TW202142658A - 黏著片 - Google Patents

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Abstract

一種黏著片，其係包括基材和黏著劑層之黏著片，其中基材不含有氯原子，且以基材的平面視角的任意一方向作為基準方向，在基準方向與平面視角之間所形成的角度為0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°及170°共18個方向之中，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量最小之方向設為第一測量方向的情況下，在第一測量方向上，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力全部皆介於8～30MPa的範圍內，且在前述第一測量方向上，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力全部皆介於10～40MPa的範圍內。上述黏著片具有良好的擴展性。

Description

黏著片
本發明係有關於能夠適用於作為半導體晶圓等的工件的加工時所使用的工件加工用片之黏著片。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓和各種封裝體類以大尺寸的狀態製造，切斷（切割，dicing）成晶片並剝離（拾取，pickup）之後，移轉至下一步的組裝製程。此時，半導體晶圓等的工件在貼附於包括基材及黏著劑層的黏著片（以下有時稱為「工件加工用片」 ）上的狀態下，對其進行晶背研磨、切割、清洗、乾燥、擴片、拾取、組裝等的加工。
作為上述切割的手法之一，有一種藉由旋轉的圓形刀片（切割刀）將工件切斷的方法。在這種方法中，為了確保工件被切斷，通常會與工件一起將貼附於該工件上的工件加工用片也局部地切斷。像這樣在將工件加工用片與工件一起切斷的情況下，工件加工用片有時候會產生構成黏著劑層及基材的材料所形成的切削屑。
若在切削屑大量附著於晶片上時直接進行晶片的密封，則附著於晶片上的切削屑會因密封的熱能而分解，這種熱分解物會破壞封裝體、或成為造成所得到的裝置運作不良的原因等。由於難以藉由清洗來去除這種切削屑，因此由於切削屑的產生而顯著地降低了切割製程的產率。因此，在利用旋轉的圓形刀片進行切割的情況下，需要防止切削屑的產生。
以抑制上述切削屑的產生為目的，專利文獻1公開了一種發明，其使用受到1～80Mrad的電子束或γ（伽馬，Gamma）射線所照射的聚烯烴類膜作為切割片的基材膜。可認為在該發明中，藉由電子束或γ射線的照射在構成基材膜的樹脂中形成了共價鍵的交聯，進而抑制了切削屑的產生。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開平第5-211234號公報
[發明所欲解決的課題]
在上述拾取的製程中，為了容易拾取半導體晶片，有時會從工件加工用片的與積層了半導體晶片的表面相反的表面，將半導體晶片個別地往上取起。特別是，為了抑制拾取時半導體晶片彼此之間的碰撞並同時利於拾取，通常會將工件加工用片延伸（擴展），以使得半導體晶片彼此分離。因此，工件加工用片需要具有可良好地擴展的優異的可撓性。
然而，如專利文獻1所公開的以往的切割片並不具有充分的擴展性。
本發明係有鑑於這種情況而完成的，目的在於提供具有良好的擴展性的黏著片。 [用於解決課題的手段]
為了達成上述目的，首先，本發明提供了一種黏著片，其係包括基材、和積層於前述基材的一表面側上的黏著劑層之黏著片，其中前述基材不含有氯原子，且以前述基材的平面視角的任意一方向作為基準方向，在前述基準方向與平面視角之間所形成的角度為0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°及170°共18個方向之中，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量最小之方向設為第一測量方向的情況下，對於前述基材，在前述第一測量方向上，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力全部皆介於8MPa以上、30MPa以下的範圍內，且對於前述基材，在前述第一測量方向上，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力全部皆介於10MPa以上、40MPa以下的範圍內（發明1）。
根據上述發明（發明1）的黏著片，由於基材滿足上述拉伸應力的條件，因此變得具有優異的可撓性，且能夠良好地進行擴片。
在上述發明（發明1）中，對於前述基材，在前述第一測量方向上，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量以1MPa以上、20MPa以下為佳（發明2）。
在上述發明（發明1、2）中，將為前述基材的平面視角的一方向且與前述第一測量方向之間所形成的角度為90°之方向設為第二測量方向的情況下，對於前述基材，在前述第二測量方向上，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力以全部皆介於5MPa以上、30MPa以下的範圍內為佳，且對於前述基材，在前述第二測量方向上，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力以全部皆介於10MPa以上、40MPa以下的範圍內為佳（發明3）。
在上述發明（發明3）中，對於前述基材，在前述第二測量方向上，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量以1MPa以上、20MPa以下為佳（發明4）。
在上述發明（發明1～4）中，前述基材在前述第一測量方向上的拉伸彈性模量以100MPa以上、1000MPa以下為佳（發明5）。
在上述發明（發明1～5）中，前述基材在前述第一測量方向上的斷裂伸長率以100％以上、1000％以下為佳（發明6）。
在上述發明（發明1～6）中，對於將在前述第一測量方向上進行前述基材的拉伸試驗的情況下所測量出的結果繪製在以拉伸伸長率（單位：％）為橫軸且以拉伸應力（單位：MPa）為縱軸的座標平面上而得到的曲線，以前述曲線中不存在成為極大值的點為佳，或者前述曲線中存在至少一個成為極大值的點及一個成為極小值的點，而且，在前述成為極大值的點之中前述拉伸伸長率為最小值的點之前述拉伸應力的值、與在前述成為極小值的點之中前述拉伸伸長率為最小值的點之前述拉伸應力的值之間的差異的絕對值以2.0MPa以下為佳（發明7）。
在上述發明（發明1～7）中，前述基材以不含有鹵素原子為佳（發明8）。
在上述發明（發明1～8）中，以作為工件加工用片使用為佳（發明9）。
在上述發明（發明9）中，前述工件加工用片以切割片為佳（發明10）。 [本發明的效果]
根據本發明的黏著片具有良好的擴展性。
以下，對本發明的實施形態進行說明。 根據本實施形態的黏著片包括基材、和積層於該基材的一表面側上的黏著劑層。該黏著片可以像一般的黏著片一樣使用於各種的用途，但特別適合使用於作為為了加工半導體晶圓等的工件時所使用的工件加工用片。尤其是，根據本實施形態的黏著片適合使用於作為為了拾取半導體晶片等的工件的片材。
1.黏著片的構造 （1）基材 本實施形態中的基材不含有氯原子。由於不含有氯原子，因此根據本實施形態的黏著片變得容易減輕環境負荷。另外，本文中所謂的「不含有氯原子」也包括實質上不含有氯原子的情況。亦即，本實施形態中的基材也可以例如在製造的過程中無意間混入了極微量的包含氯原子的成分。在此情況下，基材中的氯原子的含量也可以是0.005質量％以下，特別是也可為0.003質量％以下，且進一步也可為0.0001質量％以下。
而且，本實施形態中的基材，在將其平面視角中預定的方向設為第一測量方向的情況下，在該第一測量方向上，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力全部皆介於8MPa以上、30MPa以下的範圍內，且在該第一測量方向上，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力全部皆介於10MPa以上、40MPa以下的範圍內。
根據本實施形態的黏著片，由於基材滿足這些條件，因此變得具有非常優異的可撓性。因此，根據本實施形態的黏著片在使用於工件的加工時，變得可進行良好的擴展。如此一來，在後續的拾取製程中，變得容易從晶片的背面往上取起，故變得可進行良好的拾取。
此處，上述第一測量方向，簡而言之意指在進行基材的拉伸試驗的情況下，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力的增加量變得最小之拉伸的方向。更具體而言，以基材的平面視角的任意一方向作為基準方向，在該基準方向與平面視角之間所形成的角度為0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°及170°共18個方向之中，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量為最小之方向係第一測量方向。
另外，在基材為如後續描述的樹脂膜的情況下，與其製造時的輸送方向垂直的方向（TD方向）大多與上述第一測量方向一致。
從更有效地實現良好的擴展性的觀點來看，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力所介於的範圍的下限值以9MPa以上為佳，且以10MPa以上為特佳。再者，該範圍的上限值以25MPa以下為佳，以20MPa以下為特佳，且以15MPa以下為更佳。
再者，從同樣的觀點來看，上述從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力所介於的範圍的下限值以11MPa以上為佳，且以12MPa以上為特佳。再者，該範圍的上限值以30MPa以下為佳，且以20MPa以下為特佳。
另外，上述拉伸應力的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
（1-1）基材的物性 本實施形態中的基材，在第一測量方向上，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量以1MPa以上為佳，以1.5MPa以上為特佳，且以1.8MPa以上為更佳。再者，上述增加量以20MPa以下為佳，以15MPa以下為較佳，以10MPa以下為特佳，且以5MPa以下為更佳。由於上述增加量為1MPa以上，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。另一方面，由於上述增加量為20MPa以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由滿足上述增加量，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。
再者，本實施形態中的基材，在第一測量方向上，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長10％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量以0.5MPa以上為佳，以1MPa以上為較佳，以1.5MPa以上為特佳，且以2MPa以上為更佳。再者，上述增加量以25MPa以下為佳，以15MPa以下為特佳，且以5MPa以下為更佳。由於上述增加量為0.5MPa以上，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。另一方面，由於上述增加量為25MPa以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由滿足上述增加量，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。
再者，本實施形態中的基材，在第一測量方向上，伸長200％時的拉伸應力相對於伸長100％時的拉伸應力的比例以0.5以上為佳，以0.75以上為特佳，且以1以上為更佳。再者，上述比例以3以下為佳，以2.5以下為較佳，以2以下為特佳，且以1.5以下為更佳。由於上述比例為0.5以上，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。另一方面，由於上述比例為3以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由滿足上述比例，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。
再者，本實施形態中的基材，在第一測量方向上的拉伸彈性模量以100MPa以上為佳，以200MPa以上為特佳，且以300MPa以上為更佳。再者，上述拉伸彈性模量以1000MPa以下為佳，以800MPa以下為特佳，且以600MPa以下為更佳。由於上述拉伸彈性模量為100MPa以上，因此本實施形態中的基材變得容易具有適當的強度，且在黏著片變得具有良好的操作性的同時，也變得容易良好地進行所期望的工件加工。此外，在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。再者，由於上述拉伸彈性模量為1000MPa以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由使得基材在第一測量方向上的拉伸彈性模量介於上述上限值及下限值的範圍內，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。另外，上述拉伸彈性模量的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
再者，本實施形態中的基材，在第一測量方向上的斷裂伸長率以100％以上為佳，以200％以上為特佳，且以300％以上為更佳。再者，上述斷裂伸長率以1000％以下為佳，以800％以下為特佳，且以600％以下為更佳。由於上述斷裂伸長率為100％以上，因此本實施形態中的基材變得容易具有所期望的伸長性，且根據本實施形態的黏著片變得容易實現優異的擴展性和拾取性。由於上述斷裂伸長率為1000％以下，因此基材的加工性變得更加優異，且變得容易製造出所期望的黏著片。另外，上述斷裂伸長率的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
進一步而言，本實施形態中的基材，對於將在第一測量方向上進行前基材的拉伸試驗的情況下所測量出的結果繪製在以拉伸伸長率（單位：％）為橫軸且以拉伸應力（單位：MPa）為縱軸的座標平面上而得到的曲線，以滿足以下的兩項條件的任一者為佳。 （條件1）曲線中不存在成為極大值的點（以下有時稱為「極大點」）。 （條件2）曲線中存在至少一個成為極大值的點及一個成為極小值的點（以下有時稱為「極小點」），而且，在成為極大值的點之中拉伸伸長率為最小值的點之拉伸應力的值、與在成為極小值的點之中拉伸伸長率為最小值的點之拉伸應力的值之間的差異的絕對值為2.0MPa以下。
針對上述條件1及2，參照圖1更具體地說明。在圖1中，繪示出在以拉伸伸長率（單位：％）為橫軸且以拉伸應力（單位：MPa）為縱軸的座標平面中，存在曲線C1 及曲線C2 的狀態。首先，曲線C1 係在滿足上述條件1的情況下的範例。在曲線C1 中，隨著拉伸伸長率從0％增加，拉伸應力也相應地增加（但是，當接近預定的拉伸應力的值時會變得不再明顯增加）。因此，曲線C1 中不存在拉伸應力從增加轉變為減少的點，亦即極大點。
另一方面，曲線C2 係在滿足條件2的情況下的範例。在曲線C2 中，在拉伸伸長率從0％增加的情況下，拉伸應力首先增加到點A的位置。然後，以該點A為端點，拉伸應力開始轉為減少。亦即，曲線C2 具有稱為點A的極大點。超過點A後，進一步增加拉伸伸長率，接著以點B為端點，拉伸應力從減少開始轉為增加，然後持續增加。亦即，曲線C2 具有稱為點B的極小點。此處，由於點A與點B的拉伸應力值之差異的絕對值（圖1中以「△」所表示的值）為2.0MPa以下，因此曲線C2 變得滿足條件2。
另外，在圖1的曲線C2 中，存在一個極大點及一個極小點，而有時即使是存在複數極大點和極小點的情況下也可以滿足條件2。在此情況下，從存在的複數極大點及極小點之中，選擇拉伸伸長率的值為最小之極大點、和拉伸伸長率的值為最小之極小點，並根據兩者之間的差異的絕對值是否為2.0MPa以下來判斷是否滿足條件2。
本實施形態中的基材，由於滿足上述條件1及2的至少一者，因此根據本實施形態的黏著片變得容易具有優異的擴展性。從此觀點來看，條件2中的絕對值的差異（Δ）以1.8MPa以下為佳，以1.6MPa以下為較佳，以1.5MPa以下為特佳，以1.3MPa以下為更佳，且以1.0MPa以下為最佳。另一方面，關於前述絕對值的差異（Δ）的下限值，並沒有特別限定，例如可以超過0。另外，是否滿足上述條件1及條件2的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
本實施形態中的基材，在將為該基材的平面視角中的一方向且與上述第一測量方向之間所形成的角度為90°之方向設為第二測量方向的情況下，在該第二測量方向上，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力以全部皆介於5MPa以上、30MPa以下的範圍內為佳，且在第二測量方向上，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力以全部皆介於10MPa以上、40MPa以下的範圍內為佳。由於滿足這些條件，因此基材變得容易具有更加優異的可撓性，且變得容易得到更良好的擴展性。
從更加有效地實現良好的擴展性的觀點來看，關於上述第二測量方向，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力所介於的範圍的下限值以7.5MPa以上為特佳，且以10MPa以上為更佳。再者，該範圍的上限值以25MPa以下為特佳，且以20MPa以下為更佳。
再者，從同樣的觀點來看，關於上述第二測量方向，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力所介於的範圍的下限值以11MPa以上為特佳，且以12MPa以上為更佳。再者，該範圍的上限值以35MPa以下為特佳，且以30MPa以下為更佳。
另外，這些關於第二測量方向的拉伸應力的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
此外，本實施形態中的基材，在第二測量方向上，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量以1MPa以上為佳，以2MPa以上為特佳，且以3MPa以上為更佳。再者，上述增加量以20MPa以下為佳，以15MPa以下為特佳，且以10MPa以下為更佳。由於上述增加量為1MPa以上，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。另一方面，由於上述增加量為20MPa以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由滿足上述增加量，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。
再者，本實施形態中的基材，在第二測量方向上，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長10％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量以1MPa以上為佳，以2MPa以上為較佳，以3MPa以上為特佳，且以4MPa以上為更佳。再者，上述增加量以30MPa以下為佳，以25MPa以下為特佳，且以20MPa以下為更佳。由於上述增加量為1MPa以上，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。另一方面，由於上述增加量為30MPa以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由滿足上述增加量，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。
再者，本實施形態中的基材，在第二測量方向上，將伸長150％時的拉伸應力減掉伸長50％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量以0.5MPa以上為佳，以1MPa以上為較佳，以1.5MPa以上為特佳，且以2MPa以上為更佳。再者，上述增加量以20MPa以下為佳，以15MPa以下為特佳，且以10MPa以下為更佳。由於上述增加量為0.5MPa以上，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。另一方面，由於上述增加量為20MPa以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由滿足上述增加量，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。
再者，本實施形態中的基材，在第二測量方向上，將伸長250％時的拉伸應力減掉伸長50％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量以2MPa以上為佳，以4MPa以上為特佳，以5MPa以上為更佳，且進一步以6MPa以上為更佳。再者，上述增加量以30MPa以下為佳，以25MPa以下為特佳，且以20MPa以下為更佳。由於上述增加量為2MPa以上，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。另一方面，由於上述增加量為30MPa以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由滿足上述增加量，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。
再者，本實施形態中的基材，在第二測量方向上的拉伸彈性模量以100MPa以上為佳，以200MPa以上為特佳，且以300MPa以上為更佳。再者，上述拉伸彈性模量以1000MPa以下為佳，以800MPa以下為特佳，且以600MPa以下為更佳。由於上述拉伸彈性模量為100MPa以上，因此本實施形態中的基材變得容易具有適當的強度，且在黏著片變得具有良好的操作性的同時，也變得容易良好地進行所期望的工件加工。此外，在將根據本實施形態的黏著片擴展時，應力變得難以集中在基材的一部分上，故變得容易有效地抑制基材的破裂。再者，由於上述拉伸彈性模量為1000MPa以下，因此在將根據本實施形態的黏著片擴展時，基材變得容易均勻地拉伸，故晶片彼此之間變得容易良好地分離。因此，藉由使得基材在第二測量方向上的拉伸彈性模量介於上述上限值及下限值的範圍內，根據本實施形態的黏著片變得具有更加優異的擴展性。另外，上述拉伸彈性模量的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
（1-2）基材的組成 本實施形態中的基材，只要基本上不包含氯原子，且同時滿足關於從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力及從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力之前述物性，則其組成並沒有限定。
從將根據本實施形態的黏著片作為工件加工用片使用時容易發揮出所期望的功能的觀點來看，本實施形態中的基材以樹脂系的材料為主成分之樹脂膜為佳。
作為上述樹脂的範例，可列舉出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-降冰片烯共聚物、降冰片烯樹脂等的聚烯烴類；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯類樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸甲酯共聚物；其他的乙烯-（甲基）丙烯酸酯共聚物等的乙烯類共聚物等；（甲基）丙烯酸酯共聚物；聚氨酯；聚醯亞胺；聚苯乙烯；聚碳酸酯；氟樹脂等。再者，也可以是這些樹脂的交聯樹脂、離聚物樹脂等的改性樹脂。另外，在本說明書中，所謂的「（甲基）丙烯酸」係意味著丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。其他類似的用語也是如此。再者，本說明書中的「聚合物」也包括「共聚物」的概念。
再者，本實施形態中的基材也可以是積層了複數層上述樹脂的膜所形成的積層膜。在此積層膜中，構成各層的材料可以是相同種類，或者也可以是不同種類。
在上述樹脂之中，以使用氟樹脂、聚氨酯及聚酯類樹脂中的至少一種為佳。特別是在使用這些樹脂的膜中，主成分樹脂（氟樹脂、聚氨酯或聚酯類樹脂）的含量以50質量％以上為佳，以60質量％以上為較佳，以70質量％以上為特佳，且以80質量％以上為更佳。藉由使用這些膜，變得容易滿足關於前述拉伸應力的物性。
作為氟樹脂的範例，可列舉出聚四氟乙烯（PTFE）、乙烯-四氟乙烯（ETFE）、四氟乙烯・六氟乙烯（FEP）、全氟烷氧基烷烴（PFA）、聚偏二氟乙烯（PVdF）等。在上述之中，以聚四氟乙烯（PTFE）為特佳。
作為上述聚氨酯的範例，可列舉出聚氨酯彈性體，其中，可列舉出以熱塑性聚氨酯彈性體（TPU）為佳。
熱塑性聚氨酯彈性體通常使得長鏈多元醇、擴鏈劑、多異氰酸酯進行反應而得到，且由具有衍生自長鏈多元醇的結構單元之軟段（soft segment）、和具有擴鏈劑與多異氰酸酯反應所得到的聚氨酯結構之硬段（hard segment）所構成。
若根據作為其軟段成分使用的長鏈多元醇的種類，將熱塑性聚氨酯彈性體進行分類，則可區分為聚酯類聚氨酯彈性體、聚醚類聚氨酯彈性體、聚碳酸酯類聚氨酯彈性體等。在上述之中，本實施形態中的基材，以使用聚醚類聚氨酯彈性體為佳。
作為上述長鏈多元醇，具體而言，可列舉出內酯類聚酯多元醇、己二酸酯類聚酯多元醇等的聚酯多元醇；聚丙烯（乙烯）多元醇、聚四亞甲基醚二醇等的聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。在上述之中，以使用聚醚多元醇為佳，其數量平均分子量通常為600～5000。
作為上述多異氰酸酯，可列舉出2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯（純MDI）、六亞甲基二異氰酸酯等。在上述之中，以使用純MDI為佳。
作為上述擴鏈劑，可列舉出1，4-丁二醇、1，6-己二醇等的低分子量多元醇、芳香族二胺等。
作為上述聚酯類樹脂的範例，除了上述之外，還可列舉出具有脂環結構的聚酯樹脂。
再者，在使用根據本實施形態的黏著片作為切割片的情況下，從容易抑制切削屑的產生的觀點來看，上述聚酯樹脂所具有的脂環結構，構成環的碳原子數以6以上為佳。再者，該碳原子數以14以下為佳，且以10以下為特佳。尤其是，上述碳原子數以6為佳。再者，該脂環結構可以是由一個環所構成的單環型，也可以是由兩個環所構成的雙環型，或者也可以是由三個以上的環所構成的結構。
再者，從本實施形態中的基材可變得容易具有更良好的可撓性的觀點來看，上述聚酯樹脂以包含具有脂環結構的二羧酸作為構成該聚酯樹脂的單體單元為佳。再者，從同樣的觀點來看，上述聚酯樹脂以包含具有脂環結構的二醇作為構成該聚酯樹脂的單體單元為佳。聚酯樹脂中可以僅包含這種二羧酸及二醇的任一者，而從變得容易具有更良好的可撓性的觀點來看，以聚酯樹脂包含這種二羧酸及二醇的兩者為佳。
上述二羧酸的結構只要在具有脂環結構的同時還具有兩個羧基即可，並沒有特別限定。例如，二羧酸也可以是兩個羧基結合到脂環結構上的結構，或者也可以是烷基等進一步***前述脂環結構與羧基之間的結構。作為這種二羧酸的較佳範例，可列舉出1,2-環己烷二羧酸、1,3-環己烷二羧酸、1,4-環己烷二羧酸、1,4-十氫萘二羧酸、1,5-十氫萘二羧酸、2,6-十氫萘二羧酸、2，7-十氫萘二羧酸等，在上述之中，以使用1，4-環己烷二羧酸為佳。這些二羧酸也可以是烷基酯等的衍生物。作為這種烷基酯衍生物，可以是例如碳原子數為1以上、10以下的烷基酯。作為更具體的範例，可列舉出二甲基酯，二乙基酯等，且以二甲基酯為特佳。
上述二醇的結構只要在具有脂環結構的同時還具有兩個羥基即可，並沒有特別限定。例如，二醇也可以是兩個羥基結合到脂環結構上的結構，或者也可以是烷基等進一步***前述脂環結構與羥基之間的結構。作為這種二醇的較佳範例，可列舉出1,2-環己二醇（特別是1,2-環己烷二甲醇）、1,3-環己烷二醇（特別是1,3-環己烷二甲醇）、1,4-環己二醇（特別是1,4-環己烷二甲醇）、2,2-雙-（4 -羥基環己基）-丙烷等，在上述之中，以使用1，4-環己烷二甲醇為佳。
從基材變得容易具有所期望的可撓性且容易達到更優異的擴展性的觀點來看，上述聚酯樹脂以包含使得不飽和脂肪酸進行二聚反應而得到的二聚酸作為構成該聚酯樹脂的單體單元為佳。此處，該不飽和脂肪酸的碳原子數以10以上為佳，且以15以上為特佳。再者，上述碳原子數以30以下為佳，且以25以下為特佳。作為這種二聚酸的範例，可列舉出使得油酸、亞油酸等的碳原子數為18的不飽和脂肪酸進行二聚反應而得到的碳原子數為36之二羧酸、使得芥酸等的碳原子數為22的不飽和脂肪酸進行二聚反應而得到的碳原子數為44之二羧酸等。另外，在得到上述二聚酸時，有時候也會少量地產生使得上述不飽和脂肪酸進行三聚反應而得到的三聚酸。上述聚酯樹脂也可以包含上述二聚酸還有這種三聚酸。
上述聚酯樹脂也可以包含除了上述二羧酸、二醇及二聚酸以外的單體作為構成該聚酯樹脂的單體單元。作為這種單體的範例，可列舉出琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸等的脂肪族二羧酸；鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、1,4-萘二羧酸、4,4'-二苯基二羧酸等的芳香族二羧酸等。再者，也可以包含除了具有脂環結構的二醇以外的二醇成分。例如，也可以包含乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、辛二醇、癸二醇；雙酚A、雙酚S等的環氧乙烷加成物；三羥甲基丙烷等。
再者，利用差示掃描量熱法在20℃/min的升溫速度之下對上述聚酯樹脂測量出的熔融熱以2J/g以上為佳，以5J/g以上為較佳，以10J/g以上為特佳，且以15J/g以上為更佳。由於上述熔融熱為2J/g以上，因此本實施形態中的基材的結晶性適當地提升，且基材變得具有更良好的操作性和加工性。再者，該熔融熱以150J/g以下為佳，以100J/g以下為較佳，以70J/g以下為特佳，以50J/g以下為更佳，且尤其以30J/g以下為佳。由於熔融熱為150J/g以下，因此根據本實施形態中的基材變得容易具有更加優異的可撓性。
另外，可以根據JIS K 7121：2012，使用差示掃描量熱計（例如，由TA儀器公司所製造的DSC，產品名稱為「DSC Q2000」）測量上述熔融熱。
從容易達到所期望的拉伸物性的觀點來看，上述包含聚酯樹脂作為主要材料的膜也以在包含該聚酯樹脂的同時還包含彈性體為佳。該彈性體並沒有特別限定，可以是熱固性彈性體，或者也可以是熱塑性彈性體，而從本實施形態中的基材容易具有更優異的可撓性的觀點來看，以熱塑性彈性體為佳。
上述熱塑性彈性體的範例也沒有特別限定，例如，可以使用苯乙烯類彈性體、烯烴類彈性體、聚酯類彈性體、聚矽氧類彈性體等。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。在上述彈性體之中，從容易具有更優異的可撓性的觀點來看，以使用苯乙烯類彈性體為佳。
作為上述苯乙烯類彈性體，可列舉出苯乙烯・共軛二烯共聚物及苯乙烯・烯烴共聚物。作為苯乙烯・共軛二烯共聚物的具體範例，可列舉出苯乙烯・丁二烯共聚物、苯乙烯・丁二烯・苯乙烯共聚物（SBS）、苯乙烯・丁二烯・丁烯・苯乙烯共聚物、苯乙烯・異戊二烯共聚物、苯乙烯・異戊二烯・苯乙烯共聚物（SIS）、苯乙烯・乙烯・異戊二烯・苯乙烯共聚物等的未氫化的苯乙烯・共軛二烯共聚物；苯乙烯・乙烯/丙烯・苯乙烯共聚物（SEPS）、苯乙烯・乙烯/丁烯・苯乙烯共聚物（SEBS）等的氫化苯乙烯・共軛二烯共聚物等。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。在上述苯乙烯類彈性體之中，從容易達到更良好的可撓性的觀點來看，以苯乙烯・共軛二烯共聚物為佳，其中以氫化苯乙烯・共軛二烯共聚物為佳，且以使用苯乙烯・乙烯/丁烯・苯乙烯共聚物為更佳。
從可進一步減少環境負荷的觀點來看，本實施形態中的基材也以不含有鹵素原子為佳。作為該鹵素原子，除了前述氯原子以外，還可列舉出氟原子、溴原子、碘原子等。另外，相同於前述氯原子的情況，此處所謂的「不含有鹵素原子」也可以表示基本上不含有鹵素原子。在此情況下，基材中的鹵素原子的含量也可以是0.005質量％以下，特別是也可為0.003質量％以下，且進一步也可為0.0001質量％以下。
另外，在本實施形態中的基材中也可以添加阻燃劑、增塑劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子清除劑等的添加劑。這些添加劑的含量並沒有特別限定，而以介於可使得基材發揮出所期望的功能的範圍內為佳。
本實施形態中的基材的層結構可以是單層，或者也可以是複數層。再者，為了提升與黏著劑層的密合性，也可以對基材中要積層該黏著劑層的表面施加底漆處理、電暈處理、電漿處理等的表面處理。
（1-3）基材的製法 本實施形態中的基材的製造方法並沒有特別限定，例如，可以使用T型模具法、圓形模具法等的熔融擠出成型法；壓延成型法；乾式法、濕式法等的溶液法等。在上述之中，從可效率良好地製造出基材的觀點來看，以採用熔融擠出法成型或壓延成型法為佳。
在利用熔融擠出成型法製造由單層所構成的基材的情況下，可以將基材的材料均勻混合，並將所得到的混合物直接或一旦將其製造成粒料後就使用公知的擠出成型機進行製膜。再者，在利用熔融擠出成型法製造由複數層所構成的基材的情況下，可以將構成各層的成分分別均勻混合，並將所得到的混合物直接或一旦將其製造成粒料後就使用公知的擠出成型機，同時擠出複數層以進行製膜。
（1-4）基材的厚度 本實施形態中的基材的厚度以20μm以上為佳，以40μm以上為特佳，且以60μm以上為更佳。再者，基材的厚度以600μm以下為佳，以300μm以下為特佳，且以200μm以下為更佳。由於基材的厚度為20μm以上，因此黏著片變得容易具有適當的強度，且變得容易良好地支撐住固定於黏著片上的工件。結果，變得可有效地抑制在切割時碎裂的發生等。再者，由於基材的厚度為600μm以下，因此變得容易滿足關於從伸長時至伸長100％時的拉伸應力及從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力之前述物性。此外，由於基材膜的厚度為600μm以下，因此基材膜變得具有更良好的加工性。
（2）黏著劑層 作為構成本實施形態的黏著劑層的黏著劑，只要能夠對被黏著物表現出充分的黏著力（特別是對工件具有充分的黏著力以進行工件的加工），則沒有特別限定。作為構成黏著劑層的黏著劑的範例，可列舉出丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑、聚矽氧類黏著劑、胺甲酸乙酯類黏著劑、聚酯類黏著劑、聚乙烯醚類黏著劑等。在上述之中，從容易發揮所期望的黏著力的觀點來看，以使用丙烯酸類黏著劑為佳。
構成本實施形態中的黏著劑層的黏著劑，也可以是不具有活性能量射線硬化性的黏著劑，而以具有活性能量射線硬化性的黏著劑（以下有時稱為「活性能量射線硬化性黏著劑」）為佳。由於黏著劑層由活性能量射線硬化性黏著劑所構成，因此能夠藉由照射活性能量射線使得黏著劑層硬化，黏著片對於被黏著物的黏著力容易降低。特別是，在將根據本實施形態的黏著片作為工件加工用片使用的情況下，藉由照射活性能量射線，可變得容易將加工後的工件與該黏著片分離。
作為構成黏著劑層的活性能量射線硬化性黏著劑，可以由具有活性能量射線硬化性的聚合物作為主要成分，或者也可以由活性能量射線非硬化性聚合物（不具有活性能量射線硬化性的聚合物）和具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物之混合物作為主要成分。
具有活性能量射線硬化性的聚合物以在側鏈導入了具有活性能量射線硬化性的官能基（活性能量射線硬化性基團）之（甲基）丙烯酸酯聚合物（以下有時稱為「活性能量射線硬化性聚合物」）為佳。此活性能量射線硬化性聚合物，以使得具有含有官能基的單體單元之丙烯酸類共聚物、和具有可與上述官能基鍵結的官能基之含有不飽和基的化合物進行反應所得到的聚合物為佳。另外，在本說明書中，所謂（甲基）丙烯酸係意味著丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。其他類似的用語也是如此。再者，「聚合物」也包括「共聚物」的概念。
上述活性能量射線硬化性聚合物的重量平均分子量以1萬以上為佳，以15萬以上為特佳，且以20萬以上為更佳。再者，該重量平均分子量以250萬以下為佳，以200萬以下為特佳，且以150萬以下為更佳。另外，本說明書中的重量平均分子量（Mw）係藉由凝膠滲透層析法（gel permeation chromatography，GPC）所測量出的標準聚苯乙烯換算的值。
另一方面，在活性能量射線硬化性黏著劑包括由活性能量射線非硬化性聚合物和具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物之混合物作為主要成分的情況下，作為該活性能量射線非硬化性聚合物成分，例如，可以使用使含不飽和基團的化合物進行反應之前的上述丙烯酸類共聚物。再者，作為活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物，例如可以使用多元醇與（甲基）丙烯酸的酯等。
作為上述活性能量射線非硬化性聚合物成分之丙烯酸類聚合物的重量平均分子量以1萬以上為佳，以15萬以上為特佳，且以20萬以上為更佳。再者，該重量平均分子量以250萬以下為佳，以200萬以下為特佳，且以150萬以下為更佳。
另外，在使用紫外線作為用於將活性能量射線硬化性黏著劑硬化之活性能量射線的情況下，以對該黏著劑添加光聚合起始劑為佳。再者，也可以在該黏著劑中添加活性能量射線非硬化性聚合物成分和低聚物成分、或交聯劑等。
本實施形態中的黏著劑層的厚度以1μm以上為佳，以2μm以上為特佳，且以3μm以上為更佳。再者，黏著劑層的厚度以50μm以下為佳，以40μm以下為特佳，且以30μm以下為更佳。由於黏著劑層的厚度為1μm以上，因此根據本實施形態的黏著片變得容易發揮出所期望的黏著性。再者，由於黏著劑層的厚度為50μm以下，因此在將被黏著物從硬化後的黏著劑層分離時，變得容易進行分離。
（３）剝離片 在根據本實施形態的黏著片中，在將黏著劑層中與基材為相反側的表面（以下有時稱為「黏著表面」）貼附於被黏著物之前，也可以為了保護該表面而在該表面上積層剝離片。
上述剝離片可具有任意的構造，例如利用剝離劑等對塑膠膜進行了剝離處理的構造。作為該塑膠膜的具體範例，可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯膜；以及聚丙烯和聚乙烯等的聚烯烴膜。作為上述剝離劑，可以使用聚矽氧類、氟類、長鏈烷基類等，在上述之中，以價格便宜且能夠得到穩定的性能的聚矽氧類為佳。
對於上述剝離片的厚度並沒有特別的限制，例如可以是20μm以上、250μm以下。
（4）其他 在根據本實施形態的黏著片中，也可以在黏著劑層中與基材為相反側的表面上積層接著劑層。在此情況下，根據本實施形態的黏著片可以用來作為切割・晶片接合片。在該片中，可以將工件貼附於接著劑層中與黏著劑層為相反側的表面上，並將接著劑層與該工件一起切割，進而得到積層了單體化的接著劑層的晶片。該晶片變得可藉由此單體化的接著劑層而容易地固定於安裝該晶片的物體上。作為構成上述接著劑層的材料，以使用含有熱塑性樹脂和低分子量的熱硬化性接著成分的材料、或含有B階段（半硬化狀）的熱硬化型接著成分的材料等為佳。
再者，在根據本實施形態的黏著片中，也可以在黏著劑層中的黏著表面上積層保護膜形成層。在此情況下，根據本實施形態的黏著片可以用來作為保護膜形成兼切割用片。在這種片中，可以將工件貼附於保護膜形成層中與黏著劑層為相反側的表面上，並將保護膜形成層與該工件一起切割，進而得到積層了單體化的保護膜形成層的晶片。作為該工件，以使用在一表面上形成有電路的工件為佳，在此情況下，通常在與形成了該電路的表面為相反側的表面上積層保護膜形成層。可以使得單體化的保護膜形成層以預定的時間硬化，進而在晶片上形成具有充分的耐久性的保護膜。保護膜形成層以由未硬化的硬化性接著劑所構成為佳。
2.黏著片的製造方法 根據本實施形態的黏著片的製造方法並沒有特別限定。例如，以藉由在剝離片上形成黏著劑層之後將基材的一面積層於該黏著劑層中與剝離片為相反側的表面上進而得到黏著片為佳。
可以利用公知的方法形成上述黏著劑層。例如，製備出含有用於形成黏著劑層的黏著性組合物、及根據所需進一步添加的溶劑或分散介質之塗佈液。然後，將上述塗佈液塗佈於剝離片中具有剝離性的表面（以下有時稱為「剝離表面」）上。接著，可以藉由將所得到的塗膜乾燥，以形成黏著劑層。
可以利用公知的方法塗佈上述塗佈液，例如，可以利用棒塗（bar coating）法、刮刀塗佈（knife coating）法、輥塗（roll coating）法、刮刀（blade coating）塗佈法、模具塗佈（die coating）法、凹版塗佈（gravure coating）法等來進行。另外，塗佈液只要可進行塗佈則其性質並沒有特別限定，若有包含用於形成黏著劑層的成分作為溶質的情況，則也有包含作為分散介質的情況。再者，可以將剝離片作為製程材料剝離，或者也可以用來保護黏著劑層，直到其貼附於被黏著物上為止。
在用於形成黏著劑層的黏著性組合物包含前述交聯劑的情況下，以藉由改變上述的乾燥條件（溫度、時間等）、或藉由另外進行加熱處理，使得塗膜內的聚合物成分與交聯劑產生交聯反應，進而以在黏著劑層內具有所期望的存在密度形成交聯結構為佳。此外，為了使上述交聯反應充分地進行，也可以在將黏著劑層與基材貼合後，在例如23°C、相對濕度為50％的環境下靜置數天，以進行固化。
3.黏著片的使用方法 根據本實施形態的黏著片可以像一般的黏著片一樣使用於各種的用途，但特別適合使用於作為為了加工半導體晶圓等的工件時所使用的工件加工用片。在此情況下，可以在將根據本實施形態的黏著片的黏著表面貼附於工件上之後，在黏著片上進行工件的加工。根據本實施形態的黏著片可以取決於該加工而作為晶背研磨片、切割片、擴展片、拾取片等的工件加工用片使用。此處，作為工件的範例，可列舉出半導體晶圓、半導體封裝體等的半導體部件、玻璃板等的玻璃部件。
如同前述，根據本實施形態的黏著片能夠良好地進行擴展。因此，在上述工件加工用片之中，根據本實施形態的黏著片特別適合作為會進行擴展的片材（切割片、擴展片、拾取片等）使用。
另外，在根據本實施形態的黏著片包括前述接著劑層的情況下，該黏著片能夠作為切割・晶片接合片使用。此外，在根據本實施形態的黏著片包括前述保護膜形成層的情況下，該黏著片能夠作為保護膜形成兼切割用片。
再者，在根據本實施形態的黏著片中的黏著劑層由前述活性能量射線硬化性黏著劑所構成的情況下，也以在使用時照射下列的活性能量射線為佳。亦即，在黏著片上完成工件的加工並將加工後的工件與黏著片分離的情況下，以在進行該分離之前對黏著劑層照射活性能量射線為佳。如此一來，黏著劑層硬化，黏著片對加工後的工件的黏著力良好地降低，因而變得可容易地將加工後的工件分離。
以上說明的實施形態係為了易於理解本發明所記載，且並非用於限定本發明而記載的。因此，意味著上述實施形態中所公開的各要件也包含屬於本發明的技術範圍內的所有設計變更和均等物。
[實施例] 以下，透過實施例等更具體地說明本發明，然而本發明的範圍並不限定於這些實施例等。
[實施例1] （1）黏著性組合物的調配 將160份的產品名稱為「DOWSIL SD 4580」、40份的產品名稱為「DOWSIL 7646」、和1.5份的產品名稱為「DOWSIL SRX 212」之各種聚矽氧類樹脂混合（任一產品皆由陶氏東麗（Dow Toray）股份公司所製造），以得到聚矽氧類黏著性組合物。
（2）黏著劑層的形成 將上述所得到的聚矽氧類黏著性組合物塗佈於使用氟類剝離劑對聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的一面進行了剝離處理而得到的剝離片（由琳得科（Lintec）股份公司所製造，產品名為「SP-PET 50E-0010YC」）之剝離處理面，並將所得到的塗膜在100℃下乾燥1分鐘。如此一來，得到了剝離片的剝離表面上形成有厚度為10μm的黏著劑層之積層體。
（3）黏著片的製作 將作為基材的聚四氟乙烯（PTFE）片（由霓佳斯（Nichias）股份公司所製造，產品名稱為「Naflon PTFE tape TOMBO 9001」，厚度：100μm）的一面與在上述步驟（2）中所得到的積層體中黏著劑層之側的表面貼合，以得到黏著片。
[實施例2] （1）黏著性組合物的調配 利用溶液聚合法，使95質量份的丙烯酸正丁酯、和5質量份的丙烯酸進行聚合，以得到（甲基）丙烯酸酯聚合物。此丙烯酸類聚合物的重量平均分子量（Mw）以後續描述的方法測量得知為50萬。
將100質量份的以上述方法得到的（甲基）丙烯酸酯聚合物（以固體成分換算，以下亦同）、120質量份的胺甲酸乙酯丙烯酸酯（urethane acrylate）低聚物（Mw：8,000）、5質量份的異氰酸酯類交聯劑（由東曹（Tosoh）股份公司所製造，產品名稱為「Coronate L」）、和4質量份的光聚合起始劑（由IGM Resins BV公司所製造，產品名稱為「Omnirad 184」）混合，以得到活性能量射線硬化型的黏著性組合物。
（2）黏著劑層的形成 將在上述步驟（1）中所得到的黏著性組合物塗佈於使用聚矽氧類剝離劑對厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的一面進行了剝離處理而得到的剝離片（由琳得科股份公司所製造，產品名為「SP-PET381031」）之剝離處理面，並將所得到的塗膜在100℃下乾燥1分鐘。如此一來，得到了剝離片的剝離表面上形成有厚度為10μm的黏著劑層之積層體。
（3）黏著片的製作 將作為基材的熱塑性聚氨酯彈性體（TPU）片（由巴斯夫（BASF）公司所製造，產品名稱為「Elastollan 1164D」，厚度：80μm）的一面與在上述步驟（2）中所得到的積層體中黏著劑層之側的表面貼合，以得到黏著片。
此處，前述重量平均分子量（Mw）係使用凝膠滲透層析法（GPC）在以下的條件下所測量（GPC測量）的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 ＜測量條件＞ ・測量裝置：由東曹股份公司所製造的HLC-8320 ・GPC管柱（依下列的順序通過）：由東曹股份公司所製造 TSK gel super H-H TSK gel super HM-H TSK gel super H2000 ・測量溶劑：四氫呋喃（tetrahydrofuran） ・測量溫度：40℃
[實施例3] 在裝設有攪拌器、餾出管及減壓裝置的反應器內加入12.90kg的1,4-環己烷二甲酸二甲酯（反式異構體比例為98％）、11.47kg的1,4-環己烷二甲醇、0.3kg的乙二醇、及0.11kg的包含10％醋酸錳四水合物的乙二醇溶液，並在氮氣流下加熱至200℃之後，在1小時內將溫度升高至230℃。將其直接靜置2小時進行酯交換反應之後，將10.30kg的芥酸衍生的二聚酸（碳原子數為44，由Croda公司所製造，產品名稱為「PRIPOL1004」）、0.11kg的包含10％磷酸三甲酯的乙二醇溶液添加至反應系內，接著在230℃下進行1小時的酯化反應。接著，添加300ppm的二氧化鍺作為縮聚催化劑並攪拌之後，在1小時內將壓力降低至133Pa以下，在此期間，將內部溫度從230℃上升至270℃，並攪拌直到在133Pa以下的高真空之下變成預定的黏度為止，以進行縮聚反應。將所得到的聚合物在水中擠出成繩股狀，並切成粒狀。
將以上述方式得到的聚酯樹脂（PEs）的粒料在85℃下乾燥4小時以上之後，放入設置有T型模具的單螺桿擠出機的進料斗中。然後，在氣缸溫度為220°C、模具溫度為220°C的條件下，將上述樹脂以熔融混煉的狀態從T型模具擠出，並藉由冷卻輥使其冷卻，進而得到厚度為80μm的片狀的基材。除了使用該基材以外，其餘以與實施例2相同的方式得到黏著片。
另外，上述聚酯樹脂包含大約50莫耳％的1，4-環己烷二甲醇、大約40.5莫耳％的二甲基1，4-環己烷二羧酸、及9.5莫耳％的芥酸衍生的二聚酸作為構成該樹脂的單體。再者，相對於構成上述聚酯樹脂的所有二羧酸單元，上述二聚酸的比例為19.1莫耳％。
此外，根據JIS K 7121：2012，使用差示掃描量熱計（由TA儀器公司所製造的DSC，產品名稱為「DSC Q2000」）所測量出的上述聚酯樹脂的熔融熱為20J/g。在該測量步驟中，首先，以20℃/min的升溫速率從常溫加熱至250℃，且在250℃下維持10分鐘，並以20℃/min的降溫速率降低至-60℃，且在-60℃下維持10分鐘。然後，再次以20℃/min的升溫速率加熱至250℃，以得到DSC曲線，並測量出熔點。
[實施例4] 以與實施例3相同的方式得到聚酯樹脂（PEs）的粒料。然後，將該粒料在85℃下乾燥4小時以上。然後，利用雙螺桿混煉機，將70質量份的乾燥的該粒料、和30質量份的作為苯乙烯類彈性體的苯乙烯・乙烯/丁烯・苯乙烯共聚物（SBES）（苯乙烯/乙烯・丁烯比= 20/80，熔體流動速率（MFR）= 13.0g/10min（根據ISO1133在230°C、2.16 kg的負載下進行測量））混煉。將藉此得到的粒料放入設置有T型模具的單螺桿擠出機的進料斗中。然後，在氣缸溫度為220°C、模具溫度為220°C的條件下，將上述粒料以熔融混煉的狀態從T型模具擠出，並藉由冷卻輥使其冷卻，進而得到厚度為80μm的片狀的基材。除了使用該基材以外，其餘以與實施例2相同的方式得到黏著片。
[比較例1] 除了使用由乙烯・甲基丙烯酸共聚物（EMAA）所構成的基材（厚度：80μm）作為基材以外，其餘以與實施例2相同的方式得到黏著片。
[比較例2] 除了在使用由EMAA所構成且一表面經過電子束照射（EB）處理的基材（厚度：80μm）作為基材的同時，在該基材進行過電子束照射的表面上積層黏著劑層以外，其餘以與實施例2相同的方式得到黏著片。
[試驗例1]（基材的拉伸物性的測量） 對於在實施例及比較例中所製作出的基材，以其平面視角的任意一方向作為基準方向，定義出在該基準方向與平面視角之間所形成的角度為0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°及170°總共18個方向。
接著，藉由將上述基材切斷，以得到18種試驗片（15mm×150mm）。在進行該切斷時，將各個試驗片切斷，使得其長邊平行於上述18個方向之一。
對於這些試驗片，根據JIS K7127：1999，使用拉伸試驗機（由島津製作所所製造，產品名稱為「Autograph AG-Xplus 100N」），將卡盤之間的距離設為100mm，在23℃的環境下，以200mm/min的速度，進行在長邊方向上拉伸試驗片之拉伸試驗。
接著，從上述試驗的結果分別計算出將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量。然後，針對該增加量最小的試驗片，將平行於該試驗片的長邊的方向（前述18個方向之中的1個方向）定義為第一測量方向。再者，將與該第一測量方向在平面視角中所形成的角度為90°之方向定義為第二測量方向。另外，上述第二測量方向與基材的MD方向（製造基材時的輸送方向）大致上平行，而上述第一測量方向與基材的TD方向（與上述MD方向垂直的方向）大致上平行。
然後，再次將在實施例及比較例中所製作出的基材切斷，使其長邊與第一測量方向平行，以得到尺寸為15mm×150mm的試驗片。根據JIS K7127：1999，對該試驗片測量出拉伸彈性模量及斷裂伸長率。具體而言，將上述試驗片利用拉伸試驗機（由島津製作所所製造，產品名稱為「Autograph AG-Xplus 100N」）將卡盤之間的距離設為100mm之後，在23℃的環境下，以200mm/min的速度，進行在基材膜的第一測量方向上拉伸試驗片之拉伸試驗，以測量出拉伸彈性模量（MPa）及斷裂伸長率（％）。這些結果作為根據第一測定方向的拉伸彈性模量及斷裂伸長率顯示於表1中。
再者，對於以與上述相同的方式獲得的試驗片，在23℃的環境下，以200mm/min的速度，進行在基材膜的第一測量方向上拉伸試驗片之拉伸試驗，以測量出拉伸伸長率（％）從0％增加到250％時的拉伸應力（MPa）的變化。
然後，記錄下拉伸伸長率為10％、50％、100％、150％、200％及250％的時間點的拉伸應力（MPa）。此外，分別計算出拉伸伸長率從10％的時間點增加至200％的時間點的拉伸應力的增加量（MPa）及拉伸伸長率從100％的時間點增加至200％的時間點的拉伸應力的增加量（MPa）。再者，計算出拉伸伸長率為200％的時間點的拉伸應力相對於拉伸伸長率為100％的時間點的拉伸應力之比例。這些結果作為根據第一測量方向的各拉伸物性的測量值也顯示於表1中。
此外，對於如以上所述的測量出的拉伸應力（MPa），將測量結果繪製於以拉伸伸長率（單位：％）為橫軸、以拉伸應力（單位：MPa）為縱軸的座標平面上，以製作出曲線。確認在該曲線中是否存在拉伸應力成為極大值之極大點，其結果顯示於表1中。此外，在存在該極大點的情況下，也進一步確認是否存在拉伸應力成為極小值之極小點，然後確定極大點（在存在複數個的情況下，其為拉伸伸長率的值為最小之極大點）與極小點（在存在複數個的情況下，其為拉伸伸長率的值為最小之極小點）之間的拉伸應力的差異的絕對值（MPa）。其結果亦如表1所示。
再者，以與上述獲得試驗片的方法相同的方式，得到用於測量根據第二測量方向的拉伸物性的試驗片。亦即，藉由將150mm的邊切斷，使其與基材的第二測量方向平行，以切割出15mm×150mm的試驗片。
對於藉此所得到的試驗片，在以與上述相同的方式測量拉伸彈性模量（MPa）的同時，測量出拉伸伸長率（％）從0％增加到250％時的拉伸應力（MPa）的變化。然後，從拉伸應力（MPa）的變化確定在10％、50％、100％、150％、200％及250％的時間點的拉伸應力（MPa），並進一步計算出從上述數值增加的拉伸應力的增加量（MPa）。計算出從10％的時間點到200％的時間點、從50％的時間點到150％的時間點、從50％的時間點到250％的時間點、及從100％的時間點到200％的時間點的四種，作為該增加量。這些結果作為根據第二測量方向的各拉伸物性的測量值也顯示於表2中。
[試驗例2]（擴展性的評估） 將剝離片從在實施例及比較例中所製造出的黏著片上剝離，並在將因而露出的黏著劑層的露出表面貼附於厚度為40μm的矽晶圓的一面之後，將切割用環形框架附著於黏著片中上述露出表面的周緣部分（與矽晶圓不重疊的位置）。接著，使用劃片機（由Disco股份公司所製造，產品名為「DFD6362」），在以下的條件下對該矽晶圓進行切割。 ・工件（被黏著物）：矽晶圓 ・工件尺寸：直徑為6英寸，厚度為40μm ・切割刀：由Disco股份公司所製造，產品名為「27HECC」的鑽石刀 ・刀片轉速：50,000 rpm ・劃片速度：100mm/sec ・切割深度：從基材膜表面切割至20μm的深度 ・切割尺寸：8mmx8mm
然後，將貼附有藉由切割所得到的晶片及環形框架之黏著片設置在擴展裝置（由JCM股份公司所製造，產品名稱為「ME-300B」）中，並將環形框架以2mm/sec的速度拉下直到拉下量變為40mm為止。
接著，記錄下產生斷裂時的拉下量（mm）。然後，基於以下的標準評估擴展性。其結果如表1及表2所示（表1及表2中所示之結果相同）。 A：拉下量（mm）為40mm以上。 F：拉下量（mm）未滿40mm。
[表1]
Figure 02_image001
[表2]
Figure 02_image003
從表1及2可明確得知，在實施例中製造出的黏著片表現出優異的擴展性。 [產業上的可利性]
本發明的黏著片能夠適用於作為半導體晶圓等的工件的加工時所使用的工件加工用片。
無。
[圖1] 繪示出用於說明本實施形態中的基材的物性的曲線。

Claims (10)

  1. 一種黏著片，其係包括基材、和積層於前述基材的一表面側上的黏著劑層之黏著片，其中前述基材不含有氯原子，且以前述基材的平面視角的任意一方向作為基準方向，在前述基準方向與平面視角之間所形成的角度為0°、10°、20°、30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°、150°、160°及170°共18個方向之中，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量最小之方向設為第一測量方向的情況下，對於前述基材，在前述第一測量方向上，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力全部皆介於8MPa以上、30MPa以下的範圍內，且對於前述基材，在前述第一測量方向上，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力全部皆介於10MPa以上、40MPa以下的範圍內。
  2. 如請求項1所述之黏著片，其中對於前述基材，在前述第一測量方向上，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量為1MPa以上、20MPa以下。
  3. 如請求項1所述之黏著片，其中將為前述基材的平面視角的一方向且與前述第一測量方向之間所形成的角度為90°之方向設為第二測量方向的情況下，對於前述基材，在前述第二測量方向上，從伸長10％時至伸長100％時的拉伸應力全部皆介於5MPa以上、30MPa以下的範圍內，且對於前述基材，在前述第二測量方向上，從伸長100％時至伸長200％時的拉伸應力全部皆介於10MPa以上、40MPa以下的範圍內。
  4. 如請求項3所述之黏著片，其中對於前述基材，在前述第二測量方向上，將伸長200％時的拉伸應力減掉伸長100％時的拉伸應力所得到的拉伸應力的增加量為1MPa以上、20MPa以下。
  5. 如請求項1所述之黏著片，其中前述基材在前述第一測量方向上的拉伸彈性模量為100MPa以上、1000MPa以下。
  6. 如請求項1所述之黏著片，其中前述基材在前述第一測量方向上的斷裂伸長率為100％以上、1000％以下。
  7. 如請求項1所述之黏著片，其中對於將在前述第一測量方向上進行前述基材的拉伸試驗的情況下所測量出的結果繪製在以拉伸伸長率（單位：％）為橫軸且以拉伸應力（單位：MPa）為縱軸的座標平面上而得到的曲線，前述曲線中不存在成為極大值的點，或者前述曲線中存在至少一個成為極大值的點及一個成為極小值的點，而且，在前述成為極大值的點之中前述拉伸伸長率為最小值的點之前述拉伸應力的值、與在前述成為極小值的點之中前述拉伸伸長率為最小值的點之前述拉伸應力的值之間的差異的絕對值為2.0MPa以下。
  8. 如請求項1所述之黏著片，其中前述基材不含有鹵素原子。
  9. 如請求項1所述之黏著片，其用於作為工件加工用片。
  10. 如請求項9所述之黏著片，其中前述工件加工用片為切割片。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05211234A (ja) 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
JP5397243B2 (ja) * 2010-01-28 2014-01-22 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法及び回路部材接続用接着シート
JP5515811B2 (ja) * 2010-02-05 2014-06-11 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法及び回路部材接続用接着シート
JP2011173851A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Kazki International:Kk 美容用貼付材
JP2011219563A (ja) * 2010-04-06 2011-11-04 Mitsubishi Chemicals Corp 脂環式ポリエステル系樹脂組成物及びその成形体
JP5065511B2 (ja) * 2011-06-15 2012-11-07 山本光学株式会社 偏光性成形体および同品の製造方法
JP6522307B6 (ja) * 2014-10-01 2019-07-17 大和製罐株式会社 ポリエステル樹脂組成物
WO2018003312A1 (ja) * 2016-06-30 2018-01-04 リンテック株式会社 半導体加工用シート
KR102382843B1 (ko) * 2016-11-02 2022-04-05 린텍 가부시키가이샤 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 이를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법
JP2021050319A (ja) * 2019-09-19 2021-04-01 日東電工株式会社 粘着テープ

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