益地結合在其他實施例中,而無需進一步陳述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
306:磨光墊
310:萬向節基座
314:墊載體
318:磁體
320:銷
322:唇緣部分
324:錐形部分
326:矩形狹槽
328:桿
330:背襯
Claims (17)
- 一種水平預清潔模組,包括: 一腔室,該腔室包括共同地限定一處理區域的一盆和一蓋; 一可旋轉真空台,該可旋轉真空台設置在該處理區域中,該可旋轉真空台包括一基板接收表面; 一墊調節站,該墊調節站靠近該可旋轉真空台設置; 一墊載體定位臂,該墊載體定位臂具有一第一端和遠離該第一端的一第二端; 一墊載體組件,該墊載體組件耦接到該墊載體定位臂的該第一端;和 一致動器,該致動器耦接到該墊載體定位臂的該第二端並且被配置為使該墊載體組件在該可旋轉真空臺上方的一第一位置與該墊調節站上方的一第二位置之間擺動,其中 該墊載體組件包括一萬向節基座和耦接到該萬向節基座的一墊載體,該萬向節基座和該墊載體被配置為經由一機械夾持機構和一抽吸夾持機構支撐一磨光墊。
- 如權利要求1所述的水平預清潔模組,其中 該萬向節基座包括磁體, 該墊載體包括磁體, 該萬向節基座和該墊載體經由磁力耦接。
- 如權利要求1所述的水平預清潔模組,其中 該萬向節基座包括在該萬向節基座的一周邊邊緣上的一唇部分,並且該墊載體包括在該墊載體的一周邊邊緣上的一錐形部分,使得該唇部分和該墊載體沿著該磨光墊的一周邊邊緣機械地夾持該磨光墊。
- 如權利要求1所述的水平預清潔模組,其中 該墊載體具有接收一桿的一狹槽,該桿被配置為被推動到由該墊載體支撐的一磨光墊中,以向該磨光墊提供該抽吸夾持機構。
- 如權利要求1所述的水平預清潔模組,其中 該墊載體包括與由該墊載體支撐的一磨光墊接觸的一塑膠背襯,以向該磨光墊提供硬度。
- 如權利要求1所述的水平預清潔模組,其中 該墊載體具有複數個狹槽,該複數個狹槽接收形成在由該墊載體支撐的一磨光墊的一表面上的凸起特徵,以向該磨光墊提供該抽吸夾持機構。
- 一種用於一水平預清潔模組中的墊載體組件,包括: 一萬向節基座;和 一墊載體,該墊載體耦接到該萬向節基座,其中 該萬向節基座和該墊載體被配置為經由一機械夾持機構和一抽吸夾持機構支撐一磨光墊。
- 如權利要求7所述的墊載體組件,其中: 該萬向節基座包括磁體, 該墊載體包括磁體, 該萬向節基座和該墊載體經由磁力耦接。
- 如權利要求7所述的墊載體組件,其中: 該萬向節基座包括在該萬向節基座的一周邊邊緣上的一唇部分,並且該墊載體包括在該墊載體的一周邊邊緣上的一錐形部分,使得該唇部分和該墊載體沿著磨光墊的一周邊邊緣機械地夾持該磨光墊。
- 如權利要求7所述的墊載體組件,其中: 該墊載體具有接收一桿的一狹槽,該桿被配置為被推動到由該墊載體支撐的一磨光墊中,以向該磨光墊提供該抽吸夾持機構。
- 如權利要求7所述的墊載體組件,其中: 該墊載體包括與由該墊載體支撐的一磨光墊接觸的一塑膠背襯,以向該磨光墊提供硬度。
- 如權利要求7所述的墊載體組件,其中: 該墊載體具有複數個狹槽,該複數個狹槽接收形成在由該墊載體支撐的一磨光墊的一表面上的凸起特徵,以向該磨光墊提供該抽吸夾持機構。
- 一種在一水平預清潔模組中支撐一磨光墊的方法,包括: 經由一萬向節基座的一唇部分和一墊載體的一錐形部分將一磨光墊機械地夾持在該磨光墊的一周邊邊緣上,其中該萬向節基座和該墊載體耦接並設置在水平預清潔模組中;和 經由一抽吸夾持機構支撐該磨光墊並防止該磨光墊下垂。
- 如權利要求13所述的方法,其中該磨光墊包括聚乙烯醇(PVA)材料。
- 如權利要求13所述的方法,其中該抽吸夾持機構包括穿過該墊載體的一狹槽被推動到該磨光墊中的一桿。
- 如權利要求13所述的方法,進一步包括 將一塑膠背襯設置到該墊載體的一表面,該塑膠背襯與該磨光墊接觸。
- 如權利要求13所述的方法,其中該抽吸夾持機構包括複數個狹槽和形成在該磨光墊的一表面上的凸起特徵,該複數個狹槽各自接收該等凸起特徵中的一者。
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