TW201947275A - 串擾檢測 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及串擾檢測。一種用於檢測串擾的方法可以包括：通過用第一傾斜光束照射晶片的關注區域(ROI)並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第一圖像；通過用第二傾斜光束照射ROI並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第二圖像；其中第一傾斜光束在晶片上的正交投影被定向到第二傾斜光束在晶片上的正交投影；以及檢測出現在該區域的第一圖像和該區域的第二圖像中的至少一個中的串擾。

Description

串擾檢測
本申請要求提交日期為2018年5月15日的第62/671,474號美國臨時專利的優先權，該美國臨時專利通過引用被併入本文。
晶片可以包括多個結構元件，其可以朝著彼此反射光，從而產生串擾。
因此，當第一結構元件被照射時，第一結構元件可以(直接或間接)朝著第二結構元件反射輻射。第二結構元件可以朝著感測器(該感測器應該只感測到從第一結構元件反射的光)反射至少一些輻射，使得第一結構元件的圖像也將包括關於第二結構元件的不需要的資訊。
存在對檢測串擾的日益增長的需要。
可以提供一種用於檢測串擾的方法，該方法可以包括：通過用第一傾斜光束照射晶片的關注區域(ROI)並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第一圖像；通過用第二傾斜光束照射ROI並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第二圖像；其中第一傾斜光束在晶片上的正交投影可以被定向到第二傾斜光束在晶片上的正交投影；以及檢測出現在該區域的第一圖像和該區域的第二圖像中的至少一個中的串擾。
串擾的檢測可以包括從第一圖像和第二圖像中搜索可以實質上沒有串擾的圖像。
該方法可以包括繼續獲取ROI的附加圖像，直到找到可以實質上沒有串擾的圖像為止，其中可以通過由傾斜輻射光束照射晶片的關注區域來獲取附加圖像，傾斜輻射光束具有在晶片上的可以被定向到彼此的正交投影。
串擾的檢測可以基於在第一圖像和第二圖像之間的比較。
該比較可以包括評估在第一圖像中和在第二圖像中的實質上相同的值的像素的空間分佈之間的差異。
該方法可以包括在晶片和產生第一和第二輻射光束的照射單元之間引入圍繞可以被定向到晶片的軸的旋轉運動；其中旋轉運動的引入可以在ROI的第一圖像的獲取之後並且在獲取ROI的第二圖像之前被執行。
第一傾斜光束可以由第一照射單元產生，並且第二傾斜光束可以由第二照射單元產生。
串擾的檢測可以基於ROI的參考模型。
第一圖像和第二圖像嵌有高度資訊，並且其中串擾的檢測可以基於ROI的元件的預期高度值。
用第一傾斜光束照射ROI可以包括用第一傾斜光束掃描ROI。
在該方法中，第一傾斜光束在ROI上形成光斑。
在該方法中，第一傾斜光束在ROI上形成線。
第一圖像的獲取可以包括利用三角測量系統。
串擾的檢測後面可以是生成ROI的估計。
串擾的檢測後面可以是生成ROI的三維估計。
可以提供一種存儲指令的非暫態電腦可讀介質，指令用於：通過用第一傾斜光束照射晶片的關注區域(ROI)並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第一圖像；通過用第二傾斜光束照射ROI並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第二圖像；其中第一傾斜光束在晶片上的正交投影可以被定向到第二傾斜光束在晶片上的正交投影；以及檢測出現在該區域的第一圖像和該區域的第二圖像中的至少一個中的串擾。
串擾的檢測可以包括從第一圖像和第二圖像中搜索可以實質上沒有串擾的圖像。
非暫態電腦可讀介質可以存儲指令，其用於繼續獲取ROI的附加圖像，直到找到可以實質上沒有串擾的圖像為止，其中可以通過由傾斜輻射光束照射晶片的關注區域來獲取附加圖像，傾斜輻射光束具有在晶片上的可以被定向到彼此的正交投影。
串擾的檢測可以基於在第一圖像和第二圖像之間的比較。
該比較可以包括評估在第一圖像中和在第二圖像中的實質上相同的值的像素的空間分佈之間的差異。
非暫態電腦可讀介質可以存儲指令，其用於在晶片和產生第一和第二輻射光束的照射單元之間引入圍繞可以被定向到晶片的軸的旋轉運動；其中旋轉運動的引入可以在ROI的第一圖像的獲取之後並且在獲取ROI的第二圖像之前被執行。
第一傾斜光束可以由第一照射單元產生，以及第二傾斜光束可以由第二照射單元產生。
串擾的檢測可以基於ROI的參考模型。
第一圖像和第二圖像嵌有高度資訊，並且其中串擾的檢測可以基於ROI的元件的預期高度值。
用第一傾斜光束照射ROI可以包括用第一傾斜光束掃描ROI。
第一傾斜光束在ROI上形成光斑。
第一傾斜光束在ROI上形成線。
第一圖像的獲取可以包括利用三角測量系統。
串擾的檢測後面可以是生成ROI的估計。
串擾的檢測後面可以是生成ROI的三維估計。
可以提供一種可以包括成像器、光學單元、卡盤和處理器的評估系統；其中卡盤可以被構造成支撐晶片；其中光學單元可以被構造成(a)通過用第一傾斜光束照射晶片的關注區域(ROI)來獲取ROI的第一圖像，以及(b)收集從ROI反射的光；通過用第二傾斜光束照射ROI並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第二圖像；其中第一傾斜光束在晶片上的正交投影可以被定向到第二傾斜光束在晶片上的正交投影；以及其中處理器可以被配置為檢測出現在該區域的第一圖像和該區域的第二圖像中的至少一個中的串擾。
處理器可以被配置為通過從第一圖像和第二圖像中搜索可以實質上沒有串擾的圖像來檢測串擾。
評估系統可以包括繼續獲取ROI的附加圖像，直到找到可以實質上沒有串擾的圖像為止，其中可以通過由傾斜輻射光束照射晶片的關注區域來獲取附加圖像，傾斜輻射光束具有在晶片上的可以被定向到彼此的正交投影。
處理器可以被配置為檢測串擾。串擾檢測可以基於在第一圖像和第二圖像之間的比較。
該比較可以包括評估在第一圖像中和在第二圖像中的實質上相同的值的像素的空間分佈之間的差異。
卡盤可以由平臺支撐，該平臺可以被配置成在晶片和光學單元之間引入圍繞可以被定向到晶片的軸的旋轉運動；其中旋轉運動的引入可以在ROI的第一圖像的獲取之後並且在獲取ROI的第二圖像之前被執行。
第一傾斜光束可以由光學單元的第一照射單元產生，並且第二傾斜光束可以由光學單元的第二照射單元產生。
處理器可以被配置為檢測串擾。串擾檢測可以基於ROI的參考模型。
第一圖像和第二圖像嵌有高度資訊，並且其中處理器可以被配置為基於ROI的元件的預期高度值來檢測串擾。
光學單元可以被配置為通過用第一傾斜光束掃描ROI來用第一傾斜光束照射ROI。
第一傾斜光束在ROI上形成光斑。
第一傾斜光束在ROI上形成線。
評估系統可以是三角測量系統。
處理器可以被配置為通過生成ROI的估計來檢測串擾。
處理器可以被配置為通過生成ROI的三維估計來檢測串擾。
因為實現本發明的裝置在很大程度上由本領域中的技術人員已知的光學部件和電路組成，所以為了本發明的基本概念的理解和認識以及為了不使本發明的教導模糊或從本發明的教導轉移注意力，電路細節將不在比如上所示被考慮為必要的程度更大的任何程度上被解釋。
在下面的說明書中，將參考本發明的實施例的具體例子來描述本發明。然而，顯然，在不脫離如所附申請專利範圍中闡述的本發明的更廣泛的精神和範圍的情況下，可以在其中進行各種修改和改變。
詞”包括”不排除除了在申請專利範圍中列出的那些之外的其他要素或步驟的存在。應當理解，這樣使用的術語在適當的情況下是可互換的，使得本文所描述的本發明的實施例例如能夠在除了本文所示出或以其他方式描述的那些方向之外的其它方向上操作。
可以提供一種用於檢測和/或減少串擾的方法和系統。
該系統可以是評估系統，諸如檢查單元、計量系統、三角測量單元、3D成像單元和諸如此類。
為了解釋的簡潔，假設該系統是三角測量系統。
下面的正文涉及晶片，但是晶片僅僅是物體的非限制性例子，諸如但不限於面板、印刷電路板(PCB)和諸如此類。
該方法可以包括下列操作的多次重複：
a. 通過從某一方向(使用照射模組)照射晶片的關注區域(ROI)並收集從晶片的ROI反射的光來獲取晶片的ROI的圖像，
b. 在晶片和照射模組之間引入旋轉運動，從而改變在照射模組和晶片的ROI之間的角度關係，並跳到步驟(a)。
ROI可以具有任何形狀和/或尺寸。
ROI可以位於評估系統的單個視場(FOV)內，可以擴展到評估系統的單個FOV之外。整個晶片(或晶片的僅僅一部分)可以一個FOV接著另一個FOV地被成像。
步驟(a)和(b)的多次重複提供了晶片ROI的多個圖像。這些多個圖像在不同的角度關係下被獲取——角度關係中的一些可以提供具有減小的串擾或者甚至沒有串擾的圖像。
這些圖像可以被處理(步驟(c))以找到無串擾圖像。注意，當ROI包括多個結構元件時，不同的圖像(在步驟(a)和(b)的不同迭代期間獲取的圖像)可以包括不同結構元件的無串擾資訊。
步驟(c)可以包括在圖像之間的比較，這可以協助找到在圖像中的串擾資訊，並且後面可以是從圖像中的任何一個中消除串擾資訊。
步驟(c)後面可以是使用無串擾資訊來估計或評估ROI的任何屬性和/或參數和/或特徵(例如形狀和/或尺寸和/或維度和/或在ROI內的結構元件之間的空間關係)的步驟(d)。
旋轉運動的量可以預先被確定，可以通過獲取不同的圖像來被獲悉，可以基於在形狀、尺寸、反射率和在結構元件之間的空間關係和諸如此類中的至少一個來被估計。
應注意，應從下面的範圍選擇受到檢查的基板的旋轉角度(x)：180度> x> 90度或90度> x > 0度。以這樣的方式，所選擇的旋轉角度可以(或可以不)落到180度、90度、0度的嚴格角度內。
應當注意，可以使用在0-360度內的任何旋轉角度。
圖1的上部分、下部分和右部分示出了晶片100和包括照射單元20和收集單元30的三角測量系統10。圖1的左部分示出附加照射單元20’和附加收集單元30’。圖1的底部分示出照射單元20和收集單元30相對於晶片100旋轉。右部分示出晶片100相對於三角測量系統旋轉。
圖2示出了三角測量系統10和晶片100的例子。
三角測量系統10包括：
a. 可以用傾斜光束110照射ROI的光學頭11(110和120沒有在圖2中被描繪)，並且感測從ROI反射的反射光束120，
b. 具有基底12的室13(或其他結構元件或框架),
c. 支撐和移動晶片100的卡盤和機械平臺14。
注意，光學頭11可以由旋轉平臺旋轉，或者光學頭和卡盤都可以旋轉。晶片在被放置在室13中時被評估。室可以是或可以不是密封的。
圖3示出了三角測量系統10和晶片100的例子。
三角測量系統10包括照射單元20、收集單元30、卡盤和機械平臺14、幀抓取器56和處理器90。
卡盤被構造成支撐晶片100，而機械平臺可以旋轉卡盤和/或執行卡盤的任何其他運動。
照射單元20具有傾斜於晶片100的光軸，並且它用傾斜光束照射晶片100的ROI。收集單元30被配置為收集從ROI反射的光。
照射單元和收集單元可以屬光學頭。
三角測量系統10可以通過由傾斜照射晶片的ROI來收集不同的圖像，這些圖像通過它們在晶片100上的軌跡而不同於彼此。特別地，不同傾斜光束的正交投影可以不平行於彼此。
處理器90可以處理由收集單元30生成的圖像。
處理器90可以被配置成檢測出現在該區域的第一圖像和該區域的第二圖像中的至少一個中的串擾。串擾的檢測後面可以是計算ROI的結構元件的一個或更多個屬性和/或參數和/或特徵，同時實質上忽略檢測到的串擾。
圖4示出了三角測量系統10的例子。
三角測量系統10包括照射單元20、收集單元30、第一攝像機54(其前面是第一攝像機光學器件52)、卡盤和機械平臺14、幀抓取器56和處理器90。
照射單元20被配置成用傾斜光束110照射晶片100以在晶片100的ROI上形成可能在空間上不相干的光條(在圖5中被表示為115)。晶片100的ROI包括表面101和多個結構元件，諸如但不限於微觀凸塊。
收集單元30被配置成收集從物體反射的光並將該光分配到第一攝像機54。
第一攝像機54被配置成在高度測量過程期間產生指示多個結構元件的高度的檢測信號。
機械平臺被構造成在高度測量過程期間在表面與在照射單元20和收集單元30中的每一個之間引入運動。
幀抓取器56被配置成從攝像機獲得檢測信號並生成ROI的圖像。
處理器90被配置成處理圖像以確定多個結構元件的高度。該處理可以包括應用任何已知的三角測量過程。例如，處理器可以應用在Ben-Levi的美國專利8363229中所示的三角測量過程。處理器90可以包括一個或更多個通用單元晶片或核心、一個或更多個影像處理器晶片或核心、一個或更多個FPGA、一個或更多個電腦和諸如此類。
圖4示出照射單元20包括用於將光饋送到Scheimpflug原理照射單元24的光纖22。三角測量系統10可以包括其他照射單元。三角測量系統10可以包括一個或多個照射單元，然而使用單個照射單元降低了三角測量系統的成本，並且防止干涉圖案、串擾的產生並防止使用用於補償在由不同照射單元產生的光之間的差異的補償過程。
圖4還示出了包括物鏡32的收集單元30，物鏡32後面是管透鏡34，管透鏡34後面是第一攝像機光學器件52。三角測量系統10’可以包括其他收集單元。
圖5包括根據本發明的實施例的晶片100、傾斜光束110(照明光束)、在晶片上形成的光條115和所收集的光束120的俯視圖和側視圖。
圖5示出了收集單元30具有細長的收集視場(FOV收集)420，其具有平行於光條115的縱軸的長度(320)和垂直於光條115的縱軸的寬度(220)。因此，收集單元30收集在窄角度範圍內反射的光。
圖5示出了照射單元20具有細長的照明視場(FOV照明)410，其具有平行於光條115的縱軸的長度(310)和垂直於光條115的縱軸的寬度(210)。因此，照射單元20在窄角度範圍上照射物體。
圖5還示出了掃描圖案141的例子。可以提供其他掃描圖案。
在圖5中，光條落在第二結構元件1022的頂部上(並從頂部反射)。預期沒有串擾。
圖6示出了串擾情形的例子。
傾斜光束110射在第二結構元件1022上，朝著晶片的表面101反射(125)，朝著第一結構元件1021反射，並且最終從第一結構元件1021朝著收集單元反射。
串擾的結果是具有表示錯誤高度讀數的光路的反射光束。
圖6還示出了傾斜光束110的正交投影平行於在第一結構元件1021的中心和第二結構元件1022的中心之間的虛軸(未示出)並且平行於虛縱軸103並垂直於橫軸105。
圖6還示出了在晶片的表面和傾斜光束110之間的角是第一碰撞角A1 91，以及在反射光束120和晶片的表面之間的反射角是第一反射角B1 81。
圖7示出了缺乏串擾的例子。
傾斜光束110射在第二結構元件1022上，朝著晶片的表面101反射且然後朝著收集單元反射(125)。反射光束120由收集單元檢測並反映表面101的高度。由於晶片的旋轉，第二結構元件不在傾斜光束的路徑中。
圖7還示出了第一傾斜光束110的正交投影被定向(以角C2 72計)到在1021的中心和1022的中心之間的虛軸140，並且被定向到虛縱軸103並垂直於橫軸105。
圖7還示出了在晶片的表面和傾斜光束110之間的角是第二碰撞角A2 92，以及在反射光束120和晶片的表面之間的反射角是第二反射角B2 82。
第一和第二碰撞角可以是相同的或可以不同於彼此。第一和第二反射角可以是相同的或可以不同於彼此。
圖8示出了缺乏信號的例子。
關於圖7，光學頭被旋轉。
傾斜光束110射在第二結構元件1022上，並且朝著晶片的表面101且然後遠離收集單元反射(125)，使得沒有信號被收集單元檢測到。
圖8還示出了傾斜光束110的正交投影被定向(以角C3 73計)到在1021的中心和1022的中心之間的虛軸140，並且被定向到虛縱軸103且垂直於橫軸105。
圖8還示出了在晶片的表面和傾斜光束110之間的角是第三碰撞角A3 92，以及在反射光束120和晶片的表面之間的反射角是第三反射角B3 83。
在第一、第二和第三碰撞角之間可以存在任何關係。第三反射角不同於第一和第二反射角。
圖9是第一和第二結構元件的第一圖像510、第二圖像520和第三圖像530的例子。這些圖像在不同的角度下獲取。
在所有三個圖像中，第一結構元件的頂部由亮像素化區域513、523和533表示，亮像素化區域513、523和533表示在預期頂部結構元件高度範圍內的高度。見例如圖5。
在所有三個圖像中，第二結構元件的頂部由亮像素化區域514、524和534表示，亮像素化區域514、524和534表示在預期頂部結構元件高度範圍內的高度。見例如圖5。
在所有三個圖像中，晶片的表面由淺灰色像素化區域517、527和537表示，淺灰色像素化區域517、527和537表示在預期表面高度範圍內的高度。見例如圖7。
在所有三個圖像中，第一結構元件的側壁的大部分由表示信號的缺乏的暗像素化區域511、521和531表示。見例如圖8。
在所有三個圖像中，第二結構元件的側壁的大部分由表示信號的缺乏的暗像素化區域512、522和532表示。見例如圖8。
在第一和第二圖像中，串擾信號由分別被暗像素化區域511、521、512和522包圍的灰色像素化區域515、525、516和526表示。這些區域表示在結構元件的頂部和晶片的表面的預期高度範圍之外的高度讀數。
進一步注意，在第一、第二和第三圖像之間在像素化灰色區域515、525、516和526的形狀和/或尺寸(空間分佈)方面的差異超過在其他區域之間的差異。
圖10示出了當傾斜光束在ROI上形成光斑115’時應用的ROI的掃描圖案141’。應當注意，可以使用任何掃描圖案，並且傾斜光束在射在ROI上時可以具有任何橫截面。
圖11示出了方法800的例子。
方法800可以包括獲取晶片的ROI的多個圖像。可以通過用傾斜光束照射ROI來獲取多個圖像，所述傾斜光束具有在晶片上的被定向到彼此的正交投影。例如，下面的描述討論了第一圖像和第二圖像以及可選地一個或更多個附加圖像。
方法800可以包括：
a. 通過用第一傾斜光束照射晶片的關注區域(ROI)並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第一圖像的步驟810。
b. 通過用第二傾斜光束照射ROI並收集從ROI反射的光來獲取ROI的第二圖像的步驟820。第一傾斜光束在晶片上的正交投影可以被定向到第二傾斜光束在晶片上的正交投影。
c. 檢測出現在該區域的第一圖像和該區域的第二圖像中的至少一個中的串擾的步驟830。
步驟830可以包括從第一圖像和第二圖像中搜索可以實質上沒有串擾的圖像。一旦這樣的圖像被找到，該方法就可以評估ROI的一個或更多個特徵和/或參數。
方法800可以包括繼續獲取ROI的附加圖像，直到找到可以實質上沒有串擾的圖像為止，其中可以通過由傾斜輻射光束照射晶片的關注區域來獲取附加圖像，傾斜輻射光束具有在晶片上的可被定向到彼此的正交投影。可以應用其他停止條件，例如重複的次數可以預先被設置。可以通過達到多次重複和/或找到實質上沒有串擾的串擾圖像來調節重複。
步驟830可以基於在第一圖像和第二圖像之間的比較。例如，搜索在一個圖像到另一圖像之間最多地變化的區域、出現在僅僅一個圖像中的區域和諸如此類。
該比較可以包括評估在第一圖像中和在第二圖像中的實質上相同的值的像素的空間分佈之間的差異。見例如圖9。
該方法可以包括在晶片和產生第一和第二輻射光束的照射單元之間引入圍繞可以被定向到晶片的軸的旋轉運動的步驟820。步驟820可以跟隨步驟810並在步驟830之前。
(步驟810的)第一傾斜光束可以由第一照射單元產生，以及(步驟820的)第二傾斜光束可以由第二照射單元產生。
串擾的檢測可以基於ROI的參考模型。例如，搜索不反映模型的測量。例如，第一圖像和第二圖像可以嵌有高度資訊，並且其中串擾的檢測可以基於ROI的元件的預期高度值。
用第一傾斜光束照射ROI可以包括用第一傾斜光束掃描ROI。
方法800可以由三角測量系統或任何其他3D成像系統執行。
串擾的檢測後面可以是生成ROI的估計。因此，一旦檢測到串擾，就可以找到ROI的特徵的任何參數。
串擾的檢測後面可以是生成ROI的三維估計。
可以提供一種方法，該方法可以包括在某一角度(例如零度角)下創建3D參考——這可以包括從該某一角度獲取圖像(該圖像可以包括串擾)，檢測在某一圖像中的串擾(例如通過執行步驟810和820的迭代)，並且從該某一圖像中去除串擾以提供無串擾參考圖像。因此，串擾的去除可以包括識別真實反射，然後將該資訊合併到參考圖像。
這可以允許(在檢查期間)使用參考圖像(在串擾被清除之後)在某一角度(例如零角度)下掃描以檢測缺陷。
因此，該方法可以包括：
1. 在某一(例如零)角度下進行掃描，用於利用串擾進行參考創建。該角度是相對於物體的中心的徑向角度。
2. 掃描不同的角度以挑出真實的頂部反射。
3. 旋轉成角度的圖像以與參考圖像對齊。例如，保持靜止的所有反射都是真實的。其餘的是雜訊。
4. 在某一角度下掃描以用於清潔晶片。
此外，如本文所使用的術語”一個(a)”或”一個(an)”被定義為一個或多於一個。此外，在請求項中的引導性短語(諸如”至少一個”和”一個或更多個”)的使用不應被解釋為暗示由不定冠詞”a”或”an”對另一個請求項要素的引入將包含這樣引入的請求項要素的任何特定請求項限制到僅包含一個這樣的要素的發明，即使同一請求項包括引導性短語”一個或更多個”或”至少一個”和不定冠詞，諸如”a”或”an”。同理適用於定冠詞的使用。除非另有說明，術語(諸如”第一”和”第二”)用於任意地區分開這樣的術語所描述的要素。
因此，這些術語不一定旨在指示這樣的要素的時間上的或其他優先級。某些度量在相互不同的請求項中被敘述的不爭事實並不指示這些度量的組合不能有利地被使用。
在前述說明書中，已經參考本發明的實施例的具體例子描述了本發明。然而，顯然，在不脫離如所附申請專利範圍中闡述的本發明的更廣泛的精神和範圍的情況下，可以在其中進行各種修改和改變。
此外，在說明書中和申請專利範圍中的術語”前”、”後”、”頂部”、”底部”、”在...之上”、”在...之下”等(如果有的話)用於描述性目的，而不一定用於描述永久相對位置。應當理解，這樣使用的術語在適當的情況下是可互換的，使得本文所描述的本發明的實施例例如能夠在除了本文所示出或以其他方式描述的那些方向之外的其它方向上操作。
實現相同功能的部件的任何佈置被有效地”關聯”，使得實現期望的功能。因此，本文中組合以實現特定功能的任何兩個部件可以被看作彼此”相關聯”，使得實現期望的功能，而與體系結構或中間部件無關。同樣，這樣關聯的任何兩個部件也可以被視為彼此”可操作地連接”或”可操作地耦合”以實現期望的功能。
此外，本領域技術人員將認識到上述操作之間的邊界僅是說明性的。多個操作可以組合成單個操作，單個操作可以分佈在附加操作中，並且操作可以在時間上至少部分地重疊地執行。此外，可選實施例可以包括特定操作的多個實例，並且在各種其它實施例中可以改變操作的順序。
然而，其它修改、變化和替代也是可能的。因此，說明書和附圖被認為是說明性的而不是限制性的。
短語”可以是X”指示條件X可以被滿足。這個短語也暗示條件X可能不被滿足。例如，對包括某個部件的系統的任何提及也應該涵蓋系統不包含該某個部件的情形。例如，對包括某個步驟的方法的任何提及也應該涵蓋該方法不包含該某個部件的情形。又作為另一個例子，對被配置為執行某個操作的系統的任何提及也應該涵蓋系統未被配置為執行某個操作的情形。
術語”包括(including)”、”包括(comprising)”、”具有”、”由…組成”和”基本上由…組成”以可互換的方式被使用。例如，任何方法可以至少包括在附圖中和/或在說明書中包括的步驟，只有在附圖和/或說明書中包括的步驟。
應當認識到，為了說明的簡單和清楚，在附圖中示出的元件不一定按比例繪製。例如，為了清楚起見，一些元件的尺寸可以相對於其他元件被放大。此外，在被認為適當的場合，參考數字可以在附圖當中重複以指示相應或類似的元件。
在前述說明書中，已經參考本發明的實施例的具體例子描述了本發明。然而，顯然，在不脫離如所附申請專利範圍中闡述的本發明的更廣泛的精神和範圍的情況下，可以在其中進行各種修改和改變。
此外，在說明書中和申請專利範圍中的術語”前”、”後”、”頂部”、”底部”、”在...之上”、”在...之下”和諸如此類(如果有的話)用於描述性目的，且不一定用於描述永久相對位置。應當理解，這樣使用的術語在適當的情況下是可互換的，使得本文所描述的本發明的實施例例如能夠在除了本文所示出或以其他方式描述的那些方向之外的其它方向上操作。
本領域技術人員將認識到，邏輯塊之間的邊界僅僅是說明性的，並且可選實施例可以合併邏輯塊或電路元件，或者對各種邏輯塊或電路元件施加功能的替代分解。因此，應當理解，本文所描述的體系結構僅僅是示例性的，並且實際上可以實施實現相同功能的許多其它體系結構。
實現相同功能的部件的任何佈置被有效地”關聯”，使得期望的功能被實現。因此，在本文中被組合以實現特定的功能的任何兩個部件都可以被看作彼此”相關聯”，使得期望的功能被實現，而無論體系結構或中間部件如何。同樣，這樣關聯的任何兩個部件也可以被視為彼此”可操作地連接”或”可操作地耦合”以實現期望的功能。
此外，本領域技術人員將認識到上述操作之間的邊界僅是說明性的。多個操作可以組合成單個操作，單個操作可以分佈在附加操作中，並且操作可以在時間上至少部分地重疊地執行。此外，可選實施例可以包括特定操作的多個實例，並且在各種其它實施例中可以改變操作的順序。
此外例如，在一個實施例中，所示例子可以被實現為位於單個積體電路上或在同一設備內的電路。另選地，該例子可實施為以合適方式彼此互連的任何數目的單獨積體電路或單獨設備。
此外例如，可以諸如用任何適當類型的硬體描述語來將例子或其部分實現為物理電路的軟表示或代碼表示或者可轉換成物理電路的邏輯表示。
此外，本發明不限於在非可編程硬體中實現的物理設備或單元，而是還可以應用在能夠通過根據適當的程式碼進行操作來執行期望的設備功能的可編程設備或單元，諸如大型機、小型電腦、伺服器、工作站、個人電腦、記事本、個人數位助理、電子遊戲、汽車和其他嵌入式系統、蜂窩電話和在本申請中通常被表示為”電腦系統”的各種其他無線設備。
然而，其它修改、變化和替代也是可能的。因此，說明書和附圖被認為是說明性的而不是限制性的。
在申請專利範圍中，置於括弧之間的任何附圖標記不應被解釋為限制請求項。詞”包括”不排除除了在請求項中列出的那些之外的其他元件或步驟的存在。此外，如本文所使用的術語”一個(a)”或”一個(an)”被定義為一個或多於一個。此外，在請求項中的引導性短語諸如”至少一個”和”一個或更多個”的使用不應被解釋為暗示由不定冠詞”a”或”an”對另一個請求項要素的引入將包含這樣引入的請求項要素的任何特定請求項限制到僅包含一個這樣的要素的發明，即使同一請求項包括引導性短語”一個或更多個”或”至少一個”和不定冠詞，諸如”a”或”an”。同理適用於定冠詞的使用。除非另有說明，術語(諸如”第一”和”第二”)用於任意地區分開這樣的術語所描述的要素。因此，這些術語不一定意欲指示這樣的要素的時間上的或其它優先級。在相互不同的請求項中陳述某些措施的起碼事實並不指示這些措施的組合不能被有利地使用。
參考本專利申請的任何系統、裝置或設備包括至少一個硬體部件。
雖然本文已經圖示和描述了本發明的某些特徵，但是本領域普通技術人員將想到許多修改、替換、改變和等同物。因此，應當理解，所附申請專利範圍旨在涵蓋落在本發明的真實精神內的所有這樣的修改和改變。
10、10’‧‧‧三角測量系統
11‧‧‧光學頭
12‧‧‧基底
13‧‧‧室
14‧‧‧卡盤和機械平臺
20、20’‧‧‧照射單元
22‧‧‧光纖
24‧‧‧照射單元
30、30’‧‧‧收集單元
32‧‧‧物鏡
34‧‧‧管透鏡
52‧‧‧第一攝像機光學器件
54‧‧‧第一攝像機
56‧‧‧幀抓取器
90‧‧‧處理器
100‧‧‧晶片
101‧‧‧表面
103‧‧‧虛縱軸
105‧‧‧橫軸
110‧‧‧傾斜光束
115、115’‧‧‧光條；光斑
120‧‧‧反射光束
125‧‧‧反射
140‧‧‧虛軸
141、141’‧‧‧掃描圖案
210、220‧‧‧縱軸的寬度
310、320‧‧‧縱軸的長度
410‧‧‧照明視場(FOV照明)
420‧‧‧收集視場
510‧‧‧第一圖像
511、521、531、512、522、532‧‧‧暗像素化區域
513、523、533、514、524、534‧‧‧亮像素化區域
517、527、537‧‧‧淺灰色像素化區域
515、525、516、526‧‧‧灰色像素化區域
520‧‧‧第二圖像
530‧‧‧第三圖像
800‧‧‧方法
810、820、830‧‧‧步驟
1021‧‧‧第一結構元件
1022‧‧‧第二結構元件
A1 91‧‧‧第一碰撞角
A2 92‧‧‧第二碰撞角
A3 93‧‧‧第三碰撞角
B1 81‧‧‧第一反射角
B2 82‧‧‧第二反射角
B3 83‧‧‧第三反射角
C3 73‧‧‧角
根據以下結合附圖的詳細描述，將更全面地理解和認識本發明，在附圖中：
圖1示出了晶片以及在晶片和評估系統的部件之間的各種空間關係；
圖2示出了晶片和評估系統的例子；
圖3示出了晶片和評估系統的例子；
圖4示出了晶片和評估系統的例子；
圖5示出了晶片的關注區域(ROI)、掃描圖案和無串擾情形的例子；
圖6示出了串擾情形的例子；
圖7示出了無串擾情形的例子；
圖8示出了無串擾情形的例子；
圖9示出了兩個結構特徵的示例圖像；
圖10示出了掃描圖案的例子；以及
圖11示出了方法的例子。

Claims (45)

  1. 一種用於檢測串擾的方法，所述方法包括： 通過用第一傾斜光束照射晶片的關注區域(ROI)並收集從所述ROI反射的光來獲取所述ROI的第一圖像； 通過用第二傾斜光束照射所述ROI並收集從所述ROI反射的光來獲取所述ROI的第二圖像； 其中所述第一傾斜光束在所述晶片上的正交投影被定向到所述第二傾斜光束在所述晶片上的正交投影；以及 檢測出現在所述區域的第一圖像和所述區域的第二圖像中的至少一個中的串擾。
  2. 如請求項1所述的方法，其中所述串擾的所述檢測包括從所述第一圖像和所述第二圖像中搜索實質上沒有串擾的圖像。
  3. 如請求項1所述的方法，包括繼續獲取所述ROI的附加圖像，直到找到實質上沒有串擾的圖像為止，其中通過由傾斜輻射光束照射所述晶片的所述關注區域來獲取所述附加圖像，所述傾斜輻射光束具有在所述晶片上的被定向到彼此的正交投影。
  4. 如請求項1所述的方法，其中所述串擾的所述檢測基於在所述第一圖像和所述第二圖像之間的比較。
  5. 如請求項4所述的方法，其中所述比較包括評估在所述第一圖像中和在所述第二圖像中的實質上相同的值的像素的空間分佈之間的差異。
  6. 如請求項1所述的方法，包括在所述晶片和產生所述第一輻射光束和第二輻射光束的照射單元之間引入圍繞被定向到所述晶片的軸的旋轉運動；其中所述旋轉運動的所述引入在所述ROI的第一圖像的獲取之後並且在獲取所述ROI的第二圖像之前被執行。
  7. 如請求項1所述的方法，其中所述第一傾斜光束由第一照射單元產生，並且所述第二傾斜光束由第二照射單元產生。
  8. 如請求項1所述的方法，其中所述串擾的所述檢測基於所述ROI的參考模型。
  9. 如請求項1所述的方法，其中所述第一圖像和所述第二圖像嵌有高度資訊，並且其中所述串擾的所述檢測基於所述ROI的元件的預期高度值。
  10. 如請求項1所述的方法，其中用所述第一傾斜光束照射所述ROI包括用所述第一傾斜光束掃描所述ROI。
  11. 如請求項10所述的方法，其中所述第一傾斜光束在所述ROI上形成光斑。
  12. 如請求項10所述的方法，其中所述第一傾斜光束在所述ROI上形成線。
  13. 如請求項1所述的方法，其中所述第一圖像的獲取包括利用三角測量系統。
  14. 如請求項1所述的方法，其中所述串擾的所述檢測後面是生成所述ROI的估計。
  15. 如請求項1所述的方法，其中所述串擾的所述檢測後面是生成所述ROI的三維估計。
  16. 一種存儲指令的非暫態電腦可讀介質，所述指令用於： 通過用第一傾斜光束照射晶片的關注區域(ROI)並收集從所述ROI反射的光來獲取所述ROI的第一圖像； 通過用第二傾斜光束照射所述ROI並收集從所述ROI反射的光來獲取所述ROI的第二圖像； 其中所述第一傾斜光束在所述晶片上的正交投影被定向到所述第二傾斜光束在所述晶片上的正交投影；以及 檢測出現在所述區域的第一圖像和所述區域的第二圖像中的至少一個中的串擾。
  17. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述串擾的所述檢測包括從所述第一圖像和所述第二圖像中搜索實質上沒有串擾的圖像。
  18. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其存儲指令，所述指令用於繼續獲取所述ROI的附加圖像，直到找到實質上沒有串擾的圖像為止，其中通過由傾斜輻射光束照射所述晶片的所述關注區域來獲取所述附加圖像，所述傾斜輻射光束具有在所述晶片上的被定向到彼此的正交投影。
  19. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述串擾的所述檢測基於在所述第一圖像和所述第二圖像之間的比較。
  20. 如請求項20所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述比較包括評估在所述第一圖像中和在所述第二圖像中的實質上相同的值的像素的空間分佈之間的差異。
  21. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其存儲指令，所述指令用於在所述晶片和產生所述第一輻射光束和第二輻射光束的照射單元之間引入圍繞被定向到所述晶片的軸的旋轉運動；其中所述旋轉運動的所述引入在所述ROI的第一圖像的獲取之後並且在獲取所述ROI的第二圖像之前被執行。
  22. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述第一傾斜光束由第一照射單元產生，並且所述第二傾斜光束由第二照射單元產生。
  23. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述串擾的所述檢測基於所述ROI的參考模型。
  24. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述第一圖像和所述第二圖像嵌有高度資訊，並且其中所述串擾的所述檢測基於所述ROI的元件的預期高度值。
  25. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中用所述第一傾斜光束照射所述ROI包括用所述第一傾斜光束掃描所述ROI。
  26. 如請求項25所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述第一傾斜光束在所述ROI上形成光斑。
  27. 如請求項25所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述第一傾斜光束在所述ROI上形成線。
  28. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述第一圖像的獲取包括利用三角測量系統。
  29. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述串擾的所述檢測後面是生成所述ROI的估計。
  30. 如請求項16所述的非暫態電腦可讀介質，其中所述串擾的所述檢測後面是生成所述ROI的三維估計。
  31. 一種包括成像器、光學單元、卡盤和處理器的評估系統；其中所述卡盤被構造成支撐晶片； 其中所述光學單元被構造成： 通過用第一傾斜光束照射晶片的關注區域(ROI)並收集從所述ROI反射的光來獲取所述ROI的第一圖像； 通過用第二傾斜光束照射所述ROI並收集從所述ROI反射的光來獲取所述ROI的第二圖像； 其中所述第一傾斜光束在所述晶片上的正交投影被定向到所述第二傾斜光束在所述晶片上的正交投影；以及 其中所述處理器被配置為檢測出現在所述區域的第一圖像和所述區域的第二圖像中的至少一個中的串擾。
  32. 如請求項31所述的評估系統，其中所述處理器被配置為通過從所述第一圖像和所述第二圖像中搜索實質上沒有串擾的圖像來檢測所述串擾。
  33. 如請求項31所述的評估系統，包括繼續獲取所述ROI的附加圖像，直到找到實質上沒有串擾的圖像為止，其中通過由傾斜輻射光束照射所述晶片的所述關注區域來獲取所述附加圖像，所述傾斜輻射光束具有在所述晶片上的被定向到彼此的正交投影。
  34. 如請求項31所述的評估系統，其中所述處理器被配置為：通過所述串擾是基於在所述第一圖像和所述第二圖像之間的比較，來檢測所述串擾。
  35. 如請求項34所述的評估系統，其中所述比較包括評估在所述第一圖像中和在所述第二圖像中的實質上相同的值的像素的空間分佈之間的差異。
  36. 如請求項31所述的評估系統，其中所述卡盤由平臺支撐，所述平臺被構造成在所述晶片和所述光學單元之間引入圍繞被定向到所述晶片的軸的旋轉運動；其中所述旋轉運動的所述引入在所述ROI的第一圖像的獲取之後並且在獲取所述ROI的第二圖像之前被執行。
  37. 如請求項31所述的評估系統，其中所述第一傾斜光束由所述光學單元的第一照射單元產生，並且所述第二傾斜光束由所述光學單元的第二照射單元產生。
  38. 如請求項31所述的評估系統，其中所述處理器被配置為：通過所述串擾是基於所述ROI的參考模型，來檢測所述串擾。
  39. 如請求項31所述的評估系統，其中所述第一圖像和所述第二圖像嵌有高度資訊，並且其中所述處理器被配置為：通過所述串擾是基於所述ROI的元件的預期高度值，來檢測所述串擾。
  40. 如請求項31所述的評估系統，其中所述光學單元被配置為通過用所述第一傾斜光束掃描所述ROI來用所述第一傾斜光束照射所述ROI。
  41. 如請求項40所述的評估系統，其中所述第一傾斜光束在所述ROI上形成光斑。
  42. 如請求項40所述的評估系統，其中所述第一傾斜光束在所述ROI上形成線。
  43. 如請求項31所述的評估系統，其中所述評估系統是三角測量系統。
  44. 如請求項31所述的評估系統，其中所述處理器被配置為：通過在所述串擾後面是生成所述ROI的估計，來檢測所述串擾。
  45. 如請求項31所述的評估系統，其中所述處理器被配置為通過在所述串擾後面是生成所述ROI的三維估計，來檢測所述串擾。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020021105A (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
US11271865B1 (en) 2020-12-02 2022-03-08 Microsoft Technology Licensing, Llc Resource popularity assessment and utilization

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3406795B2 (ja) * 1997-03-05 2003-05-12 ペンタックス株式会社 光学部材検査装置
JP4207302B2 (ja) * 1999-04-06 2009-01-14 富士通株式会社 バンプ検査方法およびその検査装置
JP4810053B2 (ja) * 2000-08-10 2011-11-09 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 複数ビーム検査装置および方法
US7239399B2 (en) * 2001-11-13 2007-07-03 Cyberoptics Corporation Pick and place machine with component placement inspection
US7339661B2 (en) * 2002-09-30 2008-03-04 Doron Korngut Dark field inspection system
JP4529366B2 (ja) * 2003-03-26 2010-08-25 株式会社ニコン 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法
US7092082B1 (en) * 2003-11-26 2006-08-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Method and apparatus for inspecting a semiconductor wafer
US7557910B2 (en) * 2004-12-19 2009-07-07 Kla-Tencor Corporation System and method for controlling a beam source in a workpiece surface inspection system
JP4861281B2 (ja) * 2007-09-26 2012-01-25 株式会社神戸製鋼所 ヘテロダイン干渉測定方法，ヘテロダイン干渉装置，厚み測定装置，厚み測定方法
US8358829B2 (en) * 2008-11-26 2013-01-22 Camtek Ltd. System and a method for inspecting an object
DE102009005092A1 (de) * 2009-01-19 2010-09-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur optischen Navigation und dessen Verwendung
EP2457251A4 (en) * 2009-07-22 2017-11-08 KLA-Tencor Corporation Dark field inspection system with ring illumination
KR101704591B1 (ko) * 2012-02-21 2017-02-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치 및 방법
FR2994734B1 (fr) * 2012-08-21 2017-08-25 Fogale Nanotech Dispositif et procede pour faire des mesures dimensionnelles sur des objets multi-couches tels que des wafers.
US9053527B2 (en) * 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9891175B2 (en) * 2015-05-08 2018-02-13 Kla-Tencor Corporation System and method for oblique incidence scanning with 2D array of spots

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