TW201945553A - 電子/電氣機器用銅合金﹑電子/電氣機器用銅合金板條材料、電子/電氣機器用構件、端子及匯流排 - Google Patents
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Abstract
此電子/電氣機器用銅合金以質量%包含Mg:0.15%以上且未滿0.35%及P:0.0005%以上且未滿0.01%,殘餘為由Cu及不可避免的雜質所構成,滿足[Mg]+20×[P]<0.5,不可避免的雜質當中,H量為10massppm以下,O量為100 massppm以下,S量為50massppm以下,C量為10massppm以下,相對於粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例NFJ3、與相對於粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例NFJ2係滿足0.20<(NFJ2/(1-NFJ3))0.5≦0.45。
Description
本發明係關於適合在連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件之電子/電氣機器用銅合金、由此電子/電氣機器用銅合金所構成之電子/電氣機器用銅合金板條材料、電子/電氣機器用構件、端子及匯流排。
本案係根據2018年3月30日於日本所申請之特願2018-069097號主張優先權,並將其內容援用於此。
本案係根據2018年3月30日於日本所申請之特願2018-069097號主張優先權,並將其內容援用於此。
以往,連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件中,係使用導電性高之銅或銅合金。
伴隨電子機器或電氣機器等之大電流化,為了電流密度的減低及因焦耳發熱導致之熱的擴散,企圖此等電子機器或電氣機器等所使用之電子/電氣機器用構件的大型化、厚肉化。因此,構成電子/電氣機器用構件之材料中,正尋求高導電率或沖壓加工時之沖孔加工性、良好之彎曲加工性。又,在汽車之引擎室等之高溫環境下使用之連接器的端子等,亦尋求耐應力緩和特性。
伴隨電子機器或電氣機器等之大電流化,為了電流密度的減低及因焦耳發熱導致之熱的擴散,企圖此等電子機器或電氣機器等所使用之電子/電氣機器用構件的大型化、厚肉化。因此,構成電子/電氣機器用構件之材料中,正尋求高導電率或沖壓加工時之沖孔加工性、良好之彎曲加工性。又,在汽車之引擎室等之高溫環境下使用之連接器的端子等,亦尋求耐應力緩和特性。
作為連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件所使用之材料,例如專利文獻1、2中提案有Cu-Mg系合金。
在專利文獻1所記載之Cu-Mg系合金,由於P的含量多至0.08~0.35mass%,故冷加工性及彎曲加工性並不足夠,成型指定形狀之電子/電氣機器用構件有困難。
又,在專利文獻2所記載之Cu-Mg系合金,Mg的含量成為0.01~0.5mass%及P的含量成為0.01~0.5mass%後,產生粗大之結晶質,冷加工性及彎曲加工性並不足夠。
進而,在上述之Cu-Mg系合金,藉由Mg上昇銅合金熔融金屬的黏性後,有不添加P時就會導致鑄造性降低的問題。
又,在專利文獻2所記載之Cu-Mg系合金,Mg的含量成為0.01~0.5mass%及P的含量成為0.01~0.5mass%後,產生粗大之結晶質,冷加工性及彎曲加工性並不足夠。
進而,在上述之Cu-Mg系合金,藉由Mg上昇銅合金熔融金屬的黏性後,有不添加P時就會導致鑄造性降低的問題。
又,如上述,伴隨近年來之電子機器或電氣機器等之大電流化,在構成電子/電氣機器用構件之材料,企圖厚肉化。然而,進行厚肉化時,提高沖孔時所產生之返回高度,有降低沖壓加工時之沖孔加工性的問題。
又,進行厚肉化時,由於有對彎曲加工時大之彎曲應力進行作用的傾向,尤其是進行複雜之彎曲加工時,尋求較以往更為優異之彎曲加工性。
又,進行厚肉化時,由於有對彎曲加工時大之彎曲應力進行作用的傾向,尤其是進行複雜之彎曲加工時,尋求較以往更為優異之彎曲加工性。
於此,於上述之專利文獻1、2,未考量O的含量或S的含量,產生由Mg氧化物或Mg硫化物等所構成之介在物,有加工時變成缺陷劣化冷加工性及彎曲加工性之虞。進而由於未考量H的含量,故於鑄塊內產生氣孔缺陷,有於加工時變成缺陷劣化冷加工性及彎曲加工性之虞。此外,由於未考量C的含量,藉由鑄造時產生捲入C之缺陷,有劣化冷加工性之虞。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-056297號公報
[專利文獻2]日本特開2014-114464號公報
[專利文獻2]日本特開2014-114464號公報
[發明欲解決之課題]
此發明係鑑於前述之事情而完成者,以提供一種導電性、強度、彎曲加工性、耐應力緩和特性、鑄造性及沖孔加工性優異之電子/電氣機器用銅合金、電子/電氣機器用銅合金板條材料及此電子/電氣機器用銅合金板條材料所構成之電子/電氣機器用構件、端子及匯流排作為目的。
[用以解決課題之手段]
[用以解決課題之手段]
為了解決此課題,本發明者們努力研究的結果,得到以下之卓見。藉由將合金中所含有之Mg及P的含量設定在指定之關係式的範圍內,進而規定不可避免的雜質即H、O、C、S的含量,可減低由包含Mg與P之結晶質及Mg氧化物或Mg硫化物等所構成之介在物的量。藉此,並非降低冷加工性及彎曲加工性,而是可提昇強度、耐應力緩和特性、鑄造性。
又,在上述之銅合金,將對於壓延之寬度方向成為直交之面作為觀察面,將母相藉由EBSD法解析。其結果,藉由規定構成粒界3重點之特殊粒界及隨機粒界的比率,得到可在沖壓加工時龜裂容易沿著粒界進展,沖壓加工時之沖孔加工性亦提昇的卓見。
又,在上述之銅合金,將對於壓延之寬度方向成為直交之面作為觀察面,將母相藉由EBSD法解析。其結果,藉由規定構成粒界3重點之特殊粒界及隨機粒界的比率,得到可在沖壓加工時龜裂容易沿著粒界進展,沖壓加工時之沖孔加工性亦提昇的卓見。
為了解決此課題,有關本發明之一態樣之電子/電氣機器用銅合金,其特徵為於0.15mass%以上且未滿0.35mass%的範圍內包含Mg,於0.0005mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內包含P,殘餘為由Cu及不可避免的雜質所構成,Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比係滿足[Mg]+20×[P]<0.5的關係,前述不可避免的雜質之H的含量為10massppm以下,O的含量為100massppm以下,S的含量為50massppm以下,C的含量成為10massppm以下,將相對於壓延之寬度方向成為直交的面作為觀察面,將母相藉由EBSD法以測定間隔0.25μm步長測定10000μm2
以上之測定面積,去除藉由數據解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點並進行解析,將相鄰之測定點間的方位差超過15°之測定點間定為結晶粒界,將Σ29以下之對應粒界定為特殊粒界,除此之外定為隨機粒界時,在從OIM解析之粒界3重點,將相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例定為NFJ3
,將相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例定為NFJ2
時,0.20<(NFJ2
/(1-NFJ3
))0.5
≦0.45成立。
尚,所謂EBSD法,係意指藉由附後方散射電子繞射像系統之掃描型電子顯微鏡的電子束反射繞射法(Electron Backscatter Diffraction Patterns:EBSD),又,OIM係使用藉由EBSD之測定數據,用以解析結晶方位之數據解析軟體(Orientation Imaging Microscopy:OIM)。進而,所謂CI值,係信賴性指數(Confidence Index),使用EBSD裝置之解析軟體OIM Analysis(Ver.7.2)解析時,作為表示結晶方位決定之信賴性的數值表示之數值(例如,「EBSD讀本:通過使用OIM(改定第3版)」鈴木清一著、2009年9月、TSL Solutions股份有限公司發行)。
於此,藉由EBSD法測定,藉由OIM解析之測定點的組織為加工組織時,由於結晶圖型並未明確,結晶方位決定之信賴性變低,降低CI值。尤其是CI值為0.1以下時,判斷該測定點的組織為加工組織。
於此,藉由EBSD法測定,藉由OIM解析之測定點的組織為加工組織時,由於結晶圖型並未明確,結晶方位決定之信賴性變低,降低CI值。尤其是CI值為0.1以下時,判斷該測定點的組織為加工組織。
又,所謂特殊粒界,其係作為以根據結晶學上CSL理論(Kronberg et al:Trans. Met. Soc. AIME, 185, 501(1949))所定義之Σ值屬於3≦Σ≦29之對應粒界,且在該對應粒界之固有對應部位格子方位缺陷Dq滿足Dq≦15°/Σ1/2(D.G.Brandon:Acta. Metallurgica. Vol.14, p.1479, (1966))之結晶粒界來定義。
另一方面,所謂隨機粒界,其係Σ值為29以下之對應方位關係,且滿足Dq≦15°/Σ1/2之特殊粒界以外的粒界。亦即,特殊粒界其係Σ值為29以下之對應方位關係,且滿足Dq≦15°/Σ1/2,此特殊粒界以外之粒界為隨機粒界。
另一方面,所謂隨機粒界,其係Σ值為29以下之對應方位關係,且滿足Dq≦15°/Σ1/2之特殊粒界以外的粒界。亦即,特殊粒界其係Σ值為29以下之對應方位關係,且滿足Dq≦15°/Σ1/2,此特殊粒界以外之粒界為隨機粒界。
尚,作為粒界3重點,係存在有3個粒界全部為隨機粒界之J0、1個粒界為特殊粒界,並且2個粒界為隨機粒界之J1、2個粒界為特殊粒界,並且1個為隨機粒界之J2、3個粒界全部為特殊粒界之J3的4種類。
因此,相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界即J3之全粒界3重點的比例NFJ3 (相對於全部粒界3重點之個數之J3的個數之比),以NFJ3 =J3/(J0+J1+J2+J3)定義。
又,相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例NFJ2 (相對於全部粒界3重點之個數之J2的個數之比),以NFJ2 =J2/(J0+J1+ J2+J3)定義。
因此,相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界即J3之全粒界3重點的比例NFJ3 (相對於全部粒界3重點之個數之J3的個數之比),以NFJ3 =J3/(J0+J1+J2+J3)定義。
又,相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例NFJ2 (相對於全部粒界3重點之個數之J2的個數之比),以NFJ2 =J2/(J0+J1+ J2+J3)定義。
根據上述構成之電子/電氣機器用銅合金,由於Mg的含量成為0.15mass%以上且未滿0.35mass%的範圍內,藉由於銅之母相中固溶Mg,不會大幅降低導電率,變成可提昇強度、耐應力緩和特性。
又,由於以0.0005mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內包含P,可降低包含Mg之銅合金熔融金屬的黏度,可提昇鑄造性。
而且,由於Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比滿足[Mg]+20×[P]<0.5的關係,可抑制包含Mg與P之粗大結晶質的生成,可抑制冷加工性及彎曲加工性降低。
又,由於以0.0005mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內包含P,可降低包含Mg之銅合金熔融金屬的黏度,可提昇鑄造性。
而且,由於Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比滿足[Mg]+20×[P]<0.5的關係,可抑制包含Mg與P之粗大結晶質的生成,可抑制冷加工性及彎曲加工性降低。
又,將相對於壓延之寬度方向成為直交的面作為觀察面,將母相藉由EBSD法以測定間隔0.25μm步長測定10000μm2
以上之測定面積,去除藉由數據解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點並進行解析,將相鄰之測定點間的方位差超過15°之測定點間定為結晶粒界,將Σ29以下之對應粒界定為特殊粒界,除此之外定為隨機粒界時,在從OIM解析之粒界3重點,將相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例定為NFJ3
,將相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例定為NFJ2
時,滿足0.20<(NFJ2
/(1-NFJ3
))0.5
≦0.45。因此,沿著粒界龜裂容易進展,變成可提昇沖壓加工時之沖孔加工性。
而且,由於O的含量成為100massppm以下、S的含量成為50massppm以下,可減低由Mg氧化物或Mg硫化物等所構成之介在物,可抑制在加工時之缺陷的產生。又,藉由與O及S進行反應,可防止消費Mg,可抑制機械性特性的劣化。
又,由於H的含量成為10massppm以下,可抑制於鑄塊內產生氣孔缺陷,可抑制在加工時之缺陷的產生。
進而,由於C的含量成為10massppm以下,可確保冷加工性,可抑制在加工時之缺陷的產生。
又,由於H的含量成為10massppm以下,可抑制於鑄塊內產生氣孔缺陷,可抑制在加工時之缺陷的產生。
進而,由於C的含量成為10massppm以下,可確保冷加工性,可抑制在加工時之缺陷的產生。
於此,在有關本發明之一態樣之電子/電氣機器用銅合金,較佳為導電率超過75% IACS。
此情況下,由於導電率充分高,變成亦可適用在以往已使用純銅之用途。
此情況下,由於導電率充分高,變成亦可適用在以往已使用純銅之用途。
又,在有關本發明之一態樣之電子/電氣機器用銅合金,較佳為Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比滿足[Mg]/[P]≦400的關係。
此情況下,藉由將降低鑄造性之Mg的含量與提升鑄造性之P的含量之比率如上述般規定,可確實提升鑄造性。
此情況下,藉由將降低鑄造性之Mg的含量與提升鑄造性之P的含量之比率如上述般規定,可確實提升鑄造性。
進而,在有關本發明之一態樣之電子/電氣機器用銅合金,較佳為相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力為200MPa以上。
此情況下,由於相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力成為200MPa以上,無法輕易變形。因此,特別適合作為大電流・高電壓用之連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件的銅合金。
此情況下,由於相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力成為200MPa以上,無法輕易變形。因此,特別適合作為大電流・高電壓用之連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件的銅合金。
又,在有關本發明之一態樣之電子/電氣機器用銅合金,較佳為殘留應力率於150℃、1000小時為75%以上。
此情況下,由於殘留應力率如上述般規定,即使於高溫環境下使用的情況下,亦可抑制永久變形縮小,例如可抑制連接器端子等之接壓的降低。因此,變成可適用作為於引擎室等之高溫環境下使用之電子機器用構件的素材。
此情況下,由於殘留應力率如上述般規定,即使於高溫環境下使用的情況下,亦可抑制永久變形縮小,例如可抑制連接器端子等之接壓的降低。因此,變成可適用作為於引擎室等之高溫環境下使用之電子機器用構件的素材。
有關本發明之一態樣之電子/電氣機器用銅合金板條材料,其特徵為由上述之電子/電氣機器用銅合金所構成、厚度超過0.5mm而成。
根據此構成之電子/電氣機器用銅合金板條材料,由於以上述之電子/電氣機器用銅合金構成,導電性、強度、彎曲加工性、耐應力緩和特性、沖孔加工性已優異,特別適合作為厚肉化之連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件的素材。
根據此構成之電子/電氣機器用銅合金板條材料,由於以上述之電子/電氣機器用銅合金構成,導電性、強度、彎曲加工性、耐應力緩和特性、沖孔加工性已優異,特別適合作為厚肉化之連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件的素材。
於此,在有關本發明之一態樣之電子/電氣機器用銅合金板條材料,較佳為於表面具有鍍錫層或鍍銀層。
此情況下,由於於表面具有鍍錫層或鍍銀層,故特別適合作為連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件的素材。尚,在本發明之一態樣,「鍍錫」係包含鍍純錫或鍍錫合金,「鍍銀」係包含純鍍銀或Ag合金鍍敷。
此情況下,由於於表面具有鍍錫層或鍍銀層,故特別適合作為連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件的素材。尚,在本發明之一態樣,「鍍錫」係包含鍍純錫或鍍錫合金,「鍍銀」係包含純鍍銀或Ag合金鍍敷。
有關本發明之一態樣之電子/電氣機器用構件,其特徵為由上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料所構成。尚,所謂在本發明之一態樣之電子/電氣機器用構件,係包含連接器或壓合體等之端子、匯流排等。
此構成之電子/電氣機器用構件,由於使用上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料製造,故即使對應大電流用途成為大型化及厚肉化的情況下,亦可發揮優異之特性。
此構成之電子/電氣機器用構件,由於使用上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料製造,故即使對應大電流用途成為大型化及厚肉化的情況下,亦可發揮優異之特性。
有關本發明之一態樣之端子,其特徵為由上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料所構成。
此構成之端子由於使用上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料製造,故即使對應大電流用途成為大型化及厚肉化的情況下,亦可發揮優異之特性。
此構成之端子由於使用上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料製造,故即使對應大電流用途成為大型化及厚肉化的情況下,亦可發揮優異之特性。
有關本發明之一態樣之匯流排,其特徵為由上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料所構成。
此構成之匯流排由於使用上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料製造,故即使對應大電流用途成為大型化及厚肉化的情況下,亦可發揮優異之特性。
[發明效果]
此構成之匯流排由於使用上述之電子/電氣機器用銅合金板條材料製造,故即使對應大電流用途成為大型化及厚肉化的情況下,亦可發揮優異之特性。
[發明效果]
根據本發明之一態樣,可提供一種導電性、強度、彎曲加工性、耐應力緩和特性、鑄造性及沖孔加工性優異之電子/電氣機器用銅合金、電子/電氣機器用銅合金板條材料及此電子/電氣機器用銅合金板條材料所構成之電子/電氣機器用構件、端子及匯流排。
於以下,針對本發明之一實施形態之電子/電氣機器用銅合金進行說明。
本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,係具有以0.15mass%以上且未滿0.35mass%的範圍內包含Mg,以0.0005mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內包含P,殘餘為由Cu及不可避免的雜質所構成之組成。
本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,係具有以0.15mass%以上且未滿0.35mass%的範圍內包含Mg,以0.0005mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內包含P,殘餘為由Cu及不可避免的雜質所構成之組成。
而且,Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比係具有
[Mg]+20×[P]<0.5
的關係。
[Mg]+20×[P]<0.5
的關係。
又,在本發明之一實施形態之電子/電氣機器用銅合金,前述不可避免的雜質之H的含量成為10massppm以下,O的含量成為100massppm以下,S的含量成為50massppm以下,C的含量成為10massppm以下。
進而,在本發明之一實施形態即電子/電氣機器用銅合金,成為0.20<(NFJ2
/(1-NFJ3
))0.5
≦0.45成立者。
將相對於壓延之寬度方向成為直交的面作為觀察面,將母相藉由EBSD法以測定間隔0.25μm步長測定10000μm2 以上之測定面積。接著,去除藉由數據解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點並進行解析,將相鄰之測定點間的方位差超過15°之測定點間定為結晶粒界。將Σ29以下之對應粒界定為特殊粒界,除此之外定為隨機粒界。在從OIM解析之粒界3重點,將相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例定為NFJ3 ,將相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例定為NFJ2 。此等NFJ3 與NFJ2 中,成為
0.20<(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 ≦0.45成立者。
將相對於壓延之寬度方向成為直交的面作為觀察面,將母相藉由EBSD法以測定間隔0.25μm步長測定10000μm2 以上之測定面積。接著,去除藉由數據解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點並進行解析,將相鄰之測定點間的方位差超過15°之測定點間定為結晶粒界。將Σ29以下之對應粒界定為特殊粒界,除此之外定為隨機粒界。在從OIM解析之粒界3重點,將相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例定為NFJ3 ,將相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例定為NFJ2 。此等NFJ3 與NFJ2 中,成為
0.20<(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 ≦0.45成立者。
尚,於本實施形態,較佳為Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比具有
[Mg]/[P]≦400
的關係。
[Mg]/[P]≦400
的關係。
又,在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,較佳為導電率超過75% IACS。
進而,在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,較佳為相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力為200MPa以上。亦即,於本實施形態,已成為電子/電氣機器用銅合金之壓延材,對於在壓延的最終步驟之壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力如上述般規定。
又,在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,較佳為殘留應力率於150℃、1000小時成為75%以上。
進而,在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,較佳為相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力為200MPa以上。亦即,於本實施形態,已成為電子/電氣機器用銅合金之壓延材,對於在壓延的最終步驟之壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力如上述般規定。
又,在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,較佳為殘留應力率於150℃、1000小時成為75%以上。
於此,如上述針對規定成分組成、結晶組織、各種特性之理由於以下進行說明。
(Mg:0.15mass%以上且未滿0.35mass%)
Mg係藉由固溶在銅合金之母相中,直接保持高導電率,具有提升強度及耐應力緩和特性之作用的元素。
於此,Mg的含量未滿0.15mass%時,恐有無法充分發揮其作用效果之虞。另一方面,Mg的含量為0.35mass%以上時,大幅降低導電率,並且上昇銅合金熔融金屬之黏性,有降低鑄造性之虞。
由以上,於本實施形態,將Mg的含量設定在0.15mass%以上且未滿0.35mass%的範圍內。
尚,為了進一步提昇強度及耐應力緩和特性,較佳為將Mg的含量的下限定為0.16mass%以上,更佳為定為0.17mass%以上,再更佳為定為0.18mass%以上。又,為了確實抑制導電率的降低及鑄造性的降低,較佳為將Mg的含量的上限定為0.32mass%以下,更佳為定為0.30mass%以下,再更佳為定為0.28mass%以下。
Mg係藉由固溶在銅合金之母相中,直接保持高導電率,具有提升強度及耐應力緩和特性之作用的元素。
於此,Mg的含量未滿0.15mass%時,恐有無法充分發揮其作用效果之虞。另一方面,Mg的含量為0.35mass%以上時,大幅降低導電率,並且上昇銅合金熔融金屬之黏性,有降低鑄造性之虞。
由以上,於本實施形態,將Mg的含量設定在0.15mass%以上且未滿0.35mass%的範圍內。
尚,為了進一步提昇強度及耐應力緩和特性,較佳為將Mg的含量的下限定為0.16mass%以上,更佳為定為0.17mass%以上,再更佳為定為0.18mass%以上。又,為了確實抑制導電率的降低及鑄造性的降低,較佳為將Mg的含量的上限定為0.32mass%以下,更佳為定為0.30mass%以下,再更佳為定為0.28mass%以下。
(P:0.0005mass%以上且未滿0.01mass%)
P係具有提昇鑄造性之作用效果的元素。
於此,P的含量未滿0.0005mass%時,恐有無法充分發揮其作用效果之虞。另一方面,P的含量為0.01mass%以上時,由於生成含有Mg與P之粗大的結晶質,此結晶質成為破壞的起點,有於冷加工時或彎曲加工時產生破裂之虞。
由以上,在本實施形態,將P的含量設定在0.0005 mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內。尚,為了確實提昇鑄造性,較佳為將P的含量的下限定為0.001mass%以上,更佳為定為0.002mass%以上。又,為了確實抑制粗大之結晶質的生成,較佳為將P的含量的上限定為未滿0.009 mass%,更佳為定為未滿0.008mass%,再更佳為定為0.0075mass%以下。
P係具有提昇鑄造性之作用效果的元素。
於此,P的含量未滿0.0005mass%時,恐有無法充分發揮其作用效果之虞。另一方面,P的含量為0.01mass%以上時,由於生成含有Mg與P之粗大的結晶質,此結晶質成為破壞的起點,有於冷加工時或彎曲加工時產生破裂之虞。
由以上,在本實施形態,將P的含量設定在0.0005 mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內。尚,為了確實提昇鑄造性,較佳為將P的含量的下限定為0.001mass%以上,更佳為定為0.002mass%以上。又,為了確實抑制粗大之結晶質的生成,較佳為將P的含量的上限定為未滿0.009 mass%,更佳為定為未滿0.008mass%,再更佳為定為0.0075mass%以下。
([Mg]+20×[P]<0.5)
如上述,藉由Mg與P共存,變成生成包含Mg與P之結晶質。
於此,以質量比將Mg的含量定為[Mg],將P的含量定為[P]時,[Mg]+20×[P]之值成為0.5以上時,Mg及P的總量增多,包含Mg與P之結晶質粗大化,並且成為高密度分布,有於冷加工時或彎曲加工時容易產生破裂之虞。
由以上,在本實施形態,將[Mg]+20×[P]之值設定在未滿0.5。尚,確實抑制結晶質的粗大化及高密度化,為了抑制在冷加工時或彎曲加工時之破裂的產生,較佳為將[Mg]+20×[P]之值定為未滿0.48,更佳為定為未滿0.46。
如上述,藉由Mg與P共存,變成生成包含Mg與P之結晶質。
於此,以質量比將Mg的含量定為[Mg],將P的含量定為[P]時,[Mg]+20×[P]之值成為0.5以上時,Mg及P的總量增多,包含Mg與P之結晶質粗大化,並且成為高密度分布,有於冷加工時或彎曲加工時容易產生破裂之虞。
由以上,在本實施形態,將[Mg]+20×[P]之值設定在未滿0.5。尚,確實抑制結晶質的粗大化及高密度化,為了抑制在冷加工時或彎曲加工時之破裂的產生,較佳為將[Mg]+20×[P]之值定為未滿0.48,更佳為定為未滿0.46。
([Mg]/[P]≦400)
Mg由於為提昇銅合金熔融金屬的黏度,具有降低鑄造性之作用的元素,故在本實施形態,為了進一步確實提昇鑄造性,較佳為適正化Mg與P的含量之比率。
於此,以質量比將Mg的含量定為[Mg],將P的含量定為[P]時,藉由將[Mg]/[P]之值定為400以下,適正化Mg與P的含量之比率,變成可確實發揮因P之添加導致之鑄造性提昇效果。
由以上,在本實施形態,進一步確實提昇鑄造性時,較佳為將[Mg]/[P]之值設定在400以下。為了更加提昇鑄造性,更佳為將[Mg]/[P]之值定為350以下,再更佳為定為300以下。
尚,[Mg]/[P]之值過剩低時,Mg作為結晶質被消費,有得不到藉由Mg之固溶的效果之虞。為了抑制含有Mg與P之結晶質的生成,確實實現藉由Mg之固溶的耐力、耐應力緩和特性的提昇,較佳為將[Mg]/[P]之值的下限定為超過20,更佳為超過25。
Mg由於為提昇銅合金熔融金屬的黏度,具有降低鑄造性之作用的元素,故在本實施形態,為了進一步確實提昇鑄造性,較佳為適正化Mg與P的含量之比率。
於此,以質量比將Mg的含量定為[Mg],將P的含量定為[P]時,藉由將[Mg]/[P]之值定為400以下,適正化Mg與P的含量之比率,變成可確實發揮因P之添加導致之鑄造性提昇效果。
由以上,在本實施形態,進一步確實提昇鑄造性時,較佳為將[Mg]/[P]之值設定在400以下。為了更加提昇鑄造性,更佳為將[Mg]/[P]之值定為350以下,再更佳為定為300以下。
尚,[Mg]/[P]之值過剩低時,Mg作為結晶質被消費,有得不到藉由Mg之固溶的效果之虞。為了抑制含有Mg與P之結晶質的生成,確實實現藉由Mg之固溶的耐力、耐應力緩和特性的提昇,較佳為將[Mg]/[P]之值的下限定為超過20,更佳為超過25。
(不可避免的雜質)
作為其他不可避免的雜質,可列舉Ag、B、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、稀土類元素、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Se、Te、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Au、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Ge、Sn、As、Sb、Tl、Pb、Bi、Be、N、C、Si、Li、H、O、S等。此等之不可避免的雜質由於有降低導電率之作用,故較佳為減低不可避雜質的量。
又,Ag、Zn、Sn由於容易混入銅中使導電率降低,故較佳為將Ag、Zn及Sn的總量定為未滿500massppm。
進而,Si、Cr、Ti、Zr、Fe、Co由於尤其是大幅降低導電率,並且藉由介在物的形成使彎曲加工性劣化,故較佳為將此等之元素(Si、Cr、Ti、Zr、Fe及Co)的總量定為未滿500massppm。
作為其他不可避免的雜質,可列舉Ag、B、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、稀土類元素、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Se、Te、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Au、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Ge、Sn、As、Sb、Tl、Pb、Bi、Be、N、C、Si、Li、H、O、S等。此等之不可避免的雜質由於有降低導電率之作用,故較佳為減低不可避雜質的量。
又,Ag、Zn、Sn由於容易混入銅中使導電率降低,故較佳為將Ag、Zn及Sn的總量定為未滿500massppm。
進而,Si、Cr、Ti、Zr、Fe、Co由於尤其是大幅降低導電率,並且藉由介在物的形成使彎曲加工性劣化,故較佳為將此等之元素(Si、Cr、Ti、Zr、Fe及Co)的總量定為未滿500massppm。
(H:10massppm以下)
H係於鑄造時與O鍵結成為水蒸氣,於鑄塊中產生氣孔缺陷之元素。此氣孔缺陷於鑄造時成為破裂的原因,於壓延時成為起泡及剝離等之缺陷的原因。此等之破裂、起泡及剝離等之缺陷由於進行應力集中成為破壞的起點,故已知使強度、耐應力腐蝕破裂特性劣化。於此,H的含量超過10massppm時,變成容易產生上述之氣孔缺陷。
因此,於本實施形態,將H的含量規定為10massppm以下。尚,為了進一步抑制氣孔缺陷的產生,較佳為將H的含量定為4massppm以下,更佳為3massppm以下,再更佳為2massppm以下。
H係於鑄造時與O鍵結成為水蒸氣,於鑄塊中產生氣孔缺陷之元素。此氣孔缺陷於鑄造時成為破裂的原因,於壓延時成為起泡及剝離等之缺陷的原因。此等之破裂、起泡及剝離等之缺陷由於進行應力集中成為破壞的起點,故已知使強度、耐應力腐蝕破裂特性劣化。於此,H的含量超過10massppm時,變成容易產生上述之氣孔缺陷。
因此,於本實施形態,將H的含量規定為10massppm以下。尚,為了進一步抑制氣孔缺陷的產生,較佳為將H的含量定為4massppm以下,更佳為3massppm以下,再更佳為2massppm以下。
(O:100massppm以下)
O係與銅合金中之各成分元素反應而形成氧化物之元素。此等之氧化物由於成為破壞的起點,故冷加工性降低,進而下彎曲加工性亦惡化。又,O超過100massppm時,藉由與Mg反應,消費Mg,減低對Cu之母相中之Mg的固溶量,有劣化機械性特性之虞。
因此,於本實施形態,將O的含量規定為100massppm以下。尚,O的含量於上述之範圍內,尤其是以50 massppm以下較佳,更佳為20massppm以下。
O係與銅合金中之各成分元素反應而形成氧化物之元素。此等之氧化物由於成為破壞的起點,故冷加工性降低,進而下彎曲加工性亦惡化。又,O超過100massppm時,藉由與Mg反應,消費Mg,減低對Cu之母相中之Mg的固溶量,有劣化機械性特性之虞。
因此,於本實施形態,將O的含量規定為100massppm以下。尚,O的含量於上述之範圍內,尤其是以50 massppm以下較佳,更佳為20massppm以下。
(S:50massppm以下)
S係以金屬間化合物或複合硫化物等之形態存在於結晶粒界之元素。存在於此等之粒界之金屬間化合物或複合硫化物,於熱加工時引起粒界破裂,成為加工破裂之原因。又,此等由於成為破壞之起點,故冷加工性或彎曲加工性劣化。進而,藉由與Mg反應,消費Mg,減低對Cu之母相中之Mg的固溶量,有劣化機械性特性之虞。
因此,於本實施形態,將S的含量規定為50massppm以下。尚,S的含量於上述之範圍內,尤其是以40 massppm以下較佳,更佳為30massppm以下。
S係以金屬間化合物或複合硫化物等之形態存在於結晶粒界之元素。存在於此等之粒界之金屬間化合物或複合硫化物,於熱加工時引起粒界破裂,成為加工破裂之原因。又,此等由於成為破壞之起點,故冷加工性或彎曲加工性劣化。進而,藉由與Mg反應,消費Mg,減低對Cu之母相中之Mg的固溶量,有劣化機械性特性之虞。
因此,於本實施形態,將S的含量規定為50massppm以下。尚,S的含量於上述之範圍內,尤其是以40 massppm以下較佳,更佳為30massppm以下。
(C:10massppm以下)
C係將熔融金屬之脫酸作用作為目的,在溶解、鑄造已被覆熔融金屬表面的方式使用者,有不可避免的混入之虞的元素。C的含量超過10massppm時,鑄造時之C的捲入增多。此等之C或複合碳化物、C之固溶體的偏析使冷加工性劣化。
因此,於本實施形態,將C的含量規定為10massppm以下。尚,C的含量於上述之範圍內,較佳為5massppm以下,更佳為1massppm以下。
C係將熔融金屬之脫酸作用作為目的,在溶解、鑄造已被覆熔融金屬表面的方式使用者,有不可避免的混入之虞的元素。C的含量超過10massppm時,鑄造時之C的捲入增多。此等之C或複合碳化物、C之固溶體的偏析使冷加工性劣化。
因此,於本實施形態,將C的含量規定為10massppm以下。尚,C的含量於上述之範圍內,較佳為5massppm以下,更佳為1massppm以下。
(粒界3重點之比例)
在沖壓加工時之沖孔加工性變成破斷時之返回高度越小越優異。於此,進行沖壓加工之材料的厚度越增加,相對地有提高返回高度的傾向。
為了減低沖壓加工時之返回高度,只要於沖壓加工時破斷沿著粒界迅速發生即可。隨機粒界之網絡增長時,易產生沿著粒界之破斷。為了增長隨機粒界之網絡長,調控構成粒界3重點之3個粒界當中全部為Σ29以下所表示之特殊粒界即J3的比例,或是3個粒界當中2個為特殊粒界即J2的比例為重要。
在沖壓加工時之沖孔加工性變成破斷時之返回高度越小越優異。於此,進行沖壓加工之材料的厚度越增加,相對地有提高返回高度的傾向。
為了減低沖壓加工時之返回高度,只要於沖壓加工時破斷沿著粒界迅速發生即可。隨機粒界之網絡增長時,易產生沿著粒界之破斷。為了增長隨機粒界之網絡長,調控構成粒界3重點之3個粒界當中全部為Σ29以下所表示之特殊粒界即J3的比例,或是3個粒界當中2個為特殊粒界即J2的比例為重要。
因此,在本實施形態,定為滿足0.20<(NFJ2
/ (1-NFJ3
))0.5
≦0.45者。
將相對於壓延的寬度方向成為直交的面作為觀察面,將母相藉由EBSD法以測定間隔0.25μm步長測定10000μm2 以上之測定面積。接著,去除藉由數據解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點進行解析,將相鄰之測定點間的方位差超過15°之測定點間作為結晶粒界。將Σ29以下之對應粒界定為特殊粒界,將除此之外定為隨機粒界。在從OIM解析之粒界3重點,將相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例定為NFJ3 ,將相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例定為NFJ2 。此等NFJ3 與NFJ2 成為滿足
0.20<(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 ≦0.45者。
將相對於壓延的寬度方向成為直交的面作為觀察面,將母相藉由EBSD法以測定間隔0.25μm步長測定10000μm2 以上之測定面積。接著,去除藉由數據解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點進行解析,將相鄰之測定點間的方位差超過15°之測定點間作為結晶粒界。將Σ29以下之對應粒界定為特殊粒界,將除此之外定為隨機粒界。在從OIM解析之粒界3重點,將相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例定為NFJ3 ,將相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例定為NFJ2 。此等NFJ3 與NFJ2 成為滿足
0.20<(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 ≦0.45者。
於此,(NFJ2
/(1-NFJ3
))0.5
之值超過0.45時,隨機粒界之網絡長相對性縮短,特殊粒界之網絡長增長。因此,沖壓加工時之返回高度提高。另一方面,(NFJ2
/(1-NFJ3
))0.5
之值為0.20以下時,由於實質性成為加工組織,故彎曲加工性降低。因此,在本實施形態,將(NFJ2
/(1-NFJ3
))0.5
之值定為超過0.20且為0.45以下的範圍內。
尚,(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 之值的下限較佳為0.21以上,更佳為0.22以上,再更佳為0.23以上。另一方面,(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 之值的上限較佳為0.40以下,更佳為0.35以下。
尚,(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 之值的下限較佳為0.21以上,更佳為0.22以上,再更佳為0.23以上。另一方面,(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 之值的上限較佳為0.40以下,更佳為0.35以下。
(導電率:超過75% IACS)
在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,藉由將導電率設定在超過75% IACS,可良好地作為連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件使用。
尚,導電率較佳為超過76% IACS,更佳為超過77% IACS,再更佳為超過78% IACS。
在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,藉由將導電率設定在超過75% IACS,可良好地作為連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件使用。
尚,導電率較佳為超過76% IACS,更佳為超過77% IACS,再更佳為超過78% IACS。
(0.2%耐力:200MPa以上)
在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,藉由將0.2%耐力定為200MPa以上,無法輕易變形。因此,成為特別適合作為大電流・高電壓用之連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件的素材。尚,於本實施形態,相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力定為200MPa以上。
於此,上述之0.2%耐力較佳為225MPa以上,更佳為250MPa以上。
又,以超過3mm的厚度成為條形狀,即使進行線圈纏繞亦無法捲繞,為了達成高生產性,0.2%耐力的上限較佳為450MPa以下,更佳為400MPa以下,再更佳為375MPa以下。
在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,藉由將0.2%耐力定為200MPa以上,無法輕易變形。因此,成為特別適合作為大電流・高電壓用之連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件的素材。尚,於本實施形態,相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力定為200MPa以上。
於此,上述之0.2%耐力較佳為225MPa以上,更佳為250MPa以上。
又,以超過3mm的厚度成為條形狀,即使進行線圈纏繞亦無法捲繞,為了達成高生產性,0.2%耐力的上限較佳為450MPa以下,更佳為400MPa以下,再更佳為375MPa以下。
(殘留應力率:75%以上)
在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,如上述,殘留應力率以150℃、1000小時定為75%以上。
在此條件之殘留應力率高時,即使於高溫環境下使用的情況下,亦可將永久變形抑制在小,可抑制接壓的降低。因此,本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,變成可適用作為於如汽車之引擎室周圍的高溫環境下使用之端子。於本實施形態,相對於壓延方向於平行方向進行應力緩和試驗的殘留應力率以150℃、1000小時定為75%以上。
尚,殘留應力率較佳為以150℃、1000小時成為77%以上,更佳為以150℃、1000小時成為80%以上。
在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,如上述,殘留應力率以150℃、1000小時定為75%以上。
在此條件之殘留應力率高時,即使於高溫環境下使用的情況下,亦可將永久變形抑制在小,可抑制接壓的降低。因此,本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,變成可適用作為於如汽車之引擎室周圍的高溫環境下使用之端子。於本實施形態,相對於壓延方向於平行方向進行應力緩和試驗的殘留應力率以150℃、1000小時定為75%以上。
尚,殘留應力率較佳為以150℃、1000小時成為77%以上,更佳為以150℃、1000小時成為80%以上。
其次,針對如此構成之本實施形態之電子/電氣機器用銅合金之製造方法,參照圖1所示之流程圖進行說明。
(溶解・鑄造步驟S01)
首先,溶解銅原料所得之銅熔融金屬,添加前述之元素進行成分調整,製出銅合金熔融金屬。尚,各種元素的添加中可使用元素單質或母合金等。又,可將包含上述之元素之原料與銅原料一起進行溶解。又,可使用本合金(本實施形態之銅合金)之再生材料及廢料。於此,銅熔融金屬較佳為希望純度成為99.99mass%以上即所謂4NCu,或是成為99.999mass%以上即所謂5NCu。尤其是於本實施形態,由於將H、O、S、C的含量如上述般規定,變成選別此等之元素的含量少之原料使用。具體而言,較佳為使用H含量為0.5massppm以下,O含量為2.0massppm以下,S含量為5.0massppm以下,C含量為1.0massppm以下之原料。
於溶解・鑄造步驟S01,為了抑制Mg之氧化,且為了氫濃度減低,進行藉由H2 O之蒸氣壓低之惰性氣體環境(例如Ar氣體)之環境溶解,溶解時之保持時間保留在最小限。
首先,溶解銅原料所得之銅熔融金屬,添加前述之元素進行成分調整,製出銅合金熔融金屬。尚,各種元素的添加中可使用元素單質或母合金等。又,可將包含上述之元素之原料與銅原料一起進行溶解。又,可使用本合金(本實施形態之銅合金)之再生材料及廢料。於此,銅熔融金屬較佳為希望純度成為99.99mass%以上即所謂4NCu,或是成為99.999mass%以上即所謂5NCu。尤其是於本實施形態,由於將H、O、S、C的含量如上述般規定,變成選別此等之元素的含量少之原料使用。具體而言,較佳為使用H含量為0.5massppm以下,O含量為2.0massppm以下,S含量為5.0massppm以下,C含量為1.0massppm以下之原料。
於溶解・鑄造步驟S01,為了抑制Mg之氧化,且為了氫濃度減低,進行藉由H2 O之蒸氣壓低之惰性氣體環境(例如Ar氣體)之環境溶解,溶解時之保持時間保留在最小限。
而且,將經成分調整之銅合金熔融金屬注入鑄型製出鑄塊。尚,考量量產時,較佳為使用連續鑄造法或半連續鑄造法。
此時,熔融金屬之凝固時由於形成包含Mg與P之結晶質,藉由加速凝固速度,變成可更微細化結晶質尺寸。因此,鑄造時之冷卻速度較佳為成為0.1℃/sec以上,更佳為0.5℃/sec以上,最佳為1℃/sec以上。
此時,熔融金屬之凝固時由於形成包含Mg與P之結晶質,藉由加速凝固速度,變成可更微細化結晶質尺寸。因此,鑄造時之冷卻速度較佳為成為0.1℃/sec以上,更佳為0.5℃/sec以上,最佳為1℃/sec以上。
(均質化步驟S02)
其次,為了所得之鑄塊的均質化進行加熱處理。鑄塊的內部中,在凝固的過程,有時存在偏析Mg的部分,或將藉由進一步偏析增加Mg濃度所產生之Cu與Mg作為主成分之金屬間化合物等。因此,為了消失或減低此等之偏析及金屬間化合物等,將鑄塊進行加熱至400℃以上900℃以下的加熱處理。藉此,在鑄塊內,均質擴散Mg,或是將Mg固溶在母相中。尚,此均質化步驟S02較佳為於非氧化性或還原性環境中實施。
其次,為了所得之鑄塊的均質化進行加熱處理。鑄塊的內部中,在凝固的過程,有時存在偏析Mg的部分,或將藉由進一步偏析增加Mg濃度所產生之Cu與Mg作為主成分之金屬間化合物等。因此,為了消失或減低此等之偏析及金屬間化合物等,將鑄塊進行加熱至400℃以上900℃以下的加熱處理。藉此,在鑄塊內,均質擴散Mg,或是將Mg固溶在母相中。尚,此均質化步驟S02較佳為於非氧化性或還原性環境中實施。
於此,加熱溫度未滿400℃時,溶體化變不完全,有於母相中將Cu與Mg作為主成分之金屬間化合物多數殘存之虞。另一方面,加熱溫度超過900℃時,銅素材的一部分變液相,有組織或表面狀態變不均一之虞。因此,將加熱溫度設定在400℃以上900℃以下的範圍。加熱溫度的下限較佳為500℃以上,更佳為600℃以上。又,加熱溫度的上限為850℃以下,更佳為800℃以下。
(熱加工步驟S03)
Mg之偏析由於易於粒界產生,故存在Mg偏析的部分時,粒界3重點的調控變困難。
因此,為了Mg之偏析的消除及組織的均一化的徹底,故於前述之均質化步驟S02之後實施熱加工。
熱加工之總加工率較佳為成為50%以上,更佳為成為60%以上,再更佳為成為70%以上。
此情況下,加工方法並未特別限定,例如可採用壓延、畫線、擠出、溝壓延、鍛造、沖壓等。又,熱加工溫度較佳為成為400℃以上900℃以下的範圍內。
Mg之偏析由於易於粒界產生,故存在Mg偏析的部分時,粒界3重點的調控變困難。
因此,為了Mg之偏析的消除及組織的均一化的徹底,故於前述之均質化步驟S02之後實施熱加工。
熱加工之總加工率較佳為成為50%以上,更佳為成為60%以上,再更佳為成為70%以上。
此情況下,加工方法並未特別限定,例如可採用壓延、畫線、擠出、溝壓延、鍛造、沖壓等。又,熱加工溫度較佳為成為400℃以上900℃以下的範圍內。
(溶體化步驟S04)
為了徹底在粒界之Mg偏析的消除,於前述之熱加工步驟S03之後,實施溶體化熱處理。溶體化步驟S04的條件,較佳為將加熱溫度定為500℃以上900℃以下的範圍內,將於加熱溫度之保持時間定為1秒以上10小時以下的範圍內。此溶體化步驟S04可兼為前述之熱加工步驟S03。該情況下,將熱加工之結束溫度定為超過500℃,以熱加工結束後500℃以上的溫度保持10秒以上即可。
為了徹底在粒界之Mg偏析的消除,於前述之熱加工步驟S03之後,實施溶體化熱處理。溶體化步驟S04的條件,較佳為將加熱溫度定為500℃以上900℃以下的範圍內,將於加熱溫度之保持時間定為1秒以上10小時以下的範圍內。此溶體化步驟S04可兼為前述之熱加工步驟S03。該情況下,將熱加工之結束溫度定為超過500℃,以熱加工結束後500℃以上的溫度保持10秒以上即可。
(粗加工步驟S05)
為了加工成指定的形狀而進行粗加工。尚,於此粗加工步驟S05,實施1次以上100℃以上350℃以下之熱加工。藉由實施100℃以上350℃以下之熱加工,可於加工中增加極微小之再結晶區域,於之後的步驟即中間熱處理步驟S06之再結晶時組織隨機化,並且可增加隨機粒界之總數,可將NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 之值成為所期望的範圍。將熱加工定為1次的情況,於粗加工步驟S05之最終步驟實施。又,取代熱加工,可利用藉由提昇每1加工步驟的加工發熱。該情況下,例如壓延中,以每1道次的加工率為15%以上,較佳為20%以上,更佳為30%以上實施較佳。熱加工之次數期望以實施2次以上較佳。針對熱加工的溫度,下限較佳為150℃以上,更佳為超過200℃即可。又,雖以上限再結晶後之粒成長無法顯著產生的方式,定為350℃以下,但較佳為定為325℃以下,更佳為定為未滿300℃即可。
為了加工成指定的形狀而進行粗加工。尚,於此粗加工步驟S05,實施1次以上100℃以上350℃以下之熱加工。藉由實施100℃以上350℃以下之熱加工,可於加工中增加極微小之再結晶區域,於之後的步驟即中間熱處理步驟S06之再結晶時組織隨機化,並且可增加隨機粒界之總數,可將NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 之值成為所期望的範圍。將熱加工定為1次的情況,於粗加工步驟S05之最終步驟實施。又,取代熱加工,可利用藉由提昇每1加工步驟的加工發熱。該情況下,例如壓延中,以每1道次的加工率為15%以上,較佳為20%以上,更佳為30%以上實施較佳。熱加工之次數期望以實施2次以上較佳。針對熱加工的溫度,下限較佳為150℃以上,更佳為超過200℃即可。又,雖以上限再結晶後之粒成長無法顯著產生的方式,定為350℃以下,但較佳為定為325℃以下,更佳為定為未滿300℃即可。
(中間熱處理步驟S06)
粗加工步驟S05後,將用以增加隨機粒界之數比例的再結晶組織化及用以提昇加工性的軟化作為目的,來實施熱處理。熱處理之方法雖並未特別限定,但較佳為400℃以上900℃以下之保持溫度,以10秒以上10小時以下的保持時間,於非氧化環境或還原性環境中進行熱處理。又,加熱後之冷卻方法雖並未特別限定,但較佳為採用水燒入等冷卻速度定為200℃/min以上之方法。
尚,重複實施粗加工步驟S05及中間熱處理步驟S06即可。
粗加工步驟S05後,將用以增加隨機粒界之數比例的再結晶組織化及用以提昇加工性的軟化作為目的,來實施熱處理。熱處理之方法雖並未特別限定,但較佳為400℃以上900℃以下之保持溫度,以10秒以上10小時以下的保持時間,於非氧化環境或還原性環境中進行熱處理。又,加熱後之冷卻方法雖並未特別限定,但較佳為採用水燒入等冷卻速度定為200℃/min以上之方法。
尚,重複實施粗加工步驟S05及中間熱處理步驟S06即可。
(精飾加工步驟S07)
為了使中間熱處理步驟S06後之銅素材加工成指定的形狀,而進行精飾加工。尚,在此精飾加工步驟S07,加工中所導入之轉位迅速進行再配列,使NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 之值成為所期望的範圍,進而為了提昇耐應力緩和特性,至少實施1次50℃以上且未滿300℃之加工。藉由實施50℃以上且未滿300℃之熱加工,為了再配列加工中所導入之轉位,提昇耐應力緩和特性。精飾加工步驟S07藉由最終的形狀,雖加工方法及加工率不同,但定為條或板的情況實施壓延即可。又,針對1次以上之熱加工以外的步驟,定為通常之冷加工即可。取代50℃以上且未滿300℃之熱加工(代替),提昇每1加工步驟之加工率,利用其加工發熱即可。該情況下,例如於壓延將每1道次之加工率定為10%以上即可。
又,加工率雖變成以近似最終形狀的方式適當選擇,但為了藉由加工硬化使強度提昇,較佳為將加工率定為20%以上。又,想進一步提昇強度的情況下,更佳為將加工率定為30%以上,再更佳為加工率定為40%以上。加工率更佳為50%以上。
為了使中間熱處理步驟S06後之銅素材加工成指定的形狀,而進行精飾加工。尚,在此精飾加工步驟S07,加工中所導入之轉位迅速進行再配列,使NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 之值成為所期望的範圍,進而為了提昇耐應力緩和特性,至少實施1次50℃以上且未滿300℃之加工。藉由實施50℃以上且未滿300℃之熱加工,為了再配列加工中所導入之轉位,提昇耐應力緩和特性。精飾加工步驟S07藉由最終的形狀,雖加工方法及加工率不同,但定為條或板的情況實施壓延即可。又,針對1次以上之熱加工以外的步驟,定為通常之冷加工即可。取代50℃以上且未滿300℃之熱加工(代替),提昇每1加工步驟之加工率,利用其加工發熱即可。該情況下,例如於壓延將每1道次之加工率定為10%以上即可。
又,加工率雖變成以近似最終形狀的方式適當選擇,但為了藉由加工硬化使強度提昇,較佳為將加工率定為20%以上。又,想進一步提昇強度的情況下,更佳為將加工率定為30%以上,再更佳為加工率定為40%以上。加工率更佳為50%以上。
(精飾熱處理步驟S08)
其次,對於藉由精飾加工步驟S07所得之塑性加工材,為了提昇耐應力緩和特性及藉由低溫燒鈍之硬化,或為了去除殘留應力,而實施精飾熱處理。熱處理溫度較佳為100℃以上800℃以下的範圍內。尚,在此精飾熱處理步驟S08,為了抑制藉由再結晶之在粒界3重點之特殊粒界的數比例,有必要設定熱處理條件(溫度、時間、冷卻速度)。例如較佳為從200℃至300℃的範圍中定為10秒以上10小時以下之保持時間。此熱處理較佳為於非氧化環境或還原性環境中進行。熱處理之方法雖並未特別限定,但從製造成本減低的效果來看,較佳為藉由連續燒鈍爐之高溫短時間的熱處理。
進而,可重複實施上述之精飾加工步驟S07與精飾熱處理步驟S08。
其次,對於藉由精飾加工步驟S07所得之塑性加工材,為了提昇耐應力緩和特性及藉由低溫燒鈍之硬化,或為了去除殘留應力,而實施精飾熱處理。熱處理溫度較佳為100℃以上800℃以下的範圍內。尚,在此精飾熱處理步驟S08,為了抑制藉由再結晶之在粒界3重點之特殊粒界的數比例,有必要設定熱處理條件(溫度、時間、冷卻速度)。例如較佳為從200℃至300℃的範圍中定為10秒以上10小時以下之保持時間。此熱處理較佳為於非氧化環境或還原性環境中進行。熱處理之方法雖並未特別限定,但從製造成本減低的效果來看,較佳為藉由連續燒鈍爐之高溫短時間的熱處理。
進而,可重複實施上述之精飾加工步驟S07與精飾熱處理步驟S08。
如此進行,變成可製出本實施形態之電子/電氣機器用銅合金(電子/電氣機器用銅合金板條材料)。電子/電氣機器用銅合金板條材料之厚度的上限雖沒有特定,但將電子/電氣機器用銅合金板條材料藉由沖壓加工成為連接器或端子、匯流排時,厚度超過5.0mm時,變成顯著增大沖壓機之荷重及降低每一單位時間之生產性,而變成高成本。因此,在本實施形態,較佳為將電子/電氣機器用銅合金板條材料的厚度定為超過0.5mm且5.0mm以下。尚,電子/電氣機器用銅合金板條材料之厚度的下限,較佳為定為超過1.0mm,更佳為定為1.5mm以上,再更佳為定為2.0mm以上,又再更佳為定為超過3.0mm。
於此,本實施形態之電子/電氣機器用銅合金板條材料,雖可直接使用在電子/電氣機器用構件,但可於板面的一側面,或是雙面形成膜厚0.1~100μm左右之鍍錫層或鍍銀層。
進而,將本實施形態之電子/電氣機器用銅合金(電子/電氣機器用銅合金板條材料)作為素材,藉由實施沖孔加工或彎曲加工等,例如成形成連接器或壓合體等之端子、所謂匯流排之電子/電氣機器用構件。
進而,將本實施形態之電子/電氣機器用銅合金(電子/電氣機器用銅合金板條材料)作為素材,藉由實施沖孔加工或彎曲加工等,例如成形成連接器或壓合體等之端子、所謂匯流排之電子/電氣機器用構件。
根據成為如以上般構成之本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,由於Mg的含量定為0.15mass%以上且未滿0.35mass%的範圍內,藉由於銅之母相中固溶Mg,變成不會大幅降低導電率,並且可提昇強度、耐應力緩和特性。
又,由於以0.0005mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內包含P,故可提昇鑄造性。
又,由於以0.0005mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內包含P,故可提昇鑄造性。
又,由於Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比滿足[Mg]+20×[P]<0.5的關係,可抑制Mg與P之粗大結晶質的生成,故可抑制冷加工性及彎曲加工性降低。
而且,由於O的含量定為100massppm以下、S的含量定為50massppm以下,故可減低由Mg氧化物或Mg硫化物等所構成之介在物。
進而,由於H的含量定為10massppm以下,故可抑制於鑄塊內產生氣孔缺陷。
又,由於C的含量定為10massppm以下,故可確保冷加工性。
由以上,變成可抑制在加工時之缺陷的產生,可大幅提昇冷加工性及彎曲加工性。
進而,由於H的含量定為10massppm以下,故可抑制於鑄塊內產生氣孔缺陷。
又,由於C的含量定為10massppm以下,故可確保冷加工性。
由以上,變成可抑制在加工時之缺陷的產生,可大幅提昇冷加工性及彎曲加工性。
又,將相對於壓延之寬度方向成為直交的面作為觀察面,將母相藉由EBSD法,以測定間隔0.25μm步長測定10000μm2
以上之測定面積。接著,去除藉由數據解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點並進行解析,將相鄰之測定點間的方位差超過15°之測定點間定為結晶粒界。將Σ29以下之對應粒界定為特殊粒界,除此之外定為隨機粒界時。在從OIM解析之粒界3重點,將相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例定為NFJ3
,將相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例定為NFJ2
。此等NFJ3
與NFJ2
中由於
0.20<(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 ≦0.45成立,由於隨機粒界網絡的長度長,沖壓加工時產生迅速沿著粒界之破壞,故沖壓沖孔加工性亦優異。
0.20<(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 ≦0.45成立,由於隨機粒界網絡的長度長,沖壓加工時產生迅速沿著粒界之破壞,故沖壓沖孔加工性亦優異。
進而,於本實施形態,較佳為由於Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比滿足[Mg]/[P]≦400的關係,故適正化使鑄造性降低之Mg的含量與使鑄造性提昇之P的含量的比率,藉由P添加的效果,可確實提昇鑄造性。
進而,在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力成為200MPa以上,導電率成為超過75% IACS。因此,本實施形態之電子/電氣機器用銅合金伴隨高電壓、大電流化,已適合電子/電氣機器用構件之厚肉化,特別適合作為連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件之素材。
又,在本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,殘留應力率以150℃、1000小時定為75%以上。因此,即使於高溫環境下使用的情況下,亦可抑制永久變形縮小,例如可抑制連接器端子等之接壓的降低。因此,本實施形態之電子/電氣機器用銅合金,變成可適用作為於引擎室等之高溫環境下使用之電子機器用構件的素材。
又,本實施形態之電子/電氣機器用銅合金板條材料,係以上述之電子/電氣機器用銅合金構成。因此,藉由對此電子/電氣機器用銅合金板條材料進行彎曲加工等,可製造連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件。
尚,於表面形成鍍錫層或鍍銀層的情況下,本實施形態之電子/電氣機器用銅合金板條材料特別適合作為連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件之素材。
尚,於表面形成鍍錫層或鍍銀層的情況下,本實施形態之電子/電氣機器用銅合金板條材料特別適合作為連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件之素材。
進而,由於本實施形態之電子/電氣機器用構件(連接器或壓合體等之端子、匯流排等),係以上述之電子/電氣機器用銅合金構成,故即使進行大型化及厚肉化亦可發揮優異之特性。
以上,雖針對本發明之實施形態即電子/電氣機器用銅合金、電子/電氣機器用銅合金板條材料、電子/電氣機器用構件(端子、匯流排等)進行說明,但本發明並非被限定於此,可於不脫離該發明之技術要件的範圍適當變更。
例如於上述之實施形態,雖針對電子/電氣機器用銅合金之製造方法之一例進行說明,但電子/電氣機器用銅合金之製造方法並非被限定於實施形態所記載者,可適當選擇既存之製造方法製造。
[實施例]
例如於上述之實施形態,雖針對電子/電氣機器用銅合金之製造方法之一例進行說明,但電子/電氣機器用銅合金之製造方法並非被限定於實施形態所記載者,可適當選擇既存之製造方法製造。
[實施例]
於以下,針對為了確認本發明之效果所進行之確認實驗的結果進行說明。
準備H含量為0.1massppm以下、O含量為1.0massppm以下、S含量為1.0massppm以下、C含量為0.3massppm以下、Cu的純度為99.99mass%以上之經選別的銅,對此加入並將純度為99.9mass%以上之Cu-Mg合金作為原料使用。
準備H含量為0.1massppm以下、O含量為1.0massppm以下、S含量為1.0massppm以下、C含量為0.3massppm以下、Cu的純度為99.99mass%以上之經選別的銅,對此加入並將純度為99.9mass%以上之Cu-Mg合金作為原料使用。
將此裝入高純度氧化鋁坩堝內,在高純度Ar氣體(露點-80℃以下)環境,使用高頻率溶解爐溶解。於銅合金熔融金屬內添加各種元素,並且導入H,O的情況下,將溶解時之環境使用高純度Ar氣體(露點-80℃以下)、高純度N2
氣體(露點-80℃以下)、高純度O2
氣體(露點-80℃以下)、高純度H2
氣體(露點-80℃以下),定為Ar-N2
-H2
及Ar-O2
混合氣體環境。導入C的情況下,在溶解於熔融金屬表面使C粒子被覆,與熔融金屬接觸。又,導入S的情況下,直接添加S。藉此,溶製表1所示之成分組成的合金熔融金屬,澆注在鑄型製出鑄塊。
尚,於本發明例1、11,使用斷熱材(ISOWOOL)鑄型,於除此之外之本發明例及比較例使用碳鑄型。又,鑄塊的大小定為厚度約100mm×寬度約150mm×長度約100mm。
面削此鑄塊之鑄肌附近。然後,在Ar氣體環境中,使用電氣爐以表2所記載之溫度條件進行4小時之加熱,進行均質化處理。
面削此鑄塊之鑄肌附近。然後,在Ar氣體環境中,使用電氣爐以表2所記載之溫度條件進行4小時之加熱,進行均質化處理。
熱軋均質化熱處理後之鑄塊,厚度定為約50mm。然後切斷,使用電氣爐,以表2所記載之條件進行4小時之加熱,實施溶體化處理。
溶體化處理後,將壓延輥加熱至300℃,以表2所示之壓延率實施粗壓延。
溶體化處理後,將壓延輥加熱至300℃,以表2所示之壓延率實施粗壓延。
粗壓延後使用電氣爐與鹽浴爐,以表2所記載之溫度條件,以平均結晶粒徑大約成為5μm至15μm之間的方式進行中間熱處理。使用電氣爐之熱處理中係於Ar環境實施。
尚,中間熱處理後之平均結晶粒徑係如以下的方式調查。將相對於壓延之寬度方向成為直交的面,亦即將TD(Transverse Direction)面定為觀察面,進行鏡面研磨、蝕刻。接著,在光學顯微鏡以壓延方向成為照片的橫向的方式進行拍攝,以1000倍之視野(約300×200μm2 )進行觀察。而且,將結晶粒徑依照JIS H 0501之切斷法,於照片之縱、橫方向以指定的間隔每5條減去指定長度的線段。數算完全被切割之結晶粒數,將其切斷長度的平均值作為平均結晶粒徑算出。
尚,中間熱處理後之平均結晶粒徑係如以下的方式調查。將相對於壓延之寬度方向成為直交的面,亦即將TD(Transverse Direction)面定為觀察面,進行鏡面研磨、蝕刻。接著,在光學顯微鏡以壓延方向成為照片的橫向的方式進行拍攝,以1000倍之視野(約300×200μm2 )進行觀察。而且,將結晶粒徑依照JIS H 0501之切斷法,於照片之縱、橫方向以指定的間隔每5條減去指定長度的線段。數算完全被切割之結晶粒數,將其切斷長度的平均值作為平均結晶粒徑算出。
為了將進行熱處理之銅素材適當成為適合最終形狀的形,進行切斷,並且為了去除氧化被膜實施表面研削。然後,對於表2所記載之壓延前的厚度之銅素材,將壓延輥加熱至200℃,實施精飾壓延(精飾加工)。由以上,於本發明例1~10及比較例1、2、4、6、7、8,製出厚度3.5mm、寬度約150mm之薄板。又,於本發明例11~20,製出厚度1.5mm、寬度約150mm之薄板。
而且,於精飾壓延(精飾加工)後,以表2所示之條件,使用電氣爐或是鹽浴爐,實施精飾熱處理,然後,進行水淬,製作特性評估用薄板。
而且,於精飾壓延(精飾加工)後,以表2所示之條件,使用電氣爐或是鹽浴爐,實施精飾熱處理,然後,進行水淬,製作特性評估用薄板。
而且,針對以下之項目實施評估。將評估結果示於表3。
(鑄造性)
作為鑄造性之評估,觀察在前述之鑄造時之表面粗糙的有無。將以目視幾乎未觀察到表面粗糙者定為“A” (excellent),將產生深度未滿1mm之表面粗糙者定為“B” (good),將產生深度1mm以上且未滿2mm之表面粗糙者定為“C” (fair)。又,將產生深度2mm以上之較大之表面粗糙者定為“D” (bad),於途中中止評估。
尚,所謂表面粗糙的深度,係指從鑄塊之端部面向中央部之表面粗糙的深度。
作為鑄造性之評估,觀察在前述之鑄造時之表面粗糙的有無。將以目視幾乎未觀察到表面粗糙者定為“A” (excellent),將產生深度未滿1mm之表面粗糙者定為“B” (good),將產生深度1mm以上且未滿2mm之表面粗糙者定為“C” (fair)。又,將產生深度2mm以上之較大之表面粗糙者定為“D” (bad),於途中中止評估。
尚,所謂表面粗糙的深度,係指從鑄塊之端部面向中央部之表面粗糙的深度。
(粒界3重點比例)
將相對於壓延的寬度方向成為直交的斷面,亦即將TD面(Transverse direction)作為觀察面,藉由EBSD測定裝置及OIM解析軟體,如以下般測定結晶粒界(特殊粒界與隨機粒界)及粒界3重點。使用耐水研磨紙、金剛石研磨粒進行機械研磨。接著,使用膠體二氧化矽溶液進行精飾研磨。而且,藉由EBSD測定裝置(FEI公司製Quanta FEG 450, EDAX/TSL公司製(現AMETEK社)OIM Data Collection)、與解析軟體(EDAX/TSL公司製(現AMETEK社)OIM Data Analysis ver.7.2),以電子束之加速電壓20kV、測定間隔0.25μm步長,於10000μm2 以上之測定面積測定母相。去除CI值為0.1以下之測定點,進行各結晶粒之方位差的解析。將相鄰之測定點間的方位差成為15°以上之測定點間作為結晶粒界。又,針對各構成粒界3重點之3個粒界,使用於Neighboring grid point算出之CSL sigma value之值,識別特殊粒界及隨機粒界。針對超過Σ29之對應粒界,視為隨機粒界。
將相對於壓延的寬度方向成為直交的斷面,亦即將TD面(Transverse direction)作為觀察面,藉由EBSD測定裝置及OIM解析軟體,如以下般測定結晶粒界(特殊粒界與隨機粒界)及粒界3重點。使用耐水研磨紙、金剛石研磨粒進行機械研磨。接著,使用膠體二氧化矽溶液進行精飾研磨。而且,藉由EBSD測定裝置(FEI公司製Quanta FEG 450, EDAX/TSL公司製(現AMETEK社)OIM Data Collection)、與解析軟體(EDAX/TSL公司製(現AMETEK社)OIM Data Analysis ver.7.2),以電子束之加速電壓20kV、測定間隔0.25μm步長,於10000μm2 以上之測定面積測定母相。去除CI值為0.1以下之測定點,進行各結晶粒之方位差的解析。將相鄰之測定點間的方位差成為15°以上之測定點間作為結晶粒界。又,針對各構成粒界3重點之3個粒界,使用於Neighboring grid point算出之CSL sigma value之值,識別特殊粒界及隨機粒界。針對超過Σ29之對應粒界,視為隨機粒界。
(機械的特性)
從特性評估用條材採取JIS Z 2241所規定之13B號試驗片,藉由JIS Z 2241之橫距法(Offset method),測定0.2%耐力。尚,試驗片係於對壓延方向平行之方向採取。
從特性評估用條材採取JIS Z 2241所規定之13B號試驗片,藉由JIS Z 2241之橫距法(Offset method),測定0.2%耐力。尚,試驗片係於對壓延方向平行之方向採取。
(導電率)
從特性評估用條材採取寬度10mm×長度150mm之試驗片,藉由4端子法求出電阻。又,使用千分尺進行試驗片之尺寸測定,算出試驗片的體積。而且,從經測定之電阻值與體積算出導電率。尚,試驗片係以其縱向方向相對於特性評估用條材之壓延方向成為平行的方式採取。
從特性評估用條材採取寬度10mm×長度150mm之試驗片,藉由4端子法求出電阻。又,使用千分尺進行試驗片之尺寸測定,算出試驗片的體積。而且,從經測定之電阻值與體積算出導電率。尚,試驗片係以其縱向方向相對於特性評估用條材之壓延方向成為平行的方式採取。
(彎曲加工性)
依據日本伸銅協會技術標準JCBA-T307:2007之4試驗方法進行彎曲加工。針對本發明例1~10、比較例2、6、7、8,從特性評估用薄板切斷、複數採取寬度3.5mm×長度30mm之試驗片,研磨切斷面。接著,以相對於壓延方向彎曲之軸成為直交方向的方式,使用彎曲角度為90度、彎曲半徑為1mm(R/t=0.3)之W型治具,進行W彎曲試驗。且,針對本發明例11~20,從特性評估用薄板切斷、複數採取寬度10mm×長度30mm之試驗片,研磨切斷面。接著,以相對於壓延方向彎曲之軸成為直交方向的方式,使用彎曲角度為90度、彎曲半徑為0.4mm(R/t=0.3)之W型治具,進行W彎曲試驗。
進行將彎曲部之外周部以目視觀察,觀察到破裂的情況判定為“D” (bad),將觀察到大皺摺的情況判定為“B” (good),將無法確認破斷或微細之破裂、大皺摺的情況判定為“A” (excellent)。尚,評估“A”、“B”判斷為可容許之彎曲加工性。將評估結果示於表3。
依據日本伸銅協會技術標準JCBA-T307:2007之4試驗方法進行彎曲加工。針對本發明例1~10、比較例2、6、7、8,從特性評估用薄板切斷、複數採取寬度3.5mm×長度30mm之試驗片,研磨切斷面。接著,以相對於壓延方向彎曲之軸成為直交方向的方式,使用彎曲角度為90度、彎曲半徑為1mm(R/t=0.3)之W型治具,進行W彎曲試驗。且,針對本發明例11~20,從特性評估用薄板切斷、複數採取寬度10mm×長度30mm之試驗片,研磨切斷面。接著,以相對於壓延方向彎曲之軸成為直交方向的方式,使用彎曲角度為90度、彎曲半徑為0.4mm(R/t=0.3)之W型治具,進行W彎曲試驗。
進行將彎曲部之外周部以目視觀察,觀察到破裂的情況判定為“D” (bad),將觀察到大皺摺的情況判定為“B” (good),將無法確認破斷或微細之破裂、大皺摺的情況判定為“A” (excellent)。尚,評估“A”、“B”判斷為可容許之彎曲加工性。將評估結果示於表3。
(沖孔加工性)
從特性評估用條材以模具多次沖孔出圓孔(φ8mm),測定返回高度,進行沖孔加工性之評估。
模具之淨空係對於主板厚定為約3%,藉由50spm (stroke per minute)之沖孔速度進行沖孔。觀察鑽孔側之切口面,10點計測返回高度,求出相對於板厚之返回高度的比例。
將返回高度之最高值相對於板厚為2.5%以下者評估為“A” (excellent)。將返回高度之最高值相對於板厚超過2.5%且3.0%以下者評估為“B” (good)。將返回高度之最高值相對於板厚超過3.0%者評估為“D” (bad)。
從特性評估用條材以模具多次沖孔出圓孔(φ8mm),測定返回高度,進行沖孔加工性之評估。
模具之淨空係對於主板厚定為約3%,藉由50spm (stroke per minute)之沖孔速度進行沖孔。觀察鑽孔側之切口面,10點計測返回高度,求出相對於板厚之返回高度的比例。
將返回高度之最高值相對於板厚為2.5%以下者評估為“A” (excellent)。將返回高度之最高值相對於板厚超過2.5%且3.0%以下者評估為“B” (good)。將返回高度之最高值相對於板厚超過3.0%者評估為“D” (bad)。
(耐應力緩和特性)
耐應力緩和特性試驗係藉由依照日本伸銅協會技術標準JCBA-T309:2004之懸臂螺桿式之方法負荷應力,測定於150℃之溫度保持1000小時後之殘留應力率。
作為試驗方法,係於從各特性評估用條材相對於壓延方向成為平行之方向採取試驗片(寬度10mm),以試驗片的表面最大應力成為耐力之80%的方式,將初期偏轉位移設定為2mm,調整跨度長度。上述表面最大應力係用以下之式決定。
表面最大應力(MPa)=1.5Etδ0 /Ls 2
惟,式中之各記號係表示以下之事項。
E:楊氏模量(MPa)
t:表所記載之試料之厚度(t=1.5mm或是3.5mm)
δ0 :初期偏轉位移(2mm)
Ls :跨度長度(mm)
從於150℃之溫度保持1000小時後之彎曲慣性,測定殘留應力率,評估耐應力緩和特性。尚,殘留應力率係使用以下之式算出。
殘留應力率(%)=(1-δt /δ0 )×100
惟,式中之各記號係表示以下之事項。
δt :(於150℃保持1000小時後之永久偏轉位移(mm))-(於常溫保持24小時後之永久偏轉位移(mm))
δ0 :初期偏轉位移(mm)
耐應力緩和特性試驗係藉由依照日本伸銅協會技術標準JCBA-T309:2004之懸臂螺桿式之方法負荷應力,測定於150℃之溫度保持1000小時後之殘留應力率。
作為試驗方法,係於從各特性評估用條材相對於壓延方向成為平行之方向採取試驗片(寬度10mm),以試驗片的表面最大應力成為耐力之80%的方式,將初期偏轉位移設定為2mm,調整跨度長度。上述表面最大應力係用以下之式決定。
表面最大應力(MPa)=1.5Etδ0 /Ls 2
惟,式中之各記號係表示以下之事項。
E:楊氏模量(MPa)
t:表所記載之試料之厚度(t=1.5mm或是3.5mm)
δ0 :初期偏轉位移(2mm)
Ls :跨度長度(mm)
從於150℃之溫度保持1000小時後之彎曲慣性,測定殘留應力率,評估耐應力緩和特性。尚,殘留應力率係使用以下之式算出。
殘留應力率(%)=(1-δt /δ0 )×100
惟,式中之各記號係表示以下之事項。
δt :(於150℃保持1000小時後之永久偏轉位移(mm))-(於常溫保持24小時後之永久偏轉位移(mm))
δ0 :初期偏轉位移(mm)
比較例1係Mg的含量較本實施形態的範圍更少,耐應力緩和特性低下。因此,未評估彎曲加工性評估及沖孔性。
比較例2係Mg的含量較本實施形態的範圍更多,由於[Mg]+20×[P]為本實施形態的範圍外,故彎曲加工性評估為“D”。進而,導電率低下。因此未實施其他評估試驗。
比較例3係P的含量較本實施形態的範圍更多,[Mg]+20×[P]已超過0.5,由於於壓延時產生耳破裂,故中止之後的評估。
比較例4由於(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 脫離本實施形態的範圍,故沖孔性惡化。因此未實施彎曲加工性評估。
比較例2係Mg的含量較本實施形態的範圍更多,由於[Mg]+20×[P]為本實施形態的範圍外,故彎曲加工性評估為“D”。進而,導電率低下。因此未實施其他評估試驗。
比較例3係P的含量較本實施形態的範圍更多,[Mg]+20×[P]已超過0.5,由於於壓延時產生耳破裂,故中止之後的評估。
比較例4由於(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 脫離本實施形態的範圍,故沖孔性惡化。因此未實施彎曲加工性評估。
比較例5係H的含量較本實施形態的範圍更高,由於於壓延時產生耳破裂,故中止之後的評估。
比較例6係O的含量較本實施形態的範圍更高,彎曲加工性不夠充分。
比較例7係S的含量較本實施形態的範圍更高,彎曲加工性不夠充分。
比較例8係C的含量較本實施形態的範圍更高,彎曲加工性不夠充分。
比較例6係O的含量較本實施形態的範圍更高,彎曲加工性不夠充分。
比較例7係S的含量較本實施形態的範圍更高,彎曲加工性不夠充分。
比較例8係C的含量較本實施形態的範圍更高,彎曲加工性不夠充分。
對此,在本發明例,確認0.2%耐力、導電率、耐應力緩和特性、彎曲加工性、鑄造性、沖孔加工性優異。
由以上,根據本發明例,確認可提供一種導電性、強度、彎曲加工性、耐應力緩和特性、鑄造性、沖孔加工性優異之電子/電氣機器用銅合金、電子/電氣機器用銅合金板條材料。
[產業上之可利用性]
由以上,根據本發明例,確認可提供一種導電性、強度、彎曲加工性、耐應力緩和特性、鑄造性、沖孔加工性優異之電子/電氣機器用銅合金、電子/電氣機器用銅合金板條材料。
[產業上之可利用性]
本實施形態之電子/電氣機器用銅合金、電子/電氣機器用銅合金板條材料,可適合適用在連接器或壓合體等之端子、匯流排等之電子/電氣機器用構件。
[圖1]係本實施形態之電子/電氣機器用銅合金之製造方法的流程圖。
Claims (10)
- 一種電子/電氣機器用銅合金,其特徵為於0.15mass%以上且未滿0.35mass%的範圍內包含Mg,於0.0005mass%以上且未滿0.01mass%的範圍內包含P,殘餘為由Cu及不可避免的雜質所構成, Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比係滿足 [Mg]+20×[P]<0.5 的關係, 前述不可避免的雜質之H的含量為10massppm以下,O的含量為100massppm以下,S的含量為50massppm以下,C的含量成為10massppm以下, 將相對於壓延之寬度方向成為直交的面作為觀察面,將母相藉由EBSD法以測定間隔0.25μm步長測定10000μm2 以上之測定面積,去除藉由數據解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點並進行解析,將相鄰之測定點間的方位差超過15°之測定點間定為結晶粒界,將Σ29以下之對應粒界定為特殊粒界,除此之外定為隨機粒界時,在從OIM解析之粒界3重點, 將相對於構成粒界3重點之3個粒界全部為特殊粒界之J3的全粒界3重點之比例定為NFJ3 ,將相對於構成粒界3重點之2個粒界為特殊粒界,1個為隨機粒界之J2的全粒界3重點之比例定為NFJ2 時, 0.20<(NFJ2 /(1-NFJ3 ))0.5 ≦0.45成立。
- 如請求項1之電子/電氣機器用銅合金,其中,導電率超過75% IACS。
- 如請求項1或請求項2之電子/電氣機器用銅合金,其中,Mg的含量[Mg]與P的含量[P]以質量比係滿足 [Mg]/[P]≦400 的關係。
- 如請求項1至請求項3中任一項之電子/電氣機器用銅合金,其中,相對於壓延方向於平行方向進行拉伸試驗時之0.2%耐力為200MPa以上。
- 如請求項1至請求項4中任一項之電子/電氣機器用銅合金,其中,殘留應力率於150℃、1000小時為75%以上。
- 一種電子/電氣機器用銅合金板條材料,其特徵為由如請求項1至請求項5中任一項之電子/電氣機器用銅合金所構成,厚度超過0.5mm。
- 如請求項6之電子/電氣機器用銅合金板條材料,其係於表面具有鍍錫層或鍍銀層。
- 一種電子/電氣機器用構件,其特徵為由如請求項6或請求項7所記載之電子/電氣機器用銅合金板條材料所構成。
- 一種端子,其特徵為由如請求項6或請求項7所記載之電子/電氣機器用銅合金板條材料所構成。
- 一種匯流排,其特徵為由如請求項6或請求項7所記載之電子/電氣機器用銅合金板條材料所構成。
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