TW201943342A - 霧化單元 - Google Patents
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Abstract
本發明之霧化單元,係具備:壓電元件基板,係具有梳形電極對;及液供給部,係以將應霧化之液體供給至前述壓電元件基板之方式構成。前述壓電元件基板係以藉由對前述梳形電極對以高頻率施加電壓而產生之表面彈性波來使前述液體霧化之方式構成,前述壓電元件基板係具有依據藉由前述表面彈性波霧化之所希望氣溶膠而定之數量的前述梳形電極對。
Description
本發明係關於霧化單元。
以往,已知有使用具有藉由梳形電極對所構成之IDT(Interditital Transducer;交叉狀轉換器)之壓電元件基板而產生SAW(Surface Acoustic Wave)以使液體霧化之霧化單元(例如專利文獻1-2)。又,亦已提出將如此之霧化單元使用於香味吸嚐器之技術(例如專利文獻3)。
[專利文獻1] 日本特開2012-24646號公報
[專利文獻2] 日本特表2016-513992號公報
[專利文獻3] 美國專利2017/0280771號說明書
第1特徵之要旨係一種霧化單元,係具備:壓電元件基板,係具有藉由梳形電極對所構成之IDT;及液供給部,係以將應霧化之液體供給至前述壓電元件基板之方式構成;前述壓電元件基板係以藉由對前述梳形電極對以高頻率施加電壓而產生之表面彈性波來使前述液體霧化之方式構成,前述壓電元件基板係具有依據藉由前述表面彈性波霧化之所希望氣溶膠而定之數量之前述梳形電極對。
第2特徵之主旨,係在第1特徵中,前述壓電元件基板係具有:配置有前述梳形電極對之表面;設於前述表面之相反側的背面;及從前述背面貫通至前述表面之貫通孔;前述液供給部係設於前述背面側,且以藉由前述貫通孔而對前述表面供給前述液體之方式構成。
第3特徵之主旨,係在第2特徵中,前述霧化單元係具備散熱機構,該散熱機構係以奪去藉由前述壓電元件基板在端部的前述表面彈性波之反射產生的熱之方式構成。
第4特徵之主旨,係在第3特徵中,前述散熱機構係包含:以藉由具有比前述壓電元件基板之導熱性更高的導熱性之材料所構成之散熱層及帕耳貼(Peltier)元件之至少任一種。
第5特徵之主旨,係在第1至4特徵之任一項中,在前述霧化單元係在前述液體通過之流路中,具備被覆前述壓電元件基板之一部份或全部的塗覆層。
第6特徵之主旨,係在引用第2特徵之第5特徵中,前述塗覆層係設於至少前述貫通孔之內側。
第7特徵之主旨,係在第1至6特徵之任一項中,前述壓電元件基板係具有設置前述梳形電極對之配置部分,且前述霧化單元係具備隔開前述液體與前述配置部分之隔壁。
第8特徵之主旨,係在第7特徵中,前述隔壁係被覆前述配置部分之整體。
第9特徵之主旨,係在第7或8特徵中,前述隔壁係在前述配置部分與前述貫通孔之間以與前述表面接觸之方式設於前述表面。
第10特徵之主旨,係在第7或8特徵中,前述隔壁係在前述配置部分與前述貫通孔之間以不與前述表面接觸之方式設於前述表面。
第11特徵之主旨,係在第1至10特徵之任一項中,前述梳形電極對之數量係依據藉由前述表面彈性波霧化之氣溶膠的霧化效率而決定。
第12特徵之主旨,係在第1至11特徵之任一項中,包含於前述梳形電極對且互相鄰接之電極的間隔,係依據藉由前述表面彈性波霧化之氣溶膠的所希望粒徑而設定之頻率來決定。
第13特徵之主旨,係在第2特徵及引用第2特徵之第3至12特徵之任一項中,前述貫通孔係從前述表面之側觀看之俯視中,具有在前述表面彈性波之行進方向的最大幅寬,及相對於前述表面彈性波之行進方向為正交方向之最大長度,前述最大長度係大於前述最大幅寬。
第14特徵之主旨,係在第2特徵及引用第2特徵之第3至13特徵之任一項中,前述貫通孔係以藉由前述貫通孔進行反射之前述表面 彈性波的反射波與藉由前述梳形電極對所生成之前述表面彈性波的干渉會降低之方式設置。
第15特徵之主旨,係在第2特徵及引用第2特徵之第3至14特徵之任一項中,前述貫通孔係隔著前述梳形電極對而含有至少2個貫通孔。
第16特徵之主旨,係在第2特徵及引用第2特徵之第3至15特徵之任一項中,在前述梳形電極對與前述貫通孔之間,連續達前述貫通孔之親水性層係設於前述表面。
1‧‧‧香味吸嚐器
1A‧‧‧入口
1B‧‧‧出口
1C‧‧‧腔體
1D‧‧‧濾嘴
1X‧‧‧殼體
20‧‧‧驅動電路基板
30‧‧‧SAW模組
30A‧‧‧配置部分
31‧‧‧壓電元件基板
31B‧‧‧背面
31F‧‧‧表面
32‧‧‧本體部分
32A‧‧‧第1本體部分
32B‧‧‧第2本體部分
33‧‧‧梳形電極對
33A‧‧‧第1梳形電極
33B‧‧‧第2梳形電極
34‧‧‧貫通孔
34A‧‧‧貫通孔
34B‧‧‧貫通孔
34X‧‧‧供給口
35‧‧‧散熱機構
35A‧‧‧貫通孔
36、651‧‧‧塗覆層
37‧‧‧隔壁
38、38A、38D、38E‧‧‧親水性層
38B、38C‧‧‧疏水性層
39、81‧‧‧檢測器
39A‧‧‧屏蔽
40‧‧‧封板
41‧‧‧開口
50‧‧‧上蓋
51‧‧‧入口
52‧‧‧出口
53‧‧‧O形環
60‧‧‧液供給部
61‧‧‧驅動部
71‧‧‧薄膜部分、感測器
72‧‧‧厚膜部分、感測器
71A、71B、72A、72B‧‧‧前端
73、74、82‧‧‧感測器
73A、74A‧‧‧射極
73B、74B‧‧‧接受器
82‧‧‧氣溶膠
83‧‧‧深度感測器
84‧‧‧構件
90‧‧‧吸液芯
91‧‧‧吸液芯核體
92‧‧‧保持層
100‧‧‧霧化單元
200、200A、200B‧‧‧液貯存部
300‧‧‧感測器
400‧‧‧控制部
500‧‧‧電源
610、610A、610B‧‧‧導引構件
611‧‧‧流路
612‧‧‧暫時貯存部
613‧‧‧導引狹縫
613B‧‧‧斜面
621‧‧‧壓電元件基板
622‧‧‧平板
623‧‧‧緩衝層
624‧‧‧物化表面層
631‧‧‧窄溝
631A至631D‧‧‧溝
641至643‧‧‧印刷電極
652‧‧‧接著層
653‧‧‧熱導電構件
653A‧‧‧柱狀部分
653B‧‧‧平板部分
654‧‧‧電路基板
655‧‧‧吸熱體
661、671‧‧‧殼體
661A、661B‧‧‧流路
662、668‧‧‧泵浦
663‧‧‧活塞
666、667‧‧‧液體
671A‧‧‧入口
672‧‧‧袋體
672A‧‧‧吐出口
676‧‧‧空氣
677‧‧‧液體
710‧‧‧上袋
710A‧‧‧開口
711、711A、711B‧‧‧導引壁
712、712A、712B‧‧‧感測器
721‧‧‧碰撞板
722‧‧‧分離體
725‧‧‧過濾器
第1圖係表示實施形態之香味吸嚐器1的圖。
第2圖係表示實施形態之霧化單元100的圖。
第3圖係表示從壓電元件基板31之表面側觀看SAW模組30之俯視圖。
第4圖係表示SAW模組30之剖面圖。
第5圖係用以說明有關氣溶膠之發生機制的圖。
第6圖係用以說明變更例1之貫通孔34的圖。
第7圖係用以說明變更例2之隔壁37的圖。
第8圖係用以說明變更例2之隔壁37的圖。
第9圖係用以說明變更例3之親水性層38的圖。
第10圖係表示第1實驗結果之圖。
第11圖係表示第2實驗結果之圖。
第12圖係表示第3實驗結果之圖。
第13圖係用以說明變更例5之圖。
第14圖係用以說明變更例6之圖。
第15圖係用以說明變更例6之圖。
第16圖係用以說明變更例7之圖。
第17圖係用以說明變更例7之圖。
第18圖係用以說明變更例8之圖。
第19圖係用以說明變更例8之圖。
第20圖係用以說明變更例8之圖。
第21圖係用以說明變更例9之圖。
第22圖係用以說明變更例9之圖。
第23圖係用以說明變更例9之圖。
第24圖係用以說明變更例9之圖。
第25圖係用以說明變更例9之圖。
第26圖係用以說明變更例10之圖。
第27圖係用以說明變更例11之圖。
第28圖係用以說明變更例12之圖。
第29圖係用以說明變更例13之圖。
第30圖係用以說明變更例14之圖。
第31圖係用以說明變更例14之圖。
第32圖係用以說明變更例14之圖。
第33圖係用以說明變更例14之圖。
第34圖係用以說明變更例15之圖。
第35圖係用以說明變更例16之圖。
第36圖係用以說明變更例16之圖。
第37圖係用以說明變更例17之圖。
第38圖係用以說明變更例18之圖。
第39圖係用以說明變更例19之圖。
第40圖係用以說明變更例19之圖。
第41圖係用以說明變更例19之圖。
第42圖係用以說明變更例20之圖。
第43圖係用以說明變更例20之圖。
第44圖係用以說明變更例20之圖。
第45圖係用以說明變更例22之圖。
第46圖係用以說明變更例23之圖。
第47圖係用以說明變更例23之圖。
第48圖係用以說明實驗結果之圖。
在以下中,說明有關實施形態。又,在以下之圖面記載中,在相同或類似之部分,賦予相同或類似之符號。但,圖面為示意性者,應注意各尺寸之比率等會有與實際結構相異的情形。
因此,具體的尺寸等係應參酌以下之說明而判斷。又,在圖面相互間,當然有包含互相的尺寸關係或比率相異之部分的情形。
[揭示之概要]
如先前技術說明,已提出一種將使用壓電元件基板之霧化單元使用於香味吸嚐器之技術。發明人等專心研究之結果,發現在使用於香味吸嚐器之霧化單元中使用壓電元件基板時,必須有各種更進一步的加工。
本發明之概要之霧化單元係具備:壓電元件基板,係具有藉由梳形電極對所構成之IDT;及,液供給部,係以將應霧化之液體供給至前述壓電元件基板之方式構成。前述壓電元件基板係以對前述梳形電極對以高頻率(共振頻率)施加電壓而產生之表面彈性波來使前述液體霧化之方式構成。前述壓電元件基板係具有:依據藉由前述表面彈性波霧化之所希望氣溶膠而決定之數量的前述梳形電極對。
若依據本發明之概要,梳形電極對之數量係依據所希望氣溶膠而決定。因此,在可供給至梳形電極對之電力受限的霧化單元中,可藉由液體之霧化效率的提升而提供適當的霧化單元。
[實施形態]
(香味吸嚐器)
在以下中,說明有關實施形態之香味吸嚐器。第1圖係表示實施形態之香味吸嚐器1的圖。
如第1圖所示,香味吸嚐器1係具有霧化單元100、液貯存部200、感測器300、控制部400、及電源500。香味吸嚐器1係具有收容霧化單元100、液貯存部200、感測器300、控制部400及電源500之殼體 1X。殼體1X係如第1圖所示,亦可具有矩形之箱體形狀,亦可具有圓筒形狀。香味吸嚐器1係具有從入口1A連通至出口1B之腔體1C。在出口1B係可設有濾嘴1D。濾嘴1D係可與殼體1X為一體,亦可與殼體1X為不同構件。濾嘴1D亦可具有過濾器。
霧化單元100係使從液貯存部200所供給之應霧化的液體霧化。霧化單元100係使用表面彈性波(SAW;Surface Acoustic Wave)而使液體霧化。霧化單元100係可構成為可拆卸之匣盒。後述係有關霧化單元100之詳細內容。
液貯存部200係收容液體。液貯存部200係可為構成可拆卸之匣盒。液貯存部200係可與霧化單元100成為一體構造。液體係可含有水、甘油、丙二醇、乙醇等之溶劑。液體係可含有有助於香氣及味道之至少任一者的溶質(香味成分)。香氣成分係可含有揮發性成分及非揮發性成分。揮發性成分只要為一般使用作為香料之成分即可。揮發性成分可為源自植物之成分,亦可為合成成分。例如,揮發性成分係薄荷醇、檸檬烯、沉香醇、香草精、煙草萃取物等。非揮發性成分係可為有助於味覺之成分。例如,非揮發性成分係葡萄糖、果糖、蔗糖及乳糖等之糖類,單寧、兒茶素及柚苷等之苦味物質,蘋果酸、檸檬酸等之酸類、鹽類等。液體係可為藉由乳化劑乳化之狀態,亦可為藉由分散劑懸浮之狀態。液體係可包含不溶於甘油及丙二醇且可溶於水之水溶性香料及離子性物質。
液貯存部200為匣盒,後述之SAW模組具有2個以上之貫通孔時,亦可從1個匣盒對2個以上之貫通孔供給液體,亦可從2個以上之匣盒個別地對2個以上之貫通孔供給液體。設有2個以上之匣盒時,各 匣盒亦可貯存相異之種類的液體。例如,第1匣盒可貯存揮發性成分,第2匣盒可貯存非揮發性成分。
液貯存部200為匣盒時,匣盒係可含有上述之濾嘴1D作為一體。若依據如此之構成,濾嘴1D亦伴隨匣盒之交換一起交換,故濾嘴1D可維持衛生性。
液貯存部200為匣盒時,匣盒可為用後即丟型,亦可為再填充型。再填充型係使用者將喜好之液體再填充於匣盒之型式。
感測器300係檢測使用者之吐氣動作。例如感測器300係檢測通過腔體1C之氣體的流動。例如感測器300為流量感測器。流量感測器係包含設置於腔體1C內之孔口。流量感測器係監視孔口之上游與孔口之下游之間的差壓,藉由被監視之差壓而檢測出空氣之流動。
控制部400係藉由處理器及記憶體等而構成,控制設於香味吸嚐器1之各構成。控制部400係可為可拆卸地構成之物品。例如,控制部400係藉由感測器300之檢測結果而具體指定吐氣動作之開始。控制部400係可依照吐氣動作之開始而開始霧化單元100之霧化動作。控制部400係亦可藉由感測器300之檢測結果而具體指定吐氣動作之停止。控制部400係可依照吐氣動作之停止而使霧化單元100之霧化動作停止。控制部400係可從吐氣動作之開始經過一定期間時使霧化單元100之霧化動作停止。
在實施形態中,控制部400係控制後述之SAW模組的電壓暨頻率控制電路。電壓暨頻率調整電路係就霧化單元100之霧化動作而言,控制被供給至SAW模組30之電力(例如交流電壓)的頻率及大小。但,如後述,電壓暨頻率調整電路亦可設於驅動電路基板20。
電源500係供給驅動香味吸嚐器1之電力。電源500可為錳、鹼、氫氧電池(Oxyride)、鎳、鎳錳、鋰等之一次電池,亦可為鎳鎘電池、鎳氫電池、鋰電池等之二次電池。電源500亦可為可拆卸地構成之物品。
(霧化單元)
在以下,說明有關實施形態之霧化單元。第2圖係表示實施形態之霧化單元100的圖。
如第2圖所示,霧化單元100係具有殼體10、驅動電路基板20、SAW模組30、封板40及上蓋50。
殼體10係收容驅動電路基板20、SAW模組30及封板40。殼體10可收容收容體,該收容體係收容應霧化之液體,殼體10亦可收容將液體供給至SAW模組30之液供給部(例如注射式泵浦)。
驅動電路基板20係具有驅動SAW模組30之驅動電路。可認為驅動電路基板20係含有上述之控制部400的一部分(例如電壓/頻率控制電路)。或,亦可認為驅動電路基板20為控制部400之一部分。例如,驅動電路係使用從電源500所供給之電力驅動SAW模組30。驅動電路係控制供給至SAW模組30之電力(例如交流電壓)的頻率及大小。驅動電路係亦可控制供給至SAW模組30之液體的量。
SAW模組30係如後述,具有藉由至少1種之梳形電極對構成的IDT之壓電元件基板。後述係有關SAW模組30之詳細內容(參照第3圖及第4圖)。
封板40係配置於驅動電路基板20及SAW模組30上之板狀構件。驅動電路基板20及SAW模組30係配置於殼體10與封板40之間。封板40係具有至少使壓電元件基板露出之開口41。例如封板40係藉由不銹鋼所構成。
上蓋50係配置於封板40上。上蓋50係具有入口51及出口52,具有從入口51至出口52之空氣流路。氣溶膠係藉由從入口51朝出口52之空氣流,而從SAW模組30導出至出口52。上蓋50係可具有提高空氣流路之氣密性的O型環53。例如,上蓋50係藉由具有耐熱性之聚碳酸酯等樹脂而構成,O型環53係可藉由具有彈性之矽等樹脂而構成。出口52之位置為任意,但亦可設於封板40之開口41的正上方。依據藉由如此之構成,可從SAW模組30有效率地導引朝向正上方產生之氣溶膠,可縮短氣溶膠之流路。出口52可具有過濾器。
(SAW模組)
在以下,說明有關實施形態之SAW模組。第3圖係表示從壓電元件基板31之表面側觀看SAW模組30之俯視圖。第4圖係表示SAW模組30之剖面圖。
如第3圖及第4圖所示,SAW模組30係具有:壓電元件基板31、電極(藉由本體部分32及梳形電極對33所構成之IDT)、貫通孔34及散熱機構35。壓電元件基板31係以藉由對梳形電極對33以高頻率(共振頻率)施加電壓而產生之SAW以使液體霧化之方式構成。
壓電元件基板31係具有:配置有本體部分32及梳形電極對33之表面31F,及設於表面31F之相反側的背面31B。壓電元件基板31 係包含藉由電壓之施加而伸縮之壓電體。壓電元件基板31之中,亦有時將配置有梳形電極對33之部分稱為配置部分30A。壓電體係只要至少構成表面31F即可。壓電體係可使用石英、鈦酸鋇、鈮酸鋰等之陶瓷等所構成之已知的壓電體。
本體部分32係與電源500電性連接。本體部分32係具有:第1本體部分32A,係與梳形電極對33之其中一者的第1梳形電極33A為一體;及第2本體部分32B,係與梳形電極對33之其中另一者的第2梳形電極33B為一體。第1本體部分32A及第2本體部分32B係在相對於SAW之行進方向A的正交方向B中夾住配置領域30A而配置。從電池輸出之電力係通過本體部分32而供給至梳形電極對33。
梳形電極對33係具有第1梳形電極33A及第2梳形電極33B。第1梳形電極33A及第2梳形電極33B係在SAW之行進方向A交互配置。第1梳形電極33A係具有從第1本體部分32A沿著正交方向B延伸之形狀。第2梳形電極33B係具有從第2本體部分32B沿著正交方向B而延伸之形狀。例如,梳形電極對33係藉由施予金鍍覆之金屬等構成。
貫通孔34係從背面31B至表面31F貫通壓電元件基板31之孔。貫通孔34係形成將液體從背面31B導引至表面31F之流路。貫通孔34係在從表面31F之側觀看見的俯視中,具有在SAW之行進方向A的最大幅寬WMAX及在正交方向B之最大長LMAX。最大長LMAX係大於最大幅寬WMAX。換言之,貫通孔34係在正交方向B具有長的形狀(例如橢圓形狀或長方形狀)。貫通孔34為橢圓形狀或長方形狀時,只要貫通孔34之長軸沿著正交方向B即可。所謂沿著正交方向B,係只要貫通孔34之長軸 相對於正交方向B具有45°以下之傾斜即可。最大長LMAX較佳係大於正交方向B之配置區域30A(例如第1梳形電極33A及第2梳形電極33B之重疊部分)的長度。如第3圖所示,貫通孔34較佳係夾住梳形電極對33而含有至少2個貫通孔。依據如此之構成,SAW與液體之相互作用會增大,以相同的電力霧化之液體的量會增大。
散熱機構35係以奪去藉由在壓電元件基板31之端部的表面彈性波之反射產生的熱所構成的機構。散熱機構35係包含具有導熱性高於壓電元件基板31之導熱性的材料所構成之散熱層及帕耳貼(Peltier)元件之至少任一者。散熱機構35係具有連接貫通孔34之貫通孔35A。貫通孔35A係用以將液體導入於壓電元件基板31之表面31F的孔。第4圖所示之例,散熱機構35係配置於壓電元件基板31的背面31B之散熱層。然而,實施形態不限定於此。例如散熱機構35係只要與壓電元件基板31接觸即可,亦可配置於壓電元件基板31之表面31F。散熱機構35係可為帕耳貼元件。散熱機構35亦可為含有散熱層及帕耳貼元件之兩者。例如,散熱層係可使用鋁、銅、鐵等之金屬,亦可使用碳、氮化鋁、陶瓷。例如,帕耳貼元件係可藉由接著劑(油脂、環氧樹脂、金屬膏)而貼合於壓電元件基板31。接著劑之導熱性較佳係高於0.1W/m/K。再者,接著劑之導熱性較佳係高於0.5W/m/K。接著層以薄者為佳,薄的接著層係可藉由網版印刷來實現。
如第4圖所示,壓電元件基板31之背面31B側,係設有以將液體供給至壓電元件基板31之方式構成的液供給部60。液供給部60係經由貫通孔34及貫通孔35A而將液體供給至壓電元件基板31之表面31F。
例如,液供給部60為注射式泵浦。在如此之案例中,貫通孔34及貫通孔35A係構成液體之流路。注射式泵浦可為手動式,亦可為電動式。
第3圖係例示一種液供給部60為注射式泵浦之案例,但實施形態並不限定於此。例如,液供給部60可為藉由毛細管現象供給液體之構件。在如此之案例中,液供給部60係包含吸起液體之毛細管構件,貫通孔34及貫通孔35A係構成用以供毛細管構件通過之孔。毛細管構件之第1端係至少達到液貯存部200,且毛細管構件之第2端係達到SAW模組30。毛細管構件係在貫通孔34及貫通孔35A之剖面中,配置於剖面之至少一部分。毛細管構件係可藉由源自天然之纖維質材料、源自植物之纖維材料、合成纖維材料之至少任一者所構成。例如源自天然之纖維質材料係可為植物乾燥物、植物乾燥物之裁切物、煙草葉之裁切物、果實乾燥物、果實乾燥物之裁切物、蔬菜乾燥物、蔬菜乾燥物之裁切物的至少任一者。例如,源自植物之纖維材料係可為脫脂綿、麻纖維之至少任一者。毛細管構件係可為成形為片狀之植物乾燥物的裁切物,例如濾紙或煙草片之裁切物等。
再者,液供給部60可為注射式泵浦及毛細管構件之組合。貯存於液貯存部200之液體的殘量為閾值以上時,藉由毛細管構件供給液體,液體之殘量未達閾值時,亦可藉由注射式泵浦供給液體。可依據預定基準而藉由控制部400區分使用注射式泵浦及毛細管構件。
液供給部60係液貯存部200為匣盒時,可因應匣盒之裝載而自動地將液體供給至SAW模組30。液供給部60係設有用以驅動香味吸 嚐器1之電源開關時,可因應電源開關之開啟而自動地將液體供給至SAW模組30。
如第4圖所示,SAW模組30可含有塗覆層36。塗覆層36係可被覆壓電元件基板31之全部,亦可被覆壓電元件基板31之一部分。塗覆層36係可設於貫通孔34之內側。依據如此之構成,可抑制液體對壓電元件基板31之接觸。再者,藉由適當堆積塗佈材料,塗覆層36係除了設於貫通孔34之內側,尚可設於貫通孔35A之內側。依據如此之構成,可更抑制液體對壓電元件基板31之接觸。
塗覆層36係只要可藉由抑制伴隨液體附著等之壓電元件基板31的改質之材料而構成即可。例如塗覆層36亦可藉由聚丙烯及聚乙烯等高分子材料而構成。塗覆層36係亦可藉由金屬、碳、鐵氟龍(註冊商標)、玻璃、帕里綸(Parylene)、二氧化矽、二氧化鈦或氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁之陶瓷材料等而構成。
在如此之前提下,壓電元件基板31係具有依據以SAW霧化之所希望氣溶膠而決定之數量的梳形電極對33。具體而言,梳形電極對33之數量係依據以SAW霧化之氣溶膠的霧化效率而決定。包含於梳形電極對33且互相鄰接之電極的間隔及行進方向之電極幅寬,係依照依據以SAW霧化之氣溶膠的所希望粒徑而設定之頻率來決定。
在此,所希望氣溶膠係含有所希望粒徑之氣溶膠作為個數濃度之峰值的氣溶膠。所謂霧化效率係供給至梳形電極對33之電力為一定時,為氣溶膠之個數濃度的高度。個數濃度係每單位體積所含之氣溶膠粒子的數量。例如次微米之液滴的個數濃度為108個/cm3以上。
在實施形態,供給至梳形電極對33之電力係藉由具有霧化單元100之香味吸嚐器所具備之電池供應。在如此之環境下,供給至梳形電極對33之電力係以3W以上為較佳。藉由電力為3W以上,適當地產生液體之霧化。另一方面,供給至梳形電極對33之電力係以10W以下為較佳。藉由電力為10W以下,在電池可供給之電力及容量等之限制下,可抑制梳形電極對33、壓電元件基板及液體之過加熱等,同時並可適當地控制供給至梳形電極對33之電力。
一般,供給至梳形電極對33之電力的減少係可抑制SAW模組30之過加熱,但亦引起氣溶膠量之減少。在如此之前提下,就抑制SAW模組30之過加熱的觀點而言,供給至梳形電極對33之電力的量係可藉由PWM(Pulse Width Modulation,脈衝寬度調變)控制。依據如此之構成,可抑制藉由SAW產生之氣溶膠量的減少,同時亦可藉由PWM而抑制SAW模組30之過加熱。
在如此之電力的限制下,梳形電極對33之數量係以10以上為較佳。依據如此之構成,可以高的霧化效率使液體霧化。另一方面,梳形電極對33之數量係以80以下為較佳。依據如此之構成,頻率帶不會太過窄,即使考量霧化單元100之製造參差不齊及相異之條件(溫度、壓力、濕度等)的共振頻率之參差不齊,亦可實現適當的霧化。
在互相鄰接之電極的間隔及行進方向之電極的幅寬係必定藉由供給至梳形電極對33之電力的頻率而定。若頻率愈高,互相鄰接之電極的間隔變窄,氣溶膠之粒徑變小。在如此之關係下,例如,具有峰值之個數濃度的所希望粒徑可為0.2μm至1.0μm。在如此之案例中,頻率以 20MHz以上為較佳。依據如此之構成,可將具有峰值之個數濃度的粒徑抑制於所希望粒徑之範圍。另一方面,頻率係以200MHz以下為較佳。依據如此之構成,電極之間隔會太窄,可降低高於最小電力(例如3W)之電力的電極產生短路之可能性。
如上述,應注意在發明人等係專心研究之結果,獲得在可供給至梳形電極對33之電力被限制的條件下,依據氣溶膠之霧化效率而制定梳形電極對33之數量的新穎見識。亦應注意發明人等獲得因應依據氣溶膠之所希望粒徑而設定的頻率而決定電極之間隔(亦即頻率)之見識。再者,應注意發明人等獲得依據因應電極之間隔(亦即頻率或所希望粒徑)而霧化效率可改變之見識,而依據所希望氣溶膠來決定梳形電極對33之數量的新穎見識。所希望氣溶膠係所希望粒徑之氣溶膠在所希望分布含有的氣溶膠。
再者,發明者人等係專心研究之結果,獲得在梳形電極對33之重複部分的長度(以下,H)與SAW之波長(以下,λ0)之比率(以下,R)為預定範圍時,氣溶膠之霧化效率高的新穎見識。R(=H/λ0)係以10以上為較佳,以150以下為較佳。再者,R係以未達70為較佳,以50以下為較佳。在此,λ0係藉由供給至梳形電極對33之電力的頻率(以下,f)與SAW之傳遞速度(以下,v)之比率(v/f)而表示。f係與電極之間隔及行進方向之電極的幅寬有相關,v係與設有梳形電極對33之壓電元件基板的種類(特性)有相關。換言之,梳形電極對33之重複部分的長度,電極之間隔及壓電元件基板的種類較佳係以滿足10≦R≦150之關係的方式決定。依據如此之構成,可提供氣溶膠之霧化效率高的霧化單元100。
(貫通孔之形狀)
在以下,說明有關實施形態之貫通孔的形狀。第5圖係用以說明有關氣溶膠之發生機制的圖。
如第5圖所示,從貫通孔34露出之液體中,與SAW接觸之部分相對地接近之部分係構成薄膜部分71。從貫通孔34露出之液體中,從與SAW接觸之部分相對地遠之部分係構成厚膜部分72。從薄膜部分71霧化之氣溶膠81的粒徑係小於從厚膜部分72霧化之氣溶膠82的粒徑。因此,所希望粒徑為比較小之粒徑(例如0.2μm至1.0μm)時,從表面31F側觀看壓電元件基板31之俯視中,增大薄膜部分71之面積為有效。從如此之觀點,較佳係貫通孔34具有最大長LMAX大於最大幅寬WMAX之形狀。
再者,若設想貫通孔所具有的圓形狀具有相當於最大長LMAX之直徑,則從貫通孔露出之液體的面積過大,使用者將香味吸嚐器1傾斜時,亦有可能液體流出至壓電元件基板31上。從如此之觀點,較佳係貫通孔34具有最大長LMAX大於最大幅寬WMAX之形狀。
(作用及效果)
依據實施形態,梳形電極對33之數量係依據所希望氣溶膠而定。因此,可供給至梳形電極對33之電力受限的霧化單元100中,可藉由液體之霧化效率的提升而提供適當的霧化單元。
[變更例1]
在以下中,說明有關實施形態之變更例1。在以下中,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例1中,貫通孔34係與實施形態同樣地,具有最大長LMAX大於最大幅寬WMAX之形狀。在如此之前提下,如第6圖所示,貫 通孔34係設置成藉由貫通孔34進行反射之SAW的反射波與藉由梳形電極對33所生成之SAW的干渉降低。具體而言,貫通孔34之長軸較佳係相對於正交方向B具有傾斜。貫通孔34之長軸相對於正交方向B可具有30°以上且45°以下之傾斜。又,貫通孔34之形狀並非限定於第6圖所示之橢圓形狀,亦可為矩形形狀。
再者,貫通孔34係可具有橢圓形狀及矩形形狀以外之形狀。即使為如此之案例,亦設置成藉由貫通孔34進行反射之SAW的反射波與藉由梳形電極對33所生成之SAW的干渉降低。例如,貫通孔34之至少一部分係藉由貫通孔34與SAW接觸之邊緣線而區隔,邊緣線係相對於SAW之行進方向A所相對之正交方向B而具有傾斜。在此,邊緣線係可具有與正交方向B平行之部分。但,邊緣線之至少一半以上的部分較佳係相對於正交方向B具有傾斜。邊緣線之至少一半以上的部分較佳係相對於正交方向B具有30°以上且45°以下之傾斜。貫通孔34為橢圓形狀或長方形狀時,貫通孔34之長軸相對於正交方向B具有30°以上且45°以下之傾斜。
依據如此之構成,藉由對梳形電極對33以高頻率(共振頻率)施加電壓而產生之SAW不易受到以貫通孔34反射之SAW的反射波干渉。因此,壓電元件基板31之耐久性會提升,氣溶膠之霧化效率亦會提高。
[變更例2]
在以下,說明有關實施形態之變更例2。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例2中,SAW模組30係具有使從貫通孔34露出之液體與配置部分30A隔開之隔壁37。隔壁37係以被覆配置部分30A之整體為較佳。再者,隔壁37係可構成為使從入口51至出口52之空氣流路與配置部分30A隔開。依據如此之構成,可抑制液體之附著及伴隨從入口51所導入之空氣的碰撞之梳形電極對33的劣化。
如第7圖所示,隔壁37係亦可在配置部分30A與貫通孔34之間以與壓電元件基板31之表面31F接觸的方式設於表面31F。若依據如此之構成,可確實地抑制伴隨液體附著等之梳形電極對33的劣化。隔壁37係可不被覆壓電元件基板31之整體。典型上,隔壁37係亦可設置於從壓電元件基板31之端部僅離開0.5mm(典型的薄膜之幅寬)之位置。
在如此之案例中,在比貫通孔34更靠梳形電極對33側設有霧化區域時,隔壁37可在配置部分30A與霧化區域之間以與壓電元件基板31之表面31F接觸之方式設於表面31F。
如第8圖所示,隔壁37係可在配置部分30A與貫通孔34之間以不與壓電元件基板31之表面31F接觸之方式設於表面31F。可避免SAW之傳遞受到隔壁37阻礙之事態,同時可某種程度抑制伴隨液體附著等之梳形電極對33的劣化。再者,為了SAW之傳遞所設之隔壁37與表面31F之間的間隙可為數微米左右。若為如此之間隙,可充分抑制梳形電極對33之劣化。
在如此之案例中,當在比貫通孔34更靠梳形電極對33側設有霧化區域時,隔壁37係在配置部分30A與霧化區域之間以不與壓電元件基板31之表面31F接觸之方式設於表面31F。
[變更例3]
在以下,說明有關實施形態之變更例3。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例3中,如第9圖所示,在梳形電極對33與貫通孔34之間,連續至貫通孔34之親水性層38設於壓電元件基板31之表面31F。例如,親水性層38係藉由鐵氟龍(註冊商標)樹脂、玻璃纖維等所構成。親水性層38可藉由一般所知之親水化處理技術而形成。例如,親水化處理技術係可為乙酸酯等親水性高分子膜之形成、類鑽石碳成膜處理、電漿處理、表面凹凸處理或此等組合等。依據如此之構成,從貫通孔34露出之液體容易移動至親水性層38,容易在親水性層38上形成液體之薄膜。因此,可從形成於親水性層38上之薄膜產生小粒徑之氣溶膠。例如,所希望粒徑為比較小的粒徑(例如0.2μm至1.0μm)時,以設有親水性層38為較佳。
[變更例4]
在以下,說明有關實施形態之變更例4。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例4中,設有顯示香味吸嚐器1的狀態之顯示裝置。顯示裝置係可設於香味吸嚐器1之殼體1X的外面,亦可設於與香味吸嚐器1不同之構件。顯示裝置為與香味吸嚐器1不同構件時,顯示裝置係具有與香味吸嚐器1進行通訊之功能。顯示裝置係包含液晶或有機EL等之顯示器。顯示裝置係亦可顯示貯存於液貯存部200之液體殘量,亦可顯示使用者所執行之吸吐氣動作的次數。
[實驗結果]
(第1實驗)
在以下,說明有關第1實驗。在第1實驗中,藉由變更梳形電極對33之數量,以目視確認出氣溶膠之霧化狀態。第10圖表示第1實驗之結果的圖。
N=20之試樣中,梳形電極對33之數量為20,以46.09MHz之頻率對梳形電極對33施加9.5W之電力。在N=40之試樣,梳形電極對33之數量為40,以46.42MHz之頻率對梳形電極對33施加9.0W之電力。在N=80之試樣,梳形電極對33之數量為80,以46.505MHz之頻率對梳形電極對33施加8.0W之電力。
第10圖所示,可確認出N=40之試樣的氣溶膠量多於N=20之試樣的氣溶膠量,N=80之試樣的氣溶膠量多於N=40之試樣的氣溶膠量。從如此之實驗結果,可以目視確認出梳形電極對33之數量愈多,霧化效率愈高。
又,對於梳形電極對33之數量為160之試樣亦進行實驗,但確認出在如此之試樣中以同樣之電力不會產生霧化。如此之結果係如在第2實驗說明,因NBW過窄而使可使用之頻率過窄,故認為起因於以最有效率的頻率恆常驅動裝置之技術的困難性而不會產生適當的霧化之故。
(第2實驗)
在以下,說明有關第2實驗。在第2實驗中,藉由變更梳形電極對33之數量,確認出NBW。第11圖表示第2實驗之結果的圖。在第11圖中,“N”係梳形電極對33之數量。“Frequency”係施加於梳形電極對33之交流 電壓的頻率。“NBW”係以SAW之功率反射係數的程度小於閾值之SAW的共振頻率作為中心之頻率帶。小的情形之SAW的功率反射係數係意指許多電力能量轉換為機械能量。亦即,以SAW之共振頻率作為中心之頻率帶的NBW中,達成最大之能量轉換。
如第11圖所示,確認出隨著梳形電極對33之數量增大而NBW(Null Bandwidth)變窄。如上述,有關N=160之試樣,確認出因NBW太窄而使可使用之頻率過窄,故推斷不會產生適當的霧化。
如此,雖然從第1實驗之結果,確認出隨著梳形電極對33之數量增大而霧化效率提升,但從第2實驗之結果,確認出梳形電極對33之數量太多,反而會使霧化效率降低。亦即,從第1實驗及第2實驗之結果,確認出較佳為依據氣溶膠之霧化效率而決定梳形電極對33之數量。換言之,確認出梳形電極對33之數量較佳為以NBW不會低於預定幅寬,且滿足氣溶膠量為閾值以上之條件的方式來決定。
(第3實驗)
在以下,說明有關第3實驗。對於3個試樣,確認出平均體積徑(Dv50)之頻率的效果。第12圖表示第3實驗之結果的圖。
「Straight IDT-2.25mm」之式樣所具有之直線形狀的梳形電極對33具有2.25mm之長度。「Straight IDT-4.5mm」之式樣所具有之直線形狀的梳形電極對33具有4.5mm之長度。「Focussed IDT-50°」之式樣所具有之扇形形狀的梳形電極對33具有2.25mm之長度,並具有50°之中心角。
如第12圖所示,確認出不依梳形電極對33之設計,而伴隨頻率之增加,平均體積徑(Dv50)變小。依據如此之結果,確認出只要依據氣溶膠之所希望粒徑而決定電極之間隔及電極之幅寬(亦即頻率)即可。
[變更例5]
在以下,說明有關實施形態之變更例5。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例5中,說明有關施加於梳形電極對33之高頻的電壓之振幅。
具體而言,在變更例5中,控制部400係週期性變更施加於梳形電極對33之高頻的電壓之振幅。依據如此之構成,可抑制液滴從導入至壓電元件基板31之表面31F的液體飛濺。藉此,可有效利用液體,可實現穩定的氣溶膠之霧化。更詳細而言,在施加高電壓時,以接近梳形電極對33之側的液體(薄膜部分)使氣溶膠霧化,在施加低電壓時,促進因霧化而減少之液體的供給。此等之現象周期性反覆,而抑制粗大粒子之生成,同時並可增大微粒子之霧化量。又,以100Hz左右之周期重複高電壓/低電壓為較佳。
例如,如第13圖所示,高頻電壓之周期性的振幅係可描繪正弦波形狀,亦可描繪矩形波形狀,亦可描繪三角波形狀,亦可描繪鋸齒波形狀。尤佳係以高頻電壓之周期性的振幅描繪矩形波形狀之方式施加高頻電壓。
[變更例6]
在以下,說明有關實施形態之變更例6。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例6中,係說明有關施加於梳形電極對33之電壓的最佳頻率之輪廓。所謂最佳頻率係SAW之功率反射係數的程度小於閾值之SAW的共振頻率(例如上述之NBW的中心頻率)。
第1,說明有關因導引至壓電元件基板31之表面31F的液體之液供給速度(μl/sec)與時間之關係而最佳頻率產生變化之情形。具體而言,如第14圖所示,準備液供給速度相異之試樣(在第14圖中,為12之試樣),確認出對梳形電極對33施加電壓之時間與最佳頻率之關係。但,梳形電極對33之幅寬係設為固定。依據如此之確認結果,可知隨著時間之經過而最佳頻率產生變化,亦可知如此之變化會依液供給速度而異。因此,控制部400係可監視依照液供給速度及時間經過而變化之最佳頻率,並且藉由以所監視之最佳頻率供給電力,提高氣溶膠之霧化效率。
第2,說明有關因藉由對梳形電極對33以高頻施加電壓而產生之SAW之輸出(W)與時間之關係而最佳頻率產生變化之情形。具體而言,如第15圖所示,準備SAW之輸出為相異之試樣(在第15圖係顯示5個試樣),確認出對梳形電極對33施加電壓之時間與最佳頻率之關係。但,梳形電極對33之幅寬係設為固定。依據如此之確認結果,可知隨著時間之經過最佳頻率會產生變化,亦可知如此之變化因SAW之輸出而相異者。因此,控制部400係可監視依照SAW之輸出及時間經過而變化之最佳頻率,並且藉由以所監視之最佳頻率供給電力,提高氣溶膠之霧化效率。
[變更例7]
在以下,說明有關實施形態之變更例7。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例7,說明有關導引至壓電元件基板31的表面31F之液體的液供給速度(μl/sec)與對梳形電極對33以高頻施加電壓而產生之SAW的輸出(W)之關係。
第1,如第16圖所示,控制部400係以SAW之輸出在時刻t2達到所希望位準之方式,從時刻tStart徐緩地增大SAW之輸出。控制部400係在時刻tEnd使SAW之輸出為零。另一方面,控制部400係在時刻t1將液供給速度增大至所希望位準。控制部400係在時刻tEnd使液供給速度為零。時刻t1係可為時刻tStart與時刻t2之間。
第2,如第17圖所示,控制部400係以SAW之輸出在時刻t2達到所希望位準之方式,從時刻tStart徐緩地增大SAW之輸出。控制部400係在時刻tEnd使SAW之輸出為零。另一方面,控制部400係在時刻t3將液供給速度增大至所希望位準。從時刻t1徐緩地增大液供給速度。控制部400係在時刻tEnd使液供給速度為零。時刻t1係可為時刻tStart與時刻t2之間。時刻t3可為時刻t2之後。
又,時刻tStart係可為吐氣動作之開始被感測器300檢測出之時機點,亦可為用以進行吐吸動作之按鍵被押下之時機點。時刻tEnd係亦可為吐吸動作之結束被感測器300檢測出之時機點,亦可為用以進行吐吸動作之按鍵不再被押下之時機點。
如第16圖及第17圖所示,SAW之輸出從時刻tStart徐緩地增大,且在比時刻tStart更後之時刻t1開始液供給速度之增大,故在增 大SAW之輸出(W)之初始段階,可抑制大粒徑之液滴從導引至壓電元件基板31之表面31F的液體飛濺。再者,如第17圖所示,藉由使液供給速度徐緩地增大,可抑制大粒徑液滴之飛濺。
[變更例8]
在以下,說明有關實施形態之變更例8。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例8,係設有檢測氣溶膠之狀態的檢測器。例如,控制部400係依據檢測器之檢測結果,可反饋氣溶膠生成不良等之錯誤。檢測器係可為檢測在氣溶膠生成所產生之微弱雜訊的麥克風感測器。
如第18圖所示,檢測器39係可設於壓電元件基板31之背面31B。檢測器39較佳係夾住壓電元件基板31而設於液體之相反側。
如第19圖所示,檢測器39係可設於壓電元件基板31之表面31F。使SAW之行進方向設為P方向時,檢測器39係亦可在與P方向正交之Q方向設於液體之鄰近處。檢測器39以不接觸液體為較佳。
如第20圖所示,檢測器39係在壓電元件基板31之表面31F上,亦可設於從壓電元件基板31之表面31F分離的位置。為了抑制檢測器39與氣溶膠之接觸,較佳係在檢測器39與氣溶膠之間設有屏蔽39A。
[變更例9]
在以下,說明有關實施形態之變更例9。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例9,設有檢測從貫通孔34露出之液體的感測器。例如,控制部400亦可依據感測器之檢測結果,控制液供給部60(液供給 速度等)。依據如此之構成,可藉由正確的泵浦控制而防止霧化液體對霧化部之供給過剩與在霧化部之液體的枯竭,並提高氣溶膠霧化之穩定性。
如第21圖所示,感測器71係可為具有1對之前端(例如前端71A、71B)的導電度感測器。1對之前端係鄰接貫通孔34,藉由從貫通孔34露出之液體而電性連接。感測器71係藉由1對之前端間的電性訊號的傳導度而檢測液體之存在。
如第22圖所示,感測器72係可為具有2對以上之前端(例如前端72A、72B等)之導電度感測器。2對以上之前端係鄰接貫通孔34,藉由從貫通孔34露出之液體而電性連接。但,設有前端對之位置為互相相異。可藉由前端對間之電性訊號的傳導度而監視薄膜之均勻性,可藉由使用感測器72而在設有前端對之位置檢測液體之存在。
如第23圖所示,感測器73係可為具有輸出預定訊號之射極(例如射極73A)與接受預定訊號之接受器(例如接受器73B)之感測器。射極73A及接受器73B係夾住貫通孔34而配置,感測器73係藉由預定訊號之傳遞程度而檢測液體之存在。射極73A及接受器73B係可藉由薄膜固體墊而構成。
如第24圖所示,感測器74係可為具有輸出SAW之射極(例如射極74A)與接受SAW之接受器(例如接受器74B)之SAW感測器。射極74A及接受器74B係隔著貫通孔34而配置,感測器74係藉由SAW之傳遞程度而檢測液體之存在。射極74A及接受器74B係可藉由薄膜IDT而構成。
如第25(a)圖及第25(b)圖所示,感測器75係可為具有1對以上之電極(例如前端75A、75B等)之靜電容量感測器。在如此之案例中,1對以上之電極係配置成橫跨配置在霧化區域之液體。感測器75係藉由液體之有無而產生之靜電容量的差異,檢測是否有液體存在。在如此之案例中,可不設有貫通孔34。
[變更例10]
在以下,說明有關實施形態之變更例10。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例10,說明有關變更例8及變更例9之組合例。如第26圖所示,SAW模組30係具有檢測器81、感測器82及深度感測器83。
檢測器81係與在變更例8說明之檢測器39為同樣地,檢測氣溶膠之狀態。感測器82係與在變更例9說明之導電度感測器或SAW感測器為同樣地,檢測從貫通孔34露出之液體。深度感測器83係檢測貫通孔34之液體深度(液體之表面水位)。深度感測器83係可為藉由電氣訊號之傳導度而檢測液體存在之導電度感測器。
在如此之構成中,控制部400係在氣溶膠之霧化前後,如第26圖之上段所示,依據深度感測器83之檢測結果,控制液供給部60(液供給速度等)。例如,控制部400係以維持液體於所希望深度之方式控制液供給部60。依據如此之構成,氣溶膠之霧化的回應性會提高。
控制部400係在氣溶膠之霧化中,如第26圖之下段所示,依據檢測器81之檢測結果,反饋氣溶膠生成之不良等的錯誤。控制部400 係可將錯誤通知使用者,可停止香味吸嚐器1(例如霧化單元100)之動作。再者,控制部400係依據感測器82之檢測結果,控制液供給部60(液供給速度等)。依據如此之構成,氣溶膠霧化之穩定性會提升。
又,亦可藉由深度感測器83控制霧化中之液體量。藉由深度感測器83而檢測液體量之減少時,控制部400係依據深度感測器83之檢測結果,控制液供給部60(液供給速度等)。依據如此之構成,在霧化中液體之量亦被控制在適量,故氣溶膠之霧化穩定性會提高。
再者,雖無圖示,但深度感測器83係可設有可檢測之深度為相異之2種以上的深度感測器。如此之情形,容易在可檢測之深度為相異之深度感測器的範圍內正確地控制溶液量。例如,在以可檢測第1深度之液體的深度感測器檢測出液體,且未以可檢測比第1深度更淺的第2深度之液體的深度感測器檢測出液體時,可檢測出液體之深度為第1深度與第2深度之間。
[變更例11]
在以下,說明有關實施形態之變更例11。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例11,說明有關在壓電元件基板31之表面31F導引液體之方法。具體而言,如第27圖所示,在壓電元件基板31之表面31F係設有供給口34X、親水性層38A、疏水性層38B及疏水性層38C。
供給口34X係供給液體之點。供給口34X係設於SAW之進路外。因此,供給口34X係不須要為上述之貫通孔34,亦可為從壓電元件基板31之表面31F側供給液體之點。
親水性層38A係連續至供給口34X,在SAW之進路內具有導引液體之圖型。與親水性層38A比較,疏水性層38B係設於接近梳形電極對33之側,並離開親水性層38A而設。與親水性層38A比較,疏水性層38C係設於遠離梳形電極對33之側,並離開親水性層38A而設。藉由疏水性層38B及疏水性層38C,可限制來自親水性層38A之液體的移動,並減少SAW對液體之接觸角度,氣溶膠之霧化效率會提升。
依據如此之構成,不須設置貫通孔34,故容易設置被覆壓電元件基板31之塗覆層36。
[變更例12]
在以下,說明有關實施形態之變更例12。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例12,說明有關對壓電元件基板31之表面31F供給液體之方法。具體而言,如第28圖所示,在壓電元件基板31之表面31F係設有親水性層38D及吸液芯90。
親水性層38D係設於SAW之進路上。親水性層38D係具有長度L及幅寬W,構成使氣溶膠霧化之霧化區域。吸液芯90係連續至親水性層38D,將液體供給至親水性層38D。吸液芯90係可具有維持吸液芯90形狀之吸液芯核體91及保持液體之保持層92。與壓電元件基板31之表面31F接觸之吸液芯核體91,較佳係藉由具有能夠以吸液芯核體91反射在壓電元件基板31傳遞之SAW之硬度的金屬或塑膠而構成。保持層92係可藉由毛細管現象供給液體之毛細管構件而構成。
若依據如此之構成,不須設置貫通孔34,故容易設置被覆壓電元件基板31之塗覆層36。
[變更例13]
在以下,說明有關實施形態之變更例13。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例13係說明有關對壓電元件基板31之表面31F供給液體之方法。具體而言,如第29圖所示,在壓電元件基板31之表面31F係設有親水性層38E及構件84。再者,在壓電元件基板31之表面31F上係設有液貯存部200及馬達61。
親水性層38E係設於SAW之進路上,構成使氣溶膠霧化之霧化區域。構件84係可為檢測液體存在之感測器,亦可為檢測氣溶膠狀態之檢測器。
液貯存部200及驅動部61係構成在親水性層38E之附近滴下液體之裝置。例如,液貯存部200係可貯存液體,以及具有滴下液體之噴嘴。驅動部61係可為產生從噴嘴滴下液體之驅動力的構件(例如馬達)。
依據如此之構成,不須設置貫通孔34,故容易設置被覆壓電元件基板31之塗覆層36。
[變更例14]
在以下,說明有關實施形態之變更例14。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例14,說明有關在壓電元件基板31之表面31F供給液體之方法。具體而言,如第30圖及第31圖所示,SAW模組30係具有導引液體之導引構件610。壓電元件基板31係被塗覆層36被覆。
導引構件610係在壓電元件基板31之邊緣部分設於壓電元件基板31之表面31F。導引構件610之形狀具有從壓電元件基板31之表面31F起算之預定高度。導引構件610係可藉由具有高導熱性之材料(例如金屬或陶瓷)而構成。導引構件610係具有流路611、暫時貯存部612及導引狹縫613。流路611係構成液體之流路。暫時貯存部612係將經由流路611而供給之液體暫時貯留。導引狹縫613係相對於壓電元件基板31之表面31F具有傾斜。導引狹縫613係將從暫時貯存部612溢出之液體藉由自重及/或毛細管力導引至壓電元件基板31之表面31F。導引狹縫613係亦可設有2個以上之導引狹縫。
若依據如此之構成,藉由設於壓電元件基板31之邊緣部分的導引構件610,而可在從壓電元件基板31之邊緣部分離開的位置配置霧化區域,並可抑制在邊緣部分之塗覆層36的剝離。再者,不須設置貫通孔34,故容易設置被覆壓電元件基板31之塗覆層36。
在變更例14,係例示從壓電元件基板31之背面31B供給液體之案例,但變更例14不限定於此。液體係可從導引構件610之橫向供給,亦可從導引構件610之上供給。從導引構件610之上供給液體時,亦可不設有上述之流路611。
或,液體係可經由貫通孔34供給。在如此之案例中,導引構件610係設置成流路611與貫通孔34連通,可在從貫通孔34之邊緣部分離開的位置配置霧化區域,並可抑制在邊緣部分之塗覆層36的剝離。
或,如第32圖所示,SAW模組30係可具有導引液體之導引構件610A。導引構件610A係藉由在內部具有微小流路之塑膠或金屬等之構件而構成,且設於壓電元件基板31之表面31F。導引構件610A係在壓電元件基板31之表面31F與導引構件610A之間的微小空間,導引導引構件610A所含浸之液體。導引構件610A係從微小空間將液體導引至壓電元件基板31之表面31F上。
或,如第33圖所示,SAW模組30係可具有導引液體之導引構件610B。導引構件610B係藉由在內部具有微小流路之塑膠或金屬等之構件而構成,並設於壓電元件基板31之表面31F。導引構件610B係將導引構件610B所含浸之液體沿著導引構件610B之斜面613B而導引至壓電元件基板31之表面31F上。
依據第32圖或第33圖所示之構成,與第30圖及第31圖所示之構成為同樣地,可在從壓電元件基板31之邊緣部分離開的位置設置霧化區域,可抑制邊緣部分之塗覆層36的剝離。
[變更例15]
在以下,說明有關實施形態之變更例15。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例15,說明有關SAW模組30之基板構成的變化。具體而言,如第34圖所示,SAW模組30係具有壓電元件基板621、平板 層622、緩衝層623、及霧化表面層624。第34圖中,基板構成以外之構成(例如梳形電極對33)係被省略。
壓電元件基板621係與上述之壓電元件基板31為同樣。平板622係與壓電元件基板31相異之基板,例如,為鋁平板。緩衝層623係位於壓電元件基板621之表面及側面,並藉由將從壓電元件基板621產生之SAW傳遞至霧化表面層624之緩衝液體而構成。例如,緩衝液體為甘油。霧化表面層624係設於緩衝層623及平板622上,設有使氣溶膠霧化之霧化區域。例如,霧化表面層624係藉由不銹鋼平板而構成。在如此之案例中,亦可從霧化表面層624之表面側供給液體。
依據如此之構成,可將SAW傳遞至與壓電元件基板621為相異之霧化表面層624,可避免液體(香料溶液)接觸壓電元件基板621之接觸。例如,相當於上述之貫通孔34的貫通孔可設於平板622。
[變更例16]
在以下,說明有關實施形態之變更例16。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例16,從壓電元件基板31之背面31B供給液體之案例,說明有關壓電元件基板31之邊緣部分形狀之變化。所謂邊緣部分係鄰接於霧化區域之部分。對邊緣部分施予倒角加工。依據如此之構成,可降低霧化區域之能量密度,並可控制邊緣部分之塗覆層36的剝離。
在此,邊緣部分之倒角加工係如第35圖所示,可為直線狀之倒角加工,如第36圖所示,可為圓角狀之倒角加工。邊緣部分係可為貫通孔34之邊緣部分。
[變更例17]
在以下,說明有關實施形態之變更例17。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例17,係說明有關霧化區域之變化。具體而言,如第37圖所示,SAW模組30係具有2個以上之窄溝631(在此為溝631A至溝631D)作為霧化區域。各溝631係具有朝相對於SAW之行進方向的正交方向延伸之形狀。對各溝631供給液體。供給至各溝631之液體的量係愈接近梳形電極對33就愈多。在第37圖中雖被省略,但壓電元件基板31係被塗覆層36被覆。
依據如此之構成,因藉由2個以上之溝而分散SAW之能量,故抑制在霧化區域之塗覆構件36的剝離,並增大在端部之適當的塗覆之強度。
[變更例18]
在以下,說明有關實施形態之變更例18。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例18,說明有關在壓電元件基板31之表面31F導引液體之方法。具體而言,如第38圖所示,SAW模組30係具有印刷電極641至印刷電極643。設有2個液貯存部200(液貯存部200A及液貯存部200B)。貯存於液貯存部200A之液體係可與貯存於液貯存部200B之液體為相異。
印刷電極641至印刷電極643係利用互相鄰接之印刷電極的電壓差而運送液體。例如,印刷電極641A係運送貯存於液貯存部200A 之液體,印刷電極641B係運送貯存於液貯存部200B之液體。印刷電極642係運送從印刷電極641A及印刷電極641B所供給之液體的混合物。印刷電極643A及印刷電極643B係運送從印刷電極642所供給之液體的混合物。印刷電極643A之一部分及印刷電極643B之一部分分別構成霧化區域。
構成霧化區域之印刷電極的幅寬係可大於不構成霧化區域之印刷電極(例如印刷電極642)的幅寬,亦能夠以將液體之塊朝2個以上之方向同時吸引之方式藉由特定之方法驅動。依據如此之構成,因不構成霧化區域之印刷電極的幅寬小,故可謀求不構成霧化區域之印刷電極之省空間化。由於以將液體之塊朝2個以上之方向同時吸引之方式驅動,故可使霧化區域之液體變得平坦,而可減少SAW對液體之接觸角度。
[變更例19]
在以下,說明有關實施形態之變更例19。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例19,說明有關散熱機構之變化。具體而言,如第39圖至第41圖所示,在SAW模組30之背面係設有塗覆層651及接著層652。塗覆層651係可藉由金屬而構成。接著層652係可藉由焊接而構成。
在如此之前提下,如第39圖所示,SAW模組30係隔著接著層652而接著於熱導電構件653及電路基板654。熱導電構件653係可藉由金屬等之導熱構件而構成,具有柱狀部分653A及平板部分653B。柱狀部分653A係導通電路基板654,平板部分653B係配置於電路基板654 之背面。電路基板654係藉由容易接著於接著層652之構件而構成,具有供柱狀構件653A通過之貫通孔。
或,如第40圖所示,SAW模組30係隔著接著層652而接著於吸熱體655。吸熱體655係藉由金屬等之導熱構件而構成。
或,如第41圖所示,SAW模組30係可隔著接著層652而接著於熱導電構件653及電路基板654,再進一步在平板部分653B接著吸熱體655(第39圖及第40圖之組合)。
[變更例20]
在以下,說明有關實施形態之變更例20。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例20,說明有關液供給部之變化。在此,例示有關液供給部具有液貯存部之案例。
第1,如第42圖所示,液供給部60係可具有殼體661、泵浦662及活塞663。殼體661係具有驅動活塞663之液體666及生成氣溶膠之液體667。液體666及液體667係藉由活塞663而隔開。殼體661係具有:連通殼體661與泵浦662之流路661A,及連通殼體661與泵浦662之流路661B。殼體661係具有吐出液體667之吐出口661C。
在此,泵浦662係藉由液體666之回流而使活塞663移動。例如,泵浦662係藉由經由流路661A吸起液體666,以及經由流路661B將液體666返回殼體661,而使活塞663前進。藉此,泵浦662係可從吐出口661C吐出液體667。泵浦662可為壓電泵浦。
依據如此之構成,使用於液體667吐出之液體666不與液體667混合,故可降低於液體667混入雜質之可能性。又,生成氣溶膠之液體667不通過泵浦662,故可抑制液體667之變質。再者,可藉由液體666之回流量而具體指定活塞663之移動量,而可藉由活塞663之移動量而具體指定液體667之殘餘量。
在第42圖,例示液體666作為驅動活塞663之介質,但可使用氣體取代液體666。
在此,液供給部60係如第43圖所示,除了第42圖所示之構成,亦可具有泵浦668。泵浦668係藉由液體666之回流而使活塞663移動。泵浦668係經由流路669A而吸起液體666,以及,經由流路669B而使液體666返回至殼體661,藉此,使活塞663後退。泵浦668係可為壓電泵浦。
第2,如第44圖所示,液供給部60係具有殼體671及袋體672。殼體671係收容袋體672及空氣676,並且具有對殼體671內供給空氣676之入口671A。袋體672係具有收容生成氣溶膠之液體677,以及吐出液體677之吐出口672A。吐出口672A係亦可與殼體671成為一體。
在此,袋體672係藉由具有可撓性之構件而構成。藉此,若從入口671A對殼體671內供給空氣676,袋體672係可藉由空氣676之壓力而吐出液體677。
依據如此之構成,因使用於液體677之吐出的空氣676不與液體677混合,故可降低在液體677混入雜質之可能性。
在第44圖,係例示空氣676作為加壓袋體672之介質,但可使用液體取代空氣676。
[變更例21]
在以下,說明有關實施形態之變更例21。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在實施形態並無特別提及,但壓電元件基板31係可藉由雷射切刀而切出。依據如此之構成,因壓電元件基板31之邊緣部分為平滑,故壓電元件基板31之耐久性及塗覆層36之接著性會提高。
[變更例22]
在以下,說明有關實施形態之變更例22。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例22中,係如第45圖所示,霧化單元100係具有上蓋710、導引壁711及感測器712。霧化單元100係與實施形態同樣地,具有壓電元件基板31及梳形電極對33。
上蓋710係設置成被覆藉由SAW而霧化之氣溶膠的側方及上方。在上蓋710之上端,係設有排出氣溶膠之開口710A。
導引壁711係設置成與上蓋710之內壁不容許間隙而與上蓋710之內壁接觸。導引壁711係與壓電元件基板31離開而配置,且在壓電元件基板31與導引壁711之間設有貫通孔34。在第45圖,係設有導引壁711A及導引壁711B作為導引壁711。
設於壓電元件基板31與導引壁711A之間的貫通孔34A係從液供給部(例如注射式泵浦)供給第1液體。同樣地,設於壓電元件基板 31與導引壁711B之間的貫通孔34B,係從液供給部(例如注射式泵浦)供給第2液體。第1液體及第2液體係可為相同的種類之液體,亦可為相異之種類的液體。
感測器712係與變更例9等同樣地,檢測從貫通孔34露出之液體。亦可根據感測器712之檢測結果控制液供給部60(液供給速度等)。在第45圖,就感測器712而言,係設有:檢測從貫通孔34A露出之第1液體的感測器712A及檢測從貫通孔34B露出之第2液體的感測器712B。
在第45圖係被省略,但可藉由O型環及墊片等之密封構件而抑制第1液體及第2液體之洩漏。
[變更例23]
在以下,說明有關實施形態之變更例23。在以下,主要說明有關對於實施形態之相異點。
在變更例23,係如第46圖所示,霧化單元100係除了第45圖所示之構成,尚具有碰撞板721及分離體722。
碰撞板721係配置成被覆第1液體之霧化區域。碰撞板721係具有將從第1液體產生之氣溶膠所含的粗大粒子(例如10微米左右)藉由慣性碰撞而捕集之功能。氣溶膠所含之微粒子係不以碰撞板721捕集,而從碰撞板721與壓電元件基板33之間的隙間導入至開口710A(亦即使用者之口腔)。
以碰撞板721捕集之粗大粒子係可返回至霧化區域。返回至霧化區域之粗大粒子係可再度被霧化。或,以碰撞板721捕集之粗大粒子 係不被再利用於霧化,亦可使用多孔質吸收構件或容器等之回收構件而被回收。
在第46圖,係不設置被覆第2液體之霧化區域的碰撞板,但亦可設置被覆第2液體之霧化區域的碰撞板。第1液體及第2液體係可為相同種類之液體,亦可為相異種類之液體。可藉由碰撞板之有無而供給含有所希望粒徑之粒子的氣溶膠。
在第46圖,例示第1液體及第2液體分別被霧化之案例,但亦可第1液體及第2液體經混合後被霧化。碰撞板721係可配置成被覆混合液之霧化區域,亦可設於吸口。
分離體722係設於第1液體之霧化區域與第2液體之霧化區域之間。分離體722係氣溶膠從開口710A被排出為止,抑制從第1液體產生之氣溶膠與從第2液體產生之氣溶膠的混合。依據如此之構成,第1液體及第2液體為相異種類之液體時,可抑制從相異液體產生之氣溶膠的混合。特佳係使從各液體產生之氣溶膠所含的粗大粒子再利用之案例中,抑制從相異液體產生之氣溶膠的混合。
再者,亦可將大於以碰撞板721捕集之粗大粒子的特大粒子(例如100微米左右)以分離體722捕集。又,不使用碰撞板721時,例如,亦可將100微米左右之特大粒子以分離體722捕集。
以分離體722捕集之特大粒子係可被返回至霧化區域。返回至霧化區域之特大粒子亦可再度被霧化。或,以分離體722捕集之粗大粒子係不被再利用於霧化,亦可使用多孔質吸收構件或容器等之回收構件而被回收。
在第46圖,係設有碰撞板721,但如第47圖所示,可設有過濾器725取代碰撞板721。過濾器725係設於上蓋710內之任意位置的纖維層過濾器或粒子填充層過濾器。藉由變更過濾器725之纖維徑、粒徑、填充率、填充長度,可將粗大粒子之捕集效率設計成最適宜。
上蓋710係可具有入口726。從入口726至開口710之空氣或氣溶膠之流路會形成於上蓋710內。藉由如此之構成,可抑制上蓋710內之氣溶膠的滯留,可使供給至口腔之氣溶膠的量最佳化。入口726係可設於第45圖及第46圖之上蓋710。
[實驗結果]
在以下,說明有關實驗結果。在實驗中,液體係使用蒸餾水,施加於梳形電極對之電壓的頻率係使用50MHz。在實驗中,確認出包含於氣溶膠之粒子的粒徑分布。實驗結果如第48圖所示。
第48圖係表示以粒子之個數作為基準而確認出之粒徑分布及以粒子之體積作為基準而確認出之粒徑分布。有關粒子之個數係確認出粒徑分布具有單一之峰值,但有關粒子之體積係確認出粒徑分布具有2個峰值(約0.6微米及約8微米)。
在如此之案例中,藉由使用在變更例23(參照第圖46或第圖47)說明之碰撞板721或過濾器725,而選擇性捕集約8微米之粒子,藉此,可調整成以粒子之體積作為基準之粒徑分布具有單一峰值(約0.6微米)。
[其他之實施形態]
本發明係藉由上述之實施形態而說明,但構成該揭示內容之一部分的論述及圖式係不應理解為限定本發明者。依據該揭示內容,本發明所屬技術領域中具有通常知識者係應可明瞭各種之替代實施形態、實施例及運用技術。
在實施形態中,液供給部60係設於壓電元件基板31之背面31B之側。然而,實施形態不限定於此。例如,液供給部60亦可設於壓電元件基板31之表面31F之側。在如此之案例中,液供給部60係可於壓電元件基板31之表面31F滴下液體。又,壓電元件基板31係亦可不具有貫通孔34。
在實施形態,梳形電極對33係具有直線形狀。然而,實施形態係不限定於此。例如,梳形電極對33亦可具有扇形形狀。
在實施形態,梳形電極對33之數量係依據藉由SAW而霧化之氣溶膠的霧化效率來決定。然而,實施形態係不限定於此。例如,梳形電極對33之數量係可根據可供給至梳形電極對33之電力的大小而決定。梳形電極對33之數量係亦可根據構成液體之溶質或溶劑之種類而決定。梳形電極對33之數量係亦可根據供給至SAW模組之液體的供給方法及供給速度而決定。
在實施形態,香味吸嚐器1係具有入口1A。然而,實施形態不限定於此。香味吸嚐器1係亦可不具有入口1A。在如此之案例中,使用者係不叼濾嘴1D而將從濾嘴1D流出之氣溶膠與外氣一起吸入。
在實施形態係未特別提及,但使用者抽吸之氣溶膠的量係可由使用者進行設定。香味吸嚐器1可根據使用者所設定之氣溶膠的量,而 調整施加於SAW模組30之電壓,亦可調整從液供給部60供給至SAW模組30之液體的量。
在實施形態,係例示香味吸嚐器1具有1個SAW模組30的案例。然而,實施形態係不限定於此。香味吸嚐器1係可具有2個以上之SAW模組30。
在實施形態係未特別提及,但香味吸嚐器1係可具有電源開關。香味吸嚐器1係可藉由電源開關而以驅動模式動作。驅動模式係對設於香味吸嚐器1之各構成供給電力之模式,例如,為可開始霧化單元100之霧化動作的模式。香味吸嚐器1係在電源開關為關閉之狀態以待機模式動作。待機模式係以可檢測電源開關之開啟的待機電力進行動作之模式。
在實施形態係未特別提及,但香味吸嚐器1係可具有檢測香味吸嚐器1之溫度(例如大氣溫度)的溫度感測器。香味吸嚐器1亦可具有在香味吸嚐器1之溫度低於下限溫度時,不進行液體的霧化動作之功能。香味吸嚐器1亦可具有在香味吸嚐器1之溫度高於上限溫度時,不進行液體的霧化動作之功能。
在實施形態係未特別提及,但香味吸嚐器1係亦可具有檢測液體之殘量的殘量感測器。殘量感測器係亦可設於貫通孔34內,亦可檢測貫通孔34內之液體的表面水位。亦可藉由殘量感測器之檢測結果而控制液體之表面水位。霧化單元100及液貯存部200之至少任一者為匣盒時,香味吸嚐器1係亦可具有檢測匣盒之有無的感知感測器。不存在匣盒時,香味吸嚐器1係亦可具有不進行液體的霧化動作之功能。
在實施形態,香味吸嚐器1係具有感測器300。然而,實施形態係不限定於此。香味吸嚐器1係亦可具有使用於霧化單元100之驅動的驅動開關取代感測器300。香味吸嚐器1係可依照驅動開關之開啟而開始霧化單元100之霧化動作。香味吸嚐器1係亦可依照驅動開關之關閉而停止霧化單元100之霧化動作。香味吸嚐器1係亦可從驅動開關之開啟經過一定期間時,停止霧化單元100之霧化動作。
在實施形態係未特別提及,但設於香味吸嚐器1之開關係可為上述之電源開關及驅動開關以外之開關。例如開關係可為切換香味吸嚐器1具有之2個以上之動作模式的開關。設於香味吸嚐器1之開關係可為機械開關,亦可為觸控面板。
在實施形態係未特別提及,但香味吸嚐器1係可具有使用以從液貯存部200對霧化單元100供給液體的配管之未使用液體返回至液貯存部200之功能。香味吸嚐器1係亦可具有貯留未使用液體之液貯溜機構等防止未使用液體經由濾嘴1D而流出,並再利用未使用液體之機構。
若依據實施形態,可提供可提升液體之霧化效率的霧化單元。
Claims (16)
- 一種霧化單元,係具備:壓電元件基板,係具有藉由梳形電極對所構成之IDT;及,液供給部,係以將應霧化之液體供給至前述壓電元件基板之方式構成;前述壓電元件基板係以藉由對前述梳形電極對以高頻率施加電壓而產生之表面彈性波來使前述液體霧化之方式構成,前述壓電元件基板係具有依據藉由前述表面彈性波霧化之所希望氣溶膠而定之數量的前述梳形電極對。
- 如申請專利範圍第1項所述之霧化單元,其中,前述壓電元件基板係具有:配置有前述梳形電極對之表面;設於前述表面之相反側的背面;及從前述背面貫通至前述表面之貫通孔,前述液供給部係設於前述背面側,且以藉由前述貫通孔而對前述表面供給前述液體之方式構成。
- 如申請專利範圍第2項所述之霧化單元,係具備散熱機構,該散熱機構係以奪去在前述壓電元件基板的端部因前述表面彈性波之反射而產生的熱之方式構成。
- 如申請專利範圍第3項所述之霧化單元,其中,前述散熱機構係包含藉由具有比前述壓電元件基板之導熱性更高的導熱性之材料所構成之散熱層及帕耳貼(Peltier)元件之至少任一種。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之霧化單元,其中,在前述液體通過之流路中,具備被覆前述壓電元件基板之一部份或全部的塗覆層。
- 如引用申請專利範圍第2項之申請專利範圍第5項所述之霧化單元,其中,前述塗覆層係設於至少前述貫通孔之內側。
- 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之霧化單元,其中,前述壓電元件基板係具有設置前述梳形電極對之配置部分,並具備隔開前述液體與前述配置部分之隔壁。
- 如申請專利範圍第7項所述之霧化單元,其中,前述隔壁係被覆前述配置部分之整體。
- 如引用申請專利範圍第2項之申請專利範圍第7項或申請專利範圍第8項所述之霧化單元,其中,前述隔壁係在前述配置部分與前述貫通孔之間以與前述表面接觸之方式設於前述表面。
- 如引用申請專利範圍第2項之申請專利範圍第7項或申請專利範圍第8項所述之霧化單元,其中,前述隔壁係在前述配置部分與前述貫通孔之間以不與前述表面接觸之方式設於前述表面。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之霧化單元,其中,前述梳形電極對之數量係依據藉由前述表面彈性波霧化之氣溶膠的霧化效率而決定。
- 如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之霧化單元,其中,包含於前述梳形電極對且互相鄰接之電極的間隔,係因應依據被前述表面彈性波霧化之氣溶膠的所希望粒徑而設定之頻率來決定。
- 如申請專利範圍第2項及引用申請專利範圍第2項之申請專利範圍第3至12項中任一項所述之霧化單元,其中,前述貫通孔係從前 述表面之側觀看之俯視中,具有在前述表面彈性波之行進方向的最大幅寬,及相對於前述表面彈性波之行進方向為正交方向之最大長度,前述最大長度係大於前述最大幅寬。
- 如申請專利範圍第2項及引用申請專利範圍第2項之申請專利範圍第3至13項中任一項所述之霧化單元,其中,前述貫通孔係以藉由前述貫通孔進行反射之前述表面彈性波的反射波與藉由前述梳形電極對所生成之前述表面彈性波的干渉降低之方式設置。
- 如申請專利範圍第2項及引用申請專利範圍第2項之申請專利範圍第3至14項中任一項所述之霧化單元,其中,前述貫通孔係隔著前述梳形電極對而含有至少2個貫通孔。
- 如申請專利範圍第2項及引用申請專利範圍第2項之申請專利範圍第3至15項中任一項所述之霧化單元,其中,在前述梳形電極對與前述貫通孔之間,連續至前述貫通孔之親水性層係設於前述表面。
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