TW201939108A - 鐳射投射模組、深度相機和電子裝置 - Google Patents

鐳射投射模組、深度相機和電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201939108A
TW201939108A TW108108332A TW108108332A TW201939108A TW 201939108 A TW201939108 A TW 201939108A TW 108108332 A TW108108332 A TW 108108332A TW 108108332 A TW108108332 A TW 108108332A TW 201939108 A TW201939108 A TW 201939108A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser
light
circuit board
projection module
laser emitter
Prior art date
Application number
TW108108332A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI685678B (zh
Inventor
周奇群
Original Assignee
大陸商Ｏｐｐｏ廣東移動通信有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商Ｏｐｐｏ廣東移動通信有限公司 filed Critical 大陸商Ｏｐｐｏ廣東移動通信有限公司
Publication of TW201939108A publication Critical patent/TW201939108A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI685678B publication Critical patent/TWI685678B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/25—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4205—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
    • G01S17/89—Lidar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/497—Means for monitoring or calibrating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/30—Collimators
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4233—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application
    • G02B27/425—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application in illumination systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0272—Details of the structure or mounting of specific components for a projector or beamer module assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/20—Image signal generators
    • H04N13/204—Image signal generators using stereoscopic image cameras
    • H04N13/254—Image signal generators using stereoscopic image cameras in combination with electromagnetic radiation sources for illuminating objects
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/20—Image signal generators
    • H04N13/296—Synchronisation thereof; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/51—Housings
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0236—Fixing laser chips on mounts using an adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0264—Details of the structure or mounting of specific components for a camera module assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/222—Studio circuitry; Studio devices; Studio equipment
    • H04N5/2224—Studio circuitry; Studio devices; Studio equipment related to virtual studio applications
    • H04N5/2226—Determination of depth image, e.g. for foreground/background separation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

本申請公開了一種鐳射投射模組。鐳射投射模組包括鐳射發射器、反射元件、繞射光學元件和光檢測器。光檢測器設置在鐳射發射器與反射元件之間，光檢測器用於接收鐳射以輸出電訊號，電訊號用於確定鐳射的非零級光束強度、以及在非零級光束強度小於預設強度時減小鐳射發射器的發射功率。

Description

鐳射投射模組、深度相機和電子裝置
本申請涉及成像技術領域，特別涉及一種鐳射投射模組、深度相機和電子裝置。
鐳射發射器發射鐳射時，鐳射會產生發散。鐳射發散後在鐳射發射器的發光面的中心位置處疊加聚集的光束為零級光束，在鐳射發射器的發光面的四周處傳輸的光束為非零級光束。當零級光束的強度過強時，零級光束傳輸到繞射光學元件時無法被完全繞射，導致經繞射光學元件出射的零級光束的強度過強，如此，可能危害用戶的眼睛。
本申請的實施例提供了一種鐳射投射模組、深度相機和電子裝置。
本申請實施方式的鐳射投射模組包括鐳射發射器、反射元件、繞射光學元件和光檢測器。所述鐳射發射器用於發射鐳射。所述反射元件用於反射所述鐳射發射器發射的鐳射。所述繞射光學元件用於繞射經所述反射元件反射後的鐳射。所述光檢測器設置在鐳射發射器與反射元件之間，所述光檢測器用於接收所述鐳射以輸出電訊號，所述電訊號用於確定所述鐳射的非零級光束強度、以及在所述非零級光束強度小於預設強度時減小所述鐳射發射器的發射功率。
本申請實施方式的深度相機包括鐳射投射模組、圖像採集器和處理器。所述鐳射投射模組包括鐳射發射器、反射元件、繞射光學元件和光檢測器。所述鐳射發射器用於發射鐳射。所述反射元件用於反射所述鐳射發射器發射的鐳射。所述繞射光學元件用於繞射經所述反射元件反射後的鐳射。所述光檢測器設置在鐳射發射器與反射元件之間，所述光檢測器用於接收所述鐳射以輸出電訊號，所述電訊號用於確定所述鐳射的非零級光束強度、以及在所述非零級光束強度小於預設強度時減小所述鐳射發射器的發射功率。所述圖像採集器用於採集由所述鐳射投射模組向目標空間中投射的所述鐳射圖案。所述處理器用於根據所述電訊號確定所述鐳射的非零級光束強度、在所述非零級光束強度小於預設強度時減小所述鐳射發射器的發射功率、以及處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
本申請實施方式的電子裝置包括殼體和深度相機。所述深度相機設置在所述殼體內並從所述殼體暴露以獲取深度圖像。深度相機包括鐳射投射模組、圖像採集器和處理器。所述鐳射投射模組包括鐳射發射器、反射元件、繞射光學元件和光檢測器。所述鐳射發射器用於發射鐳射。所述反射元件用於反射所述鐳射發射器發射的鐳射。所述繞射光學元件用於繞射經所述反射元件反射後的鐳射。所述光檢測器設置在鐳射發射器與反射元件之間，所述光檢測器用於接收所述鐳射以輸出電訊號，所述電訊號用於確定所述鐳射的非零級光束強度、以及在所述非零級光束強度小於預設強度時減小所述鐳射發射器的發射功率。所述圖像採集器用於採集由所述鐳射投射模組向目標空間中投射的所述鐳射圖案。所述處理器用於根據所述電訊號確定所述鐳射的非零級光束強度、在所述非零級光束強度小於預設強度時減小所述鐳射發射器的發射功率、以及處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
本申請實施方式的鐳射投射模組、深度相機和電子裝置藉由在鐳射發射器與反射元件之間設置一個光檢測器，利用光檢測器檢測非零級光束的強度在非零級光束強度較小時，確定零級光束的能量可能過大，此時立即執行減小鐳射發射器的發射功率的動作，以避免零級光束能量過大而危害用戶眼睛的問題，提升鐳射投射模組使用的安全性。
本申請的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或藉由本申請的實踐瞭解到。
【00010】下面詳細描述本申請的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面藉由參考附圖描述的實施例係示例性的，旨在用於解釋本申請，而不能理解為對本申請的限制。
在本申請的描述中，需要理解的係，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更複數所述特徵。在本申請的描述中，“複數”的含義係兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本申請的描述中，需要說明的係，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以係固定連接，也可以係可拆卸連接，或一體地連接；可以係機械連接，也可以係電連接或可以相互通信；可以係直接相連，也可以藉由中間媒介間接相連，可以係兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本申請中的具體含義。
下文的公開提供了許多不同的實施方式或例子用來實現本申請的不同結構。為了簡化本申請的公開，下文中對特定例子的部件和設置進行描述。當然，它們僅僅為示例，並且目的不在於限制本申請。此外，本申請可以在不同例子中重複參考數位和/或參考字母，這種重複係為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施方式和/或設置之間的關係。此外，本申請提供了的各種特定的工藝和材料的例子，惟，本領域普通技術人員可以意識到其他工藝的應用和/或其他材料的使用。
請參閱圖1，本申請提供一種鐳射投射模組100。鐳射投射模組100包括鐳射發射器10、反射元件50、繞射光學元件30和光檢測器70。鐳射發射器10用於發射鐳射。反射元件50用於反射鐳射發射器10發射的鐳射。繞射光學元件30用於繞射經反射元件50反射後的鐳射。光檢測器70設置在鐳射發射器10與反射元件50之間。光檢測器10用於接收鐳射以輸出電信號。電信號用於確定鐳射的非零級光束強度、以及在非零級光束強度小於預設強度時減小鐳射發射器10的發射功率。
請參閱圖1，在某些實施方式中，鐳射投射模組100還包括準直元件20。準直元件20位於鐳射發射器10與反射元件50之間；或/和準直元件20位於反射元件50與繞射光學元件30之間。
請參閱圖1，在某些實施方式中，鐳射投射模組100還包括基板組件60和鏡筒40。基板組件60包括基板62及承載在基板62上的電路板61。鐳射發射器10承載在電路板61上。鏡筒40包括側壁41及自側壁41延伸的承載台411。側壁41設置在電路板61上。側壁41與電路板61圍成有收容腔42。鐳射發射器10、反射元件50、準直元件20、繞射光學元件30及光檢測器70均收容在收容腔42內。
請參閱圖1，在某些實施方式中，反射元件50放置在電路板61上並置於鐳射發射器10的側邊。鐳射發射器10的鐳射發射方向與反射元件50反射的光線的光軸垂直。
請參閱圖2至圖5，在某些實施方式中，光檢測器70包括收光面71。收光面71平行於電路板61；或收光面71與電路板61垂直；或收光面71與電路板61呈傾斜夾角。
請參閱圖6，在某些實施方式中，側壁41開設有凹槽43。鐳射發射器10為邊發射鐳射器，邊發射鐳射器部分收容在凹槽43內。
請參閱圖7，在某些實施方式中，基板62開設有散熱孔621，散熱孔621填充有導熱材料。
請參閱圖1和圖6，在某些實施方式中，鐳射發射器10包括垂直腔面發射鐳射器和/或邊發射鐳射器。
請參閱圖8，本申請還提供一種深度相機1000。深度相機1000包括上述任意一項實施方式所述的鐳射投射模組100、圖像採集器200和處理器80。圖像採集器200用於採集經繞射光學元件30繞射後向目標空間中投射的鐳射圖案。處理器80分別與鐳射投射模組100和圖像採集器200連接。處理器80用於處理鐳射圖案以獲取深度圖像。
請參閱圖9，本申請還提供一種電子裝置3000。電子裝置3000包括殼體2000及上述實施方式的深度相機1000。深度相機1000設置在殼體2000內並從殼體2000暴露以獲取深度圖像。
請參閱圖1，本申請實施方式的鐳射投射模組100包括鏡筒40和基板組件60。基板組件60包括基板62和電路板61。電路板61承載在基板62上。鏡筒40包括側壁41和自側壁41延伸的承載台411，側壁41設置在電路板61上，側壁41和電路板61圍成收容腔42。鐳射投射模組100還包括鐳射發射器10、反射元件50、準直元件20、繞射光學元件30和光檢測器70。鐳射發射器10、反射元件50、準直元件20、繞射光學元件30和光檢測器70均收容在收容腔42中。具體地，鐳射發射器10承載在電路板61上，鐳射發射器10用於發射鐳射。反射元件50也承載在電路板61上，反射元件50用於反射鐳射發射器10發射的鐳射。準直元件20和繞射光學元件30依次設置在反射元件50的出光方向上，繞射光學元件30放置在承載台411上。準直元件20用於準直經反射元件50反射後的鐳射。繞射光學元件30用於繞射經準直元件20準直後的鐳射以形成鐳射圖案。光檢測器70設置在鐳射發射器10和反射元件50之間，更具體地，光檢測器70設置在鐳射發射器10和反射元件50之間，光檢測器70用於接收鐳射發射器10發射的鐳射以輸出電訊號。電訊號可用於確定鐳射的非零級光束強度、以及在非零級光束強度小於預設強度時減小鐳射發射器10的發射功率。
其中，反射元件50放置在鐳射發射器10的側邊。鐳射發射器10的鐳射發射方向與反射元件50反射的光線的光軸垂直。光檢測器70包括收光面71，收光面71與電路板61平行。
光檢測器70可以係光敏電阻、光電二極體、光電三極管等可以將光強度訊號轉換成電訊號的元件。
可以理解，將光檢測器70設置在鐳射發射器10和準直元件20之間，當鐳射發射器10發射鐳射時，由於鐳射發射時會產生發散，鐳射發射器10發射的鐳射包括零級光束和非零級光束，其中，零級光束為鐳射發散後疊加聚集在發光面中心位置處的光束，非零級光束為鐳射發散後向發光面四周傳輸的光束，因此非零級光束中的小部分光線會照射到光檢測器70的收光面71上，光檢測器70接收這部分光線後產生電訊號輸出，該電訊號表徵的係非零級光束的強度。當每次使用鐳射發射器10時均對鐳射發射器10施加相同大小的電壓，則每次光檢測器70輸出的電訊號大體上係一致的。當對鐳射發射器10施加一定電壓，光檢測器70輸出的電訊號較低時，說明鐳射發射器10發射的鐳射中零級光束強度較大，從而導致非零鐳射光束強度較小。而零級光束在經過繞射光學元件30時通常不會被繞射，因此會直接出射，直接出射的零級光束的能量過大會對用戶的眼睛產生危害。
本申請實施方式的鐳射投射模組100藉由在鐳射發射器10與反射元件50之間設置一個光檢測器70，利用光檢測器70檢測非零級光束的強度在非零級光束強度較小時，確定零級光束的能量可能過大，此時立即執行減小鐳射發射器10的發射功率的動作，以避免零級光束能量過大而危害用戶眼睛的問題，提升鐳射投射模組100使用的安全性。
請參閱圖2，在某些實施方式中，準直元件20為一個時，準直元件20還可以設置在鐳射發射器10和反射元件50之間，此時，準直元件20準直鐳射發射器10發射的鐳射，反射元件50反射經由準直元件20準直後的鐳射，繞射光學元件30繞射經反射元件50反射後的鐳射。將準直元件20設置在反射元件50和繞射光學元件30之間可以減小鐳射投射模組100的厚度。
請參閱圖3，在某些實施方式中，準直元件20也可為兩個，一個準直元件20設置在鐳射發射器10與反射元件50之間，該準直元件20用於準直鐳射發射器10發射的鐳射，反射元件50用於反射經由該準直元件20準直後的鐳射。另一個準直元件20設置在反射元件50和繞射光學元件30之間，該準直元件20用於準直鏡反射元件50反射後的鐳射，繞射光學元件30繞射經該準直元件20準直後的鐳射。鐳射投射模組100中設置兩個準直元件20可以優化鐳射的準直效果，改善鐳射投射模組100的性能。
請參閱圖4，在某些實施方式中，光檢測器70的收光面71與電路板61垂直。此時，準直元件20的位置可以係：準直元件20為一個，設置在鐳射發射器10與反射元件50之間（如圖4所示）；或者，準直元件20為一個，設置在反射元件50與繞射光學元件30之間（圖未示）；或者，準直元件20為兩個，一個設置在鐳射發射器10與反射元件50之間，另一個設置在反射元件50與繞射光學元件30之間（圖未示）。如此，收光面71與鐳射發射器10的發光方向垂直，鐳射發射器10發射的鐳射直射到收光面71上，光檢測器70可以更準確地檢測非零級光束的強度。
請參閱圖5，在某些實施方式中，光檢測器70的收光面71與電路板61呈傾斜夾角。此時，準直元件20的位置可以係：準直元件20為一個，設置在鐳射發射器10與反射元件50之間（如圖4所示）；或者，準直元件20為一個，設置在反射元件50與繞射光學元件30之間（圖未示）；或者，準直元件20為兩個，一個設置在鐳射發射器10與反射元件50之間，另一個設置在反射元件50與繞射光學元件30之間（圖未示）。如此，假設光檢測器70為光電三極管，收光面71上可容納的光電三極管的數量更多，光檢測器70可接收到更多的光，從而可以更準確地檢測非零級光束的強度。
在某些實施方式中，鐳射發射器10可為垂直腔面發射鐳射器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL），垂直腔面發射鐳射器的發光方向與反射元件50反射的光線的光軸垂直。由於垂直腔面發射鐳射器的光源為多點且呈不規則的陣列分佈，因此，鐳射投射模組100投射的鐳射圖案的不相關性較大，有利於提升深度圖像的獲取精度。
在某些實施方式中，鐳射發射器10可為邊發射鐳射器（edge-emitting laser，EEL），具體地，鐳射發射器10可為分佈回饋式鐳射器（Distributed Feedback Laser，DFB）。此時，鐳射發射器10的發光面11朝向反射元件50，即鐳射發射器10的發光方向與反射元件50反射的光線的光軸垂直。分佈回饋式鐳射器的溫漂較小，且為單點發光結構，無需設計陣列結構，製作簡單，鐳射投射模組100的成本較低。
進一步地，當鐳射發射器10為分佈回饋式鐳射器時，由於分佈回饋式鐳射器的鐳射係藉由光柵結構的回饋獲得功率的增益，要提高分佈回饋式鐳射器的功率，需要藉由增加分佈回饋式鐳射器的長度和/或增大注入電流來實現。而增大注入電流會使得分佈回饋式鐳射器的功耗增大並且出現發熱嚴重的問題，因此，優選地，採用增加分佈回饋式鐳射器的長度來提高分佈回饋式鐳射器的長度。而為了減小鐳射投射模組100的寬度，請結合圖6，鐳射投射模組100的鏡筒40的側壁41開設有一個凹槽43，分散式回饋鐳射器部分收容在凹槽43內。如此，凹槽43可為分佈回饋式鐳射器提供更多的放置空間，且無需增加鐳射投射模組100的寬度。另外，優選地，凹槽43的長度、寬度和高度應與分佈回饋式鐳射器的長度、寬度、高度對應，具體地，凹槽43的長度、寬度和高度均略大於分佈回饋式鐳射器的長度，如此，凹槽43對分散式回饋鐳射器可以起到一定的固定作用，放置分散式回饋式鐳射器移位或脫落，或者，進一步地，將分佈回饋式鐳射器部分收容在凹槽43中後，使用封膠將分佈回饋式鐳射器與凹槽43進行粘結，且封膠可為導熱膠。如此，一方面可固定分佈回饋式鐳射器，另一方面還可對分佈回饋式鐳射器進行散熱。
請參閱圖7，在某些實施方式中，基板62開設有散熱孔621。散熱孔621的位置與鐳射投射模組100放置在電路板61上的位置以及與光檢測器70放置在電路板61上的位置相對。如此，可以為鐳射發射器10和光檢測器70進行散熱。散熱孔621中還可以填充有導熱膠，進一步為鐳射發射器10和光檢測器70進行散熱。
請參閱圖8，本申請還提供一種深度相機1000，本申請實施方式的深度相機1000包括上述任意一項實施方式的鐳射投射模組100、圖像採集器200和處理器80。其中，圖像採集器200用於採集經繞射光學元件30繞射後向目標空間中投射的鐳射圖案。處理器80分別與鐳射投射模組100和圖像採集器200連接。處理器80用於處理鐳射圖案以獲取深度圖像。
具體地，鐳射投射模組100透過投射視窗901向目標空間中投射鐳射圖案。圖像採集器200透過採集視窗902採集被目標物體調製後的鐳射圖案。圖像採集器200可為紅外相機。處理器80採用圖像匹配演算法計算出該鐳射圖案中各畫素點與參考圖案中的對應各個畫素點的偏離值，再根據偏離值進一步獲得該鐳射圖案的深度圖像。其中，圖像匹配演算法可為數位圖像相關（Digital Image Correlation，DIC）演算法。當然，也可以採用其它圖像匹配演算法代替DIC演算法。
本申請實施方式的深度相機1000中的鐳射投射模組100藉由在鐳射發射器10與反射元件50之間設置一個光檢測器70，利用光檢測器70檢測非零級光束的強度在非零級光束強度較小時，確定零級光束的能量可能過大，此時立即執行減小鐳射發射器10的發射功率的動作，以避免零級光束能量過大而危害用戶眼睛的問題，提升鐳射投射模組100使用的安全性。
請參閱圖9，本申請實施方式的電子裝置3000包括殼體2000及上述實施方式的深度相機1000。深度相機1000設置在殼體2000內並從殼體2000暴露以獲取深度圖像。
本申請實施方式的電子裝置3000中的鐳射投射模組100藉由在鐳射發射器10與反射元件50之間設置一個光檢測器70，利用光檢測器70檢測非零級光束的強度在非零級光束強度較小時，確定零級光束的能量可能過大，此時立即執行減小鐳射發射器10的發射功率的動作，以避免零級光束能量過大而危害用戶眼睛的問題，提升鐳射投射模組100使用的安全性。
在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、 “示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含于本申請的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不必須針對的係相同的實施例或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任一個或複數實施例或示例中以合適的方式結合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特徵進行結合和組合。
儘管上面已經示出和描述了本申請的實施例，可以理解的係，上述實施例係示例性的，不能理解為對本申請的限制，本領域的普通技術人員在本申請的範圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型
3000‧‧‧電子裝置
1000‧‧‧深度相機
100‧‧‧ 鐳射投射模組
10‧‧‧鐳射發射器
11‧‧‧發光面
20‧‧‧準直元件
30‧‧‧繞射光學元件
40‧‧‧鏡筒
41‧‧‧側壁
411‧‧‧承載台
42‧‧‧收容腔
43‧‧‧凹槽
50‧‧‧反射元件
60‧‧‧基板組件
61‧‧‧電路板
62‧‧‧基板
621‧‧‧散熱孔
70‧‧‧光檢測器
71‧‧‧收光面
80‧‧‧處理器
200‧‧‧圖像採集器
901‧‧‧投射視窗
902‧‧‧採集視窗
2000‧‧‧殼體
本申請上述的和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：
圖1係本申請某些實施方式的鐳射投射模組的結構示意圖。
圖2至圖5係本申請某些實施方式的鐳射投射模組的光路示意圖。
圖6和圖7係本申請某些實施方式的鐳射投射模組的結構示意圖。
圖8係本申請某些實施方式的深度相機的結構示意圖。
圖9係本申請某些實施方式的電子裝置的結構示意圖。

Claims (24)

  1. 一種鐳射投射模組，其改進在於，所述鐳射投射模組包括： 鐳射發射器，所述鐳射發射器用於發射鐳射； 反射元件，所述反射元件用於反射所述鐳射發射器發射的鐳射； 繞射光學元件，所述繞射光學元件用於繞射經所述反射元件反射後的鐳射；及 光檢測器，所述光檢測器設置在所述鐳射發射器與所述反射元件之間，所述光檢測器用於接收所述鐳射以輸出電訊號，所述電訊號用於確定所述鐳射的非零級光束強度、以及在所述非零級光束強度小於預設強度時減小所述鐳射發射器的發射功率。
  2. 根據專利申請範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述鐳射投射模組還包括準直元件，所述準直元件位於所述鐳射發射器與所述反射元件之間；或/和 所述準直元件位於所述反射元件與所述繞射光學元件之間。
  3. 根據專利申請範圍第2項所述的鐳射投射模組，其中，所述鐳射投射模組還包括： 基板組件，所述基板組件包括基板及承載在所述基板上的電路板，所述鐳射發射器承載在所述電路板上； 鏡筒，所述鏡筒包括側壁及自所述側壁延伸的承載台，所述側壁設置在所述電路板上，所述側壁與所述電路板圍成有收容腔，所述鐳射發射器、所述反射元件、所述準直元件、所述繞射光學元件及所述光檢測器均收容在所述收容腔內。
  4. 根據專利申請範圍第3項所述的鐳射投射模組，其中，所述反射元件放置在所述電路板上並置於所述鐳射發射器的側邊，所述鐳射發射器的鐳射發射方向與所述反射元件反射的光線的光軸垂直。
  5. 根據專利申請範圍第3項所述的鐳射投射模組，其中，所述光檢測器包括收光面，所述收光面平行於所述電路板；或 所述收光面與所述電路板垂直；或 所述收光面與所述電路板呈傾斜夾角。
  6. 根據專利申請範圍第3項所述的鐳射投射模組，其中，所述側壁開設有凹槽，所述鐳射發射器為邊發射鐳射器，所述邊發射鐳射器部分收容在所述凹槽內。
  7. 根據專利申請範圍第3項所述的鐳射投射模組，其中，所述基板開設有散熱孔，所述散熱孔填充有導熱材料。
  8. 根據專利申請範圍第3項所述的鐳射投射模組，其中，所述鐳射發射器包括垂直腔面發射鐳射器和/或邊發射鐳射器。
  9. 一種深度相機，其改進在於，所述深度相機包括： 鐳射投射模組，所述鐳射投射模組包括： 鐳射發射器，所述鐳射發射器用於發射鐳射； 反射元件，所述反射元件用於反射所述鐳射發射器發射的鐳射； 繞射光學元件，所述繞射光學元件用於繞射經所述反射元件反射後的鐳射； 光檢測器，所述光檢測器設置在所述鐳射發射器與所述反射元件之間，所述光檢測器用於接收所述鐳射以輸出電訊號；圖像採集器，所述圖像採集器用於採集由所述鐳射投射模組向目標空間中投射的鐳射圖案；和處理器，所述處理器用於根據所述電訊號確定所述鐳射的非零級光束強度、在所述非零級光束強度小於預設強度時減小所述鐳射發射器的發射功率、以及處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
  10. 根據專利申請範圍第9項所述的深度相機，其中，所述鐳射投射模組還包括準直元件，所述準直元件位於所述鐳射發射器與所述反射元件之間；或/和 所述準直元件位於所述反射元件與所述繞射光學元件之間。
  11. 根據專利申請範圍第10項所述的深度相機，其中，所述鐳射投射模組還包括： 基板組件，所述基板組件包括基板及承載在所述基板上的電路板，所述鐳射發射器承載在所述電路板上； 鏡筒，所述鏡筒包括側壁及自所述側壁延伸的承載台，所述側壁設置在所述電路板上，所述側壁與所述電路板圍成有收容腔，所述鐳射發射器、所述反射元件、所述準直元件、所述繞射光學元件及所述光檢測器均收容在所述收容腔內。
  12. 根據專利申請範圍第11項所述的深度相機，其中，所述反射元件放置在所述電路板上並置於所述鐳射發射器的側邊，所述鐳射發射器的鐳射發射方向與所述反射元件反射的光線的光軸垂直。
  13. 根據專利申請範圍第11項所述的深度相機，其中，所述光檢測器包括收光面，所述收光面平行於所述電路板；或 所述收光面與所述電路板垂直；或 所述收光面與所述電路板呈傾斜夾角。
  14. 根據專利申請範圍第11項所述的深度相機，其中，所述側壁開設有凹槽，所述鐳射發射器為邊發射鐳射器，所述邊發射鐳射器部分收容在所述凹槽內。
  15. 根據專利申請範圍第11項所述的深度相機，其中，所述基板開設有散熱孔，所述散熱孔填充有導熱材料。
  16. 根據專利申請範圍第9項所述的深度相機，其中，所述鐳射發射器包括垂直腔面發射鐳射器和/或邊發射鐳射器。
  17. 一種電子裝置，其改進在於，所述電子裝置包括殼體和深度相機，所述深度相機設置在所述殼體內並從所述殼體暴露以獲取深度圖像；所述深度相機包括： 鐳射投射模組，所述鐳射投射模組包括： 鐳射發射器，所述鐳射發射器用於發射鐳射； 反射元件，所述反射元件用於反射所述鐳射發射器發射的鐳射； 繞射光學元件，所述繞射光學元件用於繞射經所述反射元件反射後的鐳射； 光檢測器，所述光檢測器設置在所述鐳射發射器與所述反射元件之間，所述光檢測器用於接收所述鐳射以輸出電訊號；圖像採集器，所述圖像採集器用於採集由所述鐳射投射模組向目標空間中投射的鐳射圖案；和；處理器，所述處理器用於根據所述電訊號確定所述鐳射的非零級光束強度、在所述非零級光束強度小於預設強度時減小所述鐳射發射器的發射功率、以及處理所述鐳射圖案以獲得所述深度圖像。
  18. 根據專利申請範圍第17項所述的電子裝置，其中，所述鐳射投射模組還包括準直元件，所述準直元件位於所述鐳射發射器與所述反射元件之間；或/和 所述準直元件位於所述反射元件與所述繞射光學元件之間。
  19. 根據專利申請範圍第18項所述的電子裝置，其中，所述鐳射投射模組還包括： 基板組件，所述基板組件包括基板及承載在所述基板上的電路板，所述鐳射發射器承載在所述電路板上； 鏡筒，所述鏡筒包括側壁及自所述側壁延伸的承載台，所述側壁設置在所述電路板上，所述側壁與所述電路板圍成有收容腔，所述鐳射發射器、所述反射元件、所述準直元件、所述繞射光學元件及所述光檢測器均收容在所述收容腔內。
  20. 根據專利申請範圍第19項所述的電子裝置，其中，所述反射元件放置在所述電路板上並置於所述鐳射發射器的側邊，所述鐳射發射器的鐳射發射方向與所述反射元件反射的光線的光軸垂直。
  21. 根據專利申請範圍第19項所述的電子裝置，其中，所述光檢測器包括收光面，所述收光面平行於所述電路板；或 所述收光面與所述電路板垂直；或 所述收光面與所述電路板呈傾斜夾角。
  22. 根據專利申請範圍第19項所述的電子裝置，其中，所述側壁開設有凹槽，所述鐳射發射器為邊發射鐳射器，所述邊發射鐳射器部分收容在所述凹槽內。
  23. 根據專利申請範圍第19項所述的電子裝置，其中，所述基板開設有散熱孔，所述散熱孔填充有導熱材料。
  24. 根據專利申請範圍第17項所述的電子裝置，其中，所述鐳射發射器包括垂直腔面發射鐳射器和/或邊發射鐳射器。
TW108108332A 2018-03-12 2019-03-12 鐳射投射模組、深度相機和電子裝置 TWI685678B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??201810202118.0 2018-03-12
CN201810202118.0A CN108490632B (zh) 2018-03-12 2018-03-12 激光投射模组、深度相机和电子装置
CN201810202118.0 2018-03-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201939108A true TW201939108A (zh) 2019-10-01
TWI685678B TWI685678B (zh) 2020-02-21

Family

ID=63338963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108108332A TWI685678B (zh) 2018-03-12 2019-03-12 鐳射投射模組、深度相機和電子裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11199398B2 (zh)
EP (1) EP3540371B1 (zh)
CN (1) CN108490632B (zh)
TW (1) TWI685678B (zh)
WO (1) WO2019174384A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108490632B (zh) * 2018-03-12 2020-01-10 Oppo广东移动通信有限公司 激光投射模组、深度相机和电子装置
CN110333501A (zh) * 2019-07-12 2019-10-15 深圳奥比中光科技有限公司 深度测量装置及距离测量方法
CN111596507B (zh) * 2020-05-11 2022-04-22 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种摄像模组及其制造方法
CN114877920A (zh) * 2022-06-01 2022-08-09 上海钊晟传感技术有限公司 一种人眼安全型激光传感器方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5406543A (en) 1993-04-07 1995-04-11 Olympus Optical Co., Ltd. Optical head with semiconductor laser
US6445671B1 (en) * 1998-06-30 2002-09-03 Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho Optical pickup device having a shielding protection
CN1167064C (zh) * 1998-12-03 2004-09-15 株式会社三协精机制作所 激光头装置及光源单元
JP2000353332A (ja) * 1999-04-19 2000-12-19 Samsung Electronics Co Ltd 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置
JP4716239B2 (ja) * 2000-11-14 2011-07-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 光ピックアップ装置用の対物レンズ及び光ピックアップ装置
JP4094501B2 (ja) * 2002-11-27 2008-06-04 シャープ株式会社 光ピックアップ装置
JP4412142B2 (ja) * 2003-12-19 2010-02-10 Ｔｄｋ株式会社 光ヘッド
CN101088137B (zh) * 2004-12-21 2010-05-12 埃美格科学仪器公司 激光原子探针
US7567495B2 (en) 2006-10-18 2009-07-28 Hitachi Media Electronics Co., Ltd. Optical pickup apparatus and optical disc apparatus using same
US7963447B2 (en) * 2007-11-30 2011-06-21 Symbol Technologies, Inc. Enhanced monitoring of laser output power in electro-optical readers
JP5588310B2 (ja) * 2009-11-15 2014-09-10 プライムセンス リミテッド ビームモニタ付き光学プロジェクタ
JP2011114182A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Seiko Epson Corp レーザー光源装置、プロジェクター及びモニター装置
US9740019B2 (en) * 2010-02-02 2017-08-22 Apple Inc. Integrated structured-light projector
US8592739B2 (en) * 2010-11-02 2013-11-26 Microsoft Corporation Detection of configuration changes of an optical element in an illumination system
US9470778B2 (en) 2011-03-29 2016-10-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Learning from high quality depth measurements
US9729853B2 (en) * 2012-02-03 2017-08-08 Lumentum Operations Llc Low profile depth camera
US9297889B2 (en) 2012-08-14 2016-03-29 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination light projection for a depth camera
JP6103179B2 (ja) * 2012-09-13 2017-03-29 株式会社リコー 距離測定装置
US20140307055A1 (en) * 2013-04-15 2014-10-16 Microsoft Corporation Intensity-modulated light pattern for active stereo
US9443310B2 (en) 2013-10-09 2016-09-13 Microsoft Technology Licensing, Llc Illumination modules that emit structured light
US9503708B2 (en) 2014-11-03 2016-11-22 Aquifi, Inc. Systems and methods for reducing z-thickness and zero-order effects in depth cameras
US10895753B2 (en) * 2014-11-14 2021-01-19 Ahead Optoelectronics, Inc. Structured light generation device and diffractive optical element thereof
US9553423B2 (en) * 2015-02-27 2017-01-24 Princeton Optronics Inc. Miniature structured light illuminator
US11431146B2 (en) * 2015-03-27 2022-08-30 Jabil Inc. Chip on submount module
US9800795B2 (en) 2015-12-21 2017-10-24 Intel Corporation Auto range control for active illumination depth camera
US10122146B2 (en) 2016-04-05 2018-11-06 Aquifi, Inc. Thin laser package for optical applications
US10827163B2 (en) * 2016-08-09 2020-11-03 Facebook Technologies, Llc Multiple emitter illumination source for depth information determination
CN106918303B (zh) * 2017-03-14 2019-02-19 安徽大学 光学自由曲面自适应非零位干涉检测***
CN206908092U (zh) 2017-05-15 2018-01-19 深圳奥比中光科技有限公司 Vcsel阵列光源、激光投影装置及3d成像设备
CN107167996A (zh) * 2017-06-05 2017-09-15 深圳奥比中光科技有限公司 自适应调整的激光投影模组及深度相机
CN107167997A (zh) * 2017-06-05 2017-09-15 深圳奥比中光科技有限公司 激光投影模组及深度相机
CN206833136U (zh) 2017-06-14 2018-01-02 深圳奥比中光科技有限公司 投影模组及深度相机
CN206877030U (zh) 2017-07-07 2018-01-12 深圳奥比中光科技有限公司 发光装置及其激光投影模组
US20200228764A1 (en) * 2017-10-02 2020-07-16 Liqxtal Technology Inc. Tunable light projector
CN107783361B (zh) * 2017-10-25 2020-11-03 深圳奥比中光科技有限公司 含有光束监测单元的光学投影装置
US10310281B1 (en) * 2017-12-05 2019-06-04 K Laser Technology, Inc. Optical projector with off-axis diffractive element
US10545457B2 (en) * 2017-12-05 2020-01-28 K Laser Technology, Inc. Optical projector with off-axis diffractive element and conjugate images
CN109901300B (zh) * 2017-12-08 2021-04-06 宁波盈芯信息科技有限公司 一种基于垂直腔面发射激光器规则点阵的激光散斑投射器
WO2019165862A1 (zh) * 2018-02-27 2019-09-06 Oppo广东移动通信有限公司 激光投射模组、深度相机和电子装置
CN108490632B (zh) * 2018-03-12 2020-01-10 Oppo广东移动通信有限公司 激光投射模组、深度相机和电子装置
CN110278426B (zh) * 2018-03-18 2024-02-13 宁波舜宇光电信息有限公司 深度信息摄像模组及其基座组件、电子设备和制备方法
US10418780B1 (en) * 2018-07-19 2019-09-17 Arima Lasers Corp. Dot projector with automatic power control
US11223816B2 (en) * 2018-09-26 2022-01-11 Himax Technologies Limited Multi-image projector and electronic device having multi-image projector
CN109798838B (zh) * 2018-12-19 2020-10-27 西安交通大学 一种基于激光散斑投射的ToF深度传感器及其测距方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI685678B (zh) 2020-02-21
EP3540371B1 (en) 2021-11-10
US20190278099A1 (en) 2019-09-12
CN108490632A (zh) 2018-09-04
CN108490632B (zh) 2020-01-10
US11199398B2 (en) 2021-12-14
EP3540371A1 (en) 2019-09-18
WO2019174384A1 (zh) 2019-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI685678B (zh) 鐳射投射模組、深度相機和電子裝置
TW201939113A (zh) 鐳射投射模組、深度相機和電子裝置
CN108319034B (zh) 激光投射模组、深度相机和电子装置
TWI697729B (zh) 鐳射投射模組、深度相機和電子裝置
CN108387365B (zh) 激光投射模组及其损坏的检测方法、深度相机和电子装置
CN108344378B (zh) 激光投射模组及其损坏的检测方法、深度相机和电子装置
US11048155B2 (en) Diffractive optical assembly, laser projection unit, and depth camera
TWI771569B (zh) 鐳射投射模組、深度相機及電子裝置
CN108388072B (zh) 激光投射模组、深度相机和电子装置
CN111694161A (zh) 光发射模组、深度相机及电子设备
WO2019233103A1 (zh) 衍射光学元件、光电模组、输入输出组件及电子设备
WO2021027573A1 (zh) 激光投射器、深度相机及电子装置
CN108646426A (zh) 激光投射模组、图像撷取装置和电子设备
CN108415209B (zh) 结构光投射模组、摄像组件和电子装置
CN210923959U (zh) 飞行时间投射器、飞行时间深度模组和电子设备
CN108388065B (zh) 结构光投射器、光电设备和电子装置
JP2011165607A (ja) 光検出装置及び光源装置
CN108490572B (zh) 激光投射模组、深度相机及电子装置
CN112393692A (zh) 激光投射模组、图像采集模组、深度相机及电子设备
CN108490595B (zh) 结构光投射模组、图像获取装置及电子设备
CN112393691B (zh) 光发射模组、深度相机及电子设备
WO2021026829A1 (zh) 光发射模组、光接收模组、深度相机和电子设备
WO2020052300A1 (zh) 投影模组、结构光三维成像装置和电子设备
CN108508687B (zh) 激光投射模组、深度相机和电子装置
WO2019174433A1 (zh) 激光投射模组、深度相机和电子装置