TW202102648A - 螢光體粒子、複合體、發光裝置、及螢光體粒子之製造方法 - Google Patents

螢光體粒子、複合體、發光裝置、及螢光體粒子之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供含有Eu之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子。在此α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面形成有至少1個微小凹部。此α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子宜為經原料之混合步驟、加熱步驟、粉碎步驟及酸處理步驟而製得。

Description

螢光體粒子、複合體、發光裝置、及螢光體粒子之製造方法
本發明關於螢光體粒子、複合體、發光裝置、及螢光體粒子之製造方法。
就氮化物、氮氧化物螢光體而言，已知特定之稀土元素活化而得之α型矽鋁氮氧化物螢光體具有有用之螢光特性，可適用於白色LED等。α型矽鋁氮氧化物螢光體係α型氮化矽結晶之Si-N鍵有部分被Al-N鍵及Al-O鍵取代，為了維持在電中性，故具有晶格間有特定之元素(Ca、以及Li、Mg、Y、或排除La及Ce之鑭系金屬)侵入固溶至格子內之結構。藉由侵入固溶之元素之一部分作為發光中心之稀土元素而表現螢光特性。其中，固溶Ca且一部分經Eu取代之α型矽鋁氮氧化物螢光體，可在紫外~藍色區域之寬廣之波長域以相對較佳效率而激發，顯示出黃~橙色發光。嘗試更提升如此之α型矽鋁氮氧化物螢光體之螢光特性，例如，有人提出藉由分級處理來選出將具有特定之平均粒徑之α型矽鋁氮氧化物螢光體(專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-96882號公報
[發明所欲解決之課題]
本案發明人針對α型矽鋁氮氧化物螢光體之螢光特性的提升進行深入研究之結果，發現α型矽鋁氮氧化物螢光體之螢光特性會因α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面形狀而變化。進一步，針對何種表面形狀可助於α型矽鋁氮氧化物螢光體之螢光特性進行持續探討之結果，進而完成本發明。 本發明係鑑於如此之情事而成。本發明提供實現更提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之螢光特性之技術。 [解決課題之手段]
依據本發明，可提供一種螢光體粒子，係含有Eu之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，且在前述α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面形成有至少1個微小凹部。
此外，依據本發明，可提供一種複合體，具備：上述螢光體粒子、及密封前述螢光體粒子之密封材料。
此外，依據本發明，可提供一種發光裝置，具備：發出激發光之發光元件、及將前述激發光之波長進行轉換之上述複合體。
此外，依據本發明，可提供一種螢光體粒子之製造方法，係上述螢光體粒子之製造方法，包括：將包含構成含有Eu之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之元素之原料予以混合之混合步驟；將原料之混合物予以加熱，得到α型矽鋁氮氧化物螢光體之加熱步驟；將由該加熱步驟得到的α型矽鋁氮氧化物螢光體予以粉碎，得到α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之粉碎步驟；及藉由對於該粉碎步驟得到的α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子實施酸處理而在該α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面形成微小凹部之步驟。 [發明之效果]
依據本發明，可提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之螢光特性。
以下，針對本發明之實施形態進行詳細地說明。
實施形態之螢光體粒子係由含有Eu之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子作為活化物質而製成。在該α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面形成有至少1個微小凹部。 此處，微小凹部係形成在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面之坑狀(惟，凹部的周緣不需要升高)的凹部，該直徑為微米至亞微米水平，深度為亞微米水平。 又，含有實施形態之螢光體粒子之集合體(粉末)中，亦可包含在表面沒有形成上述微小凹部之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子。
依據本實施形態之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，可維持公知之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子具有的激發波長域及螢光波長域且同時提升其螢光特性。因此，就結果而言，使用α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之發光裝置之發光特性可獲得提升。 就其理由而言，雖然還未確認詳細的機制，但係形成在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面之微小凹部可能係作為對螢光沒有貢獻的異相被去除後的痕跡而有的特徵性的凹部結構。形成了如此之微小凹部之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，可推測為即使為有微小凹部形成之區域以外之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面，對螢光沒有貢獻之異相仍已在大範圍被去除。結果，可認為藉由在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面中，對螢光有貢獻之螢光體之母結晶之比例增大，α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之螢光特性獲得提升。 除此之外，可認為入射至微小凹部內之光會被併入到α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之內部，並有效率地取出，結果可提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之螢光特性。
(α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子) 含有Eu之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子係由下列說明之α型矽鋁氮氧化物螢光體構成。 α型矽鋁氮氧化物螢光體為通式：(M1x ,M2y ,Euz )(Si12-(m+n) Alm+n )(On N16-n )(其中，M1為1價之Li元素，M2為選自於Mg、Ca及鑭系元素(排除La及Ce)構成之群組中之1種以上之2價之元素)表示之含有Eu元素之α型矽鋁氮氧化物螢光體。
α型矽鋁氮氧化物螢光體之固溶組成係由上述通式中x、y、z及伴隨其的Si/Al比、O/N比而決定的m及n表示，0≦x＜2.0，0≦y＜2.0，0＜z≦0.5，0＜x+y，0.3≦x+y+z≦2.0，0＜m≦4.0，0＜n≦3.0。 尤其就M2而言，使用Ca的話，可以寬廣的組成範圍使α型矽鋁氮氧化物螢光體穩定化。藉由將該Ca之一部分取代為成為發光中心之Eu，會得到可被紫外至藍色的寬廣波長域之光激發並顯示黃至橙色之可見光發光之螢光體。 考量能夠得到照明用途中燈泡色之光的觀點，宜為α型矽鋁氮氧化物螢光體就固溶組成而言不含Li，或即使含有也僅少量較理想。就上述通式而言宜為0≦x≦0.1較理想。且/或，α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子中之Li之比率宜為0質量%以上且1質量%以下較理想。
一般而言，α型矽鋁氮氧化物螢光體會因為係與該α型矽鋁氮氧化物螢光體不同的第二結晶相、不可避免存在的非晶質相，無法藉由組成分析等而將固溶組成嚴格地規定。就α型矽鋁氮氧化物螢光體之結晶相而言，宜為α型矽鋁氮氧化物單相較理想，就其他之結晶相而言亦可含有氮化鋁或其類多型體(polytypoid)等。
α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子係將多數個等軸狀一次粒子進行燒結而形成塊狀之二次粒子。本實施形態中之一次粒子意指可利用電子顯微鏡等觀察之可單獨存在的最小粒子。
α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之平均粒徑之下限宜為1μm以上較理想，5μm以上更理想，10μm以上還更理想。此外，α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之平均粒徑之上限宜為30μm以下較理想，20μm以下更理想。α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之平均粒徑為上述二次粒子中之尺寸。α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之平均粒徑藉由為5μm以上，可更提高後述複合體之透明性。另一方面，α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之平均粒徑藉由為30μm以下，在利用切塊機等對於複合體進行切斷加工時，切削屑的產生可受到抑制。
此處，α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之平均粒徑意指依據JIS R1629：1997利用雷射激光繞射散射法而得體積基準之累加分率中之中值徑(D50 )。
α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之形狀無特別限制。就形狀而言，可列舉如球狀體、立方體、柱狀體、不定形等。
(在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面形成之微小凹部) 在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面形成有至少1個微小凹部。α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面有無微小凹部，例如可利用掃描型電子顯微鏡(SEM)來確認。針對微小凹部之直徑，可使用利用SEM得到的圖像進行測定。針對微小凹部之深度，可利用掃描型原子力顯微鏡(AFM)進行測定。
圖1(a)為設置在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面之微小凹部之示意圖。如圖1(a)所示，微小凹部20係形成在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之表面之坑狀之凹部。
如圖1(b)所示，微小凹部20之直徑W係α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10表面中微小凹部20之開口寬。微小凹部20之直徑W會因從特定之微小凹部20中之何處挑出測量直徑之測量線而不同。微小凹部20之最大徑Wmax係微小凹部20之徑W中最大之值。α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10宜包含至少1個之最大徑Wmax為50nm以上且2000nm以下之微小凹部20較理想。最大徑Wmax之下限宜為100nm以上較理想，150nm以上更理想。最大徑Wmax之上限宜為1500nm以下較理想，1000nm以下更理想。 藉由令微小凹部20之最大徑Wmax之下限落在上述範圍內，可更進一步提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之螢光特性。 此外，藉由令微小凹部20之最大徑Wmax之上限落在上述範圍內，可維持α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之強度並更進一步提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之螢光特性。
特定之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10中，可在其表面形成最大徑Wmax不同之多數的微小凹部20。具體而言，特定之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10宜包含至少1個最大徑Wmax超過1000nm且2000nm以下之微小凹部，且宜包含至少1個最大徑Wmax超過500nm且1000nm以下之微小凹部較理想。 藉此，可更進一步提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之螢光特性。
此外，除了上述以外，宜包含至少1個之最大徑Wmax為50nm以上且500nm以下之微小凹部較理想。 藉此，可更進一步提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之螢光特性。
微小凹部20之深度D，係橫穿微小凹部20之一剖面中從α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之表面至微小凹部20之底部為止之長度。微小凹部20之深度D會因特定之微小凹部20中之剖面而不同。
在將微小凹部20橫切之一剖面中，微小凹部20之深度D之下限宜為5nm以上較理想，10nm以上更理想，20nm以上還更理想。另一方面，微小凹部20之深度D之上限宜為500nm以下較理想，400nm以下更理想，300nm以下還更理想。 藉由令在將微小凹部20橫切之一剖面中之深度D之下限落在上述範圍內，可更進一步提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之螢光特性。 此外，藉由令微小凹部20之深度D之上限落在上述範圍內，可維持α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之強度且同時更進一步提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之螢光特性。
α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10在其表面宜具有多數的微小凹部20彼此鄰接之微小凹部群22較理想。 「微小凹部20彼此鄰接」係意指不同的微小凹部20彼此之間隔皆為任一者的微小凹部20之最大徑Wmax之1/2以下之情形。不同微小凹部20彼此之間隔實質上等同於無而2個微小凹部20連結之形態亦包含在「微小凹部20彼此鄰接」。 藉由在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之表面形成微小凹部群22，認為可更進一步提升α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之螢光特性。
α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之表面中之多數個微小凹部20所占區域之面積比率，亦即，相對於α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之表面之面積，多數個之微小凹部20所占之合計面積之比率之下限宜為10%以上較理想，12%以上更理想，15%以上還更理想。另一方面，多數個微小凹部20所占之合計面積之比率之上限宜為25%以下較理想，23%以下更理想，20%以下還更理想。 藉由令多數個微小凹部20所占之合計面積之比率之下限落在上述範圍內，認為可更進一步提升螢光特性。另一方面，藉由令多數個微小凹部20所占之合計面積之比率之上限落在上述範圍內，可容易維持α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子10之強度。
依據上述說明之螢光體粒子，藉由在粒子表面具有微小凹部，可實現螢光特性的提升。此外，含有上述說明之螢光體粒子(具有微小凹部)之螢光體粉末可奏效前述之作用效果，亦即，可奏效提升螢光特性之作用效果。
(螢光體粒子之製造方法) 針對本實施形態之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之製造方法進行說明。α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，在合成過程中主要係原料粉末之一部分進行反應而形成液相，各元素經由該液相進行移動，藉此形成固溶體及推進粒子成長。 首先，將包含構成含有Eu之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之元素之原料予以混合。就鈣原料而言，使用氮化鈣而合成之含氧率低之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子會高濃度地固溶鈣。尤其Ca固溶濃度高時，比使用氧化物原料之公知組成，可得到在高波長側(590nm以上，更具體為590nm以上且610nm以下，還更具體為592nm以上且608nm以下)有發光峰部波長之螢光體。具體而言，前述通式中，宜為1.5＜x+y+z≦2.0較理想。也可將Ca之一部分置換為Li、Mg、Sr、Ba、Y及鑭系元素(La及Ce除外)並進行發光光譜之微調整。
就上述以外之原料粉末而言，可列舉如：氮化矽、氮化鋁及Eu化合物。就Eu化合物而言，有氧化銪、加熱後成為氧化銪之化合物、及氮化銪。宜為可減少體系內之氧量之氮化銪較理想。
將經預先合成之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子添加至適量原料粉末的話，其會成為粒子成長之基礎點，可得到短軸徑較大之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，藉由變更所添加之α型矽鋁氮氧化物粒子之形態，可以控制粒子形狀。
就將前述之各原料予以混合之方法而言，有乾式混合之方法，在實質上部會與原料各成分反應之惰性溶劑中進行濕式混合後去除溶劑之方法。就混合裝置而言，有V型混合機、滾動式混合機、球磨機、振動磨機。針對在大氣中將不穩定之氮化鈣的混合，由於其水解或氧化會影響合成品特性，故宜在惰性環境氣體之手套箱內進行較理想。
將經混合而得到的粉末(下列簡稱為原料粉末)填充至和原料及經合成的螢光體的反應性低之材質之容器，例如填充至氮化硼製容器內。並且，在氮氣環境中以預定時間進行加熱。藉此，可得到α型矽鋁氮氧化物螢光體。加熱處理之溫度宜為1650℃以上且1950℃以下較理想。
藉由令加熱處理之溫度為1650℃以上，可抑制未反應產物之殘量，充分地使一次粒子成長。此外，藉由令加熱處理之溫度為1950℃以下，可抑制顯著的粒子間的燒結。
原料粉末向容器內的填充，考量抑制加熱中之粒子間燒結的觀點，宜將體積設高較理想。具體而言，原料粉末之容器時之體積密度設為0.6g/cm3 以下較理想。
針對加熱處理之加熱時間，就存在大量未反應物、一次粒子成長不足、粒子間產生之燒結等之問題不會發生之時間範圍而言，宜為2小時以上且24小時以下較理想。
藉由上述步驟而製成外形為鑄錠狀之α型矽鋁氮氧化物螢光體。對於此鑄錠狀之α型矽鋁氮氧化物螢光體，施予粉碎機、砂漿粉碎機、球磨機、振動磨機、噴射磨機等粉碎機進行的粉碎步驟及此等粉碎處理後的篩分級步驟，可得到由二次粒子之D50 粒徑經調整之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成的粉末。此外，藉由進行使其分散於水溶液中來去除粒徑較小不易沉降之二次粒子之步驟，可調整二次粒子之D50 粒徑。
本實施形態之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，可藉由在經實施上述步驟後實施酸處理步驟而製作。 酸處理步驟，例如，將α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子浸漬於酸性水溶液中。就酸性水溶液而言，可列舉如：含有選自於氫氟酸、硝酸、鹽酸等酸之1種之酸之酸性水溶液、或從上述之酸中的2種以上混合而得之混酸水溶液。它們之中，宜為單獨含有氫氟酸之氫氟酸水溶液及氫氟酸和硝酸混合而得之混酸水溶液較理想。酸性水溶液之原液濃度可因應所使用之酸的強度而適當地設定，例如，宜為0.7%以上且100%以下較理想，0.7%以上且40%以下更理想。此外，實施酸處理時之溫度宜為60℃以上且90℃以下較理想，就反應時間(浸漬時間)而言宜為15分鐘以上且80分鐘以下較理想。 藉由以高速進行攪拌，可輕易且充分地完成粒子表面之酸處理。此處之「高速」雖依所使用之攪拌裝置而定，但使用實驗室等級之磁力攪拌器之情形，攪拌速度例如為400rpm以上，實際上為400rpm以上且500rpm以下。考量持續對於粒子表面供給新的酸之通常的攪拌目的之觀點，攪拌速度約為200rpm即充分，但藉由進行400rpm以上之高速攪拌，在化學作用加上物理作用之下，粒子表面之處理可輕易且充分。 在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面形成之微小凹部之數量、分布的方式、徑及深度，可藉由將酸處理中使用的酸性水溶液之原液濃度、酸處理時之溫度、反應時間等調節到最合適而得到控制。例如，參考後述豐富之實施例，採用接近實施例使用之酸性水溶液之原液濃度、酸處理時之溫度、反應時間之組合之條件來實施酸處理時，可在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面形成預定之數量、分布的方式、徑及深度之微小凹部。
(複合體) 實施形態之複合體具備：上述螢光體粒子、及密封該螢光體粒子之密封材料。本實施形態之複合體中，多數上述螢光體粒子在密封材料中分散。就密封材料而言，可使用公知之樹脂、玻璃、陶瓷等材料。就密封材料使用之樹脂而言，可列舉例如：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂等透明樹脂。
就製作複合體之方法而言，可列舉如：對於液體狀之樹脂或粉末狀之玻璃或陶瓷添加由本實施形態之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末並均勻混合，之後，藉由加熱處理使其硬化或燒結而製得之方法。
(發光裝置) 圖2係表示實施形態之發光裝置之結構之概略剖面圖。如圖2所示，發光裝置100具備：發光元件120、散熱片130、殼體140、第1引線框架150、第2引線框架160、合接線170、合接線172及複合體40。
發光元件120係安裝在散熱片130上方的預定區域。藉由在散熱片130上安裝發光元件120，可使發光元件120的散熱性提高。又，亦可使用封裝用基板以替代散熱片130。
發光元件120係為發出激發光之半導體元件。就發光元件120而言，例如，可使用會發出相當於從近紫外光到藍色光之300nm以上且500nm以下之波長之光之LED晶片。裝設在發光元件120之頂面側之其中一電極(圖未表示)係經由金線等合接線170而與第1引線框架150之表面連接。此外，形成在發光元件120頂面之另一電極(圖未表示)係經由金線等合接線172而與第2引線框架160之表面連接。
在殼體140中形成從底面往上時孔徑係逐漸擴大之略為漏斗形狀的凹部。發光元件120係設置在上述凹部之底面。圍繞發光元件120之凹部的壁面係擔任反射板的角色。
複合體40係填充於利用殼體140形成壁面的該凹部。複合體40係為把從發光元件120發出之激發光轉換成更長波長之光之波長轉換構件。使用本實施形態之複合體作為複合體40時，本實施形態之螢光體粒子1係分散於樹脂等之密封材料30中。發光裝置100係發出發光元件120之光與吸收此發光元件120之光而被激發之螢光體粒子1所發出之光的混合色。發光裝置100宜利用發光元件120之光與螢光體粒子1發出之光之混色而發出白色之光較理想。
本實施形態之發光裝置100，如上述，藉由使用表面形成有微小凹部之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子作為螢光體粒子1，可提升螢光體粒子1及複合體40之螢光特性，更可實現提升發光裝置100之發光強度。
圖2係表面安裝型之發光裝置之例示。惟，發光裝置不僅限於表面安裝型。發光裝置亦可為砲彈型或COB(晶片直接封裝)型、CSP(晶片尺寸封裝)型。
以上，針對本發明之實施形態進行敘述，但該等僅為本發明之例示，亦可採用上述以外之各種構成。 [實施例]
以下，藉由實施例及比較例對於本發明進行說明，但本發明不受限於此。
(實施例1) 在手套箱內，將氮化矽粉末(宇部興產股份有限公司製，E10等級)62.4質量份、氮化鋁粉末(德山股份有限公司製，E等級)22.5質量份、氧化銪粉末(信越化學工業股份有限公司製RU等級)2.2質量份、氮化鈣粉末(高純度化學研究所股份有限公司製)12.9質量份作為原料粉末之摻合組成，並將原料粉末乾混後，通過網目250μm之尼龍製篩而得到原料混合粉末。將該原料混合粉末120g填充至內部之容積為0.4公升之附蓋之圓筒型氮化硼製容器(電化股份有限公司製，N-1等級)。
將此原料混合粉末連同容器整個以碳加熱器之電氣爐置於大氣壓氮環境氣體中，於1800℃進行16小時之加熱處理。由於含在原料混合粉末之氮化鈣在空氣中會輕易地水解，故將填充了原料混合粉末之氮化硼製容器從手套箱取出後迅速地置入電爐並立即進行真空排氣，防止氮化鈣的反應。
以乳缽將合成物輕輕輾碎並全部通過網目150μm之篩，得到螢光體粉末。對於此螢光體粉末，採用使用了CuKα線之粉末X射線繞射測定(X-ray Diffraction)檢查結晶相，可知存在之結晶相為含有Eu元素之Ca-α型矽鋁氮氧化物(含Ca之α型矽鋁氮氧化物)。
然後，將50%氫氟酸1.2ml和70%硝酸2.8ml予以混合製成混合原液。對於混合原液添加蒸餾水396ml，將混合原液之濃度稀釋為1%，進而製備混酸水溶液400ml。對於此混酸水溶液添加上述由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末30g，將混酸水溶液之溫度維持在80℃並使用磁力攪拌器以迴轉速度450rpm攪拌，再實施浸漬30分鐘之酸處理。對於酸處理後之粉末利用蒸餾水充分洗去酸並過濾，進行乾燥後，通過網目45μm之篩而製得實施例1之由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末。
(實施例2) 不使用實施例1使用之混酸水溶液而是對於50%氫氟酸2.0ml和70%硝酸2.0ml混合之混合原液添加蒸餾水396ml而製備出原液濃度1.0%之混酸水溶液，除此之外，藉由與實施例1同樣的程序製作出實施例2之由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末。
(實施例3) 不使用實施例1使用之混酸水溶液而是對於50%氫氟酸50ml和70%硝酸50ml混合之混合原液添加蒸餾水300ml而製備出原液濃度25%之混酸水溶液，並將螢光體粉末浸漬於溫度維持在80℃之混酸水溶液60分鐘，除此之外，藉由與實施例1同樣的程序製作出實施例3之由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末。
(實施例4) 不使用實施例1使用之混酸水溶液而是對於50%氫氟酸3.2ml和70%硝酸0.8ml混合之混合原液添加蒸餾水396ml而製備出原液濃度1.0%之混酸水溶液，除此之外，藉由與實施例1同樣的程序製作出實施例4之由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末。
(實施例5) 不使用實施例1使用之混酸水溶液而是對於50%氫氟酸100ml(原液)添加蒸餾水300ml而製備出原液濃度25%之氫氟酸水溶液，除此之外，藉由與實施例1同樣的程序製作出實施例5之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子所成粉末。
(比較例1) 將實施例1使用之混酸水溶液取代為對於50%氫氟酸1.0ml和70%硝酸1.0ml混合之混合原液添加蒸餾水398ml，使用原液濃度0.5%之混酸水溶液，並將混酸水溶液之溫度維持在80℃，使用磁力攪拌器以迴轉速度300rpm進行攪拌，浸漬30分鐘實施酸處理，除此之外，藉由與實施例1同樣的程序製作出比較例1之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子所成粉末。 比較例1之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子所成粉末之製作方法，係將酸處理所使用之混酸水溶液之原液濃度控制為以往實施之水準。
(特性評價) [發光特性] 關於得到的各由α型矽鋁氮氧化物螢光體構成之粉末，利用分光光度計(大塚電子股份有限公司製MCPD-7000)測定吸收率、內部量子效率、外部量子效率，並依據以下之程序算出。 將實施例、比較例之由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末以使凹型光析管之表面平滑之方式進行填充，並安裝積分球。利用光纖將從發光光源(Xe燈)分光出455nm波長之單色光導入至此積分球。將此單色光作為激發光源，照射螢光體之試樣，進行試樣之螢光光譜測定。 在試樣部安裝反射率為99%之標準反射板(Labsphere股份有限公司製標準白板)，測定波長455nm之激發光之光譜。此時，從450nm以上且465nm以下之波長範圍之光譜算出激發光光子數(Qex)。 將由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末安裝在試樣部分，從得到的光譜資料算出激發反射光光子數(Qref)及螢光光子數(Qem)。激發反射光光子數係在與激發光光子數相同之波長範圍算出，螢光光子數係在465nm以上且800nm以下之範圍算出。 吸收率=(Qex-Qref)/Qex×100 內部量子效率=(Qem/(Qex-Qref))×100 外部量子效率=(Qem/Qex)×100 利用上述測定方法測定Sialon co., Ltd.販賣之標準試樣NSG1301時，外部量子效率成為55.6%，內部量子效率成為74.8%。將此試樣作為標準來對裝置進行校正。 另外，實施例1至5之由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之粉末之經上述測定(照射之光之波長：455nm)而得到的發光光譜之峰部波長皆為600nm(相對長之波長)。
[粒度測定] 粒度係使用Microtrac MT3300EX II(麥奇克拜爾股份有限公司)並藉由依據JIS R1629：1997之雷射激光繞射散射法進行測定。將α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子0.5g投入至離子交換水100cc，此時使用Ultrasonic Homogenizer US-150E(日本精機製作所股份有限公司，晶片尺寸φ20mm，Amplitude100%，震盪頻率19.5KHz，振幅約31μm)進行3分鐘分散處理，之後，利用MT3300EX II進行粒度測定。由得到的粒度分布求出中值徑D50 。
[微小凹部之確認] 利用掃描型電子顯微鏡(SEM)確認α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面是否形成有微小凹部。圖3、圖4分別係實施例1、實施例2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之SEM圖像。如圖3、圖4所示，可確認到實施例1、實施例2在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面形成有微小凹部。更詳細地，可確認到實施例1、2皆不僅有單獨之微小凹部，還有微小凹部彼此鄰接之微小凹部群分布。 此外，針對實施例3~5之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，亦可確認到與實施例1、2同樣地在表面形成有微小凹部。 相對於此，可確認到比較例1在螢光體粒子之表面不存在微小凹部。
[微小凹部之面積及尺寸測定] 將實施例1之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之SEM圖像中，如圖5(a)所示之解析區域(4.4μm×6.4μm)2值化並抽出微小凹部(參照圖5(b))。如圖5(b)所示，將被抽出之各微小凹部編號，使用解析軟體(NIPPON STEEL TECHNOLOGY Co., Ltd.製，Version3.5)算出各微小凹部之最大徑、最小徑、圓相當徑、面積及面積率。 同樣地，將實施例2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之SEM圖像中如圖6(a)所示之解析區域(4.4μm×6.4μm)2值化並抽出微小凹部(參照圖6(b))。如圖6(b)所示之被抽出之各微小凹部編號，使用上述解析軟體算出各微小凹部之最大徑、最小徑、圓相當徑、面積及解析領域(4.4μm×6.4μm)作為基準領域之面積比率。進一步，算出解析領域(4.4μm×6.4μm)作為基準領域之該基準領域中微小凹部所占區域之面積比率，亦即，算出微小凹部所占合計面積相對於α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面之面積之比。針對實施例1、2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子得到的結分別如表2、表3所示。
[微小凹部之深度的測定] 針對實施例1、實施例2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，使用掃描型原子力顯微鏡(AFM)對於圖5(b)及圖6(b)中被編號的微小凹部之深度進行量測。針對實施例1、2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子得到的結果分別如表2、表3所示。
[表1]
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1
酸處理 酸溶液 50%氫氟酸(ml) 1.2 2.0 50 3.2 100 1.0
70%硝酸(ml) 2.8 2.0 50 0.8 0 1.0
液比(氫氟酸之量：硝酸之量) 3：7 5：5 5：5 8：2 10：0 5：5
蒸餾水(ml) 396 396 300 396 300 398
原液濃度(%) 1.0 1.0 25 1.0 25 0.5
反應條件 溫度(℃) 80 80 80 80 80 80
時間(分鐘) 30 30 60 30 30 30
粒度 D50 (μm) 14.5 16.2 16.3 15.6 14.3 15.6
表面形狀 微小凹部的有無 有 有 有 有 有 無
發光特性 吸收率(%) 88.4 89.3 87.7 88.9 88.2 89.1
內部量子效率(%) 80.3 79.5 77.1 79.9 80.2 73.7
外部量子效率(%) 71.0 71.1 67.6 71.0 70.7 65.7
[表2]
微小凹部 No. 面積(μm2 ) 面積率(%) 最大徑 (nm) 最小徑 (nm) 圓相當徑(nm) AFM：深度(nm)
1 0.085 0.30 440.4 291.2 329.2 120.6
2 0.926 3.29 1616.3 778.6 1085.6 344.9
3 0.710 2.52 1157.6 982.4 950.4 313.4
4 0.114 0.41 549 300.3 380.8 48.6
5 0.170 0.60 605.4 387.7 464.6 154.7
6 0.115 0.41 566.4 281.8 383.3 146.4
7 0.479 1.70 1134.4 609.3 781.1 279.1
8 0.002 0.01 68.1 47.2 55.2 7.8
9 0.059 0.21 436.8 226.5 274 87.5
10 0.469 1.67 1209.4 641.1 772.4 225.3
11 0.012 0.04 176.1 87.4 125.3 35.3
12 0.007 0.02 125.2 81 94.5 28.6
13 0.121 0.43 776.3 254 392.4 86.6
14 0.394 1.40 833 654.7 708.2 227.8
15 0.053 0.19 290.7 236.1 259.9 94.6
16 0.021 0.07 185.4 155 161.6 28.7
17 0.005 0.02 105.6 75.3 82.8 13.2
18 0.606 2.15 1586.5 545.8 878.2 392.5
19 0.031 0.11 254.3 187.4 200.1 324.9
20 0.071 0.25 572.9 230.6 299.6 33.7
21 0.099 0.35 481.1 286.7 354.4 162.7
最小值 0.002 0.01 68.1 47.2 55.2 7.8
最大值 0.926 3.29 1616.3 982.4 1085.6 392.5
合計 4.548 16.18        
[表3]
微小凹部 No. 面積(μm2 ) 面積率(%) 最大徑 (nm) 最小徑 (nm) 圓相當徑(nm) AFM：深度(nm)
1 0.448 1.59 1072.3 706 755.6 -
2 0.115 0.41 575.1 336.5 382.7 -
3 0.331 1.18 900 640.5 648.7 -
4 0.635 2.26 1186.6 829.4 898.9 42.7
5 0.107 0.38 456.8 300.5 369.1 -
6 0.133 0.47 472.4 382.1 411.7 23.5
7 0.118 0.42 418.1 374.1 387.1 25.4
8 0.054 0.19 293.9 244.6 262.5 11.9
9 0.029 0.10 226 163.1 193.5 3.5
10 0.069 0.25 342.4 261.8 297.4 8.9
11 0.840 2.99 1669.5 932.1 1033.9 119.6
12 0.031 0.11 221.2 193 200 4.0
13 0.112 0.40 419.9 361.1 376.9 22.1
14 0.181 0.65 627.7 377 480.6 41.9
15 0.230 0.82 597.8 506.7 540.9 30.4
16 0.137 0.49 452.1 399.2 417.4 19.7
17 0.073 0.26 362.3 286.3 305.4 15.9
18 2.075 7.38 2057.6 1637.7 1625.5 220.2
19 0.124 0.44 474.2 350.7 396.7 17.5
20 0.034 0.12 249 200.4 208 3.1
21 0.144 0.51 601.6 334 428.6 10.0
22 0.155 0.55 547.9 391.9 443.5 31.8
23 0.270 0.96 891.4 444.7 586.3 19.8
24 0.100 0.36 409.2 339.7 356.9 13.1
25 0.031 0.11 218.1 184.5 197.4 5.6
26 0.082 0.29 347.9 313.3 323.9 12.8
27 0.071 0.25 360.4 236.1 301.5 16.2
最小值 0.029 0.10 218.1 163.1 193.5 3.1
最大值 2.075 7.38 2057.6 1637.7 1625.5 220.2
合計 6.729 23.94        
※針對No.1~3及5，因有傾斜故無法利用AFM量測深度
如表1所示，在表面形成有微小凹部之實施例1~5之各α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子與比較例1相比可確認到內部量子效率及外部量子效率皆為較高，螢光特性獲得提升。此外，實施例1、2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子，由於具有如以之微小凹部，故可確認到螢光特性獲得提升。 ･橫切微小凹部之一剖面中，深度為5nm以上且500nm以下。 ･含有至少1個最大徑為50nm以上且2000nm以下之微小凹部。 ･含有至少1個最大徑超過1000nm且2000nm以下之前述微小凹部且含有至少1個最大徑超過500nm且1000以下之前述微小凹部。 ･含有至少1個最大徑為50nm以上且500nm以下之前述微小凹部。
(追加比較例：變更實施例1中之酸處理條件之例) 利用磁力攪拌器將攪拌速度從450rpm變更為通常水平即200rpm以外，與實施例1同樣地得到由α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子構成之螢光體粒子。此追加比較例中得到的螢光體粒子之中值徑D50為14.5μm。並且，雖以SEM從各種視角觀察得到的螢光體粒子，但沒有表面上形成有微小凹部之螢光體粒子。為了供參考，將得到的螢光體粒子之SEM圖像表示於圖7及圖8。 此外，追加比較例得到的螢光體粒子之內部量子效率為75.4%，外部量子效率為66.6%，較實施例1(及其他實施例)之水平差。
本申請案係主張以在2019年3月29日申請之日本申請案特願2019-069106號為基礎之優先權，其完整內容係全部納入本發明。
1:螢光體粒子 10:α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子 20:微小凹部 22:微小凹部群 30:密封材料 40:複合體 100:發光裝置 120:發光元件 130:散熱片 140:殼體 150:第1引線框架 160:第2引線框架 170:合接線 172:合接線 D:深度 W:直徑
[圖1]圖1(a)係設置在α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面之微小凹部之示意圖。圖1(b)係沿著圖1(a)之A-A線之剖面中之微小凹部之示意圖。 [圖2]表示實施形態之發光裝置之結構之概略剖面圖。 [圖3]實施例1之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之SEM圖像。 [圖4]實施例2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之SEM圖像。 [圖5]圖5(a)係用於實施例1之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之微小凹部的解析之區域之SEM圖像。圖5(b)係用於實施例1之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之微小凹部的解析之2值化圖像。 [圖6]圖6(a)係用於實施例2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之微小凹部的解析之區域之SEM圖像。圖6(b)係用於實施例2之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之微小凹部的解析之2值化圖像。 [圖7]係追加比較例之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之SEM圖像。 [圖8]係追加比較例之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之SEM圖像。
10:α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子
20:微小凹部
22:微小凹部群
D:深度
W:直徑

Claims (15)

  1. 一種螢光體粒子，係含有Eu之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子， 在該α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子表面形成有至少1個微小凹部。
  2. 如請求項1之螢光體粒子，其中，於橫切該微小凹部之一剖面，深度為5nm以上且500nm以下。
  3. 如請求項1或2之螢光體粒子，其中，含有至少1個最大徑為50nm以上且2000nm以下之該微小凹部。
  4. 如請求項3之螢光體粒子，其中，含有至少1個最大徑超過1000nm且2000nm以下之該微小凹部，且含有至少1個最大徑超過500nm且1000nm以下之該微小凹部。
  5. 如請求項3之螢光體粒子，其中，含有至少1個最大徑為50nm以上且500nm以下之該微小凹部。
  6. 如請求項1或2之螢光體粒子，其中，具有多數之該微小凹部鄰接之微小凹部群。
  7. 如請求項1或2之螢光體粒子，其中，該螢光體粒子之表面中之該微小凹部所占之區域之面積比率為10%以上且25%以下。
  8. 如請求項1或2之螢光體粒子，其中，該α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子係由通式：(M1x ,M2y ,Euz )(Si12-(m+n) Alm+n )(On N16-n )表示之含有Eu元素之α型矽鋁氮氧化物螢光體構成，其中，M1為1價之Li元素，M2係2價之Ca元素，該通式中，0≦x＜2.0，0≦y＜2.0，0＜z≦0.5，0＜x+y，0.3≦x+y+z≦2.0，0＜m≦4.0，0＜n≦3.0。
  9. 如請求項8之螢光體粒子，其中，1.5＜x+y+z≦2.0。
  10. 如請求項8之螢光體粒子，其中，0≦x≦0.1。
  11. 如請求項1或2之螢光體粒子，其中，發光峰部波長為590nm以上。
  12. 如請求項1或2之螢光體粒子，其中，該微小凹部為異相去除後之痕跡。
  13. 一種複合體，具備：如請求項1或2之螢光體粒子、及密封該螢光體粒子之密封材料。
  14. 一種發光裝置，具備：發出激發光之發光元件、及 將該激發光之波長轉換之如請求項13之複合體。
  15. 一種如請求項1或2之螢光體粒子之製造方法，包括下列步驟： 混合步驟，將包含構成含有Eu之α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之元素之原料予以混合； 加熱步驟，將原料之混合物予以加熱，得到α型矽鋁氮氧化物螢光體； 粉碎步驟，將由該加熱步驟得到的α型矽鋁氮氧化物螢光體予以粉碎，得到α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子；及 微小凹部形成步驟，藉由對於該粉碎步驟得到的α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子實施酸處理而在該α型矽鋁氮氧化物螢光體粒子之表面形成。
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CN101128564B (zh) * 2005-02-28 2012-07-25 电气化学工业株式会社 荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件
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JP4788944B2 (ja) * 2005-03-18 2011-10-05 株式会社フジクラ 粉末状蛍光体とその製造方法、発光デバイス及び照明装置
JP4891336B2 (ja) 2006-11-20 2012-03-07 電気化学工業株式会社 蛍光体及びその製造方法、並びに発光装置
JP2009096882A (ja) 2007-10-17 2009-05-07 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体とその製造方法
WO2010018873A1 (ja) * 2008-08-13 2010-02-18 宇部興産株式会社 Ｌｉ含有α－サイアロン系蛍光体とその製造方法、照明器具ならびに画像表示装置
CN103328608B (zh) * 2011-01-18 2015-04-22 夏普株式会社 半导体发光装置
KR102205640B1 (ko) * 2012-11-13 2021-01-20 덴카 주식회사 형광체, 발광소자 및 조명장치
JP2016050208A (ja) * 2014-08-28 2016-04-11 株式会社東芝 蛍光体及びその製造方法
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