TW202102868A - 檢查裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是實現一種檢查裝置，前述檢查裝置可以在不導致檢查裝置之無謂的大型化、及檢查速度之無謂的低速化的情形下，有效率地實施不同的環境下的元件的試驗。一種檢查裝置，具備有：第1分度工作台；第2分度工作台；及臂，在第1分度工作台與第2分度工作台之間移載元件。可在第1分度工作台實施室溫環境下的試驗，且可在第2分度工作台實施高溫環境下的試驗。

Description

檢查裝置
本發明是有關於進行半導體元件等之元件的檢查的檢查裝置。特別是有關於在條件不同之2個以上的各個環境中，進行元件的檢查的檢查裝置。
在半導體元件的檢查中，會有要求實施靜態特性試驗及動態特性試驗之各種試驗的情形。在專利文獻1中，揭示有進行像這樣的試驗的檢查裝置。又，在半導體元件的檢查中，會有要求針對室溫環境及高溫環境之各個環境來實施試驗的情形。在專利文獻2~3中，揭示有進行像這樣的試驗的檢查裝置。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本公開專利公報「特開2016-206150號」 專利文獻2：日本公開專利公報「特開昭58-39021號」 專利文獻3：日本公開專利公報「特開平4-23446號」
發明欲解決之課題
在室溫環境及高溫環境之各種環境中實施半導體元件的靜態特性試驗及動態特性試驗的情況下，是將半導體元件的搬送路徑Q構成為如例如圖15。
可以藉由使用圖15所示的搬送路徑Q，而依序實施以下試驗：(1)室溫環境下的動態特性試驗、(2)高溫環境下的動態特性試驗、(3)高溫環境下的靜態特性試驗、(4)室溫環境下的靜態特性試驗。在圖15所示的搬送路徑Q中，是將半導體元件如以下地搬送。
首先，未檢查的半導體元件是在位置Q11供給至第1來回移動式工作台51。
接著，半導體元件是藉由第1來回移動式工作台51而沿著工作台內搬送路徑Q1進行：(1)從位置Q11往位置Q12搬送、(2)從位置Q12往位置Q11搬送。可在位置Q12實施室溫環境下的動態特性試驗。
之後，半導體元件是藉由第1臂55而沿著工作台間搬送路徑Q5進行：從第1來回移動式工作台51往第2來回移動式工作台52移載。
接著，半導體元件是藉由第2來回移動式工作台52而沿著工作台內搬送路徑Q2進行：(1)從位置Q21往位置Q22搬送、(2)從位置Q22往位置Q21搬送。可在位置Q22實施高溫環境下的動態特性試驗。
之後，半導體元件是藉由第2臂56而沿著工作台間搬送路徑Q6進行：從第2來回移動式工作台52往第3來回移動式工作台53移載。
接著，半導體元件是藉由第3來回移動式工作台53而沿著工作台內搬送路徑Q3進行：(1)從位置Q31往位置Q32搬送、(2)從位置Q32往位置Q31搬送。可在位置Q32實施高溫環境下的靜態特性試驗。
之後，半導體元件是藉由第3臂57而沿著工作台間搬送路徑Q7進行：從第3來回移動式工作台53往第4來回移動式工作台54移載。
接著，半導體元件是藉由第4來回移動式工作台54而沿著工作台內搬送路徑Q4進行：(1)從位置Q41往位置Q42搬送、(2)從位置Q42往位置Q41搬送。可在位置Q42實施室溫環境下的靜態特性試驗。
最後，檢查完畢的半導體元件是在位置Q41從第4來回移動式工作台54被回收。
如以上地構成的搬送路徑Q包含有工作台間搬送路徑Q5~Q7。必須使作為室溫試驗工作站而發揮功能的來回移動式工作台51、54、與作為高溫試驗工作站而發揮功能的來回移動式工作台52、53充分地分開。因此，必須將工作台間搬送路徑Q5~Q7之各個路徑的路徑長度設得充分地長。從而，無法避免檢查裝置的大型化、及檢查速度的低速化。特別是，如以上地構成的搬送路徑Q包含有3個工作台間搬送路徑Q5~Q7。因此，檢查裝置的大型化、及檢查速度的低速化會變得更加嚴重。
再者，在此，雖然是針對在溫度條件不同的環境下實施試驗時所產生的問題進行了說明，但是在溫度條件以外的條件(例如濕度條件或氣體環境條件等)不同的環境下實施試驗時，也會產生同樣的問題。又，在此，雖然是針對實施半導體元件的試驗時所產生的問題進行了說明，但是在實施半導體元件以外的元件的試驗時，也會產生同樣的問題。亦即，上述問題可以概括為在任意之條件不同的環境下實施任意之元件的試驗時可能會產生的問題。
本發明的一態樣是有鑒於上述問題而作成的發明，目的在於實現以下之檢查裝置：可以在不導致檢查裝置之無謂的大型化、及檢查速度之無謂的低速化的情形下，有效率地實施不同的環境下的元件的試驗。 用以解決課題之手段 為了解決上述課題，本發明的一態樣之檢查裝置具備有：第1分度工作台；第2分度工作台；臂，進行在前述第1分度工作台與前述第2分度工作台之間移載元件的元件移載動作；第1試驗裝置，對已載置於前述第1分度工作台的元件實施第1環境下的試驗；及第2試驗裝置，對已載置於前述第2分度工作台的元件實施和前述第1環境不同的第2環境下的試驗。 發明效果
根據本發明的一態樣，可以實現以下之檢查裝置：在不導致檢查裝置之無謂的大型化、及檢查速度之無謂的低速化的情形下，有效率地實施不同的環境下的元件的試驗。
用以實施發明之形態
[檢查裝置的概略構成] 參照圖1來說明本發明之一實施形態的檢查裝置1的概略構成。圖1是顯示檢查裝置1的概略構成的立體圖。
檢查裝置1是用於實施半導體元件(申請專利範圍中的「元件」之一例)在室溫環境(申請專利範圍中的「第1環境」之一例)及高溫環境(申請專利範圍中的「第2環境」之一例)下的靜態特性試驗及動態特性試驗的裝置。在此，高溫環境是指溫度比室溫環境更高的環境。
如圖1所示，檢查裝置1具備有第1分度工作台11、第2分度工作台12、臂13、安裝座回收/供給單元14、第1試驗裝置15、第2試驗裝置16、第3試驗裝置17、及第4試驗裝置18。
第1分度工作台11是用於沿著圓形的工作台內搬送路徑P1來搬送已被載置的半導體元件之裝置。工作台內搬送路徑P1是申請專利範圍中的「第1搬送路徑」之一例。在第1分度工作台11中設置有隔著可更換的安裝座來載置元件的元件載置區域。在工作台內搬送路徑P1上等間隔地設定有4個位置P11~P14。特別地，第3位置P13在工作台內搬送路徑P1上是設定在最接近於第2分度工作台12的位置。第1分度工作台11是藉由在俯視視角下朝順時針方向旋轉90°而進行：(1)將位於第1位置P11之半導體元件搬送至第2位置P12、(2)將位於第2位置P12之半導體元件搬送至第3位置P13、(3)將位於第3位置P13之半導體元件搬送至第4位置P14、(4)將位於第4位置P14之半導體元件搬送至第1位置P11。再者，工作台內搬送路徑P1上的第3位置P13是申請專利範圍中的「第1位置」之一例。
在本實施形態中，第1分度工作台11是作為用於實施室溫環境下的靜態特性試驗及動態特性試驗的室溫試驗工作站而發揮功能。作為室溫環境的例子，是列舉可將半導體元件的溫度設為20℃以上且30℃以下的環境。檢查裝置1在大多數的情況下是設置在無塵室內。無塵室內的室溫作為一例是設定為25℃，且在大多數的情況下實際的室溫是成為20℃以上且30℃以下。其結果，已載置於第1分度工作台11的半導體元件的溫度也成為20℃以上且30℃以下。針對第1分度工作台11的詳細內容，將交換參照的圖式並於後文描述。
第2分度工作台12是用於沿著圓形的工作台內搬送路徑P2來搬送已被載置的半導體元件之裝置。工作台內搬送路徑P2是申請專利範圍中的「第2搬送路徑」之一例。在第2分度工作台12中設置有隔著可更換的安裝座來載置元件的元件載置區域、與載置預備安裝座的安裝座載置區域。在工作台內搬送路徑P2上設定有4個位置P21~P24。特別地，第1位置P21在工作台內搬送路徑P2中是設定在最接近於第1分度工作台11的位置。第2分度工作台12是藉由在俯視視角下朝順時針方向旋轉90°而進行：(1)將位於第1位置P21的半導體元件搬送至第2位置P22、(2)將位於第2位置P22的半導體元件搬送至第3位置P23、(3)將位於第3位置P23的半導體元件搬送至第4位置P24、(4)將位於第4位置P24的半導體元件搬送至第1位置P21。再者，工作台內搬送路徑P2上的第1位置P21是申請專利範圍中的「第2位置」之一例。
在本實施形態中，第2分度工作台12是作為用於實施高溫環境下的靜態特性試驗及動態特性試驗的高溫試驗工作站而發揮功能。作為高溫環境的例子，是列舉可將半導體元件的溫度設為50℃以上且300℃以下的環境。針對第2分度工作台12的詳細內容，將交換參照的圖式並於後文描述。
臂13為T字型的旋繞臂，且具有2個元件吸附頭13a、13b、與1個安裝座吸附頭13c。臂13是使用元件吸附頭13a、13b來進行元件移載動作。在此，元件移載動作是指使用2個元件吸附頭13a~13b的其中一個，將已載置於第1分度工作台11的半導體元件移載至第2分度工作台12，且與此同時使用2個元件吸附頭13a~13b的另一個，將已載置於第2分度工作台12之半導體元件移載至第1分度工作台11的動作。又，臂13是使用2個元件吸附頭13a~13b的其中一個來進行元件回收動作。在此，元件回收動作是指從第1分度工作台11或第2分度工作台12回收已在試驗中判明為不良品的元件之動作。又，臂13是使用安裝座吸附頭13c來進行安裝座回收動作。在此，安裝座回收動作是指從第1分度工作台11或第2分度工作台12回收載置有已在試驗中判明為不良品的元件的安裝座之動作。又，臂13是使用安裝座吸附頭13c來進行安裝座裝設動作。在此，安裝座裝設動作是指將從第2分度工作台12或後述的安裝座回收/供給單元14所取得的預備安裝座，裝設到第1分度工作台11或第2分度工作台12之動作。再者，針對臂13的詳細內容，將交換參照的圖式並於後文描述。
安裝座回收/供給單元14是用於回收載置有已在試驗中判明為不良品的元件之安裝座，並且供給和該安裝座更換的預備安裝座之單元。
第1試驗裝置15是用於對已載置於第1分度工作台11之半導體元件實施室溫環境下的動態特性試驗之裝置。在本實施形態中，由第1試驗裝置15所進行之半導體元件的動態特性試驗，是在第1工作台內搬送路徑P1的第2位置P12進行。
第2試驗裝置16是用於對已載置於第2分度工作台12之半導體元件實施高溫環境下的動態特性試驗之裝置。在本實施形態中，由第2試驗裝置16所進行之半導體元件的動態特性試驗，是在第2工作台內搬送路徑P2的第2位置P22進行。
第3試驗裝置17是用於對已載置於第2分度工作台12之半導體元件實施高溫環境下的靜態特性試驗之裝置。在本實施形態中，由第3試驗裝置17所進行之半導體元件的靜態特性試驗，是在第2工作台內搬送路徑P2的第4位置P24進行。
第4試驗裝置18是用於對已載置於第1分度工作台11之半導體元件實施室溫環境下的靜態特性試驗之裝置。在本實施形態中，由第4試驗裝置18所進行之半導體元件的靜態特性試驗，是在第1工作台內搬送路徑P1的第4位置P14進行。
再者，這些試驗裝置15~18可以藉由習知的構成(例如專利文獻1所揭示的構成)來實現。從而，在本說明書中，省略關於試驗裝置15~18的詳細內容之說明。
[半導體元件的搬送路徑] 參照圖2來說明檢查裝置1中的半導體元件的搬送路徑P。圖2是顯示搬送路徑P的構成的平面圖。
搬送路徑P是由第1工作台內搬送路徑P1、第2工作台內搬送路徑P2、及工作台間搬送路徑P3所構成。第1工作台內搬送路徑P1是藉由第1分度工作台11來搬送半導體元件的搬送路徑。第2工作台內搬送路徑P2是藉由第2分度工作台12來搬送半導體元件的搬送路徑。工作台間搬送路徑P3是藉由臂13來搬送(移載)半導體元件的搬送路徑。
在檢查裝置1中，是將半導體元件如以下地搬送。
首先，藉由元件供給單元(在圖1中未圖示)將未檢查的半導體元件供給至第1工作台內搬送路徑P1的第1位置P11。
接著，將已供給至第1工作台內搬送路徑P1的第1位置P11之半導體元件藉由第1分度工作台11沿著第1工作台內搬送路徑P1進行：(1)從第1位置P11往第2位置P12搬送、(2)從第2位置P12往第3位置P13搬送。
接著，將已搬送至第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13之半導體元件，藉由臂13而沿著工作台間搬送路徑P3搬送(移載)至第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21。
接著，將已搬送至第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21之半導體元件藉由第2分度工作台12沿著第2工作台內搬送路徑P2進行：(1)從第1位置P21搬送至第2位置P22、(2)從第2位置P22搬送至第3位置P23、(3)從第3位置P23搬送至第4位置P24、(4)從第4位置P24搬送至第1位置P21。
接著，將已搬送至第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21之半導體元件，藉由臂13而沿著工作台間搬送路徑P3搬送(移載)至第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13。
接著，將已搬送至第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13之半導體元件藉由第1分度工作台11沿著第1工作台內搬送路徑P1進行：(1)從第3位置P13往第4位置P14搬送、(2)從第4位置P14往第1位置P11搬送。
最後，將已搬送至第1工作台內搬送路徑P1的第1位置P11之檢查完畢的半導體元件，藉由元件回收單元(在圖1中未圖示)來回收。
在檢查裝置1中，是對如以上地被搬送的半導體元件，在室溫環境及高溫環境之各個環境中，實施動態特性試驗及靜態特性試驗之各個試驗。首先，在第1工作台內搬送路徑P1的第2位置P12上藉由試驗裝置15來實施室溫環境下的動態特性試驗。接著，在第2工作台內搬送路徑P2的第2位置P22上藉由第2試驗裝置16來實施高溫環境下的動態特性試驗。接著，在第2工作台內搬送路徑P2的第4位置P24上藉由第3試驗裝置17來實施高溫環境下的靜態特性試驗。最後，在第1工作台內搬送路徑P1的第4位置P14上藉由第4試驗裝置18來實施室溫環境下的靜態特性試驗。
包含於圖2所示之搬送路徑P的工作台間搬送路徑僅為工作台間搬送路徑P3。又，此工作台間搬送路徑P3的長度，可以設得比在來回移動式工作台間移載半導體元件的工作台間搬送路徑的長度短。從而，可以在不導致檢查裝置1之無謂的大型化及檢查速度之無謂的低速化的情形下，在室溫環境及高溫環境之各個環境中實施靜態特性試驗及動態特性試驗之各個實驗。
再者，亦可在第1工作台內搬送路徑P1的第1位置P11及第3位置P13、以及第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21及第3位置P23，進行半導體元件的圖像檢查。例如，在第1工作台內搬送路徑P1的第1位置P11的圖像檢查中，是未圖示的相機拍攝已載置於第1分度工作台11的半導體元件。並且，未圖示的控制器進行：(1)依據所拍攝到的圖像來計算半導體元件實際載置的位置與事先規定的基準位置之差，(2)依據所計算出之差來調整第1試驗裝置15的探針位置。藉此形成為：即使半導體元件從基準位置偏離而載置於第1分度工作台11，仍然可合宜地實施由第1試驗裝置15所進行之動態特性試驗。亦可在第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21、第2工作台內搬送路徑P2的第3位置P23、以及第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13，也進行同樣的圖像檢查。由於可以藉由實施這些圖像檢查，來分別調整第2試驗裝置16、第3試驗裝置17、及第4試驗裝置18的探針位置，因此可以得到和上述之圖像檢查同樣的效果。
[檢查方法的流程] 參照圖3來說明使用了檢查裝置1的檢查方法S100的流程。圖3是顯示檢查方法S100之流程的流程圖。再者，在圖3中，是將對各半導體元件DUTi(i＝1、2、3、…)依序適用的複數個工序橫向排列來顯示，並且將同時適用於複數個半導體元件DUT1、DUT2、DUT3、…的複數個工序縱向排列來顯示。
檢查方法S100是用於使用上述之檢查裝置1來試驗半導體元件在室溫環境及高溫環境下的靜態特性及動態特性之檢查方法。如圖3所示，檢查方法S100包含有供給/圖像檢查工序S101、搬送工序S102、室溫AC試驗工序S103、搬送工序S104、移載/圖像檢查工序S105、搬送工序S106、高溫AC試驗工序S107、搬送工序S108、圖像檢查工序S109、搬送工序S110、高溫DC試驗工序S111、搬送工序S112、移載/圖像檢查工序S113、搬送工序S114、室溫DC試驗工序S115、搬送工序S116、及回收工序S117。
供給/圖像檢查工序S101是以下之工序：在第1工作台內搬送路徑P1的第1位置P11上，使用元件供給單元來供給半導體元件DUT1。又，在本工序中，是在第1工作台內搬送路徑P1的第1位置P11進行對已載置於第1分度工作台11的半導體元件DUT1的圖像檢查，並且因應於其結果來調整第1試驗裝置15的探針位置。
搬送工序S102是以下之工序：藉由使第1分度工作台11旋轉90°，而將已載置於第1分度工作台11的半導體元件DUT1沿著第1工作台內搬送路徑P1從第1位置P11往第2位置P12搬送。
室溫AC(動態特性)試驗工序S103是以下之工序：使用第1試驗裝置15來對已搬送到第1工作台內搬送路徑P1的第2位置P12之半導體元件DUT1實施室溫環境下的動態特性試驗。
搬送工序S104是以下之工序：藉由使第1分度工作台11旋轉90°，而將已載置於第1分度工作台11之半導體元件DUT1沿著第1工作台內搬送路徑P1從第2位置P12往第3位置P13搬送。
移載/圖像檢查工序S105是以下之工序：使用臂13將已搬送到第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13之半導體元件DUT1移載至第2分度工作台12。又，在本工序中，是在第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21進行對已移載到第2分度工作台12之半導體元件DUT1的圖像檢查。因應於圖像檢查的結果來調整第2試驗裝置16的探針位置。
搬送工序S106是以下之工序：藉由使第2分度工作台12旋轉90°，而將已載置於第2分度工作台12之半導體元件DUT1沿著第2工作台內搬送路徑P2從第1位置P21搬送至第2位置P22。
高溫AC試驗工序S107是以下之工序：使用第2試驗裝置16來對已搬送到第2工作台內搬送路徑P2的第2位置P22之半導體元件DUT1實施高溫環境下的動態特性試驗。
搬送工序S108是以下之工序：藉由使第2分度工作台12旋轉90°，而將已載置於第2分度工作台12之半導體元件DUT1沿著第2工作台內搬送路徑P2從第2位置P22搬送至第3位置P23。
圖像檢查工序S109是以下之工序：在第2工作台內搬送路徑P2的第3位置P23進行對已載置於第2分度工作台12之半導體元件DUT1的圖像檢查。又，在圖像檢查工序S109中，是因應於該圖像檢查的結果來調整第3試驗裝置17的探針位置。
搬送工序S110是使第2分度工作台12旋轉90°之工序。藉由實施搬送工序S110，可將已載置於第2分度工作台12之半導體元件DUT1沿著第2工作台內搬送路徑P2從第3位置P23搬送至第4位置P24。
高溫DC(靜態特性)試驗工序S111是以下之工序：使用第3試驗裝置17來對已搬送到第2工作台內搬送路徑P2的第4位置P24之半導體元件DUT1實施高溫環境下的靜態特性試驗。
搬送工序S112是以下之工序：藉由使第2分度工作台12旋轉90°，而將已載置於第2分度工作台12之半導體元件DUT1沿著第2工作台內搬送路徑P2從第4位置P24搬送至第1位置P21。
移載/圖像檢查工序S113是以下之工序：使用臂13將已搬送到第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21之半導體元件DUT1移載至第1分度工作台11。又，在本工序中，是在第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13進行對已移載到第1分度工作台11之半導體元件DUT1的圖像檢查。又，在本工序中，是因應於該圖像檢查的結果來調整第4試驗裝置18的探針位置。
搬送工序S114是使第1分度工作台11旋轉90°之工序。藉由實施搬送工序S114，可將已載置於第1分度工作台11之半導體元件DUT1沿著第1工作台內搬送路徑P1從第3位置P13搬送至第4位置P14。
室溫DC試驗工序S115是以下之工序：使用第4試驗裝置18來對已搬送到第1工作台內搬送路徑P1的第4位置P14之半導體元件DUT1實施室溫環境下的靜態特性試驗。
搬送工序S116是使第1分度工作台11旋轉90°之工序。藉由實施搬送工序S116，可將已載置於第1分度工作台11之半導體元件DUT1沿著第1工作台內搬送路徑P1從第4位置P14搬送至第1位置P11。
回收工序S117是以下之工序：在第1工作台內搬送路徑P1的第1位置P11，使用元件回收單元來回收半導體元件DUT1。
再者，上述之工序S101~S117是對複數個半導體元件DUT1、DUT2、DUT3、…同時並行地實施。例如，可和實施對第1個半導體元件DUT1的移載/圖像檢查工序S105同時地，實施對第2個半導體元件DUT2的室溫AC試驗工序S103，並實施對第3個半導體元件DUT3的供給/圖像檢查工序S101。又，可和實施對第1個半導體元件DUT1的搬送工序S106同時地，實施對第2個半導體元件DUT2的搬送工序S104，並實施對於第3個半導體元件DUT3的搬送工序S102。
[分度工作台的構成] 參照圖4~7來說明檢查裝置1所具備的第1分度工作台11及第2分度工作台12的構成。圖4是第1分度工作台11的平面圖，圖5是第1分度工作台11的局部截面圖，圖6是第2分度工作台12的平面圖，圖7是第2分度工作台12的局部截面圖。
如圖5所示，第1分度工作台11是藉由將耐熱絕緣樹脂板111、陶瓷板112、及階層塊(stage block)113依這樣的順序來積層而構成。如圖4及圖5所示，在階層塊113的上表面設置有作為元件載置區域AD而發揮功能的凹部113a。在此凹部113a裝設有安裝座M，且可將半導體元件DUT載置於此安裝座M上。安裝座M是由具有導熱性及導電性的材料(例如金屬)所構成之板狀的構件。又，在階層塊113的內部設有供氣排氣路113b，前述供氣排氣路113b是將一端在凹部113a開放，且和設置在安裝座M的貫通孔相連通。此供氣排氣路113b是作為用於將半導體元件DUT吸附於安裝座M的氣體、以及用於使半導體元件DUT從安裝座M浮起的氣體之流路來利用。
如圖7所示，第2分度工作台12是藉由將耐熱絕緣樹脂板121、加熱塊(heater block)124、陶瓷板122、及階層塊123依這樣的順序來積層而構成。如圖6及圖7所示，在階層塊123的上表面設置有作為元件載置區域AD而發揮功能的凹部123a。可在此凹部123a裝設安裝座M，且可將半導體元件DUT載置於此安裝座M上。安裝座M是由具有導熱性及導電性的材料(例如金屬)所構成之板狀的構件。又，在階層塊123的內部設有供氣排氣路123b，前述供氣排氣路123b是將一端在凹部123a開放，且和設置在安裝座M的貫通孔相連通。此供氣排氣路123b是作為用於將半導體元件DUT吸附於安裝座M的氣體、以及用於使半導體元件DUT從安裝座M浮起的氣體之流路來利用。
在階層塊123的上表面更設置有作為安裝座載置區域AM而發揮功能的凹部。可在此凹部裝設預備安裝座M’。預備安裝座M’的尺寸及材質是和安裝座M的尺寸及材質相同，且安裝座M與預備安裝座M’是可更換的。
內置於第2分度工作台12的加熱塊124是利用在已載置於元件載置區域AD之半導體元件DUT的加熱上。藉此，變得可在不利用外部的熱源的情形下，實施半導體元件DUT之高溫環境下的試驗。又，內置於第2分度工作台12的加熱塊124也可利用在已載置於安裝座載置區域AM的預備安裝座M’的加熱上。藉此，變得可在不利用外部的熱源的情形下，將預備安裝座M’保持於高溫。亦即，形成為：在需要安裝座M的更換時，可不待機到預備安裝座M’達到高溫，便和預備安裝座M’更換。
[臂的構成] 參照圖8~10來說明檢查裝置1所具備的臂13的構成。在圖8~10中，圖8是臂13的平面圖，圖9是臂13所具備的元件吸附頭13a、13b的側面圖，圖10是臂13所具備的安裝座吸附頭13c的側面圖。
如圖8所示，臂13具有組合了3個直線部13A~13C的T字型的平面形狀。第1元件吸附頭13a是安裝在第1直線部13A的前端背面，前述第1直線部13A是從臂13的旋轉中心朝第1方向延伸。第2元件吸附頭13b是安裝在第2直線部13B的前端背面，前述第2直線部13B是從臂13的旋轉中心朝第1方向的相反方向延伸。安裝座吸附頭13c是安裝在第3直線部13C的前端背面，前述第3直線部13C是從臂13的旋轉中心朝第3方向延伸，且前述第3方向是正交於第1方向以及第1方向的相反方向即第2方向之雙方的方向。
如圖9所示，元件吸附頭13a、13b具有適合於半導體元件的吸附之構造。如圖10所示，安裝座吸附頭13c具有適合於安裝座的吸附之構造。由於可以利用習知的吸附墊來作為元件吸附頭13a、13b及安裝座吸附頭13c，因此在此省略其構造的詳細之說明。
再者，臂13也可構成為十字型。在此情況下，可以在臂13的第4直線部的前端背面安裝額外的頭部。
作為額外的頭部，可以列舉例如第3元件吸附頭。在此情況下，可考慮以下情形：將第1元件吸附頭13a及第2元件吸附頭13b利用於元件移載置，且將第3元件吸附頭利用於元件移動動作。藉此，變得毋須利用在元件回收動作中有受到損傷的可能性之第3元件吸附頭來進行元件移載動作。
又，作為額外的頭部，可以列舉例如送風頭。在此情況下，變得可利用從送風頭送風的氣體來例如去除附著於安裝座的異物。
[第1分度工作台中的安裝座更換方法] 設想以下情況：在室溫環境下實施的試驗中，已判明有隔著某個安裝座M而載置於第1分度工作台11的元件載置區域AD之半導體元件DUT為不良品。在像這樣的情況下，檢查裝置1具有將該安裝座M和藉由安裝座回收/供給單元14所供給的預備安裝座M’更換的功能。參照圖11來說明此安裝座更換方法S200的流程。圖11是顯示安裝座更換方法S200之流程的示意圖。
如圖11所示，安裝座更換方法S200包含有旋繞步驟S201、元件吸附步驟S202、旋繞步驟S203、安裝座吸附/元件吸附解除步驟S204、旋繞步驟S205、安裝座吸附解除步驟S206、預備安裝座吸附步驟S207、旋繞步驟S208、及預備安裝座吸附解除步驟S209。這些步驟S201~S209是在將元件載置區域AD配置在第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13的狀態下實施。
旋繞步驟S201是以下之步驟：臂13旋繞成元件吸附頭13a配置於第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13。
元件吸附步驟S202是以下之步驟：在第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13藉由元件吸附頭13a來吸附半導體元件DUT。
旋繞步驟S203是以下之步驟：臂13旋繞成元件吸附頭13a配置於預定的位置P0且安裝座吸附頭13c配置於第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13。
安裝座吸附/元件吸附解除步驟S204是以下之步驟：在第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13藉由安裝座吸附頭13c來吸附安裝座M，並且在預定的位置P0解除由元件吸附頭13a所進行之半導體元件DUT的吸附。再者，在預定的位置P0配置有元件回收托盤，且將半導體元件DUT容置於此元件回收托盤。
旋繞步驟S205是以下之步驟：臂13旋繞成安裝座吸附頭13c配置於前述預定的位置P0。
安裝座吸附解除步驟S206是以下之步驟：在預定的位置P0解除由安裝座吸附頭13c所進行之安裝座M的吸附。再者，在預定的位置P0上，配置有安裝座回收/供給單元14，安裝座M是被此安裝座回收/供給單元14所回收。
藉由以上的步驟S201~步驟S206，可實現從第1分度工作台11回收半導體元件DUT的元件回收動作、以及從第1分度工作台11回收安裝座M的安裝座回收動作。
預備安裝座吸附步驟S207是以下之步驟：安裝座吸附頭13c在預定的位置P0上吸附預備安裝座M’。再者，在預定的位置P0配置有安裝座回收/供給單元14，預備安裝座M’是由此安裝座回收/供給單元14所供給。
旋繞步驟S208是以下之步驟：臂13旋繞成安裝座吸附頭13c配置於第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13。
預備安裝座吸附解除步驟S209是以下之步驟：安裝座吸附頭13c在第1工作台內搬送路徑P1的第3位置P13解除預備安裝座M’的吸附。
藉由以上的步驟S207~S209，可實現將預備安裝座M’裝設到第1分度工作台11的預備安裝座裝設動作。
[第2分度工作台中的安裝座更換方法] 設想以下情況：在高溫環境下實施的試驗中，已判明有隔著某個安裝座M而載置於第2分度工作台12的元件載置區域AD的半導體元件DUT為不良品。在像這樣的情況下，檢查裝置1具有將該安裝座M和已載置於第2分度工作台12的安裝座載置區域AM的預備安裝座M’更換的功能。參照圖12來說明此安裝座更換方法S300之流程。圖12是顯示安裝座更換方法S300之流程的示意圖。
如圖12所示，安裝座更換方法S300包含有旋繞步驟S301、元件吸附步驟S302、旋繞步驟S303、安裝座吸附/元件吸附解除步驟S304、旋繞步驟S305、安裝座吸附解除步驟S306、旋繞步驟S307、預備安裝座吸附步驟S308、及預備安裝座吸附解除步驟S309。再者，步驟S301~S306是在將元件載置區域AD配置在第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21的狀態下實施。
旋繞步驟S301是以下之步驟：臂13旋繞成元件吸附頭13b配置於第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21。
元件吸附步驟S302是以下之步驟：在第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21藉由元件吸附頭13b來吸附半導體元件DUT。
旋繞步驟S303是以下之步驟：臂13旋繞成元件吸附頭13b配置於預定的位置P0且安裝座吸附頭13c配置於第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21。
安裝座吸附/元件吸附解除步驟S304是以下之步驟：在第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21藉由安裝座吸附頭13c來吸附安裝座M，並且在預定的位置P0解除由元件吸附頭13b所進行之半導體元件DUT的吸附。再者，在預定的位置P0配置有元件回收托盤，且將半導體元件DUT容置於此元件回收托盤。
旋繞步驟S305是以下之步驟：臂13旋繞成安裝座吸附頭13c配置於前述預定的位置P0。
安裝座吸附解除步驟S306是以下之步驟：在預定的位置P0解除由安裝座吸附頭13c所進行之安裝座M的吸附。再者，在預定的位置P0上，配置有安裝座回收/供給單元14，安裝座M是被此安裝座回收/供給單元14所回收。
藉由以上的步驟S301~步驟S306，可實現從第2分度工作台12回收半導體元件DUT的元件回收動作、以及從第2分度工作台12回收安裝座M的安裝座回收動作。
旋繞步驟S307是以下之步驟：臂13旋繞成安裝座吸附頭13c配置於第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21。
預備安裝座吸附步驟S308是以下之步驟：安裝座吸附頭13c在第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21吸附預備安裝座M’。預備安裝座吸附步驟S308是在藉由第2分度工作台12的旋轉，而實現將載置有預備安裝座M’的安裝座載置區域AM配置至第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21的狀態之後實施。
預備安裝座吸附解除步驟S309是以下之步驟：安裝座吸附頭13c在第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21解除預備安裝座M’的吸附。預備安裝座吸附解除步驟S309是在藉由第2分度工作台12的旋轉，而實現將原本載置有安裝座M的元件載置區域AD配置至第2工作台內搬送路徑P2的第1位置P21的狀態之後實施。
藉由以上的步驟S307~S309，可實現將預備安裝座M’裝設到第2分度工作台12的預備安裝座裝設動作。
[檢查裝置的變形例] 再者，在本實施形態中，雖然所採用的是在第1工作台內搬送路徑P1上的第2位置P12實施動態特性試驗，並且在第1工作台內搬送路徑P1上的第4位置P14實施靜態特性試驗之構成，但是本發明並非限定於此。例如，亦可採用在第1工作台內搬送路徑P1上的第2位置P12實施靜態特性試驗，並且在第1工作台內搬送路徑P1上的第4位置P14實施動態特性試驗之構成。但是，根據本實施形態之構成，動態特性試驗不會成為最後的試驗。因此，在本實施形態之構成中會有以下優點：可以藉由後續的試驗來檢測因動態特性試驗所產生之半導體元件的不良狀況。
又，在本實施形態中，雖然所採用的是在第2工作台內搬送路徑P2上的第2位置P22實施動態特性試驗，並且在第2工作台內搬送路徑P2上的第4位置P24實施靜態特性試驗之構成，但是本發明並非限定於此。例如，亦可採用在第2工作台內搬送路徑P2上的第2位置P22實施靜態特性試驗，並且在第2工作台內搬送路徑P2上的第4位置P24實施動態特性試驗之構成。
又，在本實施形態中，雖然所採用的是在第1工作台內搬送路徑P1進行室溫環境下的試驗，並且在第2工作台內搬送路徑P2進行高溫環境下的試驗之構成，但是本發明並非限定於此。例如，亦可採用在第1工作台內搬送路徑P1進行高溫環境下的試驗，並且在第2工作台內搬送路徑P2進行室溫環境下的試驗之構成。但是，根據在本實施形態所採用之構成，高溫環境下的試驗不會成為最後的試驗。因此，在本實施形態之構成中會有以下優點：可以藉由後續的試驗來檢測因高溫試驗所產生之半導體元件的不良狀況。
又，在本實施形態中，雖然所採用的是在第1工作台內搬送路徑P1上的2個位置P12、P14進行試驗之構成，但是本發明並非限定於此。例如，亦可採用在第1工作台內搬送路徑P1的1個位置進行試驗之構成，亦可採用在第1工作台內搬送路徑P1上的3個以上的位置進行試驗之構成。在此情況下，在各位置上實施的試驗亦可為靜態特性試驗，亦可為動態特性試驗，亦可為其他試驗。
又，在本實施形態中，雖然所採用的是在第2工作台內搬送路徑P2上的2個位置P22、P24進行試驗之構成，但是本發明並非限定於此。例如，亦可採用在第2工作台內搬送路徑P2的1個位置進行試驗之構成，亦可採用在第2工作台內搬送路徑P2上的3個以上的位置進行試驗之構成。在此情況下，在各位置上實施的試驗亦可為靜態特性試驗，亦可為動態特性試驗，亦可為其他試驗。
又，在本實施形態中，雖然所採用的是具備2個分度工作台11、12、與1個臂13之構成，但是本發明並非限定於此。亦即，亦可採用以下之構成：將N設為2以上的任意自然數，且為具備N個分度工作台、與N-1個臂之構成。在此情況下，第i個臂是用於將半導體元件從第i個分度工作台往第i＋1個分度工作台移載而被利用。又，在此情況下，可在互相相鄰的分度工作台上實施不同環境下的試驗。例如，在具備有3個分度工作台的構成中，可在第1個分度工作台實施低溫環境下的試驗、在第2個分度工作台實施室溫環境下的試驗，在第3個分度工作台實施高溫環境下的試驗。或者，在第1個分度工作台上實施室溫環境下的試驗，在第2個分度工作台上實施高溫環境下的試驗，在第3個分度工作台上實施室溫環境下的試驗。半導體元件從進行室溫環境下的試驗之分度工作台到進行高溫環境下的試驗之分度工作台的移載，亦可取代以臂進行而以手動作業來進行。
又，在本實施形態中，雖然是將半導體元件設為檢查裝置1的檢查對象，但是本發明並非限定於此。可以將必須進行條件不同的環境(在本實施形態中為溫度不同的環境)下的試驗之任意的元件，設為檢查裝置1的檢查對象。
[參考形態1] 再者，若使用具備有2個分度工作台的檢查裝置，也可以實現如圖13所示的搬送路徑。
在圖13所示的搬送路徑中，是將半導體元件依以下的順序搬送：位置R1→位置R2→位置R3(以上，為由第1分度工作台所進行之搬送)→位置R4(以上，為由第1臂所進行之移載)→位置R5→位置R6(以上，為由第2分度工作台所進行之搬送)→位置R7(以上，為由第2臂所進行之移載)→位置R8→位置R9(以上，為由第2分度工作台所進行之搬送)→位置R10(以上，為由第1臂所進行之移載)→位置R11→位置R12(以上，為由第1分度工作台所進行之搬送)。在此搬送路徑中，是形成為：(1)在位置R2實施高溫環境下的靜態特性試驗、(2)在位置R5實施室溫環境下的動態特性試驗、(3)在位置R8實施高溫環境下的動態特性試驗、(4)在位置R11上實施室溫環境下的靜態特性試驗。
在上述之實施形態中，是因應於試驗環境(高溫環境或室溫環境)來選擇在哪一個分度工作台上實施試驗，相對於此，在本參考形態中，是因應於試驗內容(靜態特性試驗或動態特性試驗)來選擇在哪一個分度工作台上實施試驗。亦即，本參考形態之檢查裝置可以表現為：『一種檢查裝置，其特徵在於具備有：第1分度工作台；第2分度工作台；臂，進行在前述第1分度工作台與前述第2分度工作台之間移載元件的元件移載動作；第1試驗裝置，對已載置於前述第1分度工作台的元件，實施第1試驗內容的試驗；及第2試驗裝置，對已載置於前述第2分度工作台的元件，實施和前述第1試驗內容不同的第2試驗內容的試驗』。
[參考形態2] 又，若使用具備有2個分度工作台的檢查裝置，也可以實現如圖14所示的搬送路徑。
在圖14所示的搬送路徑中，是將半導體元件依以下的順序搬送：位置R1→位置R2→位置R3(以上，為由第1分度工作台所進行之搬送)→位置R4(以上，為由第1臂所進行之移載)→位置R5→位置R6(以上，為由第2分度工作台所進行之搬送)→位置R7(以上，為由手動作業所進行之移載)→位置R8→位置R9(以上，為由第2分度工作台所進行之搬送)→位置R10(以上，為由第2臂所進行之移載)→位置R11→位置R12(以上，為由第1分度工作台所進行之搬送)。在此搬送路徑中，是形成為：(1)在位置R2實施高溫環境下的靜態特性試驗、(2)在位置R5實施室溫環境下的動態特性試驗、(3)在位置R8實施高溫環境下的動態特性試驗、(4)在位置R11上實施室溫環境下的靜態特性試驗。
本參考形態的特徵之點在於藉由手動作業來對半導體元件實施從第1分度工作台往第2分度工作台的移載。在本參考形態中，也和參考形態1同樣，可將高溫環境下的靜態特性試驗、室溫環境下的動態特性試驗、高溫環境下的動態特性試驗、及室溫環境下的靜態特性試驗依這樣的順序來實施。
[總結] 本發明的態樣1之檢查裝置具備有：第1分度工作台；第2分度工作台；臂，進行在前述第1分度工作台與前述第2分度工作台之間移載元件的元件移載動作；第1試驗裝置，對已載置於前述第1分度工作台的元件實施第1環境下的試驗；及第2試驗裝置，對已載置於前述第2分度工作台的元件實施和前述第1環境不同的第2環境下的試驗。
根據上述之態樣，藉由將分度工作台使用於元件的搬送，可以將工作台間搬送路徑抑制得較短，並且可以將工作台間搬送(移載)次數抑制得較少。從而，根據上述態樣，可以實現以下之檢查裝置：在不導致檢查裝置之無謂的大型化、及檢查速度之無謂的低速化的情形下，有效率地實施不同的環境下的元件的試驗。
在本發明的態樣2之檢查裝置中，除了態樣1之檢查裝置之構成以外，還採用有以下之構成。亦即，採用有以下構成：前述臂是在前述元件移載動作中，將在第1位置從前述第1分度工作台所取得的元件，在第2位置載置到前述第2分度工作台，前述第1位置是在藉由前述第1分度工作台搬送元件的第1搬送路徑中，最接近於前述第2分度工作台的位置，前述第2位置是在藉由前述第2分度工作台搬送元件的第2搬送路徑中，最接近於前述第1分度工作台的位置。
根據上述態樣，可以將工作台間搬送距離最小化。從而，根據上述態樣，可以實現更小型且更高速的檢查裝置。
在本發明的態樣3之檢查裝置中，除了態樣2之檢查裝置之構成以外，還採用有以下之構成。亦即，採用有以下構成：前述臂是在前述元件移載動作中，和將在前述第1位置從前述第1分度工作台所取得的元件載置到前述第2分度工作台之動作同時地，將在前述第2位置從前述第2分度工作台取得的元件載置到前述第1分度工作台。
根據上述態樣，可以同時地實施從第1分度工作台往第2分度工作台之元件的移載、及從第2分度工作台往第1分度工作台之元件的移載。從而，根據上述態樣，可以實現更小型且更高速的檢查裝置。
本發明的第4態樣之檢查裝置，除了態樣1~3之檢查裝置的構成以外，還採用有以下之構成。亦即，採用有以下構成：更具備有第3試驗裝置與第4試驗裝置，前述第3試驗裝置是對已載置於前述第2分度工作台的元件，實施前述第2環境下的試驗，前述第4試驗裝置是對已載置於前述第1分度工作台的元件，實施前述第1環境下的試驗。
根據上述態樣，可以在第1環境及第2環境之各個環境中有效率地實施2種試驗。
本發明的第5態樣之檢查裝置，除了態樣4之檢查裝置的構成以外，還採用以下之構成。亦即，採用有以下構成：前述第1試驗裝置及前述第4試驗裝置的其中一個是實施動態特性試驗，另一個是實施靜態特性試驗，前述第2試驗裝置及前述第3試驗裝置的其中一個是實施動態特性試驗，另一個是實施靜態特性試驗。
根據上述態樣，可以在第1環境及第2環境之各個環境中有效率地實施動態特性試驗及靜態特性試驗之各個試驗。
本發明的第6態樣之檢查裝置，除了態樣1~5之檢查裝置的構成以外，還採用有以下之構成。亦即，採用有以下構成：前述第1環境及前述第2環境的其中一個為室溫環境，另一個為溫度比前述室溫環境更高的高溫環境。
根據上述態樣，可以在室溫環境及高溫環境之各個環境中有效率地實施動態特性試驗及靜態特性試驗之各種試驗。
本發明的第7態樣之檢查裝置，除了態樣6之檢查裝置的構成以外，還採用以下之構成。亦即，採用有以下構成：在前述第1分度工作台及前述第2分度工作台當中，在實施前述高溫環境下的試驗的那一個分度工作台中，內置有用於實現前述高溫環境的加熱器。
根據上述態樣，可以在不另外設置將元件加熱的機構之情形下，實施高溫環境下的試驗。
本發明的第8態樣之檢查裝置，除了態樣1~7之檢查裝置的構成以外，還採用有以下構成：前述元件為半導體元件。
根據上述態樣，可以實現以下之檢查裝置：在不導致檢查裝置之無謂的大型化、及檢查速度之無謂的低速化的情形下，有效率地實施不同的環境下的半導體元件的試驗。
[附記事項] 本發明並非限定於上述實施形態之發明，並可在請求項所示的範圍內進行各種變更，關於將上述之實施形態所揭示的各種技術上的手段適當組合而得到的實施形態，也包含在本發明的技術範圍中。
1:檢查裝置 11:第1分度工作台 12:第2分度工作台 13:臂 13A:第1直線部 13a、13b:元件吸附頭 13B:第2直線部 13c:安裝座吸附頭 13C:第3直線部 14:安裝座回收/供給單元 15:第1試驗裝置(室溫環境下的動態特性試驗用) 16:第2試驗裝置(高溫環境下的動態特性試驗用) 17:第3試驗裝置(高溫環境下的靜態特性試驗用) 18:第4試驗裝置(室溫環境下的靜態特性試驗用) 51:第1來回移動式工作台 52:第2來回移動式工作台 53:第3來回移動式工作台 54:第4來回移動式工作台 55:第1臂 56:第2臂 57:第3臂 111,121:耐熱絕緣樹脂板 112,122:陶瓷板 113,123:階層塊 113a,123a:凹部 113b,123b:供氣排氣路 124:加熱塊 AD:元件載置區域 AM:安裝座載置區域 DUT,DUT1,DUT2,DUT3:半導體元件 M:安裝座 M’:預備安裝座 P,Q:搬送路徑 P0:預定的位置 P1:第1工作台內搬送路徑 P11,P21:第1位置 P12,P22:第2位置 P13,P23:第3位置 P14,P24:第4位置 P2:第2工作台內搬送路徑 P3,Q5,Q6,Q7:工作台間搬送路徑 Q1,Q2,Q3,Q4:工作台內搬送路徑 Q11,Q12,Q21,Q22,Q31,Q32,Q41,Q42,R1~R12:位置 S101~S117:工序 S201~S209,S301~S309:步驟
圖1是顯示本發明的一實施形態之檢查裝置的概略構成的立體圖。 圖2是顯示圖1的檢查裝置中的半導體元件的搬送路徑的平面圖。 圖3是顯示利用了圖1的檢查裝置之半導體元件的檢查方法之流程的流程圖。 圖4是圖1的檢查裝置所具備之第1分度工作台的平面圖。 圖5是圖1的檢查裝置所具備之第1分度工作台的局部截面圖。 圖6是圖1的檢查裝置所具備之第2分度工作台的平面圖。 圖7是圖1的檢查裝置所具備之第2分度工作台的局部截面圖。 圖8是圖1的檢查裝置所具備之臂的平面圖。 圖9是圖1的檢查裝置所具備之臂具備的元件吸附頭的側面圖。 圖10是圖1的檢查裝置所具備之臂具備的安裝座吸附頭的側面圖。 圖11是顯示安裝座的更換方法之流程的示意圖，且前述安裝座是已裝設於圖1的檢查裝置所具備之第1分度工作台之安裝座。 圖12是顯示安裝座的更換方法之流程的示意圖，且前述安裝座是已裝設於圖1的檢查裝置所具備之第2分度工作台之安裝座。 圖13是顯示本發明的參考形態之檢查裝置中的半導體元件的搬送路徑的平面圖。 圖14是顯示本發明的參考形態之檢查裝置中的半導體元件的搬送路徑的平面圖。 圖15是顯示比較例之檢查裝置中的半導體元件的搬送路徑的平面圖。
1:檢查裝置
11:第1分度工作台
12:第2分度工作台
13:臂
14:安裝座回收/供給單元
15:第1試驗裝置(室溫環境下的動態特性試驗用)
16:第2試驗裝置(高溫環境下的動態特性試驗用)
17:第3試驗裝置(高溫環境下的靜態特性試驗用)
18:第4試驗裝置(室溫環境下的靜態特性試驗用)
P:搬送路徑
P1:第1工作台內搬送路徑
P2:第2工作台內搬送路徑
P3:工作台間搬送路徑
P11,P21:第1位置
P12,P22:第2位置
P13,P23:第3位置
P14,P24:第4位置

Claims (8)

  1. 一種檢查裝置，其特徵在於具備有： 第1分度工作台； 第2分度工作台； 臂，進行在前述第1分度工作台與前述第2分度工作台之間移載元件的元件移載動作； 第1試驗裝置，對已載置於前述第1分度工作台的元件，實施第1環境下的試驗；及 第2試驗裝置，對已載置於前述第2分度工作台的元件，實施和前述第1環境不同的第2環境下的試驗。
  2. 如請求項1之檢查裝置，其中前述臂是在前述元件移載動作中，將在第1位置從前述第1分度工作台所取得的元件，在第2位置載置到前述第2分度工作台， 前述第1位置是在藉由前述第1分度工作台搬送元件的第1搬送路徑上，最接近於前述第2分度工作台的位置， 前述第2位置是在藉由前述第2分度工作台搬送元件的第2搬送路徑上，最接近於前述第1分度工作台的位置。
  3. 如請求項2之檢查裝置，其中前述臂是在前述元件移載動作中，和將在前述第1位置從前述第1分度工作台所取得的元件載置到前述第2分度工作台之動作同時地，將在前述第2位置從前述第2分度工作台所取得的元件載置到前述第1分度工作台。
  4. 如請求項1至3中任一項之檢查裝置，其更具備有： 第3試驗裝置，對已載置於前述第2分度工作台的元件實施前述第2環境下的試驗；及 第4試驗裝置，對已載置於前述第1分度工作台的元件實施前述第1環境下的試驗。
  5. 如請求項4之檢查裝置，其中前述第1試驗裝置及前述第4試驗裝置的其中一個是實施動態特性試驗，另一個是實施靜態特性試驗， 且前述第2試驗裝置及前述第3試驗裝置的其中一個是實施動態特性試驗，另一個是實施靜態特性試驗。
  6. 如請求項1之檢查裝置，其中前述第1環境及前述第2環境的其中一個為室溫環境，另一個為溫度比前述室溫環境更高的高溫環境。
  7. 如請求項6之檢查裝置，其中在前述第1分度工作台及前述第2分度工作台當中，在實施前述高溫環境下的試驗的那一個分度工作台中，內置有用於實現前述高溫環境的加熱器。
  8. 如請求項1之檢查裝置，其中前述元件為半導體元件。
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