TW202044478A - 載置台及基板處理裝置 - Google Patents

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金子彰太
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Abstract

本發明旨在抑制密封構件的密封性能下降。 本發明提供一種載置台，用以載置基板，並具有基台；該基台具有：供第1溫度的熱媒體流動之第1流路、配置於該第1流路的下部之第1隔熱層、與配置於該第1隔熱層的下部之密封構件。

Description

載置台及基板處理裝置
本發明係關於一種載置台及基板處理裝置。
基板處理裝置，具有於處理容器內載置基板之載置台。和載置台的底面即載置台的下部所配置之構件之間設有O型環，將處理容器內的真空空間密封不受載置台下的大氣空間影響，以維持處理容器內的真空狀態。
例如，專利文獻1揭示，於處理容器內的載置台，設置對基板靜電吸附之靜電吸盤，和靜電吸盤的底面即靜電吸盤的下部所配置之基材之間設有O型環。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
專利文獻1：日本特開2018-107433號公報
［發明所欲解決之問題］
本發明提供一種技術，可抑制密封構件的密封性能下降。 ［解決問題之技術手段］
根據本揭示案的一態樣，提供一種載置台，載置基板，並具有基台；該基台具有：供第1溫度的熱媒體流動之第1流路、配置於該第1流路的下部之第1隔熱層、與配置於該第1隔熱層的下部之密封構件。 ［發明之功效］
根據一面向，可抑制密封構件的密封性能下降。
以下，參照圖式針對本發明的實施方式進行說明。各圖式中，會對同一構成部分賦予同一符號，以省略重複之說明。
［基板處理裝置］ 圖1，係顯示一實施形態相關基板處理裝置1的概略構成之剖面圖。基板處理裝置1，係RIE（Reactive Ion Etching，反應性離子蝕刻）型的基板處理裝置。不過，基板處理裝置1，得適用於電漿蝕刻裝置，電漿CVD裝置等。
基板處理裝置1，具有金屬製，例如鋁或是不鏽鋼製的圓筒型處理容器10，處理容器10的內部，當作進行電漿蝕刻或電漿CVD等的電漿處理之處理室。處理容器10接地。
處理容器10的內部，設有載置晶圓W之圓板狀載置台100。載置台100，具有靜電吸盤25及基台26。靜電吸盤25，配置於基台26之上。基台26，由例如鋁或是鈦合金所組成，透過絕緣性的筒狀保持構件12，由從處理容器10的底部往垂直上方延伸之筒狀支持部13所支持。
靜電吸盤25的中央部，係將導電膜所組成之吸附電極25c夾入介電膜25a之間所構成。吸附電極25c經由開關28來和直流電源29電性連接。靜電吸盤25，係藉由直流電源29對吸附電極25c施加之電壓所產生的靜電吸附力，讓晶圓W保持於靜電吸盤25。
靜電吸盤25，由載置晶圓W之圓板狀中央部、與環狀周緣部所組成，中央部的高度比周緣部的高度更高。周緣部的上面，載置有環狀包圍基板周緣之邊緣環27。又，邊緣環27也稱為對焦環。
處理容器10的側壁與狀支持部13之間有排氣路14形成。排氣路14的入口或是途中設有環狀的緩衝板15。排氣路14的底部設有排氣口16。排氣口16，係經由排氣管17來和排氣裝置18連接。排氣裝置18，具有真空泵，將處理容器10內的處理空間減壓至既定的真空度。另外，排氣管17設有可變式蝴蝶閥即自動壓力控制閥（automatic pressure control valve）（無圖示），藉由自動壓力控制閥進行處理容器10內的壓力控制。處理容器10的側壁，裝有令晶圓W的送入出口19開閉之閘閥20。
基板處理裝置1，具有第1高頻電源21及第2高頻電源22。第1高頻電源21，係產生第1高頻電力之電源。第1高頻電力，具有適合電漿產生之頻率。第1高頻電力的頻率，係例如27MHz～100MHz的範圍內的頻率。第1高頻電源21，經由匹配器21a來和載置台100連接。匹配器21a，具有令第1高頻電源21的輸出電阻與負載側（載置台100側）的電阻匹配之電路。
第2高頻電源22，係產生第2高頻電力之電源。第2高頻電力，具有比第1高頻電力的頻率更低之頻率。第1高頻電力與第2高頻電力一起使用的情況下，第2高頻電力係作為用以將離子導入晶圓W的偏壓用的高頻電力使用。第2高頻電力的頻率，係例如400kHz～13.56MHz的範圍內的頻率。第2高頻電源22，經由匹配器22a來和載置台100連接。匹配器22a，具有令第2高頻電源22的輸出電阻與負載側（載置台100側）的電阻匹配之電路。
又，不使用第1高頻電力，而是使用第2高頻電力，亦即只使用單一的高頻電力來產生電漿亦可。在此情況下，第2高頻電力的頻率，為比13.56MHz更大之頻率，例如40MHz亦可。基板處理裝置1，不具有第1高頻電源21及匹配器21a亦可。在此情況下，第2高頻電源22構成了一例的電漿產生部。
於載置台100對面之處理容器10的頂棚部配設有噴頭40。藉此，來自第1高頻電源21的高頻電力施加於載置台100與噴頭40之間。
藉由這種構成，載置台100也作為下部電極發揮功能，噴頭40也作為接地電位的上部電極發揮功能。又，第1高頻電源21，經由匹配器21a來和噴頭40連接亦可。
基台26，於上段及下段設有第1流路101及第2流路102。第1流路101，從冷卻單元200經由配管202、212、213、203得到第1溫度的熱媒體之流動，循環。第2流路102，從冷卻單元200經由配管201、211、214、204得到第2溫度的熱媒體之流動，循環。流經第2流路102之熱媒體的第2溫度，比流經第1流路101之熱媒體的第1溫度更高。
第1流路101，係相對於晶圓載置面往圓周方向延伸之漩渦狀或是同心圓狀的流路。第1流路101，係相對於靜電吸盤25的晶圓載置面，整體性設置，其最外周的流路，形成於晶圓W最外周之更外側。藉此，可提高晶圓W的溫度控制性，以謀求晶圓W的溫度分布的面內均一性。
第1流路101的下部，配置有第1隔熱層111。第1隔熱層111的下部，配置有第2流路102。第2流路102的下部，配置有第2隔熱層112。第2流路102，係相對於晶圓載置面往圓周方向延伸之漩渦狀或是同心圓狀的流路。第2流路102，具有與第1流路101相同之形狀亦可，具有不同形狀亦可。第2流路102，係相對於靜電吸盤25的晶圓載置面，整體性設置，其最外周的流路，形成於晶圓W最外周之更外側。藉此，可提高基台26的第1隔熱層111更下部之基台26的溫度控制性。
傳熱氣體供給部30，經由氣體供給管線31對晶圓W的背面的靜電吸盤25之間供給傳熱氣體。作為傳熱氣體，適合使用具有熱傳導性之氣體，例如He氣體等。
O型環301，配置於基台26的底面與筒狀保持構件12的上面之間。O型環302，配置於基台26的底面與氣體供給管線31的接合部32之間。
頂棚部的噴頭40，具有下面的電極板45、與以可裝卸方式支持電極板45之電極支持體41。電極板45，具有多數的氣體通氣孔46。電極支持體41的內部設有緩衝室44；和緩衝室44相連之氣體導入口42係和氣體供給配管43連接；氣體供給配管43係和處理氣體供給部47連接。
基板處理裝置1的各構成要素，係和控制部50連接。控制部50，控制基板處理裝置1的各構成要素。作為各構成要素，可舉出例如排氣裝置18、第1高頻電源21、第2高頻電源22、開關28、直流電源29、傳熱氣體供給部30、處理氣體供給部47及冷卻單元200等。
控制部50，具備CPU51及記憶體52（記錄裝置），將記憶體52所記錄之程式及處理處方讀取並執行，進而在基板處理裝置1控制所需的基板處理。另外，控制部50，進行冷卻單元200所供給之熱媒體的溫度控制、排氣裝置18的控制等。
處理容器10的周圍，配置有環狀或是同心圓狀延伸之磁石48；基板處理裝置1的處理容器10內，藉由磁石48形成了朝向一方向之水平磁場。另外，藉由施加於載置台100與噴頭40之間的高頻電力，形成了鉛直方向的RF電場。藉此，處理容器10內透過處理氣體進行磁控放電，於載置台100的表面附近，自處理氣體產生高密度的電漿。
基板處理裝置1中，於基板處理之際，首先令閘閥20為開狀態，將加工對象的晶圓W送入處理容器10內，載置於靜電吸盤25之上。令冷卻單元200所供給之第1溫度及第2溫度的熱媒體分別往第1流路101及第2流路102供給。再藉由處理氣體供給部47將處理氣體以既定的流量及流量比導入處理容器10內，藉由排氣裝置18等使處理容器10內的壓力為既定值。更藉由第1高頻電源21及第2高頻電源22將高頻電力往載置台100供給，藉由直流電源29將電壓往吸附電極25c施加，使晶圓W吸附於靜電吸盤25上。另外，將傳熱氣體往晶圓W的背面供給。再使噴頭40所噴吐出之處理氣體電漿化，藉由電漿中的自由基或離子，對晶圓W的表面進行既定的電漿處理。
［載置台］ 接下來，針對一實施形態相關載置台100的詳細構成，參照圖2並說明之。圖2，係將圖1的載置台100主要是基台26放大顯示之剖面示意圖。本圖中，顯示載置台100的構成當中主要是基台26的內部及基台26的底面所配置之O型環301、302，省略了靜電吸盤25、邊緣環27及晶圓W。又，載置台100，沒有靜電吸盤25亦可。沒有靜電吸盤25的情況下，基台26的上部成為晶圓W的載置面。
基台26，具有供第1溫度的熱媒體流動之第1流路101、與配置於第1流路101的下部之第1隔熱層111。再者，基台26，具有配置於第1隔熱層111的下部、供第2溫度的熱媒體流動之第2流路102、與配置於第2流路102的下部之第2隔熱層112。於基台26的底面即第2隔熱層112的下部，在和基台26的底面接觸之構件（筒狀保持構件12、氣體供給管線31的接合部32）之間配置了O型環301、302。
第1流路101，供第1溫度的熱媒體循環，使晶圓冷卻。流經第1流路101之熱媒體得為氟化液等的液體、液態氮或是既定的氣體。第1溫度，受控制在－100°以下的溫度（以下，也稱為｢極低溫｣。）。藉此，將載置台100的晶圓載置面局部性以極低溫區域的溫度冷卻。
第1流路101，為了改良熱交換率，而具有和熱媒體接觸的表面積較大之鰭片構造，為較佳者。圖2的例中，第1流路101設有具有多根柱子之鰭片構造101a。鰭片構造101a的多根柱子，從第1流路101之上往下方，以柱子的高度不同之方式所形成。藉此，可改良熱交換率，使第1流路101的上部所載置之晶圓W冷卻至極低溫。
第1流路101所設之構造，具有格子構造，具有凹部及/或凸部之凹凸構造，來取代鰭片構造亦可。不過，只要能確保第1流路101的機械強度，第1流路101，不具有鰭片構造或是格子構造亦可。
第1隔熱層111，具有在第1流路101的下部及側部包圍第1流路101之方式所形成的第1中空空間111a、111b。如圖1所示，第1中空空間111a、111b，藉由金屬配管130來和排氣裝置18連接，藉由排氣裝置18抽真空，受控制在真空狀態。藉此，可藉由真空隔熱效果將流經第1流路101之熱媒體的熱隔絕，使其不往第1隔熱層111的下部傳遞。
不過，並不限於此，第1中空空間111a、111b，受控制在比大氣壓更低之壓力亦可。藉此也可得到隔熱效果。在得到既定的隔熱效果的情況下，第1隔熱層111，亦可第1中空空間111a不設於第1流路101的下部，第1中空空間111b不設於側部。
藉由這種構成，藉由第1隔熱層111，將基台26內的設有第1流路101之區域，和第1隔熱層111的下部區域隔離，隔熱。藉此，可將晶圓W冷卻至極低溫，並且可抑制因第1隔熱層111的真空隔熱效果使第1隔熱層111下部區域冷卻至極低溫之情況。
又，圖2雖未圖示出，但第1隔熱層111的第1中空空間111a、111b，為了提高機械強度而具有鰭片構造或是格子構造亦可。不過，讓第1中空空間111a、111b確保盡量寬闊之空間，進而減少熱傳導來提高真空隔熱效果，是很重要的。因此，第1隔熱層111的鰭片構造或是格子構造，從機械強度與內部空間的確保這兩點來看，即使沒有該構造，在確保了機械強度的情況下，不設置亦可。
在隔著第1隔熱層111之第1流路101的相反側設有第2流路102。第2流路102，供例如0℃或是更高的溫度即第2溫度的熱媒體循環。藉此，相對於流經第1流路101之例如－100℃的熱媒體的冷卻，可抑制隔著第1隔熱層111之第1流路101的相反側區域冷卻至極低溫之情況。
往第2流路102流動之熱媒體，得為氟化液等的液體，或是既定的氣體。往第2流路102流動之熱媒體的種類，和流經第1流路101之熱媒體相同亦可，不同亦可。
第2流路102，為了改良熱交換率，具有和熱媒體接觸的表面積較大之鰭片構造亦可。例如，和第1流路101同樣地，第2流路102設有具有多根柱子之鰭片構造亦可。藉此，可改良熱交換率，藉由供趨近常溫之第2溫度的熱媒體流動之第2流路102，吸收基台26的熱，讓配置有第2流路102之基台26的區域的溫度上升。藉此，可有效抑制極低溫的熱媒體在第1流路101循環造成基台26全體的溫度下降之情況。
第2流路102所設之構造，具有格子構造，具有凹部及/或凸部之凹凸構造，來取代鰭片構造亦可。不過，只要能確保第2流路102的機械強度，第2流路102，不具有鰭片構造或是格子構造亦可。
第2隔熱層112，具有在第2流路102的下部及側部包圍第2流路102之方式所形成的第2中空空間112a、112b。如圖1所示，第2中空空間112a、112b，藉由金屬配管131來和排氣裝置18連接，藉由排氣裝置18抽真空，受控制在真空狀態。藉此，可藉由真空隔熱效果將流經第1流路101之熱媒體的熱更加隔絕，使其不往第2隔熱層112的下部傳遞。
不過，並不限於此，第2中空空間112a、112b，受控制在比大氣壓更低之壓力亦可。藉此也可得到隔熱效果。在得到既定的隔熱效果的情況下，第2隔熱層112，亦可第2中空空間112a不設於第2流路102的下部，第2中空空間112b不設於側部。
藉由這種構成，對第2流路102供給趨近常溫之溫度的熱媒體，吸收基台26的熱，藉由第2隔熱層112將基台26內的設有第1流路101之區域，和第2隔熱層112的下部區域更加隔離，隔熱。藉此，即使在晶圓W冷卻至極低溫之環境中，也可令第2隔熱層112的下部區域的溫度比玻璃轉換點更高，以防止O型環301、302的密封性能劣化。
具體說明，O型環301、302，由氟橡膠、矽氧橡膠等所形成。O型環301、302於極低溫使用時，密封性能變差。一般而言，物質冷卻，則流動性減少，以一定溫度（凝固點）為界，從液體變成固體。作為固體而安定之狀態，分成具有橡膠彈性之橡膠狀態，與以更低溫完全凍結之玻璃狀態。以玻璃轉換點的溫度為－60℃左右之矽氧橡膠，形成了O型環的情況下，在－60℃以下的溫度使用O型環時，O型環成為玻璃狀態，密封性能降低。結果，無法使真空空間U保持氣密不受大氣空間A影響，發生真空外洩。所以，要在可於玻璃轉換點的溫度以下發揮O型環的密封機能之狀態下，使用O型環係有其困難。
近年來，元件構造的細微化及高密度化持續發展，讓接觸孔等隨著往較高長寬比發展。我們也討論到以較高長寬比的蝕刻等將晶圓W的溫度下降至極低溫來進行蝕刻，在此情況下，O型環的密封性能的劣化，成為一大問題。
對此，這種構成的載置台100中，使例如－100℃以下的極低溫即第1溫度的熱媒體在第1流路101循環，進而可提升晶圓W的冷卻效率。另一方面，即使第1溫度比O型環301、302的玻璃轉換溫度更低，載置台100，也可藉由第1流路101的下部所設之第1隔熱層111及第2流路102的下部所設之第2隔熱層112進行真空隔熱。除此之外，載置台100，藉由對第1隔熱層111的下部所設之第2流路102使例如常溫等，比玻璃轉換點更高之第2溫度的熱媒體流動，便可吸收基台26的熱。
藉此，可抑制O型環301、302的密封面的溫度下降，令密封面的溫度為比玻璃轉換點更高之溫度。藉此，即使在以極低溫將晶圓W冷卻之構造中，O型環301、302的密封性能也不會劣化，可使用O型環301、302將處理容器10內的真空空間U密封免於基台26之下的大氣空間A影響。結果，可保持真空空間U的氣密。
更，因真空空間U與大氣空間A的差壓所造成之來自基台26的底面側的大氣壓的負載，分別由第1隔熱層111的及第2隔熱層112的中空空間所吸收，進而可抑制晶圓載置面的撓曲變形。
除了O型環301、302以外，於基台26的底面與通有推桿銷的管之接合部配置O型環亦可，於基台26的底面與其下部所配置的其他構件之間配置O型環亦可。在此情況下，O型環的密封性能不會降低，可藉由O型環保持真空空間U的氣密。
又，圖2雖未圖示出，但第2隔熱層112的第2中空空間112a、112b，為了提高機械強度而具有鰭片構造或是格子構造亦可。不過，讓第2中空空間112a、112b確保盡量寬闊之空間，進而減少熱傳導來提高真空隔熱效果，是很重要的。因此，第2隔熱層112的鰭片構造或是格子構造，從機械強度與內部空間的確保這兩點來看，即使沒有該構造，在確保了機械強度的情況下，不設置亦可。
另外，第2中空空間112a、112b，和第1中空空間111a、111b為相同形狀亦可，不同形狀亦可。另外，第2中空空間112a、112b，和第1中空空間111a、111b相連，成為同一空間亦可；和第1中空空間111a、111b為各別的空間亦可。
不過，為了提高隔熱效果，第1中空空間111a、111b及第2中空空間112a、112b都要進行減壓控制，所以令其為容易控制成真空空間之構造，為較佳者。
［變形例］ 以可確保基台26的機械強度之形狀或尺寸形成了第1流路101、第1隔熱層111、第2流路102及第2隔熱層112的情況下，如同圖3的變形例相關載置台100，各構造都不設置鰭片構造及格子構造亦可。
另外，隔熱層的層數並不限於2層，為1層或是多層亦可，沒有亦可。另外，配置於第1流路101的下部之流路並不限於1條，為多條亦可，沒有亦可。
另外，配置於第1流路101的下部之第2流路102等的流路，分成低溫管線與常溫管線等的多條流路亦可，為1條管線的流路亦可。
使極低溫的熱媒體於第1流路101循環，也藉由第1隔熱層111，將O型環301、302的密封面控制在比玻璃轉換點更高之溫度的情況下，不設置第2流路102及第2隔熱層112亦可。在此情況下，O型環301、302，不透過第2流路102及第2隔熱層112，配置於第1隔熱層111的下部。
［製造方法］ 接下來，針對一實施形態及變形例相關載置台100的製造方法進行說明。基台26，其內部形成有第1流路101、第1隔熱層111、第2流路102及第2隔熱層112，成為中空構造。
再者，一實施形態相關載置台100的基台26中，第1流路101內有鰭片構造101a形成。這種構成的基台26，以3D列印技術、積層製造（Additive Manufacturing）技術加以製造，為較佳者。具體而言，可使用利用金屬材料之積層造型技術。例如，可使用對粉末金屬照射雷射或電子束使其燒結進而造型之造型技術；供給粉末金屬或金屬絲，同時以雷射或電子束使材料熔融堆積進而造型之造型技術等。又，此等的造型方法僅為一例，並不限於此。另外，包含基台26之載置台100以3D列印技術、積層製造技術加以製造亦可。
本次所揭示之一實施形態及其變形例相關載置台及基板處理裝置，應視為在所有要點中僅為例示，並非有所限制。上述的實施形態，並未脫離所附的申請專利範圍及其主旨，能以各種形態進行變形及改良。上述複數的實施形態所記載之事項，在不互相矛盾之範圍內可採取其他構成，或是可在不互相矛盾之範圍內加以組合。
本發明的載置台，均可適用於Capacitively Coupled Plasma（CCP，電容耦合電漿）、Inductively Coupled Plasma（ICP，電感耦合電漿）、Radial Line Slot Antenna（輻射線槽孔天線）、Electron Cyclotron Resonance Plasma（ECR，電子迴旋共振電漿）、Helicon Wave Plasma（HWP，螺旋波電漿）、ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）裝置的任何類型的基板處理裝置。另外，作為基板處理裝置的一例，舉出電漿處理裝置進行了說明，但基板處理裝置，只要是對基板實施既定處理（例如，成膜處理、蝕刻處理等）之裝置即可，並不限於電漿處理裝置。例如，CVD裝置亦可。
1:基板處理裝置 10:處理容器 12:筒狀保持構件 13:筒狀支持部 14:排氣路 15:緩衝板 16:排氣口 17:排氣管 18:排氣裝置 19:送入出口 20:閘閥 21:第1高頻電源 21a:匹配器 22:第2高頻電源 22a:匹配器 25:靜電吸盤 25a:介電膜 25c:吸附電極 26:基台 27:邊緣環 28:開關 29:直流電源 30:傳熱氣體供給部 31:氣體供給管線 32:接合部 40:噴頭 41:電極支持體 42:氣體導入口 43:氣體供給配管 44:緩衝室 45:電極板 46:氣體通氣孔 47:處理氣體供給部 48:磁石 50:控制部 51:CPU 52:記憶體 100:載置台 101:第1流路 101a:鰭片構造 111:第1隔熱層 111a,111b:第1中空空間 102:第2流路 112:第2隔熱層 112a,112b:第2中空空間 130,131:金屬配管 200:冷卻單元 201,204,211,214:配管 202,203,212,213:配管 301,302:O型環 U:真空空間 A:大氣空間 W:晶圓
［圖1］係顯示一實施形態相關基板處理裝置的一例之剖面示意圖。 ［圖2］係將一實施形態相關載置台放大之剖面示意圖。 ［圖3］係將一實施形態的變形例相關載置台放大之剖面示意圖。
10:處理容器
12:筒狀保持構件
13:筒狀支持部
15:緩衝板
26:基台
31:氣體供給管線
32:接合部
100:載置台
101:第1流路
101a:鰭片構造
111:第1隔熱層
111a,111b:第1中空空間
102:第2流路
112:第2隔熱層
112a,112b:第2中空空間
301,302:O型環
U:真空空間
A:大氣空間

Claims (13)

  1. 一種載置台，用以載置基板，並包含基台； 該基台具有： 第1流路，供第1溫度的熱媒體流動； 第1隔熱層，配置於該第1流路的下部；及 密封構件，配置於該第1隔熱層的下部。
  2. 如請求項1的載置台，其中， 該第1隔熱層，具有第1中空空間； 該第1中空空間，受控制在比大氣壓更低之壓力。
  3. 如請求項2的載置台，其中， 該第1中空空間，具有鰭片構造或是格子構造。
  4. 如請求項1～3中任一項的載置台，其中， 該第1流路，具有鰭片構造或是格子構造。
  5. 如請求項1～4中任一項的載置台，其中，更包含： 第2流路，配置於該第1隔熱層下部，供第2溫度的熱媒體流動；及 第2隔熱層，配置於該第2流路的下部； 該密封構件，配置於該第2隔熱層的下部。
  6. 如請求項5的載置台，其中， 該第2隔熱層，具有第2中空空間； 該第2中空空間，受控制在比大氣壓更低之壓力。
  7. 如請求項6的載置台，其中， 該第2中空空間，具有鰭片構造或是格子構造。
  8. 如請求項5～7中任一項的載置台，其中， 該第2流路，具有鰭片構造或是格子構造。
  9. 如請求項5～8中任一項的載置台，其中， 該第2溫度，比該第1溫度更高。
  10. 如請求項5～9中任一項的載置台，其中， 該第2溫度，比該密封構件的玻璃轉換溫度更高。
  11. 如請求項1～9中任一項的載置台，其中， 該第1溫度，比該密封構件的玻璃轉換溫度更低。
  12. 如請求項1～11中任一項的載置台，其中， 該基台係以3D列印技術或是積層製造技術加以成形。
  13. 一種基板處理裝置，具備處理容器與載置台； 該載置台，配置於該處理容器內，用來載置基板，並包含基台； 該基台具有： 第1流路，供第1溫度的熱媒體流動； 第1隔熱層，配置於該第1流路的下部；及 密封構件，配置於該第1隔熱層的下部。
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