TW202018688A - 閘極驅動器和使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置 - Google Patents

閘極驅動器和使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供電致發光顯示裝置以及閘極驅動器。電致發光顯示裝置包括：一發射線(EL)；多個子像素，連接到該EL；及一發射驅動器，向該EL供應發射信號，該發射驅動器包括複數個級距，其中一第k級包括：第一輸出(O1)節點，連接到EL；第二輸出(O2)節點；Q節點；下拉電路節點和上拉電路節點，分別由Q節點和O2節點控制並向O1提供電壓；第一控制器，接收第(k-1)級的O1節點電壓或第一啟動信號；第二控制器，接收第(k-1)級的O2節點電壓或第二啟動信號；第三控制器，控制O2節點電壓；及第四控制器，由O2節點控制，其中「k」為大於等於1的自然數。

Description

閘極驅動器和使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置
本發明涉及一種閘極驅動器和一種使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置，尤其是涉及一種具有改善驅動能力的閘極驅動器和一種使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置。
隨著資訊技術的進步，作為使用者與資訊之間的連接媒介的顯示裝置的市場也隨之增加。因此，使用各種類型的顯示裝置的需求增加了，各種類型的顯示裝置例如有：電致發光顯示裝置、液晶顯示(LCD)裝置、有機發光顯示(OLED)裝置和量子點發光顯示(QLED)裝置。
在這些顯示裝置中，電致發光顯示裝置具有響應速度快、發光效率高並且視角寬等優點。通常，電致發光顯示裝置使用由掃描信號導通的電晶體，將資料電壓施加到驅動電晶體的閘極電極，並充電在儲存電容器中供應給驅動電晶體的資料電壓。電致發光顯示裝置藉由使用發光控制信號輸出在儲存電容器中充電的資料電壓，來允許發光二極體發光。發光二極體可以包含有機發光二極體和無機發光二極體。
閘極信號和資料信號供應給電致發光顯示裝置，並且閘極信號包含掃描信號和發射信號。使用發射信號和一個或多個掃描信號來驅動電致發光顯示裝置。通常，產生掃描信號的閘極驅動器可以包含移位暫存器，用於依序輸出閘極信號。
作為用於顯示影像的基本裝置的顯示面板可以被分為其中佈置像素陣列並且顯示影像的顯示區域；以及不顯示影像的非顯示區域。閘極驅動器以薄膜覆金接合技術(COF)或晶片-玻璃接合技術(COG)的形式附接到顯示面板，或者以透過在邊框區域中組合薄膜電晶體所形成的面板內閘極(GIP) 的形式來實現，該邊框區域為顯示面板的非顯示區域。GIP型閘極驅動器包含對應閘極線數量的級距，其中每個級距輸出供應給閘極線的閘極脈衝，該閘極線與級距相互一對一對應。閘極線將閘極信號供應給佈置在顯示區域中的像素陣列，以允許發光二極體發光。因此，已研發了一種用於提高閘極驅動器的驅動能力和可靠性以將信號精確傳輸到像素陣列的方法。
如上所述，使用發射信號和一個或多個掃描信號來驅動電致發光顯示裝置。為了驅動電致發光顯示裝置，必須同時具備用於掃描資料信號的掃描信號和用於暫停發光二極體發光的發射信號。
由於根據顯示面板的高分辨率的時脈信號和發射信號的負載增加，操作限度(例如，操作範圍)減少，並且發射驅動電路可能產生缺陷。同時，GIP型閘極驅動器增加了電致發光顯示裝置的邊框區域的尺寸。
因此，本發明係關於一種閘極驅動器以及一種使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置，其基本上消除了現有技術的限制和缺點所導致的一個或多個問題。
本發明的一態樣是提供一種閘極驅動器和一種使用該閘極驅動器的顯示裝置，其中的顯示面板邊框區域的大小可被縮小。
附加的特徵和態樣將在下文的描述中闡述，並且其中一部分經描述後會是顯而易見的，也可由實踐本文提供的發明構思來了解。本發明構思的其他特徵和態樣可透過所寫的描述、或衍伸的變化、申請專利範圍以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現本發明構思的實施例態樣與被廣泛描述的其他態樣，本發明提供一種電致發光顯示裝置，包括：一發射線；多個子像素，連接到該發射線；以及一發射驅動器，配置以向該發射線供應一發射信號，該發射驅動器包括複數個級距，在該複數個級距中，一第k級包括：一第一輸出節點，連接到該發射線；一第二輸出節點；一Q節點；一下拉電路節點和一上拉電路節點，分別由該Q節點和該第二輸出節點控制，該下拉電路和該上拉電路配置以向該第一輸出節點供應電壓；一第一控制器，配置以接收該複數個級距中的一第(k-1)級的一第一輸出節點的電壓或一第一啟動信號；一第二控制器，配置以接收該複數個級距中的該第(k-1)級的一第二輸出節點的電壓或一第二啟動信號；一第 三控制器，配置以控制該第二輸出節點的電壓；以及一第四控制器，配置為由該第二輸出節點控制，其中，「k」是大於等於1的自然數。
在另一態樣，本發明提供一種閘極驅動器，包括：複數個級距，在該複數個級距中，一第k級包括：一第一輸出節點；一第二輸出節點；一下拉電晶體和一上拉電晶體，配置以控制該第一輸出節點；一控制器，配置以控制該第二輸出節點，該控制器包括：一T3電晶體，配置為由一Q節點控制、一T4電晶體，配置為由一第一時脈信號控制、一T5電晶體，配置為由一QB節點控制、以及第一電容器，包括：一第一電極，連接到該QB節點、及一第二電極，連接到該第二輸出節點；以及一輸出信號穩定器，連接到該Q節點和該第二輸出節點，其中，施加到該第一輸出節點和該第二輸出節點的電壓被用為一第(k+1)級的起始信號，以及其中，「k」是1或更大的自然數。
透過研究下面的附圖和詳細描述、其他系統、方法、特徵和優點，本發明對於本領域具有通常知識者將是或將變得顯而易見。本發明的宗旨為將所有這些附加系統、方法、特徵和優點包括在本說明書內與本發明的範圍內，並且由所附申請專利範圍保護。本節中的任何內容均不應視為對這些申請專利範圍的限制。下面結合本發明的實施例討論其他態樣和優點。應當理解，本發明的上述的一般描述和以下的詳細描述都是用於示例和說明的，並且旨在提供對申請專利範圍所保護的本發明做進一步說明。
11‧‧‧下拉單元
12‧‧‧上拉單元
13‧‧‧Q節點控制器
14‧‧‧QB節點控制器
15‧‧‧O2節點控制器
16‧‧‧輸出信號穩定器
100‧‧‧電致發光顯示裝置
110‧‧‧影像處理器
120‧‧‧時序控制器
130‧‧‧閘極驅動器
140‧‧‧資料驅動器
150‧‧‧顯示面板
180‧‧‧電源單元
11'‧‧‧下拉單元
16'‧‧‧輸出信號穩定器
16"‧‧‧輸出信號穩定器
①‧‧‧第一週期
②‧‧‧第二週期
③‧‧‧第三週期
④‧‧‧第四週期
⑤‧‧‧第五週期
C1‧‧‧第一電容器
C2‧‧‧第二電容器
C3‧‧‧第三電容器
C4‧‧‧第四電容器
CLK1‧‧‧第一時脈信號
CLK2‧‧‧第二時脈信號
DA‧‧‧顯示區域
DATA‧‧‧資料信號
DDC‧‧‧資料時序控制信號
DL1~DLm‧‧‧資料線
EM(k-1)‧‧‧第(k-1)級
EM(k)‧‧‧第k級
EM(k+1)‧‧‧第(k+1)級
EM(k+2)‧‧‧第(k+2)級
H(k-1)‧‧‧第(k-1)像素線
H(k)‧‧‧第k像素線
H(k+1)‧‧‧第(k+1)像素線
H(k+2)‧‧‧第(k+2)像素線
GDC‧‧‧閘極時序控制信號
GL1~GLn‧‧‧閘極線
NDA‧‧‧非顯示區域
O1‧‧‧O1節點
O2‧‧‧O2節點
OUT1‧‧‧第k級的第一輸出信號
OUT1(k-1)‧‧‧第(k-1)級的第一輸出信號
OUT2‧‧‧第k級的第二輸出信號
OUT2(k-1)‧‧‧第(k-1)級的第二輸出信號
Q‧‧‧Q節點
Q'‧‧‧Q'節點
QB‧‧‧QB節點
SP‧‧‧子像素
T1‧‧‧第一電晶體
T3‧‧‧第三電晶體
T4‧‧‧第四電晶體
T5‧‧‧第五電晶體
T6‧‧‧第六電晶體
T6'‧‧‧第六電晶體
T6"‧‧‧第六電晶體
T7‧‧‧第七電晶體
T8‧‧‧第八電晶體
T9‧‧‧第九電晶體
T10‧‧‧第十電晶體
VDD‧‧‧高電位電源電壓
VH‧‧‧高電壓
VL‧‧‧低電壓
VSS‧‧‧低電位電源電壓
VST‧‧‧起始電壓
附圖說明可被包含來提供對本發明的進一步理解，並且併入構成本說明書的一部分，附圖說明了本發明的實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。
圖1為說明根據本發明一示例實施例之電致發光顯示裝置的方塊圖。
圖2為說明根據本發明一示例實施例之閘極驅動器的方塊圖。
圖3為說明根據本發明一示例實施例之級距的方塊圖。
圖4為說明根據本發明一示例實施例之級距的電路圖。
圖5為說明根據本發明一示例實施例之級距的電路圖。
圖6為說明根據本發明一示例實施例之級距的電路圖。
圖7為說明根據本發明一示例實施例之級距驅動的波形圖。
在整個附圖和詳細描述中，除非另外描述，否則相同的附圖標號應當理解為表示相同的元件、特徵和結構。為了清楚、說明和方便理解，可以擴大對這些元件的相對尺寸和描述。
現在將詳細參考本發的實施例，其示例在附圖中示出。在以下描述中，當確定與本發明相關的習知的技術或配置的詳細描述與本發明構思的主旨會產生不必要地混淆時，將省略其詳細描述。所描述的處理步驟和/或操作的過程是用於舉例；然而，步驟及/或操作的順序不限於依照本文所描述的順序，並且除了必須以特定順序發生的步驟和/或操作，皆可以根據本領域中習知的方法改變。相同的附圖標記始終表示相同的元件。選擇在以下說明中使用的各個元件的名稱僅僅是為了便於編寫說明書，因此可以與實際產品中所使用的名稱不同。
應當理解，儘管本文所闡述的內容可以使用術語「第一」，「第二」等來描述各種元件，但是這些元件不受這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件與另一個元件。例如，第一元素可以被稱為第二元素，並且類似地，第二元素可以稱為第一元素，而不脫離本發明的範圍。
術語「至少一個」應該理解為包含一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。例如，「第一項目、第二項目和第三項目中的至少一個」的含義表示從第一項目、第二項目和第三項目中的兩個或更多個提出的所有項目的組合，以及第一項、第二項或第三項。
在實施例的描述中，當結構描述為位於另一結構「上面或上方」或「下面或下方」時，該描述應被解釋為包含結構彼此接觸的情況，以及在其間設置第三結構的情況。附圖中所示的每個元件的尺寸和厚度僅僅是為了便於描述，並且本發明的實施例不限於此。
術語「第一水平軸方向」、「第二水平軸方向」和「垂直軸方向」不應僅基於各個方向彼此垂直的幾何關係來解釋，並且可以意指具有在本發明的組件可以在功能上操作的範圍內具有更寬的方向性的方向。
本發明的各種實施例的特徵可以部分地或整體地彼此耦合或組合，並且可以彼此不同地相互操作並且技術上驅動，如本領域中具有通常知識 者可以充分理解。本發明的實施例可以彼此獨立地執行，或者可以以相互依據的關係一起執行。
在本發明中，顯示面板的基板上的閘極驅動器可以用n型或p型電晶體實現。例如，電晶體可以用具有金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)結構的電晶體來實現。電晶體可以是三電極裝置，包括閘極電極、源極電極和汲極電極。源極電極可以向電晶體提供載體。在電晶體中，載體可以從源極電極開始移動。汲極電極可以是電極，載體可以通過該電極從電晶體移動到外部。
例如，在電晶體中，載體可以從源極電極移動到汲極電極。在n型電晶體中，因為載體是電子，所以源極電極的電壓低於汲極電極的電壓，使得電子從源極電極移動到汲極電極。在n型電晶體中，因為電子從源極電極移動到汲極電極，所以電流從汲極電極移動到源極電極。在p型電晶體中，因為載體是電洞，所以源極電極的電壓高於汲極電極的電壓，使得電洞從源極電極移動到汲極電極。在p型電晶體中，因為電洞從源極電極移動到汲極電極，所以電流從源極電極移動到汲極電極。電晶體的源極電極和汲極電極可以是不固定的，並且可以根據施加的電壓進行切換。因此，源極電極和汲極電極可分別稱為「第一電極」和「第二電極」或者「第二電極」和「第一電極」。
在下文中，閘極導通電壓可以是用於導通電晶體的閘極信號的電壓。閘極截止電壓可以是用於關閉電晶體的電壓。例如，在p型電晶體中，閘極導通電壓可以是邏輯低電壓VL，而閘極截止電壓可以是邏輯高電壓VH。在n型電晶體中，閘極導通電壓可以是邏輯高電壓，而閘極截止電壓可以是邏輯低電壓。在下文中，將參照附圖描述根據本發明的閘極驅動器以及使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置。
本發明的發明人已經認識到上述問題，並且發明了閘極驅動器以及使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置，其中閘極驅動器可以佈置在小區域中，並且使得操作限度(例如，操作範圍)和可靠性得到改善。
在下文中，將參照附圖詳細描述根據本發明一實施例的閘極驅動器和使用該閘極驅動器的電致發光顯示裝置。
圖1為說明根據本發明一示例實施例之電致發光顯示裝置的方塊圖。
參考圖1，電致發光顯示裝置100可以包括：影像處理器110、時序控制器120、閘極驅動器130、資料驅動器140、顯示面板150、以及電源單元180。影像處理器110可以輸出用於驅動各種裝置的驅動信號和外部提供的影像資料。從影像處理器110輸出的驅動信號可以包括資料致能信號、垂直同步信號、水平同步信號、和時脈信號。
時序控制器120可以從影像處理器110接收影像資料和驅動信號等。時序控制器120可以輸出用於控制閘極驅動器130的操作時序的閘極時序控制信號GDC、用於控制資料驅動器140的操作時序的資料時序控制信號DDC、以及包含基於驅動信號要顯示在顯示面板150上的影像的亮度資訊的資料信號DATA。
資料驅動器130可以輸出掃描信號，以響應從時序控制器120供應的閘極時序控制信號GDC。閘極驅動器130可以透過閘極線GL1至GLn輸出閘極信號。閘極驅動器130可以用IC(積體電路)的形式設置，或者可以用內置在顯示面板150中的面板內閘極(GIP)的形式設置。閘極驅動器130可以位於顯示面板150的左側和右側，或者可以位於左側和右側中的一側，然而實施例不受限於這些情形。閘極驅動器130可以包括複數個級距。例如，閘極驅動器130的第一級可以輸出要施加於顯示面板150的第一閘極線的第一閘極信號。
資料驅動器140可以輸出資料電壓，以響應從時序控制器120供應的資料時序控制信號DDC。資料驅動器140可以對從時序控制器120供應的數位資料信號DATA進行採樣和鎖存，並且可以基於伽瑪(gamma)參考電壓將數位資料信號DATA轉換為類比資料信號。資料驅動器140可以透過資料線DL1至DLm輸出資料信號。資料驅動器140可以以IC(積體電路)的形式設置在顯示面板150上，或者可以以膜上芯片(COF)的形式設置在顯示面板150上。
電源單元180可以輸出高電位電源電壓VDD和低電位電源電壓VSS。可以將從電源單元180輸出的高電位電源電壓VDD和低電位電源電壓VSS施加到顯示面板150。可將高電位電源電壓VDD透過高電位電源線施加到顯示面板150，可將低電位電源電壓VSS透過低電位電源線施加到顯示面板150。從電源單元180輸出的電壓可以由閘極驅動器130或資料驅動器140使用。
顯示面板150可以顯示影像，以響應分別從閘極驅動器130和資料驅動器140供應的閘極信號和資料信號、及電源單元180供應的電源電壓。顯示 面板150可以包含像素陣列，操作以顯示影像，並且該像素陣列可以包含複數個子像素SP。
顯示面板150可以包括顯示區域DA，其中可以佈置子像素SP；以及非顯示區域，其中各種信號線或墊片可以形成在顯示區域DA的外部。因為顯示區域DA是顯示影像的區域，所以子像素SP可以位於顯示區域中。因為非顯示區域是不顯示影像的區域，所以子像素SP可以不位於非顯示區域中，而是可以在其中設置虛擬像素。而且，閘極驅動器130和資料驅動器140可以位於非顯示區域中。
顯示區域DA可以包括複數個子像素SP，並且可以基於由每個子像素SP顯示的灰階來顯示影像。每個子像素SP可以與沿著一行線佈置的資料線DL連接，並且可以連接到沿一像素線或一列線佈置的閘極線。可以在共享相同閘極線的同時驅動相同像素線上的子像素SP。當連接到第一閘極線的子像素SP定義為「第一子像素」且連接到第n條閘極線的子像素SP定義為「第n子像素」時，可以依序驅動第一子像素到第n子像素。
子像素SP可以以矩陣的形式佈置以構成像素陣列，但是實施例不限於這種情況。例如，除了矩陣形式以外，子像素SP可以以各種形式佈置，諸如形式共享子像素SP、條紋形式和菱形形式。
子像素SP可以包含紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，或者可以包含紅色子像素，綠色子像素，藍色子像素和白色子像素。子像素SP取決於發光特性，可以具有一個或多個不同的發光區域。
圖2為說明根據本發明一示例實施例之閘極驅動器的方塊圖。
例如，圖2為顯示一像素線，從根據本發明一示例實施例的閘極驅動器和閘極驅動器輸出的信號可以供應到該像素線。如上所述，顯示面板150可以包含：顯示區域DA，其中可以基於子像素SP顯示影像；以及非顯示區域NDA，其中可以設置信號線或驅動器，並且可以不顯示影像。
子像素可以包含發光二極體和像素驅動電路，用於控制施加到發光二極體的陽極的電流量。像素驅動電路可以包含驅動電晶體，用於控制電流量以讓特定電流流到發光二極體。發光二極體可以在發光時段發光，並且在其餘時段可以不發光。對於除發光時段以外的時段，可以初始化像素驅動電路、可以將掃描信號輸入到像素驅動電路、以及可以執行編程和像素驅動電路補償 時段。例如，像素驅動電路的補償可以是驅動電晶體的臨界電壓的補償。因為在發光時段以外的時段內，用於允許發光二極體以特定亮度發光的電流不會被一致地供應，所以發光二極體可以不發光。例如，作為不允許發光二極體發光的方法，發光電晶體可以在發光二極體的陽極與驅動電晶體之間連接。發射電晶體可以連接到發射線，並且可以由從發射驅動器輸出的發射信號控制。對於發光時段，發射信號可以是導通電壓，並且對於除發光時段以外的時段，發射信號可以是截止電壓。
用於驅動包含在顯示面板150中的子像素SP的閘極信號可以包括掃描信號和發射信號。因此，閘極驅動器130可以分別包括用於施加掃描信號的驅動部分和用於施加發射信號的驅動部分。掃描信號可以透過掃描線施加到子像素SP，並且發射信號可以透過發射線施加到子像素。
圖2的閘極驅動器130可以只顯示用於施加發射信號的驅動部分。根據本發明的閘極驅動器130可以包含第一級EM(1)至第n級EM(n)。在圖2中，將描述第k級EM(k)作為示例。在這種情況下，「k」是自然數，且1<k
Figure 108125296-A0202-12-0008-10
n。
閘極驅動器130可以包括分別被施加了第一時脈信號CLK1、第二時脈信號CLK2、低電壓VL、高電壓VH和起始電壓VST等的線，該第一時脈信號CLK1輸入到第k級EM(k)。例如，低電壓VL可以是-8V至-7V，而發射高電壓VH可能是7V至8V。第k級EM(k)可以向第k像素線H(k)提供發射信號，同時轉移啟動電壓VST以對應第一時脈信號CLK1和第二時脈信號CLK2。例如，啟動電壓VST可以輸入到第一級EM(1)，並且第二級EM(2)至第n級EM(n)可以藉由接收各自的前一級輸出的發射信號作為啟動信號來操作。例如，第k級EM(k)的第一輸出信號OUT1可以輸入到第(k+1)級EM(k+1)的啟動信號和第k像素線H(k)。第(k+1)級EM(k+1)可以提供發射信號到第(k+1)像素線H(k+1)。第k級EM(k)的第二輸出信號OUT2可以輸入到第(k+1)級EM(k+1)的啟動信號。第(k+1)級EM(k+1)可以使用從第k級EM(k)輸出的兩個信號作為啟動信號，並且可以減少級距所保留的區域以減少邊框區域，並且可以增加包含在級距中的元件的操作限度(例如，操作範圍)。同樣地，第(k+2)級EM(k+2)可以使用從第k級(k+1)級EM(k+1)輸出的兩個信號作為啟動信號。第(k+2)級EM(k+2)可以提供發射信號給第(k+2)像素線H(k+2)。
第一時脈信號CLK1和第二時脈信號CLK2可以在高電壓與低電壓之間擺動，並且可以具有彼此相反的相位。例如，儘管第一時脈信號CLK1和第二時脈信號CLK2可以具有彼此相反的相位，但是它們之間的時間週期可以存在差異。例如，第一時脈信號CLK1的時間週期可以長於第二時脈信號CLK2的時間週期。圖2示出輸入到閘極驅動器130的第一時脈信號CLK1和第二時脈信號CLK2的兩相位電路，但並不限於實施例。
圖3為說明根據本發明一示例實施例之級距的方塊圖。
在圖3中，將描述構成閘極驅動器130的第k級EM(k)作為示例。在這種情況下，該級距可以是發射級距。參考圖3，第k級EM(k)可以包括：下拉單元(例如，電路)11、上拉單元(例如，電路)12、Q節點控制器13、QB節點控制器14、O2節點控制器15、以及輸出信號穩定器16。
下拉單元11可以輸出第一輸出信號OUT1，以響應Q節點Q的電壓。上拉單元12可以透過截止電壓控制第一輸出信號OUT1，以響應O2節點O2的電壓。第一輸出信號OUT1可以施加到O1節點O1和第k像素線。O2節點將在稍後描述。Q節點可以稱為「第一節點」，O2節點可以稱為「第二節點」，而O1節點可以稱為「第三節點」。
Q節點控制器13可以是用於對Q節點Q充電或放電的元件，並可以藉由使用第(k-1)級EM(k-1)的第一輸出信號OUT1(k-1)作為啟動信號，將導通電壓施加到Q節點Q。第(k-1)級EM(k-1)可以提供發射信號給第(k-1)像素線H(k-1)。Q節點控制器13可以稱為「第一控制器」。
QB節點控制器14可以是用於對QB節點QB充電或放電的元件，並可以藉由使用第(k-1)級EM(k-1)的第二輸出信號OUT2(k-1)作為啟動信號，將導通電壓施加到QB節點QB。QB節點控制器14可以稱為「第二控制器」。
O2節點控制器15可以是用於對O2節點O2充電或放電的元件、可以接收施加到QB節點QB的信號、以及可以將該信號輸出給O2節點O2。當Q節點Q處電壓為截止電壓時，O2節點控制器15可以將導通電壓輸出給O2節點O2，並且當Q節點Q處電壓為導通電壓時，O2節點控制器15可以將截止電壓輸出給O2節點O2。如果Q節點Q的電壓是低電壓，則O2節點控制器15可以將O2節點O2的電壓維持在高電壓。O2節點控制器15可以稱為「第三控制器」。
輸出信號穩定器16可以藉由根據O2節點O2的電壓將Q節點Q處的電壓維持在高電壓，來穩定第一輸出信號OUT1。輸出信號穩定器16可以稱為「第四控制器」。
如上所述，截止電壓可以根據可以施加截止電壓的電晶體的類型而變化。該截止電壓在p型電晶體的情況下可以是高電壓，在n型電晶體的情況下可以是低電壓。在p型電晶體的情況下導通電壓是低電壓，並且在n型電晶體的情況下導通電壓是高電壓。在下文中，將描述包含在p型電晶體中的第k級EM(k)作為一個例子。
圖4為說明根據本發明一示例實施例之級距的電路圖。
圖4是圖3之方塊圖的示例的詳細電路圖。參照圖4，將描述構成閘極驅動器130的第k級EM(k)作為示例。參考圖4，第k級EM(k)可以包括：下拉單元11、上拉單元12、Q節點控制器13、QB節點控制器14、O2節點控制器15、以及輸出信號穩定器16。
Q節點控制器13可以包含第一電晶體T1。第一電晶體T1的閘極電極可以連接到可以輸入第一時脈信號CLK1的第一時脈信號線，第一電晶體T1的源極電極可以連接到第(k-1)級的第一輸出節點，而第一電晶體T1的汲極電極可以連接到Q節點Q。第一電晶體T1可以透過第一時脈信號CLK1的導通電壓導通，以將第(k-1)級的第一輸出信號OUT1(k-1)提供給Q節點Q。
QB節點控制器14可以包括第二電晶體T2。第二電晶體T2的閘極電極可以連接到輸入第二時脈信號CLK2的第二時脈信號線，第二電晶體T2的源極電極可以連接到第(k-1)級第二輸出節點，並且第二電晶體T2的汲極電極可以連接到QB節點QB。第二電晶體T2可以透過第二時脈信號CLK2的導通電壓導通，以將第(k-1)級的第二輸出信號OUT2(k-1)提供給QB節點QB。
O2節點控制器15可以包括第三電晶體T3、第四電晶體T4和第五電晶體T5。第三電晶體T3、第四電晶體T4和第五電晶體T5可以彼此串聯連接。第三電晶體T3的汲極電極可以連接到第四電晶體T4的汲極電極，第四電晶體T4的源極電極可以連接到第五電晶體T5的源極電極。第三電晶體T3的閘極電極可以連接到第一電晶體T1的閘極電極，第四電晶體T4的閘極電極可以連接到第一時脈信號線，第五電晶體T5的閘極電極可以連接到QB節點QB。第三電晶體T3 的源極電極可以連接到可以輸入高電壓VH的高電壓線，並且第五電晶體T5的源極電極連接到可以輸入低電壓VL的低電壓線。
當第一時脈信號CLK1和QB節點QB的電壓是導通電壓時，低電壓VL可以施加到O2節點O2。施加到O2節點O2上的電壓可以作為第(k+1)級的啟動信號。例如，可以施加高於其他電晶體的壓力的第五電晶體T5可以連接到第一電容器並可以是雙閘極型電晶體，並且可以提高第五電晶體T5的可靠性。
O2節點控制器15可以進一步包括第一電容器C1。第一電容器C1的第一電極可以連接到O2節點O2，而第一電容器C1的第二電極可以連接到QB節點QB。當低電壓VL施加到O2節點O2時，第一電容器C1可以透過升壓允許QB節點QB的電壓低於低電壓VL，並且第五電晶體T5可以穩定地保持在導通的狀態。當低電壓提供給Q節點Q時，第三電晶體T3可以導通，因此可以將高電壓VH施加到O2節點O2。
輸出信號穩定器16可以包括第六電晶體T6。第六電晶體T6的閘極電極可以連接到O2節點O2，第六電晶體T6的源極電極可以連接到可以輸入高電壓VH的高電壓線，並且第六電晶體T6的汲極電極可以連接到Q節點Q。如果低電壓施加到O2節點O2，則第六電晶體T6可以導通，因此第六電晶體T6可以將高電壓施加到Q節點Q。第六電晶體T6可以關閉下拉單元11，並且可以允許截止電壓穩定地保持在O1節點O1。可以施加高於其他電晶體的壓力的第六電晶體T6可以連接到第一電容器，並且可以是雙閘極型電晶體，同時可以提高第六電晶體T6的可靠性。
輸出信號穩定器16可以進一步包括第二電容器C2。第二電容器C2的第一電極可以連接到Q節點Q，而第二電容器C2的第二電極可以連接到第二時脈信號線。當Q節點Q為低電壓時，第二電容器C2可以透過充電幫浦運作將Q節點Q的電壓保持在低電壓。
下拉單元11可以包括第七電晶體T7。第七電晶體T7的閘極電極可以連接到Q節點Q，第七電晶體T7的源極電極可以連接到低電壓線，而第七電晶體T7的汲極電極可以連接到O1節點O1。如果低電壓施加到O1節點O1，則第七電晶體T7可以導通，因此可以將低電壓VL施加到O1節點O1。施加到O1節點O1的電壓可以輸送到第k像素線作為第k級的第一輸出信號。下拉單元11可以進一步包括第三電容器C3。第三電容器C3的第一電極可以連接到Q節點Q，而第三 電容器C3的第二電極可以連接到O1節點O1。當低電壓VL施加到O1節點O1時，第三電容器C3可以透過升壓允許Q節點Q的電壓低於低電壓VL，並且第七電晶體T7可以穩定地保持在導通狀態。
上拉單元12可以包括第八電晶體T8。第八電晶體T8的閘極電極可以連接到O2節點O2，第八電晶體T8的源極電極可以連接到高電壓線，而第八電晶體T8的汲極電極可以連接到O1節點O1。如果低電壓施加到O2節點O2，則第八電晶體T8可以導通，因此可以將高電壓VH施加到O1節點O1。
根據本發明的一示例實施例，除了包含在第k級內的電晶體中顯示為雙閘極電晶體的第五電晶體T5和第六電晶體T6以外，第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3和第四電晶體T4皆可以實現為雙閘極電晶體，並且可以提高閘極驅動器的可靠性。
根據圖4示例的第k級可以具有相對簡單的電路，其可以包括八個電晶體，並且可以使用第(k-1)級的兩個輸出信號作為輸入信號。因此，可以減少由級距所佔據的區域以減小邊框區域，並且可以增加包含在級距中的元件的操作限度。
圖5為說明根據本發明一示例實施例之級距的電路圖。
圖5是圖3之方塊圖的示例的詳細電路圖。參照圖5，將描述構成閘極驅動器130的第k級EM(k)作為示例。
在圖5中，第九電晶體T9添加到圖4的示例性電路圖，並且可以提高電路的可靠性。因此，可以省略或簡要地描述圖4中的重複元件。
參照圖5，第k級EM(k)可以包括：下拉單元11'、上拉單元12、Q節點控制器13、QB節點控制器14、O2節點控制器15、以及輸出信號穩定器16'。上拉單元12、Q節點控制器13、QB節點控制器14和O2節點控制器15基本上與上述元件相似。
輸出信號穩定器16'可以包括第六電晶體T6'和第九電晶體T9。第九電晶體T9可以連接到Q節點Q，並且可以將Q節點分成Q節點Q和Q'節點Q'。因為第九電晶體T9的閘極連接到低電壓線，所以第九電晶體T9可以保持導通狀態。第九電晶體T9的源極電極和汲極電極可以分別連接到Q節點Q和Q'節點Q'。當Q節點Q分離時，第六電晶體T6'的汲極電極可以連接到Q'節點Q'。例如，第九電晶體T9可以稱為「Q節點穩定器」。
與其他電晶體相比，劣化更易發生在包含在O2節點控制器15中並連接到包含在輸出信號穩定器16'中的Q節點Q和第六電晶體T6'的第三電晶體T3的臨界電壓中。為了解決這個問題，可以添加第九電晶體T9以分離Q節點Q。因此，可以減輕第三電晶體T3和第六電晶體T6'的臨界電壓的劣化程度，並且可以改善閘極驅動器的可靠性。
可以在圖5示例的下拉單元11'中省略圖4示例中的第三電容器。如果省略第九電晶體T9，則可以在Q節點Q中形成大量的寄生電容。然而，當加入第九電晶體T9時，Q節點Q可以分離，並且可以減少形成在Q節點Q中的寄生電容。如此一來，第三電容器可以省略。
除了在包含在圖5示例的第k級內的電晶體之中顯示為雙閘極電晶體的第五電晶體T5和第六電晶體T6以外，第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3和第四電晶體T4皆可以實現為雙閘極電晶體，並且可以提高閘極驅動器的可靠性。根據圖5示例的第k級使用第(k-1)級的兩個輸出信號作為輸入信號。可以減少級距所佔據的區域以減小邊框區域，並且可以增強對構成級距的元件的操作限度。
圖6為說明根據本發明一示例實施例之級距的電路圖。
圖6是圖3之方塊圖的示例的詳細電路圖。參照圖6，將描述構成閘極驅動器130的第k級EM(k)作為示例。
在圖6中，可以將第十電晶體T10添加到圖5示例的電路圖中。因此，可以增強電晶體的操作限度，並且可以解決由於臨界電壓的轉移所導致之不可操作的問題。同時，由於可以另外提供第四電容器C4，所以可以解決施加到O1節點O1的電壓的衰減問題。在下文中，可以省略或簡要地描述與圖4或圖5那些元件重複的元件。
參考圖6，第k級EM(k)可以包括：下拉單元11'、上拉單元12、Q節點控制器13、QB節點控制器14、O2節點控制器15、以及輸出信號穩定器16"。下拉單元11'、上拉單元12、Q節點控制器13、QB節點控制器14和O2節點控制器15基本上與根據圖5示例的元件相似。
輸出信號穩定器16"可以包括第六電晶體T6"、第九電晶體T9、第十電晶體T10、第二電容器C2和第四電容器C4。因為第九電晶體T9和第二電容器C2基本上與圖5中所示相似，所以將省略它們的描述。
第十電晶體T10的閘極電極可以連接到第二時脈信號線，第十電晶體T10的源極電極可以連接到第六電晶體T6"的汲極電極，並且第十電晶體T10的汲極電極可以連接到Q'節點Q'。第六電晶體T6"的閘極電極可以連接到O2節點O2，第六電晶體T6"的源極電極可以連接到高電壓線，並且第六電晶體T6"的汲極電極可以連接到第十電晶體T10的源極電極。如果第一時脈信號CLK1為導通電壓，則第十電晶體T10可以減少或防止在透過第一電晶體T1傳送的導通電壓與透過第六電晶體T6"傳送的高電壓之間的碰撞。因此，即使第三電晶體T3的臨界電壓可能由於第三電晶體T3的劣化而產生轉移，透過第一電晶體T1的第(k-1)級的第一輸出信號仍可以正常地傳遞。
第四電容器C4的第一電極可以連接到O2節點O2，而第四電容器C4的第二電極可以連接到高電壓線。當在O1節點O1處從高電壓轉移到低電壓之前，QB節點QB從低電壓轉移到高電壓時，第四電容器C4可以減少或防止O2節點O2的電壓由第一電容器C1轉移到高電壓，並且可以將O2節點O2保持在低電壓狀態並將O1節點O1保持在高電壓狀態。例如，第十電晶體T10和第四電容器C4可以稱為「操作限度增強部」。
除了在包含在根據圖6示例的第k級內的電晶體之中顯示為雙閘極電晶體的第五電晶體T5和第六電晶體T6'以外，第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4和第六電晶體T6"皆可以實現為雙閘極電晶體。因此，可以提高閘極驅動器的可靠性。
根據圖6示例的第k級可以使用第(k-1)級的兩個輸出信號作為輸入信號。因此，可以減少級距所保留的區域以減小邊框區域，並且可以增強構成級距的元件的操作限度。
圖7為說明根據本發明一示例實施例之級距驅動的波形。
圖7的波形可以同等地應用於圖4到圖6中的任何示例。參考圖4至圖7，當第(k-1)級EM(k-1)的第二輸出信號OUT2(k-1)和第二時脈信號CLK2在第一週期①中對應低電壓時，第二電晶體T2可以導通，並且低電壓可以施加到QB節點QB。由於施加到QB節點QB的低電壓，第五電晶體T5可以導通，並且低電壓VL可以施加到第五電晶體的汲極電極。
當第一時脈信號CLK1在第二週期②對應低電壓時，第一電晶體T1和第四電晶體T4可以導通，第(k-1)級的第一輸出信號OUT1(k-1)的高電壓可以 施加到Q節點Q，並且第五電晶體T5的汲極電極的低電壓可以施加到O2節點O2。因為QB節點QB可能由於第一電容器C1的升壓而具有比低電壓低的電壓，所以第五電晶體T5可以穩定地保持在導通狀態。當第八電晶體T8由於施加到O2節點O2的低電壓導通時，高電壓可以施加到O1節點O1。因此，第k級的第一輸出信號OUT1在第二週期②可以為高電壓。
相對於第(k-1)級的第一輸出信號OUT1(k-1)和第二輸出信號OUT2(k-1)，高電壓和低電壓可以維持達4個水平週期。因此，相對於第k級的第一輸出信號OUT1和第二輸出信號OUT2，高電壓和低電壓可以維持達4個水平週期。
另外，在圖4至圖5的示例中，由於低電壓施加到O2節點O2達三個水平週期，第六電晶體T6和T6'可以導通，而該三個水平週期中包含第二週期②，並且高電壓可以施加到Q節點Q和Q'節點Q'。因此，第一輸出信號OUT1可以穩定地輸出高電壓。在圖6的示例中，由於低電壓施加到O2節點O2達三個水平週期，第六電晶體T6"可以導通，而該三個水平週期中包含第二週期②，但是第十電晶體T10可以僅在第二時脈信號CLK2對應於低電壓時導通。高電壓可以間歇性地施加到Q'節點Q'。
對於第三週期③，當第(k-1)級的第二輸出信號OUT2(k-1)轉移到高電壓，並且第二時脈信號CLK2對應於低電壓時，高電壓可以施加到QB節點QB。第五電晶體T5可以關閉。
對於第四週期④，當第(k-1)級的第一輸出信號OUT1(k-1)和第一時脈信號CLK1對應於低電壓時，第一電晶體T1可以導通，且可因此將低電壓施加到Q節點Q。因此，第三電晶體T3可以導通，並且因此可以將高電壓施加到O2節點O2。高電壓可以關閉第八電晶體T8，並且可以輸入到第(k+1)級作為第k級的第二輸出信號OUT2。此外，當第七電晶體T7由施加到Q節點Q的低電壓導通時，低電壓可以施加到O1節點O1。例如，由於第七電晶體T7的臨界電壓值，完整的低電壓可能無法施加到O1節點O1。這可以透過第五週期⑤的第二電容器C2來補償。
對第五週期⑤，第二時脈信號CLK2可以轉移到低電壓，Q節點Q的電壓可以由於第二電容器C2的升壓而被穩定地轉移到低電壓，第二電晶體T7 可以保持在導通狀態下，並且低電壓可以施加到O1節點O1。施加到O1節點O1的電壓可以施加到第k像素線作為第k級的第一輸出信號OUT1。
根據本發明的一示例實施例，級距可以使用前一級距輸出的兩個信號作為啟動信號，可以減少級距所保留的區域以減小邊框區域，並且可以增強構成該級距的元件的操作限度。根據本發明的一示例實施例，連接到電容器兩端的電晶體可以是雙閘極型電晶體，並且可以提高構成級距的電路的可靠性。
根據本發明的一示例範實施例，控制下拉電晶體的Q節點可以使用電晶體來分離，並且可以減少形成在Q節點中的寄生電容。因此，下拉單元可以省略電容器。
根據本發明的一示例實施例，如果第一時脈信號是導通電壓，第十電晶體可以位於Q'節點與第六電晶體之間，以避免在透過第一電晶體傳輸的導通電壓與透過第六電晶體傳輸的高電壓之間的碰撞。因此，即使由於第三電晶體的電壓劣化而使臨界電壓轉移，也可以正常地傳輸透過第一電晶體輸入的信號。
根據本發明的一示例實施例，當QB節點在第一輸出信號從高電壓轉換為低電壓之前從低電壓轉換為高電壓時，連接在第二輸出信號線與高電壓線之間的第四電容器可以減少或防止第二輸出信號的電壓被第一電容器轉移到高電壓，並且可以將第二輸出信號保持在低電壓狀態，以將第一輸出信號保持在高電壓狀態。
根據本發明一示例實施例的閘極驅動器和電致發光顯示裝置可以描述在下文中。
根據本發明的一實施例，一種電致發光顯示裝置可以包括：一發射線；多個子像素，連接到該發射線；以及一發射驅動器，配置以向該發射線供應一發射信號，該發射驅動器包括複數個級距，在該複數個級距中，一第k級包括：一第一輸出節點，連接到發射線；一第二輸出節點；一Q節點；一下拉電路節點和一上拉電路節點，分別由該Q節點和該第二輸出節點節點控制，該下拉電路和該上拉電路配置以向第一輸出節點提供電壓；一第一控制器，配置以接收一第(k-1)級的一第一輸出節點的電壓或一第一啟動信號；一第二控制器，配置以接收該第(k-1)級的一第二輸出節點的電壓或一第二啟動信號；一第三控制 器，配置以控制該第二輸出節點的電壓；以及一第四控制器，配置為由該第二輸出節點控制。「k」是大於等於1的自然數。
例如，在根據本發明一實施例的電致發光顯示裝置中，第四控制器可以進一步包括一Q節點穩定器，配置以將Q節點分為主Q節點和Q'節點。例如，在根據本發明一實施例的電致發光顯示裝置中，第四控制器還可以包括一操作限度增強部，配置以減少或防止第四控制器的電壓之間的碰撞。
例如，在根據本發明一實施例的電致發光顯示裝置中，第三控制器可以進一步包括一電容器，並且連接到該電容器的至少一個電晶體可以位於第三控制器和第四控制器中，該至少一個電晶體是雙閘極型電晶體。例如，在根據本發明一實施例的電致發光顯示裝置中，下拉電路可以包括連接到Q節點和第一輸出節點的電容器。例如，在根據本發明一實施例的電致發光顯示裝置中，第一控制器可以進一步配置為由第一時脈信號控制，第二控制器可以進一步配置為由第二時脈信號控制，並且第一時脈信號和第二時脈信號以一個水平週期的循環在低電壓與高電壓之間擺動，且其各自的相位彼此相反。
例如，在根據本發明一實施例的電致發光顯示裝置中，第四控制器可以包括：一T6電晶體，配置為由第二輸出節點控制並連接到Q節點；一T9電晶體，與Q節點相連接，並配置以將Q節點分成主Q節點和Q'-節點；以及一C2電容器，連接到Q節點和第二時脈信號線。例如，在根據本發明一實施例的電致發光顯示裝置中，第四控制器可以進一步包括：一T10電晶體，配置為由第二時脈信號控制並連接到Q節點和T6電晶體；以及一C4電容器，連接到第二輸出節點和高電壓線。
根據本發明的一實施例，閘極驅動器可以包括：複數個級距，在該複數個級距中，一第k級包括：一第一輸出節點、一第二輸出節點、一下拉電晶體和一上拉電晶體，配置以控制第一輸出節點；一控制器，配置以控制第二輸出節點，該控制器包括：一T3電晶體，配置為由Q節點控制、一T4電晶體，配置為由第一時脈信號控制、一T5電晶體，配置為由QB節點控制、及一第一電容器，包括：連接到QB節點的一第一電極、及連接到第二輸出節點的一第二電極；以及一輸出信號穩定器，連接到Q節點和第二輸出節點，其中，施加到第一輸出節點和第二輸出節點的電壓可以被用為第(k+1)級的啟動信號，以及其中，「k」可以是1或更大的自然數。
例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，T5電晶體可以是雙閘極電晶體。例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，第k級可以進一步包括：一T1電晶體，配置以控制Q節點的電壓；以及一T2電晶體，配置以控制QB節點的電壓，T1電晶體可以連接到第(k-1)級的第一輸出節點，而T2電晶體可以連接到第(k-1)級的第二輸出節點。
例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，第k級可以包括：一T6電晶體，位於輸出信號穩定器中，連接到Q節點並配置為由第二輸出節點控制；以及一第二電容器，連接到Q節點和第二時脈信號線。例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，下拉電晶體和T5電晶體可以連接到低電壓線，而上拉電晶體、T3電晶體和T6電晶體可以連接到高電壓線。例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，T6電晶體可以是雙閘極電晶體。
例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，第k級可以包括一第三電容器，連接到Q節點和第一輸出節點。例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，第k級可以包括：一T6電晶體，位於輸出信號穩定器中，配置為由第二輸出節點控制並連接到Q節點；一T9電晶體，連接到Q節點，配置以將Q節點分成主Q節點和Q'節點；以及一第二電容器，與Q節點和第二時脈信號線相連接。
例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，下拉電晶體、T5電晶體和T9電晶體可以連接到閘極低電壓線，而上拉電晶體、T3電晶體和T6電晶體可以連接到閘極高電壓線。例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，T6電晶體可以是雙閘極電晶體。
例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，在輸出信號穩定器中，第k級可以包括：一T9晶體體，連接到Q節點，配置以將Q節點分成主Q節點和Q'節點；一T6電晶體，配置為由第二輸出節點控制；一T10電晶體，配置為由第二時脈信號控制並且與Q節點和T6電晶體相連接；一第二電容器，連接到第二時脈信號線，並配置以接收Q節點和第二時脈信號；以及一第四電容器，連接到第二輸出節點和高電壓線。例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，下拉電晶體、T5電晶體和T9電晶體可以連接到閘極低電壓線，而上拉電晶體、T3電晶體和T6電晶體可以連接到閘極高電壓線。例如，在根據本發明一實施例的閘極驅動器中，T6電晶體可以是雙閘極電晶體。
對於本領域具有通常知識者顯而易見的是，在不脫離本發明技術的精神或範圍的情況下，可以在本發明中進行各種修改和變化。因此，可以預期的是本發明覆蓋落入申請專利範圍以及其等同物的範圍內的本發明的修改和變化。
100‧‧‧電致發光顯示裝置
110‧‧‧影像處理器
120‧‧‧時序控制器
130‧‧‧閘極驅動器
140‧‧‧資料驅動器
150‧‧‧顯示面板
180‧‧‧電源單元
DA‧‧‧顯示區域
DATA‧‧‧資料信號
DDC‧‧‧資料時序控制信號
DL1~DLm‧‧‧資料線
GDC‧‧‧閘極時序控制信號
GL1~GLn‧‧‧閘極線
SP‧‧‧子像素
VDD‧‧‧高電位電源電壓
VSS‧‧‧低電位電源電壓

Claims (21)

  1. 一種電致發光顯示裝置，包括：一發射線；多個子像素，連接到該發射線；以及一發射驅動器，配置以向該發射線供應一發射信號，該發射驅動器包括複數個級距，在該複數個級距中，一第k級包括：一第一輸出節點，連接到該發射線；一第二輸出節點；一Q節點；一下拉電路和一上拉電路，分別由該Q節點和該第二輸出節點控制，該下拉電路和該上拉電路配置以向該第一輸出節點供應電壓；一第一控制器，配置以接收該複數個級距中的一第(k-1)級的一第一輸出節點的電壓或一第一啟動信號；一第二控制器，配置以接收該第(k-1)級的一第二輸出節點的電壓或第一第二啟動信號；一第三控制器，配置以控制該第二輸出節點的該電壓；以及一第四控制器，配置為由該第二輸出節點控制，其中，「k」是大於等於1的自然數。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第四控制器包括一Q節點穩定器，配置以將該Q節點分為一主Q節點和一Q'節點。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第四控制器進一步包括一操作限度增強部，配置以減少或防止該第四控制器的電壓之間的碰撞。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第三控制器進一步包括一電容器；以及連接到該電容器的至少一個電晶體位於該第三控制器和該第四控制器中，該至少一個電晶體為一雙閘極電晶體。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該下拉電路包括連接到該Q節點和該第一輸出節點的一電容器。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中：該第一控制器進一步配置為由一第一時脈信號控制；該第二控制器進一步配置為由一第二時脈信號控制；以及該第一時脈信號和該第二時脈信號在一個水平週期的循環上的一低電壓與一高電壓之間擺動，並且其各自的相位彼此相反。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的電致發光顯示裝置，其中，該第四控制器包括：一T6電晶體，配置為由該第二輸出節點控制並連接到該Q節點；一T9電晶體，與該Q節點相連接，該T9電晶體配置以將Q節點分成一主Q節點和一Q'節點；以及一C2電容器，與該Q節點以及一第二時脈信號線相連接。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的電致發光顯示裝置，其中，第四控制器進一步包括：一T10電晶體，配置為由一第二時脈信號控制並且與該Q節點和該T6電晶體相連接；以及一C4電容器，連接到該第二輸出節點和一高電壓線。
  9. 一種閘極驅動器，包括：複數個級距，在該複數個級距中，一第k級包括：一第一輸出節點；一第二輸出節點；一下拉電晶體和一上拉電晶體，配置以控制該第一輸出節點；一控制器，配置以控制該第二輸出節點，該控制器包括：一T3電晶體，配置為由一Q節點控制，一T4電晶體，配置為由一第一時脈信號控制，一T5電晶體，配置為由一QB節點控制，以及一第一電容器，包括： 一第一電極，與該QB節點相連接，以及一第二電極，與該第二輸出節點相連接；以及一輸出信號穩定器，連接到該Q節點和該第二輸出節點；其中，施加到該第一輸出節點和該第二輸出節點的電壓被用為一第(k+1)級的起始信號，以及其中，「k」是大於等於1的自然數。
  10. 根據申請專利範圍第9項所述的電致發光顯示裝置，其中，該T5電晶體為一雙閘極電晶體。
  11. 根據申請專利範圍第9項所述的閘極驅動器，其中：該第k級進一步包括：一T1電晶體，配置以控制該Q節點的電壓；以及一T2電晶體，配置以控制該QB節點的電壓；其中，該T1電晶體連接到一第(k-1)級的一第一輸出節點；以及該T2電晶體連接到該第(k-1)級的一第二輸出節點。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述的閘極驅動器，其中該第k級包括：一T6電晶體，位於該輸出信號穩定器中，連接到該Q節點並配置為由該第二輸出節點控制；以及一第二電容器，連接到該Q節點和一第二時脈信號線。
  13. 根據申請專利範圍第12項所述的閘極驅動器，其中：該下拉電晶體和該T5電晶體與一低電壓線相連接；以及該上拉電晶體、該T3電晶體和T6電晶體皆與一高電壓線相連接。
  14. 根據申請專利範圍第12項所述的閘極驅動器，其中，該T6電晶體為一雙閘極電晶體。
  15. 根據申請專利範圍第11項所述的閘極驅動器，其中該第k級包括一第三電容器，連接到該Q節點和該第一輸出節點。
  16. 根據申請專利範圍第11項所述的閘極驅動器，其中該第k級包括： 一T6電晶體，位於該輸出信號穩定器中，配置為由該第二輸出節點控制並連接到該Q節點；一T9電晶體，連接到該Q節點，配置以將該Q節點分成一主Q節點和一Q'節點；以及一第二電容器，連接到該Q節點和一第二時脈信號線。
  17. 根據申請專利範圍第16項所述的閘極驅動器，其中：該下拉電晶體、該T5電晶體和該T9電晶體皆連接到一閘極低電壓線；以及該上拉電晶體、該T3電晶體以及該T6電晶體皆連接到一閘極高電壓線。
  18. 根據申請專利範圍第16項所述的閘極驅動器，其中，該T6電晶體為一雙閘極電晶體。
  19. 根據申請專利範圍第11項所述的閘極驅動器，其中，該第k級在該輸出信號穩定器中包括：一T9電晶體，連接到該Q節點，配置以將該Q節點分成一主Q節點和一Q'節點；一T6電晶體，配置為由該第二輸出節點控制；一T10電晶體，配置為由一第二時脈信號控制並且連接到該Q節點和該T6電晶體；一第二電容器，連接到一第二時脈信號線，該第二電容器配置以接收該Q節點和該第二時脈信號；以及一第四電容器，連接到該第二輸出節點和一高電壓線。
  20. 根據申請專利範圍第19項所述的閘極驅動器，其中：該下拉電晶體、該T5電晶體和該T9電晶體皆連接到一閘極低電壓線；以及該上拉電晶體、該T3電晶體以及該T6電晶體皆連接到一閘極高電壓線。
  21. 根據申請專利範圍第19項所述的閘極驅動器，其中，該T6電晶體為一雙閘極電晶體。
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