TW201939113A - 鐳射投射模組、深度相機和電子裝置 - Google Patents

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Abstract

一種鐳射投射模組、深度相機和電子裝置。鐳射投射模組包括鐳射發射器、準直元件、繞射光學元件和溫度檢測元件。鐳射發射器用於發射鐳射。準直元件用於準直鐳射。繞射光學元件用於繞射經準直元件準直後的鐳射以形成鐳射圖案。溫度檢測元件用於檢測鐳射發射器的溫度並輸出溫度檢測訊號。

Description

鐳射投射模組、深度相機和電子裝置
本申請涉及成像技術領域，特別涉及一種鐳射投射模組、深度相機和電子裝置。
鐳射發射器工作時會發熱。若鐳射發射器發熱過於嚴重，則會使得鐳射發射器的溫漂過大，影響鐳射發射器的使用性能。
本申請實施方式的鐳射投射模組包括鐳射發射器、準直元件、繞射光學元件和溫度檢測元件。所述鐳射發射器用於發射鐳射。所述準直元件用於準直所述鐳射。所述繞射光學元件用於繞射經所述準直元件準直後的鐳射以形成鐳射圖案。所述溫度檢測元件用於檢測所述鐳射發射器的溫度並輸出溫度檢測訊號。
本申請實施方式的深度相機包括鐳射投射模組、圖像採集器和處理器。鐳射投射模組包括鐳射發射器、準直元件、繞射光學元件和溫度檢測元件。所述鐳射發射器用於發射鐳射。所述準直元件用於準直所述鐳射。所述繞射光學元件用於繞射經所述準直元件準直後的鐳射以形成鐳射圖案。所述溫度檢測元件用於檢測所述鐳射發射器的溫度並輸出溫度檢測訊號。所述圖像採集器用於採集由所述鐳射投射模組向目標空間中投射的鐳射圖案。所述處理器與所述溫度檢測元件連接，所述處理器用於根據所述溫度檢測訊號調節所述鐳射發射器的發射功率、及用於處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
本申請實施方式的電子裝置包括殼體和深度相機。所述深度相機設置在所述殼體內並從所述殼體暴露以獲取深度圖像。深度相機包括鐳射投射模組、圖像採集器和處理器。鐳射投射模組包括鐳射發射器、準直元件、繞射光學元件和溫度檢測元件。所述鐳射發射器用於發射鐳射。所述準直元件用於準直所述鐳射。所述繞射光學元件用於繞射經所述準直元件準直後的鐳射以形成鐳射圖案。所述溫度檢測元件用於檢測所述鐳射發射器的溫度並輸出溫度檢測訊號。所述圖像採集器用於採集由所述鐳射投射模組向目標空間中投射的鐳射圖案。所述處理器與所述溫度檢測元件連接，所述處理器用於根據所述溫度檢測訊號調節所述鐳射發射器的發射功率、及用於處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
本申請的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或藉由本申請的實踐瞭解到。
下面詳細描述本申請的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面藉由參考附圖描述的實施例係示例性的，旨在用於解釋本申請，而不能理解為對本申請的限制。
在本申請的描述中，需要理解的係，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者複數所述特徵。在本申請的描述中，“複數”的含義係兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本申請的描述中，需要說明的係，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以係固定連接，也可以係可拆卸連接，或一體地連接；可以係機械連接，也可以係電連接或可以相互通信；可以係直接相連，也可以藉由中間媒介間接相連，可以係兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本申請中的具體含義。
下文的公開提供了許多不同的實施方式或例子用來實現本申請的不同結構。為了簡化本申請的公開，下文中對特定例子的部件和設置進行描述。當然，它們僅僅為示例，並且目的不在於限制本申請。此外，本申請可以在不同例子中重複參考數位和/或參考字母，這種重複係為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施方式和/或設置之間的關係。此外，本申請提供了的各種特定的工藝和材料的例子，惟，本領域普通技術人員可以意識到其他工藝的應用和/或其他材料的使用。
請參閱圖1，本申請提供一種鐳射投射模組100。鐳射投射模組100包括鐳射發射器10、準直元件20、繞射光學元件30和溫度檢測元件50。鐳射發射器10用於發射鐳射。準直元件20用於準直鐳射。繞射光學元件30用於繞射經準直元件20準直後的鐳射以形成鐳射圖案。溫度檢測元件50用於檢測鐳射發射器10的溫度並輸出溫度檢測訊號。
請參閱圖1，在某些實施方式中，鐳射投射模組100還包括基板組件60。基板組件60包括基板62及承載在基板62上的電路板61。鐳射發射器10承載在基板組件60上.
請參閱圖1和圖2，在某些實施方式中，電路板61開設有過孔611。鐳射發射器10和溫度檢測元件50均承載在基板62上，並均收容在過孔611內。
請參閱圖3和圖4，在某些實施方式中，電路板61開設有過孔611。鐳射發射器10承載在基板62上並收容在過孔611內。基板62開設有通孔621，通孔621的位置與鐳射發射器10承載在基板62上的位置相對。溫度檢測元件50收容在通孔621中。
請參閱圖2和圖5，在某些實施方式中，鐳射發射器10為邊發射鐳射器10。邊發射鐳射器10包括發光面11，發光面11朝向準直元件20。
請參閱圖6，在某些實施方式中，鐳射投射模組100還包括固定件。固定件用於將邊發射鐳射器10固定在基板組件60上。
請參閱圖6，在某些實施方式中，固定件包括封膠15，封膠15設置在邊發射鐳射器10與電路板62之間。封膠15為導熱膠。
請參閱圖7，在某些實施方式中，固定件包括設置在基板組件60上的至少兩個彈性的支撐件16，至少兩個支撐件16共同形成收容空間。收容空間用於收容鐳射發射器10。至少兩個支撐件16用於支撐住鐳射發射器10。
請參閱圖8，本申請還提供一種深度相機1000。深度相機1000包括上述任意一項實施方式所述的鐳射投射模組100、圖像採集器200和處理器80。圖像採集器200用於採集由鐳射投射模組100向目標空間中投射的鐳射圖案。處理器80與溫度檢測元件50連接。處理器80用於根據溫度檢測訊號調節鐳射發射器10的發射功率、及用於處理鐳射圖案以獲得深度圖像。
請參閱圖9，本申請還提供一種電子裝置3000。電子裝置3000包括殼體2000及上述實施方式的深度相機1000。深度相機1000設置在殼體2000內並從殼體2000暴露以獲取深度圖像。
請參閱圖1，本申請提供一種鐳射投射模組100。鐳射投射模組100包括鏡筒40和基板組件60。基板組件60包括基板62和電路板61。電路板61承載在基板62上。鏡筒40包括側壁41和自側壁41延伸的承載台411。側壁41設置在電路板61上，側壁41與電路板61圍成有收容腔42。鐳射投射模組100還包括鐳射發射器10、準直元件20、繞射光學元件30及溫度檢測元件50，鐳射發射器10、準直元件20、繞射光學元件30及溫度檢測元件50均收容在收容腔42中，且準直元件20與繞射光學元件30沿鐳射發射器10的發光方向依次排列。具體地，電路板61開設有過孔611，鐳射發射器10承載在基板62上並收容在過孔611內，鐳射發射器10用於發射鐳射。準直元件20用於準直鐳射發射器10發射的鐳射。繞射光學元件30放置於承載台411上，繞射光學元件30用於繞射經準直元件20準直後的鐳射以形成鐳射圖案。溫度檢測元件50與鐳射發射器10共同收容在過孔611內，溫度檢測元件50可以係熱敏電阻，其承載在基板62上並置於鐳射發射器10的相鄰位置處。溫度檢測元件50用於檢測鐳射發射器10的溫度並輸出溫度檢測訊號，溫度檢測訊號可作為調節鐳射發射器10功率的調節依據。
可以理解，鐳射發射器10工作時會產生熱量，導致鐳射發射器10自身的溫度升高。鐳射發射器10的溫度升高後會影響鐳射發射器10的使用性能，具體地，例如，溫度升高導致鐳射發射器10產生溫漂，即鐳射發射器10的中心波長產生偏移，如此，當鐳射發射器10在自身溫度較高的情況下發射功率時，由於與鐳射發射器10配合使用的圖像採集器200（圖8所示）的濾光片對應的濾光波段係有限的，溫漂導致的鐳射發射器10發射的鐳射的波長超出濾光波段的部分無法被圖像採集器200採集得到，因此，圖像採集器200無法準確獲取鐳射投射模組100投射的鐳射圖案，進一步地影響深度圖像的獲取。
本申請實施方式的鐳射投射模組100藉由在鐳射發射器10的附近設置一個溫度檢測元件50，溫度檢測元件50可以檢測鐳射發射器10的溫度，如此，在鐳射發射器10的溫度過高時，減小鐳射發射器10的功率，使得鐳射發射器10工作時產生的熱量減小，從而可降低鐳射發射器10的溫度，進一步地可以避免因鐳射發射器10的溫度過高導致溫漂過大而影響鐳射發射器10的使用性能的問題。
如圖1所示，在某些實施方式中，鐳射發射器10可為垂直腔面發射鐳射器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL），垂直腔面發射鐳射器的發光方向朝向準直元件20。由於垂直腔面發射鐳射器的光源為複數點且呈不規則的陣列分佈，因此，鐳射投射模組100投射的鐳射圖案的不相關性較大，有利於提升深度圖像的獲取精度。
如圖2所示，在某些實施方式中，鐳射發射器10可為邊發射鐳射器（edge-emitting laser，EEL），具體地，鐳射發射器10可為分佈回饋式鐳射器（Distributed Feedback Laser，DFB）。此時，鐳射發射器10的發光面11（圖5所示）朝向準直元件20。分佈回饋式鐳射器的溫漂較小，且為單點發光結構，無需設計陣列結構，製作簡單，鐳射投射模組100的成本較低。
請一併參閱圖3和圖4，在某些實施方式中，電路板61開設有過孔611，鐳射發射器10承載在基板62上並收容在過孔611內。基板62開設有通孔621，通孔621的位置與鐳射發射器10承載在基板62上的位置相對。溫度檢測元件50收容在通孔621中。此時，鐳射發射器10可為垂直腔面發射鐳射器（如圖3所示），也可為分佈回饋式鐳射器（如圖4所示）。如此，溫度檢測元件50更靠近鐳射發射器10的中心發光位置，可以更準確地檢測鐳射發射器10的溫度，從而可以更加及時地調節鐳射發射器10的功率，優化鐳射發射器10的使用性能。另外，當鐳射發射器10為分佈回饋式鐳射器時，由於分佈回饋式鐳射器的鐳射係藉由光柵結構的回饋獲得功率的增益的，要提高分佈回饋式鐳射器的功率需要藉由增加分佈回饋式鐳射器的長度來實現，如此，當分佈回饋式鐳射器為豎直放置（即分佈回饋式鐳射器的發光面11朝向準直元件20）時，鐳射投射模組100的厚度較大。而藉由在電路板61上開設過孔611，以及在基板62上開設通孔621的方式，可以將溫度檢測元件50收容在通孔621內，並將鐳射發射器10部分收容在過孔611內，可以有效減小鐳射投射模組100的厚度，便於鐳射投射模組100集成到智慧手機、平板電腦、智慧手錶、智慧手環等電子裝置3000（圖9所示）中。
請一併參閱圖1至圖4，在某些實施方式中，基板組件60中的電路板61可以係硬板、軟板或軟硬結合板。基板62還開設有散熱孔622，鐳射發射器10或電路板61工作產生的熱量可以由散熱孔622散出，散熱孔622內還可以填充導熱膠，以進一步提高基板62的散熱性能。具體地，溫度檢測元件50與鐳射發射器10均承載在基板62上，溫度檢測元件50收容在過孔611內並置於鐳射發射器10鄰近位置，且鐳射發射器10全部收容在過孔611內（即，鐳射發射器10為垂直腔面發射鐳射器），此時散熱孔622的數量為複數，複數散熱孔622等間距分佈（如圖1所示）；或者，溫度檢測元件50與鐳射發射器10均承載在基板62上，溫度檢測元件50收容在過孔611內並置於鐳射發射器10鄰近位置，且鐳射發射器10部分收容在過孔611內（即，鐳射發射器10為邊發射鐳射器），此時散熱孔622的數量為複數，複數散熱孔622等間距分佈（如圖2所示）；或者，鐳射發射器10全部收容在過孔611內（即，鐳射發射器10為垂直腔面發射鐳射器），溫度檢測元件50置於基板62的通孔621內，此時，散熱孔622分別置於通孔621的兩邊，散熱孔622為複數，位於同一邊的複數散熱孔622均勻分佈（如圖3所示）；或者，鐳射發射器10部分部收容在過孔611內（即，鐳射發射器10為邊發射鐳射器），溫度檢測元件50置於基板62的通孔621內，此時，散熱孔622分別置於通孔621的兩邊，散熱孔622為複數，位於同一邊的複數散熱孔622均勻分佈（如圖4所示）。
請一併參閱圖1和圖5，在某些實施方式中，鐳射發射器10為邊發射鐳射器，此時，鐳射投射模組100還包括固定件。具體地，鐳射發射器10呈柱狀，鐳射發射器10遠離基板62的一個端面形成發光面11。鐳射從發光面11發出，發光面11朝向準直元件20。鐳射發射器10固定在基板62上。固定件為封膠15，鐳射發射器10藉由封膠15粘接在基板62上，例如，鐳射發射器10的與發光面11相背的一面粘接在基板62上。請結合圖1和圖6，鐳射發射器10的側面12也可以粘接在基板62上，封膠15包裹住四周的側面12，也可以僅粘接側面12的某一個面與基板62或粘接某幾個面與基板62。此時封膠15可為導熱膠，以將鐳射發射器10工作產生的熱量傳導至基板62中。由於邊發射鐳射器通常呈細條狀，當邊發射鐳射器的發光面11朝向準直元件20時，邊發射鐳射器豎直放置，此時邊發射器鐳射器容易出現跌落、移位或晃動等意外，因此藉由設置封膠15能夠將邊發射鐳射器固定住，防止邊發射鐳射器發生跌落、移位或晃動等意外。
請參閱圖7，在某些實施方式中，鐳射發射器10為邊發射鐳射器，此時，鐳射投射模組100還包括固定件。具體地，鐳射發射器10呈柱狀，鐳射發射器10遠離基板62的一個端面形成發光面11。鐳射從發光面11發出，發光面11朝向準直元件20。鐳射發射器10固定在基板62上。固定件為彈性的支撐件16。支撐件16的個數為兩個或兩個以上。複數支撐件16共同形成收容空間161。收容空間161用於收容鐳射發射器10，複數支撐件16用於支撐住鐳射發射器10。如此，可以防止鐳射發射器10發生晃動。
請參閱圖8，本申請還提供一種深度相機1000。本申請實施方式的深度相機1000包括上述任意一項實施方式所述的鐳射投射模組100、圖像採集器200和處理器80。其中，圖像採集器200用於採集經繞射光學元件30繞射後向目標空間中投射的鐳射圖案。處理器80分別與鐳射投射模組100、圖像採集器200及溫度檢測元件50連接。處理器80用於根據溫度檢測訊號調節鐳射發射器10的發射功率，以及處理鐳射圖案以獲取深度圖像。
具體地，鐳射投射模組100藉由投射視窗901向目標空間中投射鐳射圖案，圖像採集器200藉由採集視窗902採集被目標物體調製後的鐳射圖案。圖像採集器200可為紅外相機，處理器80採用圖像匹配演算法計算出該鐳射圖案中各畫素點與參考圖案中的對應各個畫素點的偏離值，再根據偏離值進一步獲得該鐳射圖案的深度圖像。其中，圖像匹配演算法可為數位圖像相關（Digital Image Correlation，DIC）演算法。當然，也可以採用其它圖像匹配演算法代替DIC演算法。
本申請實施方式的深度相機1000中的鐳射投射模組100藉由在鐳射發射器10的附近設置一個溫度檢測元件50，溫度檢測元件50可以檢測鐳射發射器10的溫度，如此，在鐳射發射器10的溫度過高時，減小鐳射發射器10的功率，從而避免鐳射發射器10的溫漂過大而影響鐳射發射器10的使用性能的問題。
請參閱圖9，本申請實施方式的電子裝置3000包括殼體2000及上述實施方式的深度相機1000。深度相機1000設置在殼體2000內並從殼體2000暴露以獲取深度圖像。
本申請實施方式的電子裝置3000中的鐳射投射模組100藉由在鐳射發射器10的附近設置一個溫度檢測元件50，溫度檢測元件50可以檢測鐳射發射器10的溫度，如此，在鐳射發射器10的溫度過高時，減小鐳射發射器10的功率，使得鐳射發射器10工作時產生的熱量減小，從而可降低鐳射發射器10的溫度，進一步地可以避免因鐳射發射器10的溫度過高導致溫漂過大而影響鐳射發射器10的使用性能的問題。
在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本申請的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不必須針對的係相同的實施例或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任一個或複數實施例或示例中以合適的方式結合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特徵進行結合和組合。
儘管上面已經示出和描述了本申請的實施例，可以理解的係，上述實施例係示例性的，不能理解為對本申請的限制，本領域的普通技術人員在本申請的範圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。
100‧‧‧鐳射投射模組
10‧‧‧鐳射投射器
11‧‧‧發光面
12‧‧‧側面
15‧‧‧封膠
16‧‧‧支撐件
161‧‧‧收容空間
20‧‧‧準直元件
30‧‧‧繞射光學元件
40‧‧‧鏡筒
41‧‧‧側壁
411‧‧‧承載台
42‧‧‧收容腔
50‧‧‧溫度檢測元件
60‧‧‧基板組件
61‧‧‧電路板
611‧‧‧過孔
62‧‧‧基板
621‧‧‧通孔
622‧‧‧散熱孔
80‧‧‧處理器
901‧‧‧投射視窗
902‧‧‧採集視窗
本申請上述的和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：
圖1至圖4係本申請某些實施方式的鐳射投射模組的結構示意圖；
圖5至圖7係本申請某些實施方式的鐳射投射模組的部分結構示意圖；
圖8係本申請某些實施方式的深度相機的結構示意圖；
圖9係本申請某些實施方式的電子裝置的結構示意圖。

Claims (24)

  1. 一種鐳射投射模組，其改進在於，所述鐳射投射模組包括： 鐳射發射器，所述鐳射發射器用於發射鐳射； 準直元件，所述準直元件用於準直所述鐳射； 繞射光學元件，所述繞射光學元件用於繞射經所述準直元件準直後的鐳射以形成鐳射圖案；和 溫度檢測元件，所述溫度檢測元件用於檢測所述鐳射發射器的溫度並輸出溫度檢測訊號。
  2. 根據專利申請範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述鐳射投射模組還包括： 基板組件，所述基板組件包括基板及承載在所述基板上的電路板，所述鐳射發射器承載在所述基板組件上。
  3. 根據專利申請範圍第2項所述的鐳射投射模組，其中，所述電路板開設有過孔，所述鐳射發射器和所述溫度檢測元件均承載在所述基板上，並均收容在所述過孔內。
  4. 根據專利申請範圍第2項所述的鐳射投射模組，其中，所述電路板開設有過孔，所述鐳射發射器承載在所述基板上並收容在所述過孔內，所述基板開設有通孔，所述通孔的位置與所述鐳射發射器承載在所述基板上的位置相對，所述溫度檢測元件收容在所述通孔中。
  5. 根據專利申請範圍第2項所述的鐳射投射模組，其中，所述鐳射發射器為邊發射鐳射器，所述邊發射鐳射器包括發光面，所述發光面朝向所述準直元件。
  6. 根據專利申請範圍第5項所述的鐳射投射模組，其中，所述鐳射投射模組還包括固定件，所述固定件用於將所述邊發射鐳射器固定在所述基板組件上。
  7. 根據專利申請範圍第6項所述的鐳射投射模組，其中，所述固定件包括封膠，所述封膠設置在所述邊發射鐳射器與所述電路板之間，所述封膠為導熱膠。
  8. 根據專利申請範圍第6項所述的鐳射投射模組，其中，所述固定件包括設置在所述基板組件上的至少兩個彈性的支撐件，至少兩個所述支撐件共同形成收容空間，所述收容空間用於***述鐳射發射器，至少兩個所述支撐件用於支撐住所述鐳射發射器。
  9. 一種深度相機，其改進在於，所述深度相機包括： 鐳射投射模組，所述鐳射投射模組包括： 鐳射發射器，所述鐳射發射器用於發射鐳射； 準直元件，所述準直元件用於準直所述鐳射； 繞射光學元件，所述繞射光學元件用於繞射經所述準直元件準直後的鐳射以形成鐳射圖案；和 溫度檢測元件，所述溫度檢測元件用於檢測所述鐳射發射器的溫度並輸出溫度檢測訊號； 圖像採集器，所述圖像採集器用於採集由所述鐳射投射模組向目標空間中投射的鐳射圖案；和 與所述溫度檢測元件連接的處理器，所述處理器用於根據所述溫度檢測訊號調節所述鐳射發射器的發射功率、及用於處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
  10. 根據專利申請範圍第9項所述的深度相機，其中，所述鐳射投射模組還包括： 基板組件，所述基板組件包括基板及承載在所述基板上的電路板，所述鐳射發射器承載在所述基板組件上。
  11. 根據專利申請範圍第10項所述的深度相機，其中，所述電路板開設有過孔，所述鐳射發射器和所述溫度檢測元件均承載在所述基板上，並均收容在所述過孔內。
  12. 根據專利申請範圍第10項所述的深度相機，其中，所述電路板開設有過孔，所述鐳射發射器承載在所述基板上並收容在所述過孔內，所述基板開設有通孔，所述通孔的位置與所述鐳射發射器承載在所述基板上的位置相對，所述溫度檢測元件收容在所述通孔中。
  13. 根據專利申請範圍第10項所述的深度相機，其中，所述鐳射發射器為邊發射鐳射器，所述邊發射鐳射器包括發光面，所述發光面朝向所述準直元件。
  14. 根據專利申請範圍第13項所述的深度相機，其中，所述鐳射投射模組還包括固定件，所述固定件用於將所述邊發射鐳射器固定在所述基板組件上。
  15. 根據專利申請範圍第14項所述的深度相機，其中，所述固定件包括封膠，所述封膠設置在所述邊發射鐳射器與所述電路板之間，所述封膠為導熱膠。
  16. 根據專利申請範圍第14項所述的深度相機，其中，所述固定件包括設置在所述基板組件上的至少兩個彈性的支撐件，至少兩個所述支撐件共同形成收容空間，所述收容空間用於***述鐳射發射器，至少兩個所述支撐件用於支撐住所述鐳射發射器。
  17. 一種電子裝置，其改進在於，所述電子裝置包括殼體和深度相機，所述深度相機設置在所述殼體內並從所述殼體暴露以獲取深度圖像；所述深度相機包括： 鐳射投射模組，所述鐳射投射模組包括： 鐳射發射器，所述鐳射發射器用於發射鐳射； 準直元件，所述準直元件用於準直所述鐳射； 繞射光學元件，所述繞射光學元件用於繞射經所述準直元件準直後的鐳射以形成鐳射圖案；和 溫度檢測元件，所述溫度檢測元件用於檢測所述鐳射發射器的溫度並輸出溫度檢測訊號； 圖像採集器，所述圖像採集器用於採集由所述鐳射投射模組向目標空間中投射的鐳射圖案；和 與所述溫度檢測元件連接的處理器，所述處理器用於根據所述溫度檢測訊號調節所述鐳射發射器的發射功率、及用於處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
  18. 根據專利申請範圍第17項所述的電子裝置，其中，所述鐳射投射模組還包括： 基板組件，所述基板組件包括基板及承載在所述基板上的電路板，所述鐳射發射器承載在所述基板組件上。
  19. 根據專利申請範圍第18項所述的電子裝置，其中，所述電路板開設有過孔，所述鐳射發射器和所述溫度檢測元件均承載在所述基板上，並均收容在所述過孔內。
  20. 根據專利申請範圍第18項所述的電子裝置，其中，所述電路板開設有過孔，所述鐳射發射器承載在所述基板上並收容在所述過孔內，所述基板開設有通孔，所述通孔的位置與所述鐳射發射器承載在所述基板上的位置相對，所述溫度檢測元件收容在所述通孔中。
  21. 根據專利申請範圍第18項所述的電子裝置，其中，所述鐳射發射器為邊發射鐳射器，所述邊發射鐳射器包括發光面，所述發光面朝向所述準直元件。
  22. 根據專利申請範圍21項所述的電子裝置，其中，所述鐳射投射模組還包括固定件，所述固定件用於將所述邊發射鐳射器固定在所述基板組件上。
  23. 根據專利申請範圍第22項所述的電子裝置，其中，所述固定件包括封膠，所述封膠設置在所述邊發射鐳射器與所述電路板之間，所述封膠為導熱膠。
  24. 根據專利申請範圍第22項所述的電子裝置，其中，所述固定件包括設置在所述基板組件上的至少兩個彈性的支撐件，至少兩個所述支撐件共同形成收容空間，所述收容空間用於***述鐳射發射器，至少兩個所述支撐件用於支撐住所述鐳射發射器。
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