TW202238861A - 封裝元件的製造方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種封裝元件的製造方法，其可抑制在基板面內之晶片安裝區域的深度偏差。[解決手段]封裝元件的製造方法具備：槽形成步驟101，其對於具有多條交叉的分割預定線之基板，在被相鄰之分割預定線夾住之區域形成能容納元件晶片之槽；元件晶片配設步驟102，其將元件晶片接著並配設於由槽形成步驟101所形成之槽；以及分割步驟104，其將已在槽配設元件晶片之基板沿著分割預定線進行分割而單體化。

Description

封裝元件的製造方法
本發明係關於一種封裝元件的製造方法。
隨著半導體晶片的小型化、高積體化，正持續進行元件晶片的封裝技術的開發。其中，將多個半導體晶片載置於晶圓上且以半導體用的密封材（封膜樹脂）密封並在形成重佈層（Redistribution Layer：RDL）後進行單體化之安裝方式，因不需要一般封裝所需之封裝基板，故模組的薄型化及低成本化、配線的短距離化等成為可能，而作為次世代技術備受矚目。
然而，在以封膜樹脂被覆並密封元件晶片時，因封膜樹脂的收縮而基板整體會翹曲，而有後續的膜形成、電極形成或薄化等變得困難的問題。針對此問題，為了減少封膜樹脂的量而抑制翹曲，已提案有在裝配晶片之區域以外的區域配置用於填埋間隙的構件之技術（參照專利文獻1）、在基板設置凹陷並於該凹陷配置晶片之技術（參照專利文獻2）等。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2020-92147號公報 [專利文獻2]日本特表2019-512168號公報
[發明所欲解決的課題] 然而，上述的製程中所使用之填埋間隙的構件或基板的凹陷雖一般是使用乾蝕刻所形成，但為了實施蝕刻，除了必須形成遮罩之外，亦需要導入去除設備，因此存在耗費成本的問題。
並且，藉由蝕刻所形成之凹陷的底面中之TTV（Total Thickness Variation，總厚度變異）大，在凹陷的內部裝配多個晶片之情形的晶片的高度偏差令人擔憂。
再者，有發生依據蝕刻時的加工圖案等而在面內的蝕刻速率會變化之負載效應（loading effect）之情形，且因在中央部與外周部產生深度的差異，而在後續步驟的矽穿孔（Through-Silicon Via：TSV）的形成、重佈層形成中可能會產生不良狀況。
本發明係有鑑於此問題而完成，其目的係提供一種封裝元件的製造方法，其可抑制在基板面內之晶片安裝區域的深度偏差。
[解決課題的技術手段] 為了解決上述課題並達成目的，本發明的封裝元件的製造方法係一種封裝元件的製造方法，其特徵在於，具備：槽形成步驟，其對於具有多條交叉的分割預定線之基板，在被相鄰之分割預定線夾住之區域形成能容納元件晶片之槽；元件晶片配設步驟，其將元件晶片接著並配設在由該槽形成步驟所形成之槽；以及分割步驟，其將已在該槽配設該元件晶片之基板沿著該分割預定線進行分割而單體化。
並且，在本發明的封裝元件的製造方法中，該分割預定線可包含：第一分割預定線，其在與第一方向平行之方向延伸；以及第二分割預定線，其在與該第一方向交叉之第二方向延伸，並且，該槽形成步驟可使切割刀片一邊旋轉一邊抵接於該基板，並使該切割刀片與該基板在與該第一分割預定線平行之方向相對地移動，藉此在被相鄰之該第一分割預定線夾住之區域形成槽。
並且，在本發明的封裝元件的製造方法中，該槽形成步驟可使該切割刀片一邊旋轉一邊抵接於該基板，並使該切割刀片與該基板在與該第二分割預定線平行之方向相對地移動，藉此在被相鄰之該第二分割預定線夾住之區域進一步形成槽。
並且，本發明的封裝元件的製造方法可具備：樹脂封膜步驟，其在該元件晶片配設步驟之後，對該基板供給封膜樹脂，並以封膜樹脂被覆該元件晶片。
並且，本發明的封裝元件的製造方法可具備：封膜樹脂研削步驟，其在該樹脂封膜步驟之後，將被覆該元件晶片之該封膜樹脂進行研削並薄化。
並且，本發明的封裝元件的製造方法可具備：層積步驟，其在該封膜樹脂研削步驟之後，將已在該槽接著該元件晶片且已被該封膜樹脂被覆並已將該封膜樹脂薄化之狀態的該基板與其他基板進行層積。
並且，在本發明的封裝元件的製造方法中，該分割步驟可包含：切割步驟，其藉由使切割刀片與該基板相對地移動，而沿著該分割預定線切割該基板。
[發明功效] 本案發明可抑制在基板面內之晶片安裝區域的深度偏差。
一邊參照圖式一邊詳細地說明用於實施本發明的方式（實施方式）。本發明不受以下的實施方式所記載之內容限定。並且，在以下所記載之構成要素中，包含本領域具有通常知識者容易設想者、實質上相同者。再者，以下所記載之構成能適當組合。並且，在不脫離本發明要旨的範圍內可進行構成的各種省略、取代或變更。
〔實施方式〕 針對本發明的實施方式之封裝元件1的製造方法，根據圖式進行說明。首先，針對實施方式的封裝元件1的構成進行說明。圖1係示意性地表示實施方式的封裝元件1的構成例之剖面圖。如圖1所示，封裝元件1具備基板2、元件晶片3及封膜樹脂4。
圖1所示之基板2係由例如矽、藍寶石（Al 2O 3）、砷化鎵（GaAs）或碳化矽（SiC）等所構成。基板2包含從正面5凹狀地形成之槽6。
元件晶片3配設在形成於基板2之槽6的內部。元件晶片3例如藉由黏貼或塗布於元件晶片3之接著劑或者塗布於槽6的底面7之接著劑等，而接著於槽6的底面7。元件晶片3具備電極。元件晶片3例如為IC或LSI等積體電路、CCD（Charge Coupled Device，電荷耦合元件）或CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補性金屬氧化半導體）等影像感測器或者電容器、電阻等被動元件。
封膜樹脂4係藉由環氧樹脂、矽氧樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂（urethane resin）、不飽和聚酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸乙酯樹脂（acrylic urethane resin）或聚醯亞胺樹脂等具有絕緣性之合成樹脂所構成。封膜樹脂4被覆元件晶片3。封膜樹脂4在實施方式中被填充於槽6內的元件晶片3的側面與基板2之間，並覆蓋基板2的正面5及槽6連同元件晶片3的正面8及側面。封膜樹脂4在實施方式中係藉由熱硬化性樹脂所構成。封膜樹脂4係於已加熱軟化之狀態下被供給至基板2，並進行硬化而被覆元件晶片3。
接下來，說明實施方式之封裝元件1的製造方法。圖2係表示實施方式之封裝元件1的製造方法的流程之流程圖。實施方式的封裝元件1的製造方法係如圖2所示，具備：槽形成步驟101、元件晶片配設步驟102、樹脂封膜步驟103及分割步驟104。
（槽形成步驟101） 圖3係表示圖2所示之槽形成步驟101的加工對象亦即晶圓10的一例之立體圖。如圖3所示，晶圓10係包含基板2之圓板狀的半導體晶圓、光元件晶圓等晶圓。晶圓10在實施方式中的直徑為300mm。晶圓10（基板2）在正面5具有多條交叉之分割預定線20與被相鄰之分割預定線20夾住之多個區域23。
分割預定線20在實施方式中包含第一分割預定線21與第二分割預定線22。第一分割預定線21為在與第一方向11平行之方向延伸之分割預定線20。第一方向11為晶圓10的水平的正面5內的一方向。
第二分割預定線22為在與第二方向12平行之方向延伸之分割預定線20。第二方向12在晶圓10的水平的正面5內為與第一方向11交叉之方向。第二方向12在實施方式中為與第一方向11正交之方向。亦即，分割預定線20在晶圓10的正面5中藉由第一分割預定線21與第二分割預定線22而設定成格子狀。
區域23係藉由被設定成格子狀之分割預定線20所劃分。在後述的元件晶片配設步驟102中，在各個區域23配設元件晶片3（參照圖1）。在後述的分割步驟104中，晶圓10係沿著分割預定線20而被分割，將各具有一個元件晶片3的每個區域23進行單體化，而製造成封裝元件1（參照圖1）。經單體化之封裝元件1在實施方式中係一邊為7mm的正方形。此外，封裝元件1在實施方式中雖為正方形，但亦可為長方形。
圖4係表示圖2所示之槽形成步驟101的一例之立體圖。圖5係表示圖2所示之槽形成步驟101的一狀態之晶圓10的俯視圖。圖6係表示圖2所示之槽形成步驟101的圖5後的一狀態之晶圓10的俯視圖。槽形成步驟101係在被相鄰之分割預定線20夾住之區域23形成能容納元件晶片3之槽6之步驟。此外，在實施方式中，在晶圓10形成深度100μm且寬度3mm的槽61。槽6包含：槽61，其在與第一方向11平行之方向延伸；以及槽62，其在與第二方向12平行之方向延伸。以下，說明在形成圖5及圖6所示之槽61後，形成圖6所示之槽62者，但亦可僅形成槽61。
在圖4所示之槽形成步驟101中，藉由由切削裝置30所進行之切削加工，而在晶圓10的正面5形成槽6。在以下的說明中，X軸方向為水平面中之一方向。Y軸方向為在水平面中與X軸方向正交之方向。實施方式的切削裝置30的加工進給方向為X軸方向，分度進給方向為Y軸方向。切削裝置30具備：具有保持面32之卡盤台31、切割單元33、使卡盤台31與切割單元33相對地移動之未圖示的移動單元以及未圖示的攝像單元。
切削單元33具備：圓板狀的切割刀片34、成為切割刀片34的旋轉軸之主軸35以及裝設於主軸35且固定切割刀片34之安裝凸緣36（參照圖11）。切割刀片34及主軸35具備相對於卡盤台31的保持面32呈平行之旋轉軸，所述保持面32保持切割對象的晶圓10。切割刀片34被裝設於主軸35的前端。
在圖4所示之槽形成步驟101中，首先，在卡盤台31的保持面32吸引保持晶圓10的背面9側。此外，晶圓10亦可藉由黏貼於環狀框架之黏貼膠膜90（參照圖8等）而從背面9側被支撐，並隔著黏貼膠膜90被保持於卡盤台31的保持面32。
在圖4所示之槽形成步驟101中，接下來，進行切割單元33與晶圓10的對位。具體而言，未圖示的移動單元使卡盤台31移動至切割單元33的下方的加工區域，且以未圖示的攝像單元拍攝晶圓10並進行對準。藉此，使晶圓10的第一方向11及與加工進給方向亦即X軸方向平行之方向一致，且將切割刀片34的加工點對位於被相鄰之第一分割預定線21夾住之區域23。
在圖4所示之槽形成步驟101中，接下來，朝向晶圓10的正面5側開始切割水的供給，使切割刀片34一邊旋轉一邊抵接於晶圓10。接下來，藉由未圖示的移動單元，一邊使卡盤台31與切割單元33的切割刀片34沿著被相鄰之第一分割預定線21夾住之區域23相對地移動，一邊切入晶圓10直至形成預定切入量（在實施方式中為深度100μm）的槽61為止。藉此，如圖5所示，在被第一分割預定線21夾住之區域23形成在與第一方向11平行之方向延伸之槽61。
在槽形成步驟101中，接下來，使晶圓10的第二方向12及與加工進給方向亦即X軸方向平行之方向一致，且將切割刀片34的加工點對位於被相鄰之第二分割預定線22夾住之區域23。接下來，朝向晶圓10的正面5側開始切割水的供給，使切割刀片34一邊旋轉一邊抵接於晶圓10。接下來，藉由未圖示的移動單元，一邊使卡盤台31與切割單元33的切割刀片34沿著被相鄰之第二分割預定線22夾住之區域23相對地移動，一邊切入晶圓10直至形成預定切入量（在實施方式中為深度100μm）的槽62為止。藉此，如圖6所示，在被第二分割預定線22夾住之區域23形成在與第二方向12平行之方向延伸之槽62。
在圖4所示之槽形成步驟101中藉由切割裝置30而形成槽6之情形，可藉由寬度比槽6的寬度更細的切割刀片34切入多條路徑，亦可利用寬度與槽6的寬度一樣寬的切割刀片34切入一條路徑。
槽形成步驟101亦可藉由由雷射加工裝置40所進行之燒蝕加工而在晶圓10的正面5形成槽6。圖7係表示圖2所示之槽形成步驟101的另一例之立體圖。實施方式的雷射加工裝置40的加工進給方向為X軸方向，分度進給方向為Y軸方向。雷射加工裝置40具備：具有保持面42之卡盤台41、雷射光束照射單元43、使卡盤台41與雷射光束照射單元43相對地移動之未圖示的移動單元以及攝像單元44。
在圖7所示之槽形成步驟101中，首先，在卡盤台41的保持面42吸引保持晶圓10的背面9側。接下來，進行雷射光束照射單元43與晶圓10的對位。具體而言，未圖示的移動單元使卡盤台41移動至加工位置，且以未圖示的攝像單元拍攝晶圓10並進行對準。藉此，使晶圓10的第一方向11及與加工進給方向亦即X軸方向平行之方向一致，且將雷射光束照射單元43的照射部對位於被相鄰之第一分割預定線21夾住之區域23。
在圖7所示之槽形成步驟101中，接下來，藉由未圖示的移動單元，一邊使卡盤台41相對於雷射光束照射單元43相對地移動，一邊將聚光點定位於晶圓10的正面5或正面5附近並照射雷射光束45。雷射光束45係對於基板2具有吸收性之波長的雷射光束。在槽形成步驟101中，藉由沿著被相鄰之第一分割預定線21夾住之區域23照射已將聚光點定位於晶圓10的正面5或正面5附近之雷射光束45，而在被第一分割預定線21夾住之區域23形成在與第一方向11平行之方向延伸之槽61。
即使在圖7所示之槽形成步驟101中，亦可在形成槽61後，形成在與第二方向12平行之方向延伸之槽62。亦即，使晶圓10的第二方向12及與加工進給方向亦即X軸方向平行之方向一致，且將雷射光束照射單元43的照射部對位於被相鄰之第二分割預定線22夾住之區域23。藉由未圖示的移動單元，一邊使卡盤台41相對於雷射光束照射單元43相對地移動，一邊將聚光點定位在晶圓10的正面5或正面5附近並照射雷射光束45。在圖7所示之槽形成步驟101中，藉由沿著被相鄰之第二分割預定線22夾住之區域23照射已將聚光點定位在晶圓10的正面5或正面5附近之雷射光束45，而在被第二分割預定線22夾住之區域23形成在與第二方向12平行之方向延伸之槽62。
（元件晶片配設步驟102） 圖8係以局部剖面表示圖2所示之元件晶片配設步驟102的一狀態之晶圓10的主要部分的側視圖。元件晶片配設步驟102係將元件晶片3接著並配設於由槽形成步驟101所形成之槽6。在元件晶片配設步驟102中，例如，首先，於元件晶片3的背面塗布接著劑。接下來，將元件晶片3之已塗布接著劑的背面側對齊槽6的底面7並接著。
在元件晶片配設步驟102中，亦可於元件晶片3的背面黏貼接著片以取代塗布接著劑。並且，在元件晶片配設步驟102中，例如亦可將接著劑塗布於槽6的底面7而非塗布於元件晶片3的背面。
（樹脂封膜步驟103） 圖9係以局部剖面表示圖2所示之樹脂封膜步驟103的一狀態之側視圖。圖10係以局部剖面表示圖2所示之樹脂封膜步驟103的圖9後的一狀態之晶圓10的主要部分的側視圖。樹脂封膜步驟103係在元件晶片配設步驟102後，對晶圓10（基板2）供給封膜樹脂4並以封膜樹脂4被覆元件晶片3之步驟。
在圖9及圖10所示之樹脂封膜步驟103中，藉由壓縮成形機50，而以封膜樹脂4被覆元件晶片3。壓縮成形機50具備：上模51，其具有保持面52；以及下模53，其具有與保持面52對向之凹腔54。
如圖9所示，在樹脂封膜步驟103中，首先，將晶圓10的背面9側固定於上模51的保持面52。晶圓10在實施方式中係隔著支撐晶圓10之黏貼膠膜90而被固定於上模51的保持面52。接下來，將預定量的液狀的封膜樹脂4填充於下模53的凹腔54。接下來，使上模51往下模53的方向移動，將晶圓10的正面5側往凹腔54內的封膜樹脂4推抵。
如圖10所示，藉由將晶圓10的正面5側往凹腔54內的封膜樹脂4推抵，而液狀的封膜樹脂4會從晶圓10的正面5進入容納有元件晶片3之槽6與元件晶片3之間，填充元件晶片3的側面側的空間。再者，液狀的封膜樹脂4係藉由來自上模51所施加之壓力，而在凹腔54與晶圓10的正面5之間被壓縮並硬化，被固定成被覆元件晶片3之狀態。
（分割步驟104） 圖11係以局部剖面表示圖2所示之分割步驟104的一狀態之晶圓的主要部分的側視圖。分割步驟104係將已在槽6配設元件晶片3之晶圓10（基板2）沿著分割預定線20進行分割而單體化之步驟。
在圖11所示之分割步驟104中，藉由由切割裝置30所進行之切割加工而分割晶圓10。亦即，分割步驟104包含切割步驟，所述切割步驟係藉由使切割刀片34與基板2相對地移動而沿著分割預定線20切割晶圓10。切割裝置30亦可為與在圖4所示之槽形成步驟101所使用之裝置相同或同樣式的裝置。在分割步驟104中，使用寬度比槽6更細的切割刀片34。
在分割步驟104中，首先，在卡盤台31的保持面32吸引保持晶圓10的背面9側。此外，晶圓10較佳為藉由黏貼於環狀框架之黏貼膠膜90而從背面9側被支撐，並隔著黏貼膠膜90被保持於卡盤台31的保持面32。
在分割步驟104中，接下來，進行切削單元33與晶圓10的對位。具體而言，未圖示的移動單元使卡盤台31移動至切割單元33的下方的加工區域，且以未圖示的攝像單元拍攝晶圓10並進行對準，藉此將切割刀片34的加工點對位於晶圓10的分割預定線20。
在分割步驟104中，接下來，朝向晶圓10（基板2）的正面5側開始切割水的供給，使切割刀片34一邊旋轉一邊抵接於晶圓10。接下來，藉由未圖示的移動單元，一邊使卡盤台31與切割單元33的切割刀片34沿著分割預定線20相對地移動，一邊切入直至到達晶圓10的背面9側為止，而將晶圓10沿著分割預定線20進行分割。
藉由沿著所有的分割預定線20分割晶圓10（基板2），而晶圓10被單體化成各個元件晶片3，並被製造成封裝元件1。晶圓10被分割成封裝元件1後，例如在拾取步驟中，利用習知的拾取器（picker），從黏貼膠膜90拾取封裝元件1。
如以上說明，在實施方式的封裝元件1的製造方法中，將元件晶片3安裝在形成於晶圓10（基板2）之槽6。作為形成槽6之方法，藉由實施由切割裝置30所進行之切割、由雷射加工裝置40所進行之燒蝕等，而相較於蝕刻可改善TTV，再者，可減少在基板2面內之元件晶片3安裝區域的深度偏差。並且，因不需形成蝕刻用的遮罩故可減少製程，藉此可縮短加工時間，能減少成本、工時等。
在上述的實施方式中，在由圖4所示之切割裝置30所進行之槽形成步驟101中，例如，若以30mm／sec加工44條線，則所需時間為10min左右。相對於此，在以蝕刻形成深度100μm的槽6之情形，例如，蝕刻速率為7μm／min，所需時間為15min左右。在蝕刻中，去除區域愈廣愈深，則加工時間越增加，但在由切割所進行之槽加工中，即使深度變動，加工時間亦不會改變。因此，相較於蝕刻，實施方式的槽形成步驟101可進一步縮短加工時間。
此外，本發明並未受限於上述實施方式。亦即，在不脫離本發明要旨的範圍內可進行各種變形並實施。
例如，在槽形成步驟101中，在藉由雷射光束45而形成槽6之情形，雷射加工裝置40亦可具備以多面鏡掃描雷射光束45之光學系統。藉此，可使在槽6的底面7中之TTV提升。
並且，在槽形成步驟101中，在實施方式中雖係在被相鄰之分割預定線20夾住之區域23形成1條槽6，但在本揭示中，亦可在被相鄰之分割預定線20夾住之區域23形成多條槽6。此情形，在分割步驟104中被分割並單體化後的封裝元件1係分別具有多條槽6。此情形，例如，期望在各槽6配設至少一個元件晶片3。
並且，元件晶片配設步驟102雖在圖8所示之實施方式中係將晶圓10（基板2）的正面5側作為上表面而將元件晶片3從上方接著於槽6內，但在本發明中亦可以從上被覆晶圓10的方式對元件晶片3進行接著。
並且，在樹脂封膜步驟103中，在實施方式中雖係將預定量的液狀的封膜樹脂4填充於下模53的凹腔54，且使上模51往下模53的方向移動，並將晶圓10的正面5側往凹腔54內的封膜樹脂4推抵，但本發明並不受限於此。例如，亦可將預定量的顆粒狀的封膜樹脂4置入下模53的凹腔54，在使凹腔54內的封膜樹脂4熔融後，使上模51往下模53的方向移動，並將晶圓10的正面5側往凹腔54內的封膜樹脂4推抵。並且，並不受限於如上述般的所謂的面朝下（face-down）的方式，亦可藉由在已將晶圓10載置於平坦的下模上之狀態下，將封膜樹脂4供給至晶圓10的正面5上，並使具有與晶圓10的正面5對向之凹腔之上模從上方移動且往下模側推抵，亦即藉由所謂的面朝上的方式，而壓縮封膜樹脂4並使其硬化。
並且，分割步驟104雖在圖11所示之實施方式中係藉由由切割刀片34所進行之完全切斷而分割基板2，但在本發明中，亦可藉由在半切斷後研削晶圓10的背面9而分割基板2。並且，亦可藉由對於晶圓10具有穿透性之雷射光束而形成成為分割起點之改質層，以取代利用由切割刀片34所進行之半切斷而形成切口。
亦即，分割步驟104亦可包含將晶圓10（基板2）的背面9側進行研削並薄化之研削步驟。並且，亦可包含在實施分割步驟104前將晶圓10（基板2）的背面9側進行研削並薄化之研削步驟。研削步驟可在實施槽形成步驟101前或後實施。
〔變形例〕 接下來，說明變形例之封裝元件1的製造方法。圖12係表示變形例之封裝元件的製造方法的流程之流程圖。變形例的封裝元件1的製造方法係如圖12所示，具備：槽形成步驟201、元件晶片配設步驟202、樹脂封膜步驟203、封膜樹脂研削步驟204、層積步驟205及分割步驟206。此外，變形例的槽形成步驟201、元件晶片配設步驟202、樹脂封膜步驟203及分割步驟206因與實施方式的槽形成步驟101、元件晶片配設步驟102、樹脂封膜步驟103及分割步驟104同樣，故省略說明。
（封膜樹脂研削步驟204） 圖13係表示圖12所示之封膜樹脂研削步驟204的一例之側視圖。封膜樹脂研削步驟204係在樹脂封膜步驟203後將被覆元件晶片3之封膜樹脂4進行研削並薄化之步驟。
在圖13所示之封膜樹脂研削步驟204中，藉由由研削裝置70所進行之研削加工，而將被覆晶圓10（基板2）的正面5之封膜樹脂4進行研削。研削裝置70具備：卡盤台71，其具有保持面72；以及研削單元73。研削單元73具備：主軸74，其為旋轉軸構件；輪基台75，其安裝於主軸74的下端；以及研削砥石76，其安裝於輪基台75的下表面。輪基台75係以與卡盤台71的軸心平行之旋轉軸進行旋轉。
在封膜樹脂研削步驟204中，首先，在卡盤台71的保持面72吸引保持晶圓10的背面9側。接下來，在使卡盤台71繞著軸心旋轉之狀態下，使輪基台75繞著軸心旋轉。藉由將研削水供給至加工位置，且將裝設於輪基台75的下表面之研削砥石76以預定的進給速度接近卡盤台71，而以研削砥石76將被覆晶圓10的正面5之封膜樹脂4從正面側進行研削。藉此，將封膜樹脂4薄化。
此外，亦可在封膜樹脂研削步驟204之後且後述的層積步驟205之前，將晶圓10（基板2）的背面9側進行研削而將基板2薄化。此情形，於已在卡盤台71的保持面72吸引保持已研削之封膜樹脂4的正面側之狀態下，將晶圓10的背面9側進行研削。
（層積步驟205） 層積步驟205係以下步驟：在封膜樹脂研削步驟204之後，將已在槽6接著元件晶片3且已被封膜樹脂4被覆並已將封膜樹脂4薄化之狀態的基板2亦即前述之晶圓10與其他基板進行層積。在本發明中，作為其他基板，可將與晶圓10同樣地構成之其他晶圓層積在晶圓10，亦可層積載體晶圓等。在晶圓10層積（貼附）其他基板亦即載體晶圓之情形，較佳為在層積（貼附）後，以習知的方法於晶圓10及載體晶圓形成矽穿孔、重佈層等。
如此，本發明的封裝元件的製造方法也能應用於層積基板及元件晶片之封裝元件。
1:封裝元件 2:基板 3:元件晶片 4:封膜樹脂 6,61,62:槽 10:晶圓 11:第一方向 12:第二方向 20:分割預定線 21:第一分割預定線 22:第二分割預定線 23:區域 34:切割刀片 101,201:槽形成步驟 102,202:元件晶片配設步驟 103,203:樹脂封膜步驟 104,206:分割步驟 204:封膜樹脂研削步驟 205:層積步驟
圖1係示意性地表示實施方式的封裝元件的構成例之剖面圖。 圖2係表示實施方式之封裝元件的製造方法的流程之流程圖。 圖3係表示圖2所示之槽形成步驟的加工對象亦即晶圓的一例之立體圖。 圖4係表示圖2所示之槽形成步驟的一例之立體圖。 圖5係表示圖2所示之槽形成步驟的一狀態之晶圓的俯視圖。 圖6係表示圖2所示之槽形成步驟的圖5後的一狀態之晶圓的俯視圖。 圖7係表示圖2所示之槽形成步驟的另一例之立體圖。 圖8係以局部剖面表示圖2所示之元件晶片配設步驟的一狀態之晶圓的主要部分的側視圖。 圖9係以局部剖面表示圖2所示之樹脂封膜步驟的一狀態之側視圖。 圖10係以局部剖面表示圖2所示之樹脂封膜步驟的圖9後的一狀態之晶圓的主要部分的側視圖。 圖11係以局部剖面表示圖2所示之分割步驟的一狀態之晶圓的主要部分的側視圖。 圖12係表示變形例之封裝元件的製造方法的流程之流程圖。 圖13係表示圖12所示之封膜樹脂研削步驟的一例之側視圖。
101:槽形成步驟
102:元件晶片配設步驟
103:樹脂封膜步驟
104:分割步驟

Claims (7)

  1. 一種封裝元件的製造方法，其特徵在於，具備： 槽形成步驟，其對於具有多條交叉的分割預定線之基板，在被相鄰之分割預定線夾住之區域形成能容納元件晶片之槽； 元件晶片配設步驟，其將元件晶片接著並配設於由該槽形成步驟所形成之槽；以及 分割步驟，其將已在該槽配設該元件晶片之基板沿著該分割預定線進行分割而單體化。
  2. 如請求項1之封裝元件的製造方法，其中，該分割預定線包含：第一分割預定線，其在與第一方向平行之方向延伸；以及第二分割預定線，其在與該第一方向交叉之第二方向延伸， 該槽形成步驟係使切割刀片一邊旋轉一邊抵接於該基板，並使該切割刀片與該基板在與該第一分割預定線平行之方向相對地移動，藉此在被相鄰之該第一分割預定線夾住之區域形成槽。
  3. 如請求項2之封裝元件的製造方法，其中，該槽形成步驟係使該切割刀片一邊旋轉一邊抵接於該基板，並使該切割刀片與該基板在與該第二分割預定線平行之方向相對地移動，藉此在被相鄰之該第二分割預定線夾住之區域進一步形成槽。
  4. 如請求項1至3中任一項之封裝元件的製造方法，其中，具備： 樹脂封膜步驟，其在該元件晶片配設步驟之後，對該基板供給封膜樹脂，並以封膜樹脂被覆該元件晶片。
  5. 如請求項4之封裝元件的製造方法，其中，具備： 封膜樹脂研削步驟，其在該樹脂封膜步驟之後，將被覆該元件晶片之該封膜樹脂進行研削並薄化。
  6. 如請求項5之封裝元件的製造方法，其中，具備： 層積步驟，其在該封膜樹脂研削步驟之後，將已在該槽接著該元件晶片且已被該封膜樹脂被覆並已將該封膜樹脂薄化之狀態的該基板與其他基板進行層積。
  7. 如請求項1至3中任一項之封裝元件的製造方法，其中，該分割步驟包含：切割步驟，其藉由使切割刀片與該基板相對地移動，而沿著該分割預定線切割該基板。
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