TW202010790A - 抗蝕劑墊層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法 - Google Patents

抗蝕劑墊層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202010790A
TW202010790A TW108131983A TW108131983A TW202010790A TW 202010790 A TW202010790 A TW 202010790A TW 108131983 A TW108131983 A TW 108131983A TW 108131983 A TW108131983 A TW 108131983A TW 202010790 A TW202010790 A TW 202010790A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
chemical formula
resist
group
Prior art date
Application number
TW108131983A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI731406B (zh
Inventor
白載烈
裵信孝
崔有廷
權純亨
朴賢
Original Assignee
南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司 filed Critical 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司
Publication of TW202010790A publication Critical patent/TW202010790A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI731406B publication Critical patent/TWI731406B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G03F7/0955—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer one of the photosensitive systems comprising a non-macromolecular photopolymerisable compound having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/06—Silver salts
    • G03F7/063—Additives or means to improve the lithographic properties; Processing solutions characterised by such additives; Treatment after development or transfer, e.g. finishing, washing; Correction or deletion fluids
    • G03F7/066—Organic derivatives of bivalent sulfur, e.g. onium derivatives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

本發明揭露一種抗蝕劑墊層組合物和使用抗蝕劑墊層組合物形成圖案的方法，所述組成物包含：聚合物，包含由化學式1-1表示的第一部分和由化學式1-2表示的第二部分中的至少一者；熱酸產生劑，包含由酸衍生的陰離子和衍生自pKa大於或等於7的鹼的陽離子構成的鹽；以及溶劑：

Description

抗蝕劑墊層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法
本發明涉及一種抗蝕劑墊層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法。尤其，本發明涉及形成於半導體基底與光阻層之間的光阻墊層組合物，和使用底塗層形成光阻圖案的方法。
最近，半導體行業已發展到具有幾奈米大小到幾十奈米大小的圖案的超精細技術。這種超精細技術主要需要有效的光刻技術。
光刻技術包含：在半導體基底（例如矽晶片）上塗布光阻層；使所述光阻層曝光且顯影以形成薄層；輻照活化的輻射（例如紫外線（UV）），同時安置具有裝置圖案的遮罩圖案；使所得物顯影以獲得光阻圖案；以及使用所述光阻圖案作為保護層蝕刻基底以形成與在基底表面上的圖案對應的精細圖案。
由於需要製造超精細圖案的技術，使用具有短波長的活化輻射，例如i-線（波長為365奈米）、KrF準分子鐳射（波長為248奈米）、ArF準分子鐳射（波長為193奈米）等來曝光光阻。因此，已藉由在光阻與半導體基底之間***具有最優反射率的抗蝕劑墊層進行了關於解決由於從半導體基底漫反射、駐波或其類似者引起的活化輻射問題的研究。
在另一方面，除了活化的輻射以外，使用例如EUV（遠紫外線；波長為13.5奈米）、E束（電子束）等高能量射線作為用於製造精細圖案的光源，且光源不從基底反射，但已廣泛地進行關於改善抗蝕劑對下部層的粘著性的研究以改善圖案的塌陷。此外，除了減少由光源所引起的問題以外，已廣泛地進行關於提高抗蝕劑墊層的蝕刻選擇性和耐化學性的研究。
一實施例提供一種在預定波長中具有最優反射率且同時具有改善的塗布屬性、儲存穩定性以及耐化學性的抗蝕劑墊層組合物。
另一實施例提供一種使用抗蝕劑墊層組合物形成圖案的方法。
根據一實施例，抗蝕劑墊層組合物包含：聚合物，包含由化學式1-1表示的第一部分和由化學式1-2表示的第二部分中的至少一者；熱酸產生劑，包含由酸衍生的陰離子和衍生自pKa大於或等於7的鹼的陽離子構成的鹽；以及溶劑。 [化學式1-1]
Figure 02_image001
[化學式1-2]
Figure 02_image003
在化學式1-1到化學式1-2中， a和f各自獨立地為0到3的整數， 當a為0時，R1 為氫、經至少一個羥基取代的C1到C30烷基以及經至少一個羥基取代的C1到C30雜烷基中的一者， 當a為1到3的整數時，R1 為羥基且R0 為經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、經取代或未經取代的C6到C30伸芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烯基、經取代或未經取代的C2到C30伸雜芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸烯基、經取代或未經取代的C1到C30伸炔基、酯基（-COO-）、醚基（-O-）、硫醚基（-S-），或其組合， R2 到R6 各自獨立地為經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、經取代或未經取代的C6到C30伸芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烯基、經取代或未經取代的C2到C30伸雜芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸烯基、經取代或未經取代的C1到C30伸炔基、酯基（-COO-）、醚基（-O-）、硫醚基（-S-），或其組合， b、c、d以及e各自獨立地為0到3的整數；以及 *為鍵聯點。
根據另一實施例，形成圖案的方法包含在基底上形成蝕刻對象層，在蝕刻對象層上塗布上述抗蝕劑墊層組合物以形成抗蝕劑墊層，在抗蝕劑墊層上形成光阻圖案，以及使用光阻圖案作為蝕刻遮罩依次蝕刻抗蝕劑墊層和蝕刻對象層。
本揭露的實例實施例將在下文中詳細描述且可容易地由所屬領域的技術人員執行。然而，本揭露可以許多不同形式實施，且不應理解為限於本文所闡述的實例實施例。
在圖式中，為清楚起見可放大層、膜、面板、區域等的厚度，並且在整個說明書中相同參考編號表示相同元件。應理解，當一個元件，如層、膜、區域或基底被稱為“在”另一個元件“上”時，其可以直接在另一個元件上，或還可存在***元件。相比之下，當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在***元件。
如本文中所使用，當未另外提供定義時，“經取代”是指化合物的氫原子由以下中選出的取代基置換：鹵素原子（F、Br、Cl或I）、羥基、硝基、氰基、胺基、疊氮基、脒基、肼基、亞肼基、羰基、胺甲醯基、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、乙烯基、C1到C20烷基、C2到C20烯基、C2到C20炔基、C6到C30芳基、C7到C30芳烷基、C6到C30烯丙基、C1到C30烷氧基、C1到C20雜烷基、C3到C20雜芳基烷基、C3到C30環烷基、C3到C15環烯基、C6到C15環炔基、C3到C30雜環烷基，以及其組合。
如本文所使用，當未另外提供定義時，術語“雜”是指包含1個到10個從N、O、S以及P中選出的雜原子的一者。
如本文所使用，當未另外提供定義時，“*”是指化合物或化合物部分的鍵聯點。
下文描述根據實施例的抗蝕劑墊層組合物。
根據一實施例的抗蝕劑墊層組合物包含：聚合物，包含由化學式1-1表示的第一部分和由化學式1-2表示的第二部分中的至少一者，熱酸產生劑，包含由酸衍生的陰離子和衍生自pKa大於或等於7的鹼的陽離子構成的鹽；以及溶劑。 [化學式1-1]
Figure 02_image001
[化學式1-2]
Figure 02_image003
在化學式1-1到化學式1-2中， a和f各自獨立地為0到3的整數， 當a為0時，R1 為氫、經至少一個羥基取代的C1到C30烷基以及經至少一個羥基取代的C1到C30雜烷基中的一者， 當a為1到3的整數時，R1 為羥基且R0 為經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、經取代或未經取代的C6到C30伸芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烯基、經取代或未經取代的C2到C30伸雜芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸烯基、經取代或未經取代的C1到C30伸炔基、酯基（-COO-）、醚基（-O-）、硫醚基（-S-），或其組合， R2 到R6 各自獨立地為經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、經取代或未經取代的C6到C30伸芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烯基、經取代或未經取代的C2到C30伸雜芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸烯基、經取代或未經取代的C1到C30伸炔基、酯基（-COO-）、醚基（-O-）、硫醚基（-S-），或其組合， b、c、d以及e各自獨立地為0到3的整數；以及 *為鍵聯點。
由化學式1-1和化學式1-2表示的第一部分和第二部分具有其中三嗪骨幹存在於核心中且三個氧原子與三嗪鍵聯的結構。歸因於這種結構，可獲得對活化輻射的相對較高折射率（n）及相對較低消光係數（k）。因此，當使用包含聚合物的組合物例如作為光阻墊層材料時，組合物相對於光源具有自蝕刻層的最優反射率，且可因此抑制光干擾效應，且此外，在蝕刻製程期間具有與光阻層的高蝕刻選擇性和極佳平整度。
由化學式1-1和化學式1-2表示的第一部分和第二部分可各自獨立地包含至少一個羥基且可藉由具有這種結構來進一步確保塗層的均一性。
舉例來說，在化學式1-1中，當a為0時，R1 可為氫、經至少一個羥基取代的C1到C30烷基以及經至少一個羥基取代的C1到C30雜烷基中的一者。
此外，例如在化學式1-1中，當a為1時，R0 可在結構中包含酯基（-COO-）、醚基（-O-）以及硫醚基（-S-）中的至少一者，或可包含經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、包含經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基的經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、經至少一個羥基取代的C1到C30伸烷基以及C1到C30伸雜烷基中的至少一者，但不限於此。
此外，在化學式1-1中，R2 和R3 可各自獨立地包含或可各自獨立地不包含酯基（-COO-）、醚基（-O-）以及硫醚基（-S-）中的至少一者。
此外，由於聚合物在有機溶劑和熱中較穩定，當包含聚合物的抗蝕劑墊層組合物例如用作光阻墊層材料時，可最小化由其形成的抗蝕劑墊層在形成光阻圖案的製程期間因溶劑或熱而分層，或最小化副產物（例如化學材料和類似物）的產生和於其上的光阻溶劑造成的厚度損失。此外，化合物具有極佳可溶性以提供具有改善的塗層均一性的抗蝕劑墊層。
此外，聚合物可為共聚物，除第一部分及/或第二部分以外，所述共聚物包含衍生自不同於第一部分和第二部分的其它單分子的至少一個部分。
聚合物可具有1,000到100,000的重量平均分子量。更具體來說，聚合物可具有1,000到50,000，或1,000到20,000的重量平均分子量。當聚合物具有所述範圍內的重量平均分子量時，可優化包含聚合物的抗蝕劑墊層組合物的碳量和溶劑溶解度。
當聚合物作為抗蝕劑墊層的材料使用時，不僅可以在烘烤製程期間在不形成針孔和空隙或使厚度分佈劣化的情況下獲得均勻的薄層，而且也可在下部基底（或層）具有梯級（step）或經圖案化時獲得改善的間隙填充和平坦化特徵。
按100 wt%組合物計，可包含呈大於或等於0.1 wt%，例如大於或等於0.5wt%和例如小於或等於40 wt%、小於或等於30 wt%或小於或等於20 wt%，例如0.1 wt%到40 wt%，例如0.5 wt%到30 wt%的量的聚合物。當聚合物包含在所述範圍內時，可控制所形成的抗蝕劑墊層的厚度、表面粗糙度和平坦化度。
在一實施例中，熱酸產生劑包含由酸衍生的陰離子和鹼衍生的陽離子構成的鹽。在一實施例中，熱酸產生劑可由鹽構成。根據一實施例，鹽的陽離子可衍生自pKa大於或等於7的鹼。
在一實施例中，陰離子可為非芳香族陰離子。由於陰離子不具有芳香性，其具有改善可溶性和控制pKa的效果。陰離子可為例如由化學式2表示的陰離子。 [化學式2]
Figure 02_image013
在化學式2中， R11 到R15 各自獨立地選自氫、氘、鹵素、經取代或未經取代的C1到C30烷基以及經取代或未經取代的C1到C30雜烷基，其限制條件為R11 到R13 中的至少一者為鹵素，以及 n為範圍介於0到10的整數。
舉例來說，陰離子可包含至少一個氟基（-F）。也就是說，在化學式2中，R11 到R15 中的至少一者可為氟基（-F）。
在一實施例中，例如，陽離子可如同前述陰離子為非芳香族，但不必限於此。
舉例來說，陽離子可為由化學式3表示的陽離子。 [化學式3]
Figure 02_image015
在化學式3中， R21 到R24 各自獨立地選自氫、氘、經取代或未經取代的C1到C30烷基以及經取代或未經取代的C1到C30雜烷基。
對理想的抗蝕劑墊層的要求如下：具有足以最小化例如曝光光線對光阻的漫反射的現象的合適折射率（n）和消光係數（k）；在塗布期間以均一厚度塗布；不會因為所塗布的抗蝕劑墊層溶解於用於塗布光阻的溶劑中而與抗蝕劑混合；以及在光阻的乾式蝕刻製程中確保以比光阻更快的速度進行蝕刻。
根據一實施例的抗蝕劑墊層組合物使用鹽作為熱酸產生劑，具體地，使用衍生自pKa大於或等於7的鹼的陽離子來形成鹽。由此，當使用根據一實施例的抗蝕劑墊層組合物形成抗蝕劑墊層時，熱酸產生劑產生前述聚合物的交聯，以便促進形成抗蝕劑墊層，且也維持抗蝕劑墊層的極佳密度和塗層均一性。
熱酸產生劑還賦予根據一實施例的抗蝕劑墊層組合物中有機溶劑的穩定性。因此，根據一實施例的抗蝕劑墊層組合物可最小化且/或防止圖案形成中光阻塗層中使用的溶劑的溶解，同時具有改善的儲存穩定性。
此外，當使用同時包含前述聚合物和熱酸產生劑的抗蝕劑墊層組合物形成抗蝕劑墊層時，所形成的抗蝕劑墊層具有極佳折射率（n）和低消光係數（k）。因此，即使在薄膜的狀態小於或等於300埃時，抗蝕劑墊層展現極佳耐化學性。使用抗蝕劑墊層，光阻圖案可有效地吸收反射光且因此形成良好圖案。也就是說，當使用抗蝕劑墊層形成光阻圖案時，可確保高蝕刻選擇性和極佳圖案成形性。
按100 wt%組合物計，包含呈大於或等於0.01 wt%，例如大於或等於0.02 wt%和例如小於或等於10 wt%、小於或等於5 wt%或小於或等於1 wt%，例如0.01 wt%到10 wt%或0.01 wt%到5 wt%的量的熱酸產生劑。當熱酸產生劑包含在所述範圍內時，可藉由促使在組合物的烘烤製程期間在烘烤溫度下使聚合物交聯來促進抗蝕劑墊層的形成。還改善了所形成的抗蝕劑墊層的抗蝕劑墊層密度和塗層均一性。
溶劑可為具有足夠的聚合物可溶性或分散性的任一種溶劑，但可包含例如以下中的至少一種：丙二醇、丙二醇二乙酸酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁基醚、三（乙二醇）單甲基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、環己酮、乳酸乙酯、γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、甲基吡咯啶酮、甲基吡咯烷酮、乙醯丙酮，以及3-乙氧基丙酸乙酯。
抗蝕劑墊層組合物可以更包含交聯劑。
交聯劑可以是例如三聚氰胺類、經取代的脲類或聚合物類交聯劑。理想地，其可為具有至少兩個形成交聯的取代基的交聯劑，舉例來說，例如甲氧基甲基化甘脲（methoxymethylated glycoluril）、丁氧基甲基化甘脲（butoxymethylated glycoluril）、甲氧基甲基化三聚氰胺（methoxymethylated melamine）、丁氧基甲基化三聚氰胺（butoxymethylated melamine）、甲氧基甲基化苯并胍胺（methoxymethylated benzoguanamine）、丁氧基甲基化苯并胍胺（butoxymethylated benzoguanamine）、甲氧基甲基化脲（methoxymethylatedurea）、丁氧基甲基化脲（butoxymethylatedurea）、甲氧基甲基化硫脲（methoxymethylated thiourea）或丁氧基甲基化硫脲（butoxymethylated thiourea）及類似者的化合物。
交聯劑可為具有高耐熱性的交聯劑，並且可為例如包含在分子中包含芳香族環（例如苯環或萘環）的交聯取代基的化合物。交聯劑可具有例如兩個或大於兩個、三個或大於三個或四個或大於四個交聯位點。
此外，除包含由化學式1表示的結構單元的化合物以外，抗蝕劑墊層組合物可更包含壓克力類樹脂、環氧基類樹脂、酚醛清漆樹脂、甘脲類樹脂和三聚氰胺類樹脂的至少一種其它聚合物，但不限於此。
抗蝕劑墊層組合物更包含包括表面活性劑、吸收劑、塑化劑或其組合的添加劑。
表面活性劑可以包含例如烷基苯磺酸鹽、烷基吡啶鹽、聚乙二醇、四級銨鹽、氟烷類化合物及類似物，但不限於此。
塑化劑不受特別限制，並可使用多種已知的塑化劑。塑化劑的實例可包含例如鄰苯二甲酸酯、己二酸酯、磷酸酯、偏苯三甲酸酯、檸檬酸酯及類似物的低分子化合物、聚醚化合物、聚酯類化合物、聚縮醛化合物及類似物。
按100 wt%抗蝕劑墊層組合物計，可包含呈0.001 wt%到40 wt%的量的添加劑。在所述範圍內，可改善溶解度，同時不改變抗蝕劑墊層組合物的光學特性。
根據另一實施例，提供一種使用上述抗蝕劑墊層組合物製造的抗蝕劑墊層。可藉由將抗蝕劑墊層組合物塗布在例如基底上且隨後經由熱處理製程將其固化來獲得抗蝕劑墊層。抗蝕劑墊層可為例如用於電子裝置中的有機薄層，例如平坦層、抗反射塗層、犧牲層或填充劑。
下文中，參看圖1到圖5描述一種使用抗蝕劑墊層組合物形成圖案的方法。
圖1到圖5是解釋使用根據一實施例的抗蝕劑墊層組合物形成圖案的方法的剖面視圖。
參看圖1，製備用於蝕刻的對象。蝕刻對象可以是形成於半導體基底100上的薄層102。下文中，蝕刻對象限於薄層102。洗滌薄層102的表面以去除其上殘留的雜質和類似物。薄層102可以是例如氮化矽層、多晶矽層或氧化矽層。
隨後，藉由旋塗法將包含聚合物（包含由化學式1表示的結構單元）和溶劑的抗蝕劑墊層組合物塗布於洗滌的薄層102的表面上。
隨後，將塗布的組合物乾燥和烘烤，以在薄層102上形成抗蝕劑墊層104。可以在100℃到500℃，例如100℃到300℃下進行烘烤。具體來說，抗蝕劑墊層組合物在上文中詳細描述並且因此將省略。
參看圖2，藉由在抗蝕劑墊層104上塗布光阻來形成光阻層106。
光阻的實例可為含有二疊氮萘醌化合物和酚醛清漆樹脂的正型光阻、包含酸產生劑和具有能夠在鹼性水溶劑中賦予樹脂增長可溶性的基團的鹼溶性樹脂的化學增幅正型光阻，以及類似者。
隨後，初次烘烤具有光阻層106的基底100。初次烘烤可以在90℃到120℃下進行。
參看圖3，可選擇性地曝光光阻層106。
曝光光阻層106可以例如藉由在曝光設備的遮罩臺上放置具有預定圖案的曝光遮罩並且在光阻層106上對齊曝光遮罩110來進行。隨後，藉由照射光到曝光遮罩110中，使基底100上形成的光阻層106的預定區域選擇性地與穿過曝光遮罩的光反應。舉例來說，在曝光期間使用的光的實例可為KrF準分子鐳射（KrF excimer laser）（波長為248奈米波長）、ArF準分子鐳射（ArF excimer laser）（波長為193奈米波長）、波長為13.5奈米的EUV（遠紫外線）和E束。
光阻層106的曝光區域106a與光阻層106的非曝光區域106b相比是相對親水性的。因此，光阻層106的曝光區域106a和非曝光區域106b彼此可以具有不同的溶解度。
隨後，二次烘烤基底100。二次烘烤可以在90℃到150℃下進行。由於二級烘烤，光阻層的曝光區域106a相對於特定溶劑變得容易溶解。
參看圖4，光阻層的曝光區域106a藉由顯影溶液來溶解和去除以形成光阻圖案108。具體來說，藉由使用顯影溶液（例如四甲基氫氧化銨（tetra-methyl ammonium hydroxide，TMAH））和類似物來溶解和去除光阻層的曝光區域106a，以完成光阻圖案108。
隨後，使用光阻圖案108作為蝕刻遮罩來蝕刻抗蝕劑墊層。藉由蝕刻，形成有機層圖案112。
蝕刻可以是例如使用蝕刻氣體的乾式蝕刻，並且蝕刻氣體可以是例如CHF3 、CF4 、Cl2 、BCl3 以及其混合氣體。
參看圖5，光阻圖案108和有機層圖案112作為蝕刻遮罩施加以蝕刻曝光的薄層102。因此，薄層形成為薄層圖案114。
下文中，藉由關於聚合物的合成和包含其的抗蝕劑墊層組合物的製備的實例來更詳細的描述本發明。然而，本發明技術上不受以下實例限制。聚合物的合成
將1,3-二烯丙基-5-(2-羥乙基)異氰脲酸酯（DAC-EC：30克，1.0當量）、1,2-乙二硫醇（EDT：11.16克，1.0當量）、偶氮二異丁腈（AIBN：0.389克，0.02當量）和二甲基甲醯胺（DMF：166克，固體含量：20%）添加到500毫升雙頸圓瓶中且連接到冷凝器。在使溫度上升到80℃後，隨著根據時間使用GPC監測分子量執行反應。確認重量平均分子量在2.5小時時為3,098，將反應溶液冷卻到室溫。在將反應溶液轉移到1升廣口瓶中後，將其用800克己烷洗滌三次，且隨後用500克二***和600克三級蒸餾水洗滌。使用80克THF完整地溶解所得膠狀物樹脂且隨後緩慢滴入700克經攪拌的甲苯。在捨棄溶劑後，使用真空泵移除保持在樹脂中的殘餘溶劑以提供29克（最終重量平均分子量為5,130，產率為60%）化合物。所得化合物為包含化學式1-A的結構單元的聚合物。 [化學式1-A]
Figure 02_image017
所使用鹽的類型 使用實例 1
其中由化學式2-1表示的陰離子和由化學式3-1表示的陽離子形成離子鍵的鹽通過奧德里奇（Aldrich）購買且溶於水中具有pKa=9.24。 [化學式2-1]
Figure 02_image019
[化學式3-1] NH4 + 使用實例 2
其中由化學式2-1表示的陰離子和由化學式3-2表示的陽離子形成離子鍵的鹽通過奧德里奇購買且溶於水中具有pKa=10.75。 [化學式2-1]
Figure 02_image019
[化學式3-2]
Figure 02_image021
使用實例 3
其中由化學式2-1表示的陰離子和由化學式3-3表示的陽離子形成離子鍵的鹽通過奧德里奇購買且溶於水中具有pKa=10.89。 [化學式2-1]
Figure 02_image019
[化學式3-3]
Figure 02_image023
使用實例 4
通過奧德里奇購買其中由化學式2-2表示的陰離子和由化學式3-1表示的陽離子形成離子鍵且溶於水中具有pKa=9.24的鹽。 [化學式2-2]
Figure 02_image025
[化學式3-1] NH4 + 比較使用實例 1
獲得其中由化學式4表示的陰離子和由化學式3-1表示的陽離子形成離子鍵的鹽。 [化學式4]
Figure 02_image027
[化學式3-1] NH4 + 比較使用實例 2
其中由化學式4表示的陰離子和由化學式5表示的陽離子形成離子鍵的鹽通過奧德里奇購買且溶於水中具有pKa=5.25。 [化學式4]
Figure 02_image027
[化學式5]
Figure 02_image029
比較使用實例 3
在未形成鹽的情況下，使用由化學式6表示的化合物（當溶解於水中時，pKa=-2.8）。 [化學式6]
Figure 02_image031
抗蝕劑墊層組合物的製備 實例 1
將由化學式1-1表示的聚合物、PL1174（藉由TCI製造；交聯劑）（以總計100 wt%聚合物計，15 wt%）和使用實例1的鹽（以總計100 wt%聚合物計，3 wt%）溶解於丙二醇單甲基醚和乳酸乙酯的混合溶劑（混合重量比=1:1）中，且隨後攪拌6小時，以提供抗蝕劑墊層組合物。
調節混合溶劑的量以提供以總計100 wt%所獲得抗蝕劑墊層組合物計的1 wt%的聚合物固體含量。實例 2 到實例 4
除使用使用實例2到使用實例4的每種鹽代替實例1中使用的鹽以外，根據與實例1中相同的步驟來製備每種抗蝕劑墊層組合物。比較實例 1 到比較實例 3
除使用比較使用實例1到比較使用實例3中的每種鹽或組合物代替實例1中使用的鹽以外，根據與實例1中相同的步驟來製備每種抗蝕劑墊層組合物。評估 1 ： 層密度的評估
從實例1到實例4和比較實例1到比較實例3中獲得的組合物各取2毫升且將各自塗布在4英寸晶片上，並接著使用自動軌道ACT8（藉由TEL製造）在1,500rpm下進行旋塗20秒。隨後其在210℃下固化90秒以提供具有30奈米厚度的抗蝕劑墊層。通過XRR方法對每個抗蝕劑墊層進行測量，以基於閾值角度測量抗蝕劑墊層的密度。X'pert PRO MPD（藉由帕納科（Panalytical）製造）用作測量裝備。
結果顯示於表1中。
[表1]
Figure 108131983-A0304-0001
參看表1，應理解，與比較實例相比，由從實例1到實例4中獲得的組合物形成的抗蝕劑墊層展現極佳層密度。評估 2 ： 塗層均一性的評估
在水平軸線中測量從評估1中獲得的每個抗蝕劑墊層的51點厚度，且比較其塗層均一性。藉由Opti-2600（藉由德瑪維夫（Thermawave）製造）採用橢圓偏振測量法來測量厚度，且結果顯示於表2中。
在表2中，塗層均一性（%）越小，塗層均一性越好。
[表2]
Figure 108131983-A0304-0002
參看表2，應理解，從實例1到實例4中獲得的抗蝕劑墊層組合物與從比較實例1到比較實例3中獲得的抗蝕劑墊層組合物相比具有更優異的塗層均一性。評估 3 ： 儲存穩定性的評估
將從實例1到實例4和比較實例1到比較實例3中獲得的抗蝕劑墊層組合物在40℃下儲存1個月，且形態和沉澱度各自藉由膠透層析來監測以比較儲存穩定性，且結果顯示於表3中。
在表3中，當在膠透層析中不存在圖形變化和沉澱時，儲存穩定性更好。
[表3]
Figure 108131983-A0304-0003
參看表3，根據實例1到實例4的抗蝕劑墊層組合物與根據比較實例1到比較實例3抗蝕劑墊層組合物相比展現優異的儲存穩定性。
儘管已結合當前認為是實用的實例實施例的實施例描述了本發明，但應理解，本發明不限於所揭露的實施例。相反地，預期涵蓋包含在所附權利要求書的精神和範圍內的各種修改和等效佈置。
100:基底 102:薄層 104:抗蝕劑墊層 106:光阻層 106a:曝光區域 106b:非曝光區域 108:光阻圖案 110:曝光遮罩 112:有機層圖案 114:薄層圖案
圖1到圖5是用於解釋使用根據實施例的抗蝕劑墊層組合物形成圖案的方法的剖面視圖。
Figure 108131983-A0101-11-0003-3
100:基底
108:光阻圖案
112:有機層圖案
114:薄層圖案

Claims (15)

  1. 一種抗蝕劑墊層組合物，包括 聚合物，包括由化學式1-1表示的第一部分和由化學式1-2表示的第二部分中的至少一者； 熱酸產生劑，包括由酸衍生的陰離子和衍生自具有大於或等於7的pKa的鹼的陽離子構成的鹽；以及 溶劑： [化學式1-1]
    Figure 03_image001
    [化學式1-2]
    Figure 03_image003
    其中，在化學式1-1到化學式1-2中， a和f各自獨立地為0到3的整數， 當a為0時，R1 為選自氫、經至少一個羥基取代的C1到C30烷基以及經至少一個羥基取代的C1到C30雜烷基中的一者， 當a為1到3的整數時，R1 為羥基且R0 為經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、經取代或未經取代的C6到C30伸芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烯基、經取代或未經取代的C2到C30伸雜芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸烯基、經取代或未經取代的C1到C30伸炔基、酯基、醚基、硫醚基，或其組合， R2 到R6 各自獨立地為經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、經取代或未經取代的C6到C30伸芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基、經取代或未經取代的C1到C30伸雜烯基、經取代或未經取代的C2到C30伸雜芳基、經取代或未經取代的C1到C30伸烯基、經取代或未經取代的C1到C30伸炔基、酯基（-COO-）、醚基（-O-）、硫醚基（-S-），或其組合， b、c、d以及e各自獨立地為0到3的整數；以及 *為鍵聯點。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中所述陰離子為非芳香族陰離子。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中所述陰離子由化學式2表示： [化學式2]
    Figure 03_image013
    其中，在化學式2中， R11 到R15 各自獨立地選自氫、氘、鹵素、經取代或未經取代的C1到C30烷基以及經取代或未經取代的C1到C30雜烷基，其限制條件為R11 到R13 中的至少一者為鹵素，以及 n為範圍介於0到10的整數。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中在化學式2中，R11 到R15 中的至少一者為氟基。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中所述陽離子由化學式3表示： [化學式3]
    Figure 03_image015
    其中，在化學式3中， R21 到R24 各自獨立地選自氫、氘、經取代或未經取代的C1到C30烷基以及經取代或未經取代的C1到C30雜烷基。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中按100 wt%所述抗蝕劑墊層組合物計，包含呈0.01 wt%到10 wt%的量的所述熱酸產生劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中在化學式1-1中，R2 和R3 各自在結構中獨立地包括選自酯基、醚基以及硫醚基中的至少一者或在結構中獨立地包括選自經取代或未經取代的C1到C30伸烷基以及經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基中的至少一者。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中在化學式1-1中，當a為1時，R0 在結構中包括選自酯基（-COO-）、醚基（-O-）以及硫醚基（-S-）中的至少一者或選自經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、包括經取代或未經取代的C1到C30伸雜烷基的經取代或未經取代的C1到C30伸烷基、經至少一個羥基取代的C1到C30伸烷基以及C1到C30伸雜烷基中的至少一者。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中所述聚合物的重量平均分子量範圍介於1,000到100,000。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中按100 wt%所述抗蝕劑墊層組合物計，包含呈0.1 wt%到40wt%的量的所述聚合物。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中所述抗蝕劑墊層組合物更包括具有兩個或大於兩個交聯位點的交聯劑。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物，其中所述抗蝕劑墊層組合物更包括添加劑，所述添加劑包括表面活性劑、吸收劑、塑化劑，或其組合。
  13. 一種形成圖案的方法，包括： 在基底上形成蝕刻對象層， 在所述蝕刻對象層上塗布如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑墊層組合物以形成抗蝕劑墊層， 在所述抗蝕劑墊層上形成光阻圖案，以及 使用所述光阻圖案作為蝕刻遮罩依次蝕刻所述抗蝕劑墊層和所述蝕刻對象層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的形成圖案的方法，其中形成所述光阻圖案包括 在所述抗蝕劑墊層上形成光阻層， 曝光所述光阻層，以及 使所述光阻層顯影。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的形成圖案的方法，其中形成所述抗蝕劑墊層更包括在100℃到500℃的溫度下熱處理塗布的所述抗蝕劑墊層組合物。
TW108131983A 2018-09-06 2019-09-05 抗蝕劑墊層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法 TWI731406B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180106678A KR102288386B1 (ko) 2018-09-06 2018-09-06 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR10-2018-0106678 2018-09-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202010790A true TW202010790A (zh) 2020-03-16
TWI731406B TWI731406B (zh) 2021-06-21

Family

ID=69719470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108131983A TWI731406B (zh) 2018-09-06 2019-09-05 抗蝕劑墊層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11385545B2 (zh)
JP (1) JP6916253B2 (zh)
KR (1) KR102288386B1 (zh)
CN (1) CN110879508B (zh)
TW (1) TWI731406B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210349391A1 (en) * 2020-05-08 2021-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist under-layer and method of forming photoresist pattern
KR102563287B1 (ko) * 2020-08-12 2023-08-02 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3676440A (en) * 1970-02-26 1972-07-11 Grace W R & Co Isocyanurate-containing polythiols
JPS58190946A (ja) * 1982-04-30 1983-11-08 Sharp Corp ホトレジスト
JP2002012761A (ja) * 2000-04-28 2002-01-15 Toray Ind Inc 耐熱性樹脂組成物
TW591341B (en) 2001-09-26 2004-06-11 Shipley Co Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
CN1758141B (zh) 2004-05-18 2013-12-11 罗姆及海斯电子材料有限公司 与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物
EP1705519B1 (en) * 2005-03-20 2016-07-06 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Method of treating a microelectronic substrate
EP1742108B1 (en) * 2005-07-05 2015-10-28 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP5041175B2 (ja) * 2006-06-19 2012-10-03 日産化学工業株式会社 水酸基含有縮合系樹脂を含有するレジスト下層膜形成組成物
JP4718390B2 (ja) 2006-08-01 2011-07-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法
US7638262B2 (en) * 2006-08-10 2009-12-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective composition for photoresists
US8221965B2 (en) * 2008-07-08 2012-07-17 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US8329387B2 (en) * 2008-07-08 2012-12-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
JP5368270B2 (ja) 2009-02-19 2013-12-18 信越化学工業株式会社 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
US8551686B2 (en) * 2009-10-30 2013-10-08 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective composition for photoresists
US8507192B2 (en) 2010-02-18 2013-08-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions and methods of using same
JP5737526B2 (ja) * 2010-08-02 2015-06-17 日産化学工業株式会社 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
US8465902B2 (en) 2011-02-08 2013-06-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer coating composition and processes thereof
JP5764450B2 (ja) 2011-09-28 2015-08-19 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5814074B2 (ja) * 2011-10-27 2015-11-17 富士フイルム株式会社 高分子膜の製造方法および高分子膜
JP5933364B2 (ja) 2011-11-09 2016-06-08 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5754363B2 (ja) * 2011-12-09 2015-07-29 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜
KR20130076364A (ko) * 2011-12-28 2013-07-08 금호석유화학 주식회사 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR101566532B1 (ko) 2011-12-30 2015-11-05 제일모직주식회사 시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법
US20140120469A1 (en) 2012-10-31 2014-05-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Thermal acid generators for use in photoresist
KR20140085123A (ko) 2012-12-27 2014-07-07 제일모직주식회사 시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법
JP6256719B2 (ja) 2013-02-25 2018-01-10 日産化学工業株式会社 水酸基を有するアリールスルホン酸塩含有レジスト下層膜形成組成物
KR102093828B1 (ko) * 2013-12-27 2020-03-26 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 트리아진환 및 황원자를 주쇄에 갖는 공중합체를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
KR102255221B1 (ko) * 2013-12-27 2021-05-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 나노리소그래피용 유기 바닥 반사방지 코팅 조성물
KR101788090B1 (ko) * 2014-11-28 2017-11-15 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101798935B1 (ko) * 2015-04-10 2017-11-17 삼성에스디아이 주식회사 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
TWI662370B (zh) * 2015-11-30 2019-06-11 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物
KR102653125B1 (ko) 2016-01-13 2024-04-01 삼성전자주식회사 포토레지스트의 하부막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US11448964B2 (en) 2016-05-23 2022-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
KR102047538B1 (ko) * 2017-02-03 2019-11-21 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102003345B1 (ko) 2017-04-28 2019-07-24 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
US20180364575A1 (en) * 2017-06-15 2018-12-20 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist

Also Published As

Publication number Publication date
US20200081346A1 (en) 2020-03-12
CN110879508A (zh) 2020-03-13
KR102288386B1 (ko) 2021-08-10
US20220260914A1 (en) 2022-08-18
TWI731406B (zh) 2021-06-21
US11385545B2 (en) 2022-07-12
CN110879508B (zh) 2023-08-08
JP6916253B2 (ja) 2021-08-11
JP2020042260A (ja) 2020-03-19
KR20200028232A (ko) 2020-03-16
US11982943B2 (en) 2024-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108388079B (zh) 抗蚀剂垫层组成物和使用所述组成物形成图案的方法
TWI688827B (zh) 抗蝕劑底層組成物及使用所述組成物形成圖案的方法
TWI805779B (zh) 抗蝕劑底層組成物和使用所述組成物形成圖案的方法
US9927705B2 (en) Additive for resist underlayer film-forming composition and resist underlayer film-forming composition containing the same
TWI699623B (zh) 抗蝕劑下層組成物及使用該組成物形成圖案的方法
KR102003345B1 (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
US11982943B2 (en) Method of forming patterns using resist underlayer composition
JP6963049B2 (ja) レジスト下層膜用組成物およびこれを利用したパターン形成方法
KR102264694B1 (ko) 고분자 가교제, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102215332B1 (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
TWI768656B (zh) 抗蝕劑底層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法
KR102215333B1 (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
CN112666794A (zh) 半导体光致抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法
TWI804059B (zh) 光阻底層組成物以及形成圖案之方法
KR102586107B1 (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
US20240061338A1 (en) Resist underlayer composition and method of forming patterns using the composition
KR20230020811A (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
TW202130695A (zh) 抗蝕劑底層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法