TW201821882A - 顯示裝置 - Google Patents

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曺景鉉
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南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明揭示一種顯示裝置，該顯示裝置包括：複數個子像素，形成在一第一基板上，每一個子像素具有：一發光區域，該發光區域中設置一發光元件以用來發光、以及一電路區域，該電路區域中設置一電路以用於驅動該發光元件；一感測線，在一第一方向上設置在該等子像素之間；以及一感測連接線，在橫向於該第一方向的一第二方向上設置在該電路區域中，並且由位於該感測線上方的一電極層製成，該感測連接線將該等子像素電性連接到該感測線。

Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置。
隨著信息技術的發展，作為使用者與信息之間的連接介質的顯示裝置的市場正在增長。因此，例如有機發光二極體(OLED)顯示器、液晶顯示器(LCD)、以及電漿顯示面板(PDP)的顯示裝置的使用正在不斷上升。
OLED顯示器包括包含複數個子像素的顯示面板以及用於驅動顯示面板的驅動器。該驅動器包括用於向顯示面板提供掃描訊號(或稱為“閘極訊號”)的掃描驅動器以及用於向顯示面板提供資料訊號的資料驅動器等。
當掃描訊號和資料訊號提供給排列成矩陣的子像素時，響應於掃描訊號和資料訊號而選擇的子像素發光。因此，OLED顯示器可以顯示影像。
當OLED顯示器被長時間使用時，OLED顯示器會有一些包含在子像素中的元件經受特性(例如，臨界電壓、電流遷移率等)變化上的問題。為了補償特性變化，根據現有技術已經提出一種方法，增加感測電路以用來感測包含在子像素中的元件的特性。
當如上所述將感測電路增加至子像素內部時，有必要考慮包括子像素的孔徑比減小的各種問題、以及例如訊號線或電源線的線路以及電極在修復過程中被雷射損壞等問題。當使用高解析度和大尺寸的顯示裝置時，這些問題可能顯得特別嚴重。
在一實施態樣中，本發明提供一種顯示裝置，包括：複數個子像素，形成在一第一基板上，每一個子像素具有：一發光區域，該發光區域中設置一發光元件以用來發光、以及一電路區域，該電路區域中設置一電路用於驅動該發 光元件；一感測線，在一第一方向上設置在該等子像素之間；以及一感測連接線，在橫向於該第一方向的一第二方向上設置在該電路區域中，並且由位於該感測線上方的一電極層製成，該感測連接線將該等子像素電性連接到該感測線。
110‧‧‧影像處理單元
120‧‧‧時序控制器
130‧‧‧資料驅動器
140‧‧‧掃描驅動器
150‧‧‧顯示面板
150a‧‧‧第一基板
150b‧‧‧保護膜
DE‧‧‧資料致能訊號
DATA‧‧‧資料訊號
DDC‧‧‧資料時序控制訊號
GDC‧‧‧閘極時序控制訊號
DL1~DLn‧‧‧資料線
GL1~GLm‧‧‧掃描線
SP‧‧‧子像素
SW‧‧‧開關電晶體
DR‧‧‧驅動電晶體
Cst‧‧‧電容器
CC‧‧‧補償電路
OLED‧‧‧有機發光二極體
GL1a‧‧‧1a掃描線
GL1b‧‧‧1b掃描線
VREF‧‧‧感測線
LS‧‧‧遮光層
ST‧‧‧感測電晶體
AA‧‧‧顯示區域
NA‧‧‧非顯示區域
P‧‧‧像素
R‧‧‧紅色子像素
G‧‧‧綠色子像素
B‧‧‧藍色子像素
W‧‧‧白色子像素
EMA‧‧‧發光區域
DRA‧‧‧電路區域
SPn1~SPn4‧‧‧第一子像素至第四子像素
WA‧‧‧線區域
EVDD‧‧‧第一電源線
EVSS‧‧‧第二電源線
EVDDC‧‧‧第一電源連接線
VREFC‧‧‧感測連接線
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
CH3‧‧‧第三接觸孔
BUF‧‧‧緩衝層
ST_ACT‧‧‧半導體層
ST_GAT‧‧‧閘極金屬層
ST_SDa、ST_SDb‧‧‧第三源極汲極金屬層
GI‧‧‧第一絕緣層
GL1b_GAT‧‧‧閘極金屬層
GL1b_LS‧‧‧遮光層
ILD‧‧‧第二絕緣層
VREF_SD‧‧‧第一源極汲極金屬層
DL2_SD‧‧‧第二源極汲極金屬層
PAS‧‧‧第三絕緣層
OC‧‧‧第四絕緣層
VREFC_E1‧‧‧第一電極層
包含在本說明書中以提供對本發明進一步了解以及併入且構成本說明書的一部分的附圖係用以說明本發明的實施例，以及配合發明說明作為解釋本發明的原理。在圖式中：第1圖係有機發光二極體(OLED)顯示裝置的示意方塊圖；第2圖係示意性地顯示子像素的電路結構；第3圖係詳細地顯示子像素的電路結構；第4圖係顯示面板的示例剖視圖；第5圖係示意性地顯示子像素的平面佈局；第6圖係詳細地顯示根據本發明一實驗例之第5圖的電路區域；第7圖係詳細地顯示根據本發明第一實施例之第5圖的電路區域；第8圖係第7圖的A1-A2部分的剖視圖；第9圖至第11圖係顯示本發明第一實施例的修飾示例；第12圖係詳細地顯示根據本發明第二實施之第5圖的電路區域；第13圖係第12圖的B1-B2部分的剖視圖；以及第14圖至第16圖係顯示本發明第二實施例的修飾示例。
現在將詳細參考本發明的實施例，其示例顯示在附圖中。只要便於解釋本文提供的實施例，在整個附圖中使用相同元件編號來表示相同或相似元件。在本發明中，如果確定這些已知元件或功能的詳細描述可能會誤導或以其他方式模糊本發明實施例的描述，則已知元件或功能的詳細描述將予以省略。
根據實施例的顯示裝置可以實現為電視系統、視頻播放器、個人電腦(PC)、家庭影院系統、智慧型電話等。在以下描述中作為示例，根據實施例的顯示裝置可以是根據有機發光二極體(或發光元件)而實現的有機發光 二極體(OLED)顯示器。根據實施例的OLED顯示裝置進行用於顯示影像的影像顯示操作以及用於補償隨時間變化的元件特性(或時變特性)的外部補償操作。
在影像顯示操作期間的垂直消隱區間(vertical blanking interval)中，在影像顯示操作開始之前的電源開啟時序期間中、或者在影像顯示操作結束之後的電源切斷時序期間中，可以進行外部補償操作。垂直消隱區間是不施加用於影像顯示的資料訊號的期間，且垂直消隱區間設置在施加一個圖框的資料訊號的垂直有效期間(vertical active periods)之間。
電源開啟時序期間是在用於驅動顯示裝置而開啟電源與其中影像顯示在顯示裝置上的開始影像顯示時段之間的一時間段。電源切斷時序期間是在影像顯示時段結束與用於驅動顯示裝置的電源關閉之間的一時間段。
進行外部補償操作的外部補償方法以源極隨耦器方式操作驅動電晶體，然後感測儲存在感測線的線電容器中的電壓(例如，驅動電晶體的源極電壓)，但不侷限於此。線電容器是指存在於感測線上的特定電容。
為了補償驅動電晶體的臨界電壓的變化，當驅動電晶體的源極節點的電壓飽和時(即，當驅動電晶體的電流Ids為零時)，外部補償方法感測源極電壓。此外，為了補償驅動電晶體的遷移率的變化，在驅動電晶體的源極節點的電壓飽和之前，外部補償方法感測處於線性狀態的源極節點的電壓。
在以下說明中，除了閘極電極之外，薄膜電晶體的電極可以被稱為源極電極和汲極電極、或者汲極電極和源極電極(取決於薄膜電晶體的類型)。此外，在以下說明中，薄膜電晶體的源極電極和汲極電極、或者汲極電極和源極電極可以被稱為第一電極和第二電極。
第1圖係OLED顯示裝置的示意性方塊圖。第2圖係示意性顯示子像素的電路結構。第3圖係詳細地顯示子像素的電路結構。第4圖係顯示面板的示例性剖視圖。第5圖係示意性顯示子像素的平面佈局。
如第1圖所示，根據實施例的OLED顯示裝置包括：影像處理單元110、時序控制器120、資料驅動器130、掃描驅動器140、以及顯示面板150。
影像處理單元110輸出從顯示裝置外部提供的資料訊號DATA以及資料致能訊號DE。除了資料訊號DATA和資料致能訊號DE之外，影像處理單元110可進一步輸出垂直同步訊號、水平同步訊號、以及時脈訊號中的一者 或一者以上。為了簡潔和便於閱讀，沒有顯示這些訊號。
時序控制器120從影像處理單元110接收資料訊號DATA和資料致能訊號DE並且進一步可以接收包含垂直同步訊號、水平同步訊號、時脈訊號等的驅動訊號。時序控制器120基於驅動訊號輸出用於控制掃描驅動器140的操作時序的閘極時序控制訊號GDC以及用於控制資料驅動器130的操作時序的資料時序控制訊號DDC。
資料驅動器130響應於從時序控制器120提供的資料時序控制訊號DDC而採樣並鎖存從時序控制器120接收到的資料訊號DATA，並且資料驅動器130使用伽瑪基準電壓來轉換採樣和鎖存的資料訊號DATA。資料驅動器130將轉換的資料訊號DATA輸出到資料線DL1至DLn。資料驅動器130可以形成為積體電路(IC)。
掃描驅動器140響應於從時序控制器120提供的閘極時序控制訊號GDC而輸出掃描訊號。掃描驅動器140將掃描訊號輸出到掃描線GL1至GLm。掃描驅動器140形成為IC或者以板內閘極(GIP,gate-in-panel)的方式形成在顯示面板150上。
顯示面板150響應於分別從資料驅動器130和掃描驅動器140接收的資料訊號DATA和掃描訊號來顯示影像。顯示面板150包含被配置以顯示影像的子像素SP。
子像素SP包含紅色、綠色以及藍色子像素，或者包含白色、紅色、綠色、以及藍色子像素。根據發光特性，子像素SP可以具有一個或複數個不同的發光區域。
如第2圖所示，每一個子像素包含：開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器Cst、補償電路CC、以及有機發光二極體OLED。
開關電晶體SW進行開關操作，使得通過第一資料線DL1所提供的資料訊號響應於通過第一掃描線GL1所提供的掃描訊號而被儲存在電容器Cst中作為資料電壓。驅動電晶體DR基於儲存在電容器Cst中的資料電壓使驅動電流在第一電源線(或稱為“高電位電源線”)EVDD與第二電源線(或稱為“低電位電源線”)EVSS之間流動。有機發光二極體OLED根據驅動電晶體DR所提供的驅動電流來發光。
補償電路CC是被添加到子像素並且補償驅動電晶體DR之例如 臨界電壓等特性的電路。補償電路CC包含一個或複數個電晶體。根據各種實施例，補償電路CC的配置可以根據外部補償方法而不同地改變，並且在以下參照第3圖描述補償電路CC。
如第3圖所示，補償電路CC可以包含感測電晶體ST和感測線(或稱為“參考線”)VREF。感測電晶體ST連接在感測線VREF與電性耦合到驅動電晶體DR的源極電極和有機發光二極體OLED的陽極電極的節點(以下稱為“感測節點”)之間。感測電晶體ST可以將通過感測線VREF傳輸的初始化電壓(或者稱為“感測電壓”)提供給驅動電晶體DR的感測節點，或者感測電晶體ST可以感測驅動電晶體DR的感測節點的電壓或電流或者感測線VREF的電壓或電流。
開關電晶體SW的第一電極連接到第一資料線DL1，並且開關電晶體SW的第二電極連接到驅動電晶體DR的閘極電極。驅動電晶體DR的第一電極連接到第一電源線EVDD，並且驅動電晶體DR的第二電極連接到有機發光二極體OLED的陽極電極。電容器Cst的第一電極連接到驅動電晶體DR的閘極電極，電容器Cst的第二電極連接到有機發光二極體OLED的陽極電極。有機發光二極體OLED的陽極電極連接到驅動電晶體DR的第二電極，並且有機發光二極體OLED的陰極電極連接到第二電源線EVSS。感測電晶體ST的第一電極連接到感測線VREF，感測電晶體ST的第二電極連接到感測節點，即有機發光二極體OLED的陽極電極和驅動電晶體DR的第二電極。
根據外部補償算法(或取決於補償電路的配置)，感測電晶體ST的操作時間可以與開關電晶體SW的操作時間相似(或相同)或不同。例如，開關電晶體SW的閘極電極可以連接到1a掃描線GL1a，並且感測電晶體ST的閘極電極可以連接到1b掃描線GL1b。在這種情況下，掃描訊號(Scan)可以被發送到1a掃描線GL1a，並且感測訊號(Sense)可以被發送到1b掃描線GL1b。又如，開關電晶體SW的閘極電極和感測電晶體ST的閘極電極可以共享1a掃描線GL1a或者1b掃描線GL1b，因此，開關電晶體SW和感測電晶體ST的閘極電極可以連接。
感測線VREF可以連接到資料驅動器，例如第1圖所示的資料驅動器130。在這種情況下，資料驅動器可以在即時影像的非顯示週期或N個圖框週期期間經由感測線VREF來感測子像素的感測節點，並且產生感測結果， 其中N是等於或大於1的整數。開關電晶體SW和感測電晶體ST可以同時導通。在這種情況下，基於由資料驅動器輸出的資料訊號來驅動有機發光二極體OLED之使用感測線VREF的感測操作和資料輸出操作可以根據資料驅動器的時分驅動方式而相互分開(或區分)。
此外，根據感測結果的補償目標可以是數字資料訊號、模擬資料訊號、伽瑪訊號等。用於基於感測結果產生補償訊號(或補償電壓)的補償電路可以在資料驅動器內部、在時序控制器內部、或作為單獨的電路來實現。
遮光層LS可以僅設置在驅動電晶體DR的溝道區域下方。或者，遮光層LS可以設置在驅動電晶體DR的溝道區域下方以及開關電晶體SW和感測電晶體ST的溝道區域下方。遮光層LS可以簡單地用於屏蔽外部光線。此外，遮光層LS可以連接到另一電極或另一線並且用作構成電容器等的電極。因此，遮光層LS可以被設置為由金屬形成的多層元件(例如，兩種不同金屬的多層)，以具有遮光特性。
第3圖係舉例說明具有3T(電晶體)1C(電容器)配置的子像素，包含：開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器Cst、有機發光二極體OLED、以及感測電晶體ST。然而，取決於補償電路CC的具體配置，子像素可以具有各種配置，例如3T2C、4T2C、5T1C、以及6T2C。
如第4圖所示，子像素形成在第一基板(或稱為“薄膜電晶體基板”)150a的顯示區域AA上，並且每一個子像素具有第3圖所示的電路結構。顯示區域AA上的子像素由保護膜(或稱為“保護基板”)150b密封。在第4圖中，參考“NA”表示顯示面板150的非顯示區域。第一基板150a可以由例如玻璃的剛性或半剛性材料形成，或者其可以由可撓性材料形成。
子像素設置在第一基板150a的表面上，並且可以在顯示區域AA上以紅(R)、白(W)、藍(B)、以及綠(G)子像素的順序水平或垂直地設置，取決於第一基板150a的取向。紅色(R)、白色(W)、藍色(B)、以及綠色(G)子像素一起形成一個像素P。然而，實施例不限於此。例如，子像素的排列順序可根據發光材料、發光面積、補償電路的配置(或結構)等作不同地改變。此外，紅色(R)、藍色(B)、以及綠色(G)子像素可以形成一個像素P。
如第4圖和第5圖所示，各自具有發光區域EMA和電路區域DRA 的第一子像素至第四子像素SPn1至SPn4形成在第一基板150a的顯示區域AA上。有機發光二極體(或發光元件)形成在發光區域EMA中，並且用於驅動有機發光二極體之包含開關電晶體、感測電晶體、驅動電晶體等的電路形成在電路區域DRA中。在發光區域EMA和電路區域DRA中的元件通過薄膜沉積步驟來形成並且包含複數個金屬層和複數個絕緣層。
在第一子像素SPn1至第四子像素SPn4中，發光區域EMA中的有機發光二極體根據電路區域DRA中的開關電晶體和驅動電晶體操作而發光。在與第一子像素至第四子像素SPn1至SPn4中的每一個的側面相鄰的區域中提供線區域WA。亦即，線區域WA可以是包含各個子像素之間的所有區域的組合區域。第一電源線EVDD、感測線VREF、以及第一資料線至第四資料線DL1至DL4設置在線區域WA中。第一電源線EVDD通過第一電源連接線EVDDC連接到全部第一資料線至第四子像素SPn1至SPn4。
例如，第一電源線EVDD可以位於第一子像素SPn1的左側上，感測線VREF可以位於第二子像素SPn2的右側上，並且第一資料線DL1和第二資料線DL2可以位於第一子像素SPn1與第二子像素SPn2之間。感測線VREF可以位於第三子像素SPn3的左側上，第一電源線EVDD可以進一步位於第四子像素SPn4的右側上，並且第三資料線DL3和第四資料線DL4可以位於第三子像素SPn3與第四子像素SPn4之間。
第一子像素SPn1可以電性連接至第一子像素SPn1左側上的第一電源線EVDD、第一子像素SPn1右側上的第一資料線DL1、以及第二子像素SPn2右側上的感測線VREF。第二子像素SPn2可以電性連接至第一子像素SPn1左側上的第一電源線EVDD、第二子像素SPn2左側上的第二資料線DL2、以及第二子像素SPn2右側上的感測線VREF。
第三子像素SPn3可以電性連接到第三子像素SPn3左側上的感測線VREF、第三子像素SPn3右側上的第三資料線DL3、以及第四子像素SPn4右側上的第一電源線EVDD。第四子像素SPn4可以電性連接到第三子像素SPn3左側上的感測線VREF、第四子像素SPn4左側上的第四資料線DL4、以及第四子像素SPn4右側上的第一電源線EVDD。
第一資料線至第四子像素SPn1至SPn4可以共同連接至第二子像素SPn2與第三子像素SPn3之間的感測線VREF。即，第一資料線至第四子像 素SPn1至SPn4可以彼此共享感測線VREF。然而，實施例不限於此。
構成薄膜電晶體之例如第一電源線EVDD和感測線VREF的線路和電極位於不同的層上，但是通過接觸孔(或通孔)彼此電性連接。接觸孔通過乾式或濕式蝕刻步驟來形成以部分暴露位於子像素下部的電極、訊號線或電源線。
製造顯示面板150的方法可以包括用於在基板上沉積導電層、金屬層、絕緣層等的沉積步驟以形成包含各種元件(包含電極)、電源線、訊號線的結構，並且該方法還可以包括用於修復基板上的結構的一個或複數個缺陷或用於關閉有缺陷的子像素的修復步驟。
因為如上所述之製造顯示面板的方法係複雜的，所以當增加用於感測包含在子像素中的元件特性的感測電路時，可以減小子像素的孔徑比，因為添加這種電路導致增加了子像素的電路面積。此外，在修復過程中，電源線、訊號線以及電極可能被雷射損壞。
在下文中，討論實驗例的問題，並且描述克服這些問題的本發明的實施例。在以下說明中，以兩條掃描線為例說明本發明的實施例，但不以此為限。
<實驗例>
第6圖係詳細顯示根據實驗例之第5圖的電路區域。
如第6圖所示，驅動電晶體DR和電容器Cst設置在電路區域DRA的上部。電路區域DRA的上部是與連接到第一電源線EVDD的第一電源連接線EVDDC相鄰的部分。第一電源線EVDD設置在第一方向(例如垂直方向)上，而且第一電源連接線EVDCC設置在橫向於第一方向的第二方向(例如水平方向)上。1b掃描線GL1b和感測電晶體ST設置在電路區域DRA的下部。電路區域DRA的下部是與連接到感測線VREF的感測連接線VREFC相鄰的部分。感測線VREF設置在第一方向上，而且感測連接線VREFC設置在第二方向上。在電路區域DRA上部與下部之間的中間部分設置有1a掃描線GL1a和開關電晶體SW。電路區域DRA的中間部分是與設置在第二方向上的1a掃描線GL1a相鄰的部分。
1a掃描線GL1a和1b掃描線GL1b由在遮光層與源極汲極金屬層 之間的閘極金屬層形成。1a掃描線GL1a和1b掃描線GL1b彼此間隔開。考慮到線路負載的增加問題、修復過程中的損壞問題等，與第一電源線EVDD和第一資料線至第四資料線DL1至DL4重疊(或交叉)的1a掃描線GL1a和1b掃描線GL1b中的每一條的一部分被分支以形成至少兩條線(或分支部)。
感測線VREF設置在第二子像素SPn2與第三子像素SPn3之間。感測線VREF設置在第一方向(或子像素的長軸方向)上。感測線VREF由構成電晶體SW、DR和ST的源極電極和汲極電極的源極汲極金屬層形成。開關電晶體SW、驅動電晶體DR、感測電晶體ST以及電容器Cst的設置不限於第6圖。
感測連接線VREFC設置在電路區DRA中並且通過第一接觸孔CH1連接到感測線VREF。感測連接線VREFC設置在第二方向(或子像素的短軸方向)上。感測連接線VREFC由存在於第一基板的最下層中的遮光層形成。
因為第二子像素SPn2和第三子像素SPn3與感測線VREF相鄰，所以它們通過第三接觸孔CH3直接連接到感測線VREF。第二子像素SPn2和第三子像素SPn3通過形成在感測線VREF的左側和右側突起中的第三接觸孔CH3電性連接到感測線VREF。另一方面，因為第一子像素SPn1和第四子像素SPn4與感測線VREF隔開，所以它們通過第二接觸孔CH2和感測連接線VREFC連接到感測線VREF。
實驗例使用存在於最下層中的遮光層形成感測連接線VREFC。遮光層可以選擇為具有鉬(Mo)、鈦(Ti)、以及銅(Cu)的堆疊結構的多層(Mo/Ti/Cu)。由於遮光層具有上述結構，考慮到修復過程(或者考慮到修復過程的容易性)，必須使感測連接線VREFC與其他電極或其他線之間的重疊區域最小化。這是因為當重疊區域增加時，在修復過程中在感測連接線VREFC與其他電極或其他線路之間可能會產生短路。
因此，在實驗例中，形成在突起中的感測線VREF和第三接觸孔CH3的突起必須設置在1b掃描線GL1b下方。此外，將感測線VREF連接到感測連接線VREFC的第一接觸孔CH1必須設置在感測線VREF和第三接觸孔CH3的突起的下方。
在實驗例中，由於基於遮光層、閘極金屬層、和源極汲極金屬層分別形成感測連接線VREFC、掃描線GL1a和GL1b、以及感測線VREF，所以， 必須考慮與所有這三種線路相關的短路。因此，在考慮修復過程時，實驗例難以確保子像素的孔徑比。
<第一實施例>
第7圖係詳細顯示根據本發明第一實施例之第5圖的電路區域。第8圖是第7圖的A1-A2部分的剖視圖。第9圖至第11圖係顯示本發明第一實施例的修飾示例。
如第7圖所示，驅動電晶體DR和電容器Cst設置在電路區域DRA的上部。電路區域DRA的上部是與連接到第一電源線EVDD的第一電源連接線EVDDC相鄰的部分。第一電源線EVDD設置在第一方向(例如垂直方向)上，而且第一電源連接線EVDCC設置在橫向於第一方向的第二方向(例如水平方向)上。1b掃描線GL1b和感測電晶體ST設置在電路區域DRA的下部。電路區域DRA的下部是與連接到感測線VREF的感測連接線VREFC相鄰的部分。感測線VREF設置在第一方向上，而且感測連接線VREFC設置在第二方向上。在電路區域DRA的上部與下部之間的中間部分設置有1a掃描線GL1a和開關電晶體SW。電路區域DRA的中間部分是與設置在第二方向上的1a掃描線GL1a相鄰的部分。
感測線VREF設置在第二子像素SPn2與第三子像素SPn3之間。感測線VREF設置在第一方向(或子像素的長軸方向)上。感測線VREF由構成電晶體SW、DR以及ST的源極電極和汲極電極的源極汲極金屬層形成。開關電晶體SW、驅動電晶體DR、感測電晶體ST、以及電容器Cst的設置不限於第7圖。
感測連接線VREFC設置在電路區DRA中並且通過第一接觸孔CH1連接到感測線VREF。感測連接線VREFC設置在第二方向(或子像素的短軸方向)上。感測連接線VREFC由存在於第一基板150a的上側中的第一電極層形成(參見第8圖)。第一電極層用於形成有機發光二極體的第一電極(或稱為“陽極電極”)。有機發光層設置在第一電極層上，並且由第二電極層形成的第二電極(或稱為“陰極電極”)設置在有機發光層上。
因為第二子像素SPn2和第三子像素SPn3與感測線VREF相鄰，所以它們通過第三接觸孔CH3直接連接到感測線VREF。第二子像素SPn2和第 三子像素SPn3通過形成在感測線VREF的左側和右側突起中的第三接觸孔CH3電性連接到感測線VREF。另一方面，因為第一子像素SPn1和第四子像素SPn4與感測線VREF隔開，所以它們通過第二接觸孔CH2和感測連接線VREFC連接到感測線VREF。
感測連接線VREFC包含：一個第一垂直部、一個第一水平部、以及兩個第二垂直部，並且具有類似於字母“E”順時針旋轉90度的形狀。感測連接線VREFC的第一垂直部連接到第一接觸孔CH1，並且感測連接線VREFC的第一垂直部設置在垂直方向上使得第一垂直部的一端位於平面上的第一接觸孔CH1的上方。感測連接線VREFC的第一垂直部通過第一接觸孔CH1電性連接到感測線VREF，同時具有與感測線VREF重疊的區域。
感測連接線VREFC的第一水平部基於感測線VREF設置在水平方向上，使得其從第一垂直部的末端延伸到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4。感測連接線VREFC的第一水平部具有與存在於電路區域DRA的下部中的1b掃描線GL1b和第一資料線至第四資料線DL1至DL4重疊的區域。
感測連接線VREFC的第二垂直部設置在垂直方向上，使得它們分別從第一水平部的左端和右端延伸到第二接觸孔CH2。感測連接線VREFC的第二垂直部通過第二接觸孔CH2分別連接到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4。
本發明第一實施例使用存在於第一基板150a上側中的第一電極層形成感測連接線VREFC。該第一電極層可以由氧化銦錫(ITO)或ITO/Ag形成。與該遮光層相比，該第一電極層位於上側，並且該第一電極層也形成在相對較厚的絕緣層上。因此，不需要考慮感測連接線VREFC與其他電極或其他線(例如源極汲極金屬層)之間的重疊。以下參照第8圖基於感測線VREF和感測連接線VREFC的接觸結構來描述。
如第7圖和第8圖所示，在第一基板150a上形成緩衝層BUF。例如，緩衝層BUF具有氧化矽(SiOx)和氮化矽(SiNx)交替堆疊的結構。
構成感測電晶體ST的主動層的半導體層ST_ACT形成在緩衝層BUF上。例如，半導體層ST_ACT可以由氧化物形成。在與半導體層ST_ACT相鄰的緩衝層BUF上形成第一絕緣層GI。第一絕緣層GI可以是閘極絕緣層，並且可以選擇為氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。
構成1b掃描線GL1b的閘極金屬層GL1b_GAT形成在第一絕緣層GI上。例如，閘極金屬層GL1b_GAT可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、以及銅(Cu)中的一種或者其合金形成。閘極金屬層GL1b_GAT可以具有單層結構或多層結構。
第二絕緣層ILD形成在緩衝層BUF上並且覆蓋半導體層ST_ACT和閘極金屬層GL1b_GAT。第二絕緣層ILD可以是層間介電質層並且可以選擇為氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。
構成感測線VREF的第一源極汲極金屬層VREF_SD和構成第二資料線DL2的第二源極汲極金屬層DL2_SD形成在第二絕緣層ILD上。第一源極汲極金屬層VREF_SD和第二源極汲極金屬層DL2_SD彼此間隔開。
第三絕緣層PAS形成在第二絕緣層ILD上並且覆蓋第一源極汲極金屬層VREF_SD和第二源極汲極金屬層DL2_SD。第三絕緣層PAS可以是鈍化層並且可以選擇為氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。
在第三絕緣層PAS上形成第四絕緣層OC。第四絕緣層OC可以是平坦化層並且可以由例如聚丙烯酸酯的有機材料形成。其他材料也可以使用。第一接觸孔CH1形成在第三絕緣層PAS和第四絕緣層OC中並且暴露構成感測線VREF的第一源極汲極金屬層VREF_SD。
構成感測連接線VREFC的第一電極層VREFC_E1形成在第四絕緣層OC上。構成感測連接線VREFC的第一電極層VREFC_E1通過第一接觸孔CH1電性連接到構成感測線VREF的第一源極汲極金屬層VREF_SD。
如上所述，形成感測連接線VREFC的第一電極層VREFC_E1位於至少兩個絕緣層(例如，絕緣層PAS和OC)上。換言之，因為第一電極層VREFC_E1位於相對較厚的絕緣層上，所以在修復過程中在感測連接線VREFC與其他電極或其他線之間的重疊區域中發生短路的風險可以大大地減少，即使感測連接線VREFC與其他電極或其他線路重疊。
因為這原因，本發明的第一實施例可以配置為使得第一接觸孔CH1設置在感測線VREF的突起與形成在該突起中的第三接觸孔CH3之間。此外，本發明第一實施例可以配置為使得感測連接線VREFC與1b掃描線GL1b部分地重疊。
將感測線VREF連接到感測連接線VREFC的第一接觸孔CH1可 以設置在不僅與將第一子像素和第四子像素SPn1和SPn4連接到感測連接線VREFC的第二接觸孔CH2而且與感測線VREF的突起和第三接觸孔CH3相類似或相同的水平區域中。如上所述，當第一接觸孔CH1到第三接觸孔CH3設置在平面上的同一條線上時，本發明第一實施例可以解決由跳躍電極(jumping electrode)的形成所導致之子像素的孔徑比降低的問題。
在本發明第一實施例中，因為掃描線GL1a和GL1b、感測線VREF、以及感測連接線VREFC基於閘極金屬層、源極汲極金屬層、以及第一電極層分別形成，僅僅需要考慮與兩種線路(由閘極金屬層和源極汲極金屬層形成)有關的短路。因此，即使考慮修復過程，本發明的第一實施例也能確保子像素的孔徑比。
本發明的第一實施例描述了感測連接線VREFC具有類似於字母“E”順時針旋轉90度的形狀作為示例。然而，實施例不限於此。以下描述第一實施例的變形例。
如第9圖所示，根據第一實施例的第一修飾示例，感測連接線VREFC包含：一個第一垂直部和一個第一水平部，並且具有類似於字母“T”的形狀。感測連接線VREFC的第一垂直部連接到第一接觸孔CH1，並且感測連接線VREFC設置在垂直方向上，使得第一垂直部的一端從第一接觸孔CH1和感測連接線VREFC的第一水平部突出。感測連接線VREFC的第一垂直部通過第一接觸孔CH1電性連接到感測線VREF，同時感測連接線VREFC的第一垂直部具有與感測線VREF重疊的區域。
感測連接線VREFC的第一水平部基於感測線VREF設置在水平方向上，使得其從第一垂直部的末端延伸到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4的第二接觸孔CH2。感測連接線VREFC的第一水平部具有與存在於電路區域DRA下部中的第一資料線DL1至第四資料線DL4重疊的區域並且與1b掃描線GL1b間隔開。
如第10圖所示，根據第一實施例的第二修飾示例，感測連接線VREFC包含：一個第一水平部和兩個第二水平部，並且具有階梯形狀。感測連接線VREFC的第一水平部連接到第一接觸孔CH1並且設置在水平方向上，使得第一水平部的兩端跨過第三接觸孔CH3的上部。感測連接線VREFC的第一水平部通過第一接觸孔CH1電性連接到感測線VREF，同時感測連接線VREFC 的第一水平部具有與第三接觸孔CH3重疊的區域。
感測連接線VREFC的第二水平部基於感測線VREF設置在水平方向上，使得它們從第一水平部的兩端延伸到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4的第二接觸孔CH2，在垂直方向上具有臺階形狀高度差。感測連接線VREFC的第二水平部各自具有與存在於電路區域DRA下部中的第一資料線DL1至第四資料線DL4重疊的區域並且與1b掃描線GL1b間隔開。
如第11圖所示，根據第一實施例的第三修飾示例，感測連接線VREFC包含一個第一水平部，並且具有類似於數字“1”旋轉90度的形狀(或者與字母“I”旋轉90度類似的形狀)。感測連接線VREFC的第一水平部連接到第一接觸孔CH1。此外，第一水平部基於感測線VREF設置在水平方向上，使得第一水平部的兩端跨過第三接觸孔CH3的上部並且延伸到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4的第二接觸孔CH2。
感測連接線VREFC的第一水平部通過第一接觸孔CH1電性連接到感測線VREF，同時感測連接線VREFC的第一水平部具有與第三接觸孔CH3重疊的區域。此外，感測連接線VREFC的第一水平部具有與存在於電路區域DRA下部中的第一資料線至第四資料線DL1至DL4重疊的區域，並且感測連接線VREFC的第一水平部與1b掃描線GL1b分隔開。
<第二實施例>
第12圖係詳細顯示依據本發明第二實施例之第5圖的電路區域。第13圖係第12圖的B1-B2部分的剖視圖。第14圖至第16圖係顯示本發明第二實施例的修飾範例。
如第12圖所示，1a掃描線GL1a和開關電晶體SW設置在電路區域DRA的上部。電路區域DRA的上部是與連接到第一電源線EVDD的第一電源連接線EVDDC相鄰的部分。第一電源線EVDD設置在第一方向(例如垂直方向)上，而且第一電源連接線EVDCC設置在橫向於第一方向的第二方向(例如水平方向)上。1b掃描線GL1b和感測電晶體ST設置在電路區域DRA的下部。電路區域DRA的下部是與連接到感測線VREF的感測連接線VREFC相鄰的部分。感測線VREF設置在第一方向上，而且感測連接線VREFC設置在第二方向上。驅動電晶體DR和電容器Cst設置在電路區域DRA之位於上部與下部 之間的中間部分中。電路區域DRA的中間部分是開關電晶體SW與感測電晶體ST之間的部分。
1a掃描線GL1a和1b條掃描線GL1b中的至少一條或全部由存在於第一基板150a最下層中的金屬層LS(例如，遮光層)形成(參見第13圖)。1a掃描線GL1a和1b掃描線GL1b分別設置在電路區域DRA的上部和下部，並且基於位於電路區域DRA中間部分中的驅動電晶體DR和電容器Cst彼此間隔開。1a掃描線GL1a和1b掃描線GL1b通過接觸孔分別連接到開關電晶體SW的閘極電極和感測電晶體ST的閘極電極。
本發明的第二實施例可以藉由使用存在於第一基板150a最下層中的遮光層形成1a掃描線GL1a和1b掃描線GL1b來分佈三種或更多種訊號線或電極。因此，與第一實施例相比，本發明的第二實施例可以解決空間限制問題(即，有效地設置元件和訊號線)並且增加或確保子像素的孔徑比。此外，本發明的第二實施例藉由使用存在於第一基板150a最下層中的遮光層形成1a掃描線GL1a和1b掃描線GL1b來去除用於解決線路負載增加問題的分支部。在本發明其他示例中，1a掃描線GL1a可以由金屬層LS形成，並且1b掃描線GL1b可以由閘極金屬層形成，反之亦然。
感測線VREF設置在第二子像素SPn2與第三子像素SPn3之間。感測線VREF設置在第一方向(或子像素的長軸方向)上。感測線VREF由構成電晶體SW、DR、以及ST的源極電極和汲極電極的源極汲極金屬層形成。開關電晶體SW、驅動電晶體DR、感測電晶體ST、以及電容器Cst的設置不限於第12圖。
感測連接線VREFC設置在電路區DRA中並且通過第一接觸孔CH1連接到感測線VREF。感測連接線VREFC設置在第二方向(或子像素的短軸方向)上。感測連接線VREFC由存在於第一基板150a上側中的第一電極層形成。第一電極層用於形成有機發光二極體的第一電極(或稱為“陽極電極”)。
因為第二子像素SPn2和第三子像素SPn3與感測線VREF相鄰，所以它們通過第三接觸孔CH3直接連接到感測線VREF。第二子像素SPn2和第三子像素SPn3通過形成在感測線VREF的左側和右側突起中的第三接觸孔CH3電性連接到感測線VREF。另一方面，因為第一子像素SPn1和第四子像素SPn4與感測線VREF隔開，所以它們通過第二接觸孔CH2和感測連接線VREFC連 接到感測線VREF。
感測連接線VREFC包含：一個第一水平部、兩個第一垂直部、以及兩個第二水平部，並且具有階梯形狀。感測連接線VREFC的第一水平部連接到第一接觸孔CH1並且設置在水平方向上，使得第一水平部的兩端突出到與第三接觸孔CH3相對應的位置。感測連接線VREFC的第一水平部通過第一接觸孔CH1電性連接到感測線VREF，同時感測連接線VREFC的第一水平部具有與1b掃描線GL1b重疊的區域。
感測連接線VREFC的第一垂直部設置在垂直方向上，使得它們從第一水平部的兩端延伸到第三接觸孔CH3。感測連接線VREFC的第一垂直部各自具有與存在於電路區域DRA下部中的第三接觸孔CH3重疊的區域。
感測連接線VREFC的第二水平部設置在水平方向上，使得它們從第一水平部的左端和右端延伸到第二接觸孔CH2。感測連接線VREFC的第二水平部通過第二接觸孔CH2分別連接到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4。
本發明的第二實施例使用存在於第一基板150a上側中的第一電極層形成感測連接線VREFC。第一電極層可以由氧化銦錫(ITO)或ITO/Ag形成。與遮光層相比，該第一電極層位於上側，並且該第一電極層也形成在相對較厚的絕緣層上。因此，不需要考慮感測連接線VREFC與其他電極或其他線例如源極汲極金屬層的重疊。以下參照第13圖基於感測線VREF和感測連接線VREFC的接觸結構來描述。
如第12圖和第13圖所示，構成1b掃描線GL1b的遮光層GL1b_LS形成在第一基板150a上。遮光層GL1b_LS可以選擇為具有鉬(Mo)、鈦(Ti)、以及銅(Cu)的堆疊結構的多層(Mo/Ti/Cu)。緩衝層BUF形成在第一基板150a上並且覆蓋遮光層GL1b_LS。例如，緩衝層BUF具有其中氧化矽(SiOx)和氮化矽(SiNx)交替堆疊的結構。
構成感測電晶體ST的主動層的半導體層ST_ACT形成在緩衝層BUF上。例如，半導體層ST_ACT可以由氧化物形成。在緩衝層BUF上形成第一絕緣層GI。第一絕緣層GI可以是閘極絕緣層並且可以選擇為氧化矽(SiOx)層，氮化矽(SiNx)層或其多層。
構成感測電晶體ST的閘極電極的閘極金屬層ST_GAT形成在第一絕緣層GI上。閘極金屬層ST_GAT設置為與半導體層ST_ACT重疊。例如， 閘極金屬層ST_GAT可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、以及銅(Cu)中的一種或者其合金形成。閘極金屬層ST_GAT可以具有單層結構或多層結構。
第二絕緣層ILD形成在緩衝層BUF上並且覆蓋閘極金屬層ST_GAT。第二絕緣層ILD可以是層間介電質層並且可以選擇為氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。
構成感測線VREF的第一源極汲極金屬層VREF_SD、構成第二資料線DL2的第二源極汲極金屬層DL2_SD、以及構成感測電晶體ST的源極電極和汲極電極的第三源極汲極金屬層ST_SDa和ST_SDb形成在第二絕緣層ILD上。
第三源極汲極金屬層ST_SDa和ST_SDb通過第三接觸孔CH3電性連接到構成感測電晶體ST的主動層的半導體層ST_ACT。例如，第三源極汲極金屬層ST_SDa通過第二絕緣層ILD和第一絕緣層GI的第三接觸孔CH3連接到構成感測電晶體ST的主動層的半導體層ST_ACT的汲極區域。第三源極汲極金屬層ST_SDb通過第二絕緣層ILD和第一絕緣層GI的第三接觸孔CH3連接到構成感測電晶體ST的主動層的半導體層ST_ACT的源極區域。
構成感測電晶體ST的汲極電極的第三源極汲極金屬層ST_SDa連接到構成感測線VREF的第一源極汲極金屬層VREF_SD。構成感測電晶體ST的源極電極的第三源極汲極金屬層ST_SDb與第三源極汲極金屬層ST_SDa分離並且間隔開。構成第二資料線DL2的第二源極汲極金屬層DL2_SD與第三源極汲極金屬層ST_SDb間隔開。
第三絕緣層PAS形成在第二絕緣層ILD上並且覆蓋第一源極汲極金屬層VREF_SD、第二源極汲極金屬層DL2_SD、以及第三源極汲極金屬層ST_SDa和ST_SDb。第三絕緣層PAS可以是鈍化層，並且可以選擇為氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。
在第三絕緣層PAS上形成第四絕緣層OC。第四絕緣層OC可以是平坦化層並且可以由例如聚丙烯酸酯的有機材料形成。其他材料也可以使用。第一接觸孔CH1形成在第三絕緣層PAS和第四絕緣層OC中，並且暴露構成感測線VREF的第一源極汲極金屬層VREF_SD。
構成感測連接線VREFC的第一電極層VREFC_E1形成在第四絕 緣層OC上。構成感測連接線VREFC的第一電極層VREFC_E1通過第一接觸孔CH1電性連接到構成感測線VREF的第一源極汲極金屬層VREF_SD。
如上所述，構成感測連接線VREFC的第一電極層VREFC_E1位於至少兩個絕緣層(例如，絕緣層PAS和OC)上。換言之，因為第一電極層VREFC_E1位於相對較厚的絕緣層上，所以在修復過程中，在感測連接線VREFC與其他電極或其他線之間的重疊區域中可能發生短路的風險可以大大地降低，即使感測連接線VREFC與其他電極或其他線重疊。
因為這原因，本發明的第二實施例配置為使得第一接觸孔CH1設置為具有與在與1b掃描線GL1b相同的水平區域中的1b掃描線GL1b重疊的區域。此外，本發明的第二實施例配置為使得感測連接線VREFC與1b掃描線GL1b部分地重疊。
將感測線VREF連接到感測連接線VREFC的第一接觸孔CH1可以設置在不僅與將第一子像素和第四子像素SPn1和SPn4連接到感測連接線VREFC的第二接觸孔CH2而且與感測線VREF的突起和第三接觸孔CH3相類似或相同的水平區域中。如上所述，當第一接觸孔到第三接觸孔CH1到CH3設置在平面上的同一條線上時，本發明的第二實施例可以解決由跳躍電極的形成所導致之子像素孔徑比降低的問題。
在本發明的第二實施例中，因為基於遮光層或閘極金屬層、源極汲極金屬層、以及第一電極層分別形成掃描線GL1a和GL1b、感測線VREF、以及感測連接線VREFC，僅需要考慮與兩種線路(由閘極金屬層和源極汲極金屬層形成)有關的短路。因此，即使考慮修復過程，本發明的第二實施例能夠確保子像素的孔徑比。
本發明的第二實施例借助於示例描述了感測連接線VREFC具有階梯形狀。然而，實施例不限於此。以下描述第二實施例的修飾示例。
如第14圖所示，根據第二實施例的第一修飾示例，感測連接線VREFC包含：一個第一水平部和兩個第一垂直部，並且具有類似於字母“U”的形狀。感測連接線VREFC的第一水平部連接到第一接觸孔CH1，並且感測連接線VREFC的第一水平部基於感測線VREF設置在水平方向上，使得第一水平部的兩端延伸到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4。感測連接線VREFC的第一水平部通過第一接觸孔CH1電性連接到感測線VREF，同時感測連接線VREFC 的第一水平部具有與1b掃描線GL1b重疊的區域。在這種情況下，第一水平部的整個區域與1b條掃描線GL1b重疊。感測連接線VREFC的第一水平部具有與存在於電路區域DRA下部中的第一資料線DL1至第四資料線DL4重疊的區域。
感測連接線VREFC的第一垂直部設置在垂直方向上，使得它們從第一水平部的兩端延伸到第一子像素和第四子像素SPn1和SPn4的第二接觸孔CH2。第二接觸孔CH2可以設置在與第三接觸孔CH3相似或相同的水平區域中。
如第15圖所示，根據第二實施例的第二修飾示例，感測連接線VREFC包含：一個第一垂直部和一個第一水平部，並且具有類似於字母“T”的形狀。感測連接線VREFC的第一垂直部連接到第一接觸孔CH1並且設置在垂直方向上，使得第一垂直部的一端設置在與第二接觸孔CH2和第三接觸孔CH3類似或相同的水平區域中。感測連接線VREFC的第一垂直部通過第一接觸孔CH1電性連接到感測線VREF，同時具有與感測線VREF重疊的區域。
感測連接線VREFC的第一水平部基於感測線VREF設置在水平方向上，使得其從第一垂直部的末端延伸到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4的第二接觸孔CH2。感測連接線VREFC的第一水平部具有與存在於電路區域DRA下部中的第一資料線DL1至第四資料線DL4重疊的區域並且與1b掃描線GL1b間隔開。
如第16圖所示，根據第二實施例的第三修飾示例，感測連接線VREFC包含：一個第一水平部、兩個第二水平部、以及兩個第一垂直部，並且感測連接線VREFC具有階梯形狀。感測連接線VREFC的第一水平部連接到第一接觸孔CH1，並且感測連接線VREFC的第一水平部基於感測線VREF設置在水平方向上，使得第一水平部的兩端延伸到與第一水平部相鄰的第二資料線DL2和第三資料線DL3。感測連接線VREFC的第一水平部通過第一接觸孔CH1電性連接到感測線VREF，同時具有與1b掃描線GL1b重疊的區域。在這種情況下，第一水平部的整個區域與1b掃描線GL1b重疊。
感測連接線VREFC的第二水平部設置在水平方向上，使得它們從第一水平部的兩端延伸到與第一子像素和第四子像素SPn1和SPn4的第二接觸孔CH2相鄰的區域，在垂直方向上具有臺階形狀高度差。每一個感測連接線 VREFC的第二水平部具有與存在於電路區域DRA下部中的第一資料線至第四資料線DL1至DL4重疊的區域並且具有與1b掃描線GL1b部分重疊的區域。
感測連接線VREFC的第一垂直部設置在垂直方向上，使得它們從第一水平部的端部延伸到第一子像素SPn1和第四子像素SPn4的第二接觸孔CH2。第二接觸孔CH2可以設置在與第三接觸孔CH3相似或相同的水平區域中。
如上所述，本發明的實施例可以防止在製造包含用於感測元件的特性的感測電路的顯示面板中由於修復過程所導致的線路和電極的損壞或短路，並且可以確保子像素的孔徑比。本發明的實施例可以根據修復過程的方式不同地且自由地設置連接線，同時防止線路負載的增加，藉此增加設計的自由度。此外，本發明的實施例可以提供適合於製造高解析度和大尺寸顯示裝置的顯示面板的結構。
雖然本發明實施例以示例性實施例揭露如上，然而本領域技術人員應當意識到在不脫離本發明所附申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明專利保護範圍之內。特別是，可以在本說明書、圖式以及所附申請專利範圍中的構成元件及/或主題結合配置的設置進行不同變化及修飾。除了構成元件及/或配置的變化及修飾外，其他替代應用對本領域技術人員也應當顯而易見。
本申請案主張於2016年11月30日提交的韓國專利申請第10-2016-0161516號的優先權和權益，該專利申請的全部內容在此通過引用併入本文中。

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，包括：複數個子像素，形成在一第一基板上，每一個子像素具有：一發光區域，該發光區域中設置一發光元件以用來發光、以及一電路區域，該電路區域中設置一電路用於驅動該發光元件；一感測線，在一第一方向上設置在該等子像素之間；以及一感測連接線，在橫向於該第一方向的一第二方向上設置在該電路區域中，並且由位於該感測線上方的一電極層製成，該感測連接線將該等子像素電性連接到該感測線。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該感測連接線由與位於該發光區域中該發光元件的一第一電極相同的第一電極層製成。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該感測線連接到與該感測線的左側和右側相鄰的一第二子像素和一第三子像素，以及其中該感測連接線連接到該感測線，並且該感測連接線連接到位於該第二子像素和該第三子像素外部的一第一子像素和一第四子像素。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該感測線由一源極汲極金屬層製成，該源極汲極金屬層構成位於該電路區域中的電晶體的源極電極和汲極電極，以及其中，該感測連接線由構成該發光元件的一第一電極的一第一電極層製成。
  5. 依據申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其中，由不同材料製成的至少兩個絕緣層位於該源極汲極金屬層與該第一電極層之間。
  6. 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，進一步包括：一第一接觸孔，形成在該感測線上；一第二接觸孔，形成在該第一子像素和該第四子像素的該等電路區域中；以及一第三接觸孔，形成在該感測線的一突起中，其中該第一接觸孔至該第三接觸孔設置在一平面上的同一條線上。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，還包括位於該電路區域中的至少兩條掃描線，其中，該至少兩條掃描線中的一條或兩條掃描線由一金屬層製成，該金屬層與構成設置在該電路區域中的電晶體的閘極電極的一閘極金屬層不同。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中，該至少兩條掃描線包含：一1a掃描線，連接到位於該電路區域中的一開關電晶體的一閘極電極；以及一1b掃描線，連接到位於該電路區域中的一感測電晶體的一閘極電極，其中該1a掃描線和該1b掃描線中的至少一條掃描線由存在於該第一基板的最下層中的一遮光層製成。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中，該感測連接線具有與該1b掃描線重疊的區域。
  10. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該感測連接線具有T形、U形、I形、以及階梯形中的至少一種形狀。
  11. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該感測線和該感測連接線位於不同的層上。
  12. 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，進一步包括：一第一接觸孔，形成在該感測線上；一第二接觸孔，形成在該第一子像素和該第四子像素的該電路區域中；以及一第三接觸孔，形成在該感測線的一突起中，其中該第一接觸孔至該第三接觸孔設置在不同位置上。
  13. 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，進一步包括：一第一接觸孔，形成在該感測線上；一第二接觸孔，形成在該第一子像素和該第四子像素的該電路區域中；以及一第三接觸孔，形成在該感測線的一突起中， 其中該第二接觸孔和該第三接觸設置於相同的位置上，並且該第一接觸孔設置在與該第二接觸孔和該第三接觸孔不同的位置上。
  14. 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，進一步包括：一第一接觸孔，形成在該感測線上；一第二接觸孔，形成在該第一子像素和該第四子像素的該電路區域中；以及一第三接觸孔，形成在該感測線的一突起中，其中該第一接觸孔和該第二接觸孔設置於相同的位置上，並且該第三接觸孔設置在與該第一接觸孔和該第二接觸孔不同的位置上。
  15. 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，進一步包括：一第一接觸孔，形成在該感測線上；一第二接觸孔，形成在該第一子像素和該第四子像素的該電路區域中；以及一第三接觸孔，形成在該感測線的一突起中，其中該第一接觸孔至該第三接觸孔設置在該電路區域中，並且該第一接觸孔設置在比該第二接觸孔和該第三接觸孔更靠外側。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI695276B (zh) * 2018-07-20 2020-06-01 大陸商騰訊科技（深圳）有限公司 推薦內容顯示方法、裝置、終端及儲存媒體

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106940984B (zh) * 2017-05-17 2019-12-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其驱动方法、有机发光显示装置
KR102355953B1 (ko) * 2017-09-29 2022-01-25 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102573641B1 (ko) 2018-07-02 2023-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200029226A (ko) * 2018-09-10 2020-03-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102676642B1 (ko) * 2018-09-28 2024-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110767106B (zh) 2018-09-30 2020-09-08 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示屏及显示终端
KR102528266B1 (ko) * 2018-11-16 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
JP6929267B2 (ja) * 2018-12-26 2021-09-01 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
CN212516502U (zh) * 2019-12-13 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
KR20210082713A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 Drd 방식의 표시 패널 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
WO2021215823A1 (ko) * 2020-04-24 2021-10-28 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈
KR20220000001A (ko) 2020-06-23 2022-01-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230103739A (ko) * 2021-12-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 이의 수리 방법
CN114675454A (zh) * 2022-02-28 2022-06-28 绵阳惠科光电科技有限公司 阵列基板、柔性液晶显示面板及其像素补偿方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101910113B1 (ko) * 2012-03-16 2018-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102123979B1 (ko) * 2013-12-09 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치
TWM491878U (zh) * 2014-05-29 2014-12-11 Superc Touch Corp 以透明感應電極連接金屬走線的觸控顯示結構
US9934723B2 (en) 2014-06-25 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same
KR102192473B1 (ko) 2014-08-01 2020-12-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102183530B1 (ko) 2014-08-14 2020-11-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널
KR102183494B1 (ko) * 2014-08-21 2020-11-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102182012B1 (ko) * 2014-11-21 2020-11-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN104393025B (zh) * 2014-12-09 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、触控显示面板和触控显示装置
KR102584959B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-06 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180047540A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI695276B (zh) * 2018-07-20 2020-06-01 大陸商騰訊科技（深圳）有限公司 推薦內容顯示方法、裝置、終端及儲存媒體

Also Published As

Publication number Publication date
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