TW202033626A - 用於研磨墊之組成物、研磨墊及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

於依據實施例之組成物中，構成一胺基甲酸酯系預聚物之鏈的寡聚物之組成可被調整以控制其諸如膠凝時間之物理性質。因此，因為藉由固化依據實施例之組成物獲得之一研磨墊的微孔洞特徵、研磨速率，及墊切割速率可被控制，所以其可使用此研磨墊有效率地製造高品質半導體裝置。

Description

用於研磨墊之組成物、研磨墊及其製備方法
發明領域
實施例係有關於用於一化學機械平坦化(CMP)方法的一多孔性聚胺基甲酸酯研磨墊之一組成物，一多孔性聚胺基甲酸酯研磨墊，及其製備方法。
背景技藝
一用於製備半導體之方法中之化學機械平坦化(CMP)方法係指一步驟，其中，諸如一晶圓之一半導體基材固定於一頭部且與安置於一平台上之一研磨墊的表面接觸，然後，於平台與頭部相對移動時，晶圓藉由供應一漿料而作化學處理，藉此，使半導體基材上之不規格物進行機械式平坦化。
一研磨墊係於此一CMP方法中扮演一重要角色之一基本元件。一般，一研磨墊係由一聚胺基甲酸酯樹脂組成，此樹脂包含包含藉由一二異氰酸酯單體與一多元醇反應而獲得之一預聚物、一固化劑、一發泡劑等。
此外，一研磨墊於其表面上設有供一漿料大量流動之溝槽，及供支撐其細微流動之孔洞。此等孔洞可藉由使用具有孔隙之一固相發泡劑、一惰性氣體、一液相材料、一纖維等形成，或藉由以一化學反應產生氣體而形成(見韓國早期公開專利公開案第2016-0027075號案)。
發明揭露 技術問題
用於製備一研磨墊之一胺基甲酸酯系預聚物於其物理性質係隨單體而改變，其對於化學機械平坦化(CMP)方法之性能具有一巨大衝擊。因此，調整一胺基甲酸酯系預聚物之組成及物理性質於控制一研磨墊的性能係非常重要。
由於本案發明人進行研究，發現膠凝時間藉由構成一胺基甲酸酯系預聚物中之鏈的寡聚物的組成作改變，然後，其改變研磨墊之伸長率及孔洞尺寸，因而影響CMP性能，諸如，其研磨速率。特別地，本案發明人聚焦於藉由用於製備一胺基甲酸酯系預聚物之多元醇與芳香族二異氰酸酯單體的反應而製得之寡聚物的組成。
因此，實施例目標係提供一組成物，其物理性質係藉由調整構成一胺基甲酸酯系預聚物的鏈之寡聚物的組成而作控制，用於製備此組成物之一方法，用於自其製備一研磨墊之一方法，自此組成物製備之一研磨墊，及藉由使用此研磨墊製備一半導體之一方法。 問題解決方式
依據一實施例，提供一組成物，其包含一胺基甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑，其中，胺基甲酸酯系預聚物包含以下列化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以下列化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3。 [化學式1]
Figure 02_image001
依據另一實施例，提供一用於製備一組成物之方法，其包含製備以上述化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；製備以上述化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3；製備包含此第一寡聚物及此第二寡聚物之一胺基甲酸酯系預聚物；及使此胺基甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑混合。
依據另一實施例，提供一用於製備一研磨墊之方法，其包含製備一第一原料組成物，其包含一胺基甲酸酯系預聚物；製備一第二原料組成物，其包含一固化劑；製備一第三原料組成物，其包含一發泡劑；使此第一原料組成物依序或同時與此第二原料組成物及此第三原料組成物混合製備一原料混合物；及使此原料混合物注射至一模具內及使其固化，其中，此胺基甲酸酯系預聚物具有與包含於依據先前實施例之組成物中之此胺基甲酸酯系預聚物相同之組成。
依據另一實施例，提供一研磨墊，其包含一聚胺基甲酸酯樹脂，及多個分散於此聚胺基甲酸酯樹脂中之微孔洞，其中，此聚胺基甲酸酯樹脂係自一胺基甲酸酯系預聚物衍生，且此胺基甲酸酯系預聚物具有與包含於依據先前實施例之組成物中之此胺基甲酸酯系預聚物相同之組成。
依據另一實施例，提供一用於製備一半導體裝置之方法，其包含使用一研磨墊研磨一半導體基材之表面，其中，此研磨墊包含一聚胺基甲酸酯樹脂及多個分散於此聚胺基甲酸酯樹脂中之微孔洞，此聚胺基甲酸酯樹脂係自一胺基甲酸酯系預聚物衍生，且此胺基甲酸酯系預聚物具有與包含於依據先前實施例之組成物中的此胺基甲酸酯系預聚物相同之組成。 發明有利功效
於依據實施例之組成物，構成一胺基甲酸酯系預聚物的鏈之寡聚物的組成可被調整控制其物理性質，諸如，膠凝時間。因此，因為藉由固化依據實施例之此組成物而獲得之一研磨墊的微孔洞特徵、研磨速率，及墊切割速率可被控制，可使用此研磨墊有效率地製造高品質半導體裝置。
實行本發明之最佳模式
於整個實施例說明，在一元件被提及係形成於另一元件之上或之下的情況，其意指此元件不僅係直接形成於另一元件之上或之下，亦意指此元件係間接形成於另一元件之上或之下，且其它元件係夾置於此等元件之間。
於此說明書中，當一零件被稱為“包含”一元件，需瞭解其亦可包含其它元件，而非排除其它元件，除非另有特別陳述。
此外，與此處使用之一組份的物理性質、尺寸等有關之所有數值範圍需瞭解係以術語“約”作修飾，除非另作指示。
於此說明書中，單數型式係欲在單數及多數之背景下作闡述，除非上下文中另作說明。 一研磨墊之組成物
依據一實施例之組成物包含一胺基甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑。以下，每一組份將作詳細說明。 胺基甲酸酯系預聚物
一預聚物通常係指具有一相對較低分子量之一聚合物，其中，為了於其製造方法中方便模製一產物，聚合度被調整成一中間程度。例如，胺基甲酸酯系預聚物之重量平均分子量(Mw)可為500克/莫耳至3,000克/莫耳，600克/莫耳至2,000克/莫耳，或700克/莫耳至1,500克/莫耳。一預聚物可以其本身作模製，或於與另一可聚合化合物或一固化劑作進一步反應之後模製，形成一最終產物。
胺基甲酸酯系預聚物係至少一二異氰酸酯單體(at least one diisocyanate monomer)與至少一多元醇之一預聚合反應產物。
此至少一二異氰酸酯單體可為至少一芳香族二異氰酸酯單體及/或至少一脂族二異氰酸酯單體。例如，其可為選自甲苯二異氰酸酯(TDI)、萘-1,5-二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HDI)、二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)，及異佛爾酮二異氰酸酯所組成群組之至少一異氰酸酯。
作為一特別例子，此至少一二異氰酸酯單體可包含至少一芳香族二異氰酸酯單體，且此至少一芳香族二異氰酸酯單體可包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。
作為另一特別例子，此至少一二異氰酸酯單體可包含至少一脂族二異氰酸酯單體，且此至少一脂族二異氰酸酯單體可為二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HDI)、二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)等。
用於上述實施例之多元醇係於聚胺基甲酸酯製備領域廣為認知之一傳統多元醇。其可具有一、二，或多個羥基基團，且以種類及分子量而言係不受特別限制。一般，一多元醇係不同於一單分子醇。其可指包含至少一羥基基團且具有一特定分子量，例如，200或更多，特別是300至3,000之一重量平均分子量，之一化合物。
多元醇的特別例子包括聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚碳酸酯多元醇、聚己內酯多元醇等。聚合物多元醇可具有300克/莫耳至3,000克/莫耳之一重量平均分子量(Mw)。特別地，一聚醚多元醇係含有二或更多個亞烷基醚(或亞烷基二醇)重複單元之一化合物。其可具有達到不僅係一低分子量，且依亞烷基醚單元之重複數量而定為一寡聚物至一聚合物之一分子量。
此外，一多元醇可指具有不同分子量之此等化合物的一混合物之一組成物。其可包含諸如乙二醇(EG)、二乙二醇(DEG)、丙二醇(PG)、丙烷二醇(PDO)、甲基丙烷二醇(MP-diol)等之一醇。 預聚物中之鏈結構
胺基甲酸酯系預聚物包含一二異氰酸酯單體與一多元醇間之具有不同分子量的聚合反應物。
特別地，胺基甲酸酯系預聚物包含一芳香族二異氰酸酯單體與一多元醇間之具有不同分子量的寡聚物。
更特別地，胺基甲酸酯系預聚物包含甲苯二異氰酸酯(TDI)與二乙二醇(DEG)間之具有不同分子量的寡聚物。
依據實施例之胺基甲酸酯系預聚物含以下列化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以下列化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3。 [化學式1]
Figure 02_image001
例如，胺基甲酸酯系預聚物可包含呈1:0.1至1:10，1:0.2至1:5，1:0.5至1:2，或1:0.6至1:1.5之一重量比例的第一寡聚物及第二寡聚物。
作為一特別例子，胺基甲酸酯系預聚物可包含呈1:0.2至1:5之一重量比例的第一寡聚物及第二寡聚物。
此外，胺基甲酸酯系預聚物可進一步包含以上述化學式1表示之一第三寡聚物，其中，n係4至6之一整數。
例如，胺基甲酸酯系預聚物可包含呈1:0.1:0.1至1:10:10，1:0.2:0.2至1:5:5，1:0.5:0.5至1:2:2，或1:0.6:0.6至1:1.5:1.5之一重量比例的第一寡聚物、第二寡聚物，及第三寡聚物。
作為一特別例子，胺基甲酸酯系預聚物可包含呈1:0.2:0.1至1:5:10之一重量比例的第一寡聚物、第二寡聚物，及第三寡聚物。
第一寡聚物可為以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係0，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係1，或此等之一混合物。
第二寡聚物可為以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係2，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係3，或其等之一混合物。
第三寡聚物可為以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係4，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係5，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係6，或其等之至少二者的一混合物。
因此，包含第一寡聚物、第二寡聚物，及第三寡聚物之組成物可具有不同組成。
作為一例子，組成物可包含以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係0，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係1，之至少一者；及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係2，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係3，之至少一者。
作為另一例子，組成物可包含以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係0，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係1，之至少一者；以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係2，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係3，之至少一者；及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係4，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係5，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係6，之至少一者。
作為另一例子，組成物可包含以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係0，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係1，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係2。
作為另一例子，組成物可包含以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係0，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係1，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係2，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係3。
作為另一例子，組成物可包含以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係0，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係1，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係2，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係3，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係4。
作為另一例子，組成物可包含以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係0，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係1，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係2，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係3，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係4，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係5。
作為另一例子，組成物可包含以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係0，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係1，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係2，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係3，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係4，以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係5，及以上述化學式1表示之一寡聚物，其中，n係6。
包含於依據實施例之組成物中之胺基甲酸酯系預聚物可進一步包含以下列化學式2表示之一化合物。 [化學式2]
Figure 02_image003
於上述化學式中，p係5至30之一整數。
另外，p可為1至100，3至50，或10至20之一整數。 反應之二異氰酸酯單體
於胺基甲酸酯系預聚物中，二異氰酸酯單體可藉由至少一NCO基團之一反應(即，二NCO基團或一NCO基團之一反應)於預聚物中形成一鏈。
二異氰酸酯單體中之NCO基團之反應包括與一多元醇之一反應，或另一化合物之一副反應，且其不受特別限制。例如，NCO基團之反應可包括一鏈伸長反應或一交聯反應。
作為一例子，NCO基團之反應包括一胺基甲酸酯反應，其中，於一二異氰酸酯單體與一多元醇反應製備胺基甲酸酯系預聚物期間，NCO基團與OH基團反應形成一胺基甲酸酯基團(-NH-C(=O)-O-)。作為一代表例，甲苯二異氰酸酯(TDI)之NCO基團與二乙二醇(DEG)之OH基團可接受一胺基甲酸酯反應，形成一聚合物鏈。作為另一例子，NCO基團之反應可包括與一胺化合物之一尿素反應，且因此，形成一尿素基團(-NH-C(=0)-NH-)。作為另一例子，NCO基團之反應可進一步包括一交聯反應。例如，其可進一步包括一交聯反應形成一脲甲酸酯基團或一雙縮脲基團。
特別地，用於製備胺基甲酸酯系預聚物之此至少一二異氰酸酯單體可包含至少一芳香族二異氰酸酯單體。此至少一芳香族二異氰酸酯單體可以一高速率參與預聚合反應。
例如，胺基甲酸酯系預聚物可包含一芳香族二異氰酸酯單體，其中，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，至少一NCO基團係以50重量%至99重量%，60重量%至99重量%，70重量%至99重量%，80重量%至99重量%，或90重量%至99重量%之一量反應。
特別地，胺基甲酸酯系預聚物可包含一芳香族二異氰酸酯單體，其中，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，二NCO基團係以10重量%至40重量%，10重量%至35重量%，15重量%至35重量%，20重量%至35重量%，10重量%至30重量%，20重量%至30重量%，15重量%至25重量%，或10重量%至25重量%之一量反應。
此外，胺基甲酸酯系預聚物可包含一芳香族二異氰酸酯單體，其中，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，一NCO基團係以50重量%至90重量%，60重量%至90重量%，70重量%至90重量%，80重量%至90重量%，50重量%至80重量%，或60重量%至80重量%之一量反應。
於此情況，胺基甲酸酯系預聚物可包含其中二NCO基團反應之芳香族二異氰酸酯單體，及其中一NCO基團係以0.1:1至1:1，0.2:1至1:1，0.2:1至0.5:1，0.3:1至1:1，或0.3:1至0.5:1之一重量比例反應之芳香族二異氰酸酯單體。
更特別地，此至少一芳香族二異氰酸酯單體可包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯。於此情況，胺基甲酸酯系預聚物可包含甲苯2,4-二異氰酸酯，其中，至少一NCO基團反應；及甲苯2,6-二異氰酸酯，其中，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，至少一NCO基團係以90重量%至98重量%，93重量%至98重量%，或95重量%至98重量%之一量反應。
此外，胺基甲酸酯系預聚物可包含甲苯2,4-二異氰酸酯，其中，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，二NCO基團係以10重量%至40重量%，10重量%至35重量%，15重量%至35重量%，20重量%至35重量%，10重量%至30重量%，20重量%至30重量%，或10重量%至25重量%之一量反應。
此外，胺基甲酸酯系預聚物可包括甲苯2,4-二異氰酸酯，其中，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，一NCO基團係以40重量%至80重量%，45重量%至75重量%，45重量%至70重量%，50重量%至65重量%，45重量%至65重量%，45重量%至60重量%，60重量%至75重量%，或60重量%至70重量%之一量反應。
此外，胺基甲酸酯系預聚物可包含甲苯2,6-二異氰酸酯，其中，以此至少一芳香族二異氰酸酯單體之總重量為基準，一NCO基團係以1重量%至30重量%，5重量%至25重量%，10重量%至25重量%，10重量%至20重量%，5重量%至20重量%，5重量%至15重量%，或10重量%至15重量%之一量反應。 未反應之二異氰酸酯單體
此外，一些用於製備胺基甲酸酯系預聚物之反應中的化合物可能未參與此反應。
因此，未參與此反應之一化合物可能存在於胺基甲酸酯系預聚物。
特別地，胺基甲酸酯系預聚物可包含一未反應之二異氰酸酯單體。於此說明書中，“未反應之二異氰酸酯單體”係指其中二NCO基團維持未反應之一二異氰酸酯單體。
以胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，胺基甲酸酯系預聚物可包含7重量%至10重量%，7重量%至9重量%，7重量%至8重量%，8重量%至10重量%，9重量%至10重量%，或8重量%至9重量%之一量的一未反應之二異氰酸酯單體。
存在於胺基甲酸酯系預聚物中之未反應之二異氰酸酯單體可包含一未反應之芳香族二異氰酸酯單體。
例如，以胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，胺基甲酸酯系預聚物可包含0.1重量%至5重量%，0.1重量%至3重量%，0.1重量%至2.3重量%，0.1重量%至1.5重量%，0.1重量%至1重量%，0.5重量%至2重量%，或1重量%至2重量%之一量的一未反應之芳香族二異氰酸酯單體。
作為一特別例子，以胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，胺基甲酸酯系預聚物可包含0.1重量%至3重量%之一量的一未反應之芳香族二異氰酸酯單體。
當用於製備胺基甲酸酯系預聚物之反應中的此至少一芳香族二異氰酸酯單體包含甲苯2,4-二異氰酸酯及甲苯2,6-二異氰酸酯，甲苯2,6-二異氰酸酯於其間在反應性係相對較低，且因此可未與一多元醇反應而存在於胺基甲酸酯系預聚物。
例如，以胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，胺基甲酸酯系預聚物可包含0.1重量%至10重量%，0.1重量%至8重量%，0.1重量%至6重量%，0.1重量%至4重量%，0.1重量%至3重量%，0.5重量%至4重量%，或1重量%至4重量%之一量的未反應之甲苯2,6-二異氰酸酯。
此外，存在於胺基甲酸酯系預聚物中的未反應之二異氰酸酯單體可包含一未反應之脂族二異氰酸酯單體。
例如，以胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，胺基甲酸酯系預聚物可包含1重量%至20重量%，1重量%至15重量%，1重量%至10重量%，5重量%至20重量%，10重量%至20重量%，或5重量%至15重量%之一量的一未反應之脂族二異氰酸酯單體。
此外，胺基甲酸酯系預聚物可包含0.01:1至1:1，0.05:1至0.8:1，0.05:1至0.7:1，0.05:1至0.5:1，或0.05:1至0.3:1之一重量比例的未反應之芳香族二異氰酸酯單體及未反應之脂族二異氰酸酯單體。 未反應之NCO基團的含量
胺基甲酸酯系預聚物可於一聚合物、寡聚物，或包含於其內之單體的終端具有一未反應之NCO基團。
例如，以胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，胺基甲酸酯系預聚物可包含5重量%至15重量%，5重量%至13重量%，8重量%至10重量%，9重量%至10重量%，7重量%至9重量%，或7重量%至8重量%之一含量的一未反應之NCO基團。
作為一特別例子，以胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，胺基甲酸酯系預聚物可包含7重量%至10重量%之一量的一未反應之NCO基團。於此情況，以胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，胺基甲酸酯系預聚物可包含1重量%至3重量%之一量的未反應之芳香族二異氰酸酯單體。此外，於此情況，組成物可具有100秒至115秒之一膠凝時間。 固化劑
固化劑可為一胺化合物及一醇化合物之至少一者。特別地，固化劑可包含選自一芳香族胺、一脂族胺、一芳香族醇，及一脂族醇所組成群組之至少一化合物。
例如，固化劑可為選自由4,4'-亞甲基雙(2-氯苯胺)(MOCA)、二乙基甲苯二胺(DETDA)、二胺基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸、間-二甲苯二胺、異佛爾酮二胺、乙二胺、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、聚丙二胺、聚亞丙基三胺、乙二醇、二乙二醇、二丙二醇、丁二醇、己二醇、丙三醇、三羥甲基丙烷，及雙(4-胺基-3-氯苯基)甲烷所組成群組之至少一者。
以每一分子中之反應性基團的莫耳數為基準，胺基甲酸酯系預聚物與固化劑可以1:0.8至1:1.2之一莫耳當量比例，或1:0.9至1:1.1之一莫耳當量比例混合。此處，“每一分子中之反應性基團的莫耳數”係指，例如，胺基甲酸酯系預聚物中之異氰酸酯基團的莫耳數，及固化劑中之反應性基團(例如，胺基團、醇基團等)的莫耳數。因此，，胺基甲酸酯系預聚物及固化劑於混合方法期間藉由控制供料速率可以一固定速率供料，使得胺基甲酸酯系預聚物及固化劑係以滿足如上例示之莫耳當量比例之每單位時間的量供料。 發泡劑
發泡劑不受特別限制，只要其係普遍用於在一研磨墊中形成孔隙。
例如，發泡劑可為選自具有一孔隙結構之一固相發泡劑、使用一揮發性液體之一液相發泡劑，及一惰性氣體之至少一者。
固相發泡劑可為尺寸藉由一熱膨脹作調整微之膠囊(以下稱為“經熱膨脹之微膠囊”)，其。經熱膨脹之微膠囊可藉由使可熱膨脹之微膠囊熱膨脹而獲得。因為呈已膨脹之微氣球的一結構之經熱膨脹之微膠囊具有一均一顆粒直徑，其等具有孔洞直徑可均勻控制之優異。特別地，固相發泡劑可呈具有5µm至200µm之一平均顆粒直徑的微氣球之一結構。
可經熱膨脹之微膠囊包含一殼，其包含一熱塑性樹脂；及一發泡劑，其係包封於此殼之內部。熱塑性樹脂可為選自由一偏二氯乙烯系共聚物、一丙烯腈系共聚物、一甲基丙烯腈系共聚物，及一丙烯酸系共聚物所組成群組之至少一者。再者，發泡劑可為選自具有1至7個碳原子之烴所組成群組之至少一者。
以100重量份之胺基甲酸酯系預聚物為基準，固相發泡劑可以0.1重量份至2重量份之一量使用。特別地，以100重量份之胺基甲酸酯系預聚物為基準，固相發泡劑可以0.3重量份至1.5重量份或0.5重量份至1.0重量份之一量使用。
惰性氣體的種類不受特別限制，只要其不參與胺基甲酸酯系預聚物與固化劑之間的反應。例如，惰性氣體可為選自由氮氣(N2 )、二氧化碳(CO2 )、氬氣(Ar)，及氦(He)所組成群組之至少一者。特別地，惰性氣體可為氮氣(N2 )或二氧化碳(CO2 )。
以聚胺基甲酸酯組成物之總體積為基準，惰性氣體可以10%至30%之一體積供料。特別地，以聚胺基甲酸酯組成物之總體積為基準，惰性氣體可以15%至30%之一體積供料。 膠凝時間
組成物花費一特定時間藉由固化而膠凝，此稱為膠凝時間。
組成物之膠凝時間可為至少50秒，至少70秒，至少80秒，或至少100秒。例如，組成物之膠凝時間可為50秒至200秒，50秒至150秒，50秒至100秒，100秒至200秒，或150秒至200秒。作為一特別例子，組成物可具有80秒至130秒之一膠凝時間。
膠凝時間可為，例如，於70℃測得之一數值。 膠凝時之特徵
組成物之諸如抗拉強度、伸長率、硬度等之機械性質可於固化時調整至特別範圍。
例如，組成物於固化時之抗拉強度可為5N/mm2 至30N/mm2 ，10N/mm2 至25N/mm2 ，10N/mm2 至20N/mm2 ，或15N/mm2 至30N/mm2 。
此外，組成物於固化時之伸長率可為50%至300%，100%至300%，150%至250%，或100%至200%。
此外，組成物於固化時之硬度可為30肖氏D(Shore D)至80肖氏D，40肖氏D至70肖氏D，50肖氏D至70肖氏D，40肖氏D至60肖氏D，或50肖氏D至60肖氏D。
作為一特別例子，組成物於固化時可具有10N/mm2 至23N/mm2 之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，及40肖氏D至65肖氏D之一硬度。
組成物於固化時可具有多個微孔洞。
微孔洞之平均尺寸可為10µm至50µm，20µm至50µm，20µm至40µm，20µm至30µm，或30µm至50µm。
此外，組成物於固化時之研磨速率(或移除速率)可為3,000Å/50秒至5,000Å/50秒，3,000Å/50秒至4,000Å/50秒，4,000Å/50秒至5,000Å/50秒，或3,500Å/50秒至4,500Å/50秒。
此外，組成物於固化時之墊切割速率可為30µm/小時至60µm/小時，30µm/小時至50µm/小時，40µm/小時至60µm/小時，或40µm/小時至50µm/小時。 用於製備一組成物之方法
依據一實施例之用於製備一組成物的方法包含製備以上述化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；製備以上述化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3；製備包含此第一寡聚物及此第二寡聚物之一胺基甲酸酯系預聚物；及將此胺基甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑混合。
製備第一寡聚物及製備第二寡聚物之步驟係藉由使至少一二異氰酸酯單體與至少一多元醇反應而實行。第一寡聚物及第二寡聚物可藉由調整諸如反應當量比例、反應時間等之反應條件而獲得。另外，具有不同分子量之寡聚物的一預聚物可被製備，然後純化獲得第一寡聚物及第二寡聚物。
製備包含第一寡聚物及第二寡聚物之一胺基甲酸酯系預聚物的步驟可與製備第一寡聚物及製備第二寡聚物之步驟同時或依序實行。另外，第一寡聚物及第二寡聚物可先製備，然後，彼此混合獲得胺基甲酸酯系預聚物。
其後，胺基甲酸酯系預聚物可與一固化劑及一發泡劑混合，獲得一組成物。
例如，胺基甲酸酯系預聚物、一固化劑、一發泡劑，及添加劑可先於一攪拌器中混合，其後添加一光起始劑。於此情況，混合可以1,000rpm至10,000rpm或4,000rpm至7,000rpm之一速度實行。 用於製備一研磨墊之方法
依據一實施例之用於製備一研磨墊的方法包含模製依據此實施例之組成物同時使其固化。
即，依據一實施例之用於製備一研磨墊的方法包含製備包含一胺基甲酸酯系預聚物之一第一原料組成物；製備包含一固化劑之一第二原料組成物；製備包含一發泡劑之一第三原料組成物；同時或依序使第一原料組成物與第二原料組成物及第三原料組成物混合，製備一原料混合物；及將原料混合物注射至一模具中及使其固化，其中，此胺基甲酸酯系預聚物包含以上述化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以上述化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3。 [化學式1]
Figure 02_image001
特別地，製備原料混合物之步驟可藉由使第一原料組成物與第二原料組成物混合，其後使其進一步與第三原料組成物混合而實行，或藉由使第一原料組成物與第三原料組成物混合，其後使其進一步與第二原料組成物混合而實行。
此外，製備原料混合物之步驟可於50℃至150℃之條件下實行。若需要其可於真空消泡條件下實行。
使原料混合物注射於一模具中且使其固化之步驟可於60℃至120℃之溫度條件及50kg/m2 至200kg/m2 之壓力條件下實行。
此外，上述製備方法可進一步包含切割因而獲得之一研磨墊的表面，於其表面上機械加工出溝槽，與下零件結合，檢測，包裝等。此等步驟可以用於製備一研磨墊之一傳統方式實行。 研磨墊
依據一實施例之研磨墊包含依據實施例之組成物的一經固化之產物，及分散於此經固化之產物中的多個微孔洞。
即，依據一實施例之研磨墊包含一聚胺基甲酸酯樹脂，及分散於此聚胺基甲酸酯樹脂中之多個微孔洞，其中，聚胺基甲酸酯樹脂係自一胺基甲酸酯系預聚物衍生，且此胺基甲酸酯系預聚物包含以下列化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以下列化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3。 [化學式1]
Figure 02_image001
研磨墊包含一聚胺基甲酸酯樹脂，且此聚胺基甲酸酯樹脂可包含具有一異氰酸酯端基之一胺基甲酸酯系預聚物的一經固化之產物(即，聚合物)。聚胺基甲酸酯樹脂之重量平均分子量(Mw)可為500克/莫耳至1,000,000克/莫耳，5,000克/莫耳至1,000,000克/莫耳，50,000克/莫耳至1,000,000克/莫耳，100,000克/莫耳至700,000克/莫耳，或500克/莫耳至3,000克/莫耳。
研磨層的厚度可為0.8mm至5.0mm，1.0mm至4.0mm，1.0mm至3.0mm，1.5mm至2.5mm，1.7mm至2.3mm，或2.0mm至2.1mm。於上述範圍內，作為一研磨墊之基本物理性質可充分展現，同時上下部份間之顆粒尺寸變化係達最小化。
研磨墊之比重可為0.6g/cm3 至0.9g/cm3 或0.7g/cm3 至0.85g/cm3 。
此外，除如上例示之物理性質外，於固化時，研磨墊可另外具有與依據上述實施例之組成物相同之物理性質及孔特徵。
研磨墊之硬度可為30肖氏D至80肖氏D，40肖氏D至70肖氏D，50肖氏D至70肖氏D，40肖氏D至60肖氏D，或50肖氏D至60肖氏D。
研磨墊之抗拉強度可為5N/mm2 至30N/mm2 ，10N/mm2 至25N/mm2 ，10N/mm2 至20N/mm2 ，或15N/mm2 至30N/mm2 。
研磨墊之伸長率可為50%至300%，100%至300%，150%至250%，或100%至200%。
微孔洞係以分散於聚胺基甲酸酯樹脂中而存在。
微孔洞之平均尺寸可為10µm至50µm，20µm至50µm，20µm至40µm，20µm至30µm，或30µm至50µm。作為一特別例子，微孔洞可具有21µm至25µm之一平均尺寸。
此外，研磨墊每0.3cm2 之一面積可含有100至300個，150至300個，或100至250個微孔洞。
此外，以研磨墊之總面積為基準，微孔洞之總面積可為30%至60%，35%至50%，或35%至43%。
此外，以研磨墊之總體積為基準，微孔洞可以30至70體積%，或40至60體積%之一量被包含。
研磨墊之研磨速率(或移除速率)可為3,000 Å /50秒至5,000Å/50秒，3,000Å/50秒至4,000Å/50秒，4,000Å/50秒至5,000Å/50秒，或3,500Å/50秒至4,500Å/50秒。作為一特別例子，研磨墊可具有3,500Å/50秒至3,900Å/50秒之一研磨速率(或移除速率)。研磨速率可為於研磨墊固化後立即(即，於其製備後立即)之一起始研磨速率。若起始研磨速率係於上述較佳範圍內，可有利抑制墊拋光現象，藉此，於其後重複實行之研磨方法中維持一適當程度之優異研磨速率。
此外，研磨墊之墊切割速率可為30µm/小時至60µm/小時，30µm/小時至50µm/小時，40µm/小時至60µm/小時，或40µm/小時至50µm/小時。
研磨墊可於其表面上具有用於機械研磨之溝槽。溝槽可具有用於機械研磨係合意之一深度、一寬度，及一間隔，其等並不受特別限制。
依據另一實施例之研磨墊可包含一上墊及一下墊，其中，墊可具有與依據實施例之研磨墊相同之組成物及物理性質。
下墊作為支撐上墊，及吸收及分散施加於上墊之一衝擊。下墊可包含一不織布或一麂皮。
此外，一黏著層可夾置於上墊與下墊之間。
黏著層可包含一熱熔融黏著劑。此熱熔融黏著劑可為選自由一聚胺基甲酸酯樹脂、一聚酯樹脂、一乙烯乙酸乙烯酯樹脂、一聚醯胺樹脂，及一聚烯烴樹脂所組成群組之至少一者。特別地，此熱熔融黏著劑可為選自由一聚胺基甲酸酯樹脂及一聚酯樹脂所組成群組之至少一者。 用於製備一半導體裝置之方法
依據一實施例之用於製備一半導體裝置之方法包含使用依據實施例之研磨墊研磨一半導體基材之表面。
即，依據一實施例之用於製備一半導體裝置之方法包含使用一研磨墊研磨一半導體基材之表面，其中，此研磨墊包含一聚胺基甲酸酯樹脂，及多個分散於此聚胺基甲酸酯樹脂中之微孔洞，此聚胺基甲酸酯樹脂係自一胺基甲酸酯系預聚物衍生，且此胺基甲酸酯系預聚物包含以下列化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以下列化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3。 [化學式1]
Figure 02_image001
特別地，一旦依據實施例之研磨墊與一平台附接，一半導體基材被置於此研磨墊上。於此情況，此半導體基材之表面係與研磨墊之研磨表面直接接觸。一研磨漿料可噴灑於研磨墊上以供研磨之用。其後，半導體基材及研磨墊彼此相對地旋轉，使得半導體基材之表面被研磨。
依據實施例之研磨墊具有優異之伸長率、硬度、微孔洞特徵、研磨速率等，因為其係藉由使具有一受控制之組成物的一胺基甲酸酯系預聚物固化而獲得。因此，可藉由使用此研磨墊有效地製造具高品質之一半導體裝置。 本發明之模式
以下，本發明將以下列範例作詳細解釋。但是，本發明之範圍不限於此等範例。 實施例及比較例
一4頸燒瓶被加入甲苯2,4-二異氰酸酯(2,4-TDI)、甲苯2,6-二異氰酸酯(2,6-TDI)、聚四亞甲基醚二醇(PTMEG)，及二環己基甲烷二異氰酸酯(H12MDI)，此等於80℃反應，其後添加二乙二醇(DEG)，且於80℃進一步反應，經純化製備具不同分子量之反應物，及包含此等反應物之一胺基甲酸酯系預聚物。
提供一鑄製機，其係裝設用於一預聚物、一固化劑、一惰性氣體，及一發泡劑之槽及供料管線。如上製備之胺基甲酸酯系預聚物、一固化劑(雙(4-胺基-3-氯苯基)甲烷，Ishihara)、一惰性氣體(N2 )、一液相發泡劑(FC3283，3M)、一固相發泡劑(Akzonobel)，及一聚矽氧系界面活性劑(Evonik)添加至每一槽。原料被攪拌，同時使其等以固定速率經由個別供料管線供料至混合頭。於此情況，預聚物及固化劑係以1:1之一當量比例及10公斤/分鐘之一總速率供料。
經混合之原料被注射至一模具(1,000mm×1,000mm×3mm)中並且反應，獲得呈一固體塊型式之模製物件。其後，模製物件之頂部及底部每一者以0.5mm之一厚度切割，獲得具有2mm之一厚度的一上墊。
其後，上墊接受表面研磨及溝槽形成步驟，並且與一下墊藉由熱熔融黏著劑層合。
用於製備上墊之特別製程條件係綜述於下表中。 [表1]
項目 實施例1 實施例2 比較例1
上墊 預聚物中未反應NCO基團的含量 9.2重量% 8.0重量% 15重量%
鑄模 單層 單層 單層
片材機械加工(鑄製、切割，及形成溝槽) 依序 依序 依序
預聚物(重量份) 100 100 100
界面活性劑(重量份) 0.2至1.5 0.2至1.5 0.2至1.5
固相發泡劑(重量份) 0.5至1.0 0.5至1.0 0.5至1.0
惰性氣體供料速率(公升/分鐘) 0.5至1.5 0.5至1.5 0.5至1.5
測試例
實施例及比較例獲得之胺基甲酸酯系預聚物或研磨墊係測試下列項目。結果顯示於表2中。 (1)一預聚物之MALDI分析
預聚物樣品每一者被溶於四氫呋喃(THF)，並且與一基質及一鹽混合，使用一用於測量基質輔助雷射脫附/離子化(MALDI)之儀器(UltrafleXtreme)作分析。實施例1及2之結果顯示於圖1及2，且比較例1之結果顯示於圖3。
MALDI分析結果顯示不同分子量之波峰，包括化學式1之寡聚物、TDI及PTMEG之反應物，或用於MALDI分析而添加之組份。波峰強度係與相對應分子量組份之含量無闗。MALDI測得之波峰的分子量值主要係與Na+ 離子組合作為MALDI分析之一鹽者的分子量。
如以下表2中所示，於實施例1之MALDI數據，觀察到其中Na+ 離子與以化學式1表示之寡聚物組合，其中，n係0至3，之物種的分子量波峰。 [表2]
n值 0 1 2 3
實施例1 477.141 756.987 1037.236 1317.427
此外，如以下表3中所示，於實施例2之MALDI數據，觀察到其中Na+ 離子與以化學式1表示之寡聚物組合，其中，n係0至6，之物種的分子量波峰。 [表3]
n值 0 1 2 3 4 5 6
實施例2 477.158 757.362 1037.539 1317.776 1598.983 1879.282 2159.376
此外，如以下表4中所示，於比較例1之MALDI數據，觀察到其中Na+ 離子與以化學式1表示之寡聚物組合，其中，n係0或1，之物種的分子量波峰。 [表4]
n值 0 1
比較例1 477.141 756.993
(2)一預聚物之NMR分析
5毫克之一預聚物樣品溶於CDCl3 ，且於室溫使用一核磁共振(NMR)裝置(JEOL 500 MHz，90°脈衝)，接受1 H-NMR及13 C-NMR分析。因而獲得之NMR數據中之TDI的反應及未反應之甲基基團的波峰被積分，藉此算出預聚物中之一反應或未反應之芳香族二異氰酸酯單體的含量。
特別地，當其中於二個NCO基團間僅位於4-位置之NCO基團與一多元醇反應之2,4-TDI(以下稱為“4-反應之2,4-TDI”)的重量係100重量份，其中二NCO基團皆與一多元醇反應形成一鏈之2,4-TDI(以下稱為“2,4-反應之2,4-TDI”)，其中無NCO基團與一多元醇反應之2,6-TDI(以下稱為“未反應之2,6-TDI”)，及其中此二NCO基團僅於2-位置或6-位置之一NCO基團與一多元醇反應之2,4-TDI(以下稱為“2-反應之2,4-TDI”)的個別重量被算出。（此外，其中位於2-位置之NCO基團已反應之2,4-TDI，及其中二NCO基團皆反應之2,6-TDI係幾乎未檢測出)
結果顯示於以下之表中。 [表5]
項目 實施例1 實施例2 比較例1
含量 (重量份) 4-反應之2,4-TDI 100.00 100.00 100.00
2,4-反應之2,4-TDI 36.63 49.65 13.90
未反應之2,6-TDI 7.83 3.65 21.22
2-反應之2,6-TDI 21.67 26.17 9.59
TDI總含量 166.13 179.47 144.71
[表6]
項目 實施例1 實施例2 比較例1
含量 (重量%) (總TDI重量) 未反應之TDI 4.71 2.03 14.66
具有二反應之NCO基團的TDI(c1) 22.05 27.66 9.61
具有一反應之NCO基團的TDI(c2) 73.24 70.30 75.73
具有至少一反應之NCO基團的TDI 95.29 97.97 85.34
c1/c2重量比例 0.30 0.39 0.13
[表7]
項目 實施例1 實施例2 比較例1
含量(重量%) (胺基甲酸酯系預聚物重量) 未反應之TDI(c3) 1.46 0.68 6.28
未反應之H12MDI(c4) 7.60 7.60 7.60
c3+c4 9.06 8.28 13.88
c3/c4重量比例 0.19 0.09 0.83
(3)硬度
每一樣品切成5cm×5cm(厚度：2mm)，且於25℃之一溫度貯存12小時，使用一硬度測試器測量肖氏D硬度及阿斯克(Asker)C硬度。 (4)比重
每一樣品切成5cm×5cm(厚度：2mm)，且於25℃之一溫度貯存12小時，使用一比重計測量比重。 (5)抗拉強度
每一樣品切成4cm×1cm(厚度：2mm)。當研磨墊以50mm/分鐘之一速率測試時，使用一通用測試機(UTM)測量破裂前即時之終極強度。 (6)伸長率
每一樣品切成4cm×1cm(厚度：2mm)。於研磨墊以50mm/分鐘之一速率測試時，使用一通用測試機(UTM)測量破裂前即時之最大變形。最大變形對起始長度的比例以百分率(%)表示。 (7)膠凝時間
預聚物與固化劑以1:1之一當量比例混合，且測量以5,000rpm攪拌之混合物於70℃膠凝時花費的時間。
結果顯示於以下表中。 [表8]
項目 評估 實施例1 實施例2 比較例1
上墊 厚度(mm) 2 2 2
硬度(肖氏D) 60 52 68
比重(g/cc) 0.8 0.8 0.8
抗拉強度(N/mm2 ) 21 18 25
伸長率(%) 125 200 63
膠凝時間(秒) 108 121 50
下墊 型式 不織布 不織布 不織布
厚度(mm) 1.1 1.1 1.1
硬度(阿斯克C) 70 70 70
層合墊 厚度(mm) 3.32 3.32 3.32
壓縮率(%) 1.05 1.05 1.05
(8)孔洞特徵
每一研磨墊的孔洞藉由掃瞄式電子顯微鏡(SEM)觀察，且顯示於圖4a至4c。於圖4a至4c所示，實施例1及2之研磨墊中之孔洞係細微且均勻分佈於一大區域。
此外，孔洞之孔洞特徵係以SEM影像為基準計算，且綜述於下表中。 -數平均直徑：SEM影展上之孔洞直徑總和除以孔洞數的平均值。 -孔洞數：SEM影像上之每0.3cm2 的孔洞數。 -孔洞面積比例：SEM影像上之孔洞面積相對於總面積之百分率。 [表9]
項目 實施例1 實施例2 比較例1
數平均直徑(µm) 22.454 23.313 20.523
孔洞數(每0.3cm2 ) 176 167 162
孔洞面積比例(%) 38.165 38.896 38.245
(9)研磨速率(或移除速率)
研磨墊製備後即時之起始研磨速率係如下般測量。
具有300mm之一直徑的一矽系半導體基材藉由一CVD方法以氧化矽沉積。研磨墊安置於一CMP機器上，且半導體基材係以其氧化矽層面對研磨墊之研磨表面作安裝。氧化矽層使用4.0psi之一研磨荷重研磨，同時使其以150rpm之一速度旋轉60秒，且一煆燒氧化矽漿料係以250毫升/分鐘之一速率供應至研磨墊上。於研磨完成時，半導體基材自載體卸下，安置於一旋團乾燥器中，以蒸餾水清洗，然後，以氮乾燥15秒。研磨前後之經乾燥的半導體基材之膜厚度改變使用一光譜反應計型厚度測量儀(SI-F80R，Kyence)測量。研磨速率係使用下列方程式計算。結果顯示於圖5。 移除速率(Å/50秒)=研磨前後之厚度差(Å)/研磨時間(50秒)
如圖5所示，實施例1及2之研磨墊於起始研磨速率以以一適當量而係優異，而比較例1之研磨墊具有一過度高的起始研磨速率，其係由於硬區段聚集增加。因此，比較例1之研磨墊被預期於研磨速率係急劇減少，其係由於墊拋光現象。 (10)墊切割速率
每一研磨墊係以去離子水預調節10分鐘，然後以去離子水調節1小時。測量調節期間之研磨墊厚度改變，計算墊切割速率。調節用之設備係CTS AP-300HM。調節壓力係6lbf，旋轉速度係100至110rpm，且調節用之碟片係Sasol LPX-DS2。結果顯示於圖6。
如圖6所示，實施例1及2研磨墊於以一鑽石碟片調節時具有一優異墊切割速率，而比較例1之研磨墊具有一低的墊切割速率，其係由於硬區段聚集增加。
圖式簡要說明
圖1、2，及3顯示實行個別於範例1及2與比較例1製備之胺基甲酸酯系預聚物的基質輔助雷射脫附/離子化(MALDI)分析的結果。 圖4a、4b，及4c係藉由個別固化範例1及2與比較例1之組成物而獲得之研磨墊中之孔洞的掃瞄電子顯影鏡(SEM)影像。 圖5顯示範例1及2與比較例1之研磨墊的研磨速率(或移除速率)。 圖6顯示範例1及2與比較例1之研磨墊的墊切割速率。

Claims (13)

  1. 一種組成物，其包含： 一胺基甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑， 其中，該胺基甲酸酯系預聚物包含以下列化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以下列化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3 [化學式1]
    Figure 03_image001
    。
  2. 如請求項1所述的組成物，其中，該胺基甲酸酯系預聚物包含呈1:0.2至1:5之一重量比例的該第一寡聚物及該第二寡聚物。
  3. 如請求項1所述的組成物，其中，該胺基甲酸酯系預聚物進一步包含以上述化學式1表示之一第三寡聚物，其中，n係4至6之一整數。
  4. 如請求項3所述的組成物，其中，該胺基甲酸酯系預聚物包含呈1:0.2:0.1至1:5:10之一重量比例的該第一寡聚物、該第二寡聚物，及該第三寡聚物。
  5. 如請求項1所述的組成物，其中，該胺基甲酸酯系預聚物進一步包含以下列化學式2表示之一化合物： [化學式2]
    Figure 03_image003
    於上述化學式中，p係5至30之一整數。
  6. 如請求項1所述的組成物，其中，以該胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，該胺基甲酸酯系預聚物包含7重量%至10重量%之一量的一未反應之NCO基團。
  7. 如請求項1所述的組成物，其中，以該胺基甲酸酯系預聚物之重量為基準，該胺基甲酸酯系預聚物包含0.1重量%至3重量%之一量的一未反應之芳香族二異氰酸酯單體。
  8. 如請求項1所述的組成物，其具有80秒至130秒之一膠凝時間，且於固化時具有10N/mm2 至23N/mm2 之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，及40肖氏(Shore)D至65肖氏D之一硬度。
  9. 一種用於製備一組成物之方法，其包含： 製備以上述化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1； 製備以上述化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3； 製備包含該第一寡聚物及該第二寡聚物之一胺基甲酸酯系預聚物；及 使該胺基甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一發泡劑混合 [化學式1]
    Figure 03_image001
    。
  10. 一種用於製備一研磨墊之方法，其包含： 製備一第一原料組成物，其包含一胺基甲酸酯系預聚物； 製備一第二原料組成物，其包含一固化劑； 製備一第三原料組成物，其包含一發泡劑； 使該第一原料組成物與該第二原料組成物及該第三原料組成物依序或同時混合，以製備一原料混合物；及 使該原料混合物注射於一模具中並且使其固化， 其中，該胺基甲酸酯系預聚物包含以下列化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以下列化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3 [化學式1]
    Figure 03_image001
    。
  11. 一種研磨墊，其包含一聚胺基甲酸酯樹脂，及多個分散於該聚胺基甲酸酯樹脂中之微孔洞， 其中，該聚胺基甲酸酯樹脂係自一胺基甲酸酯系預聚物衍生，且該胺基甲酸酯系預聚物包含以下列化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以下列化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3， [化學式1]
    Figure 03_image001
    。
  12. 如請求項1所述的研磨墊，其中，該等微孔洞具有21µm至25µm之一平均尺寸，且該研磨墊具有3,500Å/50秒至3,900Å/50秒之一研磨速率(或移除速率)。
  13. 一種用於一製備半導體裝置之方法，其包含使用一研磨墊研磨一半導體基材之表面， 其中，該研磨墊包含一聚胺基甲酸酯樹脂，及多個分散於該聚胺基甲酸酯樹脂中之微孔洞，該聚胺基甲酸酯樹脂係自一胺基甲酸酯系預聚物衍生，且該胺基甲酸酯系預聚物包含以下列化學式1表示之一第一寡聚物，其中，n係0或1；及以下列化學式1表示之一第二寡聚物，其中，n係2或3， [化學式1]
    Figure 03_image001
    。
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