JP3181443B2 - 半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼ - Google Patents
半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼInfo
- Publication number
- JP3181443B2 JP3181443B2 JP19509093A JP19509093A JP3181443B2 JP 3181443 B2 JP3181443 B2 JP 3181443B2 JP 19509093 A JP19509093 A JP 19509093A JP 19509093 A JP19509093 A JP 19509093A JP 3181443 B2 JP3181443 B2 JP 3181443B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- graphite crucible
- graphite
- single crystal
- cylindrical member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体単結晶育成装置
の黒鉛るつぼに関する。
の黒鉛るつぼに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の基本材料であるシリコ
ン単結晶の製造方法の一つとして、るつぼ内の原料融液
から円柱状の単結晶を引き上げるチョクラルスキー法
（以下ＣＺ法という）が用いられている。ＣＺ法におい
ては、黒鉛るつぼ内に収容した石英るつぼに高純度の多
結晶シリコンを充填し、この多結晶シリコンを前記黒鉛
るつぼの外周を取り巻くように設けた黒鉛ヒータによっ
て加熱溶解した上、シードチャックに取り付けた種子結
晶を前記融液に浸漬し、シードチャックと黒鉛るつぼと
を同方向または逆方向に回転しつつシードチャックを引
き上げて、シリコン単結晶を成長させる。
ン単結晶の製造方法の一つとして、るつぼ内の原料融液
から円柱状の単結晶を引き上げるチョクラルスキー法
（以下ＣＺ法という）が用いられている。ＣＺ法におい
ては、黒鉛るつぼ内に収容した石英るつぼに高純度の多
結晶シリコンを充填し、この多結晶シリコンを前記黒鉛
るつぼの外周を取り巻くように設けた黒鉛ヒータによっ
て加熱溶解した上、シードチャックに取り付けた種子結
晶を前記融液に浸漬し、シードチャックと黒鉛るつぼと
を同方向または逆方向に回転しつつシードチャックを引
き上げて、シリコン単結晶を成長させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＣＺ法によりシリコン
単結晶の育成を行う場合、石英るつぼは加熱されて軟化
し、一般に融液面から下の部分は黒鉛るつぼに密着し、
黒鉛るつぼと石英るつぼとの間に次に示すような化学反
応を起こす。 Ｃ＋ＳｉＯ2 →ＳｉＯ＋ＣＯ ２Ｃ＋ＳｉＯ→ＳｉＣ＋ＣＯ 上記化学反応の結果、黒鉛るつぼの減肉が進行するとと
もにＳｉＯガスが黒鉛るつぼに浸透して黒鉛るつぼをＳ
ｉＣ化する。また、ＳｉＯガスは黒鉛るつぼ下部の石英
るつぼとの密着部から黒鉛るつぼ上部に向かって流れ、
Ｃ，Ｋ，Ｃａ，Ｎａ等の不純物を融液に運ぶとともに、
上記反応を促進する。一般に黒鉛るつぼは２分割ないし
３分割されているが、ＳｉＣ化して体積膨張するため分
割方向に変形し、これに伴って石英るつぼが変形するの
で融液面位置が変化する。従って、融液の温度分布が変
化して引き上げ中の単結晶の成長が阻害され、単結晶の
熱履歴も変化する。黒鉛るつぼの変形はＳｉＯガスの流
れを促進し、上記反応が更に促進される。このような不
具合の発生を未然に防止するため、単結晶の引き上げ完
了のつど黒鉛るつぼの変形量を測定し、変形量が所定の
値を超える場合は黒鉛るつぼを新品と交換している。
単結晶の育成を行う場合、石英るつぼは加熱されて軟化
し、一般に融液面から下の部分は黒鉛るつぼに密着し、
黒鉛るつぼと石英るつぼとの間に次に示すような化学反
応を起こす。 Ｃ＋ＳｉＯ2 →ＳｉＯ＋ＣＯ ２Ｃ＋ＳｉＯ→ＳｉＣ＋ＣＯ 上記化学反応の結果、黒鉛るつぼの減肉が進行するとと
もにＳｉＯガスが黒鉛るつぼに浸透して黒鉛るつぼをＳ
ｉＣ化する。また、ＳｉＯガスは黒鉛るつぼ下部の石英
るつぼとの密着部から黒鉛るつぼ上部に向かって流れ、
Ｃ，Ｋ，Ｃａ，Ｎａ等の不純物を融液に運ぶとともに、
上記反応を促進する。一般に黒鉛るつぼは２分割ないし
３分割されているが、ＳｉＣ化して体積膨張するため分
割方向に変形し、これに伴って石英るつぼが変形するの
で融液面位置が変化する。従って、融液の温度分布が変
化して引き上げ中の単結晶の成長が阻害され、単結晶の
熱履歴も変化する。黒鉛るつぼの変形はＳｉＯガスの流
れを促進し、上記反応が更に促進される。このような不
具合の発生を未然に防止するため、単結晶の引き上げ完
了のつど黒鉛るつぼの変形量を測定し、変形量が所定の
値を超える場合は黒鉛るつぼを新品と交換している。
【０００４】黒鉛るつぼの体積膨張に基づく変形は黒鉛
るつぼの使用回数の増加に伴って増大し、これに伴って
単結晶の熱履歴の変動、不純物による単結晶化阻害も大
きくなるため、結果として黒鉛るつぼの使用回数が制限
され、コスト高を招く。本発明は上記従来の問題点に着
目してなされたもので、黒鉛るつぼの変形を抑えてＳｉ
Ｏガスの発生を減らし、黒鉛の減肉およびＳｉＣ化の進
行を抑制することができるような半導体単結晶育成装置
の黒鉛るつぼを提供することを目的としている。
るつぼの使用回数の増加に伴って増大し、これに伴って
単結晶の熱履歴の変動、不純物による単結晶化阻害も大
きくなるため、結果として黒鉛るつぼの使用回数が制限
され、コスト高を招く。本発明は上記従来の問題点に着
目してなされたもので、黒鉛るつぼの変形を抑えてＳｉ
Ｏガスの発生を減らし、黒鉛の減肉およびＳｉＣ化の進
行を抑制することができるような半導体単結晶育成装置
の黒鉛るつぼを提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼ
は、垂直方向に少なくとも１本のスリットを有する円筒
状のるつぼ上部とるつぼ底部とに黒鉛るつぼを分割し、
前記るつぼ上部の外周の少なくともメルトレベルから下
の部分に炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材を嵌装す
る構成とし、このような構成において、円筒部材の軸方
向長さを、るつぼ底部の上端からメルトレベルまでの高
さ以上としたことを特徴とする。また、垂直方向に少な
くとも１本のスリットを有する黒鉛るつぼをるつぼ受け
に載置し、前記るつぼ受けの上端に、前記黒鉛るつぼの
外周の少なくともメルトレベルから下の部分を取り巻く
炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材を載置する構成と
してもよく、炭素繊維強化炭素材からなる円筒状のるつ
ぼ上部、または炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材の
上端に黒鉛からなる円筒部材を継合して構成したるつぼ
上部を、黒鉛からなるるつぼ底部に嵌装してもよい。
め、本発明に係る半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼ
は、垂直方向に少なくとも１本のスリットを有する円筒
状のるつぼ上部とるつぼ底部とに黒鉛るつぼを分割し、
前記るつぼ上部の外周の少なくともメルトレベルから下
の部分に炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材を嵌装す
る構成とし、このような構成において、円筒部材の軸方
向長さを、るつぼ底部の上端からメルトレベルまでの高
さ以上としたことを特徴とする。また、垂直方向に少な
くとも１本のスリットを有する黒鉛るつぼをるつぼ受け
に載置し、前記るつぼ受けの上端に、前記黒鉛るつぼの
外周の少なくともメルトレベルから下の部分を取り巻く
炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材を載置する構成と
してもよく、炭素繊維強化炭素材からなる円筒状のるつ
ぼ上部、または炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材の
上端に黒鉛からなる円筒部材を継合して構成したるつぼ
上部を、黒鉛からなるるつぼ底部に嵌装してもよい。
【０００６】
【作用】上記構成によれば、黒鉛るつぼの外周の一部、
少なくともメルトレベルから下の部分に炭素繊維強化炭
素材からなる円筒部材を嵌装し、あるいは少なくともメ
ルトレベルから下の部分を炭素繊維強化炭素材で構成し
たので、単結晶原料の溶解時および単結晶育成時に発生
する黒鉛るつぼの変形が前記円筒部材によって抑止さ
れ、ＳｉＯガスの発生を減らして黒鉛るつぼの減肉、Ｓ
ｉＣ化を低減することができるし冷却時の石英ルツボの
相対的膨張による破損を防止出来る。また、黒鉛るつぼ
の上部にスリットを設けてＳｉＣ化による体積膨張によ
る周方向の変形を吸収することにしたので、前記体積膨
張に伴う応力集中による黒鉛るつぼの破損防止が可能と
なる。
少なくともメルトレベルから下の部分に炭素繊維強化炭
素材からなる円筒部材を嵌装し、あるいは少なくともメ
ルトレベルから下の部分を炭素繊維強化炭素材で構成し
たので、単結晶原料の溶解時および単結晶育成時に発生
する黒鉛るつぼの変形が前記円筒部材によって抑止さ
れ、ＳｉＯガスの発生を減らして黒鉛るつぼの減肉、Ｓ
ｉＣ化を低減することができるし冷却時の石英ルツボの
相対的膨張による破損を防止出来る。また、黒鉛るつぼ
の上部にスリットを設けてＳｉＣ化による体積膨張によ
る周方向の変形を吸収することにしたので、前記体積膨
張に伴う応力集中による黒鉛るつぼの破損防止が可能と
なる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体単結晶育成装置
の黒鉛るつぼの実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は第１の発明および第２の発明の第１実施例を
示す黒鉛るつぼの模式的断面図、図２は図１の上面図で
ある。これらの図において、黒鉛るつぼは上下に分割さ
れ、ほぼ円筒状のるつぼ上部１をるつぼ底部２に載置す
る構造となっている。前記るつぼ上部１の内壁下端は曲
面形状を備え、るつぼ底部２の上面になめらかに継合す
る。また、るつぼ上部１には垂直方向に１本のスリット
３が設けられ、ＳｉＣ化に基づく応力集中および、冷却
時の石英ルツボの相対的膨張によるるつぼ上部１の破損
を防止することができるようになっている。るつぼ上部
１の外周面の一部とるつぼ底部２の上端外縁には切り欠
き部が設けられ、この切り欠き部に炭素繊維強化炭素材
からなる円筒部材４が嵌装されている。前記円筒部材４
の軸方向長さは、るつぼ上部１の軸方向長さの約１／２
であり、円筒部材４の上端はメルトレベルよりやや上方
に位置する。円筒部材４の肉厚はるつぼ上部１の肉厚の
１／４〜１／３である。炭素繊維強化炭素材は黒鉛に比
べて価格が高いため、黒鉛るつぼのコストが上昇する。
そのため、本実施例では円筒部材４の使用量を極力減ら
し、黒鉛るつぼの耐用寿命の延長による効果がコストの
上昇以上になるようにした。
の黒鉛るつぼの実施例について、図面を参照して説明す
る。図１は第１の発明および第２の発明の第１実施例を
示す黒鉛るつぼの模式的断面図、図２は図１の上面図で
ある。これらの図において、黒鉛るつぼは上下に分割さ
れ、ほぼ円筒状のるつぼ上部１をるつぼ底部２に載置す
る構造となっている。前記るつぼ上部１の内壁下端は曲
面形状を備え、るつぼ底部２の上面になめらかに継合す
る。また、るつぼ上部１には垂直方向に１本のスリット
３が設けられ、ＳｉＣ化に基づく応力集中および、冷却
時の石英ルツボの相対的膨張によるるつぼ上部１の破損
を防止することができるようになっている。るつぼ上部
１の外周面の一部とるつぼ底部２の上端外縁には切り欠
き部が設けられ、この切り欠き部に炭素繊維強化炭素材
からなる円筒部材４が嵌装されている。前記円筒部材４
の軸方向長さは、るつぼ上部１の軸方向長さの約１／２
であり、円筒部材４の上端はメルトレベルよりやや上方
に位置する。円筒部材４の肉厚はるつぼ上部１の肉厚の
１／４〜１／３である。炭素繊維強化炭素材は黒鉛に比
べて価格が高いため、黒鉛るつぼのコストが上昇する。
そのため、本実施例では円筒部材４の使用量を極力減ら
し、黒鉛るつぼの耐用寿命の延長による効果がコストの
上昇以上になるようにした。
【０００８】この黒鉛るつぼは、るつぼ底部２の上端外
縁部に円筒部材４を載置した後、円筒部材４内にるつぼ
上部１を挿嵌することにより容易に組み立てることがで
きる。なお、るつぼ底部２はるつぼ受けと一体に構成さ
れ、るつぼ底部２はるつぼ軸５の上端に直接載置され
る。
縁部に円筒部材４を載置した後、円筒部材４内にるつぼ
上部１を挿嵌することにより容易に組み立てることがで
きる。なお、るつぼ底部２はるつぼ受けと一体に構成さ
れ、るつぼ底部２はるつぼ軸５の上端に直接載置され
る。
【０００９】図３は第１の発明、第２の発明の第２実施
例を示す黒鉛るつぼの模式的断面図、図４は図３の上面
図で、炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材４ａはるつ
ぼ上部１ａの軸方向長さ全部にわたって嵌装されてい
る。また、図５は第１の発明、第２の発明の第３実施例
を示す黒鉛るつぼの模式的断面図であるが、るつぼ上部
１ａは図３に示したものと同一であり、円筒部材４は図
１に示したものと同一である。これらの図において、る
つぼ上部１ａの肉厚は図１に示したるつぼ上部１の肉厚
の３／４〜２／３であり、外周面に切り欠き部を設けな
い。るつぼ上部１ａに設けるスリット３や、るつぼ上部
１ａとるつぼ底部２との継合面形状などは図１に示した
ものと同一である。
例を示す黒鉛るつぼの模式的断面図、図４は図３の上面
図で、炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材４ａはるつ
ぼ上部１ａの軸方向長さ全部にわたって嵌装されてい
る。また、図５は第１の発明、第２の発明の第３実施例
を示す黒鉛るつぼの模式的断面図であるが、るつぼ上部
１ａは図３に示したものと同一であり、円筒部材４は図
１に示したものと同一である。これらの図において、る
つぼ上部１ａの肉厚は図１に示したるつぼ上部１の肉厚
の３／４〜２／３であり、外周面に切り欠き部を設けな
い。るつぼ上部１ａに設けるスリット３や、るつぼ上部
１ａとるつぼ底部２との継合面形状などは図１に示した
ものと同一である。
【００１０】図６は第３の発明の実施例を示す黒鉛るつ
ぼの模式的断面図である。黒鉛るつぼ本体６は上記るつ
ぼ上部とるつぼ底部とを一体構成としたもので、円筒部
には垂直方向に１本のスリット３が設けられている。前
記黒鉛るつぼ本体６の底部を被包するように設けられた
黒鉛製のるつぼ受け７の上端に、炭素繊維強化炭素材か
らなる円筒部材４が載置され、黒鉛るつぼ本体６の中間
部を包囲している。この円筒部材４の軸方向長さは、黒
鉛るつぼ本体６の円筒部分の長さの約１／２である。
ぼの模式的断面図である。黒鉛るつぼ本体６は上記るつ
ぼ上部とるつぼ底部とを一体構成としたもので、円筒部
には垂直方向に１本のスリット３が設けられている。前
記黒鉛るつぼ本体６の底部を被包するように設けられた
黒鉛製のるつぼ受け７の上端に、炭素繊維強化炭素材か
らなる円筒部材４が載置され、黒鉛るつぼ本体６の中間
部を包囲している。この円筒部材４の軸方向長さは、黒
鉛るつぼ本体６の円筒部分の長さの約１／２である。
【００１１】図７は第４の発明の第１実施例を示す黒鉛
るつぼの模式的断面図である。この場合、るつぼ本体は
上下に分割されているが、るつぼ上部は炭素繊維強化炭
素材からなる円筒部材４ａのみで構成され、るつぼ受け
の機能を兼ねる黒鉛製のるつぼ底部２ａの上端外縁に載
置されている。円筒部材４ａの肉厚は、図１に示したる
つぼ上部１の肉厚の１／４〜１／３であり、スリットは
設けない。
るつぼの模式的断面図である。この場合、るつぼ本体は
上下に分割されているが、るつぼ上部は炭素繊維強化炭
素材からなる円筒部材４ａのみで構成され、るつぼ受け
の機能を兼ねる黒鉛製のるつぼ底部２ａの上端外縁に載
置されている。円筒部材４ａの肉厚は、図１に示したる
つぼ上部１の肉厚の１／４〜１／３であり、スリットは
設けない。
【００１２】図８は第４の発明の第２実施例を示す黒鉛
るつぼの模式的断面図で、図７に示した炭素繊維強化炭
素材のみで構成されたるつぼ上部を、黒鉛と炭素繊維強
化炭素材とで構成したものである。すなわち、るつぼ受
けの機能を兼ねるるつぼ底部２ａの上端外縁に炭素繊維
強化炭素材からなる円筒部材４ｂが載置され、この円筒
部材４ｂの上端に黒鉛製の円筒部材４ｃが継合されてい
る。前記円筒部材４ｂ，４ｃの軸方向長さはほぼ等し
い。また、円筒部材４ｂ，４ｃにはスリットを設けな
い。
るつぼの模式的断面図で、図７に示した炭素繊維強化炭
素材のみで構成されたるつぼ上部を、黒鉛と炭素繊維強
化炭素材とで構成したものである。すなわち、るつぼ受
けの機能を兼ねるるつぼ底部２ａの上端外縁に炭素繊維
強化炭素材からなる円筒部材４ｂが載置され、この円筒
部材４ｂの上端に黒鉛製の円筒部材４ｃが継合されてい
る。前記円筒部材４ｂ，４ｃの軸方向長さはほぼ等し
い。また、円筒部材４ｂ，４ｃにはスリットを設けな
い。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、黒
鉛るつぼの外周の一部、少なくともメルトレベルから下
の部分に炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材を嵌装
し、あるいは少なくともメルトレベルから下の部分を炭
素繊維強化炭素材で構成して黒鉛るつぼを強化すること
にしたので、単結晶原料の溶解時および単結晶育成時に
発生する黒鉛るつぼの変形が抑止されるとともに、Ｓｉ
Ｏガスの発生を減らして黒鉛るつぼの減肉、ＳｉＣ化を
低減することができるし冷却時に石英ルツボの相対的膨
張による破損を防止出来る。また、黒鉛るつぼの上部に
スリットを設けてＳｉＣ化による体積膨張を吸収するこ
とにしたので、前記体積膨張に伴う応力集中による黒鉛
るつぼの破損防止が可能となる。従って、引き上げ単結
晶の品質を維持するとともに黒鉛るつぼの耐用寿命を延
長させることができる。本発明では、黒鉛に比べて高価
な炭素繊維強化炭素材の使用量を必要最小限に抑えたの
で、黒鉛るつぼのコスト上昇を上回る効果が得られる。
鉛るつぼの外周の一部、少なくともメルトレベルから下
の部分に炭素繊維強化炭素材からなる円筒部材を嵌装
し、あるいは少なくともメルトレベルから下の部分を炭
素繊維強化炭素材で構成して黒鉛るつぼを強化すること
にしたので、単結晶原料の溶解時および単結晶育成時に
発生する黒鉛るつぼの変形が抑止されるとともに、Ｓｉ
Ｏガスの発生を減らして黒鉛るつぼの減肉、ＳｉＣ化を
低減することができるし冷却時に石英ルツボの相対的膨
張による破損を防止出来る。また、黒鉛るつぼの上部に
スリットを設けてＳｉＣ化による体積膨張を吸収するこ
とにしたので、前記体積膨張に伴う応力集中による黒鉛
るつぼの破損防止が可能となる。従って、引き上げ単結
晶の品質を維持するとともに黒鉛るつぼの耐用寿命を延
長させることができる。本発明では、黒鉛に比べて高価
な炭素繊維強化炭素材の使用量を必要最小限に抑えたの
で、黒鉛るつぼのコスト上昇を上回る効果が得られる。
【図１】 第１の発明および第２の発明の第１実施例を
示す黒鉛るつぼの模式的断面図である。
示す黒鉛るつぼの模式的断面図である。
【図２】 図１の上面図である。
【図３】 第１の発明および第２の発明の第２実施例を
示す黒鉛るつぼの模式的断面図である。
示す黒鉛るつぼの模式的断面図である。
【図４】 図３の上面図である。
【図５】 第１の発明および第２の発明の第３実施例を
示す黒鉛るつぼの模式的断面図である。
示す黒鉛るつぼの模式的断面図である。
【図６】 第３の発明の実施例を示す黒鉛るつぼの模式
的断面図である。
的断面図である。
【図７】 第４の発明の第１実施例を示す黒鉛るつぼの
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図８】 第４の発明の第２実施例を示す黒鉛るつぼの
模式的断面図である。
模式的断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−116696（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−183490（ＪＰ，Ａ) 特公 平２−7917（ＪＰ，Ｂ２) 実公 平３−43250（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (3)
- 【請求項１】 黒鉛るつぼを、垂直方向に少なくとも１
本のスリットを有する円筒状のるつぼ上部とるつぼ底部
とに分割し、前記るつぼ上部の外周の少なくともメルト
レベルから下の部分に炭素繊維強化炭素材からなる円筒
部材を嵌装したことを特徴とする半導体単結晶育成装置
の黒鉛るつぼ。 - 【請求項２】 円筒部材の軸方向長さを、るつぼ底部の
上端からメルトレベルまでの高さ以上としたことを特徴
とする請求項１の半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼ。 - 【請求項３】 垂直方向に少なくとも１本のスリットを
有する黒鉛るつぼをるつぼ受けに載置し、前記るつぼ受
けの上端に、前記黒鉛るつぼの外周の少なくともメルト
レベルから下の部分を取り巻く炭素繊維強化炭素材から
なる円筒部材を載置したことを特徴とする半導体単結晶
育成装置の黒鉛るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19509093A JP3181443B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19509093A JP3181443B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725694A JPH0725694A (ja) | 1995-01-27 |
| JP3181443B2 true JP3181443B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=16335373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19509093A Expired - Fee Related JP3181443B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3181443B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5286589B2 (ja) * | 2008-05-01 | 2013-09-11 | イビデン株式会社 | ルツボ保持部材およびその製造方法 |
| KR20120127405A (ko) * | 2009-12-04 | 2012-11-21 | 사인트-고바인 인두스트리에 케라믹 레덴탈 게엠베하 | 실리콘 멜트 유지 장치 |
| JP6743797B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-08-19 | 株式会社Sumco | 坩堝支持台座、石英坩堝支持装置およびシリコン単結晶の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP19509093A patent/JP3181443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0725694A (ja) | 1995-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3944879B2 (ja) | 単結晶インゴットの製造装置 | |
| US6899760B2 (en) | Silicon single crystal growing furnace supplemented with low melting point dopant feeding instrument and the low melting point dopant feeding method thereof | |
| EP0294758B1 (en) | Apparatus for growing crystals of semiconductor materials | |
| US20050229840A1 (en) | Single crystal silicon producing method, single crystal silicon wafer producing method, seed crystal for producing single crystal silicon, single crystal silicon ingot, and single crystal silicon wafer | |
| EP0525765A1 (en) | Apparatus for growing single crystals | |
| JP3181443B2 (ja) | 半導体単結晶育成装置の黒鉛るつぼ | |
| JP2973917B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| JP2833478B2 (ja) | シリコン単結晶成長方法 | |
| JP3011114B2 (ja) | シリコン溶融用坩堝 | |
| KR100331552B1 (ko) | 잉곳-용융물 경계의 중앙 및 가장자리에서의 온도구배의 조절에 의한 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러, 상기 초크랄스키 풀러용 열차단체 및 상기 초크랄스키 풀러의 개량방법. | |
| JPH03115188A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JPH10158089A (ja) | 単結晶引上装置のルツボ構造 | |
| JP2003089592A (ja) | 単結晶引上げ方法 | |
| JP2000169285A (ja) | 融液収容ルツボ | |
| US6090198A (en) | Method for reducing thermal shock in a seed crystal during growth of a crystalline ingot | |
| JP3551736B2 (ja) | 単結晶引上装置のカーボンサセプタ | |
| JPH06293588A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2000109391A (ja) | 石英るつぼ | |
| JP2004250305A (ja) | 湯面振動を抑制した石英ガラスルツボ | |
| JP2783049B2 (ja) | 単結晶シリコン棒の製造方法及び製造装置 | |
| JPH09183687A (ja) | 単結晶引上げ装置の整流筒昇降方法、及び単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構 | |
| WO2022123957A1 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPS6217496Y2 (ja) | ||
| JPS5950627B2 (ja) | 単結晶シリコン引上装置 | |
| JPS62223090A (ja) | 半導体単結晶引上装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100420 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |