TW201840348A - 中子捕獲治療系統及中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種在高強度的中子場中亦能夠高精度地檢測伽瑪射線之中子捕獲治療系統及中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器。中子捕獲治療系統(1)具備：中子束生成部(10)；載置患者(H)(被照射體)之被照射體載置部(20)；及檢測從患者(H)(被照射體)放出之伽瑪射線(G)之伽瑪射線檢測部(30)，伽瑪射線檢測部(30)具有：放出部(31)，藉由入射伽瑪射線(G)而放出光或電子；放大部(32)，放大從放出部(31)放出之光或電子而輸出；第1中子束屏蔽部(33)，由含有鋰6(⁶Li)之物質形成；及第2中子束屏蔽部(34)，由輕元素形成，第1中子束屏蔽部(33)設置成至少覆蓋放出部(31)的面當中的與放大部(32)的相鄰面(31a)相反的一側的面。

Description

中子捕獲治療系統及中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器

本申請主張基於2017年3月29日申請之日本專利申請第2017-066025號的優先權。該申請的所有內容藉由參閱援用於本說明書中。 　　本發明係關於一種中子捕獲治療系統及中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器。

作為癌症治療等中的放射線治療之一，具有藉由中子束的照射進行癌症治療之硼中子捕獲治療(BNCT：Boron Neutron Capture Therapy)。硼中子捕獲治療中，將中子束照射到被投與含有硼之藥劑之患者的患部，並使硼與中子的反應在癌細胞中產生而破壞癌細胞。 　　這種硼中子捕獲治療中，期望即時測量患者體內的硼濃度。專利文獻1中記載有中子捕獲治療裝置，該中子捕獲治療裝置具備檢測伴隨中子束與硼的反應而產生之伽瑪射線之伽瑪射線檢測器，能夠從與藉由伽瑪射線檢測部檢測之伽瑪射線有關之資訊算出患者體內的硼濃度。 (先前技術文獻) (專利文獻) 　　專利文獻1：日本特開2016-159107

(發明所欲解決之問題) 　　由於中子捕獲治療的治療環境為高強度的中子場，伽瑪射線檢測器容易劣化。因此，存在伽瑪射線的檢測精度降低之虞。因此，要求甚至在高強度的中子場中亦能夠高精度地檢測伽瑪射線。 　　本發明係為了解決這種問題而完成者，其目的在於提供一種在高強度的中子場中亦能夠高精度地檢測伽瑪射線之中子捕獲治療系統及中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器。 (解決問題之技術手段) 　　本發明的一形態之中子捕獲治療系統，係具備：中子束生成部，產生中子束；被照射體載置部，載置待照射中子束之被照射體；及伽瑪射線檢測部，藉由照射中子束來檢測從被照射體放出之伽瑪射線，伽瑪射線檢測部具有：放出部，藉由入射伽瑪射線而放出光或電子；放大部，設置成與放出部相鄰，並放大從放出部放出之光或電子而輸出；第1中子束屏蔽部，由含有鋰6(⁶ Li)之物質形成；及第2中子束屏蔽部，設置於比第1中子束屏蔽部更靠外側，並由輕元素形成，第1中子束屏蔽部設置成至少覆蓋放出部的面當中的與放大部的相鄰面相反的一側的面。 　　該中子捕獲治療系統中，伽瑪射線檢測部具有：由含有鋰6(⁶ Li)之物質形成之第1中子束屏蔽部；及設置於比第1中子束屏蔽部更靠外側，並由輕元素形成之第2中子束屏蔽部。向伽瑪射線檢測部的放出部入射之中子束藉由第1中子束屏蔽部及第2中子束屏蔽部來屏蔽，因此能夠抑制放出部的劣化。又，鋰6(⁶ Li)與輕元素相比，屏蔽中子束之功能高，因此能夠確實地屏蔽向放出部入射之中子束。藉此，在高強度的中子場中亦能夠抑制放出部的劣化，並能夠高精度地檢測伽瑪射線。 　　一形態之中子捕獲治療系統中，伽瑪射線檢測部可以進一步具有設置於第1中子束屏蔽部與第2中子束屏蔽部之間之伽瑪射線屏蔽部。依該結構，能夠抑制伽瑪射線從放出部中的與放大部的相鄰面相反的一側的面以外的面向放出部入射。 　　一形態之中子捕獲治療系統中，第1中子束屏蔽部亦可以設置成覆蓋放出部的面當中的相鄰面以外的面。依該結構，能夠更確實地屏蔽向放出部入射之中子束。 　　一形態之中子捕獲治療系統中，覆蓋相反的一側的面之第1中子束屏蔽部的厚度亦可以大於覆蓋放出部的其他面之第1中子束屏蔽部的厚度。和向與相鄰面相反的一側的面入射之中子束量相比，向其他面入射之中子束量少。因此，使覆蓋中子束的入射量少之放出部的面之第1中子束屏蔽部的厚度相對變小，從而能夠減少高價的鋰6(⁶ Li)的使用量。 　　本發明的一形態之中子束捕獲治療用伽瑪射線檢測器係具備：放出部，藉由入射伽瑪射線放出光或電子；放大部，設置成與放出部相鄰，並放大從放出部放出之光或電子而輸出；第1中子束屏蔽部，由含有鋰6(⁶ Li)之物質形成；及第2中子束屏蔽部，設置於比第1中子束屏蔽部更靠外側，並由輕元素形成，第1中子束屏蔽部設置成至少覆蓋放出部的面當中的與放大部的相鄰面相反的一側的面。 　　該中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器係具備：第1中子束屏蔽部，由含有鋰6(⁶ Li)之物質形成；及第2中子束屏蔽部，設置於比第1中子束屏蔽部更靠外側，並由輕元素形成。向伽瑪射線檢測部的放出部入射之中子束藉由第1中子束屏蔽部及第2中子束屏蔽部來屏蔽，因此能夠抑制放出部的劣化。又，鋰6(⁶ Li)與輕元素相比，屏蔽中子束之功能高，因此能夠確實地屏蔽向放出部入射之中子束。藉此，在高強度的中子場中亦能夠抑制放出部的劣化，並能夠高精度地檢測伽瑪射線。 (發明之效果) 　　依本發明，能夠提供一種在高強度的中子場中亦能夠高精度地檢測伽瑪射線之中子捕獲治療系統及中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器。

以下，參閱圖式對各種實施形態進行詳細說明。另外，各圖式中對相同或相應的部分附加相同的元件符號，並省略重複之說明。 　　圖1係概略地表示本發明的一實施形態之中子捕獲治療系統之圖。圖1所示之中子捕獲治療系統1係進行使用了硼中子捕獲治療(BNCT：Boron Neutron Capture Therapy)之癌症治療之裝置。中子捕獲治療系統1中，例如將中子束N照射到被投與含有硼(¹⁰ B)之藥劑之患者(被照射體)H的腫瘤。 　　中子捕獲治療系統1具備：產生中子束之中子束生成部10；載置待照射中子束之患者H之被照射體載置部20；及檢測從患者H放出之伽瑪射線G之伽瑪射線檢測部30。 　　中子束生成部10具有加速器11、負離子源12、射束傳輸部13及中子束照射部14。加速器11對藉由負離子源12生成之負離子(亦稱為陰離子)進行加速而生成帶電粒子束P。加速器11例如為迴旋加速器。加速器11例如具有生成射束半徑為40mm、60kW(=30MeV×2mA)的帶電粒子束P之能力。另外，加速器11不限定於迴旋加速器，例如可以是同步加速器、同步迴旋加速器、直線加速器等。又，中子束生成部可以是原子爐。 　　從加速器11射出之帶電粒子束P導入到射束傳輸部13。射束傳輸部13具有射束路徑13A、四極電磁鐵13B、電流監測器13C及掃描電磁鐵13D。加速器11與射束路徑13A的一端側連接，中子束照射部14與射束路徑13A的另一端側連接。帶電粒子束P通過射束路徑13A內而朝向中子束照射部14行進。 　　四極電磁鐵13B沿著射束路徑13A設置有複數個，使用電磁鐵進行帶電粒子束P的射束軸調整。電流監測器13C即時檢測帶電粒子束P的電流值(電荷、照射劑量率)。電流監測器13C是例如使用不會對帶電粒子束P帶來影響而能夠測量電流之非破壞型DCCT(DC Current Transformer，直流變流器)。亦即，電流監測器13C能夠不與帶電粒子束P接觸(非接觸)地檢測帶電粒子束P的電流值。電流監測器13C向後述控制部40輸出檢測結果。另外，“劑量率”係指每單位時間的劑量。 　　具體而言，為了高精度地檢測照射到中子束照射部14的靶14A之帶電粒子束P的電流值，電流監測器13C應排除四極電磁鐵13B所致之影響，而在比四極電磁鐵13B更靠下游側(帶電粒子束P的下游側)設置於掃描電磁鐵13D的正前方。亦即，掃描電磁鐵13D以不會始終對靶14A的相同的部位照射帶電粒子束P的方式進行掃描，因此當將電流監測器13C配設於比掃描電磁鐵13D更靠下游側時需要大型電流監測器13C。相對於此，藉由將電流監測器13C設置於比掃描電磁鐵13D更靠上游側，能夠使電流監測器13C小型化。 　　掃描電磁鐵13D係掃描帶電粒子束P而進行對靶14A的帶電粒子束P的照射控制者。該掃描電磁鐵13D控制對靶14A的帶電粒子束P的照射位置。 　　中子束照射部14藉由帶電粒子束P照射到靶14A而產生中子束N，並朝向患者H射出中子束N。中子束照射部14具備靶14A、減速構件14B、屏蔽體14C及準直器14D。 　　靶14A受到帶電粒子束P的照射而生成中子束N。在此的靶14A例如藉由鈹(Be)、鋰(Li)、鉭(Ta)或鎢(W)等形成，例如呈直徑160mm的圓板狀。另外，靶14A不限定於圓板狀，可以是其他固體形狀，亦可以使用液狀的板(液體金屬)。 　　減速構件14B係使在靶14A中生成之中子束N減速，並降低中子束N的能量者。減速構件14B具有層疊結構，該層疊結構包括：第1減速構件14B₁ ，主要使中子束N所含之快中子束減速；及第2減速構件14B₂ ，主要使中子束N所含之超熱中子束減速。 　　屏蔽體14C對所產生之中子束N、隨著中子束N的產生而在靶14A中產生之伽瑪射線G等的二次放射線、及中子束N藉由減速構件14B減速時在減速構件14B中所產生之伽瑪射線G等的二次放射線進行屏蔽，抑制該些放射線放出到患者H側。屏蔽體14C以包圍減速構件14B的方式設置。 　　準直器14D係對中子束N的輻射場進行整形者，具有中子束N通過之開口14a。準直器14D係例如在中央具有開口14a之塊狀構件。 　　被照射體載置部20構成為能夠調整患者H的高度及位置等，使從準直器14D的開口14a射出之中子束N照射到患者H的腫瘤。中子捕獲治療系統1具備例如用於將中子束N照射到患者H之照射室，被照射體載置部20可以配置於照射室。照射室亦可以被抑制從室外侵入到室內的放射線及從室內放出到室外的放射線之屏蔽壁包圍。 　　伽瑪射線檢測部30係用於即時測量照射中子束N時的患者H體內的硼濃度者。伽瑪射線檢測部30檢測隨著中子與硼的反應而產生之伽瑪射線G來測量硼濃度。伽瑪射線檢測部30為了檢測從患者H放出之伽瑪射線G，例如配置於患者H的腫瘤附近。對伽瑪射線檢測部30的詳細結構進行後述。 　　又，中子捕獲治療系統1具備控制部40。控制部40由CPU(Central Processing Unit，中央處理器)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等構成，係整合控制中子捕獲治療系統1之電子單元。 　　接著，參閱圖2及圖3，對伽瑪射線檢測部30進行詳細說明。圖2係概略地表示伽瑪射線檢測部之剖面圖。圖3係表示沿著圖2的III-III線之剖面之圖。 　　如圖2及圖3所示，伽瑪射線檢測部30具有放出部31、放大部32、第1中子束屏蔽部33及第2中子束屏蔽部34。又，伽瑪射線檢測部30具有設置於第1中子束屏蔽部33與第2中子束屏蔽部34之間之伽瑪射線屏蔽部35及伽瑪射線檢測用準直器36。以下，將來自患者H的伽瑪射線G不偏轉而入射之方向設為X軸方向，將上下方向設為Z軸方向，將與X軸方向及Z軸方向正交之方向設為Y軸方向。尤其，將伽瑪射線G的行進方向設為X軸正方向。 　　伽瑪射線檢測用準直器36、放出部31、及放大部32沿著X軸方向依序配置。第1中子束屏蔽部33配置成覆蓋放出部31。伽瑪射線屏蔽部35設置成覆蓋伽瑪射線檢測用準直器36、放出部31、放大部32及第1中子束屏蔽部33。第2中子束屏蔽部34設置成覆蓋伽瑪射線檢測用準直器36、放出部31、放大部32、第1中子束屏蔽部33及伽瑪射線屏蔽部35。 　　伽瑪射線檢測用準直器36上形成有沿著X軸方向貫穿之貫通孔。伽瑪射線檢測用準直器36由例如鉛等的具有屏蔽伽瑪射線G之功能之材料形成。從患者H放出之伽瑪射線G通過形成於伽瑪射線檢測用準直器36之貫通孔入射到放出部31。伽瑪射線檢測用準直器36設置於後述之放出部31的入射面31b側。 　　放出部31係藉由入射來自患者H的伽瑪射線G而放出光或電子。放出部31例如呈長方體狀，並具有：與放大部32相鄰之相鄰面31a(X軸正側的一面)、位於與相鄰面31a的相反的一側並入射來自患者H的伽瑪射線G之入射面31b(X軸負側的一面)及連接相鄰面31a和入射面31b之4個側面31c、31d、31e、31f。本實施形態中，放出部31例如為閃爍體。閃爍體係將所入射之放射線(中子束N及伽瑪射線G等)轉換成光之螢光體。閃爍體係對應於所入射之放射線的劑量使內部結晶成為激發狀態，而產生閃爍光。作為閃爍體，例如能夠使用LaBr₃ 、LaCl₃ 、CeBr、GaGG、SrI₂ 、LuAG等。另外，放出部31不一定要是閃爍體，還可以是藉由入射放射線來放出電子之半導體元件。 　　放大部32放大從放出部31放出之光或電子而輸出。放大部32設置成與放出部31接觸。更具體而言，放大部32設置於放出部31的相鄰面31a側(X軸正側)。本實施形態中，與放出部31接觸之放大部32的一面上設置有入射窗32a，放大部32放大從放出部31放出之光。作為放大部32，能夠採用：例如光電倍增管、光電管等光檢測器，或者APD、SiPM之類的半導體光檢測器。藉由放大部32放大之訊號例如被輸出到控制部40。 　　第1中子束屏蔽部33係用於控制向放出部31之中子束N之入射者。第1中子束屏蔽部33設置成至少覆蓋放出部31當中的與放大部32的相鄰面31a相反的一側的面、亦即入射面31b。本實施形態中，第1中子束屏蔽部33設置成覆蓋與放大部32的相鄰面31a以外的面(入射面31b及側面31c、31d、31e、31f)。又，為了抑制來自放大部32的入射窗32a的中子束N的入射，第1中子束屏蔽部33設置成亦覆蓋入射窗32a及放大部32的一部分。 　　本實施形態中，覆蓋放出部31的入射面31b之第1中子束屏蔽部33的厚度Tb大於覆蓋側面31c、31d、31e、31f(放出部31的其他面)之第1中子束屏蔽部33的厚度Tc、Td、Te、Tf。又，第1中子束屏蔽部33的厚度Tc、Td、Te、Tf能夠依據配置伽瑪射線檢測部30之環境而適當設定。例如，在Y軸方向的中子束N的入射較多之環境中配置伽瑪射線檢測部30時，如圖3所示，將覆蓋Y軸方向的放出部31的側面31c、31d之第1中子束屏蔽部33的厚度Tc、Td設定成大於覆蓋Z軸方向的放出部31的側面31e、31f之第1中子束屏蔽部33的厚度Te、Tf。 　　第1中子束屏蔽部33例如由含有屏蔽中子束N之功能高且中子束N的入射所致之伽瑪射線G的放出較少之鋰6(⁶ Li)之物質形成。具體而言，第1中子束屏蔽部33能夠由6氟化鋰(⁶ LiF)、⁶ Li玻璃閃爍體、⁶ LiCAF閃爍體、塗佈了⁶ LiF之塑膠閃爍體或⁶ LiF/ZnS閃爍體等的具有屏蔽中子束N之功能之物質形成。鋰6(⁶ Li)的含量係11%～24%以上為較佳。第1中子束屏蔽部33由含有6氟化鋰(⁶ LiF)之物質形成時，覆蓋放出部31的入射面31b之第1中子束屏蔽部33的厚度Tb例如能夠設為1mm～2mm左右。 　　第2中子束屏蔽部34與第1中子束屏蔽部相同地係用於抑制向放出部31的中子束N的入射者。第2中子束屏蔽部34設置於比第1中子束屏蔽部33更靠外側。放出部31的入射面31b側(伽瑪射線檢測部30的X軸負側)的第2中子束屏蔽部34的厚度設置成大於其他部分的第2中子束屏蔽部34的厚度。又，與第1中子束屏蔽部33的厚度相同地，第2中子束屏蔽部34的厚度能夠依據配置伽瑪射線檢測部30之環境而適當設定。例如，在Y軸方向的中子束N的入射較多之環境配置伽瑪射線檢測部30時，能夠將放出部31的側面31c側及側面31d側(Y軸方向的兩端側)的第2中子束屏蔽部34的厚度設定成大於放出部31的側面31e側及側面31f側(Z軸方向的兩端側)的第2中子束屏蔽部34的厚度。第2中子束屏蔽部34例如由含有氫之輕元素形成。其中，輕元素係指原子序為20以下的元素。 　　伽瑪射線屏蔽部35係用於抑制伽瑪射線G從入射面31b以外的面向放出部31入射者。伽瑪射線屏蔽部35設置於第1中子束屏蔽部33與第2中子束屏蔽部34之間。更具體而言，伽瑪射線屏蔽部35設置於放出部31的相鄰面31a側(X軸正側)、放出部31的側面31c側及側面31d側(Y軸方向的兩端側)、放出部31的側面31e側及側面31f側(Z軸方向的兩端側)。伽瑪射線屏蔽部35例如由含有鉛等的具有屏蔽伽瑪射線G之功能之重元素之材料形成。其中，重元素係指原子序大於20之元素。 　　伽瑪射線檢測部30亦能夠作為本發明的一形態之中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器100而單獨使用。中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器100的結構與伽瑪射線檢測部30相同，因此省略其說明。 　　如以上說明，中子捕獲治療系統1中，伽瑪射線檢測部30具有：由含有鋰6(⁶ Li)之物質形成之第1中子束屏蔽部33、及設置於比第1中子束屏蔽部33更靠外側並由輕元素形成之第2中子束屏蔽部34。向伽瑪射線檢測部30的放出部31入射之中子束N藉由第1中子束屏蔽部33及第2中子束屏蔽部34來屏蔽，因此能夠抑制放出部31的劣化。又，鋰6(⁶ Li)與輕元素相比，屏蔽中子束N之功能高，因此能夠確實地屏蔽向放出部31入射之中子束N。因此，在高強度的中子場中，亦能夠抑制放出部的劣化，並能夠高精度地檢測伽瑪射線G。 　　又，伽瑪射線檢測部30進一步具有設置於第1中子束屏蔽部33與第2中子束屏蔽部34之間之伽瑪射線屏蔽部35。藉此，能夠抑制伽瑪射線G從放出部31中的與放大部32的相鄰面31a相反的一側的入射面31b以外的面向放出部31入射。又，藉由將伽瑪射線屏蔽部35設置於比第2中子束屏蔽部34更靠內側，能夠屏蔽藉由中子束N入射到第2中子束屏蔽部34而產生之伽瑪射線G。 　　又，第1中子束屏蔽部33設置於覆蓋放出部31的面當中之相鄰面31a以外的面。藉此，能夠更確實地屏蔽向放出部31入射之中子束N。 　　又，覆蓋與相鄰面31a的相反的一側的入射面31b之第1中子束屏蔽部33的厚度大於覆蓋放出部31的其他面之第1中子束屏蔽部33的厚度。與向入射面31b入射之中子束量相比，向其他面入射之中子束量少。藉此，將覆蓋中子束N的入射量少之放出部31的面之第1中子束屏蔽部33的厚度設為相對較小，從而能夠減少高價的鋰6(⁶ Li)的使用量。 　　以上，對本發明的實施形態進行了說明，但是本發明不限定於上述實施形態，能夠採用各種變形態樣。例如，上述實施形態中，第1中子束屏蔽部33設置成覆蓋放出部31的相鄰面31a以外的面，但是第1中子束屏蔽部33的形狀能夠依據配置伽瑪射線檢測部30之環境及配置伽瑪射線檢測部30之方向等任意變更。圖4係概略地表示圖1所示之中子捕獲治療系統的變形例之圖。如圖4所示，中子捕獲治療系統2具備伽瑪射線檢測部50來代替伽瑪射線檢測部30。伽瑪射線檢測部50相對於中子束生成部10傾斜地配置，位於與中子束生成部10相反的一側之放出部31的側面31c不藉由第1中子束屏蔽部33覆蓋。這種中子捕獲治療系統2中，來自放出部31的側面31c側的中子束N的入射量比來自其他方向的入射量少，因此放出部31的側面31c亦可以不藉由第1中子束屏蔽部33覆蓋。藉此，能夠進而減少鋰6(⁶ Li)的使用量。 　　又，上述實施形態中，作為放出部31使用了閃爍體，但是放出部31亦可以是藉由入射放射線來放出電子之半導體元件。此時，放大部32亦可以是放大電子之放大電路等。又，放出部31及放大部32亦可以一體設置。 　　上述實施形態中，第2中子束屏蔽部34由輕元素形成，但是第2中子束屏蔽部34亦可以由在聚乙烯中含有氟化鋰之物質形成。又，亦可以使用石蠟等含有氫之樹脂材料來代替聚乙烯。進而，第2中子束屏蔽部34亦可以藉由層疊聚乙烯等的含有氫之樹脂材料和氟化鋰來形成。此時，氟化鋰與氫相比，屏蔽熱中子之功能高，氫與氟化鋰相比，屏蔽快中子之功能高，因此氟化鋰層設置於比含有氫之樹脂材料的層更靠外側。藉此，能夠有效地屏蔽中子束N。 　　又，中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器100不限於中子捕獲治療，能夠用於所有伽瑪射線G的檢測中。

1、2‧‧‧中子捕獲治療系統

10‧‧‧中子束生成部

11‧‧‧加速器

12‧‧‧負離子源

13‧‧‧射束傳輸部

13A‧‧‧射束路徑

13B‧‧‧四極電磁鐵

13C‧‧‧電流監測器

13D‧‧‧掃描電磁鐵

14‧‧‧中子束照射部

14A‧‧‧靶

14B‧‧‧減速構件

14C‧‧‧屏蔽體

14D‧‧‧準直器

14a‧‧‧開口

20‧‧‧被照射體載置部

30、50‧‧‧伽瑪射線檢測部

31‧‧‧放出部

31a‧‧‧相鄰面

31b‧‧‧入射面

31c、31d、31e、31f‧‧‧側面

32‧‧‧放大部

32a‧‧‧入射窗

33‧‧‧第1中子束屏蔽部

34‧‧‧第2中子束屏蔽部

35‧‧‧伽瑪射線屏蔽部

36‧‧‧伽瑪射線檢測用準直器

40‧‧‧控制部

50‧‧‧伽瑪射線檢測部

100‧‧‧中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器

G‧‧‧伽瑪射線

H‧‧‧患者(被照射體)

N‧‧‧中子束

P‧‧‧帶電粒子束

圖1係概略地表示本發明的一實施形態之中子捕獲治療系統之圖。 　　圖2係概略地表示伽瑪射線檢測部之剖面圖。 　　圖3係表示沿著圖2的III-III線之剖面之圖。 　　圖4係概略地表示圖1所示之中子捕獲治療系統的變形例之圖。

Claims (5)

1. 一種中子捕獲治療系統，係具備：　　中子束生成部，產生中子束；　　被照射體載置部，載置待照射前述中子束之被照射體；及　　伽瑪射線檢測部，藉由照射前述中子束，檢測從前述被照射體放出之伽瑪射線，　　前述伽瑪射線檢測部係具有：　　放出部，藉由入射前述伽瑪射線而放出光或電子；　　放大部，設置成與前述放出部相鄰，並放大從前述放出部放出之前述光或前述電子而輸出；　　第1中子束屏蔽部，由含有鋰6(⁶ Li)之物質形成；及　　第2中子束屏蔽部，設置於比前述第1中子束屏蔽部更靠外側，並由輕元素形成，　　前述第1中子束屏蔽部設置成至少覆蓋前述放出部的面當中的與前述放大部的相鄰面相反的一側的面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之中子捕獲治療系統，其中，　　前述伽瑪射線檢測部進一步具有伽瑪射線屏蔽部，該伽瑪射線屏蔽部設置於前述第1中子束屏蔽部與前述第2中子束屏蔽部之間。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之中子捕獲治療系統，其中，　　前述第1中子束屏蔽部設置成覆蓋前述放出部的面當中的前述相鄰面以外的面。
4. 如申請專利範圍第3項所述之中子捕獲治療系統，其中，　　覆蓋前述相反的一側的面之前述第1中子束屏蔽部的厚度大於覆蓋前述放出部的其他面之前述第1中子束屏蔽部的厚度。
5. 一種中子捕獲治療用伽瑪射線檢測器，係具備：　　放出部，藉由入射伽瑪射線而放出光或電子；　　放大部，設置成與前述放出部相鄰而設置，並放大從前述放出部放出之前述光或前述電子而輸出；　　第1中子束屏蔽部，由含有鋰6(⁶ Li)之物質形成；及　　第2中子束屏蔽部，設置於比前述第1中子束屏蔽部更靠外側，並由輕元素形成， 　　前述第1中子束屏蔽部設置成至少覆蓋前述放出部的面當中的與前述放大部的相鄰面相反的一側的面。