TW202139252A - 載置台、基板處理裝置及傳熱氣體供給方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係防止用於載置台之接合之接著劑劣化。 本發明提供一種載置台，其具有：銷插通路徑，其以貫通載置基板之載置台，且供插通升降銷之方式構成；傳熱氣體供給路徑，其以貫通上述載置台，且供將傳熱氣體導入上述載置台之載置面之方式構成；共通氣體供給路徑，其以連通於上述銷插通路徑與上述傳熱氣體供給路徑，且供流通傳熱氣體之方式構成；及第1構件，其面朝上述共通氣體供給路徑而配置於上述銷插通路徑與上述共通氣體供給路徑相交之位置，以調整自上述銷插通路徑導入上述載置台之載置面上之傳熱氣體之流量之方式構成。

Description

載置台、基板處理裝置及傳熱氣體供給方法
本發明係關於一種載置台、基板處理裝置及傳熱氣體供給方法。
專利文獻1中，揭示有一種具備靜電吸盤、基座及筒狀之套管之載置台。於靜電吸盤形成有第1貫通孔。基座藉由第1接著層而接著於靜電吸盤之背面，且形成有連通於第1貫通孔之第2貫通孔。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-28448號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種可防止用於載置台之接合之接著劑劣化之載置台、基板處理裝置及傳熱氣體供給方法。 [解決問題之技術手段]
根據一態樣，提供一種載置台，其具有：銷插通路徑，其以貫通載置基板之載置台，且供插通升降銷之方式構成；傳熱氣體供給路徑，其以貫通上述載置台，且供將傳熱氣體導入上述載置台之載置面之方式構成；共通氣體供給路徑，其以連通於上述銷插通路徑與上述傳熱氣體供給路徑，且供流通傳熱氣體之方式構成；及第1構件，其面朝上述共通氣體供給路徑而配置於上述銷插通路徑與上述共通氣體供給路徑相交之位置，以調整自上述銷插通路徑導入上述載置台之載置面上之傳熱氣體之流量之方式構成。 [發明之效果]
根據一方面，可防止用於載置台之接合之接著劑劣化。
於一例示之實施方式中，提供一種載置基板之載置台。載置台具有：銷插通路徑，其以貫通載置基板之載置台，且供插通升降銷之方式構成；傳熱氣體供給路徑，其以貫通上述載置台，且供將傳熱氣體導入上述載置台之載置面之方式構成；共通氣體供給路徑，其以連通於上述銷插通路徑與上述傳熱氣體供給路徑，且供流通傳熱氣體之方式構成；及第1構件，其面朝上述共通氣體供給路徑而配置於上述銷插通路徑與上述共通氣體供給路徑相交之位置，以調整自上述銷插通路徑導入上述載置台之載置面上之傳熱氣體之流量之方式構成。
以下，參照圖式對用以實施本發明之方式進行說明。再者，本說明書及圖式中，對實質上相同之構成，有時藉由標註相同之符號而省略重複之說明。
[基板處理裝置] 首先，參照圖1對實施方式之基板處理裝置1進行說明。圖1係表示實施方式之基板處理裝置1之一例之圖。基板處理裝置1提供用於自處理氣體產生電漿之若干個電漿產生系統之一例。
[基板處理裝置] 圖1係表示本實施方式之基板處理裝置100之構成之概略剖視圖。基板處理裝置100具有腔室1，該腔室1氣密地構成，且為電性接地電位。腔室1為圓筒形狀，例如包含鋁。於腔室1內，設置有載置基板W之載置台ST。載置台ST具有基台6、下部電極4及靜電吸盤5。基台6及下部電極4包含導電性金屬、例如鋁。基台6支持下部電極4及載置台ST。晶圓為基板W之一例。
於基板W之周圍，例如設置有由矽形成之邊緣環7。邊緣環7亦稱為聚焦環。於邊緣環7、下部電極4及基台6之周圍，例如設置有圓筒形狀之石英內壁構件9a。載置台ST經由內壁構件9a、及例如由石英形成之支持構件9而配置於腔室1之底部。
靜電吸盤5內之電極5c夾於介電體5b之間，且與電源12連接。當自電源12對電極5c施加電壓時，藉由庫倫力而將基板W靜電吸附於靜電吸盤5。
載置台ST於內部具有流路2d。自冷卻器單元供給之熱媒體、例如水於入口配管2b、流路2d及出口配管2c中循環。於載置台ST之內部形成有傳熱氣體供給路徑16及共通氣體供給路徑17。傳熱氣體源19將傳熱氣體供給至傳熱氣體供給路徑16，將傳熱氣體導入基板W之下表面與靜電吸盤5之載置面之間之空間，並且使傳熱氣體於共通氣體供給路徑17中流通。傳熱氣體自共通氣體供給路徑17供給至銷插通路徑14。此時，藉由第1構件30調整供給至銷插通路徑14之傳熱氣體之流量。藉此，將所需壓力之傳熱氣體導入基板W之下表面與靜電吸盤5之載置面之間之空間。導入之傳熱氣體亦可為氦(He)氣或氬(Ar)氣等惰性氣體。實施方式中，列舉導入氦氣之例進行說明。再者，不僅可應用傳熱氣體，亦可應用製程中使用之氣體。作為製程中使用之氣體之一例，可列舉氧氣(O2 )、氮氣(N2 )。
於載置台ST，貫通有複數根、例如3根升降銷13(圖1中，僅圖示1根升降銷13)。於載置台ST設置有銷插通路徑14。插通於銷插通路徑14之升降銷13連接於升降機構62，藉由升降機構62之驅動而上下移動。
於基台，經由第1匹配器11a連接有第1 RF(radio frequency，射頻)電源10a，且經由第2匹配器11b連接有第2 RF電源10b。第1 RF電源10a將特定頻率之電漿產生用高頻電力施加至下部電極4。第2 RF電源10b將頻率低於電漿產生用高頻電力之頻率且用以饋入離子之偏壓電壓用高頻電力施加至下部電極4。但是，亦有將自第2 RF電源10b供給之高頻電力用於產生電漿之用途之情形。於載置台ST之上方，設置有與載置台ST對向之上部電極3。上部電極3與載置台ST作為一對電極(上部電極與下部電極)發揮功能。上部電極3亦作為氣體簇射頭發揮功能。
上部電極3具有電極板3b與頂板3a。於上部電極3之周圍設置有支持上部電極3之絕緣性環狀構件95，藉由上部電極3與環狀構件95將腔室1之上部開口堵塞。頂板3a包含導電性材料、例如表面經陽極氧化處理之鋁，將電極板3b裝卸自如地支持於其下部。
於頂板3a，形成有氣體擴散室3c、及用以將處理氣體導入氣體擴散室3c之氣體導入口3g。於氣體導入口3g，連接有氣體供給配管15a。於氣體供給配管15a，依序連接有氣體供給部15、質量流量控制器(MFC)15b及開閉閥V2，經由氣體供給配管15a將處理氣體自氣體供給部15供給至頂板3a內。開閉閥V2及質量流量控制器(MFC)15b控制氣體之供給/停止及流量。
於氣體擴散室3c之下部朝腔室1內形成有多個氣體流通孔3d，貫通電極板3b。氣體流通孔3d之前端成為氣體導入孔3e。處理氣體自氣體導入孔3e通過氣體擴散室3c、氣體流通孔3d呈簇射狀供給至腔室1內。
於上部電極3，經由低通濾波器(LPF)71連接有可變直流電源72，藉由開關73而開始/停止自可變直流電源72輸出之直流電壓之供電。來自可變直流電源72之直流電壓及開關73之接通/斷開係由控制部90控制。自第1 RF電源10a、第2 RF電源10b將高頻電力施加至載置台ST而使處理氣體電漿化時，視需要利用控制部90將開關73接通，將特定之直流電壓施加至上部電極3。
以自腔室1之側壁延伸至較上部電極3之高度位置靠上方之方式設置有圓筒形狀之接地導體1a。該圓筒形狀之接地導體1a於其上部具有頂壁。
於腔室1之底部形成有排氣口81，於排氣口81經由排氣管82連接有排氣裝置83。排氣裝置83具有真空泵，藉由使真空泵作動而將腔室1內減壓至特定之真空度。於腔室1內之側壁，設置有基板W之搬入搬出口84，搬入搬出口84可藉由閘閥85而開閉。
於腔室1之側部內側，沿內壁面設置有積存物遮罩86。又，沿內壁構件9a裝卸自如地設置有積存物遮罩87。積存物遮罩86、87防止蝕刻副產物(沈積物)附著於腔室1之內壁及內壁構件9a。於積存物遮罩86之與基板W大致相同之高度位置，設置有以可控制相對於接地之電位之方式連接之導電性構件(GND(Ground，接地)區塊)89，藉此防止異常放電。
基板處理裝置100由控制部90統括控制。於控制部90，設置有控制基板處理裝置100之各部之製程控制器91、使用者介面92、及記憶部93。
使用者介面92具有鍵盤及顯示器等，上述鍵盤供工序管理者進行指令之輸入操作，以管理基板處理裝置100，上述顯示器以可視化之方式顯示基板處理裝置100之運轉狀況。
記憶部93儲存有製程配方，該製程配方記憶有使製程控制器91執行基板處理裝置100中執行之各種處理之控制程式(軟體)或處理條件資料等。而且，視需要，根據來自使用者介面92之指示等將任意製程配方自記憶部93叫出並使製程控制器91執行，藉此於製程控制器91之控制下，於基板處理裝置100中進行所需之處理。又，控制程式或處理條件資料等製程配方亦可利用儲存於可由電腦讀取之電腦記憶媒體等之狀態者，或自其他裝置經由例如專用線路隨時傳送而線上使用。作為記憶媒體，可列舉例如硬碟、CD(Compact Disc，光碟)、軟碟、半導體記憶體等。
[載置台] 其次，一面參照圖2及圖3，一面對實施方式之載置台ST進行說明。圖2係表示實施方式之載置台ST之剖視圖。圖3係設置於實施方式之載置台ST之第1構件30之放大圖。如圖2所示，於靜電吸盤5與下部電極4之間，設置有藉由接著劑將靜電吸盤5與下部電極4接合之接著層21。
於載置台ST之內部，形成有傳熱氣體供給路徑16、銷插通路徑14及共通氣體供給路徑17。傳熱氣體供給路徑16具有沿上下方向貫通靜電吸盤5之貫通孔16a、沿上下方向貫通下部電極4之貫通孔16b、及沿上下方向貫通基台6之貫通孔16c。
貫通孔16b位於貫通孔16a之下部，且與貫通孔16a垂直連通。貫通孔16b之直徑大於貫通孔16a之直徑。貫通孔16a於靜電吸盤5之載置面開口。貫通孔16b經由共通氣體供給路徑17與貫通孔16c連通。但是，亦可以如下方式構成，即，將貫通孔16c配置於貫通孔16b之下部，且與貫通孔16b垂直連通。貫通孔16c之直徑可與貫通孔16b之直徑相同，亦可不同。
銷插通路徑14具有沿上下方向貫通靜電吸盤5之貫通孔14a、沿上下方向貫通下部電極4之貫通孔14b、及與第1構件30之貫通孔30b連通且沿上下方向貫通基台6之貫通孔14c。
貫通孔14b位於貫通孔14a之下部，且與貫通孔14a垂直連通。貫通孔14b之直徑與貫通孔14a之直徑相同。但是，貫通孔14b之直徑亦可與貫通孔14a之直徑不同。貫通孔14a於靜電吸盤5之上表面開口。貫通孔30b隔著共通氣體供給路徑17位於貫通孔14b之下部，且與貫通孔14b垂直連通。貫通孔30b之直徑與貫通孔14b之直徑相同。貫通孔14c位於貫通孔30b之下部，且與貫通孔30b垂直連通。貫通孔14c之直徑與貫通孔30b之直徑相同。但是，貫通孔14c之直徑亦可與貫通孔14b之直徑不同。
第1構件30被埋入於基台6之上表面開口之凹部。貫通孔14c位於貫通孔14b之下方，且經由第1構件30之貫通孔30b與貫通孔14b垂直連通。貫通孔14c之直徑與貫通孔14b之直徑相同。
自傳熱氣體源19輸出之氦氣通過貫通孔16c及共通氣體供給路徑17，進而經由貫通孔16b自貫通孔16a導入靜電吸盤5之載置面5a上。共通氣體供給路徑17係下部電極4與基台6之間之空間，構成為藉由設置於下部電極4與基台6之間之端部附近之O形環40而使氦氣不會洩漏至處理空間側。又，O形環40具有將作為真空空間之處理空間、與大氣空間區隔出之功能。
於銷插通路徑14，經由共通氣體供給路徑17流入氦氣。藉此，氦氣自銷插通路徑14內之與升降銷13之間隙導入靜電吸盤5之載置面5a上。
參照圖3對第1構件30及其周邊之構成進而說明。圖3(a)係將圖2之A所示之第1構件30及其周邊放大後之剖視圖。圖3(b)係圖3(a)之B-B剖面之一例，且係自上方觀察到之第1構件30之圖。圖3(c)係圖3(a)之B-B剖面之另一例，且係自上方觀察到之第1構件30之圖。
如圖3(a)所示，第1構件30以上表面與基台6之上表面成為同一面上之方式埋入基台6上所設之凹部。藉此，第1構件30以面朝共通氣體供給路徑17之方式構成。於貫通第1構件30之內部之貫通孔30b中，插通升降銷13。
第1構件30亦可由樹脂等絕緣物、藍寶石、PTFE(polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)等形成。
第1構件30於上表面之外周部具有突出部30a。突出部30a抵接於下部電極4之下表面。如圖3(b)及(c)所示，突出部30a沿圓周方向形成於第1構件30之上表面之外周部。於突出部30a，等間隔地形成複數個槽30c。複數個槽30c設置成放射狀。複數個槽30c調整自共通氣體供給路徑17流通至銷插通路徑14之氦氣之流量。再者，突出部30a不僅可配置於外周部，亦可自上表面之內側朝外周側配置於整個上表面。
藉此，氦氣自傳熱氣體供給路徑16導入基板W之下表面與靜電吸盤5之載置面5a之間的空間，與此同時，一面經由複數個槽30c調整流量，一面自與共通氣體供給路徑17連通之銷插通路徑14導入上述空間。再者，槽30c之形狀、個數及配置並不限於圖3(b)及(c)所示之例。例如，槽30c之個數只要為一個以上即可。又，複數個槽30c亦可不等間隔地形成。
可藉由改變第1構件30之槽30c之形狀、寬度、數量而改變氦氣所流經之流路之傳導率，使自銷插通路徑14導入靜電吸盤5之載置面5a上之氦氣之流量最佳化。例如圖3(b)中，將8個槽30c均勻地配置於第1構件30之上表面之外周。該情形時，氦氣自共通氣體供給路徑17通過8個槽30c而流向第1構件30之內側，流過銷插通路徑14而導入靜電吸盤5之載置面5a上。再者，槽30c不僅可配置於外周部，亦可自上表面之內側朝外周側配置於整個上表面。
與此相對，圖3(c)中，4個槽30c均勻地配置於第1構件30之上表面之外周。於該情形時，氦氣自共通氣體供給路徑17通過4個槽30c而導入靜電吸盤5之載置面5a上。於槽30c之形狀(寬度)相同之情形時，使用圖3(b)所示之第1構件30時可提高傳導率，可增加導入載置面5a上之氦氣之流量。另一方面，使用圖3(c)所示之第1構件30時可降低傳導率，可減少導入載置面5a上之氦氣之流量。但是，不僅可藉由改變槽30c之數量來改變氦氣之流量，亦可藉由對槽30c之形狀加以調整或改變升降銷13之粗細來改變氦氣之流量。
[效果] 參照圖4說明於具備以上說明之載置台ST之基板處理裝置1中進行無晶圓乾洗(WLDC：Wafer Less Dry Cleaning)處理之情形之效果。圖4(b)係用以將實施方式之載置台ST之效果與圖4(a)所示之先前之載置台OS加以比較地進行說明之圖。再者，圖4(a)所示之構件130於升降銷13在銷插通路徑14中沿上下方向升降時，不具有如第1構件30般調整氦氣之流量之功能。
圖4(b)所示之實施方式之載置台ST中，於基板處理中，氦氣自傳熱氣體供給路徑16及銷插通路徑14導入靜電吸盤5之載置面5a上。又，於清洗處理中亦同樣地，氦氣自傳熱氣體供給路徑16及銷插通路徑14導入靜電吸盤5之載置面5a上。
尤其是，於無晶圓乾洗中，未將基板W載置於靜電吸盤5地執行處理。該情形時，靜電吸盤5之表面暴露於電漿P中。如此一來，於圖4(a)所示之先前之載置台OS中，電漿P中之自由基進入銷插通路徑14與傳熱氣體供給路徑16之內部。
當如此使接著層21暴露於進入內部之電漿P中時，其組成成分受損。因此，圖4(a)中C所示之接著層21之部分產生消耗或接著強度之劣化。
當接著層21產生消耗或接著強度劣化時，會難以控制向與靜電吸盤5結合之構件(基板W、邊緣環7、下部電極4)之導熱。其結果，難以對基板W進行均勻且準確之處理。
因此，實施方式中，提供一種可防止用於靜電吸盤5之接著結合之接著層21劣化之載置台ST及具備此種載置台ST之基板處理裝置1。
即，如圖4(b)所示，一面藉由第1構件30進行氦氣流量之調整，一面將氦氣同時導入銷插通路徑14與傳熱氣體供給路徑16。藉此，圖4(b)中D所示之接著層21之部分不會產生消耗或接著強度之劣化。
根據該構成，不僅將氦氣供給至傳熱氣體供給路徑16，亦將氦氣供給至銷插通路徑14，藉此可防止電漿P進入傳熱氣體供給路徑16與銷插通路徑14。藉此，可防止接著層21之消耗。於清洗處理中未載置有基板W之情形時特別有效。
[變化例] 其次，參照圖5及圖6對實施方式之變化例之載置台ST進行說明。圖5係表示實施方式之變化例之載置台ST之剖視圖。圖6係設置於實施方式之變化例之載置台ST之第2構件37之放大圖。
變化例之載置台ST與實施方式之載置台ST之不同點在於，於包含傳熱氣體供給路徑16之前端部分之貫通孔16a之傳熱氣體供給路徑16之內部配置第2構件37。變化例之載置台ST之其他構成與實施方式之載置台ST相同，故以下對第2構件37進行說明，省略其他構成之說明。
變化例之載置台ST中，可利用第1構件30進行自銷插通路徑14導入靜電吸盤5之載置面5a上之氦氣之流量調整，且可利用第2構件37進行自傳熱氣體供給路徑16導入載置面5a上之氦氣之流量調整。
圖5之例中，於傳熱氣體供給路徑16之貫通孔16a與貫通孔16b***有第2構件37。第2構件37亦可由樹脂、藍寶石、PTFE等絕緣物形成。
圖5之貫通孔16b之直徑大於貫通孔16a之直徑，故第2構件37之與貫通孔16b對應之部分之直徑大於第2構件37之與貫通孔16a對應之部分之直徑。藉此，可防止第2構件37自傳熱氣體供給路徑16之內部向外躍出。
第2構件37之上端以不自靜電吸盤5之載置面5a突出之方式設置。又，第2構件37之下端抵接於基台6之上表面。藉此，可利用第2構件37進行傳熱氣體供給路徑16之流量調整。結果，可實現使流向銷插通路徑14及傳熱氣體供給路徑16之各者之氦氣之流量最佳化。
例如，圖6(a)中將圖2之框E放大表示，圖6(b)中將圖5之框F放大表示。如圖6(b)所示，將第2構件37***傳熱氣體供給路徑16之情形時，與圖6(a)所示之未***第2構件37之情形相比可降低傳導率。藉此，可抑制供給至載置面5a上之氦氣之流量。又，可藉由改變第2構件37之直徑而使傳導率發生變化，從而使供給至載置面5a上之氦氣之流量發生變化。銷插通路徑14及傳熱氣體供給路徑16之尺寸有時各不相同。因此，亦可根據傳熱氣體供給路徑16之形狀而改變第2構件37之直徑及形狀。又，亦可根據傳熱氣體供給路徑16之形狀而改變有無第2構件37之***。進而，亦可根據銷插通路徑14之形狀而改變升降銷之直徑。
以上，根據變化例之載置台ST，可自傳熱氣體供給路徑16與銷插通路徑14供給氦氣。藉此，可主要防止電漿P中之自由基進入銷插通路徑14與傳熱氣體供給路徑16而使接著層21消耗。又，可藉由第1構件30調整流過銷插通路徑14之氦氣之流量，藉由第2構件37調整流過傳熱氣體供給路徑16之氦氣之流量。藉此，可抑制自傳熱氣體供給路徑16與銷插通路徑14流向載置面5a之氦氣之流量。
再者，實施方式及變化例中，自傳熱氣體源19供給之氦氣之導入線路係通過貫通孔16c之一線路，但並不限於此。例如，向傳熱氣體供給路徑16與銷插通路徑14供給之氦氣之導入線路亦可分別設置有主要供氦氣流向傳熱氣體供給路徑16之貫通孔16c之線路、及主要供氦氣流向銷插通路徑14之未圖示之線路。該情形時，流向傳熱氣體供給路徑16與銷插通路徑14之氦氣亦可流通至共通氣體供給路徑17。
[傳熱氣體供給方法] 最後，參照圖7對由具有實施方式及變化例之載置台ST之基板處理裝置1執行之傳熱氣體供給方法進行說明。圖7係表示實施方式之傳熱氣體供給方法之流程圖。傳熱氣體供給方法之處理係由控制部20控制。
於傳熱氣體供給方法之處理開始後，自傳熱氣體源19將氦氣供給至傳熱氣體供給路徑16，且自傳熱氣體供給路徑16將氦氣導入載置台ST之上表面(靜電吸盤5之載置面5a)(步驟S1)。又，使氦氣於共通氣體供給路徑17中流通並供給至銷插通路徑14，自銷插通路徑14導入載置台ST之上表面(步驟S1)。其次，將處理氣體供給至腔室2內，藉由RF之功率而自處理氣體產生電漿(步驟S2)。其次，藉由所產生之電漿執行清洗處理等所需之處理(步驟S3)，結束本處理。
根據以上說明之實施方式之傳熱氣體供給方法，可自傳熱氣體供給路徑16與銷插通路徑14將氦氣供給至載置台ST之上表面。藉此，可防止電漿P或自由基進入銷插通路徑14與傳熱氣體供給路徑16而使接著層21消耗或劣化。
以上，藉由上述實施方式說明了載置台、基板處理裝置及傳熱氣體供給方法，但本發明之載置台、基板處理裝置及傳熱氣體供給方法並不限定於上述實施方式，可於本發明之範圍內進行各種變化及改良。上述實施方式及變化例中記載之事項可於不矛盾之範圍加以組合。
例如，上述實施方式及變化例之載置台具有靜電吸盤，但並不限於此，例如，亦可為不具有靜電吸盤之載置台。
本發明之基板處理裝置可應用於電容耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma，CCP)、電感耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)、放射狀線槽孔天線(Radial Line Slot Antenna)、電子回旋共振電漿(Electron Cyclotron Resonance Plasma，ECR)、螺旋波電漿(Helicon Wave Plasma，HWP)中之任一類型。因此，本發明之基板處理裝置可應用於如下裝置，該裝置包含具有電漿處理空間之腔室、配置於處理空間內之載置台、及以自供給至處理空間之氣體形成電漿之方式構成之電漿產生部。
1:腔室 1a:接地導體 2b:入口配管 2c:出口配管 2d:流路 3:上部電極 3a:頂板 3b:電極板 3c:氣體擴散室 3d:氣體流通孔 3e:氣體導入孔 3g:氣體導入口 4:下部電極 5:靜電吸盤 5a:載置面 5b:介電體 5c:電極 6:基台 7:邊緣環 9:RF源 9a:內壁構件 10a:第1 RF電源 10b:第2 RF電源 11a:第1匹配器 11b:第2匹配器 12:電源 13:升降銷 14:銷插通路徑 14a:貫通孔 14b:貫通孔 14c:貫通孔 15:氣體供給部 15a:氣體供給配管 15b:質量流量控制器 16:傳熱氣體供給路徑 16a:貫通孔 16b:貫通孔 16c:貫通孔 17:共通氣體供給路徑 19:傳熱氣體源 21:接著層 30:第1構件 30a:突出部 30b:貫通孔 30c:槽 37:第2構件 40:O形環 62:升降機構 71:低通濾波器 72:可變直流電源 73:開關 81:排氣口 82:排氣管 83:排氣裝置 84:搬入搬出口 85:閘閥 86:積存物遮罩 87:積存物遮罩 89:導電性構件 90:控制部 91:製程控制器 92:使用者介面 93:記憶部 95:環狀構件 100:基板處理裝置 130:構件 OS:載置台 P:電漿 ST:載置台 V2:開閉閥 W:基板
圖1係表示實施方式之基板處理裝置之剖視圖。 圖2係表示實施方式之載置台之剖視圖。 圖3(a)～(c)係設置於實施方式之載置台之第1構件之放大圖。 圖4(a)、(b)係用以將實施方式之載置台之效果與先前之載置台加以比較地進行說明之圖。 圖5係表示實施方式之變化例之載置台之剖視圖。 圖6(a)、(b)係設置於實施方式之變化例之載置台之第2構件之放大圖。 圖7係表示實施方式之傳熱氣體供給方法之流程圖。
4:下部電極
6:基台
13:升降銷
14:銷插通路徑
17:共通氣體供給路徑
30:第1構件
30a:突出部
30b:貫通孔
30c:槽

Claims (8)

  1. 一種載置台，其具有： 銷插通路徑，其以貫通載置基板之載置台，且供插通升降銷之方式構成； 傳熱氣體供給路徑，其以貫通上述載置台，且供將傳熱氣體導入上述載置台之載置面之方式構成； 共通氣體供給路徑，其以連通於上述銷插通路徑與上述傳熱氣體供給路徑，且供流通傳熱氣體之方式構成；及 第1構件，其面朝上述共通氣體供給路徑而配置於上述銷插通路徑與上述共通氣體供給路徑相交之位置，以調整自上述銷插通路徑導入上述載置台之載置面上之傳熱氣體之流量之方式構成。
  2. 如請求項1之載置台，其中 上述第1構件具有： 貫通孔，其供上述升降銷貫通；及 槽，其連通上述銷插通路徑與上述共通氣體供給路徑。
  3. 如請求項2之載置台，其中 上述槽呈放射狀設置有複數個。
  4. 如請求項1至3中任一項之載置台，其具有第2構件， 該第2構件配置於上述傳熱氣體供給路徑之內部，以調整自上述傳熱氣體供給路徑導入上述載置台之載置面上之傳熱氣體之流量之方式構成。
  5. 如請求項1至4中任一項之載置台，其中 上述共通氣體供給路徑形成於上述載置台之基台與配置於上述基台上之下部電極之間的空間。
  6. 一種基板處理裝置，其係於腔室內具有載置基板之載置台者， 上述載置台具有： 銷插通路徑，其以貫通載置基板之載置台，且供插通升降銷之方式構成； 傳熱氣體供給路徑，其以貫通上述載置台，且供將傳熱氣體導入上述載置台之載置面之方式構成； 共通氣體供給路徑，其以連通於上述銷插通路徑與上述傳熱氣體供給路徑，且供流通傳熱氣體之方式構成；及 第1構件，其面朝上述共通氣體供給路徑而配置於上述銷插通路徑與上述共通氣體供給路徑相交之位置，以調整自上述銷插通路徑導入上述載置台之載置面上之傳熱氣體之流量之方式構成。
  7. 一種傳熱氣體供給方法，其係使用如請求項1至5中任一項之載置台者，且包括以下工序： 自傳熱氣體源將傳熱氣體供給至上述傳熱氣體供給路徑，且自上述傳熱氣體供給路徑將傳熱氣體導入上述載置台之載置面；及 使傳熱氣體於上述共通氣體供給路徑中流通，且自上述銷插通路徑將傳熱氣體導入上述載置台之載置面。
  8. 如請求項7之傳熱氣體供給方法，其包括以下工序： 將處理氣體導入腔室內，藉由高頻功率使處理氣體電漿化。
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