TW201803178A - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

顯示裝置及其製造方法

Info

Publication number
TW201803178A
TW201803178A TW106112020A TW106112020A TW201803178A TW 201803178 A TW201803178 A TW 201803178A TW 106112020 A TW106112020 A TW 106112020A TW 106112020 A TW106112020 A TW 106112020A TW 201803178 A TW201803178 A TW 201803178A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
organic light
bank
refractive index
light emitting
Prior art date
Application number
TW106112020A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI655798B (zh
Inventor
柳東熙
朴泰翰
李敬勳
Original Assignee
樂金顯示科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 樂金顯示科技股份有限公司 filed Critical 樂金顯示科技股份有限公司
Publication of TW201803178A publication Critical patent/TW201803178A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI655798B publication Critical patent/TWI655798B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/813Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80515Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/821Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種有機發光顯示裝置及其製造方法,其減少從有機發光裝置發射出的光的損失,增加有機發光裝置的使用壽命,並且降低有機發光顯示裝置的能源損耗。有機發光顯示裝置包含設置於一第一基板的一第一電極、設置於第一電極用以分隔多個發射部的一擋堤、設置於第一電極和擋堤的一有機發光層、設置於有機發光層的一第二電極,以及設置於第二電極的一封裝層。封裝層填充擋堤的一空間,且擋堤的一折射率小於有機發光層的一折射率以及封裝層的一折射率。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
隨著訊息化社會的發展,對用以顯示圖像之顯示裝置的各種需求愈來愈多。因此,各式的顯示裝置,如液晶顯示(LCD)裝置、電漿顯示面板(PDP)裝置及有機發光顯示裝置等近年來被廣為使用。
作為一種類型的顯示裝置,有機發光二極體(OLED)顯示裝置為自發光顯示裝置,且相較於液晶顯示裝置,有機發光二極體有更佳的視角和對比率。此外,由於有機發光顯示裝置不需要額外的背部照明,因此可以使有機發光顯示裝置的重量減輕及厚度變薄,且有機發光顯示裝置在節能上有優秀的表現。再者,有機發光顯示裝置係由低直流電壓所驅動,具有快速的反應時間,且其生產成本低。
有機發光顯示裝置包括一顯示面板用以顯示圖像。顯示面板包括多個有機發光裝置以及用以分隔相鄰的有機發光裝置的一擋堤。有機發光裝置各包括一第一電極、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子傳輸層以及一第二電極。在此案例中,當施加一高準位電壓於第一電極且施加一低電準位電壓於第二電極時,一電洞及一電子分別透過電洞傳輸層及電子傳輸層移動至有機發光層,且在有機發光層中重新結合以發光。
有機發光顯示裝置可被區分為頂部發光型以及底部發光型。頂部發光型為一種從有機發光裝置發射出的光係朝向不包括用以驅動有機發光二極體的薄膜電晶體的顯示面板的上基板的方向輸出,而底部發光型為一種從有機發光裝置發射出的光係朝向包括用以驅動有機發光二極體的薄膜電晶體的顯示面板的下基板的方向輸出。
在頂部發光型中,由於從有機發光裝置發射出的光係朝向不包括用以驅動有機發光二極體的薄膜電晶體的顯示面板的上基板的方向輸出,因此開口區域很寬。再者,於頂部發光型中,由於設計薄膜電晶體時不需考量到開口區域,故薄膜電晶體所佔面積很寬。
然而,即使在頂部發光型有機發光二極體顯示器中,當從有機發光裝置發射出的光係朝向分隔有機發光裝置的擋堤的方向行進,而不是朝向上基板的方向行進時,光因為不是朝向上基板的方向照射而損失。如果減少了從有機發光裝置發射出的光的損失,則可增加有機發光裝置的使用壽命,並且降低有機發光顯示裝置的能源損耗。
有鑑於此,本發明旨為提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法,以實質解決先前技術的限制及其不利條件所造成的問題。
文中的實施例旨為提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法,其減少從有機發光裝置發射出的光的損失,增加有機發光裝置的使用壽命,並且降低有機發光顯示裝置的能源損耗。
本發明附加的優點和特徵將部分地闡述於下文的描述中,且本領域通常知識者經過檢查以下內容將顯而易見,或者可從本發明的實踐中獲悉。本發明的目的和其他優點可以透過於書面說明書、權利要求以及附圖中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現如本文中所實施和廣泛描述之所述和其他優點,本發明提供一種有機發光顯示裝置,其包含設置於一第一基板的一第一電極、設置於第一電極用以分隔多個發射部的一擋堤、設置於第一電極和擋堤的一有機發光層、設置於有機發光層的一第二電極,以及設置於第二電極的一封裝層,其中封裝層填充擋堤之一空間,且擋堤的一折射率小於有機發光層的一折射率以及封裝層的一折射率。
在本發明的另一方面,提供有一種有機發光顯示裝置的製造方法,包含形成一第一電極於設置於一第一基板的一平坦化層上、形成一擋堤於第一電極上用以分隔多個發射部、形成一有機發光層於第一電極和擋堤上、形成一第二電極於有機發光層上,以及形成一封裝層於第二電極上以填充擋堤的一空間,其中擋堤的一折射率小於有機發光層的一折射率以及封裝層的一折射率。
在本發明的再另一方面,提供有一種有機發光顯示裝置的製造方法,包含形成包括一浮凸圖案的一平坦化層於一第一基板上、形成一第一電極於平坦化層上、形成用以分隔多個發射部的一擋堤於第一電極上、形成一有機發光層於第一電極和擋堤上、形成一第二電極於有機發光層上,以及形成一封裝層於第二電極上以填充擋堤的一空間,其中擋堤的一折射率小於有機發光層的一折射率以及封裝層的一折射率。
在本發明的又另一方面,提供有一種有機發光顯示裝置包含:一第一電極於一第一基板上;一擋堤於一第一電極上,該擋堤分隔包含於一子像素中的多個發射部;一有機發光層於第一電極擋堤上;一第二電極於有機發光層上;以及一封裝層於第二電極上,其中封裝層填充擋堤的一空間,且擋堤的一折射率小於有機發光層的一折射率以及封裝層的一折射率。應理解地,本發明前述的體整描述和以下的詳細描述皆為示例性和說明性的,並且旨在提供本發明申請權利範圍之進一步闡述。
於此將詳細參照本發明示例性的實施例,其示例繪示於所附圖式中。盡可能地,在整個附圖中將使用相同的標號來代表相同或類似的元件。
透過參照所附圖式描述的以下實施例,將闡明本發明的優點和特徵及其實踐方法。 然而,本發明可以不同的形式實施,並且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例,而係提供這些實施例,使得本揭露為清楚完整的,並且向本領域通常知識者充分地傳達本發明的範圍。此外,本發明係由權利要求的範圍所界定。
用於描述本發明的實施例之附圖中所揭露的形狀、尺寸、比例、角度和數量僅為一示例,因此,本發明不限於所揭示之細節。相同的附圖標記於全文中表示相同的元件。在下面的描述中,當確定相關已知功能或配置的詳細描述會模糊本發明的重點時,將省略其細節描述。
在本說明書中使用“包含”、“具有”和“包括”,係代表其可以另外添加其他元件,除非使用了“僅”或“只”等字詞。單數形式的用詞可以包括複數形式,除非為相反的情況。
在解釋元件時,雖然沒有明確的描述,元件係被理解為包括有一誤差範圍。
在描述位置關係時,例如,當兩元件之間的位置關係被描述為“上”、“之上”、“之下”和“在旁”時,一個或多個其他元件可以設置在所述兩個元件之間,除非使用了“只”、“僅”或“直接”等字詞。
在描述時間關係時,例如,當時間順序被描述為“之後”、“後”、“接著”和“之前”時,可以包括不連續的情況,除非使用了“只”、“僅”或“直接”等字詞。
可以理解地,雖然使用“第一”,“第二”等於描述各種元件,這些元件不應受這些描述的限制。而僅用於將一個元件與另一個元件作區分。例如,第一元件可以被稱為第二元件,並且類似地,第二元件可以被稱為第一元件,而不脫離本發明的範圍。
X軸方向,Y軸方向和Z軸方向不應被解釋為僅在其間的關係是垂直的幾何關係,並且可以表示在本發明的元件在功能上操作的範圍內具有更廣的方向性。
文中“至少一”應理解為包括一個或多個相關所列項目的任何及所有組合。例如,“第一項、第二項和第三項中的至少一個”的含義表示從第一項、第二項和第三項中,或是第一項、第二項或第三項的兩個或更多個取出的所有項目的組合。
本發明的各種實施例的特徵可以部分地或全部地彼此耦合或組合,並且可以彼此不同地相互操作並且在技術上被驅動,如本領域通常知識者可以充分理解的。本發明的實施例可以彼此獨立地被實現,或者能以共同依存關係一起被實現。
以下將配合圖式詳細描述本發明之示例性實施例。下述說明將著重於應用一有機發光顯示裝置作為頂部發光型的示例。頂部發光型代表著一種自一有機發光裝置發射出的光係朝向一上基板的方向輸出。
圖1為繪示根據一實施例的一有機發光顯示裝置100的立體示意圖。圖2為繪示圖1之一第一基板、一閘極驅動器、一源極驅動積體電路、一可撓性薄膜、一電路板以及一時序控制器的平面示意圖。
參閱圖1及圖2,根據本發明的一實施例之有機發光顯示裝置100可包含一顯示面板110、一閘極驅動器120、一源極驅動積體電路(source drive integrated circuit)130、一可撓性薄膜140、一電路板150以及一時序控制器160。
顯示面板110可包含一第一基板111以及一第二基板112。第二基板112可為一封裝基板。第一基板111以及第二基板112可為塑膠或玻璃。
第一基板111面向第二基板112的一表面可有多條閘極線、多條資料線以及多個像素。各像素可包含多個子像素且可分別設於由閘極線和資料線的交點所定義出的多個區域中。
各子像素可包含至少一薄膜電晶體以及一有機發光裝置。當至少一薄膜電晶體透過一閘極線的一閘極訊號被啟動時,各子像素可透過一資料線被供應一數據電壓。各子像素可根據一數據電壓控制流向有機發光裝置的一電流,從而使有機發光裝置可發出特定亮度的光。以下將參考圖3至圖8詳細描述所述多個子像素。
如圖2所繪示,顯示面板110可分成用以顯示圖像的一顯示區域DA以及非用以顯示圖像的一非顯示區域NDA。所述閘極線、資料線以及像素可設置於顯示區域DA中。閘極驅動器120以及多個墊片可設置於非顯示區域NDA中。
閘極驅動器120可根據從時序控制器160輸入的一閘極控制訊號依序地提供閘極訊號給閘極線。在一板載閘極(gate in panel, GIP)類型中,閘極驅動器120可設置於位於顯示面板110的顯示區域DA的一側或兩側之外的非顯示區域NDA中。或者,在一捲帶式自動接合(tape automated bonding, TAB)類型中,閘極驅動器120可被製成一驅動晶片,設置於一可撓性薄膜上,且固定於位於顯示面板110的顯示區域DA的一側或兩側之外的非顯示區域NDA上。
源極驅動積體電路130可接收來自時序控制器160的數位影像數據以及一源極控制訊號。源極驅動積體電路130可根據源極控制訊號將數位影像數據轉換成類比數據電壓,且可分別供應類比數據電壓給資料線。在源極驅動積體電路130被製造為一驅動晶片的一案例中,在一覆晶薄膜(chip-on film, COF)類型或覆晶塑膠(chip-on plastic, COP)類型中,源極驅動積體電路130可被設置於可撓性薄膜140上。
多個墊片(例如為數據墊片)可設置於顯示面板110的非顯示區域NDA中。將墊片連接至源極驅動積體電路130的多條線,以及將墊片連接至電路板150的線的多條線可設置於可撓性薄膜140中。可撓性薄膜140可藉由一異方性(anisotropic)導電薄膜被固定於墊片上,如此,墊片可被連接至可撓性薄膜140的線。
可設置有多個可撓性薄膜140,且電路板150可被固定於可撓性薄膜140上。多個分別被作為驅動晶片的電路可設置於電路板150。舉例來說,時序控制器160可設置於電路板150。電路板150可為一印刷電路板(PCB)或一可撓式印刷電路板(FPCB)。
時序控制器160可透過電路板150的一纜線接收來自一外部系統電路板(未繪示)的數位影像數據以及一時序訊號。時序控制器160可基於時序訊號產生用以控制閘極驅動器120的一運作時序的閘極控制訊號,以及用以控制多個源極驅動積體電路130的一源極控制訊號。時序控制器160可提供閘極控制訊號給閘極驅動器120且可提供源極控制訊號給源極驅動積體電路130。
圖3為繪示圖2之顯示區域DA中一部分的像素的平面示意圖。
參閱圖3,設置於顯示區域DA中的多個像素P可各包含一紅色子像素RP、一綠色子像素GP以及一藍色子像素BP,如圖3所繪示。紅色子像素RP可代表發出紅光的一子像素,綠色子像素GP可代表發出綠光的一子像素,且藍色子像素BP可代表發出藍光的一子像素。本發明的一實施例不限於所述像素P各包含紅色子像素RP、綠色子像素GP以及藍色子像素BP,且各像素P的子像素的數量以及子像素的顏色組合可基於顯示面板110的特性而改變。
子像素RP、GP及BP可分別包含多個發射部RE、GE及BE。紅色子像素RP可包含發出紅光的多個紅色發射部RE,綠色子像素GP可包含發出綠光的多個綠色發射部GE,且藍色子像素BP可包含發出藍光的多個藍色發射部BE。發射部RE、GE及BE可被一擋堤(bank)BANK分隔。
各所述發射部RE、GE及BE的一有機發光裝置可發出白光。在此情況下,子像素RP、GP及BP可各包含一彩色濾光片以分別產生紅、綠及藍色光。再者,如圖3所繪示,用以防止顏色混合的一黑矩陣BM可設置於子像素RP、GP及BP的彩色濾光片之間。亦即,子像素RP、GP及BP可被黑矩陣BM分隔。
各發射部RE、GE及BE的有機發光裝置可發出非白色的一特定顏色的光。舉例來說,紅色發射部RE的有機發光裝置可發出紅光,綠色發射部GE的有機發光裝置可發出綠光,且藍色發射部BE的有機發光裝置可發出藍光。在此情況下,各子像素RP、GP及BP可不包含一彩色濾光片。
於圖3中,所述多個發射部RE、GE及BE為圓形而非平面狀,但本發明不以此為限。亦即,平面狀的發射部RE、GE及BE可為多邊形,例如三邊形、四邊形或五邊形等。
如上所述,於本發明的一實施例中,子像素RP、GP及BP可分別包含發射部RE、GE及BE,且所述發射部RE、GE及BE可被擋堤BANK分隔。於此,在擋堤BANK的折射率係小於設置於發射部RE、GE及BE中的多個層體的折射率的一案例中,當從有機發光裝置發射出的光係以大於一預設門檻角度的一角度入射至擋堤BANK時,所述光可被擋堤BANK完全反射。亦即,在本發明的一實施例中,從有機發光裝置行進至擋堤BANK的光可被擋堤BANK完全反射且可朝向一上基板的方向輸出,藉此減少從有機發光裝置發射出的光的損失。
以下將配合圖4及圖5描述各子像素RP、GP及BP的一剖面結構。
圖4為繪示沿圖3線I-I'之一示例的剖面示意圖。
參閱圖4,多個薄膜電晶體210可被形成於第一基板111面向第二基板112的一表面上。各薄膜電晶體210可包含一主動層211、一閘極212、一源極215以及一汲極214。於圖4中,示例性地繪示薄膜電晶體210被形成為一頂閘極式(top gate type),其中閘極212係設置於主動層211之上,但不以此為限。亦即,薄膜電晶體210可被形成為一底閘極式(bottom gate type),其中閘極212是設置於主動層211之下;或為一雙閘極式(double gate type),其中閘極212是同時設置於主動層211之上和之下。
主動層211可被形成於第一基板111之上。主動層211可由一矽基(silicon-based)半導體材料或一氧化物基(oxide-based)半導體材料所形成。
用以保護主動層211且增加主動層211的一界面附著力的一緩衝層(未繪示)可被形成於第一基板111以及主動層211之間。緩衝層(未繪示)可由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)或其一多層體所形成。
此外,用以阻擋外部光入射至多個主動層211的一光阻擋層(未繪示)可被形成於第一基板111與各主動層211之間。光阻擋層(未繪示)可由一不透光的金屬材料所形成。
一閘極絕緣層220可被形成於各主動層211上。閘極絕緣層220可由一無機層所形成,例如,可由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或其一多層體所形成。
多個閘極212以及多條閘極線可被形成於閘極絕緣層220上。閘極212以及閘極線可各由一單層體或一多層體所形成,所述層體包含鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)以及銅(Cu)其中之一,或一其合金。
一層間絕緣層230可被形成於閘極212上。舉例來說,層間絕緣層230可由一無機層所形成,例如,可由氧化矽、氮化矽或其一多層體所形成。
多個源極215、多個汲極214以及多條資料線(未繪示於圖4)可被形成於層間絕緣層230上。各源極215和汲極214可透過穿透閘極絕緣層220以及層間絕緣層230的一接觸孔CT1接觸主動層211。源極215、汲極214以及資料線可由一單層體或一多層體所形成,所述層體包含鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、釹以及銅其中之一,或一其合金。
用以平坦化各薄膜電晶體210頂部的一平坦化層240可被形成於源極215、汲極214以及資料線上。平坦化層240可由一有機層所形成,例如壓克力樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)以及/或其類似物。
包含多個有機發光裝置250的多個發射部RE可被形成於平坦化層240上。有機發光裝置250可各包含一第一電極251、一有機發光層252以及一第二電極253。發射部RE可被一擋堤255所分隔。第一電極可為一陽極,且第二電極可為一陰極。
第一電極251可被形成於平坦化層240上。第一電極251可透過穿透平坦化層240的一接觸孔CT2連接汲極214。為了達到一微共振腔效應(micro-cavity effect),第一電極251可為一金屬材料,其具有高反射性,例如鋁和鈦的一堆疊結構(Ti/Al/Ti)、鋁和氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)的一堆疊結構(ITO/Al/ITO)、一銀鈀銅合金(APC alloy),或一銀鈀銅合金和氧化銦錫的一堆疊結構(ITO/APC/ITO)。銀鈀銅合金可為銀(Ag)、鈀(Pd)和銅(Cu)的一合金。
擋堤255可被形成於第一電極251上用以分隔發射部RE。擋堤255可由一有機材料所形成,其一折射率低於有機發光層252的折射率,用以完全反射從有機發光層252發出的光L。舉例來說,擋堤255可由具有一折射率為1.6或以下的一有機材料所形成,例如,可由一基於丙烯酸(photo acryl-based)的材料所形成。再者,擋堤255的一高度可被調整為3微米(㎛)或以上,用以增加從有機發光層252發出的光L被擋堤255完全反射的一比率。
有機發光層252可被形成於第一電極251以及擋堤255上。有機發光層252可包含一電洞傳輸層、一光發射層以及一電子傳輸層。在此情況下,當一電壓作用於第一電極251和第二電極253時,一電洞以及一電子透過電洞傳輸層以及電子傳輸層移動至光發射層且於光發射層中再結合以發光。
有機發光層252可只包含發出白光的一白色光發射層。如果有機發光層252為白色光發射層,如圖4所繪示,有機發光層252可被形成以覆蓋多個第一電極251以及擋堤255。
或者,有機發光層252可包含皆彼此分離的發出紅光的一紅色光發射層、發出綠光的一綠色光發射層,以及發出藍光的一藍色光發射層。在此情況下,紅色光發射層可被形成於一紅色發射部RE的第一電極251上、綠色光發射層可被形成於一綠色發射部GE的第一電極251上,且藍色光發射層可被形成於一藍色發射部BE的第一電極251上。
有機發光層252可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成。
第二電極253可被形成於有機發光層252上。第二電極253可由能傳遞光線的一透明導體材料(或TCO)所形成,例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO),或可由一半透射式(semi-transmissive)導體材料所形成,例如鎂(Mg)、銀(Ag)或鎂和銀的一合金。
一覆蓋層(未繪示)可被形成於第二電極253上。覆蓋層(未繪示)可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成,例如,可由具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率的一有機材料所形成。覆蓋層(未繪示)可被省略。
一封裝層260可被形成於第二電極253上。封裝層260防止氧氣或水滲入有機發光層252和第二電極253。為此,封裝層260可包含至少一無機層以及至少一有機層。於圖3中,封裝層260包含一第一無機層261、一有機層262以及一第二無機層263,但本發明不以此為限。
第一無機層261可被形成於第二電極253上以覆蓋第二電極253。有機層262可被形成於第一無機層261上,用以防止顆粒經由第一無機層261滲入有機發光層252以及第二電極253。第二無機層263可被形成於有機層262上以覆蓋有機層262。
各第一及第二無機層261、263可由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦,以及/或其類似物所形成。第一無機層261可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成,例如,可由具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率的一有機材料所形成。
有機層262可被透明地形成以傳遞從有機發光層252發出的光L。有機層262可由能傳遞99%或以上從有機發光層252發出的光L的一有機材料所形成。
此外,有機層262可被形成來填充擋堤255的一空間以平坦化因介於擋堤255及發射部RE之間擋堤255的高度造成的一段差。有機層262可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成,例如,可由具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率的一有機材料所形成。為此,有機層262可包含乙烯基化合物、光聚合引髮劑(photopolymerization initiator)、甲苯和丁基化羥基甲苯。在此情況下,乙烯基化合物可為苯基硫化物。
多個彩色濾光片RC以及黑矩陣BM可被形成於面向第一基板111的第二基板112上。一紅色彩色濾光片RC可被形成於紅色子像素RP中,一綠色彩色濾光片RC可被形成於綠色子像素GP中,且一藍色彩色濾光片RC可被形成於藍色子像素BP中。黑矩陣BM可設置於具有不同顏色的所述彩色濾光片之間。因此,黑矩陣BM可分隔子像素RP、GP及BP。
如果有機發光層252包含發出紅光的紅色光發射層、發出綠光的綠色光發射層,以及發出藍光的藍色光發射層,則彩色濾光片RC以及黑矩陣BM可被省略。
第一基板111的封裝層260以及第二基板112的彩色濾光片RC可藉由使用一黏著層270彼此結合,如此,第一基板111和第二基板112可彼此黏合。黏著層270可為一透明黏性樹脂。
如上所述,於本發明的一實施例中,有機發光層252以及封裝層260的第一無機層261和有機層262可具有1.8或以上的一折射率,且擋堤255可具有1.6或以下的一折射率。尤其,隨著擋堤255的折射率以及有機發光層252、第一無機層261和有機層262的一折射率之間差值的增加,從有機發光層252發出的光L完全地被擋堤255反射的全反射率變得更高。再者,為了增加全反射率,有機發光層252、第一無機層261以及有機層262可具有一樣的折射率。
因此,於本發明的一實施例中,有機發光層252的一折射率和第一無機層261的一折射率之間的一差值,可小於有機發光層252的一折射率和擋堤255的一折射率之間的一差值以及第一無機層261的一折射率和擋堤255的一折射率之間的一差值。再者,有機發光層252的一折射率和有機層262的一折射率之間的一差值,可小於有機發光層252的一折射率和擋堤255的一折射率之間的一差值以及有機層262的一折射率和擋堤255的一折射率之間的一差值。在此情況下,從有機發光層252行進至擋堤255的光可從具有一高折射率的一介質行進至具有一低折射率的一介質,如此,當光係以大於或等於一預設門檻角度的一角度入射至擋堤255時,所述光可完全地被擋堤255的一邊界完全反射。於是,於本發明的一實施例中,從有機發光層252行進至擋堤255的光可被擋堤255完全反射且可朝向一上基板的方向輸出,藉此減少從有機發光層252發出的光L的損失。
此外,於本發明的一實施例中,擋堤255的一高度可被調整為3微米或以上以增加藉由擋堤255的全反射效果,且於此情況下,因為擋堤255的高度造成的一段差會出現於擋堤255和發射部RE之間。於本發明的一實施例中,封裝層260可填充擋堤255的空間,如此,擋堤255和發射部RE之間的段差可被平坦化。尤其,根據本發明的一實施例,填充擋堤255的空間的一有機材料可具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率,如此,從有機發光層252行進至擋堤255的光可藉由擋堤255被完全地反射且可朝向一上基板(即第二基板112)的方向輸出。
圖5為繪示沿圖3線I-I'之一示例的剖面示意圖。
除了是以一第一無機層261而不是一有機層262填充擋堤255的空間以平坦化擋堤255和一發射部RE之間的段差之外,對於圖5的剖面示意圖的描述大體上如同上述圖4的描述。因此,省略對於圖5的細節描述。
圖6為繪示圖2之顯示區域DA中一部分的像素的另一平面示意圖。
參閱圖6,設置於顯示區域DA中的多個像素P可各包含一紅色子像素RP、一綠色子像素GP以及一藍色子像素BP,如圖3所繪示。紅色子像素RP可代表發出紅光的一子像素,綠色子像素GP可代表發出綠光的一子像素,且藍色子像素BP可代表發一藍色光的一子像素。本發明的一實施例不限於各所述像素P包含紅色子像素RP、綠色子像素GP以及藍色子像素BP,且各像素P的子像素的數量以及子像素的顏色組合可基於顯示面板110的特性而改變。
子像素RP、GP及BP可分別包含一個發射部。紅色子像素RP可包含發出紅光的一紅色發射部RE,綠色子像素GP可包含發出綠光的一綠色發射部GE,且藍色子像素BP可包含發出藍光的一藍色發射部BE。發射部可被一擋堤(未繪示)分隔。
各發射部的一有機發光裝置可發出白光。在此情況下,子像素RP、GP及BP可各包含一對應的彩色濾光片。再者,如圖6所繪示,用以防止顏色混合的一黑矩陣BM可設置於子像素RP、GP及BP的彩色濾光片之間。黑矩陣BM可被形成於擋堤(未繪示)上。
各發射部的有機發光裝置可發出非白色的一特定顏色的光。舉例來說,紅色發射部RE的有機發光裝置可發出紅光,綠色發射部GE的有機發光裝置可發出綠光,且藍色發射部BE的有機發光裝置可發出藍光。在此情況下,各子像素RP、GP及BP可不包含一彩色濾光片。
如上所述,於本發明的一實施例中,子像素RP、GP及BP可各包含一個發射部,且所述發射部可被擋堤(未繪示)分隔。於此,在擋堤(未繪示)的一折射率係小於設置於一個發射部中的多個層體的折射率的一案例中,當從有機發光裝置發射出的光係以大於一預設門檻角度的一角度入射至擋堤(未繪示)時,所述光可藉由擋堤(未繪示)被完全地反射。亦即,於本發明的一實施例中,從有機發光裝置行進至擋堤(未繪示)的光可藉由擋堤(未繪示)被完全地反射且可朝向一上基板的方向輸出,藉此減少從有機發光裝置發射出的光的損失。
以下將參考圖7和圖8描述各子像素RP、GP及BP的一剖面結構。
圖7為繪示沿圖6線Ⅱ-Ⅱ'之另一示例的剖面示意圖。
繪示於圖7中的一第一基板111、一薄膜電晶體210、一閘極絕緣層220以及一層間絕緣層230基本上如同圖4所描述,如此,省略其細節描述。
參閱圖7,用以平坦化各薄膜電晶體210頂部的一平坦化層240可被形成於多個源極215、多個汲極214以及多條資料線上。平坦化層240可由一有機層所形成,例如壓克力樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂,以及/或其類似物。
平坦化層240可包含凸出於平坦化層240的一浮凸圖案(embossed pattern)241。浮凸圖案241可設置於擋堤255。再者,浮凸圖案241的一高度可小於或等於擋堤255的一高度。如果浮凸圖案241的高度高於擋堤255的高度,用以平坦化由浮凸圖案241造成的一段差的一封裝層260可填充浮凸圖案241的一空間,如此,封裝層260的一厚度可被加厚。於是,浮凸圖案241的高度可小於或等於擋堤255的高度。
包含多個有機發光裝置250的多個發射部RE可被形成於平坦化層240上。有機發光裝置250可各包含一第一電極251、一有機發光層252以及一第二電極253。發射部RE可被擋堤255分隔。
第一電極251可被形成於平坦化層240上。第一電極251可透過穿透平坦化層240的一接觸孔CT2連接汲極214。為了達到一微共振腔效應,第一電極251可為一金屬材料,其具有高反射性,例如鋁和鈦的一堆疊結構(Ti/Al/Ti)、鋁和氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)的一堆疊結構(ITO/Al/ITO)、一銀鈀銅合金(APC alloy),或一銀鈀銅合金和氧化銦錫的一堆疊結構(ITO/APC/ITO)。銀鈀銅合金可為銀(Ag)、鈀(Pd)和銅(Cu)的一合金。
第一電極251亦可被形成於平坦化層240的浮凸圖案241上。因此,第一電極251可完全反射從有機發光層252行進至浮凸圖案241的光,且所述光可朝向一上基板的方向輸出。於是,根據本發明的一實施例,從有機發光層252發出的光L的損失被減少了。
擋堤255可被形成以覆蓋第一電極251的一邊緣,用以分隔發射部RE。擋堤255可由一有機材料所形成,其一折射率低於有機發光層252的折射率,用以完全反射從有機發光層252發出的光L。舉例來說,擋堤255可由具有一折射率為1.6或以下的一有機材料所形成,例如,可由一基於丙烯酸(photo acryl-based)的材料所形成。再者,擋堤255的一高度可被調整為3微米或以上,用以增加從有機發光層252發出的光L被擋堤255完全反射的一比率。
平坦化層240可設置於第一電極251之下,且擋堤255可設置於第一電極251之上。於是,平坦化層240以及擋堤255可透過個別的製程被形成,因而可由不同材料所形成。
有機發光層252可被形成於第一電極251和擋堤255上。有機發光層252可包含一電洞傳輸層、一光發射層以及一電子傳輸層。在此情況下,當一電壓作用於第一電極251和第二電極253時,一電洞以及一電子透過電洞傳輸層以及電子傳輸層移動至光發射層且於光發射層中復合以發光。
有機發光層252可只包含發出白光的一白色光發射層。如果有機發光層252為白色光發射層,如圖7所繪示,有機發光層252可被形成以覆蓋多個第一電極251以及擋堤255。
或者,有機發光層252可包含皆彼此分離的發出紅光的一紅色光發射層、發出綠光的一綠色光發射層,以及發出藍光的一藍色光發射層。在此情況下,紅色光發射層可被形成於一紅色發射部RE的第一電極251上,綠色光發射層可被形成於一綠色發射部GE的第一電極251,且藍色光發射層可被形成於一藍色發射部BE的第一電極251。
有機發光層252可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成。
第二電極253可被形成於有機發光層252上。第二電極253可由能傳遞光線的一透明導體材料(或TCO)所形成,例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO),或可由一半透射式導體材料所形成,例如鎂、銀或鎂和銀的一合金。
一覆蓋層(未繪示)可被形成於第二電極253上。覆蓋層(未繪示)可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成,例如,可由具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率的一有機材料所形成。覆蓋層(未繪示)可被省略。
一封裝層260可被形成於第二電極253上。封裝層260防止氧氣或水滲入有機發光層252和第二電極253。為此,封裝層260可包含至少一無機層以及至少一有機層。於圖7中,封裝層260包含一第一無機層261、一有機層262以及一第二無機層263,但本發明不以此為限。
第一無機層261可被形成於第二電極253上以覆蓋第二電極253。有機層262可被形成於第一無機層261上,用以防止顆粒經由第一無機層261滲入有機發光層252以及第二電極253。第二無機層263可被形成於有機層262上以覆蓋有機層262。
各第一及第二無機層261、263可由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦,以及/或其類似物所形成。第一無機層261可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成,例如,可由具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率的一有機材料所形成。
有機層262可被透明地形成以傳遞從有機發光層252發出的光L。有機層262可由能傳遞99%或以上從有機發光層252發出的光L的一有機材料所形成。
此外,有機層262可被形成來填充擋堤255的空間,以平坦化位於浮凸圖案241之間由平坦化層240的浮凸圖案241以及擋堤255的高度造成的段差。有機層262可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成,例如,可由具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率的一有機材料所形成。為此,有機層262可包含乙烯基化合物、光聚合引髮劑(photopolymerization initiator)、甲苯和丁基化羥基甲苯。在此情況下,乙烯基化合物可為苯基硫化物。
多個彩色濾光片RC以及黑矩陣BM可被形成於面向第一基板111的第二基板112上。一紅色彩色濾光片RC可被形成於紅色子像素RP中,一綠色彩色濾光片RC可被形成於綠色子像素GP中,且一藍色彩色濾光片RC可被形成於藍色子像素BP中。黑矩陣BM可設置於具有不同顏色的所述彩色濾光片之間。因此,黑矩陣BM可分隔子像素RP、GP及BP。
如果有機發光層252包含發出紅光的紅色光發射層、發出綠光的綠色光發射層,以及發出藍光的藍色光發射層,則彩色濾光片RC以及黑矩陣BM可被省略。
第一基板111的封裝層260以及第二基板112的彩色濾光片RC可藉由使用一黏著層270彼此結合,如此,第一基板111和第二基板112可彼此黏合。黏著層270可為一透明黏性樹脂。
如上所述,於本發明的一實施例中,有機發光層252以及封裝層260的第一無機層261和有機層262可具有1.8或以上的一折射率,且擋堤255可具有1.6或以下的一折射率。尤其,隨著擋堤255的折射率以及有機發光層252、第一無機層261和有機層262的一折射率之間差值的增加,從有機發光層252發出的光L完全地被擋堤255反射的全反射率變得更高。再者,為了增加全反射率,有機發光層252、第一無機層261以及有機層262可具有一樣的折射率。
因此,於本發明的一實施例中,有機發光層252的一折射率和第一無機層261的一折射率之間的一差值,可小於有機發光層252的一折射率和擋堤255的一折射率之間的一差值以及第一無機層261的一折射率和擋堤255的一折射率之間的一差值。再者,有機發光層252的一折射率和有機層262的一折射率之間的一差值,可小於有機發光層252的一折射率和擋堤255的一折射率之間的一差值以及有機層262的一折射率和擋堤255的一折射率之間的一差值。在此情況下,從有機發光層252行進至擋堤255的光可從具有一高折射率的一介質行進至具有一低折射率的一介質,如此,當光係以大於或等於一預設門檻角度的一角度入射至擋堤255時,所述光可完全地被擋堤255的一邊界完全反射。於是,於本發明的一實施例中,從有機發光層252行進至擋堤255的光可被擋堤255完全反射且可朝向一上基板的方向輸出,藉此減少從有機發光層252發出的光L的損失。
此外,於本發明的一實施例中,擋堤255的高度可被調整為3微米或以上以增加藉由擋堤255和浮凸圖案241的全反射效果,且浮凸圖案241的高度可被調整為小於或等於擋堤255的高度。在此情況下,因為擋堤255和浮凸圖案241的高度造成的段差會出現。於本發明的一實施例中,封裝層260可填充擋堤255的空間和浮凸圖案241的空間,如此,段差可被平坦化。尤其,根據本發明的一實施例,填充擋堤255之空間以及浮凸圖案241之空間的一有機材料可具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率,如此,從有機發光層252行進至擋堤255的光可藉由擋堤255被完全地反射且可朝向一上基板(即第二基板112)的方向輸出。
此外,於本發明的一實施例中,平坦化層240可包含浮凸圖案241,且第一電極251可被形成於浮凸圖案241上。於本發明的一實施例中,由於第一電極251為具有一高反射性的一金屬材料所形成,從有機發光層252行進至浮凸圖案241的光可藉由第一電極251被完全地反射且可朝向一上基板的方向輸出,藉此減少從有機發光層252發出的光L的損失。再者,由於第一電極251為具有一高反射性的一金屬材料所形成,可達到高於由擋堤255的一折射率差造成的全反射的一全反射效果。
圖8為繪示沿圖6線Ⅱ-Ⅱ'之另一示例的剖面示意圖。
除了是以一第一無機層261而不是一有機層262填充擋堤255的一空間以平坦化擋堤255和一發射部RE之間的一段差之外,對於圖8的剖面示意圖的描述大體上如同上述圖7的描述。因此,省略對於圖8的細節描述。
圖9為繪示根據本發明之一實施例的一種有機發光顯示裝置之製造方法的流程圖。圖10A至圖10E為根據本發明之一實施例的一種有機發光顯示裝置沿圖3之線I-I'的剖面示意圖用以描述其製造方法。圖10A至圖10E所繪示之剖面圖係關聯於圖4所繪示之一有機發光顯示裝置的製造方法,且相同符號表示相同的元件。以下,將參考圖9及圖10A至圖10E根據本發明的一實施例描述一種有機發光顯示裝置的製造方法。
第一,如圖10A所示,多個薄膜電晶體210可被形成於一第一基板111,用以平坦化各薄膜電晶體210頂部的一平坦化層240可被形成於薄膜電晶體210上,且第一電極251可被形成於平坦化層240上。
詳細來說,一主動層211可被形成於第一基板111上,一閘極絕緣層220可被形成於主動層211上,多個閘極212和多條閘極線可被形成於閘極絕緣層220上,一層間絕緣層230可被形成於閘極212上,且多個源極215、多個汲極214以及多條資料線可被形成於層間絕緣層230上。各源極215和汲極214可透過穿透閘極絕緣層220和層間絕緣層230的一接觸孔CT1接觸主動層211。
接著,用以平坦化各薄膜電晶體210頂部的一平坦化層240可被形成於源極215、汲極214以及資料線上。
接著,第一電極251可被形成於平坦化層240上。第一電極251可透過穿透平坦化層240的一接觸孔CT2連接汲極214。(圖9的步驟S101)
第二,如圖10B,擋堤255可被形成於第一電極251上用以分隔多個發射部。
擋堤255可由一有機材料所形成,其一折射率低於有機發光層252的折射率,用以完全反射從有機發光層252發出的光。舉例來說,擋堤255可由具有一折射率為1.6或以下的一有機材料所形成,例如,可由一基於丙烯酸(photo acryl-based)的材料所形成。再者,擋堤255的一高度可被調整為3微米或以上,用以增加從有機發光層252發出的光L被擋堤255完全反射的一比率。
一有機材料可以一旋轉塗佈(spin coating)製程或一狹縫塗佈(slit coating)製程被塗佈於第一電極251上,接著,擋堤255可藉由曝出有機材料透過一光刻製程(photo process)而被形成。在以旋轉塗佈製程塗佈有機材料的案例中,有機材料的一黏滯性可約為30厘泊(centipoise, cp)至100厘泊。在以狹縫塗佈製程塗佈有機材料的案例中,有機材料的一黏滯性可約為10厘泊或以下。(圖9的步驟S102)
第三,如圖10C所繪示,有機發光層252和第二電極253可被形成於第一電極251和擋堤255上。
有機發光層252可以一沉積製程(deposition process)或一溶液製程(solution process)被形成。在以沉積製程形成有機發光層252的案例中,有機發光層252可藉由一蒸鍍製程(evaporation process)被形成。有機發光層252可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成。
第二電極253可透過例如濺鍍(sputtering)的一沉積製程被形成。第二電極253可由一透明導體材料(或TCO)所形成,例如能傳遞光線的氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO),可由一半透射式導體材料所形成,例如鎂、銀或鎂和銀的一合金。(圖9的步驟S103)
第四,如圖10D所示,一封裝層260可被形成於第二電極253上。封裝層260可填充擋堤255的一空間以平坦化第二電極253的一頂部。
如圖10D所示,封裝層260為包含一第一無機層261、一有機層262以及一第二無機層263,但本發明不以此為限。
第一無機層261可被形成以覆蓋第二電極253、有機層262可被形成於第一無機層261上,且第二無機層263可被形成以覆蓋有機層262。
各第一及第二無機層261、263可由氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦,以及/或其類似物所形成。第一無機層261可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成,例如,可由具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率的一有機材料所形成。
有機層262可被透明地形成以傳遞從有機發光層252發出的光。有機層262可由能傳遞99%或以上從有機發光層252發出的光的一有機材料所形成。
此外,有機層262可被形成來填充擋堤255的空間以平坦化因介於擋堤255及一發射部RE之間擋堤255的高度造成的一段差。有機層262可由具有一折射率約為1.8或以上的一有機材料所形成,例如,可由具有與有機發光層252的折射率相配的一折射率的一有機材料所形成。為此,有機層262可包含乙烯基化合物、光聚合引髮劑(photopolymerization initiator)、甲苯和丁基化羥基甲苯。在此情況下,乙烯基化合物可為苯基硫化物。
在此情況下,一有機材料可以一網版印刷製程(screen printing process)或一噴墨印刷製程(inkjet printing process)被塗佈於第一無機層261上,接著,有機層262可藉由紫外線固化或熱固化有機材料被形成。在以噴墨印刷製程塗佈有機材料的案例中,有機材料的一黏滯性可約為20厘泊或以下。
如圖5所示,擋堤255的空間可填充有第一無機層261而不是有機層262,以平坦化擋堤255和發射部RE之間的一段差。(圖9的步驟S104)
第五,如圖10E所示,第一基板111的封裝層260以及第二基板112的彩色濾光片RC可藉由使用一黏著層270彼此結合,如此,將第一基板111黏合至第二基板112。黏著層270可為一透明黏性樹脂。(圖9的步驟S105)
圖11為繪示根據本發明之另一實施例的一種有機發光顯示裝置之製造方法的流程圖。圖12A至圖12F為根據本發明之一實施例的一種有機發光顯示裝置沿圖6之線Ⅱ-Ⅱ'的剖面示意圖用以描述其製造方法。圖12A至圖12F所繪示之剖面圖係關聯於圖7所繪示之一有機發光顯示裝置的製造方法,且相同符號表示相同的元件。以下,將參考圖11及圖12A至圖12F根據本發明的一實施例描述一種有機發光顯示裝置的製造方法。
第一,如圖12A所示,多個薄膜電晶體210可被形成於一第一基板111,且用以平坦化各薄膜電晶體210頂部的一平坦化層240可被形成。
一種形成薄膜電晶體210於第一基板111上的方法基本上係與前述圖9的步驟S101相同,如此,省略其細節描述。
在薄膜電晶體210形成後,用以平坦化各薄膜電晶體210頂部的一平坦化層240可被形成於多個源極215、多個汲極214以及多條資料線上。平坦化層240可包含凸出於平坦化層240的一浮凸圖案241。浮凸圖案241可設置於擋堤255。再者,浮凸圖案241的一高度可小於或等於擋堤255的一高度。(圖11的步驟S201)
第二,如圖12B所示,第一電極251可被形成於平坦化層240上。第一電極251可透過穿透平坦化層240的一接觸孔CT2連接汲極214。
第一電極251亦可被形成於平坦化層240的浮凸圖案241上。因此,第一電極251可完全反射從有機發光層252行進至浮凸圖案241的光,且所述光可朝向一上基板的方向輸出。於是,根據本發明的一實施例,減少了從有機發光層252發出的光的損失。(圖11的步驟S202)
第三,如圖12C所示,覆蓋第一電極251的一邊緣的擋堤255可被形成以分隔多個發射部。
擋堤255可由一有機材料所形成,其一折射率低於有機發光層252的折射率,用以完全反射從有機發光層252發出的光。舉例來說,擋堤255可由具有一折射率為1.6或以下的一有機材料所形成。再者,擋堤255的一高度可被調整為3微米或以上,用以增加從有機發光層252發出的光L被擋堤255完全反射的一比率。
一有機材料可以一旋轉塗佈製程或一狹縫塗佈製程被塗佈於第一電極251上,接著,擋堤255可藉由曝出有機材料透過一光刻製程而被形成。在以旋轉塗佈製程塗佈有機材料的案例中,有機材料的一黏滯性可約為30厘泊至100厘泊。在以狹縫塗佈製程塗佈有機材料的案例中,有機材料的一黏滯性可約為10厘泊或以下。(圖11的步驟S203)
第四,如圖12D所示,有機發光層252和第二電極253可被形成於第一電極251和擋堤255上。
一種形成有機發光層252和第二電極253於第一電極251和擋堤255上的方法基本上係與前述圖9的步驟S103相同,如此,省略其細節描述。(圖11的步驟S204)
第五,如圖12E所示,一封裝層260可被形成於第二電極253上。封裝層260可填充擋堤255的空間以平坦化第二電極253的一頂部。
一種形成封裝層260於第二電極253上的方法基本上係與前述圖9的步驟S104相同,如此,省略其細節描述。(圖11的步驟S205)
第六,如圖12F所示,第一基板111的封裝層260以及第二基板112的彩色濾光片RC可藉由使用一黏著層270彼此結合,進而將第一基板111黏合至第二基板112。黏著層270可為一透明黏性樹脂。(圖11的步驟S206)
對於本領域技術人員而言顯而易見地,在不脫離本發明的精神或範圍的情況下,可以對本發明進行各種修改及變化。此外,結合一個示例/實施例討論的任何特徵可以同樣地應用於本發明的任何其他示例/實施例。因此,本發明旨於涵蓋包含在所附申請專利範圍及其等同物範圍內之本發明之修改及變化。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
110‧‧‧顯示面板
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧第二基板
120‧‧‧閘極驅動器
130‧‧‧源極驅動積體電路
140‧‧‧可撓性薄膜
150‧‧‧電路板
160‧‧‧時序控制器
210‧‧‧薄膜電晶體
211‧‧‧主動層
212‧‧‧閘極
214‧‧‧汲極
215‧‧‧源極
220‧‧‧閘極絕緣層
230‧‧‧層間絕緣層
240‧‧‧平坦化層
241‧‧‧浮凸圖案
250‧‧‧有機發光裝置
251‧‧‧第一電極
252‧‧‧有機發光層
253‧‧‧第二電極
255‧‧‧擋堤
260‧‧‧封裝層
261‧‧‧第一無機層
262‧‧‧有機層
263‧‧‧第二無機層
270‧‧‧黏著層
BANK‧‧‧擋堤
BM‧‧‧黑矩陣
CT1‧‧‧接觸孔
CT2‧‧‧接觸孔
BE‧‧‧藍色發射部
GE‧‧‧綠色發射部
RE‧‧‧紅色發射部
BP‧‧‧藍色子像素
GP‧‧‧綠色子像素
RP‧‧‧紅色子像素
P‧‧‧像素
DA‧‧‧顯示區域
NDA‧‧‧非顯示區域
L‧‧‧光
RC‧‧‧彩色濾光片
S101~S105‧‧‧有機發光顯示裝置之製造方法的步驟
S201~S206‧‧‧有機發光顯示裝置之製造方法的步驟
隨附圖式提供對本發明更進一步理解,其被併入並構成本申請的一部分,圖式繪示本發明的實施方式,且與文字描述一同用於解釋本發明的原理。於圖式中: 圖1為繪示根據一實施例的一有機發光顯示裝置的立體示意圖。 圖2為繪示圖1之一第一基板、一閘極驅動器、一源極驅動積體電路、一可撓性薄膜、一電路板以及一時序控制器的平面示意圖。 圖3為繪示圖2之一顯示區域中一部分的像素的平面示意圖。 圖4為繪示沿圖3線I-I'之一示例的剖面示意圖。 圖5為繪示沿圖3線I-I'之一示例的剖面示意圖。 圖6為繪示圖2之顯示區域中一部分的像素的另一平面示意圖。 圖7為繪示沿圖6線Ⅱ-Ⅱ'之另一示例的剖面示意圖。 圖8為繪示沿圖6線Ⅱ-Ⅱ'之另一示例的剖面示意圖。 圖9為繪示根據本發明之一實施例的一種有機發光顯示裝置之製造方法的流程圖。 圖10A至圖10E為根據本發明之一實施例的一種有機發光顯示裝置沿圖3之線I-I'的剖面示意圖用以描述其製造方法。 圖11為繪示根據本發明之另一實施例的一種有機發光顯示裝置之製造方法的流程圖。 圖12A至圖12F為根據本發明之一實施例的一種有機發光顯示裝置沿圖6之線Ⅱ-Ⅱ'的剖面示意圖用以描述其製造方法。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
110‧‧‧顯示面板
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧第二基板
130‧‧‧源極驅動積體電路
140‧‧‧可撓性薄膜
150‧‧‧電路板
160‧‧‧時序控制器

Claims (15)

  1. 一種有機發光顯示裝置包含: 一第一電極,於一第一基板上; 一擋堤,於該第一電極上,該擋堤分隔多個發射部; 一有機發光層,於該第一電極以及該擋堤上; 一第二電極,於該有機發光層上;以及 一封裝層,於該第二電極上; 其中,該封裝層填充該擋堤的一空間, 該擋堤的一折射率小於該有機發光層的一折射率以及該封裝層的一折射率,以及 該有機發光層的該折射率以及該封裝層的該折射率之間的一差值小於該擋堤的該折射率以及該有機發光層的該折射率之間的一差值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中該有機發光層的該折射率以及該封裝層的該折射率之間的該差值小於該擋堤的該折射率以及該封裝層的該折射率之間的一差值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中該封裝層包含: 一第一無機層,於該第二電極上; 一有機層,於該第一無機層上,該有機層填充該擋堤的該空間;以及 一第二無機層,於該有機層上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,其中該封裝層包含: 一第一無機層,於該第二電極上,該第一無機層填充該擋堤的該空間; 一有機層,於該第一無機層上;以及 一第二無機層,於該有機層上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置,更包含:一平坦化層於該第一電極下方,該平坦化層包括設置於該擋堤的一浮凸圖案以凸出於該平坦化層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置,其中該浮凸圖案的一高度小於或等於該擋堤的一高度。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置,其中該浮凸圖案的一材料不同於該擋堤的一材料。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置,其中該封裝層填充該浮凸圖案的一空間。
  9. 一種有機發光顯示裝置的製造方法,該方法包含: 形成一第一電極於設置於一第一基板的一平坦化層上; 形成一擋堤於該第一電極上,以分隔多個發射部; 形成一有機發光層於該第一電極以及該擋堤上; 形成一第二電極於該有機發光層上;以及 形成一封裝層於該第二電極上,以填充該擋堤的一空間; 其中,該擋堤的一折射率小於該有機發光層的一折射率以及該封裝層的一折射率,以及 該有機發光層的該折射率以及該封裝層的該折射率之間的一差值小於該擋堤的該折射率以及該有機發光層的該折射率之間的一差值。
  10. 一種有機發光顯示裝置的製造方法,該方法包含: 形成包括一浮凸圖案的一平坦化層於一第一基板上; 形成一第一電極於該平坦化層上; 形成一擋堤於該第一電極上,以分隔多個發射部; 形成一有機發光層於該第一電極以及該擋堤上; 形成一第二電極於該有機發光層上;以及 形成一封裝層於該第二電極上,以填充並平坦化該擋堤的一空間; 其中,該擋堤的一折射率小於該有機發光層的一折射率以及該封裝層的一折射率,以及 該有機發光層的該折射率以及該封裝層的該折射率的一差值小於該擋堤的該折射率以及該有機發光層的該折射率的一差值。
  11. 一種有機發光顯示裝置,包含: 一第一電極,於一第一基板上; 一擋堤,於該第一電極上,該擋堤分隔包含於一子像素中的多個發射部; 一有機發光層,於該第一電極以及該擋堤上; 一第二電極,於該有機發光層上;以及 一封裝層,於該第二電極上; 其中,該封裝層填充該擋堤的一空間,以及 該擋堤的一折射率小於該有機發光層的一折射率以及該封裝層的一折射率。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置,其中該有機發光層的該折射率以及該封裝層的該折射率的一差值小於該擋堤的該折射率以及該封裝層的該折射率的一差值。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置,其中該有機發光層的該折射率以及該封裝層的該折射率的一差值小於該擋堤的該折射率以及該有機發光層的該折射率的一差值。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置,其中該封裝層包含: 一第一無機層,於該第二電極上; 一有機層,於該第一無機層上,該有機層填充該擋堤的該空間;以及 一第二無機層,於該有機層上。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置,其中該封裝層包含: 一第一無機層,於該第二電極上,該第一無機層填充該擋堤的該空間; 一有機層,於該第一無機層上;以及 一第二無機層,於該有機層上。
TW106112020A 2016-04-11 2017-04-11 顯示裝置及其製造方法 TWI655798B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160044115A KR101695652B1 (ko) 2016-04-11 2016-04-11 유기발광표시장치와 그의 제조방법
??10-2016-0044115 2016-04-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201803178A true TW201803178A (zh) 2018-01-16
TWI655798B TWI655798B (zh) 2019-04-01

Family

ID=57811584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106112020A TWI655798B (zh) 2016-04-11 2017-04-11 顯示裝置及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10008555B2 (zh)
EP (1) EP3232488A1 (zh)
KR (1) KR101695652B1 (zh)
CN (2) CN110265567B (zh)
TW (1) TWI655798B (zh)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7007366B2 (ja) * 2017-03-31 2022-01-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示装置、および電子機器
KR102353802B1 (ko) * 2017-08-31 2022-01-19 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102418513B1 (ko) * 2017-10-31 2022-07-06 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102504436B1 (ko) * 2017-12-18 2023-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20190198809A1 (en) * 2017-12-27 2019-06-27 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin-film encapsulation structure and method for oled
CN108110038B (zh) * 2018-01-02 2021-06-25 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
JP7057147B2 (ja) * 2018-01-31 2022-04-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子及び表示装置
CN108767136B (zh) 2018-06-05 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种镜面显示屏和制备方法
CN108807485B (zh) * 2018-06-25 2020-12-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN208622729U (zh) * 2018-09-14 2019-03-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板以及显示装置
KR20200048310A (ko) * 2018-10-29 2020-05-08 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR102631253B1 (ko) 2018-11-05 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR20200058665A (ko) * 2018-11-19 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US11196016B2 (en) 2018-11-20 2021-12-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel structure, display apparatus, and method of fabricating pixel structure
KR102626658B1 (ko) 2018-12-03 2024-01-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102632623B1 (ko) * 2018-12-20 2024-01-31 엘지디스플레이 주식회사 광 경로 제어 부재 및 이를 포함하는 전자 기기
KR102635472B1 (ko) * 2018-12-21 2024-02-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR20200080923A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200085968A (ko) * 2019-01-07 2020-07-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111490068B (zh) * 2019-01-29 2022-07-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR20200097373A (ko) * 2019-02-07 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 양자점 색 변환 필터를 구비하는 유기발광 표시장치
CN109920800A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示装置及其制作方法
CN109904347B (zh) * 2019-03-15 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、显示装置
US10777717B1 (en) * 2019-03-20 2020-09-15 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Pixel encapsulating structure
CN110148685B (zh) * 2019-05-07 2021-01-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
KR20200132520A (ko) * 2019-05-17 2020-11-25 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20200134752A (ko) * 2019-05-23 2020-12-02 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN111987124B (zh) * 2019-05-24 2024-05-28 乐金显示有限公司 发光显示装置
CN110429111B (zh) * 2019-07-15 2022-07-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及显示装置
KR20210010053A (ko) * 2019-07-19 2021-01-27 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN111129338B (zh) * 2019-11-25 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制备方法
CN115552643A (zh) * 2019-12-24 2022-12-30 Oti照明公司 包含覆盖层的发光装置和其制造方法
CN113937234B (zh) * 2020-06-29 2023-08-15 江苏三月科技股份有限公司 一种含有覆盖层的顶发射有机电致发光器件
JP2023542200A (ja) * 2020-09-21 2023-10-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 光取り出し効率が改善された有機エレクトロルミネッセンスデバイス
US20240114747A1 (en) * 2020-12-22 2024-04-04 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
CN113328054B (zh) * 2021-05-31 2022-08-09 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20220164844A (ko) * 2021-06-04 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113707828B (zh) * 2021-08-27 2022-12-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100952831B1 (ko) * 2009-01-12 2010-04-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치
JP5622072B2 (ja) * 2009-12-18 2014-11-12 大日本印刷株式会社 カラーフィルタおよびカラーフィルタを備えた有機el表示装置
JP6082907B2 (ja) * 2012-02-17 2017-02-22 株式会社Joled 表示装置及び表示装置の製造方法
US20150206927A1 (en) * 2012-06-20 2015-07-23 Pioneer Corporation Organic electroluminescent device
KR20150064203A (ko) * 2012-10-11 2015-06-10 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치
KR102051103B1 (ko) * 2012-11-07 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5849981B2 (ja) 2013-03-25 2016-02-03 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
US9246133B2 (en) 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device
KR20150009734A (ko) * 2013-07-17 2015-01-27 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자
JP2015122248A (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
KR102227462B1 (ko) * 2014-04-22 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN104952884B (zh) 2015-05-13 2019-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled背板结构及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3232488A1 (en) 2017-10-18
CN110265567A (zh) 2019-09-20
CN107331785B (zh) 2019-06-28
CN107331785A (zh) 2017-11-07
KR101695652B1 (ko) 2017-01-12
CN110265567B (zh) 2022-01-28
US20170294493A1 (en) 2017-10-12
TWI655798B (zh) 2019-04-01
US10008555B2 (en) 2018-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI655798B (zh) 顯示裝置及其製造方法
US10910441B2 (en) Organic light emitting display device
CN108022940B (zh) 显示装置
CN108122954B (zh) 有机发光显示装置以及用于制造有机发光显示装置的方法
CN108231829B (zh) 包括滤色器的显示装置
US10319951B2 (en) Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
CN107785393B (zh) 显示装置及其制造方法
TWI651703B (zh) 有機發光顯示裝置
CN108933157B (zh) 有机发光显示装置
CN111129270A (zh) 微型led显示装置
KR102645419B1 (ko) 발광 표시 장치
CN110767841A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
WO2016027636A1 (ja) 表示装置および電子機器
TWI670844B (zh) 發光顯示裝置及其製造方法
KR102666703B1 (ko) 전계 발광 표시장치
KR102115001B1 (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
CN113097405B (zh) 发光显示面板
WO2021030971A1 (zh) 显示装置及制备方法、电子设备
KR102431313B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
TWI814172B (zh) 有機發光顯示設備
TWI847820B (zh) 有機發光顯示設備
US20240206263A1 (en) Light emitting display apparatus
KR102480850B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN118284230A (zh) 显示装置
CN118263275A (zh) 显示装置