TWI774926B - 電漿處理裝置及載置台之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種於傳熱氣體之通孔中防止異常放電之嵌入構件。 本發明提供一種電漿處理裝置，其具備：載置台，其具有板狀構件及基台，該板狀構件具有載置被處理體之載置面及與上述載置面相對之背面，並形成有貫通上述載置面與上述背面之第1通孔，該基台具有支持上述板狀構件之支持面，並形成有與上述第1通孔連通之第2通孔；以及嵌入構件，其係配置於上述第1通孔及上述第2通孔之內部；且上述嵌入構件具有配置於上述第1通孔之第1嵌入構件及配置於上述第2通孔之第2嵌入構件，上述第1嵌入構件及上述第2嵌入構件並未相互固定，上述第1嵌入構件於下側具有寬度寬於上端部之寬度之部分。

Description

電漿處理裝置及載置台之製造方法
本發明係關於一種電漿處理裝置及載置台之製造方法。
自先前起，已知有使用電漿對晶圓等被處理體進行蝕刻處理等之電漿處理裝置(例如參照專利文獻1)。該電漿處理裝置係例如於可構成真空空間之處理容器內，具有兼作電極之保持被處理體之載置台。於載置台，在置於載置台之被處理體之背面與載置台之上表面之間形成有用以供給傳熱氣體之通孔(貫通孔)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-195935號公報
[發明所欲解決之問題]
且說，近年來，電漿處理裝置使為了進行電漿處理而對載置台施加之高頻電力高電壓化。於使對載置台施加之高頻電力高電壓化之情形時，有時高頻電力之能量會集中至供給傳熱氣體之通孔而產生異常放電。若於供給傳熱氣體之通孔產生異常放電，則有導致利用電漿處理裝置處理之被處理體之品質惡化、良率降低之虞。
針對上述課題，於一態樣中，本發明之目的在於提供一種於傳熱氣體之通孔中防止異常放電之嵌入構件。 [解決問題之技術手段]
為解決上述課題，根據一態樣，提供一種電漿處理裝置，其具備：載置台，其具有板狀構件及基台，該板狀構件具有載置被處理體之載置面及與上述載置面相對之背面，並形成有貫通上述載置面與上述背面之第1通孔，該基台具有支持上述板狀構件之支持面，並形成有連通上述第1通孔之第2通孔；以及嵌入構件，其係配置於上述第1通孔及上述第2通孔之內部；且上述嵌入構件具有配置於上述第1通孔之第1嵌入構件及配置於上述第2通孔之第2嵌入構件，上述第1嵌入構件及上述第2嵌入構件並未相互固定，上述第1嵌入構件於下側具有寬度大於上端部之寬度之部分。 [發明之效果]
根據一態樣，可提供一種於傳熱氣體之通孔中防止異常放電之嵌入構件。
以下，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，於本說明書及圖式中，藉由對實質上相同之構成標註同一符號，省略重複說明。
[電漿處理裝置之構成] 圖1係表示本實施形態之電漿處理裝置100之構成之一例的概略剖視圖。電漿處理裝置100具有氣密地構成且電性地形成為接地電位之處理容器1。該處理容器1形成為圓筒狀，例如包含鋁等。處理容器1劃分出產生電漿之處理空間。處理容器1內設有水平支持作為被處理體(work-piece)之半導體晶圓(以下簡稱「晶圓」)W之載置台2。載置台2具有基台2a及靜電吸盤(ESC：Electrostatic chuck)6。基台2a包含導電性金屬，例如鋁等，具有作為下部電極之功能。靜電吸盤6包含陶瓷，例如氧化鋁等，具有用以靜電吸附晶圓W之功能。載置台2被支持台4支持。支持台4被例如包含石英等之支持構件3支持。又，於載置台2之上方之外周設有例如以矽形成之聚焦環5。進而，於處理容器1內，以包圍載置台2及支持台4之周圍之方式，設有例如包含石英等之圓筒狀內壁構件3a。
於基台2a經由整合器11a連接有第1RF(Radio Frequency，射頻)電源10a，經由整合器11b連接有第2RF電源10b。第1RF電源10a對載置台2之基台2a供給特定頻率之電漿產生用高頻電力。又，第2RF電源10b對載置台2之基台2a供給較第1RF電源10a之頻率低之特定頻率之離子提取用(偏壓用)高頻電力。
於載置台2之上方設有與載置台2平行地對向且具有作為上部電極之功能之簇射頭16。簇射頭16與載置台2作為一對電極(上部電極與下部電極)發揮功能。
靜電吸盤6係於絕緣體6b之間介置電極6a而構成，於電極6a連接有直流電源12。並且，藉由自直流電源12對電極6a施加直流電壓，利用庫倫力吸附晶圓W。
於載置台2之內部形成有冷媒流路2d，於冷媒流路2d連接有冷媒入口管2b、冷媒出口管2c。並且，藉由使適當之冷媒、例如冷卻水等於冷媒流路2d中循環，將載置台2控制為特定之溫度。又，以貫通載置台2等之方式，設有用以對晶圓W之背面供給氦氣等冷熱傳遞用氣體(以下亦稱為「傳熱氣體」)之氣體供給管210，氣體供給管210連接於傳熱氣體供給部31。藉由該等構成，可將載置台2上之晶圓W控制為特定之溫度。再者，氣體供給管210之內部構造將於後文說明。
於載置台2設有複數個、例如3個銷用貫通孔200(圖1中僅示出1個)，於該等銷用貫通孔200之內部配分別設有升降銷61。升降銷61連接於驅動機構62，且藉由驅動機構62上下移動。
上述簇射頭16係設置於處理容器1之頂壁部分。簇射頭16係具備本體部16a及形成電極板之上部頂板16b，並介隔絕緣性構件95被處理容器1之上部支持。本體部16a包含導電性材料，例如表面經陽極氧化處理之鋁，且裝卸自如地支持其下部之上部頂板16b。
本體部16a於內部設有氣體擴散室16c。且於本體部16a，以位於氣體擴散室16c之下部之方式，於底部形成有多個氣體流通孔16d。於上部頂板16b，於厚度方向貫通有氣體導入孔16e，且氣體導入孔16e係以與上述氣體流通孔16d連通之方式設置。
於本體部16a形成有用以向氣體擴散室16c導入處理氣體之氣體導入口16g。於氣體導入口16g連接有氣體供給配管15a之一端。於氣體供給配管15a之另一端連接有供給處理氣體之氣體供給部15。於氣體供給配管15a自上游側起依序設有質量流量控制器(MFC)15b及開關閥V2。對於氣體擴散室16c，自氣體供給部15經由氣體供給配管15a供給用於電漿蝕刻之處理氣體。藉由該構成，供給至氣體擴散室16c之處理氣體經由氣體流通孔16d及氣體導入孔16e，以簇射狀向處理容器1內分散供給。
於上述作為上部電極之簇射頭16，經由低通濾波器(LPF)71電性連接有可變直流電源72。該可變直流電源72可藉由導通斷開開關73實現供電之導通或斷開。可變直流電源72之電流、電壓及導通斷開開關73之導通斷開係藉由控制部90控制。再者，於自第1RF電源10a、第2RF電源10b對載置台2施加高頻(RF)而於處理空間產生電漿時，視需要藉由控制部90將導通斷開開關73設為導通，向簇射頭16施加特定之直流電壓。
以自處理容器1之側壁延伸至較簇射頭16之高度位置更上方之方式設有圓筒狀之接地導體1a。該圓筒狀之接地導體1a於其上部具有頂壁。
於處理容器1之底部形成有排氣口81。於排氣口81經由排氣管82連接有排氣裝置83。排氣裝置83具有真空泵，藉由使該真空泵進行動作，將處理容器1內減壓至特定之真空度。於處理容器1內之側壁設有晶圓W之搬入搬出口84，於搬入搬出口84設有使該搬入搬出口84開閉之閘閥85。
於處理容器1之側部內側，沿內壁面設有積存物遮罩86。積存物遮罩86防止蝕刻副產物(堆積物)附著於處理容器1。於該積存物遮罩86之與晶圓W大致相同之高度位置，設有可控制對地電位地連接之導電性構件(GND區塊)89，藉此防止異常放電。又，於積存物遮罩86之下端部設有沿內壁構件3a延伸之積存物遮罩87。積存物遮罩86、87裝卸自如。
上述構成之電漿處理裝置100係藉由控制部90統括地控制其動作。於該控制部90設有控制電漿處理裝置100之各部之CPU(Central Processing Unit，中央處理器)91、介面92及記憶體93。
介面92包括工程管理者為管理電漿處理裝置100而進行指令輸入操作之鍵盤或對電漿處理裝置100之運轉狀況進行可視化顯示之顯示器等。
記憶體93中存儲有用以利用CPU91之控制實現電漿處理裝置100所執行之各種處理之控制程式(軟體)或記憶有處理條件資料等之製程配方。並且，視需要藉由依據對應於來自介面92之輸入操作之指示等自記憶體93叫出任意製程配方並使CPU91執行，而於CPU91之控制下，藉由電漿處理裝置100進行所期望之處理。又，控制程式或處理條件資料等之製程配方可利用存儲於電腦可讀取之電腦記憶媒體(例如硬碟、CD(Compact Disc，光碟)、軟碟、半導體記憶體等)等之狀態者，或可例如經由專用線路隨時自其他裝置傳輸，在線使用。
[載置台之構成] 繼而，參照圖2，對載置台2之構成之一例進行說明。圖2係表示本實施形態之載置台2之概略剖視圖。如上所述，載置台2具有基台2a及靜電吸盤6。載置台2中，靜電吸盤6係圓板狀，具有用以載置同為圓板狀之晶圓W之載置面21及與載置面21對向之背面22。基台2a接合於靜電吸盤6之背面22。
於載置面21形成有氣體供給管210之端部(氣孔)。氣體供給管210形成貫通孔210a及貫通孔210b，對晶圓W之背面供給氦氣等傳熱氣體。貫通孔210a以自靜電吸盤6之背面22貫通至載置面21之方式設置。即，貫通孔210a之內壁係藉由靜電吸盤6形成。另一方面，貫通孔210b以自基台2a之背面貫通至其與靜電吸盤6之接合面之方式設置。即，貫通孔210b之內壁係藉由基台2a形成。
再者，貫通孔210a係貫通載置晶圓W之載置面21及與載置面21相對之背面22之第1通孔之一例，貫通孔210b係形成於基台2a之與第1通孔連通之第2通孔之一例。又，靜電吸盤6係形成有第1通孔之板狀構件之一例。其中，形成有第1通孔之板狀構件亦可不具備靜電吸盤6之功能。
貫通孔210a具有階差部，且較階差部更上之孔徑小於較階差部更下之孔徑。又，貫通孔210b之孔徑與貫通孔210a之較階差部更下之孔徑相同。並且，貫通孔210a及貫通孔210b例如係以於常溫下位置一致之方式形成。於氣體供給管210配置有以氧化鋁形成之氣體用套筒203。亦可於氣體供給管210之內壁設置間隔件。
[嵌入構件] 於氣體供給管210之內部配置有嵌入構件219。具體而言，於貫通孔210a及貫通孔210b之內部分別對應配置有第1嵌入構件221及第2嵌入構件220。
第1嵌入構件221之厚度與靜電吸盤6之厚度相同。其中，第1嵌入構件221之厚度亦可小於靜電吸盤6之厚度。於第1嵌入構件221形成有階差部221a。第1嵌入構件221之較階差部221a更上之直徑小於較階差部221a更下之直徑，第1嵌入構件221之縱截面呈凸狀。
第1嵌入構件221係藉由具有耐電漿性之陶瓷等材質形成。例如，第1嵌入構件221亦可藉由石英、碳化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化釔、氧化鈦、碳化鎢之任一者形成。又，第1嵌入構件221亦可藉由耐電漿性較低之材質形成。例如，耐電漿性較低之材質亦可藉由矽、鎢、鈦、矽酮、鐵氟龍(註冊商標)、彈性體、氟樹脂之任一者形成。
第2嵌入構件220係配置於第1嵌入構件221之下方。第2嵌入構件220係例如以氧化鋁形成。於第2嵌入構件220之上端部之周緣設有切口220a。切口220a係形成於第2嵌入構件220之上端部之周緣部之凹部之一例。
第1嵌入構件221之直徑小於貫通孔210a之孔徑。第2嵌入構件220之直徑小於貫通孔210b之孔徑。藉此，第1嵌入構件221及第2嵌入構件220係與氣體供給管210之內壁之間設置特定之間隔而配置，從而於貫通孔210a及貫通孔210b之內部設置傳熱氣體路徑。
進而，藉由第2嵌入構件220之上端部之切口220a，即便於第1嵌入構件221與第2嵌入構件220在橫向上錯開之情形時，亦可確保傳熱氣體路徑使傳熱氣體充分流動。但，若不必要地加大切口220a之寬度，則有產生異常放電之虞，因此切口220a之寬度只要為即便於第1嵌入構件221與第2嵌入構件220在橫向上錯開之情形時亦可確保傳熱氣體路徑之程度之寬度即可。又，切口220a可遍及全周形成，亦可形成為半月狀或扇狀。
且說，關於電漿處理裝置100，使對載置台2施加之高頻電力高電壓化。於載置台2施加之高頻電力已被高電壓化之情形時，有時於貫通孔210a附近會產生異常放電。
即，於電漿處理裝置100中，若對載置台2施加高頻電力，則靜電吸盤6之靜電電容會導致於晶圓W與靜電吸盤6之背面22之間產生電位差。藉此，若貫通孔210a內產生之RF電位之電位差超過產生放電之臨界值，則會產生異常放電。
另一方面，經驗上已知藉由縮短貫通孔210a之內部之傳熱氣體之荷電粒子的可直進距離，可防止異常放電之產生。於是，於本實施形態中，於氣體供給管210之內部配置嵌入構件219，防止異常放電產生。以下，對比較例之嵌入構件300之構造上之問題進行說明後，對本實施形態之嵌入構件219之構造進行說明。
[比較例之嵌入構件之破損] 參照圖3，說明比較例之嵌入構件300之破損之一例。比較例之嵌入構件300係與氣體供給管210之內壁之間設置特定之間隔而配置。
貫通孔210a中之異常放電可藉由縮小嵌入構件300與貫通孔210a之間之間隔而防止。又，貫通孔210a中之異常放電亦可藉由縮短傳熱氣體路徑之直線部分而防止。其原因在於，藉此，傳熱氣體中之電子可降低能量。於是，如圖3之上側圖所示，考慮將貫通孔210b之直徑形成為大於貫通孔210a之直徑，又，將嵌入構件300之對應於貫通孔210b之部分形成為粗於對應於貫通孔210a之部分。
然而，於此種情形下，有時嵌入構件300會發生破損。例如，於已進行電漿處理之情形時，載置台2之溫度達到例如100℃至200℃之高溫。靜電吸盤6係以陶瓷形成，基台2a係以金屬形成，線熱膨脹係數不同。因此，若靜電吸盤6及基台2a之溫度達到高溫，則如圖3之下側圖中之一例所示，靜電吸盤6與基台2a之熱膨脹差使貫通孔210a與貫通孔210b之間產生錯位。於此種情形下，來自基台2a之剪應力施加於嵌入構件300。結果，存在嵌入構件300之對應於貫通孔210a之部分與靜電吸盤6接觸而使嵌入構件300破損之情況。
[本實施形態之嵌入構件] (防止嵌入構件之破損) 對此，如圖4之上側圖所示，於本實施形態之嵌入構件219中，為避免因熱膨脹導致破損之危險，配置於第2嵌入構件220上之第1嵌入構件221係成為未固定於第2嵌入構件220之構成。藉由該構成，如圖4之下側圖中之一例所示，於發生熱膨脹導致之貫通孔210a與貫通孔210b之錯位之情形時，來自基台2a之剪應力施加於嵌入構件219。此種情形下，於本實施形態中，可防止因第2嵌入構件220自第1嵌入構件221錯開導致嵌入構件219破損。
又，藉由第2嵌入構件220之切口220a，即便於第1嵌入構件221與第2嵌入構件220錯開之狀態下，亦可確保氣體供給管210內之傳熱氣體路徑。藉此，可對晶圓W之背面充分供給傳熱氣體。
(防止嵌入構件之飛散) 於藉由圖1所示之排氣裝置83將處理容器1之內部抽真空之時，配置有嵌入構件219之氣體供給管210之內部亦於處理空間側被抽真空。此時，若晶圓W未載置於靜電吸盤6，則有第1嵌入構件221因未固定於第2嵌入構件220而自貫通孔210a向靜電吸盤6上方之處理空間飛出之虞。
對此，本實施形態之第1嵌入構件221具有階差部221a，成為階差部221a下方之直徑大於階差部221a上方之直徑之形狀。藉此，可於對處理容器1內進行抽真空之情形時或於對晶圓W之背面供給傳熱氣體時，防止第1嵌入構件221向處理空間飛散。
再者，第1嵌入構件221並不限於凸狀，只要如以上所述，為於第1嵌入構件221之下側具有寬度大於上端部之寬度之部分之形狀即可。藉由該形狀，可防止第1嵌入構件221自氣體供給管210飛出。
[載置台之製造方法] 繼而，參照圖5，對本實施形態之載置台2之製造方法之一例進行說明。圖5係表示本實施形態之載置台2之製造方法之一例之圖。於本製造方法中，如圖5(a)所示，首先，使貫通靜電吸盤6之貫通孔210a與貫通基台2a之貫通孔210b之位置對準，形成貫通載置台2之氣體供給管210。氣體供給管210係於載置台2之特定位置形成12～18個左右。再者，貫通孔210b係藉由配置以氧化鋁形成之氣體用套筒203而形成。
本實施形態中，於第1嵌入構件221之下端部形成有向下側突出之棒狀之凸部221b。準備將該凸部221b嵌入形成於第2嵌入構件220之上端部之凹部而成之嵌入構件219。本實施形態之第1嵌入構件221與第2嵌入構件220為不同個體。因此，藉由本製造方法，可準備使用形成於第1嵌入構件221之下端部之凸部221b，以使第1嵌入構件221與第2嵌入構件220之中心線O吻合之方式定位而成的嵌入構件219。
繼而，如圖5(b)所示，將嵌入構件219***貫通孔210a及貫通孔210b。嵌入構件219係以於其與貫通孔210a及貫通孔210b之間具有成為傳熱氣體路徑之特定間隙之方式配置於氣體供給管210之內部。藉此，將第1嵌入構件221配置於貫通孔210a，將第2嵌入構件220配置於貫通孔210b。
如上所述，進行電漿處理時，載置台2之溫度達到例如100℃至200℃之高溫。當載置台2之溫度達到高溫時，因靜電吸盤6及基台2a之熱膨脹差，貫通孔210a與貫通孔210b會產生錯位。
此種情形下，若來自基台2a之剪應力施加於嵌入構件219，則第2嵌入構件220自第1嵌入構件221錯開，凸部221b自第1嵌入構件221斷離。結果，如圖5(c)所示，第1嵌入構件221及第2嵌入構件220成為未相互固定之狀態。藉由該構成，根據本實施形態之載置台2之製造方法，可以即便熱膨脹導致貫通孔210a與貫通孔210b之錯位嵌入構件219亦不會破損之方式製造載置台2。
其中，雖於該製造方法中列舉凸部221b自第1嵌入構件221斷離之例進行了說明，但並不限於此，例如亦可不使凸部221b自第1嵌入構件221斷離。又，凸部221b亦可以樹脂等可變形之柔軟構件形成，使其根據熱膨脹引起之貫通孔210a與貫通孔210b之位置偏差變形。藉此，亦可以嵌入構件219不會破損之方式製造載置台2。
又，凸部221b只要可於第1嵌入構件221與第2嵌入構件220之定位及製造時暫時固定即可，亦可於第1嵌入構件221之下表面之任一位置設置1個或複數個。又，凸部221b不限於棒狀，亦可為螺絲狀等。
[變化例] 最後，參照圖6對本實施形態之第1嵌入構件221之變化例進行說明。圖6係表示本實施形態之第1嵌入構件221之變化例之圖。第1嵌入構件221亦可為凸形狀、越靠近下端部寬度越大之形狀、於上端部與下端部之間具有寬度最大之部分之形狀、及於上端部與下端部之間具有寬度最小之部分之形狀(例如，上端部與下端部平坦之葫蘆狀)之任一者。
圖6(a)所示之第1嵌入構件221係越靠近下端部寬度越大之形狀之一例，第1嵌入構件221之縱剖面係大致三角形(上端部平坦)之圓錐狀。
圖6(b)所示之第1嵌入構件221係於上端部與下端部之間具有寬度最大之部分之形狀之一例，第1嵌入構件221之縱剖面係大致菱形(上下端部平坦)之形狀。
圖6(c)所示之第1嵌入構件221係於上端部與下端部之間有凹陷，第1嵌入構件221之縱截面係上端部與下端部平坦之葫蘆狀。
圖6(a)～圖6(c)所示之第1嵌入構件221均為於下側具有寬度大於上端部之寬度之部分之第1嵌入構件221之一例，第1嵌入構件221只要為於下側具有寬度大於上端部之寬度之部分之形狀，便不限於此。
電漿處理裝置100亦可為具有藉由圖5所示之製造方法製造而成之載置台2之電漿處理裝置。根據本實施形態之電漿處理裝置100及載置台2之製造方法，第1嵌入構件221不會飛散，並且可防止嵌入構件219之破損。
又，藉由於氣體供給管210配置嵌入構件219，可對晶圓W之背面充分供給傳熱氣體，同時防止施加至基台2a之高頻之電力導致於貫通孔210a中產生異常放電。
以上，藉由上述實施形態對電漿處理裝置及載置台之製造方法進行了說明，但本發明之電漿處理裝置及載置台之製造方法並不受上述實施形態限制，可於本發明之範圍內進行多種變化及改良。上述複數個實施形態中所記載之事項可於互不矛盾之範圍內組合。
本發明之電漿處理裝置對於Capacitively Coupled Plasma(CCP，電容耦合電漿)、Inductively Coupled Plasma(ICP，感應耦合電漿)、Radial Line Slot Antenna(徑向線隙縫天線)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR，電子回旋共振電漿)、Helicon Wave Plasma(HWP，螺旋波電漿)之任一類型均適用。
又，於本說明書中，列舉晶圓W作為利用電漿處理裝置進行處理之被處理體之一例進行說明。然而，被處理體並不限於此，亦可為LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)中所使用的各種基板、CD基板、印刷基板等。
1‧‧‧處理容器 1a‧‧‧接地導體 2‧‧‧載置台 2a‧‧‧基台 2b‧‧‧冷媒入口管 2c‧‧‧冷媒出口管 2d‧‧‧冷媒流路 3‧‧‧支持構件 3a‧‧‧內壁構件 4‧‧‧支持台 5‧‧‧聚焦環 6‧‧‧靜電吸盤 6a‧‧‧電極 6b‧‧‧絕緣體 6c‧‧‧導電膜 6d‧‧‧筒狀構件 10a‧‧‧第1RF電源 10b‧‧‧第2RF電源 11a‧‧‧整合器 11b‧‧‧整合器 12‧‧‧直流電源 15‧‧‧氣體導入口 15a‧‧‧氣體供給配管 15b‧‧‧質量流量控制器 16‧‧‧簇射頭 16a‧‧‧本體部 16b‧‧‧上部頂板 16c‧‧‧氣體擴散室 16d‧‧‧氣體流通孔 16e‧‧‧氣體導入孔 16g‧‧‧氣體導入口 21‧‧‧載置面 22‧‧‧背面 31‧‧‧傳熱氣體供給部 61‧‧‧升降銷 62‧‧‧驅動機構 71‧‧‧低通濾波器 72‧‧‧可變直流電源 73‧‧‧導通斷開開關 81‧‧‧排氣口 82‧‧‧排氣管 83‧‧‧排氣裝置 84‧‧‧搬入搬出口 85‧‧‧閘閥 86‧‧‧積存物遮罩 87‧‧‧積存物遮罩 89‧‧‧導電性構件 90‧‧‧控制部 91‧‧‧CPU 92‧‧‧介面 93‧‧‧記憶體 95‧‧‧絕緣性構件 100‧‧‧電漿處理裝置 200‧‧‧貫通孔 203‧‧‧套筒 210‧‧‧氣體供給管 210a‧‧‧貫通孔 210b‧‧‧貫通孔 219‧‧‧嵌入構件 220‧‧‧第2嵌入構件 220a‧‧‧切口 221‧‧‧第1嵌入構件 221a‧‧‧階差部 221b‧‧‧凸部 300‧‧‧嵌入構件 V2‧‧‧開關閥 W‧‧‧晶圓
圖1係表示一實施形態之電漿處理裝置之構成之一例的概略剖視圖。 圖2係表示一實施形態之載置台之概略剖視圖。 圖3係表示比較例之嵌入構件之破損之一例之圖。 圖4係表示一實施形態之嵌入構件之一例之圖。 圖5(a)～(c)係表示一實施形態之載置台之製造方法之一例之圖。 圖6(a)～(c)係表示一實施形態之第1嵌入構件之變化例之圖。
2‧‧‧載置台
2a‧‧‧基台
5‧‧‧聚焦環
6‧‧‧靜電吸盤
6a‧‧‧電極
6b‧‧‧絕緣體
21‧‧‧載置面
22‧‧‧背面
203‧‧‧套筒
210‧‧‧氣體供給管
210a‧‧‧貫通孔
210b‧‧‧貫通孔
219‧‧‧嵌入構件
220‧‧‧第2嵌入構件
220a‧‧‧切口
221‧‧‧第1嵌入構件
221a‧‧‧階差部
W‧‧‧晶圓

Claims (8)

  1. 一種電漿處理裝置，其具備： 載置台，其具有板狀構件及基台，該板狀構件具有載置被處理體之載置面及與上述載置面相對之背面，並形成有貫通上述載置面與上述背面之第1通孔，該基台具有支持上述板狀構件之支持面，並形成有與上述第1通孔連通之第2通孔；以及 嵌入構件，其係配置於上述第1通孔及上述第2通孔之內部；且 上述嵌入構件具有配置於上述第1通孔之第1嵌入構件及配置於上述第2通孔之第2嵌入構件， 上述第1嵌入構件及上述第2嵌入構件並未相互固定，且 上述第1嵌入構件於下側具有寬度寬於上端部之寬度之部分。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中 上述第1嵌入構件及上述第2嵌入構件係以使傳熱氣體路徑穿過上述第1通孔及上述第2通孔之內部之方式形成。
  3. 如請求項2之電漿處理裝置，其中 於上述第2嵌入構件之上端部之周緣形成有凹部。
  4. 如請求項1至3中任一項之電漿處理裝置，其中 上述第1嵌入構件之厚度係上述板狀構件之厚度以下。
  5. 如請求項1至3中任一項之電漿處理裝置，其中 上述第1嵌入構件係凸形狀、越靠近下端部寬度越大之形狀、於上端部與下端部之間具有寬度最大之部分之形狀、及於上端部與下端部之間具有寬度最小之部分之形狀之任一者。
  6. 如請求項4之電漿處理裝置，其中 上述第1嵌入構件係凸形狀、越靠近下端部寬度越大之形狀、於上端部與下端部之間具有寬度最大之部分之形狀、及於上端部與下端部之間具有寬度最小之部分之形狀之任一者。
  7. 一種載置台之製造方法，其係 準備嵌入構件，該嵌入構件係將形成於在下側具有寬度大於上端部之寬度之部分的第1嵌入構件之下端部之凸部嵌入形成於第2嵌入構件之上端部之凹部而成； 將上述嵌入構件***載置台，該載置台具有板狀構件及基台，該板狀構件具有載置被處理體之載置面及與上述載置面相對之背面，並形成有貫通上述載置面與上述背面之第1通孔，該基台具有支持上述板狀構件之支持面，並形成有與上述第1通孔連通之第2通孔； 將上述嵌入構件以於上述第1通孔及上述第2通孔之內部設置傳熱氣體路徑之方式配置； 配置上述嵌入構件後，藉由來自上述載置台之應力，使上述凸部自上述第1嵌入構件斷離，使上述第1嵌入構件及上述第2嵌入構件成為未相互固定之狀態。
  8. 一種電漿處理裝置，其具有藉由如請求項7之載置台之製造方法所製造之上述載置台。
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