TW202237507A - 盒筐體、探針器、伺服器機架及儲存系統 - Google Patents

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Abstract

提供可以對包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓進行溫度調整的盒筐體、探針器、伺服器機架及儲存系統。 根據實施形態，盒筐體具備：儲存部、探針卡、和收容部。儲存部係用於儲存包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓。探針卡具有與設置於半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針。收容部係用於收容對儲存在儲存部的半導體晶圓實施冷卻或升溫的熱介質溶液。

Description

盒筐體、探針器、伺服器機架及儲存系統
本發明的實施形態係關於盒筐體、探針器、伺服器機架及儲存系統。 關連申請 本申請主張PCT國際申請PCT/JP2021/011858(申請日：2021年3月23日)之基礎申請的優先權。本申請藉由參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。
探針卡被利用作為在形成有半導體晶片的半導體晶圓與對半導體晶片進行檢測的檢測裝置之間中繼電氣信號的檢測治具。在半導體晶圓亦形成有焊墊電極。探針卡包含探針卡基板和探針。 探針卡係藉由探針器電性連接到半導體晶圓。更詳細言之，探針器使半導體晶圓的焊墊電極與探針卡的探針接觸。藉此，使半導體晶圓的半導體晶片與探針卡的探針卡基板電性連接。
實施形態之一在於提供可以對包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓進行溫度調整的盒筐體、探針器、伺服器機架及儲存系統。 根據實施形態，盒筐體具備：儲存部；探針卡；及收容部。儲存部係用於儲存包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓。探針卡具有與設置於半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針。收容部係用於收容對儲存在儲存部的半導體晶圓實施冷卻或升溫的熱介質溶液。
詳細說明 以下，參照圖面說明實施形態。 (第1實施形態) 首先，說明第1實施形態。第1實施形態係不切割半導體晶圓而使用的大容量的儲存系統。此外，第1實施形態可以更換多個半導體晶圓。 圖1係表示第1實施形態的儲存系統1之一構成例的方塊圖。儲存系統1包含作為儲存器的多個半導體晶圓(晶圓)100。儲存系統1係從多個晶圓100之中選擇預定數之晶圓100。儲存系統1使用選擇的預定數之晶圓100。晶圓100包含多個NAND型之快閃記憶體晶片(NAND晶片)。此外，儲存系統1包含多個盒筐體200。盒筐體200內建有探針卡210。盒筐體200用於儲存晶圓100。 儲存系統1具有：晶圓儲料器10；盒儲料器20；探針器(盒設備)30；盒傳送機40；及伺服器機架50。 晶圓儲料器10係保管晶圓100的裝置。晶圓儲料器10保管多個晶圓100。 盒儲料器20係保管盒筐體200的裝置。盒儲料器20保管多個盒筐體200。保管在盒儲料器20中的多個盒筐體200，可以混合儲存有晶圓100的盒筐體200，及未儲存有晶圓100的盒筐體200。 探針器30係使晶圓100之焊墊電極101與探針卡210之探針211接觸的裝置。 盒傳送機40係傳送盒筐體200的裝置。盒傳送機40係將盒筐體200從盒儲料器20傳送到伺服器機架50。此外，盒傳送機40係將盒筐體200從伺服器機架50傳送到盒儲料器20。此外，盒傳送機40係將盒筐體200從探針器30傳送到伺服器機架50。此外，盒傳送機40係將盒筐體200從伺服器機架50傳送到探針器30。 伺服器機架50係儲存主機電腦51的裝置。儲存在伺服器機架50中的主機電腦51之個數可以是1個或多個。 主機電腦51例如是檔案伺服器。主機電腦51具有處理器52，及儲存部53。 處理器52係執行程式的裝置。處理器52係執行對盒筐體200內之晶圓100的資料之寫入處理或從晶圓100之資料之讀出處理。 儲存部53係儲存盒筐體200的裝置。儲存部53中儲存著儲存有晶圓100的盒筐體200。儲存部53中儲存的盒筐體200之個數可以是1個或多個。 接著，說明探針器30之內部構成。探針器30具有裝卸機構31。裝卸機構31係使晶圓100與盒筐體200成為一體化或使彼等分離的裝置。在探針器30中，當藉由裝卸機構31將晶圓100儲存在盒筐體200時，晶圓100之焊墊電極與盒筐體200內之探針卡的探針接觸。藉此，晶圓100之NAND晶片與探針卡的探針卡基板被電性連接。 接著，說明儲存在伺服器機架50中的盒筐體200內之晶圓100，與儲存在盒儲料器20中的盒筐體200內之晶圓100或儲存在晶圓儲料器10中的晶圓100之更換。 當主機電腦51之處理器52欲進行資料之寫入或讀出的晶圓100，儲存在盒筐體200中的狀態而存在於伺服器機架50的情況下，儲存系統1不必要進行晶圓100之更換。 當處理器52欲進行資料之寫入或讀出的晶圓100不存在伺服器機架50的情況下，儲存系統1進行將儲存在伺服器機架50中的盒筐體200內之晶圓100，與儲存在盒儲料器20中的盒筐體200內之晶圓100或儲存在晶圓儲料器10中的晶圓100之更換。 例如，當處理器52欲寫入資料的晶圓100被儲存在盒筐體200中的狀態且存在於盒儲料器20的情況下，儲存系統1在伺服器機架50與盒儲料器20之間進行盒筐體200之更換。從伺服器機架50被移除的盒筐體200，例如是在伺服器機架50內儲存著最長期間未被處理器52存取的晶圓100的盒筐體200。 例如，當處理器52欲寫入資料的晶圓100存在於晶圓儲料器10的情況下，儲存系統1藉由探針器30將處理器52欲寫入資料的晶圓100儲存在盒筐體200。此外，儲存系統1例如將在伺服器機架50內儲存著最長期間未被處理器52存取的晶圓100的盒筐體200從伺服器機架50移除。儲存系統1使從伺服器機架50被移除的盒筐體200移動到盒儲料器20。此外，儲存系統1藉由探針器30將儲存有晶圓100的盒筐體200從探針器30移動到伺服器機架50。 接著，說明溫度調整機構。溫度調整機構係對晶圓100實施冷卻或升溫的機構。在盒筐體200、探針器30及伺服器機架50中具備溫度調整機構。圖2係表示盒筐體200及探針器30之溫度調整機構的概略圖。 首先，說明盒筐體200之溫度調整機構。盒筐體200具有上面殼體201，及下面殼體202。上面殼體201係覆蓋晶圓100之上面側的構件。在上面殼體201配置有探針卡201。下面殼體202係覆蓋晶圓100之下面側的構件。在下面殼體202之內壁部設置有儲存部203。 藉由上面殼體201與下面殼體202之嵌合來形成收容部204。在收容部204中收容有冷卻或升溫用的熱介質溶液300。熱介質溶液300例如是基於氟碳的氫氟醚。此外，熱介質溶液300亦可以是液態氮。 收容部204具有熱介質溶液300之注入口與排出口。當盒筐體200未儲存在探針器30或伺服器機架50的狀態下，熱介質溶液300之注入口與排出口被關閉。當盒筐體200儲存在探針器30或伺服器機架50中時熱介質溶液300之注入口與排出口打開。 接著，說明探針器30之溫度調整機構。探針器30具有供水管31A，排水管31B，及泵(流體機械)32。供水管31A係用於從盒筐體200外部向盒筐體200內部輸送熱介質溶液300的例如中空圓筒狀之構件。排水管31B係用於從盒筐體200內部向盒筐體200外部輸送熱介質溶液300的例如中空圓筒狀之構件。泵32係從供水管31A及排水管31B之一端向另一端輸送熱介質溶液300的裝置。 當藉由裝卸機構31將晶圓100儲存在盒筐體200中的情況下，探針器30係藉由泵32從供水管31A向盒筐體200內部注入熱介質溶液300。當藉由裝卸機構31將晶圓100從盒筐體200移除之情況下，探針器30係藉由泵32從從排水管31B排出盒筐體200內部之熱介質溶液300。探針器30係使熱介質溶液300循環在盒筐體200內部。 接著，說明伺服器機架50之溫度調整機構。圖3係表示伺服器機架50之溫度調整機構的概略圖。在圖3合併表示盒筐體200之溫度調整機構。伺服器機架50具有供水管54A，排水管54B，及泵55。供水管54A例如是中空圓筒狀之構件。供水管54A係用於從盒筐體200外部向盒筐體200內部注入熱介質溶液300。排水管54B例如是中空圓筒狀之構件。排水管54B係用於從盒筐體200內部向盒筐體200外部排出熱介質溶液300。泵32係從供水管54A及排水管54B之一端向另一端輸送熱介質溶液300的裝置。伺服器機架50係向盒筐體200內部注入熱介質溶液300。此外，伺服器機架50係用於從盒筐體200內部排出熱介質溶液300。藉此，伺服器機架50使熱介質溶液300循環在盒筐體200內部。 未注入有熱介質溶液300的盒筐體200可以藉由盒傳送機40傳送到伺服器機架50。該情況下，當保管在盒儲料器20中的盒筐體200藉由盒傳送機40被傳送到伺服器機架50時，將熱介質溶液300填充到盒筐體200內部。此外，當盒筐體200從伺服器機架50被移除時，伺服器機架50將盒筐體200內部之全部熱介質溶液300排出亦可。儲存有晶圓100的盒筐體200可以在注入有熱介質溶液300的狀態下保管在盒儲料器20中。或者，儲存有晶圓100的盒筐體200，亦可以在未注入有熱介質溶液300的狀態下保管在盒儲料器20中。 接著，說明藉由熱介質溶液300冷卻盒筐體200內部之幾個例子。 ＜第1例＞ 圖4係表示在盒筐體200內將探針卡的探針卡基板210浸漬在熱介質溶液300的第1例。探針卡包含探針卡基板210和探針211。 在該第1例中，收容部204形成為使探針卡基板212浸漬在熱介質溶液300中。在第1例中，藉由熱介質溶液300可以冷卻或升溫探針卡基板212上之部件。 ＜第2例＞ 圖5係表示在盒筐體200內使探針卡的探針211和晶圓100之焊墊電極101浸漬在熱介質溶液300中的第2例。 在該第2例中，藉由上面殼體201與下面殼體202之嵌合，將收容部204形成為使探針211與焊墊電極101浸漬在熱介質溶液300中。在第2例中，探針卡210之探針211與晶圓100之焊墊電極101可以藉由熱介質溶液300進行冷卻或升溫。 又，將圖5中作為第2例示出的溫度調整機構與圖4中作為第1例示出的溫度調整機構組合使用亦可。 ＜第3例＞ 圖6係表示在盒筐體200內使晶圓100浸漬在熱介質溶液300中的第3例。 在該第3例中，藉由上面殼體201與下面殼體202之嵌合，將熱介質溶液300之收容部204形成為使晶圓100浸漬在熱介質溶液300中。在第3例中，可以藉由熱介質溶液300冷卻晶圓100。更詳言之為，可以藉由熱介質溶液300對形成在晶圓100的NAND晶片進行冷卻或升溫。 又，將在圖6中作為第3例示出的溫度調整機構與在圖4中作為第1例示出的溫度調整機構或在圖5中作為第2例示出的溫度調整機構之一方或雙方組合使用亦可。 如上所述，第1實施形態之儲存系統1具有在盒筐體200內部循環熱介質溶液的獨特的溫度調整機構。藉此，第1實施形態之儲存系統1可以對包含多個NAND晶片的晶圓100進行溫度調整。 (第2實施形態) 接著，說明第2實施形態。 和第1實施形態同樣，第2實施形態亦是不切割半導體晶圓而使用的大容量的儲存系統。對與第1實施形態相同的構成要素附加相同的符號。此外，省略與第1實施形態相同的構成要素相關的說明。 圖7係表示藉由熱介質溶液300冷卻或升溫第2實施形態的儲存系統1之儲存有晶圓100的盒筐體200的一例的概略圖。圖7中示出儲存有晶圓100的盒筐體200，係被儲存在探針器30的狀態。 第1實施形態之儲存系統1係使熱介質溶液300循環在盒筐體200內部。相對於此，第2實施形態之儲存系統1，係在探針器30或伺服器機架50中使盒筐體200本身浸漬在熱介質溶液300中。藉此，第2實施形態之儲存系統1可以冷卻或升溫盒筐體200整體。因此，探針器30具有收容部33。收容部33係收容熱介質溶液300的裝置。收容部33設計為密閉盒筐體200。伺服器機架50具有收容部56。收容部56係收容熱介質溶液300的裝置。收容部56設計為密閉盒筐體200。 圖8係表示第2實施形態的儲存系統1之溫度調整機構的概略圖。圖8中，盒筐體200儲存在探針器30內。 在第1實施形態中，探針器30係藉由供水管31A、排水管31B、和泵32向盒筐體200內部注入熱介質溶液300。此外，探針器30係從盒筐體200內部排出熱介質溶液300。藉此，探針器30使熱介質溶液300循環在盒筐體200內部。相對於此，在第2實施形態中，探針器30係藉由供水管31A、排水管31B、和泵32向收容部33內部注入熱介質溶液300。此外，探針器30係從收容部33內部排出熱介質溶液300。藉此，探針器30使熱介質溶液300循環在探針器30內部。更詳言之為，探針器30使熱介質溶液300循環在盒筐體200之周圍。伺服器機架50係向收容部56注入熱介質溶液300。此外，伺服器機架50係從收容部56排出熱介質溶液300。藉此，伺服器機架50使熱介質溶液300循環在伺服器機架50內部。更詳言之為，伺服器機架50使熱介質溶液300循環在盒筐體200之周圍。 作為藉由探針器30來冷卻盒筐體200的例，例如可以舉出對從伺服器機架50移除而輸送來的盒筐體200實施冷卻的情況。從伺服器機架50被移除的盒筐體200內部之晶圓100，係以儲存在盒筐體200的狀態下被保管在盒儲料器20中。或者，從伺服器機架50被移除的盒筐體200內部之晶圓100，係從盒筐體200被移除的狀態下被保管在晶圓儲料器10中。當盒筐體200從伺服器機架50向探針器30輸送時，盒筐體200內部之晶圓100的溫度在伺服器機架50內部有可能上升。探針器30在將在伺服器機架50內部溫度已上升了的晶圓100移動到晶圓儲料器10之前，例如對每個盒筐體200實施冷卻使得不致影響到以低溫保管的其他晶圓100。 伺服器機架50中的盒筐體200之冷卻，例如係在為了抑制探針卡基板212上之部件之發熱引起的晶圓100之溫度上升而進行。 如上所述，第2實施形態之儲存系統1係具有使熱介質溶液循環在盒筐體200之周圍的獨特的溫度調整機構。藉此，第2實施形態之儲存系統1可以進行與包含多個NAND晶片的晶圓100有關的溫度調整。 (第3實施形態) 接著，說明第3實施形態。 和第1實施形態及第2實施形態同樣，第3實施形態亦是不切割半導體晶圓而使用的大容量的儲存系統。針對和第1實施形態或第2實施形態相同的構成要素附加相同的符號。此外，省略和第1實施形態或第2實施形態相同的構成要素相關的說明。 圖9係表示第3實施形態的儲存系統1之溫度調整機構的概略圖。 第1實施形態或第2實施形態之儲存系統1係藉由熱介質溶液進行冷卻或升溫。相對於此，第3實施形態之儲存系統1係使絕緣構件213接觸晶圓100。藉此，第3實施形態之儲存系統1係藉由熱傳導進行冷卻或升溫。絕緣構件213係設置在，與儲存在盒筐體200中的晶圓100呈對向的配置在盒筐體200內的探針卡210之設置有探針211的表面上。探針卡210之設置有探針211的表面，係從上面殼體201之內壁部露出。 當探針器30將晶圓100儲存在盒筐體200時，當上面殼體201與下面殼體202嵌合時，絕緣構件212物理性接觸晶圓100。但是，絕緣構件213未電性連接到晶圓100。絕緣構件213具有例如銷、突起或面之形狀。 在第3實施形態之儲存系統1中，藉由不與晶圓100電性連接的絕緣構件212的熱傳導，可以對包含多個NAND晶片的晶圓100進行溫度調整。 又，圖10係表示第3實施形態中的溫度調整機構之一變形例的概略圖。 圖10係將圖9之絕緣構件213設計為緩衝構件214之例，該緩衝構件214例如可以減輕賦予傳送中之盒筐體200的衝撃被傳導至晶圓100。此外，緩衝構件214將晶圓100固定在盒筐體200內。圖10(A)係表示上面殼體201與下面殼體202嵌合前之緩衝構件214之狀態。圖10(B)係表示上面殼體201與下面殼體202嵌合後之緩衝構件214之狀態。 探針器30將晶圓100儲存在盒筐體200時，如圖10(B)所示，當上面殼體201與下面殼體202嵌合時，作為絕緣體的緩衝構件214物理性接觸到晶圓100。但是，緩衝構件214不與晶圓100電性連接。在本變形例中，藉由未電性連接到晶圓100的緩衝構件213的熱傳導，可以對包含多個NAND晶片的晶圓100進行溫度調整。 如上所述，第3實施形態之儲存系統1係在盒筐體200內部使絕緣體212接觸晶圓100。亦即，第3實施形態之儲存系統1具有藉由熱傳導進行冷卻或升溫的獨特的溫度調整機構。藉此，第3實施形態之儲存系統1可以對包含多個NAND晶片的晶圓100進行溫度調整。 實施形態僅為例示，發明之範圍不限定於這些實施形態。
1:儲存系統 10:晶圓儲料器 20:盒儲料器 30:探針器(盒設備) 31:裝卸機構 31A:供水管 31B:排水管 32:泵 33:收容部 40:盒傳送機 50:伺服器機架 51:主機電腦 52:處理器 53:儲存部 54A:供水管 54B:排水管 55:泵 56:收容部 100:晶圓 101:焊墊電極 200:盒筐體 201:上面殼體 202:下面殼體 203:儲存部 204:收容部 210:探針卡 211:探針 212:探針卡基板 213:絕緣構件 214:緩衝構件 300:熱介質溶液
[圖1]係表示第1實施形態的儲存系統之一構成例的方塊圖。 [圖2]係表示第1實施形態的儲存系統的盒筐體及探針器的溫度調整機構的概略圖。 [圖3]係表示第1實施形態的儲存系統的伺服器機架的溫度調整機構的概略圖。 [圖4]係表示在第1實施形態的儲存系統的盒筐體內將探針卡基板浸漬在冷卻液中之例的概略圖。 [圖5]係表示在第1實施形態的儲存系統的盒筐體內將探針卡的探針和晶圓的焊墊電極浸漬在熱介質溶液中之例的概略圖。 [圖6]係表示在第1實施形態的儲存系統的盒筐體內將晶圓浸漬在熱介質溶液中之例的概略圖。 [圖7]係表示第2實施形態的儲存系統中對儲存晶圓的盒筐體藉由熱介質溶液實施冷卻或升溫的一例的概略圖。 [圖8]係表示第2實施形態的儲存系統具備的溫度調整機構的概略圖。 [圖9]係表示第3實施形態的儲存系統具備的溫度調整機構的概略圖。 [圖10]係表示第3實施形態的儲存系統具備的溫度調整機構之一變形例的概略圖。
30:探針器(盒設備)
31A:供水管
31B:排水管
32:泵
100:晶圓
101:焊墊電極
200:盒筐體
201:上面殼體
202:下面殼體
203:儲存部
204:收容部
211:探針
300:熱介質溶液

Claims (19)

  1. 一種盒筐體，係具備： 儲存部，係用於儲存包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓； 探針卡，係具有與設置於前述半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針；及 收容部，係用於收容對儲存在前述儲存部的前述半導體晶圓或探針卡之一方或雙方實施冷卻或升溫的熱介質溶液。
  2. 如請求項1之盒筐體，其中 前述收容部構成為，使與儲存在前述儲存部的前述半導體晶圓呈對向之前述探針卡的第1表面之背面即第2表面上之印刷基板浸漬在前述熱介質溶液中。
  3. 如請求項1之盒筐體，其中 前述收容部構成為，使與儲存在前述儲存部的前述半導體晶圓呈對向之前述探針卡的表面上所設置的探針，和前述半導體晶圓之面對前述探針卡的表面上所設置的焊墊電極浸漬在前述熱介質溶液中。
  4. 如請求項1之盒筐體，其中 前述收容部構成為，使儲存在前述儲存部的前述半導體晶圓浸漬在前述熱介質溶液中。
  5. 如請求項1至4項中任一項之盒筐體，其中 前述熱介質溶液包含氟碳。
  6. 一種盒筐體，係具備：儲存部，其用於儲存包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓；及探針卡，其具有與設置於前述半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針； 前述探針卡具有：設置在與儲存在前述儲存部的前述半導體晶圓呈對向的表面上，且物理性接觸前述半導體晶圓，而且未電性連接到前述半導體晶圓的絕緣構件。
  7. 如請求項6之盒筐體，其中 前述絕緣構件具有銷、突起或面之形狀。
  8. 如請求項6之盒筐體，其中 前述絕緣構件，係作為減輕賦予前述盒筐體的衝撃之傳導至前述半導體晶圓，而且，將前述半導體晶圓在前述盒筐體內進行固定的緩衝構件來設置。
  9. 一種探針器，係具備：裝卸機構，藉由該裝卸機構使包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓與配置有探針卡的盒筐體成為一體化或分離，該探針卡具有與設置於前述半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針；及流體機械，藉由該流體機械將用來冷卻或升溫前述半導體晶圓或探針卡之一方或者雙方的熱介質溶液，注入設置在前述盒筐體內部的用於收容前述熱介質溶液的收容部或從該收容部將熱介質溶液排出。
  10. 如請求項9之探針器，其中 前述流體機械係經由前述收容部使前述熱介質溶液在前述盒筐體內部循環。
  11. 一種探針器，係具備：裝卸機構，藉由該裝卸機構使包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓與配置有探針卡的盒筐體成為一體化或分離，該探針卡具有與設置於前述半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針；及收容部，其收容用來冷卻或升溫藉由前述裝卸機構而安裝有前述半導體晶圓的前述盒筐體的熱介質溶液。
  12. 如請求項11之探針器，其中 具備：對前述收容部注入或排出前述熱介質溶液的流體機械。
  13. 如請求項9至12項中任一項之探針器，其中 前述熱介質溶液包含氟碳。
  14. 一種伺服器機架，係具備：處理器；儲存部，其用於儲存盒筐體，在該盒筐體中儲存有包含從前述處理器要求資料之寫入或讀出的多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓，而且在該盒筐體中配置有探針卡，該探針卡具有與設置於前述半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針；及流體機械，用於對收容熱介質溶液的收容部注入或排出前述熱介質溶液，該熱介質溶液係用於對儲存在前述儲存部的前述盒筐體內部所設置的前述半導體晶圓或探針卡的一方或雙方實施冷卻或升溫者。
  15. 一種伺服器機架，係具備：處理器；儲存部，其用於儲存盒筐體，在該盒筐體中儲存有包含從前述處理器要求資料之寫入或讀出的多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓，而且在該盒筐體中配置有探針卡，該探針卡具有與設置於前述半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針；及收容部，用於收容對儲存在前述儲存部的前述盒筐體實施冷卻或升溫的熱介質溶液。
  16. 如請求項15之伺服器機架，其中 具備：對前述收容部注入或排出前述熱介質溶液的流體機械。
  17. 如請求項14至16項中任一項之伺服器機架，其中 前述熱介質溶液包含氟碳。
  18. 一種儲存系統，係具備： 盒筐體； 探針器；及 伺服器機架； 前述盒筐體具備：第1儲存部，其用於儲存包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓；探針卡，其具有與設置於前述半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針；及收容部，用於收容對儲存在前述第1儲存部的前述半導體晶圓或探針卡的一方或雙方實施冷卻或升溫的熱介質溶液； 前述探針器具備：裝卸機構，用於使前述半導體晶圓與前述盒筐體一體化或分離；及第1流體機械，用於使對前述半導體晶圓或探針卡的一方或雙方實施冷卻或升溫的熱介質溶液，注入設置在前述盒筐體內部的前述收容部或從該收容部排出； 前述伺服器機架具備：處理器，其對前述多個非揮發性記憶體晶片要求資料之寫入或讀出；第2儲存部，用於儲存儲存有前述半導體晶圓的前述盒筐體；及第2流體機械，用於對儲存在前述第2儲存部的前述盒筐體內部所設置的前述收容部注入前述熱介質溶液或從該收容部排出前述熱介質溶液。
  19. 一種儲存系統，係具備： 探針器；及 伺服器機架； 前述探針器具備：裝卸機構，用於使包含多個非揮發性記憶體晶片的半導體晶圓與配置有探針卡的盒筐體成為一體化或分離，該探針卡具有與設置於前述半導體晶圓的焊墊電極接觸的探針；及第1收容部，其收容用來冷卻或升溫藉由前述裝卸機構而安裝有前述半導體晶圓的前述盒筐體的熱介質溶液； 前述伺服器機架具備：處理器，其對前述多個非揮發性記憶體晶片要求資料之寫入或讀出；儲存部，用於儲存儲存有前述半導體晶圓的前述盒筐體；及第2收容部，用於收容對儲存在前述儲存部的前述盒筐體實施冷卻或升溫的熱介質溶液。
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Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550482A (en) * 1993-07-20 1996-08-27 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Probe device
JP2007088203A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd ウエハ検査装置およびウエハ検査方法、ならびにコンピュータプログラム
JP4744382B2 (ja) * 2006-07-20 2011-08-10 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ接触方法
JP4996184B2 (ja) 2006-09-19 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 ウエハの温度制御装置及びウエハの温度制御方法
JP5088167B2 (ja) * 2008-02-22 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置、プロービング方法及び記憶媒体
EP2418503B1 (en) * 2010-07-14 2013-07-03 Sensirion AG Needle head
JP6289962B2 (ja) * 2013-07-11 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP6339035B2 (ja) 2015-03-13 2018-06-06 東芝メモリ株式会社 電子機器
WO2017170393A1 (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社東京精密 プローバ及びプローバの操作方法
JP6832804B2 (ja) 2017-07-20 2021-02-24 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板検査装置
KR20190021101A (ko) * 2017-08-22 2019-03-05 삼성전자주식회사 프로브 카드, 프로브 카드를 포함한 테스트 장치, 그 프로브 카드를 이용한 테스트 방법 및 반도체 소자 제조방법
JP7336256B2 (ja) 2019-05-10 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 載置台及び載置台の作製方法
JP7274350B2 (ja) 2019-05-28 2023-05-16 東京エレクトロン株式会社 搬送システム、検査システム及び検査方法
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