TW201814395A - 圖案崩壞恢復方法、基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

一種圖案崩壞恢復方法，係使形成於基板之表面且已崩壞的圖案恢復的方法，該圖案崩壞恢復方法係包含：反應氣體供給工序，係對前述基板之前述表面供給能夠與夾雜於前述表面之生成物起反應的反應氣體。

Description

圖案崩壞恢復方法、基板處理方法以及基板處理裝置
本發明係關於一種圖案崩壞恢復方法、基板處理方法以及基板處理裝置。成為處理對象的基板包含例如半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置的製程中係使用藥液或沖洗液(rinse liquid)等的處理液來處理半導體晶圓等的基板之表面。
例如，逐片處理基板的葉片式之基板處理裝置係具備：自轉夾盤(spin chuck)，係一邊大致水平地保持基板，一邊使該基板旋轉；以及噴嘴(nozzle)，係將處理液供給至藉由該自轉夾盤而旋轉的基板之上表面。
在典型的基板處理工序中係對保持於自轉夾盤的基板供給藥液，之後藉由供給沖洗液而使基板上的藥液置換成沖洗液。一般的沖洗液是去離子水。
之後，為了排除基板上的沖洗液，係執行乾燥工序。 作為乾燥工序，已知的有以高速旋轉基板而使基板甩動乾燥的離心脫水(spin dry)工序。
但是，形成於基板之表面的凸狀圖案、線狀圖案等的圖案，在乾燥工序中，恐有因沖洗液所具有的表面張力等而引起崩壞之虞。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：US Unexamined Patent Application No. US2008/190454 A1公報
本案發明人等係檢討使離心脫水工序中已崩壞的圖案在後來恢復。
因此，本發明之一目的在於提供一種可以使已崩壞之圖案恢復的圖案崩壞恢復方法、基板處理方法以及基板處理裝置。
本發明提供一種圖案崩壞恢復方法，係使形成於基板之表面且已崩壞的圖案恢復的方法，該圖案崩壞恢復方法係包含：反應氣體供給工序，係對前述基板之前述表面供給能夠與夾雜於前述表面之生成物起反應的反應氣體。
本案發明人係已發現以下的知識見解。亦即，在具有彈性的圖案上已發生崩壞的情況下，使欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力某程度地作用於已崩壞的圖案上。
然而，實際上，即便圖案具有彈性，仍會維持崩壞狀態。本案發明人認為作為崩壞狀態被維持的主要原因之一係在於：鄰接的圖案崩壞會使其前端部彼此相互地接觸，而相互地接觸的前端部彼此會因為伴隨基板處理所產生的生成物而被黏合。
依據本方法，則是對基板之表面供給有能夠與夾雜於該表面之生成物反應的反應氣體。在已崩壞的圖案之前端部彼此因前述生成物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的反應氣體會與已崩壞的圖案之前端部彼此相黏合的生成物(已下，稱為「生成黏合物」)起反應，藉由該反應而分解生成黏合物。藉此，能夠從圖案之前端部去除生成黏合物。
藉由從圖案之前端部去除生成黏合物，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作用。藉此，能使已崩壞的圖案恢復。
在本發明之一實施形態中，前述反應氣體供給工序係包含：氟化氫蒸氣供給工序，係對前述基板之前述表面供給包含氟化氫的蒸氣。
在使用矽基板作為基板等的情況中，有時會在基板之表面夾雜矽氧化物。在此情況下，黏合已崩壞的圖案之前端部彼此的生成黏合物，主要是認為包含矽氧化物。
依據本方法，則是對基板之表面供給包含氟化氫的蒸氣。如化學式(1)所示，氟化氫係與矽氧化物起反應，且分解成H2SiF6和水。
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O…(1)
因此，在已崩壞的圖案之前端部彼此因矽氧化物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的包含氟化氫的蒸氣會與包含矽氧化物的生成黏合物起反應而分解。藉此，能從圖案之前端部去除生成黏合物。
藉由從圖案之前端部去除生成黏合物，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作用。藉此，可以使已崩壞的圖案恢復。
前述圖案崩壞恢復方法，亦可更包含：基板加熱工序，係與前述氟化氫蒸氣供給工序並行，用以加熱前述基板。
藉由氟化氫與矽氧化物起反應，恐有生成殘渣(例如H2SiF6之殘渣)之虞。
依據本方法，係與包含氟化氫的蒸氣對基板之供給並行，用以加熱基板。藉此，能使殘渣蒸發而從基板之表面去除殘渣。
基板之表面的加熱溫度例如係設置為比H2SiF6之沸點(約109℃)更高溫。
前述圖案崩壞恢復方法，亦可更包含：水蒸氣供給工序，係在前述氟化氫蒸氣供給工序之後，對前述基板之前述表面供給水蒸氣。
在氟化氫蒸氣供給工序後的基板之表面恐有殘留氟之虞。
依據本方法，則是在氟化氫蒸氣供給工序之後，對基板之表面供給水蒸氣。因水蒸氣會與氟良好地反應，故而暫留於基板之表面的氟能藉由供給至基板之表面的水蒸氣 所去除。藉此，就不會發生氟之殘留，而能使已崩壞的圖案恢復。
前述反應氣體供給工序亦可包含：臭氧氣(ozone gas)供給工序，係對前述基板之前述表面供給包含臭氧氣的氣體。
依據本方法，則是對基板之表面供給有包含臭氧氣的氣體。依據被用於基板處理的處理液之種類，有時會在基板之表面夾雜有機物。在此情況下，黏合已崩壞的圖案之前端部彼此的生成黏合物主要是認為包含有機物。
臭氧氣係與有機物反應。因此，在已崩壞的圖案之前端部彼此因有機物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的包含氟化氫的蒸氣會與包含有機物的生成黏合物起反應而分解，藉此從圖案之前端部去除生成黏合物。
當生成黏合物自圖案之前端部被去除時，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作用。藉此能使已崩壞的圖案恢復。
本發明提供一種基板處理方法，係處理在表面形成有圖案的基板的方法，該基板處理方法係包含：處理液供給工序，係對前述基板之表面供給處理液；離心脫水工序，係在前述處理液供給工序之後，以高速旋轉前述基板而使前述基板甩動乾燥；以及圖案恢復工序，係執行於前述離心脫水工序之後，用以執行對前述基板之前述表面供給能夠與夾雜於前述表面之生成物起反應的反應氣體的反應氣體供給工序，以使已崩壞的前述圖案恢復。
本案發明人係已發現以下的知識見解。亦即，在具有彈性的圖案上已發生崩壞的情況下，使欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力某程度地作用於已崩壞的圖案上。
然而，實際上，即便圖案具有彈性，仍會維持崩壞狀態。本案發明人認為作為崩壞狀態被維持的主要原因之一係在於：鄰接的圖案崩壞會使其前端部彼此相互地接觸，而相互地接觸的前端部彼此會因為伴隨基板處理所產生的生成物而被黏合。
依據本方法，則是對基板之表面供給有能夠與夾雜於該表面之生成物起反應的反應氣體。在已崩壞的圖案之前端部彼此因前述生成物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的反應氣體會與生成黏合物反應，藉由此反應而分解生成黏合物。藉此，能從圖案之前端部去除生成黏合物。
當生成黏合物從圖案之前端部被去除時，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作用。藉此，能在圖案恢復工序中使已崩壞的圖案恢復。
此外，圖案恢復工序，係執行於離心脫水工序之後。在基板處理時的離心脫水工序中，即便是形成於基板之表面的圖案已崩壞的情況下，仍可以在後來所執行的圖案恢復工序中恢復已崩壞的圖案。
在本發明之一實施形態中，前述反應氣體供給工序係包含：氟化氫蒸氣供給工序，係對前述基板之前述表面供給包含氟化氫的蒸氣。
在使用矽基板作為基板等的情況中，有時會在基板之 表面夾雜矽氧化物。在此情況下，黏合已崩壞的圖案之前端部彼此的生成黏合物主要是認為包含矽氧化物。
依據本方法，則是對基板之表面供給包含氟化氫的蒸氣。如化學式(2)所示，氟化氫係與矽氧化物反應，且分解成H2SiF6和水。
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O…(2)
因此，在已崩壞的圖案之前端部彼此因矽氧化物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的包含氟化氫的蒸氣會與包含矽氧化物的生成黏合物起反應而分解。藉此，能從圖案之前端部去除生成黏合物。
藉由從圖案之前端部去除生成黏合物，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作用。藉此，能使已崩壞的圖案恢復。
前述基板處理方法，亦可更包含：基板加熱工序，係與前述氟化氫蒸氣供給工序並行，用以加熱前述基板。
藉由氟化氫與矽氧化物反應，恐有生成殘渣(例如H2SiF6之殘渣)之虞。
依據本方法，能與包含氟化氫的蒸氣對基板之供給並行，用以加熱基板。藉此，能使殘渣蒸發而從基板之表面去除殘渣。
基板之表面的加熱溫度例如係設置為比H2SiF6之沸點(約109℃)更高溫。
前述基板處理方法，亦可更包含：水蒸氣供給工序，係在前述氟化氫蒸氣供給工序之後，對前述基板之前述表 面供給水蒸氣。
在氟化氫蒸氣供給工序後的基板之表面恐有殘留氟之虞。
依據本方法，則是在氟化氫蒸氣供給工序之後，對基板之表面供給水蒸氣。因水蒸氣會與氟良好地反應，故而暫留於基板之表面的氟能藉由供給至基板之表面的水蒸氣所去除。藉此，就不會發生氟之殘留，而能使已崩壞的圖案恢復。
前述反應氣體供給工序亦可包含：臭氧氣供給工序，係對前述基板之前述表面供給包含臭氧氣的氣體。
依據本方法，係對基板之表面供給有包含臭氧氣的氣體。依據被用於基板處理的處理液之種類，有時會在基板之表面夾雜有機物。在此情況下，黏合已崩壞的圖案之前端部彼此的生成黏合物主要是認為包含有機物。
臭氧氣係與有機物反應。因此，在已崩壞的圖案之前端部彼此因有機物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的包含氟化氫的蒸氣會與包含有機物的生成黏合物反應而被分解，藉此，能從圖案之前端部去除生成黏合物。
當生成黏合物從圖案之前端部被去除時，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作用。藉此，能使已崩壞的圖案恢復。
本發明提供一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持表面形成有圖案的基板；旋轉單元，係使由前述基板保持單元所保持的基板繞通過其中央部的旋轉軸線 旋轉；處理液供給單元，用以對由前述基板保持單元所保持的基板之表面供給處理液；反應氣體供給單元，用以對由前述基板保持單元所保持的基板之表面，供給能夠與夾雜於該表面之生成物起反應的反應氣體；以及控制裝置，係控制前述旋轉單元、前述處理液供給單元及前述反應氣體供給單元；前述控制裝置係執行以下的工序：處理液供給工序，係對前述基板之表面供給處理液；離心脫水工序，係在前述處理液供給工序之後，以高速旋轉前述基板而使前述基板甩動乾燥；以及圖案恢復工序，係執行在前述離心脫水工序之後，用以執行對前述基板之前述表面供給能夠與夾雜於前述表面之生成物起反應的反應氣體的反應氣體供給工序，以使已崩壞的前述圖案恢復。
本案發明人係已發現以下的知識見解。亦即，在具有彈性的圖案上已發生崩壞的情況下，使欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力某程度地作用於已崩壞的圖案上。
然而，實際上，即便圖案具有彈性，仍會維持崩壞狀態。本案發明人認為作為崩壞狀態被維持的主要原因之一係在於：鄰接的圖案崩壞會使其前端部彼此相互地接觸，而相互地接觸的前端部彼此會因為伴隨基板處理所產生的生成物而被黏合。
依據本構成，則是在圖案恢復工序中，對基板之表面供給有能夠與夾雜於該表面之生成物反應的反應氣體。在已崩壞的圖案之前端部彼此因前述生成物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的反應氣體會與生成黏合物反應，藉由該 反應而從圖案之前端部去除生成黏合物。
當生成黏合物自圖案之前端部被去除時，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作用。藉此，在圖案恢復工序中，能使已崩壞的圖案恢復。
此外，圖案恢復工序，係執行於離心脫水工序之後。在基板處理時的離心脫水工序中，即便是形成於基板之表面的圖案已崩壞的情況下，亦能在後來所執行的圖案恢復工序中恢復已崩壞的圖案。
在本發明之一實施形態中，前述控制裝置係在前述反應氣體供給工序中，執行對前述基板之前述表面供給包含氟化氫的蒸氣的氟化氫蒸氣供給工序。
在使用矽基板作為基板等的情況中，有時會在基板之表面夾雜矽氧化物。在此情況下，黏合已崩壞的圖案之前端部彼此的生成黏合物主要是認為包含矽氧化物。
依據本構成，則是對基板之表面供給包含氟化氫的蒸氣。如化學式(3)所示，氟化氫係與矽氧化物反應，且分解成H2SiF6和水。
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O…(3)
因此，在已崩壞的圖案之前端部彼此因為矽氧化物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的包含氟化氫的蒸氣會與包含矽氧化物的生成黏合物起反應而分解。藉此，能從圖案之前端部去除生成黏合物。
藉由從圖案之前端部去除生成黏合物，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作 用。藉此，能使已崩壞的圖案恢復。
前述基板處理方法，亦可更包含：基板加熱工序，係與前述氟化氫蒸氣供給工序並行，用以加熱前述基板。
藉由氟化氫與矽氧化物反應，恐有生成殘渣(例如H2SiF6之殘渣)之虞。
依據本構成，能與包含氟化氫的蒸氣對基板之供給並行，用以加熱基板。藉此，能使殘渣蒸發而從基板之表面去除殘渣。
基板之表面的加熱溫度例如係設置為比H2SiF6之沸點(約109℃)更高溫。
前述控制裝置，亦可更進一步執行與前述氟化氫蒸氣供給工序並行且用以加熱前述基板的基板加熱工序。
在氟化氫蒸氣供給工序後的基板之表面恐有殘留氟之虞。
依據本構成，則是在氟化氫蒸氣供給工序之後，對基板之表面供給水蒸氣。因水蒸氣會與氟良好地反應，故而暫留於基板之表面的氟能藉由供給至基板之表面的水蒸氣所去除。藉此，就不會發生氟之殘留，而能使已崩壞的圖案恢復。
前述控制裝置，亦可在前述反應氣體供給工序中執行對前述基板之前述表面供給包含臭氧氣的氣體的臭氧氣供給工序。
依據本構成，係對基板之表面供給有包含臭氧氣的氣體。依據被用於基板處理的處理液之種類，有時會在基板 之表面夾雜有機物。在此情況下，黏合已崩壞的圖案之前端部彼此的生成黏合物主要是認為包含有機物。
臭氧氣係與有機物反應。因此，在已崩壞的圖案之前端部彼此因為有機物而被黏合的情況下，已供給至基板之表面的包含氟化氫的蒸氣會與包含有機物的生成黏合物反應而被分解，藉此，能從圖案之前端部去除生成黏合物。
當生成黏合物從圖案之前端部被去除時，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會對已崩壞的圖案起作用。藉此，能使已崩壞的圖案恢復。
本發明中的上述目的、特徵與功效以及其他目的、特徵與功效係可參照圖示並藉由下述的實施形態的說明而更加明瞭。
1、201、301‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
2A‧‧‧液體處理單元
2B、2C、302‧‧‧恢復處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧第一腔室
5‧‧‧自轉夾盤
6、352‧‧‧藥液供給單元
7、353‧‧‧沖洗液供給單元
8‧‧‧有機溶劑供給單元
9‧‧‧處理杯
10、58‧‧‧旋轉馬達
11、57‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧夾持構件
14‧‧‧藥液噴嘴
15‧‧‧藥液配管
16‧‧‧藥液閥
17‧‧‧沖洗液噴嘴
18‧‧‧沖洗液配管
19‧‧‧沖洗液閥
20‧‧‧有機溶劑噴嘴
21‧‧‧有機溶劑配管
22‧‧‧有機溶劑閥
23、43‧‧‧搬出搬入口
24、44‧‧‧擋門
25、45‧‧‧擋門開閉單元
28‧‧‧第二腔室
31‧‧‧保持板
32、232、304‧‧‧基板保持單元
33、315‧‧‧氟化氫蒸氣供給單元
34、316‧‧‧水蒸氣供給單元
36‧‧‧升降銷
37‧‧‧支撐構件
38‧‧‧升降銷升降單元
39‧‧‧周壁
40‧‧‧上壁
41‧‧‧底壁
42‧‧‧加熱器
46‧‧‧氟化氫蒸氣導入配管
47、318‧‧‧氟化氫蒸氣閥
48‧‧‧水蒸氣導入配管
49、320‧‧‧水蒸氣閥
50‧‧‧整流板
51、313‧‧‧噴出孔
52‧‧‧惰性氣體閥
53‧‧‧惰性氣體導入配管
54‧‧‧排氣口
55‧‧‧排氣配管
56‧‧‧排氣閥
61‧‧‧矽基板
62‧‧‧圖案
62a‧‧‧前端部
63‧‧‧生成黏合物
203‧‧‧臭氧氣供給單元
204‧‧‧臭氧氣導入配管
205‧‧‧臭氧氣閥
228‧‧‧第三腔室
303‧‧‧第四腔室
305‧‧‧對向構件
307‧‧‧半密閉空間
308‧‧‧對向板
309‧‧‧支軸
310‧‧‧圓板部
311‧‧‧筒狀部
312‧‧‧噴嘴
313‧‧‧噴出口
314‧‧‧對向板升降單元
317‧‧‧氟化氫蒸氣配管
319‧‧‧水蒸氣配管
351‧‧‧處理液供給單元
A1、A2‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧承載器
CR‧‧‧基板搬運機器人
H‧‧‧液面高度
H1‧‧‧手部
IR‧‧‧搬運機器人
LP‧‧‧裝載埠
T‧‧‧膜厚
W‧‧‧基板
W1‧‧‧線寬
W2‧‧‧間隔
圖1係用以說明本發明之第一實施形態的基板處理裝置之內部之布局(layout)的俯視圖。
圖2係用以說明前述基板處理裝置中所具備的液體處理單元的構成例之示意性的剖視圖。
圖3係用以說明前述基板處理裝置中所具備的恢復處理單元的構成例之示意性的剖視圖。
圖4係用以說明前述基板處理裝置之主要部分之電性構成的方塊圖。
圖5A係用以說明藉由前述基板處理裝置而執行的第一基板處理例之流程圖。
圖5B係用以說明藉由前述基板處理裝置而執行的第 一基板處理例之流程圖。
圖6A至圖6C係用以說明圖案之崩壞之示意性的示意圖。
圖7A及圖7B係用以說明已崩壞的圖案之恢復之示意性的示意圖。
圖8係用以說明本發明之第二實施形態的基板處理裝置之內部之布局的俯視圖。
圖9係用以說明前述基板處理裝置所具備的恢復處理單元之構成例之示意性的剖視圖。
圖10係用以說明前述基板處理裝置之主要部分之電性構成的方塊圖。
圖11係用以說明藉由前述基板處理裝置而執行的第二基板處理例之流程圖。
圖12係用以說明本發明之第三實施形態的基板處理裝置之恢復處理單元之構成例之示意性的剖視圖。
圖13係顯示第一恢復試驗之結果的示意圖。
圖14A及圖14B係用以說明第一恢復試驗之結果的影像圖。
圖15係顯示第二恢復試驗之結果的示意圖。
圖1係用以說明本發明之一實施形態的基板處理裝置1之內部之布局之示意性的俯視圖。基板處理裝置1係指藉由處理液或處理氣體逐片處理半導體晶圓等的圓板狀之基板W的葉片式之裝置。在基板處理裝置1之處理對象的 基板W之表面係形成有圖案。基板處理裝置1係包含：複數個處理單元2，係處理基板W；裝載埠(load port)LP，係載置用以收容在處理單元2所處理的複數片基板W的承載器(carrier)C；搬運機器人(robot)IR及基板搬運機器人CR，係在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制裝置3，係控制基板處理裝置1。搬運機器人IR及基板搬運機器人CR係藉由控制裝置3而控制。搬運機器人IR係在承載器C與基板搬運機器人CR之間搬運基板W。基板搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2係包含：液體處理單元2A，係對基板W之表面(圖案形成面)供給處理液，並以處理液來處理基板W；以及恢復處理單元2B，用以使因液體處理單元2A所致的處理之結果已崩壞的圖案恢復。
圖2係用以說明基板處理裝置1中所具備的液體處理單元2A的構成例之示意性的剖視圖。
液體處理單元2A係使用洗淨藥液或蝕刻液來處理基板W。液體處理單元2A係包含：箱形之第一腔室4；自轉夾盤(基板保持單元、旋轉單元)5，係在第一腔室4內一邊將基板W保持於水平一邊使基板W繞通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1旋轉；藥液供給單元(處理液供給單元)6，用以將藥液供給至由自轉夾盤5所保持的基板W之上表面；沖洗液供給單元(處理液供給單元)7，用以將沖洗液供給至基板W之上表面；有機溶劑供給單元(處理液供給單元)8，用以將具有比水更低之表面張力的有機溶劑 之液體供給至由自轉夾盤5所保持的基板W之上表面；以及筒狀之處理杯9，係包圍自轉夾盤5。
作為自轉夾盤5，係採用將基板W包夾於水平方向而使基板W水平地保持的夾持式之夾盤。具體而言，自轉夾盤5係包含：旋轉馬達(spin motor)10；旋轉軸11，係與該旋轉馬達10之驅動軸一體化；以及圓板狀之旋轉基座(spin base)12，係大致水平地安裝於旋轉軸11之上端。
在旋轉基座12之上表面係在其周緣部配置有複數個(三個以上。例如六個)夾持構件13。複數個夾持構件13係在與基板W之外周形狀對應的圓周上隔出適當的間隔並配置於旋轉基座12之上表面周緣部。
此外，作為自轉夾盤5係不限於夾持式，例如亦可採用藉由真空吸附基板W之背面，且以水平之姿勢保持基板W，進而藉由在該狀態下繞鉛直的旋轉軸線旋轉，而使由自轉夾盤5所保持的基板W旋轉的真空吸附式夾盤(vacuum chuck；真空夾盤)。
藥液供給單元6係包含藥液噴嘴14。藥液噴嘴14例如係以連續流動的狀態噴出液體的直式噴嘴(straight nozzle)，且在自轉夾盤5的上方將藥液噴嘴14的噴出口朝向基板W的上表面的中央部固定性地配置。在藥液噴嘴14係連接有被供給有來自藥液供給源之藥液之藥液配管15。在藥液配管15的途中部係夾設有用以切換來自藥液噴嘴14的藥液供給或停止供給的藥液閥16。當藥液閥16被開啟時，自藥液配管15供給至藥液噴嘴14的連續流動之 藥液係從設定於藥液噴嘴14之下端的噴出口噴出。此外，當藥液閥16被關閉時，停止從藥液配管15朝藥液噴嘴14供給藥液。藥液，例如是指包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸(citric acid)、草酸鹽(oxalate)等)、有機鹼(alkali)(例如，TMAH：tetra methyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲基銨等)、有機溶劑(例如，IPA：Isopropyl Alcohol；異丙醇等)、及界面活性劑、防腐劑之至少一個的液體。
沖洗液供給單元7係包含沖洗液噴嘴17。沖洗液噴嘴17例如係以連續流動的狀態噴出液體的直式噴嘴，且在自轉夾盤5的上方將沖洗液噴嘴17的噴出口朝向基板W的上表面的中央部固定性地配置。沖洗液噴嘴17係連接有被供給有來自沖洗液供給源之沖洗液之沖洗液配管18。在沖洗液配管18的途中部夾設有用以切換來自沖洗液噴嘴17的沖洗液之供給或停止供給的沖洗液閥19。沖洗液閥19被開啟時，自沖洗液配管18供給至沖洗液噴嘴17的連續流動之沖洗液，係從設定於沖洗液噴嘴17之下端的噴出口噴出。此外，沖洗液閥19被關閉時，停止從沖洗液配管18朝沖洗液噴嘴17供給沖洗液。沖洗液，例如是去離子水(DIW)。不限於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如，10ppm至100ppm左右)的鹽酸水之其中任一種。
有機溶劑供給單元8係包含有機溶劑噴嘴20。有機溶劑噴嘴20例如係以連續流動的狀態噴出液體的直式噴 嘴，且在自轉夾盤5的上方將有機溶劑噴嘴20的噴出口朝向基板W的上表面的中央部固定性地配置。在有機溶劑噴嘴20係連接有被供給有來自有機溶劑供給源之液體的有機溶劑之有機溶劑配管21。在有機溶劑配管21的途中部夾設有用以切換來自有機溶劑噴嘴20的有機溶劑之供給或停止供給的有機溶劑閥22。當有機溶劑閥22被開啟時，自有機溶劑配管21供給至有機溶劑噴嘴20的連續流動之有機溶劑係從設定於有機溶劑噴嘴20之下端的噴出口噴出。此外，當有機溶劑閥22被關閉時，停止從有機溶劑配管21朝有機溶劑噴嘴20供給有機溶劑。液體之有機溶劑，例如是異丙醇(Isopropyl Alcohol：IPA)。液體之有機溶劑，除了IPA以外，還可以例示甲醇(methanole)、乙醇(ethanol)、丙酮(acetone)、HFE(hydro fluoro ether；氫氟醚)。此等皆為表面張力比水(DIW)更小的有機溶劑。
此外，藥液噴嘴14、沖洗液噴嘴17及有機溶劑噴嘴20無須分別朝向自轉夾盤5固定性地配置，亦可採用例如所謂掃描噴嘴(scan nozzle)的形態，該掃描噴嘴係安裝於自轉夾盤5的上方中於水平面內搖動的臂上，並藉由該臂的擺動掃描基板W之上表面中的處理液的著液位置。
在第一腔室4之側方的隔壁係形成有用以搬人或搬出基板W的搬出搬入口23。液體處理單元2A係更包含：擋門(shutter)24，用以開閉搬出搬入口23；以及擋門開閉單元25，係包含用以開閉驅動擋門24的汽缸(cylinder)等。
圖3係用以說明基板處理裝置1中所具備的恢復處理 單元2B的構成例之示意性的剖視圖。
恢復處理單元2B係將反應氣體(能夠與夾雜於基板W之表面的生成物起反應的反應氣體)供給至基板W之表面，以使圖案恢復。作為反應氣體，恢復處理單元2B係使用包含氟化氫(HF)的蒸氣(HF vapor。以下，稱為「氟化氫蒸氣」)。
恢復處理單元2B係包含：例如筒狀(圓筒狀)之第二腔室28；基板保持單元32，係收容於第二腔室28內，且包含保持板31；氟化氫蒸氣供給單元(反應氣體供給單元)33，用以對由保持板31所保持的基板W之上表面供給氟化氫蒸氣；以及水蒸氣供給單元34，用以對由保持板31所保持的基板W之上表面供給水蒸氣。
第二腔室28係包含：周壁39；以及上下對向的上壁40及底壁41。第二腔室28係為使用蒸氣來處理基板W的蒸氣處理腔室(Vapor Process Chamber：VPC)。
在保持板31之內部係埋設有用以加熱由保持板31所保持的基板W的加熱器42。藉由加熱器42之發熱來加溫保持板31之上表面。亦即，保持板31係具有作為加熱板(hot plate)的功能，且從下方來保持基板W，並且從下方來加熱保持對象的基板W。
基板保持單元32係更包含：複數支(例如，三支)升降銷(lift pin)36，係使基板W相對於保持板31而升降；共通之支撐構件37，係支撐複數支升降銷36；以及升降銷升降單元38，係結合於支撐構件37，且包含汽缸。
保持板31係固定於朝向鉛直方向延伸的旋轉軸57之上端。在旋轉軸57係結合有使旋轉軸57繞與旋轉軸57之中心軸線一致的旋轉軸線A2旋轉的旋轉馬達58。
複數支升降銷36係插通於第二腔室28之底壁41，且在第二腔室28外由支撐構件37所支撐。升降銷升降單元38係在上位置(例如，能夠在與基板搬運機器人CR之間進行基板W之遞送的位置。圖3之二點鏈線所圖示)與下位置(圖3之實線所圖示)之間使複數支升降銷36一體性地升降，該上位置係指複數支升降銷36之前端朝向保持板31之上方突出的位置，該下位置係指複數支升降銷36之前端退避至保持板31之下方的位置。
此外，在第二腔室28之周壁39係形成有基板W相對於第二腔室28內之搬入或搬出用的搬出搬入口43。在周壁39之外側係設置有開閉搬出搬入口43的擋門44。擋門44係結合有包含汽缸等的擋門開閉單元45。擋門開閉單元45係使擋門44移動於擋門44封閉搬出搬入口43的閉合位置與開啟搬出搬入口43的開啟位置之間。
如圖3所示，氟化氫蒸氣供給單元33係包含設置於第二腔室28之上壁40的氟化氫蒸氣導入配管46。在氟化氫蒸氣導入配管46係供給有來自氟化氫蒸氣供給源的氟化氫蒸氣。供給至氟化氫蒸氣導入配管46的氟化氫蒸氣亦可包含承載氣體(carrier gas)(例如，氮氣等的惰性氣體)。氟化氫蒸氣導入配管46係貫通上壁40且將氟化氫蒸氣導入第二腔室28內。氟化氫蒸氣供給單元33係更包含開閉氟化 氫蒸氣導入配管46的氟化氫蒸氣閥47。
水蒸氣供給單元34係包含設置於第二腔室28之上壁40的水蒸氣導入配管48。在水蒸氣導入配管48中係供給有來自水蒸氣供給源的水蒸氣。供給至水蒸氣導入配管48的水之蒸氣亦可包含承載氣體(例如，氮氣等的惰性氣體)。水蒸氣導入配管48係貫通上壁40且將水蒸氣導入於第二腔室28內。自水蒸氣導入配管48導入於第二腔室28內的水蒸氣，較佳是具有水的沸點以上之溫度(例如約140℃)的過熱水蒸氣。水蒸氣供給單元34係更包含開閉水蒸氣導入配管48的水蒸氣閥49。
在第二腔室28之內部中，在上壁40與保持板31之間係配置有沿著水平的整流板50。在整流板50中係形成有與第二腔室28之內部對向的多數個噴出孔51。在上壁40與整流板50之間係劃分出用以擴散被供給至第二腔室28之內部的氣體(氟化氫蒸氣或水蒸氣)的擴散空間。
當氟化氫蒸氣閥47被開啟時，來自氟化氫蒸氣導入配管46的氟化氫蒸氣係供給至第二腔室28之內部。來自氟化氫蒸氣導入配管46的氟化氫蒸氣係自整流板50之多數個噴出孔51分散而噴出，且在第二腔室28內中構成在與上壁40之內面平行的面內成為大致均一之流速的淋浴狀，且落下在由保持板31所保持的基板W上。
此外，當水蒸氣閥49被開啟時，來自水蒸氣導入配管48的水蒸氣係供給至第二腔室28之內部。來自水蒸氣導入配管48的水蒸氣係自整流板50之多數個噴出孔51分散 而噴出，且在第二腔室28內中構成在與上壁40之內面平行的面內成為大致均一之流速的淋浴狀，且落下在由保持板31所保持的基板W上。
此外，在第二腔室28之例如周壁39中係設置有將作為惰性氣體之一例的氮氣導入於第二腔室28內的惰性氣體導入配管53。在惰性氣體導入配管53係透過惰性氣體閥52供給惰性氣體。惰性氣體導入配管53亦可設置於例如上壁。
此外，在第二腔室28之底壁41係形成有排氣口54。在排氣口54係連接有前端被連接於排氣源(未圖示)的排氣配管55之基端。在排氣配管55之途中部係夾設有排氣閥56。當排氣閥56被開啟時，第二腔室28內的氛圍係從排氣口54排氣，當排氣閥56被關閉時，停止來自排氣口54的排氣。
圖4係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電性構成的方塊圖。
控制裝置3係使用例如微電腦(microcomputer)所構成。控制裝置3係具有CPU(Central Processing Unit；中央處理器)等運算單元、固定記憶體器件、硬碟驅動器等記憶單元、以及輸出輸入單元。在記憶單元係記憶有用以讓運算單元執行的程式。
此外，控制裝置3係按照預先設定的程式來控制旋轉馬達10、擋門開閉單元25、旋轉馬達58、升降銷升降單元38、擋門開閉單元45、加熱器42等的動作。此外，控 制裝置3係按照預先設定的程式來開閉藥液閥16、沖洗液閥19、有機溶劑閥22、氟化氫蒸氣閥47、水蒸氣閥49、惰性氣體閥52、排氣閥56等。
圖5A及圖5B係用以說明藉由基板處理裝置1(液體處理單元2A及恢復處理單元2B)而執行的第一基板處理例之流程圖。圖6A至圖6C係用以說明圖案62之崩壞之示意性的示意圖。圖7A及圖7B係用以說明已崩壞的圖案62之恢復之示意性的示意圖。
以下，一邊參照圖1至圖5B一邊說明第一基板處理例。有關圖6A至圖6C及圖7A、圖7B係適當參照。藉由基板處理裝置1施予第一基板處理例時，首先，藉由液體處理單元2A對基板W施予液體處理，之後，藉由恢復處理單元2B對基板W施予恢復處理。藉由液體處理單元2A對基板W所施予的液體處理係指洗淨處理或蝕刻處理。
首先，說明藉由液體處理單元2A所為之對基板W的液體處理。在執行藉由液體處理單元2A所為的液體處理時，未洗淨的基板W會被搬入至第一腔室4之內部(圖5A之步驟S1)。
具體而言，控制裝置3係使保持著基板W的基板搬運機器人CR(參照圖1)之手部H1(參照圖1)進入第一腔室4之內部。藉此，基板W係以使其表面(處理對象面)朝向上方的狀態下遞送至自轉夾盤5。之後，基板W保持於自轉夾盤5。如圖6A等所示，被搬入至第一腔室4之內部的基板W係在例如矽(Si)基板61(半導體基板之一例)之表面形 成有微細的圖案(薄膜圖案)62。圖案62亦可以以例如線寬W1為10nm至45nm左右，鄰接的圖案間之間隔W2為10nm至數μm左右而形成。形成圖案62的構造體之膜厚T，例如為50nm至5μm左右。此外，該構造體，例如縱橫比(aspect ratio)(膜厚T相對於線寬W1的比)亦可為例如5至500左右。
在基板W保持於自轉夾盤5之後，控制裝置3係控制旋轉馬達10(參照圖2)以使基板W開始旋轉(圖5A之步驟S2)。
當基板W之旋轉到達預先設定的液體處理速度(例如約800rpm)時，控制裝置3係執行對基板W之表面供給藥液的藥液工序(圖5A之步驟S3)。具體而言，控制裝置3係開啟藥液閥16。藉此，朝向旋轉狀態的基板W之表面自藥液噴嘴14供給藥液。被供給的藥液係藉由離心力遍及於基板W之全面，且對基板W施予使用藥液的藥液處理。當從藥液之噴出開始經過預先設定的期間時，控制裝置3係關閉藥液閥16並停止來自藥液噴嘴14的藥液之噴出。藉此，結束藥液工序(S3)。
接著，控制裝置3係執行用以將基板W上之藥液置換成沖洗液並從基板W上排除藥液的沖洗液工序(圖5A之步驟S4)。具體而言，控制裝置3係開啟沖洗液閥19。藉此，朝向旋轉狀態的基板W之表面，自沖洗液噴嘴17噴出沖洗液。所噴出的沖洗液係藉由離心力而遍及於基板W之全面。藉由該沖洗液來沖走附著於基板W上的藥液。
當從沖洗液之供給開始經過預先設定的期間時，控制裝置3就會在沖洗液覆蓋基板W之上表面整體的狀態下，控制旋轉馬達10以使基板W之轉速自液體處理速度階段性地減速至覆漿速度(paddle speed)(零或約40rpm以下的低轉速。例如約10rpm)為止。之後，將基板W之轉速維持於覆漿速度。藉此，如圖6A所示，在基板W之表面使覆蓋基板W之上表面整體的水之液膜保持成漿(paddle)狀。
接著，基板W上的沖洗液被置換成係表面張力更低之低表面張力液的有機溶劑(圖5A之步驟S5)。具體而言，控制裝置3係開啟有機溶劑閥22並朝向基板W之表面自有機溶劑噴嘴20噴出液體的有機溶劑(例如IPA)。藉此，形成於基板W之表面的液膜中所包含的沖洗液被置換成有機溶劑，且在基板W之表面形成(漿狀的)有機溶劑的液膜。在基板W之上表面上的沖洗液被置換成有機溶劑之後，控制裝置3係關閉有機溶劑閥22以停止來自有機溶劑噴嘴20的有機溶劑的噴出。
之後，控制裝置3係執行離心脫水工序(圖5A之步驟S6)。具體而言，控制裝置3係使基板W加速直至比液體處理速度更大之預定的離心脫水速度(例如約1000rpm)為止，且以該離心脫水速度來使基板W旋轉。藉此，較大的離心力係施加於基板W上的液體，而使附著於基板W的液體被甩離至基板W的周圍。如此，液體係從基板W去除而使基板W乾燥。
當從基板W之高速旋轉開始經過預先設定的期間 時，控制裝置3係控制旋轉馬達10以使藉由自轉夾盤5所為之對基板W的旋轉停止(圖5A之步驟S7)。
之後，從第一腔室4內搬出基板W(圖5A之步驟S8)。具體而言，控制裝置3係使基板搬運機器人CR之手部H1進入至第一腔室4之內部。然後，控制裝置3係使自轉夾盤5上的基板W保持於基板搬運機器人CR之手部H1。之後，控制裝置3係使基板搬運機器人CR之手部H1從第一腔室4內退避開。藉此，能使液體處理後的基板W自第一腔室4搬出。
在藉由液體處理單元2A所為的離心脫水工序(S6)中，係認為會發生圖案62之崩壞。在離心脫水工序(S6)中，如圖6A所示，在圖案62內形成有有機溶劑的液面(空氣與液體之界面)，有機溶劑之表面張力會作用於液面與圖案62之接觸位置。此時，已進入於圖案62之間的有機溶劑之液面高度H係在基板W之各處成為不均一，因此，認為是存在於圖案62之周圍的有機溶劑之液面高度H，會在形成圖案62的構造體之全周不均等的緣故。因此，作用於圖案62的有機溶劑之表面張力(毛細管力)會在該圖案62之全周不平衡，圖案62會朝向較大之表面張力所作用的方向傾倒。因此，如圖6B所示，會發生圖案62的崩壞。
另一方面，圖案62係具有彈性，在此情況下，即便在圖案62已發生崩壞的情況下，欲藉由圖案本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力仍會某程度地作用於已崩壞的圖案62上。
即便是圖案62具有彈性仍多會維持崩壞狀態。作為該主要原因之一，本案發明人認為是如圖6C所示，鄰接的圖案62崩壞會使其前端部62a彼此相互地接觸，而相互地接觸的前端部62a彼此會因為伴隨液體處理單元2A之液體處理所產生的生成黏合物63而被黏合。因此，認為是圖案62之豎起會受到阻礙。然後，認為是由於長期間維持圖案62之崩壞狀態，該圖案62就會記憶崩壞形狀，而使崩壞狀態被維持。如本實施形態所述，在使用矽基板61作為基板的情況下，生成黏合物63主要是認為包含矽氧化物。生成黏合物63亦可除了矽氧化物以外，還包含氧化鈦(TiO2)，或者亦可取代矽氧化物並包含氧化鈦(TiO2)。
其次，說明藉由恢復處理單元2B所為之對基板W的恢復處理(圖案恢復工序)。在執行藉由恢復處理單元2B所為的恢復處理時，藉由液體處理單元2A進行液體處理之後的基板W被搬入於第二腔室28之內部(圖5B之步驟S9)。在基板W往恢復處理單元2B內的搬入之前，控制裝置3係先控制擋門開閉單元45以使擋門44移動至開啟位置為止，藉此，搬出搬入口43會被開放。此外，在基板W往恢復處理單元2B內的搬人之前，控制裝置3係控制升降銷升降單元38以使升降銷36配置於其前端朝向保持板31之上方突出的位置。
具體而言，控制裝置3係使保持著基板W的基板搬運機器人CR(參照圖1)之手部H1(參照圖1)進入於第二腔室28之內部。藉此，基板W會在使其表面(處理對象面)朝向 上方的狀態下遞送至基板保持單元32。已搬入於第二腔室28內的基板W係藉由手部H1而載置於升降銷36上。之後，控制裝置3係控制升降銷升降單元38使升降銷36朝向下位置下降。藉由該升降銷36之下降，而使升降銷36上的基板W移載至保持板31上。然後，藉由產生於基板W之下表面與保持板31之上表面之間的摩擦力，使基板W被保持於保持板31。
在基板W往升降銷36上載置之後，控制裝置3係使手部H1從第二腔室28內退避開。在手部H1從第二腔室28內退避開之後，控制裝置3係控制擋門開閉單元45以使擋門44移動至閉合位置為止，藉此，搬出搬入口43能藉由擋門44而密閉，且第二腔室28內成為密閉空間。
在搬出搬入口43被密閉之後，控制裝置3係控制加熱器42自下表面側開始對基板W加熱(圖5B之步驟S10)，且使基板W升溫至比H2SiF6之沸點(約109℃)更高的預定之溫度(例如約120℃)為止。此外，在基板W保持於保持板31之後，控制裝置3係控制旋轉馬達58(參照圖3)以使基板W開始旋轉。
當基板W之溫度到達處理溫度(例如約120℃)，且基板W之旋轉到達恢復處理速度(例如約300rpm)時，控制裝置3係執行氟化氫蒸氣供給工序(圖5B之步驟S11)。氟化氫蒸氣供給工序(S11)係為對由保持板31所保持的基板W之表面供給氟化氫蒸氣的工序。具體而言，控制裝置3係藉由開啟氟化氫蒸氣閥47及排氣閥56，而從氟化氫蒸氣 導入配管46導入氟化氫蒸氣至第二腔室28內。藉此，如圖7A所示，能對基板W之表面整體供給氟化氫蒸氣。在此情況下，如化學式(2)所示，氟化氫係與矽氧化物反應，且分解成H2SiF6和水。
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O…(2)
在黏合已崩壞的圖案62之前端部62a彼此的生成黏合物63包含矽氧化物的情況下，已供給至基板W之表面的氟化氫蒸氣，會與包含矽氧化物的生成黏合物63起反應而分解，且生成H2SiF6。
此外，由於是與氟化氫蒸氣之供給並行，由於控制裝置3係控制加熱器42以升溫至比H2SiF6之沸點(約109℃)更高的溫度的方式來加熱基板W，因此能藉由使氟化氫蒸氣中所包含的氟化氫和矽氧化物(SiO2等)反應而產生的H2SiF6之殘渣蒸發，並從基板W之表面去除殘渣。
藉由自圖案62之前端部62a去除生成黏合物63，欲藉由圖案62本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力係作用於已崩壞的圖案62。藉此，如圖7B所示，已崩壞的圖案62就會豎起(恢復)。
此外，藉由與氟化氫蒸氣之供給並行，並使基板W旋轉，而使氟化氫蒸氣平均地供給至基板W之上表面整體。
在第一基板處理例中，供給至第二腔室28內的氟化氫蒸氣之供給流量係包含承載氣體並供給約15公升(liter)/分。此時的氟化氫蒸氣與承載氣體間之流量比，例如為約1：1。氟化氫蒸氣的供給時間，亦即氟化氫蒸氣供給工序 (S11)之執行時間約1分鐘。
當氟化氫蒸氣之供給開始經過預先設定的期間時，控制裝置3係關閉氟化氫蒸氣閥47。藉此，停止氟化氫蒸氣對基板W之表面的供給。
接著，控制裝置3係執行對基板W之表面供給水蒸氣的水蒸氣供給工序(圖5B之步驟S12)。具體而言，控制裝置3係開啟水蒸氣閥49。藉此，水蒸氣係自水蒸氣導入配管48導入至第二腔室28內，且該氟化氫蒸氣係供給至基板W之表面。此外，藉由與水蒸氣之供給並行，並使基板W旋轉，而使水蒸氣平均地供給至基板W之上表面整體。
水蒸氣係與氟良好地反應。因此，即便是在氟殘留於水蒸氣供給工序(S12)後的基板W之表面的情況下，藉由對基板之上表面供給水蒸氣來去除暫留於基板W之表面的氟。
接著，第二腔室28內的氛圍被置換成惰性氣體(圖5B之步驟S13)。具體而言，控制裝置3係開啟惰性氣體閥52。藉此，常溫的惰性氣體自惰性氣體導入配管53導入於第二腔室28內，其結果，使第二腔室28內部的氛圍會急速地被置換成自惰性氣體導入配管53所導入的惰性氣體。惰性氣體相對於第二腔室28內的供給時間(惰性氣體沖洗(purge)時間)約為30秒。
第二腔室28內的氛圍被置換成惰性氣體氛圍之後，控制裝置3係控制加熱器42以停止對基板W之加熱(圖5B之步驟S14)。此外，控制裝置3係關閉惰性氣體閥52及排 氣閥56。
之後，控制裝置3係控制升降銷升降單元38以使升降銷36上升至基板W相對於保持板31的上位置。藉由升降銷36之上升，使目前由保持板31所保持的基板W支撐於升降銷36。之後，控制裝置3係控制擋門開閉單元45以將擋門44配置於開啟位置，藉此使搬出搬入口43被開放。在此狀態下，藉由升降銷36所支撐的基板W係藉由基板搬運機器人CR從第二腔室28被搬出(圖5B之步驟S15)。
如上所述，依據本實施形態，於基板W之表面整體供給氟化氫蒸氣。在基板W之表面夾雜有矽氧化物。在此情況下，可認為生成黏合物63黏合著已崩壞的圖案之前端部彼此，此外，可認為生成黏合物63包含矽氧化物(SiO2等)。
在此情況下，因氟化氫蒸氣中所包含的氟化氫會與矽氧化物(SiO2等)反應，故已供給至基板W之表面的氟化氫蒸氣，會與包含矽氧化物的生成黏合物63反應而分解，藉此，能從圖案62之前端部62a去除生成黏合物63。
藉由自圖案62之前端部62a去除生成黏合物63，欲藉由圖案62本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會作用於已崩壞的圖案62。藉此，能使已崩壞的圖案62恢復。
此外，與氟化氫蒸氣對基板W之供給並行而加熱基板W。藉由氟化氫蒸氣中所包含的氟化氫與矽氧化物(SiO2等)反應，恐有生成H2SiF6之殘渣之虞。然而，藉由與氟化氫蒸氣對基板W之供給並行並加熱基板W，能使這類的殘渣蒸發，而自基板W之表面去除殘渣。
此外，在氟化氫蒸氣供給工序(S11)之後，執行水蒸氣供給工序(S12)。在氟化氫蒸氣供給工序(S11)後的基板W之表面，恐有殘留氟之虞(亦即，恐有發生所謂F殘留之虞)。因水蒸氣係與氟良好地反應，故而暫留於基板W之表面的氟得以藉由供給至基板W之表面的水蒸氣而被去除。藉此，不會發生氟之殘留，而能使已崩壞的圖案62恢復。
圖8係用以說明本發明之第二實施形態的基板處理裝置201之內部之布局的俯視圖。圖9係用以說明基板處理裝置201所具備的恢復處理單元2C之構成例之示意性的剖視圖。
在第二實施形態所示的實施形態中，在與前述第一實施形態共通的部分係附上與圖1至圖7B之情況相同的元件符號，並省略說明。基板處理裝置201與基板處理裝置1之差異點係在於具備恢復處理單元2C來取代恢復處理單元2B。
恢復處理單元2C係對基板W之表面供給反應氣體以使圖案恢復。恢復處理單元2C係使用包含臭氧氣的氣體(以下，稱為「臭氧氣氣體」)作為反應氣體。
如圖9所示，恢復處理單元2C係包含：例如筒狀(圓筒狀)之第三腔室228；基板保持單元232，係收容於第三腔室228內，且包含保持板31；以及臭氧氣供給單元(反應氣體供給單元)203，用以對由保持板31所保持的基板W之上表面供給臭氧氣氣體。
第二實施形態的第三腔室228係具有與第一實施形態的第二腔室28同等的構成。
第二實施形態的基板保持單元232係具有與第一實施形態的基板保持單元32同等的構成。
如圖9所示，臭氧氣供給單元203係包含設置於第二腔室28之上壁40的臭氧氣導入配管204。在臭氧氣導入配管204係供給有包含來自臭氧氣供給源之臭氧氣的氣體(以下，稱為「臭氧氣氣體」)。供給至臭氧氣導入配管204的臭氧氣氣體(O3)，亦可包含承載氣體(例如，氮氣等的惰性氣體)。臭氧氣導入配管204係貫通上壁40將臭氧氣氣體(O3)導入於第二腔室28內。臭氧氣供給單元203係更包含開閉臭氧氣導入配管204的臭氧氣閥205。
當臭氧氣閥205被開啟時，來自臭氧氣導入配管204的臭氧氣氣體(O3)係供給至第二腔室28的內部。來自臭氧氣導入配管204的臭氧氣氣體(O3)係自整流板50之多數個噴出孔51分散而噴出，且在第二腔室28內中構成在與上壁40之內面平行的面內成為大致均一之流速的淋浴狀，且落下在由保持板31所保持的基板W上。
圖10係用以說明基板處理裝置201之主要部分之電性構成的方塊圖。
控制裝置3係按照預先設定的程式來控制旋轉馬達10、擋門開閉單元25、旋轉馬達58、升降銷升降單元38、擋門開閉單元45、加熱器42等的動作。此外，控制裝置3係按照預先設定的程式來開閉藥液閥16、沖洗液閥19、有 機溶劑閥22、臭氧氣閥205、惰性氣體閥52、排氣閥56等。
圖11係用以說明藉由基板處理裝置201(液體處理單元2A及恢復處理單元2C)而執行的第二基板處理例之流程圖。
第二基板處理例係關於藉由液體處理單元2A對基板W所施予的液體處理，並與第一基板處理例共通。亦即，第二基板處理例係包含圖5A之步驟S1至步驟S8的各個工序。在圖11中係僅記載圖5A之步驟S9以後的工序。
根據在藥液工序(圖5A之步驟S3)中所用的藥液之種類，有時在液體處理(藉由液體處理單元2A所為的液體處理)後存在有機物。在此情況下，生成黏合物63(參照圖6C)主要是認為包含有機物。
以下，一邊參照圖8至圖11一邊說明第二基板處理例之恢復處理。第二基板處理例之恢復處理係在恢復處理單元2C中執行。在執行藉由恢復處理單元2C所為的恢復處理時，藉由液體處理單元2A進行液體處理之後的基板W會被搬入於第二腔室28之內部(圖11之步驟S21)。往恢復處理單元2C內的基板W之搬入係與往恢復處理單元2B(參照圖2)內的基板W之搬入(圖5B之步驟S9)同等的工序。
在基板W往升降銷36上載置之後，控制裝置3係使手部H1從第二腔室28內退避開。在手部H1從第二腔室28內退避開之後，控制裝置3係控制擋門開閉單元45以使擋門44移動至閉合位置為止，藉此，搬出搬入口23係 藉由擋門44而密閉，且第二腔室28內成為密閉空間。
在搬出搬入口43被密閉之後，控制裝置3係控制加熱器42自下表面側開始對基板W加熱，且使基板W升溫至預定之處理溫度(例如約120℃)為止。此外，控制裝置3係控制旋轉馬達58(參照圖3)以使基板W開始旋轉。
當基板W之溫度到達處理溫度(例如約120℃)，且基板W之旋轉到達恢復處理速度(例如約300rpm)時，控制裝置3係執行臭氧氣供給工序(圖11之步驟S22)。臭氧氣供給工序(S22)係為對由保持板31所保持的基板W之表面供給臭氧氣氣體(O3)的工序。具體而言，控制裝置3係藉由開啟臭氧氣閥205及排氣閥56，而從臭氧氣導入配管204導入臭氧氣氣體(O3)至第二腔室28內。藉此，能對基板W之表面整體供給臭氧氣氣體(O3)。在此情況下，臭氧氣氣體(O3)中所包含的臭氧氣係與有機物起反應，且使有機物分解。
在黏合已崩壞的圖案62(參照圖6B)之前端部62a(參照圖6B)彼此的生成黏合物63包含有機物的情況下，已供給至基板W之表面的臭氧氣氣體(O3)中所包含的臭氧氣，係與包含有機物的生成黏合物63反應而分解。藉此，自圖案62之前端部去除生成黏合物63。
藉由自圖案62之前端部62a去除生成黏合物63，欲藉由圖案62本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會作用於已崩壞的圖案62。藉此，已崩壞的圖62會豎起(恢復)。
此外，藉由與臭氧氣氣體(O3)之供給並行，並使基板 W旋轉，臭氧氣氣體(O3)就能平均地供給至基板W之上表面整體。
在本實施形態中，供給至第二腔室28內的臭氧氣氣體(O3)之供給流量係包含承載氣體並供給約20公升/分。此時的臭氧氣與承載氣體之流量比，例如係約1：7。臭氧氣氣體(O3)之供給時間，亦即臭氧氣供給工序(S22)之執行時間約3分鐘。
當臭氧氣氣體(O3)之供給開始經過預先設定的期間時，控制裝置3係關閉臭氧氣閥205。藉此，停止臭氧氣氣體(O3)對基板W之表面的供給。
接著，第二腔室28內的氛圍被置換成惰性氣體(圖11之步驟S23)。藉由恢復處理單元2C中之惰性氣體所為的置換係為與藉由恢復處理單元2B(參照圖2)中之惰性氣體所為的置換(圖5B之步驟S13)為同等的工序。
在第二腔室28內的氛圍被置換成惰性氣體氛圍之後，控制裝置3係控制加熱器42以停止對基板W的加熱。此外，控制裝置3係關閉惰性氣體閥52及排氣閥56。
之後，控制裝置3係控制升降銷升降單元38以使升降銷36上升至基板W相對於保持板31的上位置為止。藉由升降銷36之上升，使目前由保持板31所保持的基板W支撐於升降銷36。之後，控制裝置3係控制擋門開閉單元45以將擋門44配置於開啟位置，藉此而開放搬出搬入口43。在此狀態下，藉由升降銷36所支撐的基板W係藉由基板搬運機器人CR而從第二腔室28搬出(圖11之步驟S24)。
如上所述，依據本實施形態，能對基板W之表面供給臭氧氣氣體(O3)。在基板W之表面夾雜有機物。在此情況下，可認為生成黏合物63黏合著已崩壞的圖案之前端部彼此，此外，可認為生成黏合物63包含有機物。
在此情況下，因臭氧氣會與有機物反應，故已供給至基板W之表面的臭氧氣氣體(O3)中所包含的臭氧氣，會與包含有機物的生成黏合物63反應而分解，藉此，能自圖案62之前端部62a去除生成黏合物63。
藉由自圖案62之前端部62a去除生成黏合物63，欲藉由圖案62本身所具有的彈性而豎起(恢復)之力就會作用於已崩壞的圖案62。藉此，能使已崩壞的圖案62恢復。
圖12係用以說明本發明之第三實施形態的基板處理裝置301之恢復處理單元302之構成例之示意性的剖視圖。
在第三實施形態中，在與前述第一實施形態所示之各部對應的部分係附上與圖1至圖7B之情況相同的元件符號，並省略說明。
基板處理裝置301係具備恢復處理單元302來取代恢復處理單元2B。與第一實施形態的恢復處理單元2B之差異的一個點係在於：具備非為密閉腔室的第四腔室303作為腔室。恢復處理單元302係包含：箱狀之第四腔室303；收容於第四腔室303內之基板保持單元304；以及對向構件305，係與由基板保持單元304之保持板31所保持的基板W之上表面對向。基板保持單元304係為與第一實施形態的基板保持單元32(參照圖3)同等的構成。
在本實施形態中，藉由對向構件305接近於基板W之上表面，使其在對向構件305與基板W之上表面之間形成半密閉空間307。在該半密閉空間307中，進行氟化氫蒸氣對基板W之表面的供給。
對向構件305係包含大致圓板狀之對向板308。對向板308係配置於基板保持單元304之上方。對向板308係以水平之姿勢藉由朝向上下方向延伸的支軸309所支撐。對向板308係為具有與基板W同等或比基板W更大之外徑的圓板狀。對向板308之中心軸線係配置於旋轉軸線A1上。
對向板308係包含：配置成水平的圓板部310；以及沿著圓板部310之外周緣所設置的筒狀部311。筒狀部311亦可為圓錐台狀。具體而言，如圖12所示，筒狀部311亦可以從圓板部310之外周緣朝向外方擴展的方式朝向下方延伸。此外，如圖12所示，筒狀部311之壁厚亦可為隨著靠近筒狀部311之下端而減少。
恢復處理單元302係更包含噴出處理液的噴嘴312。噴嘴312係沿著上下方向貫通對向板308之中央部。在噴嘴312之下端部係形成有在對向板308之下表面中央部開口的噴出口313。噴嘴312係設置為能夠與對向板308一起朝向鉛直方向升降。
恢復處理單元302係更包含透過支軸309而連結於對向板308的對向板升降單元314。恢復處理單元302亦可更具備使對向板308繞對向板308之中心軸線旋轉的阻斷板 旋轉單元。對向板升降單元314係使對向板308在對向板308之下表面中央部鄰近於基板W之上表面的鄰近位置(圖12所示的位置)、與設置於鄰近位置之上方的退避位置(未圖示)之間升降。
恢復處理單元302係更包含：氟化氫蒸氣供給單元(反應氣體供給單元)315，係對噴出口313供給氟化氫蒸氣；以及水蒸氣供給單元316，係對噴出口313供給水蒸氣。氟化氫蒸氣供給單元315及水蒸氣供給單元316係分別取代第一實施形態的氟化氫蒸氣供給單元33(參照圖3)及水蒸氣供給單元34(參照圖3)來使用。
氟化氫蒸氣供給單元315係包含：氟化氫蒸氣配管317，係用以對噴嘴312供給氟化氫蒸氣；以及氟化氫蒸氣閥318，係用以開閉氟化氫蒸氣配管317。
水蒸氣供給單元316係包含：水蒸氣配管319，係用以對噴嘴312供給水蒸氣；以及水蒸氣閥320，係用以開閉水蒸氣配管319。
當在水蒸氣配管319已被關閉的狀態下而氟化氫蒸氣閥318被開啟時，係對噴嘴312供給氟化氫蒸氣，且自噴出口313朝向下方噴出氟化氫蒸氣。
另一方面，當在氟化氫蒸氣閥318已被關閉的狀態下水蒸氣配管319被開啟時，係對噴嘴312供給水蒸氣，且自噴出口313朝向下方噴出水蒸氣。
控制裝置3係按照預先設定的程式來控制旋轉馬達58、升降銷升降單元38、加熱器42等的動作。此外，控 制裝置3係按照預先設定的程式來開閉氟化氫蒸氣閥318、水蒸氣閥320等。
在恢復處理單元302中係執行與第一基板處理例同等的處理，且達成與已在第一基板處理例中所說明之作用功效同等的作用功效。在恢復處理單元302中所執行的恢復處理，僅有與前述第一基板處理例之恢復處理不同的部分會在以下說明。
當基板W之溫度到達處理溫度(例如約120℃)，且基板W之旋轉到達恢復處理速度(例如約300rpm)時，控制裝置3係執行氟化氫蒸氣供給工序(相當於圖5B之步驟S11)。具體而言，控制裝置3係控制對向板升降單元314以將對向板308配置於鄰近位置。藉此，在對向構件305與基板W之上表面之間形成有圓筒狀之半密閉空間307。此外，控制裝置3係開啟氟化氫蒸氣閥318及排氣閥56。藉此，來自氟化氫蒸氣配管317的氟化氫蒸氣係導入於半密閉空間307，且充滿於半密閉空間307，藉此，能對基板W之表面整體供給氟化氫蒸氣。
當從氟化氫蒸氣之供給開始經過預先設定的期間時，控制裝置3係關閉氟化氫蒸氣閥318。藉此，停止氟化氫蒸氣對基板W之表面的供給。
接著，控制裝置3係執行對基板W之表面供給水蒸氣的水蒸氣供給工序(相當於圖5B之步驟S12)。具體而言，控制裝置3係開啟水蒸氣閥320。藉此，來自水蒸氣配管319的水蒸氣係導入於半密閉空間307，且充滿於半密閉空 間307，藉此，於基板W之表面整體供給水蒸氣。
當從水蒸氣之噴出開始經過預先設定的期間時，控制裝置3係控制加熱器42而停止對基板W之加熱(相當於圖5B之步驟S14)。此外，控制裝置3係關閉惰性氣體閥52及排氣閥56。控制裝置3係控制對向板升降單元314以將對向板308配置於退避位置。
之後，控制裝置3係控制升降銷升降單元38以將升降銷36上升至基板W相對於保持板31的上位置為止。藉由升降銷36之上升，使目前由保持板31所保持的基板W支撐於升降銷36。在此狀態下，藉由升降銷36所支撐的基板W係藉由基板搬運機器人CR而自第四腔室303搬出(相當於圖5B之步驟S15)。
<第一恢復試驗>
其次，說明用以使已崩壞的圖案恢復的第一恢復試驗。首先，說明第一恢復試驗。
採用形成有具有縱橫比16之圖案的半導體基板，來作為第一恢復試驗的試料。對二個試料(試料1及試料2)進行有機溶劑之供給(相當於圖5A之步驟S5)及離心脫水工序(相當於圖5A之步驟S6)，且之後進行了氟化氫蒸氣供給工序(相當於圖5B之步驟S11)。
在執行離心脫水工序之後，在形成於各個試料的圖案上看到了崩壞。分析藉由SEM(電子掃描顯微鏡)所致的影像來求出各個試料之已崩壞的構造體之數目。已崩壞的構造體之數目係藉由從並未發生圖案崩壞之狀態中的構造體 之數目，扣除掉在離心脫水工序後站立的構造體之數目而求出。
以下述之條件對試料1及試料2進行了氟化氫蒸氣供給工序。
試料1：一邊將試料加熱至130℃，一邊在大氣環境下供給1分鐘的氟化氫蒸氣。
試料2：一邊將試料加熱至120℃，一邊在大氣環境下供給2分鐘的氟化氫蒸氣。
對執行氟化氫蒸氣供給工序之後的試料(試料1及試料2)，在恢復處理後，分析藉由SEM所致的影像而求出自崩壞狀態恢復後的構造體之數目。自崩壞狀態恢復後的構造體之數目係藉由從在離心脫水工序後站立的構造體之數目，扣除掉在氟化氫蒸氣供給工序後站立的構造體之數目而求出。
然後，算出正規恢復率(Normalized recovery rate：在恢復處理後，從崩壞狀態恢復後的構造體之數目/恢復處理前已崩壞的構造體之數目(%))。將結果顯示於圖13。
此外，將氟化氫蒸氣供給工序之前後中的試料1之藉由SEM所致的影像圖，分別顯示於圖14A、圖14B。
根據第一恢復試驗之結果，得知藉由對試料(半導體基板)之表面供給氟化氫蒸氣，能使已崩壞的圖案恢復。此外，得知隨著氟化氫蒸氣之供給時間變長，圖案之恢復程度會上升。
<第二恢復試驗>
接下來，說明第二恢復試驗。
採用形成有具有縱橫比16之圖案的半導體基板，來作為第二恢復試驗的試料。對四個試料(試料3至試料6)進行有機溶劑之供給(相當於圖5A之步驟S5)及離心脫水工序(相當於圖5A之步驟S6)，且之後進行了氟化氫蒸氣供給工序(相當於圖5B之步驟S11)。
在執行離心脫水工序之後，在形成於各個試料的圖案上看到了崩壞。分析藉由SEM(電子掃描顯微鏡)所致的影像來求出各個試料之已崩壞的圖案之數目。
四個試料(試料3至試料6)之中之試料3及試料4係為圖案崩壞之比較少的樣本(sample)(全部17800個圖案中之已崩壞的圖案未滿1000個)，試料5及試料6係為圖案崩壞之比較多的樣本。
以下述之條件對試料3至試料6進行了氟化氫蒸氣供給工序。
試料3及試料5：在大氣環境下，供給10分鐘的氟化氫蒸氣。
試料4及試料6：在大氣環境下，供給30分鐘的氟化氫蒸氣。
對執行氟化氫蒸氣供給工序之後的試料(試料3至試料6)，分析藉由SEM所致的影像求出已崩壞的圖案之數目。圖15係顯示氟化氫蒸氣供給工序之前後中的各個試料之已崩壞的圖案之數目。
根據圖15可以得知，藉由對試料(半導體基板)之表面 供給氟化氫蒸氣，能使已崩壞的圖案恢復。此外，得知氟化氫蒸氣供給工序前的圖案崩壞越多，圖案之恢復程度越高。
以上，雖已說明了本發明之三個實施形態，但是本發明亦能更進一步以其他的形態來實施。
例如在第三實施形態中，如圖12之虛線所示，恢復處理單元302亦可更設置有具備對噴出口313供給有機溶劑的有機溶劑供給單元(處理液供給單元)351。此外，亦可更具備：藥液供給單元(處理液供給單元)352，係用以對由基板保持單元304所保持的基板W之上表面供給藥液；以及沖洗液供給單元(處理液供給單元)353，用以對由基板保持單元304所保持的基板W之上表面供給沖洗液。在此情況下，能以一個處理單元來進行第一基板處理例，且能縮短基板W之移送所需的時間，其結果能謀求提升產能(throughput)。
第二實施形態的基板保持單元232，亦可不在保持板31之內部設置加熱器42。也就是說，在第二實施形態中，亦能採用不具有作為加熱板之功能的保持板作為保持板31。在此情況下，在臭氧氣供給工序(圖11之步驟S22)中基板W未被加熱。
此外，在第一實施形態及第二實施形態中，亦可藉由將處理液供給單元(藥液供給單元6、沖洗液供給單元7及有機溶劑供給單元8)組入於恢復處理單元2B、2C，而以一個處理單元來執行第一基板處理例或第二基板處理例。
此外，在前述的第一實施形態及第二實施形態中，亦可在剛將基板W搬入於第二腔室28內之後，開始進行第二腔室28內之氛圍的惰性氣體置換。此外，雖然在基板W之搬出搬入時開放搬出搬入口23，但是為了防止與搬出搬入口23之開放狀態並行，第二腔室28外之氣體(外部空氣)進入第二腔室28內，亦可往第二腔室28內部進行惰性氣體之供給。
此外，在第一實施形態及第三實施形態中，亦可在水蒸氣供給工序(S12)開始前，結束對基板W之加熱。亦即，亦可不進行使水蒸氣供給工序(S12)和對基板W之加熱之並行。
此外，在第一實施形態及第三實施形態中(第一基板處理例中)，亦可省略水蒸氣供給工序(S12)。在此情況下，在第一實施形態及第三實施形態中，能廢除水蒸氣供給單元34、316。
此外，在第一實施形態至第三實施形態中，雖然已說明與反應氣體供給工序(氟化氫蒸氣供給工序、臭氧氣供給工序)並行並使基板W旋轉之例，但是亦可一邊使基板W維持於靜止的狀態一邊進行反應氣體供給工序(氟化氫蒸氣供給工序(S12)、臭氧氣供給工序(S13))。
此外，亦可組合第一實施形態和第二實施形態。亦即，一個基板處理裝置1，亦可具備恢復處理單元2B(參照圖3)、和恢復處理單元2C(參照圖9)之雙方。
此外，亦可將第三實施形態組合於第二實施形態。
此外，在前述的各個實施形態中，雖已說明基板處理裝置1、201、301為用以處理圓板狀之基板W的裝置的情形，但基板處理裝置1、201、301，亦可為用以處理液晶顯示裝置用玻璃基板等多角形的基板之裝置。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態，但這些實施形態僅是用以明瞭本發明的技術性內容之具體例，本發明不應解釋成限定於這些具體例，本發明的範圍僅被隨附的申請專利範圍所限定。
本發明係與2016年9月16日於日本特許廳所提出的日本特願2016-182122號對應，且該日本特願2016-182122號的所有內容係被引用並置入至本發明中。

Claims (15)

  1. 一種圖案崩壞恢復方法，係使形成於基板之表面且已崩壞的圖案恢復的方法，該圖案崩壞恢復方法係包含：反應氣體供給工序，係對前述基板之前述表面供給能夠與夾雜於前述表面之生成物起反應的反應氣體。
  2. 如請求項1所記載之圖案崩壞恢復方法，其中前述反應氣體供給工序係包含：氟化氫蒸氣供給工序，係對前述基板之前述表面供給包含氟化氫的蒸氣。
  3. 如請求項2所記載之圖案崩壞恢復方法，其中更包含：基板加熱工序，係與前述氟化氫蒸氣供給工序並行，用以加熱前述基板。
  4. 如請求項2或3所記載之圖案崩壞恢復方法，其中更包含：水蒸氣供給工序，係在前述氟化氫蒸氣供給工序之後，對前述基板之前述表面供給水蒸氣。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之圖案崩壞恢復方法，其中前述反應氣體供給工序係包含：臭氧氣供給工序，係對前述基板之前述表面供給包含臭氧氣的氣體。
  6. 一種基板處理方法，係處理在表面形成有圖案的基板的方法，該基板處理方法係包含：處理液供給工序，係對前述基板之表面供給處理液； 離心脫水工序，係在前述處理液供給工序之後，以高速旋轉前述基板而使前述基板甩動乾燥；以及圖案恢復工序，係執行於前述離心脫水工序之後，用以執行對前述基板之前述表面供給能夠與夾雜於前述表面之生成物起反應的反應氣體的反應氣體供給工序，以使已崩壞的前述圖案恢復。
  7. 如請求項6所記載之基板處理方法，其中前述反應氣體供給工序係包含：氟化氫蒸氣供給工序，係對前述基板之前述表面供給包含氟化氫的蒸氣。
  8. 如請求項7所記載之基板處理方法，其中更包含：基板加熱工序，係與前述氟化氫蒸氣供給工序並行，用以加熱前述基板。
  9. 如請求項7或8所記載之基板處理方法，其中更包含：水蒸氣供給工序，係在前述氟化氫蒸氣供給工序之後，對前述基板之前述表面供給水蒸氣。
  10. 如請求項6至8中任一項所記載之基板處理方法，其中前述反應氣體供給工序係包含：臭氧氣供給工序，係對前述基板之前述表面供給包含臭氧氣的氣體。
  11. 一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係保持表面形成有圖案的基板；旋轉單元，係使由前述基板保持單元所保持的基板繞通過前述基板的中央部的旋轉軸線旋轉； 處理液供給單元，用以對由前述基板保持單元所保持的基板之表面供給處理液；反應氣體供給單元，用以對由前述基板保持單元所保持的基板之表面供給能夠與夾雜於該表面之生成物起反應的反應氣體；以及控制裝置，係控制前述旋轉單元、前述處理液供給單元及前述反應氣體供給單元；前述控制裝置係執行以下的工序：處理液供給工序，係對前述基板之表面供給處理液；離心脫水工序，係在前述處理液供給工序之後，以高速旋轉前述基板而使前述基板甩動乾燥；以及圖案恢復工序，係執行於前述離心脫水工序之後，用以執行對前述基板之前述表面供給能夠與夾雜於前述表面之生成物起反應的反應氣體的反應氣體供給工序，以使已崩壞的前述圖案恢復。
  12. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係在前述反應氣體供給工序中，執行對前述基板之前述表面供給包含氟化氫的蒸氣的氟化氫蒸氣供給工序。
  13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係更執行與前述氟化氫蒸氣供給工序並行且用以加熱前述基板的基板加熱工序。
  14. 如請求項12或13所記載之基板處理裝置，其中在前述氟化氫蒸氣供給工序之後，前述控制裝置係更執行對前述基板之前述表面供給水蒸氣的水蒸氣供給工序。
  15. 如請求項11至13中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係在前述反應氣體供給工序中執行對前述基板之前述表面供給包含臭氧氣的氣體的臭氧氣供給工序。
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