TW201907042A - 環境控制鍍膜系統 - Google Patents

環境控制鍍膜系統 Download PDF

Info

Publication number
TW201907042A
TW201907042A TW107139475A TW107139475A TW201907042A TW 201907042 A TW201907042 A TW 201907042A TW 107139475 A TW107139475 A TW 107139475A TW 107139475 A TW107139475 A TW 107139475A TW 201907042 A TW201907042 A TW 201907042A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coating
substrate
various embodiments
closed
module
Prior art date
Application number
TW107139475A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI670388B (zh
Inventor
Ｆ 馬狄剛寇諾
守康 高亞歷山大
沃斯凱伊莉亞
Original Assignee
美商凱特伊夫公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商凱特伊夫公司 filed Critical 美商凱特伊夫公司
Publication of TW201907042A publication Critical patent/TW201907042A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI670388B publication Critical patent/TWI670388B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0254—Coating heads with slot-shaped outlet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0486—Operating the coating or treatment in a controlled atmosphere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2252/00—Sheets
    • B05D2252/04—Sheets of definite length in a continuous process
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的實施例對於在廣泛的技術領域中的種種設備與裝置之製造中的基板的圖案區域鍍膜可為有用，例如而不受限於：OLED顯示器、OLED照明、有機光電伏打、鈣鈦礦太陽能電池、以及有機半導體電路。本教示內容之封閉式的環境控制鍍膜系統可提供數個優點，諸如：(1)諸如基於鍍膜製造之一系列的真空處理操作之排除係可在大氣壓力下而實行。(2)受控制的圖案化鍍膜係排除材料浪費，且排除要達成一種有機層的圖案化而典型所需要的另外處理。(3)用於使用本教示內容之一種封閉式鍍膜設備的種種實施例之圖案化鍍膜的種種配方可具有諸多物理性質，諸如：黏滯性與表面張力。一種封閉式鍍膜系統的種種實施例可和其提供一個氣體循環過濾系統、一個粒子控制系統、一個氣體淨化系統、與一個熱調節系統、等等之種種構件為整合，以形成可維持一種惰性氣體環境之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例，惰性氣體環境係實質為低粒子以用於需要此種環境之本教示內容的種種鍍膜處理。

Description

環境控制鍍膜系統
根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的實施例係可對於在廣泛技術領域中的種種裝置與設備之製造中的基板的圖案化(patterned)區域鍍膜為有用，例如而不受限於：OLED顯示器、OLED照明、有機光電伏打(photovoltaics)、鈣鈦礦(Perovskite)太陽能電池、以及有機半導體電路。［相關申請案之交互參照］
此申請案係主張在西元2014年11月26日提出之美國臨時申請案第62/085,211號的裨益，該美國臨時申請案是以參照方式而整體納入本文。
舉例來說，作為一個非限制的實例，對於RGB OLED顯示器而言，雖然用於小螢幕應用(主要為用於手機)的OLED顯示器之示範已經用以強調該種技術的潛力，挑戰仍存在於用於RGB OLED的高產量而定標其跨於一系列的基板格式之大量製造。關於用於RGB OLED顯示器技術的格式之定標，一種第5.5代(Gen 5.5)基板具有大約130 cm×150 cm的尺度且可產生大約八個26"平板顯示器。相較而言，較大格式的基板可包括使用第7.5代(Gen 7.5)與第8.5代(Gen 8.5)的母玻璃作用區域尺寸。一個第7.5代的母玻璃具有大約195 cm×225 cm的尺度，且每個基板可被切割成為八個42"或六個47"的平板顯示器。使用在第8.5代的母玻璃是大約220 cm×250 cm，且每個基板可被切割成為六個55"或八個46"的平板顯示器。仍存在於對於較大格式的RGB OLED顯示器製造之定標的挑戰之一個指示係在於，關於大於第5.5代的基板之基板的高產量之RGB OLED顯示器的大量製造係已經被證明為實質有挑戰性。
原則上，包含一種RGB OLED堆疊結構的種種材料係可能易受到氧化與其他化學製程之損壞。甚者，直到含有此類RGB OLED材料之作用區域可被有效氣密式密封，在一個RGB OLED裝置或設備作用區域中的種種材料係由於種種的反應性氣體物種而易受到劣化，該等反應性氣體物種係諸如例如而不受限於：水蒸氣、氧氣、臭氧、有機溶劑蒸氣、等等。關於在處理期間的劣化之類似考量係在其他型式的電子裝置之製造中為顯而易見，該等電子裝置係諸如：OLED照明、有機光電伏打、鈣鈦礦太陽能電池、以及有機半導體電路。根據本教示內容，一種環境控制鍍膜系統的種種實施例可被裝配以將一個有機薄膜層鍍膜在種種的電子裝置之上。
然而，以其可對於種種裝置與裝置尺寸而定標且可被實行在一種惰性、實質為低粒子的處理環境中之一種方式來置放一種鍍膜系統係可能呈現種種工程挑戰。舉例來說，用於高產量、大格式的基板鍍膜(例如：等效於用於種種OLED裝置之第7.5代與第8.5代基板的鍍膜的基板)之製造工具係需要實質為大的設施。是以，將一個大設施維持在一個惰性的大氣環境之下、需要氣體淨化以移除諸如作為非限制的實例之水蒸氣、臭氧與氧氣、以及有機溶劑蒸氣之反應性大氣物種、以及維持一種實質為低粒子的處理環境係已經被證明為顯著有挑戰性。
如此，挑戰係仍存在於定標大量的鍍膜系統，其用於高產量之跨於一系列的裝置尺寸的種種電子裝置與設備之製造。是以，對於置放在一種惰性、實質為低粒子的環境中之一種環境控制的封閉式鍍膜系統的種種實施例之需要係存在，其可容易定標以提供可具有種種作用區域縱橫比與尺寸、以及種種裝置與設備材料之種種電子裝置與設備的鍍膜。此外，本教示內容之種種封閉式的環境控制鍍膜系統可提供在處理期間而從外部到鍍膜系統的便於出入、以及用最小的停機時間而供維修之到內部的便於出入。
本教示內容係揭露一種封閉式鍍膜系統的種種實施例，其可被維持在一種包殼(enclosure)組件之中，其可提供一種受控制的鍍膜環境。一種包殼組件的種種實施例可被密封構成且和其提供一個氣體循環過濾系統、一個粒子控制系統、一個氣體淨化系統、與一個熱調節系統、等等的種種構件為整合，以形成其可維持一種惰性氣體環境之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例，惰性氣體環境係實質為低粒子以用於需要此種環境之本教示內容的種種鍍膜處理。一種包殼組件的種種實施例可具有一個鍍膜系統包殼與一個輔助包殼，其構成為一種包殼組件的一部分，就其而言，該輔助包殼可和鍍膜系統包殼為密封式隔離。根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的實施例可對於在廣泛的技術領域中的種種設備與裝置之製造中的基板的圖案化區域鍍膜為有用，例如而不受限於：OLED顯示器、OLED照明、有機光電伏打、鈣鈦礦太陽能電池、以及有機半導體電路。
根據本教示內容，舉例而非限制來說，一個有機囊封層可被鍍膜在其使用圖案化鍍膜技術之種種基於OLED的裝置與設備之種種實施例的作用區域上。根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的實施例可對於在廣泛的技術領域中的種種設備與裝置之製造中的基板的圖案化區域鍍膜為有用，例如而不受限於：OLED顯示器、OLED照明、有機光電伏打、鈣鈦礦太陽能電池、以及有機半導體電路。在本教示內容之環境控制鍍膜系統的種種實施例中，種種的鍍膜溶液可使用狹縫模具鍍膜而被鍍膜，由於狹縫模具鍍膜可提供數個優點。首先，一系列的真空處理操作可被免除，因為此種基於鍍膜的製造可為以大氣壓力來實行。此外，在一種狹縫模具鍍膜處理期間，一種鍍膜溶液或鍍膜配方可為局部化來覆蓋種種裝置與設備的目標部位以覆蓋一個基板的該等目標部位。最後，使用鍍膜之目標圖案化係造成免除材料浪費，並且免除其典型為需要來達成一個有機層的圖案化之另外處理。
舉例來說，用於使用本教示內容之一種封閉式鍍膜設備的種種實施例之圖案化鍍膜的種種有機材料配方可具有諸多的物理性質，諸如：黏滯性與表面張力。使用本教示內容之一種封閉式鍍膜設備所沉積的一種有機材料配方可包含其包括例如而不受限於丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、胺甲酸乙酯、或其他材料之一種聚合物、以及共聚物與其混合物，其可使用熱處理(例如：烘烤)、UV曝光、與其組合而被固化。如在本文所使用，聚合物與共聚物可包括任何形式的一種聚合物成分，其可被配製為一種鍍膜溶液且經固化在一個基板上以形成一個均勻的聚合物層。此類的聚合物成分可包括聚合物、與共聚物、以及其前驅物，例如而不受限於：單體、寡聚物、與樹脂。
諸如圖2A的鍍膜設備2000 (在圖2B的展開圖所示)之一種封閉式鍍膜設備係可由數個裝置與設備所組成，其允許一種鍍膜溶液之可靠的鍍膜到用於種種基於OLED的裝置與設備之基板作用區域的特定位置上。鍍膜係需要在鍍膜組件與裝置或設備基板之間的相對運動。此可用其典型為一種塔架(gantry)或***軸的XYZ系統之一種運動系統來達成。鍍膜組件可移動在一個靜止基板之上(塔架類型)，或就一種***軸的組態而言，該鍍膜組件與基板二者均可移動。在另一個實施例中，一個鍍膜組件可為實質靜止，例如：在X與Y軸，而該基板可相對於一個鍍膜模具組件而朝X與Y軸移動，且Z軸運動係由一個基板支撐設備或由其和一個鍍膜組件有關聯的一個Z軸運動系統所提供。一個基板可使用一種基板裝載及卸載系統而被***該鍍膜設備且從該鍍膜設備所移除。視該鍍膜設備組態而定，此可用一種機械輸送裝置、具有輸送組件的一種基板浮動台、或具有末端效應器的一種基板轉移機械手臂來達成。對於本教示內容之系統及方法的種種實施例而言，一種Y軸運動系統可為基於一種空氣軸承的夾持系統。
原則上可考慮到種種裝置作用區域尺寸(包括大格式的作用區域尺寸)的鍍膜之製造工具可能需要實質為大的設施以供容納此類的製造工具。是以，將整個大的設施維持在一種惰性環境之情況下係呈現工程上的挑戰，諸如：大量的一種惰性氣體之持續的淨化。一種封閉式鍍膜系統的種種實施例可具有在一個包殼組件的內部之一種循環過濾系統且連同在一個氣體包殼的外部之一種氣體淨化系統，其可一起提供具有貫穿一種封閉式鍍膜系統之實質為低位準的反應性物種之一種實質低微粒的惰性氣體之持續循環。根據本教示內容，一種惰性氣體可為其在一個定義組的處理條件下而未受到化學反應之任何氣體。一種惰性氣體之一些常用的非限制性的實例可包括：氮氣、鈍氣的任一者、以及其任何組合。此外，提供其本質為氣密式密封以防止諸如水蒸氣、氧氣、與臭氧之種種反應性的大氣氣體、以及例如從種種鍍膜溶液所產生的有機溶劑蒸氣之汙染的一個大設施係造成在工程上的挑戰。根據本教示內容，一種鍍膜設施係將對於包括諸如水蒸氣、氧氣、與臭氧之種種反應性的大氣氣體、以及有機溶劑蒸氣之種種反應性物種的各個物種維持在100 ppm或更低，例如：在10 ppm或更低、在1.0 ppm或更低、或在0.1 ppm或更低。
作為意指來說明對於維持在種種電子裝置製造中的反應性物種的位準之需要的一個非限制實例，在表1所呈現的資訊係說明種種OLED放射材料對於環境條件的靈敏度。在表1所總結的資料是由對於紅、綠、與藍的各者之包含有機薄膜成分的一種測試試樣各者的測試所造成，測試試樣是以一種大像素、旋轉鍍膜的裝置格式所製造。此類的測試試樣係為了種種OLED裝置的種種配方與處理之快速評估而實質為容易製造及測試。雖然測試試樣的測試不應和一種製造的OLED裝置的使用壽命測試相混淆，此可指出種種配方與處理在使用壽命上的影響。在下表所顯示的結果係代表在測試試樣之製造中的處理步驟的變化，其中，僅有旋轉鍍膜環境係對於在其反應性物種為少於1 ppm之一種氮氣環境中所製造的測試試樣而變化，相較於在空氣中而非為一種氮氣環境所類似製造的測試試樣。
特別是就紅與藍而言，對於在不同處理環境下所製造的測試試樣來說，透過在表1的資料之檢查而為明顯的是，在其有效降低種種的有機薄膜成分之暴露於反應性物種的一種環境中的OLED裝置之製造係可具有關於種種OLED材料的穩定度、且因此為關於裝置壽命之實質影響。壽命規格是對於種種OLED技術而言為特別重要，由於此直接關聯於產品的耐久性；此係對於要符合種種基於OLED的技術而言為有挑戰性。為了符合必需壽命規格，諸如而不受限於水蒸氣、氧氣、臭氧、以及有機溶劑蒸氣之反應性物種的各者的位準可藉著本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而被維持在100 ppm或更低，例如：在10 ppm或更低、在1.0 ppm或更低、或在0.1 ppm或更低。此等資料係強調對於維持用於在製造的種種OLED裝置與設備之控制環境條件的需要，直到已經達成一個OLED作用區域之氣密式密封為止。 表1：惰性氣體處理在對於OLED面板的壽命之影響
除了提供一種惰性環境之外，對於基於OLED的技術而維持一種實質低粒子的環境係特別重要，由於甚至極小的粒子可能導致在一個成品中的可見缺陷。在一種封閉式鍍膜系統中之粒子控制係可能呈現重大的挑戰，其對於可在例如於開放式的高流量的層流過濾狀態下之大氣條件所進行的處理而言為並未呈現。舉例來說，一種製造設施係可能需要一個實質長度的種種服務束(bundle)，其可被運作為連接自種種的系統與組件以提供用來操作例如而不受限於一種鍍膜系統所需要之光學、電氣、機械、與流體的連接。使用在一種鍍膜系統的操作且位在鄰近於定位用於鍍膜的一個基板之該種服務束係可能為一種微粒物質的持續存在來源。是以，諸如風扇或使用摩擦軸承的線性運動系統之用在一種鍍膜系統中的構件係可能為粒子產生構件。連同本教示內容的通風管的種種實施例之一種氣體循環及過濾系統的種種實施例係可被使用以容納且有效過濾微粒物質。此外，藉由使用種種的本質為低粒子產生的氣動操作構件，諸如而不受限於：基板浮動台、空氣軸承、與氣動操作機器人、等等，用於一種封閉式鍍膜系統的種種實施例之一個低粒子環境係可被維持。舉例來說，一種氣體循環及過濾系統的種種實施例係可被設計以針對於空浮微粒而提供一種低粒子的惰性氣體環境，其符合國際標準組織標準(ISO) 14644-1:1999的標準，“無塵室與關聯的控制環境–第1篇：空氣潔淨度的分類”，如由第1類到第5類所指定。然而，僅僅控制空浮微粒物質係不足以在例如而不受限於一個鍍膜處理期間而提供其鄰近於一個基板之一種低粒子的環境，由於在該種處理期間而鄰近於一個基板所產生的粒子係可能在其可透過一種氣體循環及過濾系統所拂掠之前而累積在一個基板表面上。
關於在一種系統內的空浮微粒物質與粒子沉積，大量的變數可能影響發展一個通用模型，其可適當計算例如對於在用於任何特定製造系統的一個表面(諸如：一個基板)上的粒子落塵率之一個值的近似值。諸如粒子的尺寸、特定尺寸之粒子的分佈、一個基板的表面積、與在系統內的一個基板的曝光時間之變數可取決於種種的製造系統而變化。舉例來說，粒子的尺寸與特定尺寸粒子的分佈可能受到在種種製造系統中的粒子產生構件之來源與位置所實質影響。基於本教示內容之封閉式鍍膜系統的種種實施例之計算係暗示的是，在沒有本教示內容之種種粒子控制系統的情況下，對於在尺寸範圍為0.1μm與更大之粒子而言，每平方公尺的基板之每個鍍膜週期的微粒物質之基板上的沉積係可在超過大約1百萬到超過大約10百萬個粒子之間。此種計算係暗示的是，在沒有本教示內容之種種粒子控制系統的情況下，對於在尺寸範圍為大約2μm與更大之粒子而言，每平方公尺的基板之每個鍍膜週期的微粒物質之基板上的沉積係可在超過大約1000到超過大約10,000個粒子之間。
本教示內容之一種低粒子的鍍膜系統的種種實施例可維持一種低粒子的環境以提供一個平均基板上的粒子分佈，其對於尺寸為大於或等於10μm的粒子而言係符合每分鐘之每平方公尺的基板為小於或等於大約100個粒子之一個基板上的沉積率規格。本教示內容之一種低粒子的鍍膜系統的種種實施例可維持一種低粒子的環境以提供一個平均基板上的粒子分佈，其對於尺寸為大於或等於5μm的粒子而言係符合每分鐘之每平方公尺的基板為小於或等於大約100個粒子之一個基板上的沉積率規格。在本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例中，一種低粒子的環境可被維持以提供一個平均基板上的粒子分佈，其對於尺寸為大於或等於2μm的粒子而言係符合每分鐘之每平方公尺的基板為小於或等於大約100個粒子之一個基板上的沉積率規格。在本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例中，一種低粒子的環境可被維持以提供一個平均基板上的粒子分佈，其對於尺寸為大於或等於1μm的粒子而言係符合每分鐘之每平方公尺的基板為小於或等於大約100個粒子之一個基板上的沉積率規格。本教示內容之一種低粒子的鍍膜系統的種種實施例可維持一種低粒子的環境以提供一個平均基板上的粒子分佈，其對於尺寸為大於或等於0.5μm的粒子而言係符合每分鐘之每平方公尺的基板為小於或等於大約1000個粒子之一個基板上的沉積率規格。對於本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，一種低粒子的環境可被維持以提供一個平均基板上的粒子分佈，其對於尺寸為大於或等於0.3μm的粒子而言係符合每分鐘之每平方公尺的基板為小於或等於大約1000個粒子之一個基板上的沉積率規格。本教示內容之一種低粒子的鍍膜系統的種種實施例可維持一種低粒子的環境以提供一個平均基板上的粒子分佈，其對於尺寸為大於或等於0.1μm的粒子而言係符合每分鐘之每平方公尺的基板為小於或等於大約1000個粒子之一個基板上的沉積率規格。
一種包殼組件的種種實施例可具有種種框架件，其經構成以提供用於一種封閉式鍍膜系統的輪廓。本教示內容之一種包殼組件的種種實施例可順應一種鍍膜系統，而且使得工作空間為最佳化以使惰性氣體的體積為最小化，而且允許在處理期間從外部到一種封閉式鍍膜系統的便於出入。就該點而言，本教示內容之種種的包殼組件可具有一種仿形(contoured)的拓撲架構與體積。如將在本文隨後所更為詳細論述，一種鍍膜系統包殼的種種實施例可被作成輪廓為環繞一個鍍膜系統底座，在其上係可安裝一個基板支撐設備。再者，一種鍍膜系統包殼可被作成輪廓為環繞一個橋接結構，其可被用於例如一種托架組件的X軸移動。作為一個非限制的實例而言，根據本教示內容之一種仿形的鍍膜系統包殼的種種實施例可具有在大約6 m3 到大約95 m3 之間的容積以供容納一種鍍膜系統的種種實施例，該種鍍膜系統係能夠鍍膜種種的作用區域尺寸，其對應於例如用於種種基於OLED的技術之基板，例如：第3.5代到第10代的作用區域尺寸之OLED顯示器裝置基板。作為進一步之非限制的實例而言，根據本教示內容之一種仿形的氣體包殼的種種實施例可具有在大約15 m3 到大約30 m3 之間的氣體包殼容積以供容納一種鍍膜系統的種種實施例，該種鍍膜系統係能夠鍍膜例如第5.5代到第8.5代的作用區域尺寸。相較於具有對於寬度、長度與高度的非仿形尺度之一種非仿形的包殼，一種仿形的氣體包殼的該等實施例係可在體積上為大約30%到大約70%的節省。
圖1係描繪根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例之包殼組件1000的立體圖。包殼組件1000可包括前面板組件1200'、中間面板組件1300'、與後面板組件1400'。前面板組件1200'可包括前頂板(ceiling)面板組件1260'、前壁部面板組件1240'、與前底座面板組件1220'，前壁部面板組件1240'可具有開口1242以供收納一個基板。後面板組件1400'可包括後頂板面板組件1460'、後壁部面板組件1440'、與後底座面板組件1420'。中間面板組件1300'可包括第一中間包殼面板組件1340'、中間壁部和頂板面板組件1360'與第二中間包殼面板組件1380'、以及中間底座面板組件1320'。
此外，如在圖1所描繪，中間面板組件1300'可包括第一輔助面板組件、以及第二輔助面板組件(未顯示)。經構成為一種包殼組件的一部分之一個輔助包殼的種種實施例可和一種封閉式鍍膜系統的工作空間為密封式隔離。對於本教示內容之系統與方法的種種實施例而言，一個輔助包殼可為小於或等於一種包殼組件容積的大約1%。在本教示內容之系統與方法的種種實施例中，一個輔助包殼可為小於或等於一種包殼組件容積的大約2%。對於本教示內容之系統與方法的種種實施例而言，一個輔助包殼可為小於或等於包殼組件容積的大約5%。在本教示內容之系統與方法的種種實施例中，一個輔助包殼可為小於或等於包殼組件容積的大約10%。在本教示內容之系統與方法的種種實施例中，一個輔助包殼可為小於或等於包殼組件容積的大約20%。假使對於其含有反應性氣體的一個周圍環境之一個輔助包殼的開口被指出以供實行例如一個維修程序，將一個輔助包殼從一個鍍膜系統包殼的工作空間隔離係可防止該鍍膜系統包殼之汙染。再者，假定相較於一個包殼組件之一個輔助包殼的相對小的體積，用於一個輔助包殼的恢復時間可較用於整個包殼組件的恢復時間為耗費顯著較少的時間。
如在圖2A所描繪，包殼組件1000可包括前底座面板組件1220'、中間底座面板組件1320'、與後底座面板組件1420'，其當由一個連續的底座或平盤所完全構成時，鍍膜設備2000可被安裝在其上。根據本教示內容，包含包殼組件1000的前面板組件1200'、中間面板組件1300'、與後面板組件1400'之種種的框架件與面板可被接合為環繞鍍膜設備2000以形成一種鍍膜系統包殼。前面板組件1200'可被作成輪廓為環繞安裝的鍍膜設備2000以形成一種氣體包殼的第一通道段。同理，後面板組件1400'可被作成輪廓為環繞鍍膜設備2000以形成一種氣體包殼的第二通道段。此外，中間面板組件1300'可被作成輪廓為環繞一個鍍膜設備2000以形成一種氣體包殼的一個橋接段。當和種種的環境控制系統為整合時，諸如包殼組件1000之一種完全構成的包殼組件可形成一種封閉式鍍膜系統的種種實施例，其包括一種封閉式鍍膜系統的種種實施例，諸如：鍍膜設備2000。根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例，由一種封閉式鍍膜系統所界定的內部容積之環境控制可包括：照明之控制，例如藉由特定波長的燈光之數目與置放；微粒物質之控制，使用一種粒子控制系統的種種實施例；反應性氣體物種之控制，使用一種氣體淨化系統的種種實施例；以及，一種封閉式鍍膜系統之溫度控制，使用一種熱調節系統的種種實施例。
諸如圖2A的鍍膜設備2000 (在圖2B的展開圖所示)之一種鍍膜設備係可由數個裝置、組件、與子組件所組成，其允許一種鍍膜溶液或鍍膜配方之可靠置放在種種基於OLED的裝置與設備基板上的特定位置。一種鍍膜設備之此等種種裝置、組件、與子組件可包括而不受限於：一種鍍膜組件、鍍膜溶液遞送系統、用於提供在一個鍍膜組件與一個基板之間的相對運動之一種運動系統、基板支撐設備、基板裝載與卸載系統。
舉例來說，對於狹縫模具(slot die)鍍膜而言，圖2C之具有第一側2801與第二側2802的狹縫模具鍍膜組件2800可為一種狹縫模具鍍膜組件，其能夠以受控制的速率與厚度來沉積一種鍍膜溶液。鍍膜組件2800的種種實施例可將作為一種圖案化區域鍍膜的一種鍍膜溶液沉積在例如一個基板的複數個沉積區域上。片語“沉積區域”概括指稱在其一個有機材料層被鍍膜在一個基板上之一個區域。狹縫模具鍍膜組件2800可和一種鍍膜溶液供應系統(未顯示)為流通，該鍍膜溶液供應系統將一種鍍膜溶液提供到狹縫模具鍍膜組件2800。如在圖2B的展開圖所示，鍍膜設備2000可具有一個基板，諸如：基板2050，其可由一種基板支撐設備所支撐，諸如一種夾具(chuck)，例如而不受限於：一種真空夾具、具有壓力通口的一種基板浮動夾具、以及具有真空與壓力通口的一種基板浮動夾具。根據本教示內容的種種實施例，一種支撐設備可為例如而不受限於：具有壓力通口的一種基板浮動台、以及具有真空與壓力通口的一種基板浮動台。一種夾具與一種浮動台的種種實施例可使用一種多孔媒介來裝配以建立一種均勻分佈的真空、壓力、或真空與壓力的組合。用以裝配本教示內容的一種夾具與一種浮動台之種種的多孔媒介可包括一種多孔材料，諸如：一種碳或陶瓷材料、燒結玻璃、或一些其他材料，諸如可包括直徑為小於1微米或甚至小於0.5微米的一個孔尺寸。此種小的孔尺寸可確保其可被用以支撐一個基板之真空、壓力、以及真空與壓力的組合之均勻分佈。
在一個說明性實例中，相較於一個僅有壓力區，在一個壓力真空區之中的均勻高度或懸浮(fly)高度可為實質不同。在其利用壓力與真空的一種基板支撐設備之上的一個基板的懸浮高度係可被保持在一個基板的整個面積之上的一個精確Z軸懸浮高度，假定一種雙向流體彈簧之形成，其可使用壓力與真空的組合而被形成。相較在一個壓力真空區之上的一個基板的整體上的懸浮高度的精確性，在一個僅有壓力區之上的一個基板的懸浮高度係可能產生在一個基板面積上的懸浮高度的較多變化，歸因於在一個僅有壓力區之中的真空預載之缺乏。關於懸浮高度，在一個說明性實例中，一個基板可具有在僅有壓力區之上為大約150微米(μ, micrometer)到大約300μ之間的懸浮高度，還有在一個壓力真空區之上為大約30μ到大約50μ之間的懸浮高度。
圖2B的基板浮動台2200可連同一種Y軸運動系統而作為一種基板運送系統的部分者，其提供基板2050之無摩擦運送。本教示內容之一種Y軸運動系統可包括第一Y軸軌道2351與第二Y軸軌道2352，其可包括一種夾持系統(未顯示)以托住一個基板。Y軸運動可由線性空氣軸承或線性機械系統所提供。在圖2A與圖2B所示之鍍膜設備2000的基板浮動台2200可界定該基板2050在一個鍍膜過程期間通過圖1的包殼組件1000之行進。
關於圖2B，鍍膜設備底座2100可包括第一豎板(riser) 2120與第二豎板2122，在其上，橋接件2130被安裝。此外，第一隔離器組2110 (未顯示的另一者在相對側)與第二隔離器組2112 (未顯示的另一者在相對側)係支撐該鍍膜設備2000的基板浮動台2200。對於鍍膜設備2000的種種實施例而言，橋接件2130可支撐第一X軸托架組件2301與第二X軸托架組件2302，其可控制可在該等X軸托架上所安裝的種種裝置與組件之移動。舉例來說，一種Z軸移動板可被安裝到一個X軸托架。在本教示內容之一種鍍膜設備的種種實施例中，一個鍍膜組件可被安裝到一種Z軸移動板的一者或二者。在本教示內容之一種鍍膜設備的種種實施例中，一個鍍膜組件可被安裝到一種X軸托架的一者，且一種檢查組件可被安裝到另一個X軸托架。對於鍍膜設備2000的種種實施例而言，第一X軸托架組件2301與第二X軸托架組件2302可利用一種線性空氣軸承的運動系統，其本質為低粒子產生。根據本教示內容之一種鍍膜系統的種種實施例，一個X軸托架可具有經安裝在其上的一個Z軸移動板。在圖2B之中，第一X軸托架組件2301被描繪為具有第一Z軸移動板2310，而第二X軸托架組件2302被描繪為具有第二Z軸移動板2312。
根據本教示內容之一種鍍膜系統的種種實施例，假定為一種自動化的工業鍍膜系統之連續使用，第一維修系統2701與第二維修系統2702可被容納在一種輔助包殼中，其可在一種鍍膜過程期間而和一種鍍膜系統包殼為隔離，用於在具有對於一種鍍膜過程的很少或無中斷之情況下而實行種種的維修任務。如可在圖2B所看出，維修模組2707、2709、與2711可被定位為鄰近一種鍍膜設備，而如可在圖2A所看出，則定位在一種輔助包殼中，諸如圖2A的輔助包殼1330'與1370'。設備2707、2709、與2711可為用於實行種種維修功能之種種子系統或模組的任一者。舉例來說，設備2707、2709、與2711可為用以儲藏或收納其用於一個系統修理操作的部件之一種模組的任一者。
在圖2B之鍍膜設備2000的展開圖中，一種鍍膜系統的種種實施例可包括基板浮動台2200，其由基板浮動台底座2220所支撐。基板浮動台底座2220可被安裝在鍍膜設備底座2100之上。封閉式鍍膜系統的基板浮動台2200可支撐基板2050，並且界定該基板2050可在一個OLED基板的鍍膜期間而於其上被移動通過包殼組件1000之行進。本教示內容之一種Y軸運動系統可包括第一Y軸軌道2351與第二Y軸軌道2352，其可包括一種夾持系統(未顯示)以托住一個基板。Y軸運動可由線性空氣軸承或線性機械系統所提供。就該點而言，連同一種運動系統，如在圖2B所描繪，諸如：一種Y軸運動系統，基板浮動台2200可提供基板2050之無摩擦運送通過一種鍍膜系統。
圖2C係描繪圖2B之狹縫模具鍍膜組件2800的種種實施例之第一側2801的展開立體剖視圖。諸如位置感測器2820的複數個定位感測器可被實施為連接到狹縫模具鍍膜組件2800，使得相對於圖2B的基板2050之狹縫模具鍍膜組件2800的位置可被連續確定。如將在本文隨後所更詳細論述，定位可使用一種相機組件的種種實施例而另外被提供。定位感測器2820可例如為一種基於雷射的定位系統。狹縫模具組件2800可包括狹縫模具2805，其具有第一唇部2810與第二唇部2812，其間係描繪狹縫模具間隙出口2814。在一個鍍膜過程期間，狹縫模具2805是和一種鍍膜溶液為流通，使得狹縫模具間隙出口2814是在離開圖2B的基板2050之一段預定距離。隨著基板2050係相對於圖2B的鍍膜組件2800而移動，一種鍍膜溶液是從狹縫模具間隙出口2814而流動，形成在基板2050之上的固定位置、寬度與厚度之一個鍍膜。極度平直的模具表面、連同該模具相關於該基板的精確定位係可提供圖案化的狹縫模具鍍膜，其中為一個目標薄膜厚度的大約1%到大約3%之薄膜厚度均勻性。為了達成在一個基板的沉積區域上所形成的薄膜之良好的鍍膜均勻性，對於圖案化的狹縫模具鍍膜而言，關於基板之模具的位置之準確且可重複的時序、以及關於模具移動之鍍膜流體流動起始與停止的適當時序係可實行以確保在前導邊緣將無堆積者，且在經鍍膜之一個基板的一個區域之尾隨邊緣係均勻平直且厚。
圖2D係示意描繪一個基板之一種圖案化鍍膜，其使用一種鍍膜設備，諸如：對於圖2B的鍍膜設備2000之本文所述。在圖2D所示係一個陣列的圖案化鍍膜區域或沉積區域，諸如：在基板2050之上的圖案化鍍膜區域或沉積區域50，使用一種狹縫模具鍍膜組件，諸如：圖2B與圖2C的狹縫模具鍍膜組件2800。片語“沉積區域”概括指稱於其一個有機材料層被鍍膜在一個基板上之一個區域。根據本教示內容，一種鍍膜設備的種種實施例可將圖案化鍍膜提供在一個基板上，對於鍍膜在一個基板的沉積區域上的一個薄膜而言，提供大約20 nm (奈米)到大約150μ(微米)之一個鍍膜厚度，具有一個目標薄膜厚度的大約1%到大約3%之先前所述的薄膜均勻性以及在大約+/- 100μ(微米)之間或更小的鍍膜準確度。根據本教示內容，一種鍍膜設備的種種實施例可將圖案化鍍膜提供在一個基板上，提供高的基板產量與有效的材料使用、以及低的浪費。此外，用於使用本教示內容之一種封閉式鍍膜設備的種種實施例之圖案化鍍膜的種種配方可具有諸多物理性質，諸如：黏滯性與表面張力。
圖3A係概括說明等角視圖，且圖3B係概括說明一種封閉式的環境控制鍍膜系統3000之至少一部分的平面圖，諸如：包括第一鍍膜模組3500A、第二鍍膜模組3500B、以及其他模組，其可被用在製造種種的裝置，例如而不受限於：OLED顯示器、OLED照明、有機光電伏打、鈣鈦礦太陽能電池、以及有機半導體電路。在此類的裝置之製造中，圖案化鍍膜可作為製造過程的部分者而作成。
封閉式的環境控制鍍膜系統3000可包括第一鍍膜模組3500A，其可包括一種鍍膜設備，諸如：關於本文其他實例所述之鍍膜設備2000。為了提供提高產量、冗餘度、或多重處理操作之一者或多者，其他的鍍膜系統可被包括在內，諸如：第二鍍膜模組3500B，其亦可包括一種鍍膜設備，諸如：在本文先前所述之鍍膜設備2000。封閉式鍍膜系統3000還可包括一個或多個其他模組，諸如：第一處理模組3200A或第二處理模組3200B。
根據本教示內容，第一或第二處理模組3200A或3200B可被用於托住一個基板(例如：以利於流通或分散經沉積的材料層，諸如：以達成一個更平坦或均勻的薄膜)或固化(例如：經由光照明，諸如：使用UV輻射的照明)諸如其由第一或第二鍍膜模組3500A或3500B的一者或二者所沉積的一層材料之一者或多者。舉例來說，對於使用第一或第二處理模組3200A或3200B而被鍍膜在一個基板上、或被固化的一個材料層而言，可包括一個囊封層(諸如：包含其經由暴露於紫外線而被固化或處理的一個有機囊封物之一個薄膜層)的一部分。第一或第二處理模組3200A或3200B可被裝配以托住基板，如上所述，諸如：以一種堆疊組態。處理模組3200B可替代(或附加)被裝配以真空乾燥一個或多個基板，諸如：以一種堆疊組態。就該第一或第二處理模組3200A或3200B的一者或多者係作用為一次用於超過一個基板的一個真空乾燥模組而言，堆疊組態可包括在單一個室中的多個乾燥槽、或一堆的隔離室，其各者具有單一個乾燥槽。在還有另一種組態中，第一或第二處理模組3200A或3200B的一者或多者可被裝配以托住基板，且另一個處理模組可被提供為附接到一個轉移模組3400以供真空乾燥一個或多個基板。舉例來說，第一與第二鍍膜模組3500A與3500B可被用於沉積在一個基板上的相同層，或鍍膜模組3500A與3500B可被用於沉積在一個基板上的不同層。
封閉式鍍膜系統3000可包括一個輸入或輸出模組3100 (例如：一個“裝載模組”)，諸如：可被使用作為一種裝載鎖或用其他方式在某種程度上為允許一個基板2050之轉移進出封閉式鍍膜系統3000之一個或多個室的內部，在某種程度上為實質避免其在封閉式鍍膜系統3000的一個或多個包殼之內所維持的一個受控制環境之破壞。舉例來說，關連於圖3A，“實質避免破壞”可指出避免提高一種反應性物種的濃度為一個指定量，諸如：避免在一個基板2050進出一個或多個包殼的一個轉移操作期間或之後而提高在該一個或多個包殼內之此類的物種為超過百萬分之10、百萬分之100、或百萬分之1000。諸如可包括一個操作裝置3410之一個轉移模組3400可被用以在種種的操作之前、期間、或之後而操縱基板2050。一個或多個另外的操作裝置可被包括在內，諸如：將一個基板提供到輸入或輸出模組3100或從輸入或輸出模組3100而收納一個基板。封閉式鍍膜系統3000可包括一個另外的輸入或輸出模組，例如：在圖3A與圖3B所清楚顯示之轉移模組3400的右側、相對於輸入或輸出模組3100被顯示在圖3A與圖3B之轉移模組3400的該側。
圖4係概括說明一種技術，諸如一種方法，其可包括：將一個有機薄膜層形成在一個電子裝置(例如：OLED顯示器、OLED照明、有機光電伏打、鈣鈦礦太陽能電池、以及有機半導體電路)的一個沉積區域上。在圖4的實例4000之中，在4100，一個基板可被收納在一個轉移室中，諸如：圖3A與圖3B的轉移模組3400，如相關於本文的其他實例所顯示及描述。一個基板可為來自不同於轉移模組的一個控制環境之一個環境，諸如使用一個裝載模組(例如：裝載鎖)，諸如：圖3A與圖3B的裝載模組3100。在4200，一個基板可被轉移到一個封閉式鍍膜模組，諸如至少部分為使用一種機械手臂，諸如：位在圖3A與圖3B的轉移模組3400之內的機械手臂3410。替代而言，一種機械手臂可被容納在封閉式鍍膜模組之內。在4300，一個基板可被均勻支撐在一個鍍膜模組中，諸如使用技術與設備以降低或禁止在鍍膜操作或其他操作期間的可見缺陷之形成。
舉例來說，此種基板支撐可包括一個夾具(例如：一種平面的夾具或托盤)或一個浮動台，諸如：經裝配以提供在主動電子裝置已經被形成處之上的基板區域或基板相對區域之均勻的實際接觸。然而，此可能呈現種種的挑戰，舉例來說，因為種種的基板支撐設備係概括提供在基板中央區域的孔，透過其，升降銷(pin)可升高及降低該基板，以便有利於裝載及卸載操作。此等孔可代表其和一個基板為非均勻的實際接觸之區域。在一種真空夾具的實例中，亦可具有溝槽或孔，透過其，真空抽吸被提供以將一個基板保持在定位，且概括而言，此等溝槽或孔特徵的一些者是位在一個基板的中央區域以達成期望的保持性能。
除此之外，本發明人已經認知的是，諸如一個夾具或浮動台(或其支撐該基板之系統的其他部分)之一種基板支撐設備可被裝配以定位基板支撐設備特徵，使其在一個目標鍍膜圖案化上的影響為最小或排除。在一個實例中，諸如一個夾具或浮動台之一種基板支撐設備可進而提供對於在主動電子裝置已經被形成處之上的基板的某些區域或在該處之外的基板相對區域之非均勻的實際接觸。本發明人亦已經認知的是，一個基板的均勻支撐可藉由使用一種夾具來對付，該種夾具係具有一個分佈的真空區域而不是個別的真空槽或孔，諸如：透過其來提供真空吸取之一種連續有孔媒體。在關聯於升降銷之夾具中的其餘孔係可位在一個基板的一個周邊或作用區域的一個周邊之一者或多者(包括相對於其界定一個基板的一個周邊或該基板的作用區域的一個周邊之一個表面的區域)。在此等實例中，相同的支撐結構組態係可應用到任何作用的電子、光學、或光電裝置，其中該作用區域係可代表正在鍍膜之該等裝置所位在於其內之一個區域。
替代而言，舉例來說，本發明人亦已經認知的是，除此之外，一個基板可由其至少部分使用一種氣墊之一個夾具或浮動台所均勻支撐，諸如：在一種鍍膜操作或其他處理的一者或多者之期間，諸如在一個固化模組中的紫外線處理之前或期間。此種氣墊之使用可加強在一個基板上之一個鍍膜的有機材料或經處理的有機薄膜層之均勻度。舉例來說，藉由使一個基板浮動在一個實際的基板支撐表面之上，一個基板係由一種氣體所均勻支撐在所有區域中且對於用於升降銷的孔、升降銷、或其可能存在於實際基板支撐表面上的其他局部特徵之存在為相對較不靈敏。在該種浮動支撐的實例中，在一個基板的中央區域中之升降銷係可納入到支撐機構中而不影響在彼等區域中的薄膜均勻度，因為一個基板係未實際接觸於延伸或縮回的升降銷且在諸如鍍膜、保持、或固化的處理期間為由在中央區域中的一種氣墊所支撐。附加或替代而言，一個基板可藉由經限制於諸如在一個基板周邊或作用區域間的一個周邊之一者或多者中之在該等作用區域外的區域之實際接觸而進一步均勻支撐或保留。以此方式，一個基板面積的全部係可提供高度均勻的鍍膜且可被有效使用，除了潛在對於在基板邊緣的一個排除區以外，其中該基板係實際接觸以將其限制或保持定位在浮動平面。
在4400，一種有機材料配方可被鍍膜在一個基板的一個目標沉積區域，諸如：包括一種聚合物成分，以形成一個均勻的有機材料的未處理層。片語“沉積區域”概括指稱其中一個有機材料層被鍍膜在一個基板上之區域。在4500，一個基板可從一個鍍膜模組被轉移到一個轉移模組。在4600，一個基板可從一個轉移模組被轉移到一個固化模組。在4700，一個固化模組可被裝配以處理經鍍膜的有機材料，諸如：提供一個均勻的有機薄膜層。舉例來說，該固化模組可被裝配以將諸如紫外線處理的光學處理提供到一個經鍍膜的有機材料配方層，使其經鍍膜在一個基板的一個沉積區域上之一種有機材料為聚合化或者固化以形成一個有機薄膜層。
鍍膜系統的種種實施例可具有另外的設備與子組件以提供對於本教示內容之種種鍍膜系統的另外特徵。如在本文所先前論述，關於其支撐本教示內容的種種托架組件之運動系統，圖2A的鍍膜設備2000可具有其可被用於安裝一個鍍膜組件的第一X軸托架、以及其可被用以安裝諸如一個檢查組件之種種不同組件的第二托架組件，該檢查組件可包括一個相機組件。舉例來說，包括一個相機組件之一個基板檢查組件可被安裝在一個X軸托架的一個Z軸移動台之上，以提供其關於定位在諸如圖2B的浮動台2220之一個基板支架上的一個基板之一種檢查組件的精確X, Z定位。一個相機組件可為其將一個光學影像轉換成為一個電子訊號之任何的影像感測器裝置，作為非限制的實例而言，諸如：一種電荷耦合裝置(CCD, charge-coupled device)、一種互補式金屬氧化物半導體(CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor)裝置或N型金屬氧化物半導體(NMOS, N-type metal- oxide-semiconductor)裝置。種種的影像感測器裝置可被裝配作為用於一種面掃描相機之一個陣列的感測器、或用於一種行掃描相機之單一列的感測器。一個相機組件可被連接到影像處理系統，其可包括例如一種用於儲存、處理、以及提供結果之電腦。
甚者，相對於一個基板之一種相機的精確XYZ運動可對於面(area)掃描或行(line)掃描處理而實行。如本文所先前論述，諸如一種塔架運動系統的其他運動系統可被用以提供在例如相對於一個基板的一種鍍膜組件及/或一種相機組件之間的三維的精確移動。此外，照明可被安裝在種種位置；在一個X軸運動系統上或在其鄰近一個基板的一種基板支撐設備上、或其組合。關於該點，照明可根據實行種種的明亮視野與暗視野分析、以及其組合而被定位。一種運動系統的種種實施例可將一個相機組件相對於一個基板而定位，使用一種連續或步進的運動或其組合以捕獲一個基板的表面之一連串的一個或多個影像。舉例來說，關於驗證粒子控制，在種種基於OLED的裝置與設備之一個作用區域上的一個囊封層之鍍膜期間，粒子的影像可使用影像處理而得到，且一個特定尺寸的粒子之尺寸與數目可被確定。在本教示內容之系統與方法的種種實施例中，具有大約8192像素、以及大約190 mm的運作高度、且能夠以大約34 kHz來掃描之一種行掃描相機可被使用。
此外，超過一個相機可被安裝在用於一種鍍膜系統基板相機組件的種種實施例之一個X軸托架組件，其中，各個相機可具有關於視野與解析度的不同規格。舉例來說，一個相機可為用於就地(in situ )粒子檢查之一種行掃描相機，而第二個相機可為用於一種封閉式鍍膜系統中的一個基板之正規導航。對於正規導航為有用之此種相機可為一種面掃描相機，其具有視野為範圍在大約5.4 mm×4 mm以及大約0.9×的放大倍數、到大約10.6 mm×8 mm以及大約0.45×的放大倍數。在還有其他實施例中，一個相機可為用於就地粒子檢查之一種行掃描相機，而第二個相機可為用於一種封閉式鍍膜系統中的一個基板之精確導航，例如：用於基板對準。對於精確導航為有用之此種相機可為一種面掃描相機，其具有視野為大約0.7 mm×0.5 mm以及大約7.2×的放大倍數。
圖5係顯示封閉式鍍膜系統500的示意圖。根據本教示內容之封閉式鍍膜系統500的種種實施例可包含用於容納一個鍍膜系統的包殼組件100、其和包殼組件100為流體連通的氣體淨化迴路130、與至少一個熱調節系統140。此外，封閉式鍍膜系統500的種種實施例可具有加壓惰性氣體再循環系統300，其可供應惰性氣體以供操作種種的裝置，諸如：用於一種封閉式鍍膜系統的基板浮動台。一種加壓惰性氣體再循環系統300的種種實施例可利用一個壓縮機、一個吹風機以及二者的組合以作為用於加壓惰性氣體再循環系統300的種種實施例之來源。此外，封閉式鍍膜系統500可具有在封閉式鍍膜系統500的內部之一個循環過濾系統(未顯示)。
圖5之封閉式鍍膜系統500可具有其具有第一包殼容積的第一包殼、以及其具有第二包殼容積的第二包殼，諸如：例如在圖1所示。對於封閉式鍍膜系統500而言，若所有的閥V1 、V2 、V3 與V4 被打開，則氣體淨化迴路130係操作以淨化第一包殼容積100-S1與第二包殼容積100-S2二者。藉著V3 與V4 之閉合，僅有第一包殼容積100-S1是和氣體淨化迴路130為流體連通。舉例而非限制來說，此閥狀態可被使用在當第二包殼容積100-S2在其要求第二包殼容積100-S2對於大氣環境為開放之一個維修程序期間而被密封閉合且和第一包殼容積100-S1為隔離之時。藉著V1 與V2 之閉合，僅有第二包殼容積100-S2是和氣體淨化迴路130為流體連通。舉例而非限制來說，此閥狀態可被使用在該第二包殼已經對於大氣環境為開放之後的第二包殼容積100-S2之恢復期間。由於對於氣體淨化迴路130的要求是關於封閉式鍍膜系統500的總容積而指定，藉由將一種氣體淨化系統的資源專用於第二包殼容積100-S2之恢復，第二包殼容積100-S2係實質小於第一包殼容積100-S1的容積，封閉式鍍膜系統500的恢復時間可被實質降低。
如在圖5所繪，對於根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，一個循環過濾系統之設計可將其經循環通過氣體淨化迴路130的惰性氣體和其對於一種封閉式鍍膜系統的種種實施例為在內部連續過濾循環的惰性氣體分開。氣體淨化迴路130包括引出管線131，其為從包殼組件100到溶劑移除系統132且接著到氣體淨化系統134。由溶劑與其他的反應性氣體物種(諸如：氧氣、臭氧、與水蒸氣)所淨化的惰性氣體係接著透過引入管線133而返回到包殼組件100。氣體淨化迴路130還可包括適當的導管與連接、以及感測器，例如：氧氣、臭氧、水蒸氣與溶劑蒸氣感測器。諸如風扇、吹風機或馬達、等等之一種氣體循環單元可被分開提供或整合，例如：在氣體淨化系統134之中，以使氣體循環通過氣體淨化迴路130。根據一種封閉式鍍膜系統的種種實施例，雖然溶劑移除系統132與氣體淨化系統134係在圖5的示意圖被顯示為分開的單元，溶劑移除系統132與氣體淨化系統134可被容納在一起而作為單一個淨化單元。
圖5之氣體淨化迴路130可具有置放在氣體淨化系統134之上游的溶劑移除系統132，使得從包殼組件100所循環的惰性氣體是經由引出管線131而通過溶劑移除系統132。根據種種實施例，溶劑移除系統132可為一種溶劑捕獲系統，基於吸收自其通過圖5之溶劑移除系統132的一種惰性氣體的溶劑蒸氣。舉例而非限制來說，諸如活性炭、分子篩、等等之一種吸附劑的一層或多層可有效移除種種不同的有機溶劑蒸氣。對於一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，冷式捕獲技術可被運用以移除在溶劑移除系統132之中的溶劑蒸氣。如本文先前所論述，對於根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，諸如氧氣、臭氧、水蒸氣、與溶劑蒸氣感測器之感測器可被使用以監測來自其連續循環通過一種封閉式鍍膜系統(諸如：圖5之封閉式鍍膜系統500)的惰性氣體的物種。一種溶劑移除系統的種種實施例可指出諸如活性炭、分子篩、等等之吸附劑何時為已經達到容量，使得吸附劑層可被再生或替換。一種分子篩之再生可涉及加熱該分子篩、將該分子篩和一種形成氣體接觸、其組合、等等。經構成以捕獲其包括氧氣、臭氧、水蒸氣、與溶劑的種種物種之分子篩係可藉由加熱以及暴露於其包含氫氣的一種形成氣體所再生，舉例來說，一種形成氣體包含大約96%的氮氣與4%的氫氣，其中該等百分比是按照體積或按照重量。活性炭的實際再生可使用在一種惰性環境下的加熱之一個類似程序而作成。
任何適合的氣體淨化系統可被用於圖5之氣體淨化迴路130的氣體淨化系統134。可購自例如美國新罕布夏州史塔森(Statham)的MBRAUN公司或美國麻薩諸塞州阿美斯伯利(Amesbury)的創新技術公司之氣體淨化系統可為有用以供整合到根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例。氣體淨化系統134可被用以淨化在封閉式鍍膜系統500之中的一種或多種惰性氣體，舉例來說，用以淨化在一種封閉式鍍膜系統之內的整個氣體環境。如本文所先前論述，為了使氣體循環通過氣體淨化迴路130，氣體淨化系統134可具有一個氣體循環單元，諸如：風扇、吹風機或馬達、等等。就該點而言，一種氣體淨化系統可取決於該包殼的容積而作選擇，該包殼的容積可定義用於將惰性氣體移動通過一種氣體淨化系統的一個容積流量率。對於具有高達大約4 m3 的容積之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，可移動大約84 m3 /h之一種氣體淨化系統可被使用。對於具有高達大約10 m3 的容積之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，可移動大約155 m3 /h之一種氣體淨化系統可被使用。對於具有在大約52-114 m3 之間的容積之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，超過一個氣體淨化系統可被使用。
任何適合的氣體過濾器或淨化裝置可被包括在本教示內容之氣體淨化系統134。在一些實施例中，一種氣體淨化系統可包含二個並聯的淨化裝置，俾使該等裝置的一者可經採取為離線以供維修且另一個裝置可被使用在沒有中斷的情況下而繼續系統操作。在一些實施例中，舉例來說，氣體淨化系統可包含一個或多個分子篩。在一些實施例中，氣體淨化系統可包含至少一個第一分子篩、以及一個第二分子篩，俾使當該等分子篩的一者成為充滿了雜質或者被視為不夠有效率操作時，該系統可在使該已充滿或無效率的分子篩為再生之同時而切換到另一個分子篩。一個控制單元可被提供以用於確定各個分子篩的操作效率、用於切換在不同分子篩的操作之間、用於使一個或多個分子篩再生、或用於其組合。如本文先前所論述，分子篩可能被再生且重新使用。
圖5之熱調節系統140可包括至少一個冷卻器142，其可具有用於使一種冷卻劑循環到一種封閉式鍍膜系統中的流體引出管線141、以及用於將該冷卻劑返回到該冷卻器的流體引入管線143。至少一個流體冷卻器142可被提供以冷卻在封閉式鍍膜系統500之內的氣體環境。對於根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，流體冷卻器142將經冷卻後的流體傳送到在該包殼內的熱交換器，其中，惰性氣體是透過一種過濾系統而通過到該包殼內部。至少一個流體冷卻器亦可被提供給封閉式鍍膜系統500以使自其封閉在封閉式鍍膜系統500之內的一種設備所釋放的熱度冷卻。舉例而非限制來說，至少一個流體冷卻器亦可被提供給封閉式鍍膜系統500以使自一種封閉式鍍膜系統所釋放的熱度冷卻。熱調節系統140可包含熱交換或帕耳帖(Peltier)裝置且可具有種種的冷卻容量。舉例來說，對於一種封閉式鍍膜系統的種種實施例而言，一種冷卻器可提供在大約2 kW到大約20 kW之間的冷卻容量。一種封閉式鍍膜系統的種種實施例可具有複數個流體冷卻器，其可使一個或多個流體變冷。在一些實施例中，該等流體冷卻器可利用若干種流體來作為冷卻劑，例如而不受限於：水、防凍劑、冷凍劑、以及其的一種組合，作為一種熱交換流體。適當的無漏、閉鎖式連接可被使用在連接相關聯的導管與系統構件。
儘管本揭露內容的實施例已經顯示及描述在此，對於熟習此技藝人士而言將為顯明的是，此等實施例僅作為舉例而提出。根據本教示內容之一種封閉式鍍膜系統的實施例可對於在廣泛技術領域中的種種設備與裝置之製造中的基板的圖案化區域鍍膜為有用，例如而不受限於：OLED顯示器、OLED照明、有機光電伏打、鈣鈦礦太陽能電池、以及有機半導體電路。諸多變化、更改、與替代將在未脫離本揭露內容的情況下而為熟習此技藝人士所思及。預期的是，以下申請專利範圍係界定本揭露內容的範疇，且在此等申請專利範圍與其等效者之範疇內的方法與結構因此被涵蓋。
50‧‧‧圖案化鍍膜區域或沉積區域
100‧‧‧包殼組件
100-S1‧‧‧第一包殼容積
100-S2‧‧‧第二包殼容積
130‧‧‧氣體淨化迴路
131‧‧‧引出管線
132‧‧‧溶劑移除系統
133‧‧‧引入管線
134‧‧‧氣體淨化系統
140‧‧‧熱調節系統
141‧‧‧流體引出管線
142‧‧‧冷卻器
143‧‧‧流體引入管線
300‧‧‧加壓惰性氣體再循環系統
500‧‧‧封閉式鍍膜系統
1000‧‧‧包殼組件
1200'‧‧‧前面板組件
1220'‧‧‧前底座面板組件
1240'‧‧‧前壁部面板組件
1242'‧‧‧開口
1260'‧‧‧前頂板面板組件
1300'‧‧‧中間面板組件
1320'‧‧‧中間底座面板組件
1330'‧‧‧輔助包殼
1340'‧‧‧第一中間包殼面板組件
1360'‧‧‧中間壁部和頂板面板組件
1370'‧‧‧輔助包殼
1380'‧‧‧第二中間包殼面板組件
1400'‧‧‧後面板組件
1420'‧‧‧後底座面板組件
1440'‧‧‧後壁部面板組件
1460'‧‧‧後頂板面板組件
2000‧‧‧鍍膜設備
2050‧‧‧基板
2100‧‧‧鍍膜設備底座
2110‧‧‧第一隔離器組
2112‧‧‧第二隔離器組
2120‧‧‧第一豎板
2122‧‧‧第二豎板
2130‧‧‧橋接件
2200‧‧‧基板浮動台
2220‧‧‧基板浮動台底座
2301‧‧‧第一X軸托架組件
2302‧‧‧第二X軸托架組件
2351‧‧‧第一Y軸軌道
2352‧‧‧第二Y軸軌道
2701‧‧‧第一維修系統
2702‧‧‧第二維修系統
2707、2709、2711‧‧‧維修模組(設備)
2800‧‧‧狹縫模具鍍膜組件
2801‧‧‧第一側
2802‧‧‧第二側
2805‧‧‧狹縫模具
2810‧‧‧第一唇部
2812‧‧‧第二唇部
2814‧‧‧狹縫模具間隙出口
2820‧‧‧位置感測器
3000‧‧‧封閉式的環境控制鍍膜系統
3100‧‧‧輸入或輸出模組
3200A‧‧‧第一處理模組
3200B‧‧‧第二處理模組
3400‧‧‧轉移模組
3410‧‧‧機械手臂
3500A‧‧‧第一鍍膜模組
3500B‧‧‧第二鍍膜模組
4000‧‧‧方法
4100-4700‧‧‧步驟
本揭露內容的特點與優點之較佳瞭解將參考伴隨圖式而得到，該等伴隨圖式是意欲來說明而非限制本教示內容。 圖1係用於根據本教示內容的種種實施例之一種鍍膜系統的一個包殼組件的前視立體圖。 圖2A係描繪如同在圖1所描繪的一個包殼中之一種封閉式鍍膜系統的種種實施例的分解圖。 圖2B係描繪在圖2A所描繪的鍍膜系統的展開正立體圖。 圖2C係在圖2B所指示的一種狹縫模具鍍膜設備的展開立體圖。 圖2D係其裝配以將圖案化區域鍍膜提供在一個基板上之一種狹縫模具鍍膜設備的示意圖。 圖3A係概括說明諸如包括一個鍍膜模組與其他模組之一種系統的至少一部分的等角視圖。 圖3B係說明在圖3A所概括顯示之系統的平面圖。 圖4係說明一種技術，諸如一種方法，其可包括將一個有機薄膜鍍膜在一個基板上。 圖5係本教示內容之一種封閉式鍍膜系統與相關系統構件的種種實施例的示意圖。

Claims (1)

  1. 一種用於將鍍膜提供在基板上的方法，其包含： 將一基板收納在一有機薄膜鍍膜系統的一轉移模組中； 將該基板轉移到一封閉式鍍膜模組，該封閉式鍍膜模組被裝配以將一圖案化的有機材料層沉積在該基板上所製造之一電子裝置的至少一部分之上的一沉積區域中； 使用一基板支撐設備以將該基板均勻支撐在該封閉式鍍膜模組中，該基板支撐設備建立一氣墊在該基板與該基板支撐設備之間； 當用該基板支撐設備來均勻支撐該基板時，使用該封閉式鍍膜模組以將一有機材料鍍膜在該基板的沉積區域之上； 將該基板從該封閉式鍍膜模組轉移到該轉移模組； 將該基板從該轉移模組轉移到一封閉式固化模組；且 處理在該封閉式固化模組中的該基板上的沉積有機材料以將一有機膜層提供在該基板的沉積區域中。
TW107139475A 2014-11-26 2015-11-26 環境控制鍍膜系統 TWI670388B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462085211P 2014-11-26 2014-11-26
US62/085,211 2014-11-26
PCT/US2015/062777 WO2016086192A1 (en) 2014-11-26 2015-11-25 Environmentally controlled coating systems
??PCT/US15/62777 2015-11-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201907042A true TW201907042A (zh) 2019-02-16
TWI670388B TWI670388B (zh) 2019-09-01

Family

ID=56075060

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104139387A TWI645063B (zh) 2014-11-26 2015-11-26 環境控制鍍膜系統
TW107139475A TWI670388B (zh) 2014-11-26 2015-11-26 環境控制鍍膜系統

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104139387A TWI645063B (zh) 2014-11-26 2015-11-26 環境控制鍍膜系統

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10262881B2 (zh)
EP (1) EP3224396B1 (zh)
JP (2) JP6570147B2 (zh)
KR (2) KR102068882B1 (zh)
CN (2) CN107075767B (zh)
TW (2) TWI645063B (zh)
WO (1) WO2016086192A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230165387A (ko) * 2015-07-31 2023-12-05 카티바, 인크. 잉크 전달 시스템 및 방법
JP6382781B2 (ja) * 2015-09-15 2018-08-29 株式会社東芝 半導体素子の製造方法および製造装置
KR20240042070A (ko) * 2021-08-10 2024-04-01 카티바, 인크. 기판 위치 설정 기능을 구비한 기판 준비 챔버
KR102346975B1 (ko) * 2021-10-18 2022-01-05 에이치비솔루션㈜ 박형의 디스플레이 패널 이송 및 코팅 장치
KR20240041612A (ko) * 2022-09-23 2024-04-01 주식회사 플롯퍼실리티스 병렬구조 무중단 칠러 시스템

Family Cites Families (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3216858A (en) 1963-04-26 1965-11-09 Cons Edison Co New York Inc Method of purging gas-conduit tubing in gas-filled electric cables
US3498343A (en) 1966-12-13 1970-03-03 Lawrence R Sperberg Apparatus for inflating pneumatic tires with an inert gas
US3670466A (en) 1970-08-03 1972-06-20 Metal Products Corp Insulated panel
US3885362A (en) 1973-04-19 1975-05-27 Gordon J Pollock Modular noise abatement enclosure and joint seal
US4226897A (en) 1977-12-05 1980-10-07 Plasma Physics Corporation Method of forming semiconducting materials and barriers
US4581478A (en) 1982-04-07 1986-04-08 Pugh Paul F Gas pressurized cable and conduit system
JPS6172947A (ja) 1984-09-18 1986-04-15 Takasago Thermal Eng Co Ltd クリ−ンル−ムの形成法およびこの方法に使用する空気調和設備ユニツト
US4721121A (en) 1984-11-16 1988-01-26 Adams Charles R Combination pressing comb dryer and blow dryer
JPS6298783A (ja) 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド
US4676144A (en) 1985-12-30 1987-06-30 Smithkline Beckman Corporation Clean room system
US5065169A (en) 1988-03-21 1991-11-12 Hewlett-Packard Company Device to assure paper flatness and pen-to-paper spacing during printing
US5029518A (en) 1989-10-16 1991-07-09 Clean Air Technology, Inc. Modular clean room structure
KR960007979B1 (ko) 1991-04-17 1996-06-17 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 클리인공간시스템
US5314377A (en) 1992-10-05 1994-05-24 Airo Clean Inc. Clean air isolation enclosure
US5896154A (en) 1993-04-16 1999-04-20 Hitachi Koki Co., Ltd. Ink jet printer
US5344365A (en) 1993-09-14 1994-09-06 Sematech, Inc. Integrated building and conveying structure for manufacturing under ultraclean conditions
US5651625A (en) 1995-04-10 1997-07-29 Security Operating Systems, Inc. Printer enclosure and controller unit
WO1997026999A1 (en) * 1996-01-22 1997-07-31 Chugai Ro Co., Ltd. Method of and apparatus for applying coating liquid to base plate by die coater and apparatus for supplying coating liquid to die coater
US6325853B1 (en) * 1996-07-19 2001-12-04 Nordson Corporation Apparatus for applying a liquid coating with an improved spray nozzle
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
JPH11312640A (ja) 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
US6089282A (en) 1998-05-08 2000-07-18 Aeronex, Inc. Method for recovery and reuse of gas
US6023899A (en) 1998-11-03 2000-02-15 Climatecraft Technologies, Inc. Wall panel assembly with airtight joint
US6180049B1 (en) * 1999-06-28 2001-01-30 Nanotek Instruments, Inc. Layer manufacturing using focused chemical vapor deposition
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP2001107272A (ja) 1999-10-08 2001-04-17 Hitachi Ltd 試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法
US6375304B1 (en) 2000-02-17 2002-04-23 Lexmark International, Inc. Maintenance mist control
JP2001298068A (ja) 2000-04-18 2001-10-26 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 局所清浄化法及び局所清浄化加工処理装置
US6604810B1 (en) 2000-05-23 2003-08-12 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead capping arrangement
US6663219B2 (en) 2000-06-01 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Inkjet recording apparatus
CN2444165Y (zh) * 2000-08-15 2001-08-22 顾建军 一种浴用取暖器
US6755519B2 (en) 2000-08-30 2004-06-29 Creo Inc. Method for imaging with UV curable inks
JP2002093878A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US7032324B2 (en) * 2000-09-24 2006-04-25 3M Innovative Properties Company Coating process and apparatus
US6781684B1 (en) 2000-11-07 2004-08-24 Donald L. Ekhoff Workpiece levitation using alternating positive and negative pressure flows
JP3939101B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003017543A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2004-04-02 Gemplus Card Int Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
US6644149B2 (en) 2001-09-17 2003-11-11 Newfrey Llc Extraction tool for tanged helically coiled inserts with improved removability
TW529317B (en) 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US6733734B2 (en) 2001-10-31 2004-05-11 Matheson Tri-Gas Materials and methods for the purification of hydride gases
JP3868280B2 (ja) 2001-12-04 2007-01-17 株式会社美和製作所 有機電界発光素子の製造装置
JP4166465B2 (ja) * 2001-12-14 2008-10-15 三菱化学株式会社 塗布装置、塗布方法、および塗布基板の製造方法
TWI222423B (en) 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
US6582875B1 (en) 2002-01-23 2003-06-24 Eastman Kodak Company Using a multichannel linear laser light beam in making OLED devices by thermal transfer
JP4066661B2 (ja) 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造装置および液滴吐出装置
JP3925257B2 (ja) 2002-03-15 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ｐｄｐ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP3979135B2 (ja) 2002-03-20 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ｅｌ装置
US7073442B2 (en) 2002-07-03 2006-07-11 Afbs, Inc. Apparatus, systems and methods for use in three-dimensional printing
US20040050325A1 (en) 2002-09-12 2004-03-18 Samoilov Arkadii V. Apparatus and method for delivering process gas to a substrate processing system
JP4440523B2 (ja) 2002-09-19 2010-03-24 大日本印刷株式会社 インクジェット法による有機ｅｌ表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置
SE523667C2 (sv) 2002-09-20 2004-05-11 Alstom Switzerland Ltd Förfarande och anordning för avskiljning av gasformiga föroreningar från varma gaser medelst partikelformigt absorbentmaterial samt blandare för befuktning av absorbentmaterialet
JP2004146369A (ja) 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US7067170B2 (en) 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
GB0222360D0 (en) 2002-09-26 2002-11-06 Printable Field Emitters Ltd Creating layers in thin-film structures
US6867063B1 (en) * 2002-09-30 2005-03-15 Advanced Micro Devices, Inc. Organic spin-on anti-reflective coating over inorganic anti-reflective coating
TW555652B (en) 2002-10-25 2003-10-01 Ritdisplay Corp Ink jet printing device and method
JP4313026B2 (ja) * 2002-11-08 2009-08-12 株式会社ヒラノテクシード 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機ｅｌパネルの製造装置及び製造方法
JP4378950B2 (ja) 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP2004253332A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toshiba Corp 塗布用基板、インク塗布システム及びその塗布方法並びにそれを用いたデバイス製造装置
JP2004291456A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置用チューブ、液滴吐出装置
JP3988676B2 (ja) * 2003-05-01 2007-10-10 セイコーエプソン株式会社 塗布装置、薄膜の形成方法、薄膜形成装置及び半導体装置の製造方法
JP4407164B2 (ja) 2003-06-03 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置およびこれを備えたワーク処理設備
US7077019B2 (en) 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
US8123862B2 (en) 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP2005074299A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Seiko Epson Corp ドラフトチャンバ、ヘッド洗浄設備、ヘッド保管設備および液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
KR101035850B1 (ko) 2003-11-17 2011-05-19 삼성전자주식회사 박막 형성용 프린팅 설비
TWI225008B (en) 2003-12-31 2004-12-11 Ritdisplay Corp Ink-jet printing apparatus
JP2005218899A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Toshiba Corp 塗布装置及びこれを備えた表示装置製造装置
US20080241587A1 (en) 2004-03-29 2008-10-02 Tadahiro Ohmi Film-Forming Apparatus And Film-Forming Method
US7585371B2 (en) 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
US7354845B2 (en) 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
JP2006002972A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd クリーンルーム、局所クリーン化システム、その使用方法及びクリーンルームセキュリティシステム
TWI250559B (en) 2004-07-09 2006-03-01 Innolux Display Corp Coating apparatus and coating method using the same
US7419532B2 (en) * 2004-10-05 2008-09-02 Caterpillar Inc. Deposition system and method
US7908885B2 (en) 2004-11-08 2011-03-22 New Way Machine Components, Inc. Non-contact porous air bearing and glass flattening device
KR20060044265A (ko) 2004-11-11 2006-05-16 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조장치
US7288469B2 (en) 2004-12-03 2007-10-30 Eastman Kodak Company Methods and apparatuses for forming an article
US7910166B2 (en) 2005-04-26 2011-03-22 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US20060273713A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
US20070021050A1 (en) 2005-06-16 2007-01-25 Kennedy Michael A System for providing and managing a laminar flow of clean air
US7522258B2 (en) 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
US20070026151A1 (en) * 2005-07-13 2007-02-01 Higginson John A Fluid Deposition Cluster Tool
CN101243543A (zh) 2005-07-13 2008-08-13 富士胶片迪麦提克斯公司 流体沉积组合设备工具
US7908993B2 (en) 2005-08-24 2011-03-22 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus, film forming method and method for manufacturing piezoelectric actuator
KR100729089B1 (ko) 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
JP4396607B2 (ja) 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
KR100710482B1 (ko) 2005-10-18 2007-04-24 두산디앤디 주식회사 Ｒｇｂ 패턴 형성용 질소 인클루저 및 질소가스 회수방법
WO2007066524A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Konica Minolta Opto, Inc. 製造方法、搬送装置及びハードコート層を有する機能性フィルムと反射防止層を有する機能性フィルム
JP4926530B2 (ja) 2006-04-27 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 シール部材、減圧容器、減圧処理装置、減圧容器のシール機構、および減圧容器の製造方法
JP2008047340A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2082075B1 (en) * 2006-09-08 2017-05-17 Massachusetts Institute of Technology Automated layer by layer spray technology
US7524226B2 (en) 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
WO2008069259A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
US20080206036A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US20080259101A1 (en) 2007-03-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for minimizing the number of print passes in flat panel display manufacturing
EP1998389B1 (en) * 2007-05-31 2018-01-31 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate
CN101743125B (zh) 2007-06-14 2013-07-03 麻省理工学院 用于在衬底上沉积墨的***和方法
US7966743B2 (en) 2007-07-31 2011-06-28 Eastman Kodak Company Micro-structured drying for inkjet printers
JP4400656B2 (ja) 2007-08-02 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP4561795B2 (ja) 2007-08-30 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 吸引装置およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法
US8398770B2 (en) 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8182608B2 (en) 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
JP2009112889A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Nakan Corp 液状原料塗工装置、液状原料塗工方法、およびそれを用いた基体
EP2075850A3 (en) * 2007-12-28 2011-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
KR20110011695A (ko) * 2008-05-19 2011-02-08 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 박층을 용액 코팅하는 장치 및 방법
US10434804B2 (en) * 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US8899171B2 (en) * 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) * 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
JP2010134315A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Seiko Epson Corp 液状体吐出装置
US20120056923A1 (en) 2009-01-05 2012-03-08 Kateeva, Inc. Control systems and methods for thermal-jet printing
EP2444165B1 (en) * 2009-06-18 2016-10-19 Konica Minolta Holdings, Inc. Coating method
CN201446232U (zh) 2009-07-10 2010-05-05 西北工业大学 一种封闭循环净化惰性气氛控制装置
US20110043582A1 (en) 2009-08-21 2011-02-24 Silverbrook Research Pty Ltd Continuous web printer with automated web threading mechanism
GB0914856D0 (en) 2009-08-25 2009-09-30 Ark Therapeutics Ltd Compounds
JP5462558B2 (ja) * 2009-09-08 2014-04-02 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US8453329B2 (en) 2009-10-22 2013-06-04 Zamtec Ltd Method of fabricating inkjet printhead having low-loss contact for thermal actuators
JP5492289B2 (ja) 2010-03-26 2014-05-14 シャープ株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2011225355A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd エア浮上ユニット、ステージ装置、検査システム、露光システム及び塗布システム
JP5062339B2 (ja) 2010-05-12 2012-10-31 パナソニック株式会社 インクジェット装置
UY33403A (es) 2010-06-17 2011-12-30 Novartis Ag Compuestos orgánicos con novedosas isoxazolinas, sus n-óxidos, s-óxidos y sales
US20110318503A1 (en) 2010-06-29 2011-12-29 Christian Adams Plasma enhanced materials deposition system
US20130149502A1 (en) * 2010-08-26 2013-06-13 3M Innovative Properties Company Double-Sided Multi-Layer Adhesive
US8771793B2 (en) * 2011-04-15 2014-07-08 Roche Diagnostics Operations, Inc. Vacuum assisted slot die coating techniques
WO2012172919A1 (ja) * 2011-06-14 2012-12-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8414688B1 (en) 2011-06-15 2013-04-09 Kla-Tencor Corporation Recirculation high purity system for protecting optical modules or inspection system during storage, transport and shipping
US20130004656A1 (en) 2011-07-01 2013-01-03 Kateeva, Inc. Apparatus and method to separate carrier liquid vapor from ink
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
WO2013023099A1 (en) 2011-08-09 2013-02-14 Kateeva, Inc. Face-down printing apparatus and method
KR20240036145A (ko) * 2011-12-22 2024-03-19 카티바, 인크. 가스 엔클로저 시스템
CN106274054B (zh) * 2011-12-22 2018-04-17 科迪华公司 气体封闭***
WO2014127125A1 (en) * 2013-02-18 2014-08-21 Kateeva, Inc. Quality assessment of oled stack films
KR102267858B1 (ko) 2013-03-13 2021-06-22 카티바, 인크. 가스 인클로저 시스템 및 보조 인클로저를 이용하는 방법
WO2015070356A1 (en) * 2013-11-14 2015-05-21 Oerlikon Advanced Technologies Ag Apparatus and process for annealing of anti-fingerprint coatings
EP3787016B1 (en) * 2013-12-26 2023-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices
US10280680B2 (en) * 2013-12-31 2019-05-07 Guardian Glass, LLC Vacuum insulating glass (VIG) unit with pump-out port sealed using metal solder seal, and/or method of making the same
KR102307190B1 (ko) * 2014-01-21 2021-09-30 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
CN106489212B (zh) 2014-07-18 2019-07-12 科迪华公司 利用多区域循环及过滤的气体封闭***和方法
WO2016014690A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Kateeva, Inc. Organic thin film ink compositions and methods

Also Published As

Publication number Publication date
EP3224396B1 (en) 2022-09-28
JP2018503500A (ja) 2018-02-08
WO2016086192A1 (en) 2016-06-02
CN107075767A (zh) 2017-08-18
JP6570147B2 (ja) 2019-09-04
KR20170091581A (ko) 2017-08-09
EP3224396A1 (en) 2017-10-04
TWI645063B (zh) 2018-12-21
CN114273154B (zh) 2023-05-23
US10262881B2 (en) 2019-04-16
EP3224396A4 (en) 2018-10-31
TW201627523A (zh) 2016-08-01
TWI670388B (zh) 2019-09-01
JP2019069451A (ja) 2019-05-09
CN114273154A (zh) 2022-04-05
KR102068882B1 (ko) 2020-01-21
US20190019695A1 (en) 2019-01-17
US20170221729A1 (en) 2017-08-03
KR20200008041A (ko) 2020-01-22
CN107075767B (zh) 2021-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7018215B2 (ja) 電子デバイスの熱処理のための装置および技法
US11338319B2 (en) Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
TWI670388B (zh) 環境控制鍍膜系統
US10355208B2 (en) Printing system assemblies and methods
US20190280204A1 (en) Printing System Assemblies and Methods
TW202027315A (zh) 低粒氣體封裝系統與方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees