TW201807189A - 阻劑之剝離液 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種阻劑之剝離液，其特徵為含有4級銨鹽、烷醇胺及脂肪族胺，藉由該阻劑之剝離液，即使隨著使用日數之經過、碳酸產生溶解時，性能也不易降低。

Description

阻劑之剝離液
本發明關於一種可由施加阻劑的基材將阻劑剝離之阻劑之剝離液。
在印刷電路板的製造中，主要是半加成法中，所使用的阻劑(乾薄膜)的剝離液，隨著微細配線化，採用了胺系的剝離液。
然而，已知以往的胺系阻劑剝離液中，隨著空氣中二氧化碳的溶解，碳酸鹽類會累積，剝離性能降低。
因此，為了解決此剝離性能降低的問題，有文獻報告了將剝離液電解再生、並將去除二氧化碳的空氣送入剝離處理室，而抑制剝離液的性能降低等的技術(專利文獻1、2)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2012-79830號公報
[專利文獻2]日本特開2013-183080號公報
然而，在這些技術中，無法防止碳酸溶解於阻劑的剝離液中，因此本發明的課題為提供一種即使碳酸溶解性能也不易降低的剝離液。
本發明人等為了解決上述課題而鑽研的結果，發現了藉由使用構造不同的兩種胺作為目前阻劑之剝離液中所使用的胺，即使碳酸溶解，性能也不會像以往的剝離液般降低，而完成了本發明。
亦即，本發明為一種阻劑之剝離液，其特徵為：含有4級銨鹽、烷醇胺及脂肪族胺。
另外，本發明為一種阻劑之剝離液套件，其特徵為包含：含有烷醇胺及脂肪族胺之第1液與含有4級銨鹽之第2液。
此外，本發明為一種鍍敷阻劑的除去方法，其特徵為：以上述阻劑之剝離液來處理施加阻劑的基材。
再者，本發明為一種印刷電路板、半導體基板、平面顯示器或導線框架之製造方法，其係包含由施加阻劑的基材中去除阻劑之步驟之印刷電路板、半導體基板、平面顯示器或導線框架之製造方法，其特徵為：使用上述阻劑之剝離液來進行阻劑的去除。
本發明之阻劑之剝離液，即使隨著使用日數的經過，碳酸溶解於液中，性能也不易像以往的剝離液般降低。
另外，本發明之阻劑之剝離液，隨著使用日數的經過之後，只靠補給消耗成分(例如4級銨鹽)即可使性能恢復。
本發明之阻劑之剝離液(以下簡稱為「本發明剝離液」)所使用的4級銨鹽並未受到特別限定，可列舉例如氫氧化四乙基銨、氫氧化四甲基銨等。這些4級銨鹽可使用1種或2種以上。本發明剝離液中的4級銨鹽的含量並未受到特別限定，例如為1~25g/L，宜為5~20g/L。
本發明剝離液所使用的烷醇胺並未受到特別限定，可列舉例如單乙醇胺、三乙醇胺、2-(二甲基胺基)乙醇等。這些烷醇胺可使用1種或2種以上。本發明剝離液中的烷醇胺的含量並未受到特別限定，例如為10~150g/L，宜為40~100g/L。
本發明剝離液所使用的脂肪族胺並未受到特別限定，可列舉例如乙二胺、三乙胺、六亞甲基二胺等。這些脂肪族胺可使用1種或2種以上。本發明剝離液中的脂肪族胺的含量並未受到特別限定，例如為0.5~40g/L，宜 為8~25g/L。
在本發明剝離液之中，上述烷醇胺與脂肪族胺的組合不受特別限定，例如上述烷醇胺係以單乙醇胺為佳，脂肪族胺係以三乙胺或乙二胺為佳，以乙二胺為較佳。
在本發明剝離液中，亦可進一步含有有機溶劑。本發明剝離液所使用的有機溶劑並未受到特別限定，可列舉例如亞碸類、甘醇類、內醯胺類等。
上述亞碸類，可列舉例如二甲亞碸等。本發明剝離液中的亞碸類的含量並未受到特別限定，例如為1~40g/L，宜為3.5~10g/L。
上述甘醇類，可列舉例如丙二醇、二乙二醇單***等，本發明剝離液中的甘醇類的含量並未受到特別限定，例如為10~100g/L，宜為20~60g/L。
上述內醯胺類，可列舉例如N-甲基-2-吡咯烷酮等。本發明剝離液中的內醯胺類的含量並未受到特別限定，例如為10~800g/L，宜為10~50g/L。
上述有機溶劑可使用1種或2種以上，至少使用亞碸類為佳，使用亞碸類與甘醇類為較佳，使用二甲亞碸與丙二醇為特佳。
此外，本發明剝離液宜為只由上述成分構成，只要不損及本發明效果，亦可含有例如消泡劑等。此外，具有發泡性的界面活性劑等，由於會損及本發明之效果，因此在本發明剝離液中以不含為佳。
以上說明的本發明剝離液，可藉由使上述成分溶於水來調製。
本發明剝離液，可為預先使所有成分溶於水所調製出的液體，或可利用包含含有烷醇胺及脂肪族胺之第1液(依照必要使用有機溶劑)與含有4級銨鹽之第2液的阻劑之剝離液套件，在使用時調製。
藉由使用本發明剝離液來處理施加阻劑的基材，阻劑會被粉碎得很細，而能夠去除阻劑。
以本發明剝離液來處理施加阻劑的基材的條件不受特別限定，可列舉例如將基材浸漬於調整在10~80℃的本發明剝離液1~60分鐘左右的條件、或將調整在10~80℃的本發明剝離液噴灑在基材1~60分鐘左右的條件。此外，浸漬時可搖動基材或對本發明剝離液發射超音波。
阻劑的種類並未受到特別限定，例如，宜為鹼可溶型。這種鹼可溶型的阻劑，可列舉例如UFG-258(SAP用25μm厚)(旭化成股份有限公司製)等。
施加阻劑的基材並未受到特別限定，可列舉例如使用於印刷電路板、半導體基板、平面顯示器、導線框架且由各種金屬或合金所形成的薄膜、基板、零件等。
如上述方式，本發明剝離液，可由施加阻劑的基材中去除阻劑，因此可使用於包含這種去除阻劑之步驟的印刷電路板、半導體基板、平面顯示器、導線框架等的製造方法。
上述製造方法之中，宜為包含由施加阻劑的基材中去除阻劑之步驟之印刷電路板之製造方法，尤其宜為利用半加成法的印刷電路板之製造方法。
〔實施例〕
以下列舉實施例詳細說明本發明，然而本發明完全不受這些實施例限定。
實施例1 剝離液的調製：
使以下的表1所記載的成分溶於水，調製出剝離液。
( )的數值為g/L。
TMAH：氫氧化四甲基銨
MEA：單乙醇胺
TEA：三乙醇胺
DMAE：2-(二甲基胺基)乙醇
EDA：乙二胺
TEN：三乙胺
PG：丙二醇
DGME：二乙二醇單***
DMSO：二甲亞碸
實施例2 剝離液的性能： (1)剝離測試
使用在貼銅層合板(古河電工股份有限公司製：CCL二電解銅箔GTS 35μm箔)上層合乾薄膜(旭化成製：UFG-258(SAP用)；25μm厚)然後實施曝光而成的基板，切出50×50mm2的部分作為測試片。
將上述測試片浸漬於液溫為50℃的各剝離液，以1往復/1秒鐘搖動基板，測定乾薄膜完全剝離為止的時間及剝離後的剝離片尺寸(長邊)。
(2)二氧化碳耐性
對於剝離液(1L)，將液溫保持在50℃，同時以空氣流量1L/min實施空氣起泡192小時(8天)。起泡後，進行與(1)同樣的剝離測試。
(3)恢復性
在(2)的起泡後，以滴定分析來分析消耗成分的結果，可知4級銨鹽被消耗。於是，以恢復成表1的組成的量 來補給4級銨鹽。在補給後，進行與(1)同樣的剝離測試。
(4)結果
將上述測試的結果揭示於表2。
由以上的結果可知，藉由使用烷醇胺與脂肪族胺這兩種物質作為胺類，即使在起泡8天後，性能(尤其是剝離尺寸)也並未像以往的剝離液般降低。另外，藉由補給消耗成分，剝離液會在接近原本的性能的狀態。可知上述剝離液之中，若考慮在實際的生產線使用，則從剝離時間與尺寸看來，以組成2及5為佳，尤其從起泡8天後的性能看來，以組成2為佳。
〔產業上的可利用性〕
本發明可利用於包含由施加阻劑的基材中去除阻劑之步驟之印刷電路板、半導體基板、平面顯示器或導線框架之製造方法。

Claims (10)

  1. 一種阻劑之剝離液，其特徵為：含有4級銨鹽、烷醇胺及脂肪族胺。
  2. 如申請專利範圍第1項之阻劑之剝離液，其中烷醇胺為單乙醇胺，脂肪族胺為乙二胺。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之阻劑之剝離液，其中進一步含有有機溶劑。
  4. 如申請專利範圍第3項之阻劑之剝離液，其中至少使用亞碸類的溶劑作為有機溶劑。
  5. 一種阻劑之剝離液套件，其特徵為包含：含有烷醇胺及脂肪族胺之第1液與含有4級銨鹽之第2液。
  6. 一種阻劑的除去方法，其特徵為：以如申請專利範圍第1~4項中任一項之阻劑之剝離液來處理施加阻劑的基材。
  7. 一種印刷電路板之製造方法，其係包含由施加阻劑的基材中去除阻劑之步驟之印刷電路板之製造方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1~4項中任一項之阻劑之剝離 液來進行阻劑的去除。
  8. 一種半導體基板之製造方法，其係包含由施加阻劑的基材中去除阻劑之步驟之半導體基板之製造方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1~4項中任一項之阻劑之剝離液來進行阻劑的去除。
  9. 一種平面顯示器之製造方法，其係包含由施加阻劑的基材中去除阻劑之步驟之平面顯示器之製造方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1~4項中任一項之阻劑之剝離液來進行阻劑的去除。
  10. 一種導線框架之製造方法，其係包含由施加阻劑的基材中去除阻劑之步驟之導線框架之製造方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1~4項中任一項之阻劑之剝離液來進行阻劑的去除。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019111479A1 (ja) * 2017-12-07 2019-06-13 株式会社Ｊｃｕ レジストの剥離液
WO2019143202A1 (ko) * 2018-01-19 2019-07-25 주식회사 엠티아이 다이싱 공정용 보호코팅제 박리용 박리제
KR102224907B1 (ko) 2018-04-17 2021-03-09 엘티씨 (주) 드라이필름 레지스트 박리액 조성물
CN115066104A (zh) * 2022-07-09 2022-09-16 南通群安电子材料有限公司 针对厚光阻抗蚀剂的剥除液

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4224651B2 (ja) * 1999-02-25 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2002062668A (ja) * 2000-08-14 2002-02-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc フォトレジストの剥離方法
JP4035701B2 (ja) * 2002-03-12 2008-01-23 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤及びその使用方法
US9217929B2 (en) * 2004-07-22 2015-12-22 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof
JP2009075285A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Fujifilm Corp 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法
KR20100076999A (ko) * 2007-10-31 2010-07-06 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 포토레지스트 박리를 위한 화합물
CN101226346B (zh) * 2007-12-27 2010-06-09 周伟 光致抗蚀剂的脱膜工艺及在该工艺中使用的第一组合物、第二组合物和脱膜剂水溶液
CN101354543B (zh) * 2008-07-29 2011-04-20 广东东硕科技有限公司 一种褪菲林液
US20120073607A1 (en) * 2010-09-27 2012-03-29 Eastman Chemical Company Polymeric or monomeric compositions comprising at least one mono-amide and/or at least one diamide for removing substances from substrates and methods for using the same
JP5764899B2 (ja) 2010-09-30 2015-08-19 凸版印刷株式会社 アルカリ剥離液の再生装置および方法
JP2013183080A (ja) 2012-03-02 2013-09-12 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc レジスト剥離液の劣化抑制方法、レジスト剥離方法及びシステム
KR101420571B1 (ko) * 2013-07-05 2014-07-16 주식회사 동진쎄미켐 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법
JP6277511B2 (ja) * 2013-10-18 2018-02-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レジスト剥離液
JP6200289B2 (ja) * 2013-11-18 2017-09-20 富士フイルム株式会社 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法

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