TW201938781A - 表面處理組成物、表面處理組成物之製造方法、表面處理方法及半導體基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種表面處理組成物，其係會充分去除存在於研磨過之研磨對象物表面之缺陷。一種表面處理組成物，其係具有HLB超過7之聚矽氧系化合物及水，且係用於處理研磨過之研磨對象物。

Description

表面處理組成物、表面處理組成物之製造方法、表面處理方法及半導體基板之製造方法
本發明係關於表面處理組成物、表面處理組成物之製造方法、表面處理方法及半導體基板之製造方法。
近年來伴隨半導體基板表面之多層配線化，於製造裝置時，利用研磨半導體基板而進行平坦化之所謂化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)技術。CMP係使用包含二氧化矽或氧化鋁、氧化鈰等之磨粒、防腐蝕劑、界面活性劑等之研磨用組成物(漿料)，而將半導體基板等之研磨對象物(被研磨物)之表面予以平坦化之方法，研磨對象物(被研磨物)係如由矽、聚矽、矽氧化膜(氧化矽)、矽氮化物，或金屬等所構成之配線、栓(plug)等。
CMP步驟後之半導體基板表面殘留大量雜質(缺陷)。雜質係如包括：源自CMP所使用之研磨用組成物之磨粒、金屬、防腐蝕劑、界面活性劑等之有機物，因對研磨對象物之含矽材料、金屬配線或栓等進行研磨所產生之含矽材料或金屬，以及從各種墊等所產生之墊屑等之有機物等。
半導體基板表面若受到雜質所污染時，則對半導體之電特性造成不良影響，而有裝置信賴性降低之可能性。因此，以在CMP步驟後導入洗淨步驟，將該等雜質從半導體基板表面去除為理想。
作為此種洗淨步驟所使用之水系洗淨液(洗淨用組成物)，例如日本特開2012-74678號公報(對應於美國專利公開第2013/174867號說明書)揭示一種半導體基板用之洗淨用組成物，其係含有聚羧酸或羥基羧酸、磺酸型陰離子性界面活性劑、羧酸型陰離子性界面活性劑，及水。日本特開2012-74678號公報(對應於美國專利公開第2013/174867號說明書)記載為了有效地洗淨疏水性絕緣膜表面之污染，重要的是活用界面活性劑來使疏水性之濕潤性提升。又，日本特開2004-149732號公報揭示一種經親水化之纖維素微粒子之水分散體。日本特開2004-149732號公報係藉由使用該分散體進行洗淨，纖維素微粒子進入加工溝等進而能去除污穢。
然而，日本特開2012-74678號公報(對應於美國專利公開第2013/174867號說明書)、日本特開2004-149732號公報之技術中，仍有無法充分去除存在於研磨過之研磨對象物表面之缺陷的問題。
因此，本發明之目的在於充分去除存在於研磨過之研磨對象物表面之缺陷。
本發明者等有鑑於上述課題進行精心研討。發現藉由使用具有HLB超過7之聚矽氧系化合物及水之用於處理研磨過之研磨對象物之表面處理組成物，即能充分去除研磨過之研磨對象物表面上之缺陷，進而完成本發明。
以下，說明本發明。尚且，本發明並非係受限於以下之實施形態者。
又，本說明書中，化合物之具體名中標示之「(甲基)丙烯醯基」係代表「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」者，「(甲基)丙烯酸酯」係代表「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」者。
本發明為一種表面處理組成物，其係具有HLB超過7之聚矽氧系化合物及水，且係使用於處理研磨過之研磨對象物。
藉由以該構成之組成物進行表面處理，而能充分去除研磨過之研磨對象物表面上之雜質(缺陷)。
尚且，本發明之組成物係去除殘留於研磨過之研磨對象物(基板)上之雜質(缺陷)，從該觀點來看，可謂係使該研磨過之研磨對象物(基板)表面之表面狀態進行變化(處理)。因此，將該組成物稱為「表面處理組成物」。
[研磨過之研磨對象物]
本說明書中，研磨過之研磨對象物係意指在研磨步驟中被研磨後之研磨對象物。作為研磨步驟，並無特別限制，以CMP步驟為佳。
研磨過之研磨對象物(以下，單亦稱為「洗淨對象物」)係以包含氮化矽(以下，亦單稱為「SiN」)、氧化矽，或聚矽(以下，亦單稱為「Poly-Si」)為佳。作為包含氧化矽之研磨過之研磨對象物，可舉出例如，使用原矽酸四乙基酯作為前驅物所生成之TEOS型氧化矽面(以下，單亦稱為「TEOS」)、HDP膜、USG膜、PSG膜、BPSG膜、RTO膜等。
研磨過之研磨對象物係以研磨過之半導體基板為佳，以CMP步驟後之半導體基板為較佳。其理由係由於缺陷尤其係會成為半導體裝置破壞之原因，故研磨過之研磨對象物為研磨過之半導體基板時，作為半導體基板之洗淨步驟，則有必要係能盡可能去除缺陷者所致。
作為包含氮化矽、氧化矽或聚矽之研磨過之研磨對象物，並無特別限制，可舉出如由氮化矽、氧化矽及聚矽之個別單體所構成之研磨過之研磨對象物；除了氮化矽、氧化矽或聚矽以外，於表面露出該等以外材料之狀態之研磨過之研磨對象物等。在此，作為前者，可舉出例如，半導體基板之氮化矽基板、氧化矽基板或聚矽基板。又，關於後者，氮化矽、氧化矽或聚矽以外之材料並無特別限制，可舉出例如鎢等。作為該研磨過之研磨對象物之具體例，可舉出如，於鎢上有有已形成氮化矽膜、氧化矽膜、或聚矽膜之構造之研磨過之半導體基板；具有露出有鎢部分，與氮化矽膜、氧化矽膜及聚矽膜之任一種以上之構造之研磨過之半導體基板等。
在此，從本發明所發揮之效果之觀點，本發明之一形態之研磨過之研磨對象物係以包含聚矽或氧化矽為佳。研磨過之研磨對象物在包含聚矽或氧化矽時，本發明之效果可更加發揮之理由認為係HLB超過7之聚矽氧系化合物由於與聚矽或氧化矽之親和性為高，故能將均勻之膜形成於聚矽或氧化矽上，且異物難以附著在聚矽或氧化矽上所致。
[表面處理組成物]
本發明之一形態為一種表面處理組成物，其係具有HLB超過7之聚矽氧系化合物及水，且係使用於處理研磨過之研磨對象物。以下，將HLB超過7之聚矽氧系化合物亦單稱為聚矽氧系化合物。在此，「使用於處理研磨過之研磨對象物」係意指表面處理組成物為了藉由直接性接觸而使研磨過之研磨對象物之表面狀態變化(從表面去除雜質)所使用。又，處理係包括沖洗研磨或洗淨。
關於藉由本發明而解決上述課題之機制，本發明者等係推測如以下所述。
表面處理組成物使表面處理組成物所含有之各成分，與研磨過之研磨對象物之表面及異物進行相互作用之結果，而具有去除研磨過之研磨對象物表面之異物，或使去除變得容易之功能。
表面處理組成物所包含之聚矽氧系化合物之表面張力由於非常之低，故即使為水系表面處理組成物，對於疏水性之研磨過之研磨對象物，其濕潤性仍會變得非常高。故，可提高對研磨過之研磨對象物之洗淨性(減少缺陷)。此外，聚矽氧系化合物由於對研磨過之研磨對象物之表面之親和性為高，故在研磨過之研磨對象物之表面容易形成親水性基朝外之均勻親水性層。研磨過之研磨對象物之表面上之親水性層之形成在不均勻時，則親水性層不會形成，即，在研磨過之研磨對象物之表面所露出之部分會變得容易附著雜質(例如，沖洗研磨步驟中之研磨墊屑，或因洗淨而一旦被去除之殘留雜質)，進而導致存在於研磨過之研磨對象物表面之雜質增加。另一方面，藉由聚矽氧系化合物在研磨過之研磨對象物表面上形成均勻親水性層，而能抑制雜質(尤其係疏水性成分)附著於研磨過之研磨對象物之表面。
尚且，上述機制依基於推測而得者，其之正誤並非係對本發明之技術範圍造成影響者。
以下，說明關於表面處理組成物所包含之各成分。
[聚矽氧系化合物]
聚矽氧系化合物之HLB超過7。HLB為7以下時，無法充分去除存在於研磨過之研磨對象物表面之雜質(參照後述之比較例2、3及4)。HLB為7以下時，聚矽氧系高分子之疏水性為高，且形成於研磨過之研磨對象物之表面上之層之疏水性變高。其結果係認為雜質變得容易附著。
從本發明之效果之觀點，聚矽氧系高分子之HLB係以7.5以上為佳，以8以上為較佳。
聚矽氧系化合物之HLB之上限值並無特別限定，一般為20以下，由於會更加發揮本發明效果，故以18以下為佳，以16以下為較佳，以15以下為更佳，以12以下為更較佳，且因會減少缺陷數，故以10以下為特佳。在此，HLB為通常界面活性劑之領域中所使用之親水性-疏水性之平衡，且藉由通常使用之計算式，例如格里芬(Griffin)之下述式：HLB值(由格里芬法而得之測量值)=20×親水部之式量之總和/分子量所求出者。格里芬之式係如文獻(W.C. Greiffin, J. Soc. Cosmetic Chemists, 1, 311(1949))所示。HLB值越大則表示越為親水性，越小則表示越為疏水性。又，也使用如型錄等記載之HLB之數值。
聚矽氧系化合物為具有由矽氧烷鍵所成之主骨架且具有親水性基之化合物。聚矽氧系化合物並非係受到特別限定者，以在室溫(25℃)下呈液狀者為佳，以聚矽氧油為較佳。又，聚矽氧系化合物在25℃下之動黏度並非係受到特別限定者，為了發揮減少缺陷之效果，下限係以10mm2 /s以上為佳，以50mm2 /s以上為較佳，以100mm2 /s以上為更佳，以150mm2 /s以上為更較佳。又，為了使在25℃下之動黏度為適當且為了不使表面處理組成物之流動性大幅變化，上限係以30,000mm2 /s以下為佳，以10,000mm2 /s以下為較佳，以5,000mm2 /s以下為更佳，以1,000mm2 /s以下為更較佳，以500mm2 /s以下為特佳。以下，聚矽氧系化合物在25℃下之動黏度亦單記載為黏度。
聚矽氧系化合物係以聚醚變性聚矽氧為佳，以聚醚變性聚矽氧油為較佳。作為聚醚變性聚矽氧油，可為單末端變性型、兩末端變性型、側鏈變性型、主鏈共聚合型之任意一者，以側鏈變性型(聚矽氧主鏈上聚醚鏈係分枝作為側鏈之構造)為佳。
聚醚變性聚矽氧之平均分子量係以55000以下為佳，以40000以下為較佳。平均分子量係表示重量平均分子量。在此重量平均分子量係定義成藉由使用TSKgel GMHxL、TSKgel G4000HxL、TSKgel G2000HxL(皆為東曹(股)製之商品名)之管柱之GPC分析裝置，使用THF為溶劑，由示差折射計檢測而得之以聚苯乙烯換算所示之分子量。
聚醚變性聚矽氧(油)係可使用市售品，可舉出如SH8400(HLB8，黏度260mm2 /s)、L-7002(HLB8，黏度1,200mm2 /s)、FZ-2104(HLB9)、FZ-77(HLB11，黏度20mm2 /s)、L-7604(HLB11，黏度400mm2 /s)(以上、東麗道康寧公司製)；KF-6011(HLB14.5，黏度130mm2 /s)、KF-6011P(HLB14.5，黏度130mm2 /s)、KF-6013(HLB10，黏度400mm2 /s)、KF-6043(HLB14.5，黏度400mm2 /s)、KF-351A(HLB12，黏度70mm2 /s)、KF-353(HLB10，黏度430mm2 /s)、KF-354L(HLB16，黏度200mm2 /s)、KF-355A(HLB12，黏度150mm2 /s)、KF-615A(HLB10，黏度920mm2 /s)、KF-640(HLB14，黏度20mm2 /s)、KF-642(HLB12，黏度50mm2 /s)、KF-643(HLB14，黏度19mm2 /s)、KF-644(HLB11，黏度38mm2 /s)、KF-6024(HLB10，黏度70mm2 /s)(以上，信越化學工業公司製)等。
又，本發明使用之聚醚變性聚矽氧(油)係能使用例如，日本特開2002-179797號公報、日本特開2008-1896號公報、日本特開2008-1897號公報記載之方法，或，以此為準之方法而容易合成。
相對於表面處理組成物之總量，聚矽氧系化合物之含量係以0.01質量%以上為佳。聚矽氧系化合物之含量為0.01質量%以上時，雜質之附著減低效果更加提升。從相同之觀點，相對於表面處理組成物之總量，聚矽氧系化合物之含量係以0.05質量%以上為佳，以0.08質量%以上為更佳。又，相對於表面處理組成物之總量，聚矽氧系化合物之含量係以1質量%以下為佳。聚矽氧系化合物之含量為1質量%以下時，由於洗淨效果增加而為佳。從相同之觀點，相對於表面處理組成物之總量，聚矽氧系化合物之含量係以0.8質量%以下為佳，以0.5質量%以下為更佳，以0.3質量%以下為最佳。
[分散媒]
本發明之一形態之表面處理組成物係必須包含水作為分散媒(溶劑)。分散媒具有使各成分分散或溶解之功能。分散媒係以單僅水為較佳。又，分散媒為了溶解或分散各成分，亦可為水與有機溶劑之混合溶劑。於此情況，作為使用之有機溶劑，可舉出如：與水混合之有機溶劑之丙酮、乙腈、乙醇、甲醇、異丙醇、丙三醇、乙二醇、丙二醇等。又，該等有機溶劑亦可不先與水混合使用，在分散或溶解各成分後，再與水混合。該等有機溶劑係可單獨使用或可將2種以上組合使用。
從抑制研磨過之研磨對象物之污染或阻礙其他成分之作用的觀點，水係以儘可能不含有雜質之水為佳。例如，以過渡金屬離子之合計含量再100ppb以下(下限0ppb)之水為佳。在此，水之純度係能藉由例如使用離子交換樹脂之雜質離子之去除、藉由過濾器之異物之去除、藉由蒸餾等之操作來提高。具體而言，水係以使用例如脫離子水(離子交換水)、純水、超純水、蒸餾水等為佳。
表面處理組成物中，水之含量係以80質量%以上為佳，以90質量%以上為較佳，以95質量%以上為更佳。
[分散劑]
本發明之一形態之表面處理組成物係以更包含分散劑為佳。分散劑係藉由界面活性能力使表面張力降低，而貢獻於使用表面處理組成物之異物去除。故，包含分散劑之表面處理組成物在研磨過之研磨對象物之表面處理(洗淨等)中能充分地去除殘留於研磨過之研磨對象物表面上之異物。其中，分散劑係以高分子(分散劑)為佳。
作為高分子分散劑之例，可舉出如具有磺酸(鹽)基之高分子化合物；具有磷酸(鹽)基之高分子化合物；具有膦酸(鹽)基之高分子化合物；具有羧酸(鹽)基之高分子化合物；聚乙烯吡咯啶酮(PVP)、聚乙烯咪唑(PVI)、聚乙烯咔唑、聚乙烯己內醯胺、聚乙烯哌啶、聚丙烯醯基嗎啉(PACMO)等之包含氮原子之水溶性高分子；聚乙烯醇(PVA)；羥基乙基纖維素(HEC)等。
該等之中，以具有磺酸(鹽)基之高分子化合物為佳。以下，說明關於具有磺酸(鹽)基之高分子化合物。
＜具有磺酸(鹽)基之高分子化合物＞
本發明之一形態之表面處理組成物係以上述分散劑為具有磺酸(鹽)基之高分子化合物為佳。具有磺酸(鹽)基之高分子化合物(本說明書中，亦單稱為「含磺酸基高分子」)更容易賦予使用表面處理組成物之異物去除。故，包含上述含磺酸基高分子之表面處理組成物在研磨過之研磨對象物之表面處理(洗淨等)中具有更容易去除殘留於研磨過之研磨對象物表面上之異物的效果。
該含磺酸基高分子藉由磺酸(鹽)基以外之部分(即，含磺酸基高分子之聚合物鏈部分)與異物(尤其疏水性成分)之親和性而可形成膠束(micelle)。故，認為此膠束藉由在表面處理組成物中溶解或分散，疏水性成分之異物也效果地被去除。
又，酸性條件下，研磨過之研磨對象物之表面為陽離子性時，磺酸基藉由進行陰離子化，而變得容易吸附在該研磨過之研磨對象物之表面。其結果認為在研磨過之研磨對象物之表面成為被覆有上述含磺酸基高分子之狀態。另一放面，殘留之異物(尤其容易帶有陽離子性者)由於容易吸附含磺酸基高分子之磺酸基，故異物之表面會變得帶有陰離子性。因此，其表面成為陰離子性之異物，與，吸附於研磨過之研磨對象物表面之含磺酸基高分子之經陰離子化之磺酸基產生靜電性排斥。又，異物為陰離子性時，異物自身，與，存在於研磨過之研磨對象物上之經陰離子化之磺酸基產生靜電性排斥。因此，認為藉由利用此種靜電性排斥，而能有效地去除異物。
並且，推測在研磨過之研磨對象物在在不易帶有電荷之情況，係藉由與上述相異之機制而去除異物。首先，認為相對於疏水性之研磨過之研磨對象物，異物(尤其疏水性成分)係因疏水性相互作用而處於容易附著之狀態。在此，含磺酸基高分子之聚合物鏈部分(疏水性構造部位)係因其之疏水性，而朝向研磨過之研磨對象物之表面側，另一方面親水性構造部位之經陰離子化之磺酸基等則係朝向與研磨過之研磨對象物表面側之反對側。藉此，推測研磨過之研磨對象物之表面係成為被經陰離子化之磺酸基所覆蓋之狀態而成為親水性。認為其結果係在異物(尤其疏水性成分)與上述研磨過之研磨對象物之間變得難以產生疏水性相互作用，從而抑制異物之附著。
其後，吸附於研磨過之研磨對象物表面之聚矽氧系化合物及含磺酸基高分子再藉由進行水洗等而可容易去除。
尚且，本說明書中，「磺酸(鹽)基」係指磺酸基(-SO3 H))或其鹽之基(-SO3 M2 ；在此，M2 表示有機或無機之陽離子)。
含磺酸基高分子只要係具有複數磺酸(鹽)基者即無特別限制，可使用公知之化合物。作為含磺酸基高分子之例，可舉出、將成為基質之高分子化合物磺化而得之高分子化合物，或，使具有磺酸(鹽)基之單體進行(共)聚合而得之高分子化合物等。
更具體地可舉出如含磺酸(鹽)基之聚乙烯醇(磺酸變性聚乙烯醇)、聚苯乙烯磺酸、聚苯乙烯磺酸鈉等之含磺酸(鹽)基之聚苯乙烯、含磺酸(鹽)基之聚乙酸乙烯基酯(磺酸變性聚乙酸乙烯酯)、含磺酸(鹽)基之聚酯、含(甲基)丙烯酸-磺酸(鹽)基之單體之共聚物等之含(甲基)丙烯醯基之單體-含磺酸(鹽)基之單體之共聚物等。上述含磺酸基高分子係可單獨使用或可將2種以上組合使用。該等高分子所具有之磺酸基之至少一部分亦可為鹽之形態。作為鹽之例，可舉出如鈉鹽、鉀鹽等之鹼金屬鹽、鈣鹽、鎂鹽等之第2族元素之鹽、胺鹽、銨鹽等。尤其，研磨過之研磨對象物為CMP步驟後之半導體基板時，從極力去除基板表面之金屬之觀點，以銨鹽為佳。
又，含磺酸基高分子為含磺酸基之聚乙烯醇時，從溶解性之觀點，皂化度係以80%以上為佳，以85%以上為較佳(上限100%)。
含磺酸基高分子之重量平均分子量係以1,000以上為佳。重量平均分子量為1,000以上時，異物之去除效果更加提高。該理由推測係由於在被覆研磨過之研磨對象物或異物時之被覆性變得更加良好，從洗淨對象物表面去除異物之作用或對於研磨過之研磨對象物表面之雜質(缺陷)再附著抑制作用更加提升所致。從相同之觀點，重量平均分子量係以2,000以上為較佳，以5,000以上為更佳，以8,000以上為最佳。
又，含磺酸基高分子之重量平均分子量係以100,000以下為佳。重量平均分子量為100,000以下時，異物之去除效果更加提高。該理由推測係由於洗淨步驟後之含磺酸基高分子之去除性變得更加良好所致。從相同之觀點，重量平均分子量係以50,000以下為佳，以30,000以下為更佳，以20,000以下為較佳，以15,000以下為最佳。
該重量平均分子量係可藉由凝膠滲透層析法(GPC)進行測量，具體而言係可藉由下述之裝置及條件進行測量。
GPC裝置：股份有限公司島津製作所製
型號：Prominence + ELSD檢測器(ELSD-LTII)
管柱：VP-ODS(股份有限公司島津製作所製)
移動相A：MeOH
B：乙酸1%水溶液
流量：1mL/分
檢測器：ELSD 溫度40℃、Gain 8、N2 GAS 350kPa
烤箱溫度：40℃
注入量：40μL。
作為含磺酸基高分子，也可使用市售品，可使用例如，日本合成化學工業股份有限公司製Gohsenx (註冊商標)L-3226、Gohsenx (註冊商標)CKS-50、東亞合成股份有限公司製Aron (註冊商標)A-6012、A-6016A、A-6020、東曹有機化學股份有限公司製Polynas(註冊商標)PS-1等。
相對於表面處理組成物之總量，含磺酸基高分子之含量(濃度)係以0.01質量%以上為佳。含磺酸基高分子之含量為0.01質量%以上時，雜質(缺陷)之去除效果更加提升。該理由推測係由於含磺酸基高分子在被覆研磨過之研磨對象物及異物時，更多之面積受到被覆所致。藉此，尤其係異物變得容易形成膠束，故該膠束之溶解・分散所致之異物去除效果提升。又，推測係由於磺酸(鹽)基之數增加，而能更強地展現靜電性吸附或排斥效果。從相同之觀點，相對於表面處理組成物之總量，含磺酸基高分子之含量(濃度)係以0.02質量%以上為較佳。又，相對於表面處理組成物之總量，含磺酸基高分子之含量(濃度)係以0.5質量%以下為佳。含磺酸基高分子之含量為0.5質量%以下時，異物之去除效果更加提高。該理由推測係由於洗淨步驟後之含磺酸基高分子自身之去除性變得良好所致。從相同之觀點，相對於表面處理組成物之總量，含磺酸基高分子之含量係以0.3質量%以下為較佳，以0.2質量%以下為更佳，以0.1質量%以下為特佳。
[pH]
本發明之表面處理組成物之pH係以未滿9.0為佳。pH在未滿9.0時，將表面處理組成物使用在具有能帶有正電荷之性質之異物或洗淨對象物時，能更加確實地使洗淨對象物之表面或異物之表面帶有正電荷，且藉由靜電性排斥，而可取得更高之異物去除效果。表面處理組成物之pH係以未滿8.0為佳，較佳未滿7.0，更佳未滿6.0，可未滿4.0，亦可未滿3.5。又，本發明之表面處理組成物之pH係以1.5以上為佳，以2.0以上為較佳。
在調製pH時，以使用pH調整劑為佳。作為該pH調整劑，可使用公知之酸、鹼，或該等之鹽。
作為能使用當作pH調整劑之酸之具體例，可舉出例如，鹽酸、硫酸、硝酸、氫氟酸、硼酸、碳酸、次亞磷酸、亞磷酸、及磷酸等之無機酸，或甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、己酸、3,3-二甲基-丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、庚酸、2-甲基己酸、辛酸、2-乙基己酸、安息香酸、羥基乙酸、柳酸、丙三醇酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、酞酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸、二甘醇酸、2-呋喃羧酸、2,5-呋喃二羧酸、3-呋喃羧酸、2-四氫呋喃羧酸、甲氧基乙酸、甲氧基苯基乙酸、2-羥基異丁酸及苯氧基乙酸等之有機酸。使用無機酸作為pH調整劑時，特別係以硫酸、硝酸、亞磷酸、磷酸等為佳。又，使用有機酸作為pH調整劑時，以乙酸、乳酸、安息香酸、羥基乙酸、馬來酸、檸檬酸、酒石酸、羥基異丁酸為佳，以馬來酸、檸檬酸、酒石酸為較佳。
作為能使用當作pH調整劑之鹼，可舉出如脂肪族胺、芳香族胺等之胺、銨溶液、氫氧化第四銨等之有機鹼、氫氧化鉀等之鹼金屬之氫氧化物、第2族元素之氫氧化物、組胺酸等之胺基酸、氨等。該等pH調整劑之中在從pH調整容易性、更加減少雜質之觀點，以硝酸、銨溶液、組胺酸等之胺基酸為佳。
pH調整劑係可單獨使用或可將2種以上組合使用。pH調整劑之添加量並無特別限制，以表面處理組成物成為所欲之pH之方式適宜調整即可。
[其他添加劑]
本發明之一形態之表面處理組成物在不阻礙本發明之效果範圍內，因應必要亦可含有以任意比例含有其他添加劑。但，本發明之一形態之表面處理組成物之必須成分以外之成分由於可能會成為異物之肇因，以盡可能地不添加為理想。因此，必須成分以外之成分之添加量係盡可能地少為佳，以不包含為較佳。作為其他添加劑，可舉出例如，磨粒、鹼、防腐劑、溶解氣體、還原劑、氧化劑及烷醇胺類等。其中，為了更加提升異物去除效果，表面處理組成物係以實質上不含有磨粒為佳。在此，「實質上不含有磨粒」係指相對於表面處理組成物全體之磨粒含量為0.01質量%以下(下限0質量%)之情況，以0.005質量%以下(下限0質量%)為佳，以0.001質量%以下(下限0質量%)為較佳。
[雜質(缺陷)去除效果]
本發明之一形態之表面處理組成物係以去除研磨過之研磨對象物之表面上之雜質(缺陷)之效果越高越佳。即，在使用表面處理組成物進行研磨過之研磨對象物之表面處理之際，殘留於表面之異物之數量越少越佳。具體而言，在使用表面處理組成物對研磨過之研磨對象物進行表面處理之際，雜質(缺陷)之數係以6000個以下為佳，以3000個以下為較佳，以2000個以下為更較佳，以1500個以下為特佳。另一方面，上述異物之數由於係越少越佳，故其下限並無特別限制，但實質上為100個以上。
尚且，上述雜質(缺陷)數係採用藉由實施例記載之方法進行表面處理後，藉由實施例記載之方法所測量之值。
[表面處理組成物之製造方法]
上述表面處理組成物之製造方法並無特別限制。例如，可藉由混合HLB超過7之聚矽氧系化合物與水而製造。即，根據本發明之其他形態，也提供一種上述表面處理組成物之製造方法，其係包括：混合HLB超過7之聚矽氧系化合物與水。上述之聚矽氧系化合物之種類、添加量等係如同先前所述。並且，本發明之一形態之表面處理組成物之製造方法中，因應必要亦可更加混合上述分散劑、其他之添加劑、水以外之分散媒等。該等之種類、添加量等係如先前所述。
上述各成分之添加順序、添加方法並無特別限制。可將上述各材料一次性地或個別地，亦或段階性或連續性地添加。又，混合方法也無特別限制，可使用公知之方法。較佳為上述表面處理組成物之製造方法係包括依順序添加聚矽氧系化合物、水，及因應必要所添加之分散劑，且在水中進行攪拌。此外，上述表面處理組成物之製造方法係亦可更包括以成為所欲之pH之方式測量表面處理組成物之pH且進行調整。
[表面處理方法]
本發明之另一形態為一種表面處理方法，其係包括使用上述表面處理組成物來處理研磨過之研磨對象物之表面。
根據本發明之一形態之表面處理方法，可充分去除殘留於研磨過之研磨對象物之表面之雜質(缺陷)。即，根據本發明之另一形態，提供一種研磨過之研磨對象物之表面上雜質(缺陷)減少方法，其係使用上述表面處理組成物對研磨過之研磨對象物進行表面處理。
本發明之一形態之表面處理方法係藉由使本發明之表面處理組成物與研磨過之研磨對象物直接接觸之方法來進行。可舉出例如，將研磨過之研磨對象物浸漬於表面處理組成物中之方法，或，一併進行超音波處理之方法，或，使用墊來旋轉處理研磨過之研磨對象物並從源頭放流表面處理組成物之方法等。作為墊，可無特別限制地使用一般性不織布、聚胺基甲酸酯、及多孔質氟樹脂等。
作為表面處理方法，主要可舉出如(I)利用沖洗研磨處理之方法、(II)利用洗淨處理之方法。即，本發明之一形態之表面處理係藉由沖洗研磨或洗淨來進行為佳。沖洗研磨處理及洗淨處理係為了去除研磨過之研磨對象物之表面上之異物(顆粒、金屬污染、有機物殘渣、墊屑等)，而取得清淨表面所實施者。以下說明關於上述(I)及(II)。
(I)沖洗研磨處理
本發明之表面處理組成物係適宜使用於沖洗研磨處理中。沖洗研磨處理係以對研磨對象物進行最終研磨(完工研磨)而取得研磨過之研磨對象物後，去除研磨過之研磨對象物之表面上之雜質(缺陷)為目的，而在已安裝研磨墊之研磨定盤(平台(platen))上實施者。此時，藉由使本發明之表面處理組成物與研磨過之研磨對象物直接接觸來進行沖洗研磨處理。其結果係研磨過之研磨對象物表面之雜質(缺陷)藉由研磨墊之摩擦力(物理性作用)及表面處理組成物之化學的作用而被去除。雜質(缺陷)之中尤其係顆粒或有機物殘渣容易藉由物理性作用而被去除。因此，沖洗研磨處理中，藉由於研磨定盤(平台)上利用與研磨墊之摩擦，而能有效地去除顆粒或有機物殘渣。
具體而言，沖洗研磨處理係藉由將研磨步驟後之研磨過之研磨對象物表面設於研磨裝置之研磨定盤(平台)上，使研磨墊與研磨過之半導體基板接觸，對該接觸部分供給表面處理組成物(沖洗研磨用組成物)並同時使研磨過之研磨對象物與研磨墊相對滑動來進行。
在此，處理條件並無特別限制，例如，研磨過之研磨對象物與研磨墊之壓力係以0.5~10psi(0.003~0.069MPa)為佳。研磨頭旋轉數係以10~100rpm為佳。又，研磨定盤(平台)旋轉數係以10~100rpm為佳。源頭放流之供給量並無限制，研磨過之研磨對象物之表面係以被表面處理組成物被覆為佳，例如為10~5000ml/分。又，表面處理時間亦並無特別限制，以5~180秒鐘為佳。尚且，本發明中，由於即便係藉由長時間之表面處理仍可抑制缺陷數之增加，故表面處理時間係以20秒以上為佳，以30秒以上為較佳，以45秒以上為更佳。尚且，表面處理時間之上限通常為5分以內。
若為此種範圍，能更加良好地去除雜質。
沖洗研磨處理時之表面處理組成物之溫度並無特別限制，通常宜為室溫(25℃)，在不損及性能之範圍內，亦可加溫至40℃以上70℃以下之程度。
沖洗研磨處理即使係使用單面研磨裝置、雙面研磨裝置之任一者皆可實施。又，上述研磨裝置係除了具備研磨用組成物之排放噴嘴之外，以一併具備沖洗研磨用組成物之排放噴嘴為佳。研磨裝置之沖洗研磨處理時之運轉條件並無特別限制，只要係本發明所屬技術領域具有通常知識者就能適宜設定。
(II)洗淨處理
本發明之表面處理組成物係適宜使用於洗淨處理中。洗淨處理係以對研磨對象物進行最終研磨(完工研磨)而取得研磨過之研磨對象物後，或，在進行上述沖洗研磨處理後，去除研磨對象物之表面上之異物為目的所實施者。尚且，洗淨處理與上述沖洗研磨處理係根據實施該等處理之場所來分類，洗淨處理係將研磨過之研磨對象物從研磨定盤(平台)上取下後才實施之表面處理。洗淨處理中，也係可使本發明之表面處理組成物與研磨過之研磨對象物直接接觸而去除該對象物表面上之雜質(缺陷)。
作為進行洗淨處理之方法之一例，可舉出如(i)在保持研磨過之研磨對象物之狀態下，使洗淨刷與研磨過之研磨對象物之單面或雙面接觸，對該接觸部分供給表面處理組成物並同時以洗淨刷摩擦洗淨對象物表面之方法、(ii)使研磨過之研磨對象物浸漬於表面處理組成物中，並進行超音波處理或攪拌之方法(浸漬式)等。在該方法中，研磨對象物表面之異物係藉由洗淨刷之摩擦力或超音波處理或攪拌所產生之機械性力，及表面處理組成物之化學性作用而被去除。
上述(i)之方法中，作為表面處理組成物(洗淨用組成物)與研磨過之研磨對象物之接觸方法，並無特別限定，可舉舉出如自噴嘴對研磨過之研磨對象物上流出表面處理組成物並使研磨過之研磨對象物高速旋轉之旋轉式，將表面處理組成物噴霧於研磨過之研磨對象物進行洗淨之噴霧式等。
從短時間內能較有效率去除污染之觀點，洗淨處理係以採用旋轉式或噴霧式為佳，以旋轉式為更佳。
作為進行此種洗淨處理用之裝置，如有將收納於匣內之複數枚之研磨過之研磨對象物同時予以表面處理之批次式洗淨裝置、將1枚研磨過之研磨對象物裝設於夾具而進行表面處理之單片式洗淨裝置等。從縮短洗淨時間等之觀點，以使用單片式洗淨裝置之方法為佳。
並且，作為進行洗淨處理用之裝置，可舉出如具備從研磨定盤(平台)將研磨過之研磨對象物取下後以洗淨刷摩擦該對象物之洗淨用設備之研磨裝置。藉由使用此種研磨裝置，能更加有效率地進行研磨過之研磨對象物之洗淨處理。
作為該種研磨裝置，可使用如具有：保持研磨過之研磨對象物之夾具、能變更旋轉數之電動機、洗淨刷等之一般性研磨裝置。作為研磨裝置，也可使用單面研磨裝置或雙面研磨裝置之任一者。尚且，在CMP步驟之後，進行沖洗研磨步驟之情況，該洗淨處理係以使用與在沖洗研磨步驟中使用之研磨裝置相同之裝置進行較有效率而為佳。
作為洗淨刷，並無特別限制，以使用樹脂製刷為佳。樹脂製刷之材質並無特別限制，以使用例如PVA(聚乙烯醇)為佳。又，作為洗淨刷，以使用PVA製泡棉為特佳。
洗淨條件也無特別限制，可因應研磨過之研磨對象物(洗淨對象物)之種類，以及作為去除對象之雜質種類及量進行適宜設定。例如，分別以洗淨刷之旋轉數為10rpm以上200rpm以下，洗淨對象物之旋轉數為10rpm以上100rpm以下，對洗淨對象物施加之壓力(研磨壓力)為0.5psi以上10psi以下為佳。對洗淨刷供給表面處理組成物之方法亦無特別限制，例如採用以泵等連續性供給之方法(源頭放流)。此供給量並無限制，但以表面處理組成物常時被覆洗淨刷及洗淨對象物之表面為佳，以10mL/分以上5000mL/分以下為佳。洗淨時間也無特別限制，但對於使用本發明之一形態之表面處理組成物之步驟係以5秒鐘以上180秒鐘以下為佳。若在此種範圍，能更有效地去除異物。
洗淨時之表面處理組成物之溫度並無特別限制，通常可為室溫(25℃)，在不損及性能之範圍內，亦可加溫至40℃以上70℃以下之程度。
上述(ii)之方法中，利用浸漬之洗淨方法之條件並無特別限制，可使用公知之手法。
在利用上述(i)、(ii)之方法進行洗淨處理之前、後或兩者中，亦可實施使用水之洗淨。
又，洗淨後之研磨過之研磨對象物(洗淨對象物)係以藉由旋轉乾燥器等而使附著於表面之水滴脫落而使其乾燥為佳。又，亦可藉由送風乾燥而使洗淨對象物之表面乾燥。
[半導體基板之製造方法]
本發明之一形態之表面處理方法在研磨過之研磨對象物為研磨過之半導體基板時也能適宜適用。即，根據本發明之另一形態，也提供一種半導體基板之製造方法，其係包括將研磨過之半導體基板藉由上述表面處理方法來處理研磨過之研磨對象物之表面，其中研磨過之研磨對象物為研磨過之半導體基板。
關於該製造方法所適用之半導體基板之詳細內容，係如同藉由上述表面處理組成物而受到表面處理之研磨過之研磨對象物之說明內容。
又，作為半導體基板之製造方法，只要係包含對研磨過之半導體基板之表面使用本發明之一形態之表面處理組成物進行表面處理，或藉由本發明之一形態之表面處理方法進行表面處理之步驟(表面處理步驟)者，即無特別限制。作為該製造方法，可舉出例如，具有形成研磨過之半導體基板用之研磨步驟及洗淨步驟的方法。又，作為另一例，可舉出如，加上研磨步驟及洗淨步驟，在研磨步驟及洗淨步驟之間更具有沖洗研磨步驟的方法。以下，說明關於該等之各步驟。
＜研磨步驟＞
半導體基板之製造方法所能包含之研磨步驟係為研磨半導體基板而形成研磨過之半導體基板之步驟。
研磨步驟只要係研磨半導體基板之步驟即無特別限制，但以化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)步驟為佳。又，研磨步驟可為由單一步驟所構成之研磨步驟，亦可為由複數步驟所構成之研磨步驟。作為由複數步驟所構成之研磨步驟，可舉出例如，在預備研磨步驟(粗研磨步驟)之後進行完工研磨步驟之步驟；或，在第1次研磨步驟之後進行1次或2次以上之第2次研磨步驟，其後進行完工研磨步驟的步驟等。使用本發明之表面處理組成物之表面處理步驟係以在上述完工研磨步驟後進行為佳。
作為研磨用組成物，可因應半導體基板之特性適宜使用公知之研磨用組成物。作為研磨用組成物，並無特別限制，可較佳使用例如，包含磨粒、酸鹽、分散媒、及酸者。作為該研磨用組成物之具體例，可舉出如包含磺酸修飾膠質二氧化矽、水及馬來酸之研磨用組成物等。
作為研磨裝置，可使用如：安裝有保持研磨對象物之夾具、能變更旋轉數之電動機等，且具有能貼附研磨墊(研磨布)之研磨定盤之一般性研磨裝置。作為研磨裝置，也可使用單面研磨裝置或雙面研磨裝置之任一者。
作為研磨墊，可無特別限制地使用如一般性不織布、聚胺基甲酸酯、及多孔質氟樹脂等。研磨墊中以施加有可讓研磨液留存之溝加工為佳。
研磨條件也並無特別限制，例如，研磨定盤之旋轉數、磨頭(載體)旋轉數係以10rpm以上100rpm以下為佳，對研磨對象物施加之壓力(研磨壓力)係以0.5psi以上10psi以下為佳。對研磨墊供給研磨用組成物之方法也無特別限制，例如採用以泵等連性供給之方法(源頭放流)。該供給量並無限制，但以研磨用組成物常時被覆研磨墊之表面為佳，以10mL/分以上5000mL/分以下為佳。研磨時間也並無特別限制，但對於使用研磨用組成物之步驟係以5秒鐘以上180秒鐘以下為佳。
＜表面處理步驟＞
表面處理步驟係指使用本發明之表面處理組成物來減少研磨過之研磨對象物表面上之異物的步驟。半導體基板之製造方法中，可在沖洗研磨步驟之後實施作為表面處理步驟之洗淨步驟，亦可僅實施沖洗研磨步驟，或僅實施洗淨步驟。
(沖洗研磨步驟)
沖洗研磨步驟在半導體基板之製造方法中係可設置在研磨步驟及洗淨步驟之間。沖洗研磨步驟係藉由本發明之一形態之表面處理方法(沖洗研磨處理方法)，而減少研磨過之研磨對象物(研磨過之半導體基板)表面上之異物的步驟。
關於研磨裝置及研磨墊等之裝置、以及研磨條件，除了將供給研磨用組成物改為供給本發明之表面處理組成物以外，其他係能適用與上述研磨步驟相同之裝置及條件。
沖洗研磨步驟所使用之沖洗研磨方法之詳細內容係如同上述沖洗研磨處理之說明中記載之內容。
(洗淨步驟)
洗淨步驟在半導體基板之製造方法中係可設置在研磨步驟之後，亦可設置在沖洗研磨步驟之後。洗淨步驟係為藉由本發明之一形態之表面處理方法(洗淨方法)而減低研磨過之研磨對象物(研磨過之半導體基板)之表面上之異物的步驟。
洗淨步驟所使用之洗淨方法之詳細內容係如同上述洗淨方法之說明中記載之內容。

[實施例]
使用以下之實施例及比較例更加詳細說明本發明。但，本發明之技術範圍並非係受到以下之實施例所限制者。尚且，在並未特別註記時，「%」及「份」分別係意指「質量%」及「質量份」。又，下述實施例中，在並未特別註記時，操作係在室溫(20~25℃)/相對濕度40~50%RH之條件下進行。
＜表面處理組成物之調製＞
[實施例1：表面處理組成物A-1之調製]
將組成物全體作為100質量份來混合作為有機酸之濃度30質量%馬來酸水溶液1.0質量份(馬來酸為0.3質量份)、聚矽氧系化合物之SH8400(東麗道康寧公司製，聚醚變性聚矽氧油)(HLB8，黏度260mm2 /s)0.1質量份、高分子分散劑之聚苯乙烯磺酸(重量平均分子量10,000)0.025質量份、及水(脫離子水)98.875質量份，而調製成表面處理組成物A-1。
對於表面處理組成物A-1(液溫：25℃)，藉由pH計(股份有限公司堀場製作所製製品名：LAQUA(註冊商標))進行確認之pH為2.0。
[實施例2：表面處理組成物A-2之調製]
除了取代聚矽氧系化合物之SH8400(東麗道康寧公司製)(HLB8)而改用L-7002(東麗道康寧公司製，聚醚變性聚矽氧油)(HLB8，黏度1200mm2 /s)以外，其他係與實施例1同樣地操作而調製成表面處理組成物A-2。對於表面處理組成物A-2(液溫：25℃)，藉由與實施例1相同之方法所確認之pH為2.0。
[實施例3：表面處理組成物A-3之調製]
除了取代聚矽氧系化合物之SH8400(東麗道康寧公司製)(HLB8)而改用L-7604(東麗道康寧公司製，聚醚變性聚矽氧油)(HLB11，黏度400mm2 /s)，其他係與實施例1同樣地操作而調製成表面處理組成物A-3。對於表面處理組成物A-3(液溫：25℃)，藉由與實施例1相同之方法所確認之pH為2.0。
[實施例4：表面處理組成物A-4之調製]
除了取代聚矽氧系化合物之SH8400(東麗道康寧公司製)(HLB8)而改用KF-6043(信越化學工業公司製，PEG-10 二甲聚矽氧烷(dimethicone))(HLB14.5，黏度400mm2 /s)以外，其他係與實施例1同樣地操作而調製成表面處理組成物A-4。對於表面處理組成物A-4(液溫：25℃)，藉由與實施例1相同之方法所確認之pH為2.0。
[實施例5：表面處理組成物A-5之調製]
除了取代聚矽氧系化合物之SH8400(東麗道康寧公司製)(HLB8)而改用KF-6011(信越化學工業公司製，PEG-11甲基醚二甲聚矽氧烷)(HLB14.5，黏度130mm2 /s)以外，其他係與實施例1同樣地操作而調製成表面處理組成物A-5。對於表面處理組成物A-5(液溫：25℃)，藉由與實施例1相同之方法所確認之pH為2.0。
[比較例1：表面處理組成物C-1之調製]
除了並未使用聚矽氧系化合物以外，其他係與實施例1同樣地操作而調製成表面處理組成物C-1。對於表面處理組成物C-1(液溫：25℃)，藉由與實施例1相同之方法所確認之pH為2.0。
[比較例2：表面處理組成物C-2之調製]
除了取代聚矽氧系化合物SH8400(東麗道康寧公司製)(HLB8)而改用FZ-2203(東麗道康寧公司製，聚醚變性聚矽氧油)(HLB2，黏度4500mm2 /s)以外，其他係與實施例1同樣地操作而調製成表面處理組成物C-2。對於表面處理組成物C-2(液溫：25℃)，藉由與實施例1相同之方法所確認之pH為2.0。
[比較例3：表面處理組成物C-3之調製]
除了取代聚矽氧系化合物之SH8400(東麗道康寧公司製)(HLB8)而改用SH8700(東麗道康寧公司製，聚醚變性聚矽氧油)(HLB6，黏度1200mm2 /s)以外，其他係與實施例1同樣地操作而調製成表面處理組成物C-3。對於表面處理組成物C-3(液溫：25℃)，藉由與實施例1相同之方法所確認之pH為2.0。
[比較例4：表面處理組成物C-4之調製]
除了取代聚矽氧系化合物之SH8400(東麗道康寧公司製)(HLB8)而改用KF-6012(信越化學工業公司製，PEG/PPG-20/22丁基醚二甲聚矽氧烷)(HLB7，黏度1500mm2 /s)以外，其他係與實施例1同樣地操作而調製成表面處理組成物C-4。對於表面處理組成物C-4(液溫：25℃)，藉由與實施例1相同之方法所確認之pH為2.0。
＜評價＞
＜研磨過之研磨對象物(表面處理對象物)之準備＞
準備藉由下述化學機械研磨(CMP)步驟所研磨之後之研磨過之聚矽基板(研磨過之半導體基板)作為表面處理對象物(研磨過之研磨對象物)。
[CMP步驟]
對於半導體基板之聚矽基板及TEOS基板(200mm晶圓)，使用研磨用組成物M(組成；磺酸修飾膠質二氧化矽(以“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003)記載之方法製作，平均一次粒子徑30nm，平均二次粒子徑60nm)4質量%、濃度30質量%之馬來酸水溶液0.018質量%、溶劑：水)分別在下述條件下進行研磨。
(研磨裝置及研磨條件)
研磨裝置：應用材料公司製MirraMesa
研磨墊：新田哈斯股份有限公司製硬質聚胺基甲酸酯墊IC1010
研磨壓力：2.0psi(1psi=6894.76Pa，以下相同)
研磨定盤旋轉數：60rpm
研磨頭旋轉數：60rpm
研磨用組成物之供給：源頭放流
研磨用組成物供給量：100mL/分
研磨時間：60秒鐘。
[沖洗研磨(表面處理)步驟]
對於藉由CMP步驟所研磨之後之研磨過之聚矽基板及TEOS基板，使用各表面處理組成物，在下述條件下進行沖洗研磨。
(沖洗研磨裝置及沖洗條件)
研磨裝置：應用材料公司製MirraMesa
研磨墊：新田哈斯股份有限公司製硬質聚胺基甲酸酯墊IC1010
研磨壓力：1.0psi
研磨定盤旋轉數：60rpm
研磨頭旋轉數：60rpm
表面處理組成物之供給：源頭放流
表面處理組成物供給量：100mL/分
表面處理(沖洗研磨)時間：60秒鐘。
＜評價＞
對於上述沖洗研磨步驟後之各研磨過之研磨對象物，測量關於下述項目並進行評價。將評價結果整合展示於表1。
[總缺陷數之評價]
對於進行上述洗淨步驟後之研磨過之研磨對象物，測量0.13μm以上之總缺陷數。總缺陷數之測量係使用KLA TENCOR公司製SP-2。測量係針對從研磨過之研磨對象物之單面之外周端部去除寬5mm部分之剩餘部分實施。
關於各表面處理組成物，將評價結果分別展示於下述表1。表中，Poly-Si之缺陷數係表示研磨過之聚矽基板之表面處理後之缺陷數，TEOS之缺陷數係表示研磨過之TEOS基板之表面處理後之缺陷數。
從上述表1可清楚得知實施例之表面處理組成物對於聚矽基板及TEOS基板之表面處理後之缺陷數為900個以下。相對於此，比較例之表面處理組成物之表面處理後之缺陷數為超過3000者。
因此，得知藉由將HLB超過7之聚矽氧系化合物使用於表面處理組成物中，研磨過之研磨對象物表面上之缺陷之去除效果非常高。
並且，本申請案係依據在2018年3月8日提出申請之日本專利申請2018-42139號，將其之揭示內容全體引用至此作為參照內容。

Claims (9)

  1. 一種表面處理組成物，其係具有HLB超過7之聚矽氧系化合物及水，且係用於處理研磨過之研磨對象物。
  2. 如請求項1之表面處理組成物，其中更包含分散劑。
  3. 如請求項2之表面處理組成物，其中前述分散劑為高分子。
  4. 如請求項1~3中任一項之表面處理組成物，其係實質上不含有磨粒。
  5. 如請求項1~4中任一項之表面處理組成物，其中前述研磨過之研磨對象物包含聚矽或氧化矽。
  6. 一種如請求項1~5中任一項之表面處理組成物之製造方法，其中包括：混合HLB超過7之聚矽氧系化合物與水。
  7. 一種表面處理方法，其係包括：使用如請求項1~5中任一項之表面處理組成物而處理研磨過之研磨對象物之表面。
  8. 如請求項7之表面處理方法，其中前述表面處理係藉由沖洗研磨處理或洗淨處理而實施。
  9. 一種半導體基板之製造方法，其係包括：藉由如請求項7或8之表面處理方法而處理研磨過之研磨對象物之表面，其中前述研磨過之研磨對象物為研磨過之半導體基板。
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