JP6444698B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6444698B2 JP6444698B2 JP2014232989A JP2014232989A JP6444698B2 JP 6444698 B2 JP6444698 B2 JP 6444698B2 JP 2014232989 A JP2014232989 A JP 2014232989A JP 2014232989 A JP2014232989 A JP 2014232989A JP 6444698 B2 JP6444698 B2 JP 6444698B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic film
- substrate
- vapor
- film material
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
図1は、第1の実施形態を示す基板処理装置1の図である。基板処理装置1は、回転機構11と、複数のノズルN1〜N5と、蒸気分圧検出器121と、温度制御部TCと、ヒータHと、マスフローコントローラMFCと、対向板13と、蒸気供給源14と、蒸気供給管17_2と、移動装置16とを有する。
次に、図4を参照して成膜工程(S5)の更なる詳細を説明する。成膜工程において、先ず、第2ノズルN2は、ステップS51において蒸気Sの供給を開始する。
第1の実施形態において、有機膜材料含有液として有機膜材料を溶媒に溶解した溶液を用いて半導体基板2を乾燥する例を説明した。一方、有機膜材料含有液は、融解した有機膜材料そのものであってもよい。ここで、融解した有機膜材料は、溶媒を含まない。また、融解した有機膜材料は、凝固によって有機膜を形成する。
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態の説明にあたり、第1の実施形態に類する構成部については、同一の符号を付して重複した説明は省略する。
121 蒸気分圧検出器
2 半導体基板
Claims (5)
- パターンが形成された基板の表面に薬液を供給する第4ノズルと、
前記薬液で処理された前記基板の表面にリンス液を供給する第3ノズルと、
前記リンス液で処理した前記基板の表面に、前記リンス液を置換可能な有機膜材料含有液を供給する第1ノズルと、
前記基板の表面に、前記有機膜材料が溶解可能な溶媒の蒸気を供給する第2ノズルと、
前記蒸気の分圧および濃度の少なくとも一方を含む前記基板の表面における前記蒸気の第1物理量を検出する検出器と、
前記第1物理量に応じて前記蒸気の温度および流量の少なくとも一方を含む前記蒸気の第2物理量を制御する制御部と、
前記基板の表面に前記蒸気を供給するときに、前記有機膜材料含有液に基づいて前記基板の表面に形成される有機膜の表面をレベリングするように前記基板を保持しつつ回転させる回転機構と、を備える基板処理装置。 - 前記回転機構は、前記基板の表面に前記蒸気を供給するときに、前記基板の表面に前記有機膜材料含有液を供給するときよりも高速に前記基板を回転させる、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板の表面に対向する対向板を更に有する、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記第2ノズルは、前記対向板の中央に配置され、
前記基板処理装置は、
前記第2ノズルに連通するように前記対向板に接続された蒸気供給管と、
前記蒸気供給管に接続された蒸気供給源と、を更に備える、請求項3に記載の基板処理装置。 - 基板を乾燥させる基板処理方法であって、
パターンが形成された前記基板の表面を洗浄液を用いて洗浄する工程と、前記基板の表面の前記洗浄液をリンス液に置換する工程と、前記基板の表面の前記リンス液を、常温常圧で固体の有機膜材料を融解または溶媒に溶解させた有機膜材料含有液に置換する工程と、前記基板の表面に供給された前記有機膜材料含有液から前記有機膜材料を析出させる工程と、前記基板の表面に析出した前記有機膜材料を除去する工程と、を含み、
前記有機膜材料を析出させる工程では、前記基板の表面に析出された前記有機膜材料の表面をレベリングするように前記基板を保持しつつ回転させ、かつ、前記基板の表面に、前記有機膜材料が溶解可能な溶媒の蒸気を供給しながら、前記蒸気の分圧および濃度の少なくとも一方を含む前記基板の表面における前記蒸気の第1物理量を検出し、前記第1物理量に応じた前記蒸気の温度および流量の少なくとも一方を含む前記蒸気の第2物理量を制御することで、前記有機膜材料含有液から前記基板の表面を被覆する有機膜を生成する、基板処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014232989A JP6444698B2 (ja) | 2014-11-17 | 2014-11-17 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US14/644,772 US9934958B2 (en) | 2014-11-17 | 2015-03-11 | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014232989A JP6444698B2 (ja) | 2014-11-17 | 2014-11-17 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016096317A JP2016096317A (ja) | 2016-05-26 |
JP6444698B2 true JP6444698B2 (ja) | 2018-12-26 |
Family
ID=55962331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014232989A Active JP6444698B2 (ja) | 2014-11-17 | 2014-11-17 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9934958B2 (ja) |
JP (1) | JP6444698B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6275578B2 (ja) | 2014-07-30 | 2018-02-07 | 株式会社東芝 | 処理装置、処理方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP6464039B2 (ja) | 2015-06-11 | 2019-02-06 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6461749B2 (ja) | 2015-08-26 | 2019-01-30 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6875811B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP6979826B2 (ja) | 2017-08-04 | 2021-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7080331B2 (ja) * | 2018-08-22 | 2022-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7300272B2 (ja) * | 2018-08-24 | 2023-06-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7100564B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2022-07-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
JP7314373B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-07-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7265879B2 (ja) * | 2019-02-14 | 2023-04-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
JP7235594B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7504850B2 (ja) * | 2021-09-28 | 2024-06-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法 |
US20230178346A1 (en) * | 2021-12-08 | 2023-06-08 | Applied Materials, Inc. | Scanning radical sensor usable for model training |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5499733A (en) * | 1992-09-17 | 1996-03-19 | Luxtron Corporation | Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment |
US6280793B1 (en) * | 1996-11-20 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Electrostatic method and apparatus for vaporizing precursors and system for using same |
US6027760A (en) * | 1997-12-08 | 2000-02-22 | Gurer; Emir | Photoresist coating process control with solvent vapor sensor |
JP2002043215A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Sharp Corp | レジストパターン形成方法および半導体製造装置および半導体装置および携帯情報端末 |
US6701066B2 (en) * | 2001-10-11 | 2004-03-02 | Micron Technology, Inc. | Delivery of solid chemical precursors |
GB2385492B (en) * | 2002-02-18 | 2004-06-16 | Key Mouse Electronic Entpr Co | Apparatus and method for testing micropower short-wave frequency-modulated digital radio |
JP4352783B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給系及び処理システム |
JP2005013804A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Canon Inc | 塗布膜レベリング方法とレベリング装置 |
JP4080392B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2008-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス化モニタ、ミストの検出方法、成膜方法、成膜装置 |
JP4179276B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2008-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 溶媒除去装置および溶媒除去方法 |
JP5091428B2 (ja) | 2005-06-14 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US7742167B2 (en) * | 2005-06-17 | 2010-06-22 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Optical emission device with boost device |
JP4833753B2 (ja) | 2006-06-29 | 2011-12-07 | アルバック成膜株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7964042B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP5159680B2 (ja) | 2009-03-24 | 2013-03-06 | 株式会社東芝 | 塗布型膜の形成方法 |
JP5651317B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び温調方法 |
JP5140641B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2013-02-06 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2011124313A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラムを記録した記録媒体 |
JP4927158B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
JP5647845B2 (ja) | 2010-09-29 | 2015-01-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 |
JP2012169552A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 冷却機構、処理室、処理室内部品及び冷却方法 |
JP5681560B2 (ja) | 2011-05-17 | 2015-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
JP5622675B2 (ja) | 2011-07-05 | 2014-11-12 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2013033817A (ja) | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2013042093A (ja) | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP2013042094A (ja) | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JP5634366B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2014-12-03 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5806645B2 (ja) | 2012-06-12 | 2015-11-10 | 株式会社東芝 | 基板の乾燥方法、電子装置の製造方法及び基板の乾燥装置 |
JP6142629B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、成膜装置及び原料ガス供給方法 |
JP6114708B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015088732A (ja) | 2013-09-27 | 2015-05-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP6076887B2 (ja) | 2013-11-29 | 2017-02-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015185713A (ja) | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
TWI549745B (zh) * | 2014-05-16 | 2016-09-21 | 財團法人工業技術研究院 | 溶液混合裝置與混合方法以及溶液粒子監測系統與監測方法 |
JP2016025233A (ja) | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社東芝 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
-
2014
- 2014-11-17 JP JP2014232989A patent/JP6444698B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-11 US US14/644,772 patent/US9934958B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016096317A (ja) | 2016-05-26 |
US9934958B2 (en) | 2018-04-03 |
US20160141170A1 (en) | 2016-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6444698B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6461749B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6591280B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101546631B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP6242057B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI815007B (zh) | 使用對刺激敏感的犧牲性支撐材料的基板處理系統及方法 | |
JP2010050143A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2009212301A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7064339B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN105993061A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP2013207041A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005217226A (ja) | 半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置 | |
JP2010129809A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2019046850A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2016004894A (ja) | 現像方法、現像装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
TWI818119B (zh) | 基板處理方法、及基板處理裝置 | |
WO2020022103A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2012156561A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2011060813A (ja) | 基板処理方法 | |
JP6160554B2 (ja) | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 | |
JP2021022671A5 (ja) | ||
JP2014187253A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6262431B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2022178694A (ja) | 塗布処理方法および塗布処理装置 | |
TWI467640B (zh) | 乾燥旋轉基板之系統及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170301 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180413 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180515 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180903 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180903 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181005 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6444698 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |