TW201946395A - 通訊裝置中的傳輸與接收切換器及寬頻帶功率放大器匹配網路 - Google Patents

通訊裝置中的傳輸與接收切換器及寬頻帶功率放大器匹配網路 Download PDF

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Abstract

依據實施例,傳輸與接收切換器包含介於傳輸埠及天線埠之間的傳輸切換器、介於接收埠及天線埠之間的接收切換器、傳輸電感器,並聯耦接於傳輸切換器及傳輸埠、以及接收電感器,並聯耦接於傳輸切換器及傳輸埠。上述傳輸與接收切換器能夠與功率放大器輸出匹配電路協同設計。

Description

通訊裝置中的傳輸與接收切換器及寬頻帶功率放大器匹配網路
本發明涉及無線通訊裝置,尤指一種通訊裝置中的傳輸與接收切換器及寬頻功率放大器匹配網路。
第五代通訊工作在24GHz到43GHz的寬頻頻段,需要寬頻及有效率的無線傳輸器。傳統上,功率放大器及傳輸與接收切換器(transmit/receive T/R switch)以一個標準的50Ω介面分開,並分別設計。上述電路的分開會犧牲傳輸頻寬、輸出功率及效率。
功率放大器主動電晶體之前的設置元件,如功率放大器輸出匹配網路(PA output matching networks)及傳輸與接收切換器,大幅影響及主導了傳輸器的主要規格(例如,頻寬、輸出功率及效率)。所以,功率放大器輸出匹配網路及傳輸與接收切換器的協同設計可以提供獨特的優點及好處,用於提升傳輸器效能。
此外,如果傳輸及接收路徑擁有分開的匹配電感器,有利於讓傳輸與接收切換器的設計擁有更大的自由度,並且改善阻抗匹配。
有鑑於此,如何減輕或消除上述相關領域的缺失,實為有待解決的問題。
本說明書提供一種電子電路的實施例,用於無線通訊,其包含:傳送與接收切換器。傳送與接收切換器包含傳送切換器,介於傳輸埠及天線埠之間;接收切換器,介於接收埠級該天線埠之間;傳送電感器,並聯耦接於該傳送切換器及該傳輸埠;以及接收電感器,並聯耦接於該傳送切換器及該傳輸埠。
本說明書另提供一種射頻前端電路的實施例,包含如上所述的傳送與接收切換器。
本發明的其他優點將搭配以下的說明和圖式進行更詳細的解說。
多種實施例及發明的多個面向可參考如後描述的實施細節,而伴隨的圖示也用來描述多種實施例。如下所述的描述及圖示只用來說明發明,而不是用來限定發明。其中的許多特定細節僅用來讓讀者對本發明中多種實施例的全面性理解。然而,在這些案例中,並沒有針對習知或過去技術的細節做描述,為了提供本發明實施例的清楚討論。
說明書中所述的”一個實施例”或”一實施例”指包含於發明中的至少一個實施例的特定性能、結構或特徵的表述。出現於說明書中若干地方的”一個實施例”一詞,並不一定指著相同的實施例。
根據一些實施例,無線通訊的電子電路包含傳輸與接收(transmit/receive T/R)切換器。T/R切換器能夠包含傳輸切換器,介於傳輸埠及天線埠之間;接收切換器,介於接收埠及天線埠之間;傳輸電感器,並聯耦接於該傳輸切換器及該傳輸埠;以及接收電感器,並聯耦接於該傳輸切換器及該傳輸埠。
根據一些實施例,無線通訊的電子電路能夠是一種整合T/R切換器及功率放大器匹配網路的協同設計電路。匹配網路電路能夠包含第一電容,並聯耦接於匹配網路電路的輸入埠;寬頻帶晶片內建轉換器(broadband on-chip transformer),並聯耦接於第一電容;以及第二電容,串聯耦接於寬頻帶晶片內建轉換器及匹配網路電路的輸出埠之間,而匹配網路電路的輸出埠耦接於T/R切換器的傳輸埠。
根據一些實施例,匹配網路電路包含第一電容,並聯耦接於匹配網路電路的輸入埠;寬頻帶晶片內建轉換器(broadband on-chip transformer),並聯耦接於第一電容,其包含一次側繞線組(primary winding)及二次側繞線組(secondary winding),而二次側繞線組是一種局部繞線組(partial winding)。匹配網路電路包含第二電容,串聯耦接於寬頻帶晶片內建轉換器及匹配網路電路的輸出埠之間。
從一個方面來說,寬頻帶晶片內建轉換器中的一次側繞線組及二次側繞線組包含多個平面八角繞線組(planar octagonal windings)。於另一個實施例,一次側繞線組的平面八角繞線組沿著平面軸電磁地耦接於二次側繞線組的平面八角繞組。於另一個實施例,一次側繞線組及二次側繞線組被介質層隔開。一次側繞線組及二次側繞線組設置於不同的基底層做為積體電路的一部分。
於一個實施例,二次側繞線組的局部繞線組包含接近1.5札的繞線組。於一個實施例,一次側繞線組耦接於供應電源,用來提供偏壓給輸入埠的電路。於一個實施例,二次側繞線組包含至少兩個傳導層。
根據另一個方面,二級功率放大器包含第一放大級、第二放大級、第一匹配網路電路,耦接於第一放大級及第二放大級之間、以及第二匹配網路電路,耦接於第二放大級的輸出埠。第二匹配網路包含第一電容,並聯耦接於第二匹配網路的輸入埠;寬頻帶晶片內建轉換器,包含一次側繞線組及二次側繞線組,而二次側繞線組是一種局部繞線組。一次側繞線組及二次側繞線組可設置於不同的基底層做為積體電路的一部分。第二匹配網路包含第二電容,串聯耦接於寬頻帶晶片內建轉換器及第二匹配網路電路的輸出埠之間。
根據另一個方面,射頻前端積體電路裝置包含二級功率放大器,用於放大傳輸訊號。功率放大器包含第一放大級、第二放大級、第一匹配網路電路,耦接於第一放大級及第二放大級之間、以及第二匹配網路電路,耦接於第二放大級的輸出埠。第二匹配網路包含第一電容,並聯耦接於第二匹配網路的輸入埠;寬頻帶晶片內建轉換器,包含一次側繞線組及二次側繞線組,而二次側繞線組是一種局部繞線組。一次側繞線組及二次側繞線組可設置於不同的基底層做為積體電路的一部分。第二匹配網路包含第二電容,串聯耦接於寬頻帶晶片內建轉換器及第二匹配網路電路的輸出埠之間。
圖1為依據一個實施例的無線通訊裝置的範例方塊圖。參考圖1,無線通訊裝置100,可簡稱為無線裝置,至少包含射頻前端模組(RF frontend module)101及基頻處理器(baseband processor)102。無線裝置100可為任意類型的無線通訊裝置,舉例來說,諸如行動電話、膝上型電腦、平板電腦、網路設備裝置(如物聯網或物聯網設備裝置)等。
於無線電接收器電路中,射頻前端是一種介於天線到混頻器階段(mixer stage)之間的所有電路的泛稱,而射頻前端也包含混頻器階段。它包含接收器中用來處理原始接收到的無線電頻率但還沒有轉換到較低的中頻(Intermediate Frequency IF)的訊號的所有元件。於微波及衛星接收器中,稱為低雜訊阻斷器(low-noise block LNB)或低雜訊降頻轉換器(low-noise down-converter LND)的元件通常接在天線,使得從天線傳來的訊號能夠轉變為較容易處理的中頻訊號並傳導到接收器中的其他元件。基頻處理器是網路介面中的一種裝置(晶片或晶片中的一部份),管理所有無線電功能(所有需要天線的功能)。
於一個實施例中,射頻前端模組101包含一或多個射頻收發器(RF transceivers),每一者通過數個射頻天線中的一個來傳送及接收特定頻帶中的射頻訊號(如互不重疊頻率範圍的特定範圍)。射頻前端積體電路晶片更包含頻率合成器(frequency synthesizer),耦接於射頻收發器。頻率合成器產生並提供本地震盪器(local oscillator LO)訊號給每一個射頻收發器,用於致能射頻收發器來混頻、調變以及/或解調變相應頻帶中的射頻訊號。射頻收發器及頻率合成器可被整合在單一積體電路晶片中,做為單射頻前端積體電路晶片或組件(package)。
圖2為依據一個實施例的射頻前端積體電路的範例方塊圖。參考圖2,射頻前端101至少包含頻率合成器200,耦接於多頻帶射頻收發器211。收發器211被組態來通過射頻天線221傳送及接收一個或多個頻帶,或者寬廣範圍的射頻頻率中的射頻訊號。於一個實施例,收發器211被組態來從頻率合成器200接收一個或多個LO訊號。LO訊號的產生係根據一個或多個相應頻段。收發器利用LO訊號來進行混頻、調變、解調變,為了達到在相應頻帶中傳送及接收射頻訊號的目的。雖然圖中只顯示一個收發器及天線,但是本發明可以實作多對的收發器及天線,每一對相應於多個頻帶中的一個。
圖3為依據一個實施例的射頻前端積體電路的方塊圖。參考圖3,頻率合成器300可代表如上所述的頻率合成器200。於一個實施例,頻率合成器300通訊性地耦接於寬頻帶傳輸器301及寬頻帶接收器302,可為收發器(如收發器211)中的一部份。寬頻帶傳輸器301可為數個頻段的傳送射頻訊號。
於一個實施例,傳輸器301包含濾波器303、混頻器304及功率放大器305。濾波器303可由一個或多個低通(low-pass LP)濾波器組成,接收即將傳送到遠端的傳輸(transmitting TX)訊號,而TX訊號可由基頻處理器(如基頻處理器102)提供。混頻器301(可稱為上變頻混頻器up-convert mixers)組態來依據頻率合成器300提供的LO訊號混合及調變TX訊號至一個或多個載波頻率(carrier frequency)訊號。調變後的訊號接著被功率放大器305放大,而放大後的訊號接著經由天線310傳送到遠端的接收器。
射頻前端積體電路能夠包含接收器302。接收器302包含低雜訊放大器(low noise amplifier LNA)306、一個或多個混頻器307及一個或多個濾波器308。低雜訊放大器306經由天線310從遠端傳輸器接收射頻訊號,並放大接收到射頻訊號。放大的射頻訊號接著由混頻器307(可稱為下變頻混頻器down-convert mixers)依據頻率合成器300提供的LO訊號解調變。解調變後的訊號接著被濾波器308(可為低通濾波器)處理。於一個實施例,傳輸器301及接收器302經由T/R切換器309共用天線310。T/R切換器309組態來在特定時間點於傳輸器301及接收器302之間切換,用來將天線310耦接至傳輸器301或接收器302.雖然圖中只顯示一對傳輸器及接收器,但是本發明可以實作耦接至頻率合成器300的多對的傳輸器及接收器,每一對相應於多個頻帶中的一個。
圖4為依據一個實施例的功率放大器(power amplifier PA)積體電路的範例方塊圖。參考圖4,功率放大器400可以是圖3中的功率放大器305。功率放大器400能夠包含驅動級401、級間匹配網路(inter-stage matching network)402、輸出級403及輸出匹配網路404。級間匹配網路402及輸出匹配網路404能夠匹配被驅動級401及輸出級403觀察到的阻抗,用來為功率放大器400極大化功率傳遞。例如,級間匹配網路402能夠匹配輸入阻抗及輸出阻抗至可分別在驅動級401的輸出埠觀察到的阻抗,及在輸出級403的輸入埠觀察到的阻抗,用來極大化從功率放大器400的輸入埠到輸出級403的功率傳遞。輸出匹配網路404能夠匹配從輸出級403的輸出埠觀察到的阻抗,用來極大化從輸出級403到功率放大器400的輸出埠的功率傳遞。最後,輸出匹配網路404能夠為功率放大器400的單端輸出埠提供差分給單端轉換。
參考圖4。驅動級401及輸出級403為功率放大器400的放大級。於一個實施例,驅動級401及輸出級403為差動疊接放大級(differential cascode amplifier stages)。差動放大器(differential amplifier)就是一種將兩個輸入電壓間的差異值進行放大,但抑制這兩個輸入的任何共同電壓的放大器。差動放大器提供共模噪訊拒斥(common-mode noise rejection),例如從鄰近元件及電源傳來的噪訊。疊接放大器(cascode amplifier)是一種二級放大器,如塲效電晶體(field-effect transistor FET)或雙極性電晶體(bipolar junction transistor BJT),包含饋電至共閘極(或BJTs的共基極)級的共源極(或BJTs的共射極)級。比較單級放大器,疊接放大器具有較高的輸出輸入隔絕(也就是,當輸入及輸出埠間沒有直接耦接時,減少從輸出埠到輸入埠的反向傳輸的漏電)、較高的輸入阻抗、較高的輸出阻抗、較高的增益及較高的頻寬。在這裡,驅動級401及輸出級403包含放大器,用於合併差動拓樸(differential topology)及疊接拓樸(cascode topology),用來達到較大的輸出擺幅、超寬頻及高輸出功率。
傳輸/接收切換器
現在參考圖5,傳輸電感器LTX 903能夠並聯耦接於傳輸切換器901及傳輸埠905之間。相似地,接收電感器LRX 904能夠並聯耦接於接收切換器902及接收埠906之間。
傳輸切換器901及接收切換器902中的每一者都有同步運作的兩極(poles),當傳輸切換器的第一極為開/閉合(on/closed)而讓輸出級連接至天線時,接收切換器的第一極為關/打開(off/open)而讓低雜訊放大器(low noise amplifier LNA)不連接於天線。同時,傳輸切換器的第二極為關/打開,而接收切換器的第二極為開/閉合,使得低雜訊放大器的輸入接地。
於一個實施例,如圖9所示,傳輸切換器901及接收切換器902中的每個極包含一個或多個金氧半場效電晶體(metal-oxide semiconductor field-effect transistor mosfet),其包含控制輸入,用於交替地發出控制訊號Vctrl 1301及同步反轉控制訊號Vctrl 1302,用於控制如上所述的所有極。
有益地,LTX 及LRX 能夠改變大小到最佳化TX及RX路徑的阻抗匹配。不同於單一電感器,天線907接著分開的電感器LTX 及LRX ,提供更多的設計自由度,用於最佳化TX及RX路徑的頻寬及介入損失(insertion loss)。所以,需要注意的是,於一個實施例,天線907不連接任何電感器。
T/R切換器及功率放大器輸出匹配級的協同設計
因為電感器分開,有利於傳輸電路及接收電路能夠分別進行協同設計。例如,傳輸電感器LTX 能夠與功率放大器輸出匹配電路404協同設計,而接收電桿LRX 能夠與低雜訊放大器306協同設計。
此外,功率放大器輸出匹配電路能夠使用LC集總元件(lumped element)、轉換器、或以傳輸線為基礎的分布元件(transmission-line-based distributed components)。為了縮小晶片的面積,功率放大器輸出匹配電路404使用以轉換器為基礎的匹配網路,搭配兩個調諧電容(tuning capacitors),其只佔據單一電感器的大小。
圖6顯示寬頻輸出匹配電路的集總模型等同電路。功率放大器輸出匹配電路404包含晶片內建轉換器501、裝置寄生電容(device parasitic capacitor)Cdev 及兩個附加的MOM電容Cp 及Cs 。實體轉換器可模型化為理論轉換器並磁性電感器(magnetizing inductor)及漏電感器(leakage inductor),並且其分流到地的寄生電容(Cpar1 及Cpar2 )。於此,k為磁性耦合係數,n為札數比(turn ratio),Lp 為一次側自感(primary self-inductance)。Rp 及Rs 用來模化轉換器的損失。
為T/R切換器,Ron 911、914模化切換電晶體的導通阻值(on-resistance),Roff 912、913模化切換電晶體的不導通阻值(off-resistance)。
高階被動網路的形成用來致能瞬時高寬頻。所以,在共設計電路中,當維持低介入損失時,選擇每個電路元件的值來達到最佳的負載阻抗(load impedance)比上操作頻寬,負載阻抗可由功率放大器輸出級(Ropt )觀察到。
功率放大器輸出級的增益定義為gm•|Z|•Loss,其中gm為電晶體的跨導(transconductance),Z為出現在功率放大器輸出級負載阻抗,以及Loss為輸出匹配網路的被動損失。寬頻帶匹配的目的在達成跨工作頻率下相對固定的功率增益。由於gm與頻率間互相獨立,設計目標轉變為在寬頻帶下達成相對固定的|Z|及Loss。此外,功率放大器電晶體需要實部值(real-value)Z來達成最大輸出功率及效率(負載拉移條件load-pull condition),表示跨工作頻率下的Z的實部必須接近Ropt 1010,並Z的虛部必須接近0。
如果為50Ω天線阻抗設計的功率輸出匹配一開始不考慮從T/R切換器來的影響,當T/R切換器整合進系統時,其頻內Z變異及Loss變異會變得很大。例如,還沒加上T/R切換器時功率放大器輸出匹配網路自己的損失變異為0.4dB,一旦整合進T/R切換器,其會上升至1.8dB,如圖7中曲線圖c所示。
事實上,圖7中曲線圖a-c顯示由差動輸出級觀察到的模擬負載阻抗,及模擬被動損失。於此模擬中,為50Ω天線阻抗原始設計的功率放大器輸出匹配網路並不考慮T/R切換器。在加上T/R切換器後,頻內阻抗變異及損失變異變大。
所以,重要的是,從一開始就要考慮T/R切換器中的寄生電容(Coff),並且透過建立共設計電路將其納入被動網路合成,例如,透過建立共設計的T/R切換器及輸出匹配電路。將轉換參數(k、n及Lp)、兩個調諧電容(Cp及Cs)及T/R切換器的TX-路徑電感器LTX進行共設計,用來達到寬頻帶匹配。
現在參考圖8,由差動輸出級觀察到的模擬負載阻抗,以及由與T/R切換器共設計的功率放大器輸出匹配網路觀察到的模擬被動損失,顯示在曲線圖a-c。共設計輸出匹配電路及T/R切換器擁有的負載阻抗的實部接近50Ω,而其負載阻抗的實部接近0。頻內被動損失變異為0.8dB。
上述說明書中,本發明已經透過實施例的詳細範例進行描述。顯而易見的,在不違反之後請求項的寬廣精神及範圍下,實施例中的舉例可進行各種適應性的修改。據此,說明書及圖示只能視為解說的意涵,而不具有限制性的表示。
100‧‧‧無線裝置
101‧‧‧射頻前端模組
102‧‧‧基頻處理器
200‧‧‧頻率合成器
211‧‧‧多頻帶射頻收發器
221‧‧‧射頻天線
300‧‧‧頻率合成器
301‧‧‧寬頻帶傳輸器
302‧‧‧寬頻帶接收器
303‧‧‧濾波器
304‧‧‧混頻器
305‧‧‧功率放大器
306‧‧‧低雜訊放大器
307‧‧‧混頻器
308‧‧‧濾波器
309‧‧‧T/R切換器
310‧‧‧天線
400‧‧‧功率放大器
401‧‧‧驅動級
402‧‧‧級間匹配網路
403‧‧‧輸出級
404‧‧‧輸出匹配網路
501‧‧‧晶片內建轉換器
900‧‧‧傳輸與接收切換器
901‧‧‧傳輸切換器
902‧‧‧接收切換器
903‧‧‧傳輸電感器
904‧‧‧接收電感器
905‧‧‧傳輸埠
906‧‧‧接收埠
907‧‧‧天線
911、914‧‧‧電阻
912、913‧‧‧電容
1010‧‧‧輸出級
1301‧‧‧控制訊號
1302‧‧‧反轉控制訊號
圖1為依據一個實施例的無線通訊裝置的範例方塊圖。
圖2為依據一個實施例的射頻前端積體電路(RF frontend integrated circuit)的範例方塊圖。
圖3為依據一個實施例的射頻前端積體電路的方塊圖。
圖4為依據一個實施例的功率放大器積體電路的範例方塊圖。
圖5顯示依據一個實施例的功率放大器輸出匹配網路及傳輸與接收切換器。
圖6顯示依據一個實施例的功率放大器輸出匹配網路及傳輸與接收切換器。
圖7中的曲線圖a-c顯示輸出匹配電路自身及連接於傳輸與接收切換器的輸出匹配電路之間的比較。
圖8中的曲線圖a-c顯示協同設計之輸出匹配網路及傳輸與接收切換器的實部阻抗(real impedance)、虛部阻抗(imaginary impedance)及被動損失(passive loss)。
圖9顯示傳輸與接收切換器的實施例。

Claims (20)

  1. 一種電子電路,用於無線通訊,包含: 一傳送與接收切換器,包含: 一傳送切換器,介於一傳輸埠及一天線埠之間; 一接收切換器,介於一接收埠級該天線埠之間; 一傳送電感器,並聯耦接於該傳送切換器及該傳輸埠;以及 一接收電感器,並聯耦接於該傳送切換器及該傳輸埠。
  2. 如請求項1所述的電子電路,更包含: 一功率放大器輸出匹配網路,具有: 一第一電阻,並聯耦接於一匹配網路電路的一輸入埠; 一寬頻帶晶片內建轉換器,並聯耦接於該第一電容;以及 一第二電容,串連耦接於該寬頻帶晶片內建轉換器及該匹配網路電路的一輸出埠。
  3. 如請求項2所述的電子電路,其中該第一電容、該寬頻帶晶片內建轉換器、該匹配電路的該第二電容及該傳送與接收切換器的該接收電容的組合,使得 該電子電路的一實阻抗幾等於該功率放大器輸出匹配網路的該輸入埠上的一最佳電阻ROPT , 該電子電路的一虛阻抗幾等於0,以及 低介入損失。
  4. 如請求項2所述的電子電路,其中該傳送與接收切換器及該功率放大器輸出匹配網路為一共設計,該第一及第二電容、該傳輸電感器及轉換器參數,具有一寬頻帶阻抗匹配於 一天線的一匹配阻抗, 該傳輸切換器的一導通阻值,及 該傳輸切換器的一不導通阻值。
  5. 如請求項2所述的電子電路,其中該功率放大器輸出匹配網路及該傳送與接收切換器為積體電路。
  6. 如請求項1所述的電子電路,用於無線通訊,其中該傳輸電感器具有一電感,用來從該傳輸切換器諧振到一寄生電容,該接收電感器具有一電感,用來諧振到該接收切換器的一寄生電容。
  7. 如請求項1所述的電子電路,其中該傳輸切換器具有一“開“狀態,連接該傳輸埠至一天線,以及一“關”狀態,讓該傳輸埠不連接於該天線。
  8. 如請求項1所述的電子電路,其中該接收切換器具有一“開“狀態,連接該接收埠至一天線,以及一“關”狀態,讓該接收埠不連接於該天線。
  9. 如請求項1所述的電子電路,其中該傳送接收器及該接收切換器中的每一者包含一個或多個場效電晶體。
  10. 如請求項1所述的電子電路,其中該傳送接收器及該接收切換器中的每一者包含兩極,其中 於一“開”位置, 一第一極閉合,連接一對應埠至該天線埠, 一第二極打開,不連接一對應埠至一共通回授,以及 於一“關”位置, 該第一極打開,讓該對應埠不連接於該天線埠,及 該第二級閉合,連接該對應埠至該共通回授。
  11. 一種射頻前端電路,包含: 一傳送與接收切換器,包含: 一傳送切換器,介於一傳輸埠及一天線埠之間; 一接收切換器,介於一接收埠級該天線埠之間; 一傳送電感器,並聯耦接於該傳送切換器及該傳輸埠;以及 一接收電感器,並聯耦接於該傳送切換器及該傳輸埠。
  12. 如請求項11所述的射頻前端電路,更包含: 一功率放大器輸出匹配網路,具有: 一第一電阻,並聯耦接於一匹配網路電路的一輸入埠; 一寬頻帶晶片內建轉換器,並聯耦接於該第一電容;以及 一第二電容,串連耦接於該寬頻帶晶片內建轉換器及該匹配網路電路的一輸出埠, 其中該匹配網路電路的該輸出埠耦接於該傳送與接收切換器的該傳輸埠。
  13. 如請求項12所述的射頻前端電路,其中該第一電容、該寬頻帶晶片內建轉換器、該匹配電路的該第二電容及該傳送與接收切換器的該接收電容的組合,使得 該電子電路的一實阻抗幾等於該功率放大器輸出匹配網路的該輸入埠上的一最佳電阻ROPT , 該電子電路的一虛阻抗幾等於0,以及 低介入損失。
  14. 如請求項12所述的射頻前端電路,其中該傳送與接收切換器及該功率放大器輸出匹配網路為一共設計,該第一及第二電容、該傳輸電感器及轉換器參數,具有一寬頻帶阻抗匹配於 一天線的一匹配阻抗, 該傳輸切換器的一導通阻值,及 該傳輸切換器的一不導通阻值。
  15. 如請求項12所述的射頻前端電路,其中該功率放大器輸出匹配網路及該傳送與接收切換器為積體電路。
  16. 如請求項11所述的射頻前端電路,其中該傳輸電感器具有一電感,用來從該傳輸切換器諧振到一寄生電容,該接收電感器具有一電感,用來諧振到該接收切換器的一寄生電容。
  17. 如請求項11所述的射頻前端電路,其中該傳輸切換器具有一“開“狀態,連接該傳輸埠至一天線,以及一“關”狀態,讓該傳輸埠不連接於該天線。
  18. 如請求項11所述的射頻前端電路,其中該接收切換器具有一“開“狀態,連接該接收埠至一天線,以及一“關”狀態,讓該接收埠不連接於該天線。
  19. 如請求項11所述的射頻前端電路,其中該傳送接收器及該接收切換器中的每一者包含一個或多個場效電晶體。
  20. 如請求項12所述的射頻前端電路,其中該傳送接收器及該接收切換器中的每一者包含兩極,其中 於一“開”位置, 一第一極閉合,連接一對應埠至該天線埠, 一第二極打開,不連接一對應埠至一共通回授,以及 於一“關”位置, 該第一極打開,讓該對應埠不連接於該天線埠,及 該第二級閉合,連接該對應埠至該共通回授。
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