TW201717704A - 積層體之剝離裝置及剝離方法與電子裝置之製造方法 - Google Patents

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Yoshitaka Matsuyama
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Abstract

本發明係關於一種積層體之剝離裝置，其係將第1基板與第2基板經由吸附層而以可剝離之方式貼附而成之積層體之剝離裝置，且其特徵在於包括：雷射光照射構件，其係對上述積層體之外周緣部之一部分照射雷射光，使上述吸附層之一部分藉由氣化而去除，從而於上述外周緣部之一部分製作剝離開始部；液體供給構件，其係向上述剝離開始部供給液體，且向上述第1基板與上述吸附層之間之間隙或上述第2基板與上述吸附層之間之間隙供給上述液體；及剝離構件，其係以上述剝離開始部為起點而將上述第1基板與上述第2基板相對地隔開並剝離。

Description

積層體之剝離裝置及剝離方法與電子裝置之製造方法
本發明係關於一種積層體之剝離裝置及剝離方法與電子裝置之製造方法。
已知有機EL顯示器(OELD：Organic Electroluminescence Display，有機電致發光顯示器)及液晶顯示器(LCD：Liquid Crystal Display)等顯示面板，太陽電池、薄膜二次電池等電子裝置。該等電子裝置伴隨著近年之薄型化、輕量化，要求用於電子裝置之玻璃板、樹脂板、金屬板等基板(第1基板)之薄板化。 然而，若基板之厚度變薄，則基板之操作性變差，故而難以於基板之表面形成電子裝置用之功能層(若為OELD，則為陽極、緩衝層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極等OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)元件；若為LCD，則為薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)、彩色濾光片(CF：Color Filter)。 因此，於專利文獻1中，提出有一種電子裝置之製造方法，其將玻璃製之支持基板(第2基板)經由吸附層而貼附於基板之背面，構成將基板藉由支持基板而補強之積層體，並於積層體之狀態下於基板之表面(露出面)形成功能層。於該製造方法中，由於基板之操作性提高，故而可於基板之表面良好地形成功能層。並且，支持基板於功能層之形成後自基板剝離。 於專利文獻2中，揭示有一種於將轉印體與基板之表面經由分離層積層而成之積層體中，將轉印體自基板剝離之剝離方法。又，於專利文獻2中，揭示有藉由包含非晶質聚矽氧之光吸收層與包含金屬薄膜之反射層之積層體而形成分離層。 根據專利文獻2之剝離方法，藉由自基板之背面側向分離層照射雷射光之類之照射光，於光吸收層引起剝蝕，於分離層之層內或界面中之至少一者產生剝離，而將轉印體自基板剝離。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2007-326358號公報 [專利文獻2]日本專利特開平10-125929號公報
[發明所欲解決之問題] 作為積層體之剝離方法，雖然於專利文獻2中記載有對分離層照射雷射光而將轉印體與基板剝離之方法，但對於使光吸收層之一部分氣化而將轉印體自基板剝離之具體之態樣並未揭示。又，於藉由雷射光而使整個光吸收層氣化情形時，有氣化之光吸收層之成分以煤之形式附著於基板之表面之問題。 本發明係鑒於此種課題而成者，其目的在於提供一種於使用雷射光剝離積層體時，可抑制因氣化之吸附層之成分導致之煤於基板之附著的積層體之剝離裝置及剝離方法與電子裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了達成本發明之目的，本發明之積層體之剝離裝置之一態樣係將第1基板與第2基板經由吸附層而以可剝離之方式貼附而成之積層體之剝離裝置，且其特徵在於具備：雷射光照射構件，其係對積層體之外周緣部之一部分照射雷射光，使吸附層之一部分藉由氣化而去除，從而於外周緣部之一部分製作剝離開始部；液體供給構件，其係向剝離開始部供給液體，且向第1基板與吸附層之間之間隙或第2基板與吸附層之間之間隙供給液體；及剝離構件，其係以剝離開始部為起點而將第1基板與第2基板相對地隔開並剝離。 為了達成本發明之目的，本發明之積層體之剝離方法之一態樣係將第1基板與第2基板經由吸附層而以可剝離之方式貼附而成之積層體之剝離方法，且其特徵在於具備：剝離開始部製作步驟，其係對積層體之外周緣部之一部分照射雷射光，使吸附層之一部分藉由氣化而去除，從而於外周緣部之一部分製作剝離開始部；及剝離步驟，其係向剝離開始部供給液體，且一面向第1基板與吸附層之間之間隙或第2基板與吸附層之間之間隙供給液體，一面以剝離開始部為起點而將第1基板與第2基板相對地隔開並剝離。 為了達成本發明之目的，本發明之電子裝置之製造方法之一態樣具有：功能層形成步驟，其係對將第1基板與第2基板經由吸附層而以可剝離之方式貼附而成之積層體於第1基板之露出面形成功能層；及分離步驟，其係將第2基板自形成有功能層之第1基板分離；且該製造方法之特徵在於：分離步驟具備：剝離開始部製作步驟，其係對積層體之外周緣部之一部分照射雷射光，使吸附層之一部分藉由氣化而去除，從而於外周緣部之一部分製作剝離開始部；剝離步驟，其係一面向剝離開始部供給液體，且向第1基板與吸附層之間之間隙或第2基板與吸附層之間之間隙供給液體，一面以剝離開始部為起點而將第1基板與第2基板相對地隔開並剝離。 根據本發明之一態樣，於剝離開始部製作步驟中，自雷射光照射構件向積層體之外周緣部之一部分照射雷射光，使吸附層之一部分藉由氣化而去除，從而於外周緣部之一部分製作剝離開始部。繼而，於剝離步驟中，一面自液體供給構件向剝離開始部供給液體，且向第1基板與吸附層之間之間隙或第2基板與吸附層之間之間隙供給液體，一面以剝離開始部為起點而將第1基板與第2基板藉由剝離構件而相對地隔開並剝離。 即，根據本發明之一態樣，使用雷射光之剝離範圍係設為積層體之外周緣部之一部分，將該剝離範圍設為剝離開始部，一面向該剝離開始部供給液體，一面將第1基板與第2基板相對地隔開並剝離。藉由該剝離動作，液體被供給至依序被剝離之第1基板與吸附層之間之間隙、或第2基板與吸附層之間之間隙，使該等之界面潤濕，故而使剝離動作順利地進行。 剝離結束後，即便於用作支持基板之基板殘留吸附層，亦不必將吸附層去除，可直接將該基板作為附吸附層之支持基板而再循環使用。又，於在用作製品基板之基板殘存吸附層之情形時，藉由清洗而將吸附層去除。 如上所述，根據本發明之一態樣，於使用雷射光剝離積層體時，由於使用雷射光之剝離範圍僅為積層體之外周緣部之一部分，故而可抑制因氣化之吸附層之成分導致之煤於基板之附著。 本發明之一態樣較佳為第1基板之厚度與第2基板之厚度互不相同，經由第1基板或第2基板中厚度較厚之基板而將雷射光照射至吸附層之一部分。 若經由基板而向吸附層照射雷射光，則有照射到雷射光之吸附層之表層氣化，而使該氣體被封閉於吸附層與基板之間之情形。於該情形時，有因被封閉之氣體之壓力而使基板破損之情形。因此，根據本發明之一態樣，經由第1基板或第2基板中厚度較厚之基板、即強度較高之基板而將雷射光照射至吸附層。藉此，可防止因吸附層氣化導致之厚度較薄之基板之破損。 本發明之一態樣較佳為雷射光照射構件係對構成為矩形狀之積層體之外周緣部之一個角部照射雷射光，於上述角部製作剝離開始部。 根據本發明之一態樣，於構成為矩形狀之積層體之情形時，僅對外周緣部之一個角部照射雷射光，於上述角部形成剝離開始部。再者，於積層體為矩形狀以外之情形時，對積層體之外周部中適當選擇之其一部分照射雷射光而形成剝離開始部。 本發明之一態樣較佳為剝離構件係自製作有剝離開始部之積層體之一個角部，沿著朝向與上述角部於對角線上對向之另一角部之剝離進行方向，使第1基板及第2基板中之至少一個基板彎曲。 根據本發明之一態樣，於以形成於一個角部之剝離開始部為起點而剝離之情形時，自上述角部沿著朝向與上述角部於對角線上對向之另一角部之剝離進行方向，使第1基板及第2基板中之至少一個基板彎曲。藉此，將第1基板及第2基板沿著剝離進行方向相對地隔開並剝離。 本發明之一態樣較佳為第1基板及第2基板為玻璃板，吸附層為聚醯亞胺層，且具備於第1基板及第2基板中厚度較薄之玻璃板之露出面形成功能層之功能層形成步驟，於功能層形成步驟後，進行剝離開始部製作步驟。 根據本發明之一態樣，於電子裝置之製造步驟中，將耐熱性高於樹脂之玻璃板用作第1基板及第2基板，又，將耐熱性較高之聚醯亞胺樹脂用作吸附層，於藉此所構成之積層體中厚度較薄之玻璃板之露出面於高溫條件下形成功能層。其後，可藉由經由剝離開始部製作步驟及剝離步驟而使各玻璃板分離，製造形成有功能層之玻璃板即電子裝置。 本發明之一態樣較佳為吸附層於剝離步驟後，殘留於第1基板之與功能層相反側之表面。 根據本發明之一態樣，可藉由吸附層而抑制於第1基板之與功能層相反側之表面產生之微裂痕等微小瑕疵擴大。 [發明之效果] 根據本發明之積層體之剝離裝置及剝離方法與電子裝置之製造方法，於使用雷射光剝離積層體時，可抑制因氣化之吸附層之成分導致之煤於基板之附著。
以下，依據隨附圖式，對本發明之實施形態進行說明。 以下，對於將本發明之積層體之剝離裝置及剝離方法用於電子裝置之製造步驟之情形進行說明。 所謂電子裝置，係指顯示面板、太陽電池、薄膜二次電池、液晶透鏡等電子零件。作為顯示面板，可例示：OELD、LCD、電漿顯示器面板、及電子紙等。 [電子裝置之製造步驟] 圖1係表示電子裝置之製造步驟之流程圖。 電子裝置之製造步驟具有於玻璃製、樹脂製、金屬製等之基板(第1基板)之表面形成電子裝置用之功能層(若為OELD，則為OLED元件；若為LCD，則為TFT、CF)之功能層形成步驟(步驟S100)。 此處，OLED元件係由例如複合片材、像素電極、有機層、對向電極及密封板等構成。有機層至少包含發光層，且視需要包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層。例如，有機層自陽極側依序包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層。藉由像素電極、有機層及對向電極等而構成頂部發光型之OLED元件。再者，OLED元件亦可為底部發光型。 作為功能層之形成方法，可使用：CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)法等蒸鍍法、濺鍍法。功能層係藉由光微影法、蝕刻法而形成為特定之圖案。 基板係於功能層之形成前，使其背面貼附於支持基板(第2基板)而構成為積層體。其後，於積層體之狀態下於基板之表面(露出面)形成功能層。並且，功能層之形成後，將支持基板自基板剝離。 即，於電子裝置之製造步驟中具備：功能層形成步驟(S100)，其係於積層體之狀態下於基板之表面形成功能層；步驟(S110)，其係將密封所形成之功能層之蓋貼附於基板2(參照圖2)；及分離步驟(S120)，其係自形成有功能層之基板分離支持基板。又，分離步驟(S120)具備剝離開始部製作步驟(S130)及剝離步驟(S140)。於該分離步驟(S120)應用本發明之積層體之剝離裝置及剝離方法。 [積層體1] 圖2係表示積層體1之一例之主要部分放大側視圖。 於本實施形態中，例示矩形狀之積層體1，但形狀並不限定於矩形，可為圓形亦可為橢圓形。 積層體1具備：形成功能層之基板2、及將該基板2補強之支持基板3。又，基板2於背面2b具備作為吸附層之樹脂層4，於樹脂層4貼附支持基板3之表面3a。即，支持基板3係藉由作用於其與樹脂層4之間之凡得瓦耳力、或樹脂層4之黏著力，而經由樹脂層4以可剝離之方式貼附於基板2。 [基板2] 基板2於其表面2a形成功能層。作為基板2，可例示：玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、半導體基板。該等基板中，玻璃基板由於耐化學品性、耐透濕性優異，且線膨脹係數較小，故而適於作為電子裝置用之基板2。又，亦有隨著線膨脹係數減小，於高溫下所形成之功能層之圖案於冷卻時變得難以偏移之優點。 作為玻璃基板之玻璃，可例示：無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽作為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為藉由氧化物換算所得之氧化矽之含量為40～90質量%之玻璃。 玻璃基板之玻璃較佳為選擇適於要製造之電子裝置之種類之玻璃、適於其製造步驟之玻璃而採用。例如，OELD或LCD用之玻璃基板較佳為採用實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。 基板2之厚度係根據基板2之種類而設定。例如於採用玻璃基板作為基板2之情形時，為了電子裝置之輕量化、薄板化，其厚度較佳為設為0.7 mm以下，更佳為設為0.3 mm以下，進而較佳為設為0.1 mm以下。於厚度為0.3 mm以下之情形時，可對玻璃基板賦予良好之可撓性。進而，於厚度為0.1 mm以下之情形時，可將玻璃基板捲取為捲筒狀，但就玻璃基板之製造之觀點、及玻璃基板之操作之觀點而言，其厚度較佳為0.03 mm以上。若為OELD用之玻璃基板，則由於要求較高之可撓性，故而其厚度較佳為0.2 mm以下且0.02 mm以上。 [支持基板3] 作為支持基板3，可例示：玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、半導體基板。 支持基板3之厚度係設定為0.7 mm以下，且係根據補強之基板2之種類、厚度等而設定。再者，支持基板3之厚度可厚於基板2，亦可薄於基板2，為了補強基板2，較佳為0.4 mm以上。 再者，於本例中，支持基板3係由1片基板構成，但支持基板3亦可由積層有複數片板之積層體構成。 [樹脂層4] 構成樹脂層4之樹脂並無特別限定，可例示：聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂。亦可將若干種類之樹脂混合而使用。其中，就耐熱性或剝離性之觀點而言，較佳為聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂。於本實施形態中，作為樹脂層4，例示適於OELD之聚醯亞胺樹脂。 再者，樹脂層4之外形較佳為與支持基板3之外形相同以使支持基板3能夠支持基板2之整體。 又，於圖2中，樹脂層4係由1層構成，但樹脂層4亦可由2層以上構成。於該情形時，構成樹脂層4之所有層之合計之厚度成為樹脂層4之厚度。又，於該情形時，構成各層之樹脂之種類亦可不同。 進而，於本實施形態中，使用有機膜作為樹脂層4，但亦可使用無機膜而代替有機膜。作為無機膜，例如包含選自由金屬矽化物、氮化物、碳化物、及碳氮化物所組成之群之至少1種。 於本實施形態中，於不存在樹脂層4之情形時，於基板2之與樹脂層4結合之背面2b產生拉伸應力時，基板2之平均破壞強度未達1 GPa。基板2之與樹脂層4結合之背面2b帶有損傷時，樹脂層4限制該損傷裂開。對平均破壞強度之測定方法於下文進行說明。此處，將基板2與樹脂層4之一體物設為複合片材A。 樹脂層4具有即便於沿著卷芯等輥而使複合片材A彎曲變形時，亦不與基板2剝離之程度之結合力。其結果為，樹脂層4抑制產生於基板2之背面2b之微裂痕等微小瑕疵擴大。樹脂層4可於電子裝置之製造步驟之中途自基板2剝離，可最終不成為電子裝置之構成之一部分。再者，於本實施形態中，樹脂層4亦成為電子裝置之構成之一部分。 樹脂層4只要覆蓋基板2之欲提高平均破壞強度之部分即可，覆蓋基板2之背面2b之至少一部分。樹脂層4較佳為覆蓋基板2之整個背面2b。再者，樹脂層4亦可自基板2之背面2b伸出。 樹脂層4可於基板2上塗佈液狀之樹脂組合物並固化而形成，亦可於基板2貼附樹脂膜而形成。於後者之情形時，樹脂層4亦可由樹脂膜及將樹脂膜與玻璃片材接著之接著層構成。再者，於後者之情形時，亦可不使用接著劑，而將玻璃片材之經表面處理(例如矽烷偶合處理)之面與樹脂膜之經表面處理(例如電暈處理)之面貼合。由表面處理所致之樹脂膜之厚度之變化與表面處理前之樹脂膜之厚度相比充分小(例如為10 nm以下)。 樹脂層4例如亦可僅由樹脂形成。再者，樹脂層4亦可由包含樹脂之材料形成，例如可由樹脂及填料形成。作為填料，可列舉：纖維狀、或板狀、鱗片狀、粒狀、不定形狀、破碎品等非纖維狀之填充劑，具體而言，例如可列舉：玻璃纖維、PAN(polyacrylnitrile，聚丙烯腈)系或瀝青系之碳纖維、不鏽鋼纖維、鋁纖維或黃銅纖維等金屬纖維、芳香族聚醯胺纖維等有機纖維、石膏纖維、陶瓷纖維、石棉纖維、氧化鋯纖維、氧化鋁纖維、二氧化矽纖維、氧化鈦纖維、碳化矽纖維、岩絨、鈦酸鉀晶鬚、鈦酸鋇晶鬚、硼酸鋁晶鬚、氮化矽晶鬚、雲母、滑石、高嶺土、二氧化矽、碳酸鈣、玻璃珠、玻璃薄片、玻璃微球、黏土、二硫化鉬、矽灰石、氧化鈦、氧化鋅、多磷酸鈣、石墨、金屬粉、金屬薄片、金屬帶、金屬氧化物、碳粉末、石墨、碳薄片、鱗片狀碳、碳奈米管等。作為金屬粉、金屬薄片、金屬帶之金屬種類之具體例，可例示：銀、鎳、銅、鋅、鋁、不鏽鋼、鐵、黃銅、鉻、錫等。玻璃纖維或碳纖維之種類只要為通常用於樹脂之強化用者，則並無特別限定，例如可自長纖維型或短纖維型之切股、磨碎纖維等中選擇而使用。又，樹脂層4亦可由含浸有樹脂之織布、不織布等構成。 樹脂層4之樹脂可為多種多樣，例如可為熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂之任一種。作為熱硬化性樹脂，例如可使用：聚醯亞胺(PI)、環氧樹脂(EP)等。作為熱塑性樹脂，例如可使用：聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯并咪唑(PBI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚碸(PES)、環狀聚烯烴(COP)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、丙烯酸系樹脂(PMMA)、胺基甲酸酯(PU)等。再者，樹脂膜亦可由光硬化性樹脂形成，可為共聚物、或混合物。藉由卷對卷法之電子裝置之製造步驟有包含伴隨加熱處理之步驟之情況，樹脂之耐熱溫度(可連續使用之溫度)較佳為100℃以上。作為耐熱溫度為100℃以上之樹脂，例如可列舉：聚醯亞胺(PI)、環氧樹脂(EP)、聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯并咪唑(PBI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚碸(PES)、環狀聚烯烴(COP)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、丙烯酸系樹脂(PMMA)、胺基甲酸酯(PU)等。 樹脂層4之平均厚度例如未達100 μm。若樹脂層4之平均厚度未達100 μm，則可充分確保複合片材A之可撓性。又，若樹脂層4之平均厚度未達100 μm，則可抑制因樹脂與玻璃之熱膨脹係數差導致之翹曲。樹脂層4之平均厚度較佳為90 μm以下，更佳為75 μm以下。 又，樹脂層4之平均厚度例如為0.5 μm以上。若樹脂層4之平均厚度為0.5 μm以上，則可藉由樹脂層4之存在而限制基板2之損傷之裂開。樹脂層4之平均厚度較佳為1 μm以上，更佳為2 μm以上。 樹脂層4距樹脂層4與基板2之界面之法線方向距離為0 μm～0.5 μm之部分(以下，稱為「樹脂層4之基板2附近之部分」)之楊氏模數為100 MPa以上。樹脂層4之基板2附近之部分充分硬，可藉由樹脂層4之存在而限制基板2之損傷裂開。樹脂層4之基板2附近之部分之楊氏模數較佳為500 MPa以上。 於樹脂層4之基板2附近之部分由n(n≧2)個層構成之情形時，樹脂層4之基板2附近之部分之楊氏模數E係由下述式(1)算出。 E＝Σ(Ek ×Ik )/I            (1) Ek ：第k層之材料之楊氏模數 Ik ：第k層之剖面二次力矩 k：1～n之整數 I：樹脂層4之基板2附近之部分整體之剖面二次力矩 由式(1)可明確，於樹脂層4由樹脂膜及將樹脂膜與玻璃片材接著之接著層構成之情形時，只要比樹脂膜柔軟之接著層之厚度充分薄(例如只要為100 nm以下)，則楊氏模數E成為100 MPa以上。 於構成樹脂層4之一個層由單一之材料形成之情形時，一個層之楊氏模數係利用依據日本工業標準JIS K7127：1999之方法而測定。另一方面，於構成樹脂層4之一個層由傾斜材料形成之情形時，一個層之楊氏模數係藉由奈米壓痕儀而測定。 再者，樹脂層4之其餘之部分(距樹脂層4與基板2之界面之距離超過0.5 μm之部分)之楊氏模數例如為100 MPa以上，較佳為300 MPa以上，更佳為500 MPa以上。 [雷射光照射裝置10] 圖3係表示於剝離開始部製作步驟(參照圖1：S130)中所使用之雷射光照射裝置(雷射光照射構件)10之構成之立體圖。 雷射光照射裝置10具備：將雷射光出射之出射部12；及設置於出射部12之下方且載置積層體1之台14。出射部12係藉由未圖示之驅動部而設置為於水平方向移動自如，藉由利用該驅動部而移動，可對載置於台14之積層體1掃描雷射光。 作為雷射光照射裝置10之出射部12，使用Coherent Japan股份有限公司製造之AVIA355-28。該出射部12之頻率係設為100 kHz，波長係設為355 nm雷射。 積層體1係以使支持基板3與出射部12對向之方式，將支持基板3朝向上方而載置於台14。藉此，自出射部12出射之雷射光經由支持基板3而入射至樹脂層4，並被樹脂層4吸收。 再者，積層體1之尺寸並無限定，可例示第6代(1850 mm×1500 mm)以上之尺寸之積層體1。 於本實施形態之雷射光照射裝置10中，自出射部12向積層體1之外周緣部之一個角部1A照射雷射光，使位於角部1A之樹脂層4之一部分藉由氣化而去除，從而於角部1A製作剝離開始部5。剝離開始部5之大小較佳為於俯視下以角部1A為頂角且一對等邊之長度為約20 mm之等腰三角形。 又，剝離開始部5之尺寸及形狀並不限定於上述形態，例如成為OELD及LCD之製品基板之實質尺寸為自基板之外周緣部向基板之內側進入特定量之區域之尺寸。因此，相當於積層體1之外周緣部之一部分的剝離開始部5之尺寸及形狀較佳為不進入至製品基板之區域之尺寸及形狀。 圖4係於角部1A製作有剝離開始部5之積層體1之剖視圖，圖5係圖4之積層體1之俯視圖。根據圖4、圖5，與積層體1之角部1A對應之一部分樹脂層4藉由雷射光而被去除，製作出剝離開始部5。 再者，雷射光係被樹脂層4吸收而不透過，故而對形成於基板2之表面之功能層不產生影響。 [剝離開始部製作方法之實施例] 將支持基板3朝向上方而將積層體1載置於圖3之雷射光照射裝置10之台14，自出射部12朝向積層體1之角部1A照射雷射光。 此時，將能量密度設定為115 mj/cm2 ，且使雷射光之點於平面上之X軸、Y軸上重複50%。其結果為，可將與角部1A對應之位置之樹脂層4之表層完全去除。 又，將能量密度設定為183 mj/cm2 ，且使雷射光之點於平面上之X軸、Y軸上不重複。其結果為，可將與角部1A對應之位置之樹脂層4之表層完全去除。 [剝離裝置40] 圖6係表示本實施形態之剝離裝置40之構成之縱剖視圖，圖7係模式性地表示複數個可動體44相對於剝離裝置40之剝離組裝體42之配置位置的剝離組裝體42之俯視圖。再者，圖6相當於沿著圖7之B-B線之剖視圖，又，於圖7中以實線表示積層體1。又，可動體44係相對於剝離組裝體42配置為柵格狀。 [剝離組裝體42] 圖8(A)係構成剝離組裝體42之可撓性板46之俯視圖，圖8(B)係沿著圖8(A)之C-C線之可撓性板46之側剖視圖。又，圖9(A)係構成剝離組裝體42之可撓性板48之仰視圖，圖9(B)係沿著圖9(A)之D-D線之可撓性板48之剖視圖。進而，圖10(A)係表示可撓性板46、48與積層體1之對應關係之剖視圖，圖10(B)係藉由可撓性板46、48而保持積層體1之剖視圖。 [可撓性板46] 可撓性板46如圖8及圖10所示，具備：尺寸大於積層體1之矩形狀之本體板50、及將積層體1之支持基板3(參照圖2)吸附保持之矩形狀之橡膠製多孔質片材52，多孔質片材52貼附於本體板50之上表面。 關於多孔質片材52之厚度，為了降低剝離時於支持基板3產生之拉伸應力，較佳為2 mm以下，較佳為1 mm以下。 於本體板50之上表面接著有將吸附保持於多孔質片材52之積層體1包圍之殼體54。殼體54係例如蕭氏E硬度為20度以上且50度以下之獨立氣泡之海綿，設定為自吸附保持於多孔質片材52之積層體1之上表面(基板2)突出之高度(參照圖10(B))。 於被殼體54包圍之多孔質片材52具備框狀之槽56。槽56係經由本體板50所具備之複數個貫通孔58而連接於圖6所示之真空泵60。 因此，若驅動真空泵60，則貫通孔58及槽56之空氣被抽吸，積層體1之支持基板3被真空吸附保持於多孔質片材52。藉此，積層體1之支持基板3被本體板50支持。 又，如圖8所示，於被殼體54包圍之多孔質片材52之角部具備液體(例如可為水、有機溶劑)之供給孔62。供給孔62連通於本體板50之貫通孔64，該貫通孔64連接於圖6之送液泵(液體供給構件)66。因此，若驅動送液泵66，則液體經由貫通孔64及供給孔62而供給至液槽68。所謂液槽68，係指被作為底面之多孔質片材52與成為側壁之殼體54包圍之長方體形狀之空間。又，供給孔62較佳為於在剝離步驟時使剝離組裝體42傾斜時，配置於液槽68內之最下部。 如圖8及圖10所示，於本體板50之上表面接著有將殼體54及可撓性板48包圍之殼體70。該殼體70為了於剝離步驟時堵住自殼體54溢出之液體，而設定為高於殼體54之高度。又，殼體70亦與殼體54同樣地由獨立氣泡之海綿構成。 於位於殼體54與殼體70之間之多孔質片材52具備複數個貫通孔71。於本體板50具備連通於貫通孔71之複數個排水孔72。即，藉由殼體70所堵住之液體經由貫通孔71及排水孔72而向剝離裝置40之機外排水。 本體板50與多孔質片材52及殼體54、70相比彎曲剛性較高，本體板50之彎曲剛性支配可撓性板46之彎曲剛性。可撓性板46之每單位寬度(1 mm)之彎曲剛性較佳為1000～40000 N・mm2 /mm。例如，於可撓性板46之寬度為100 mm之部分，彎曲剛性成為100000～4000000 N・mm2 。藉由將每單位寬度之可撓性板46之彎曲剛性設為1000 N・mm2 /mm以上，可防止吸附保持於可撓性板46之基板2之彎曲。又，藉由將每單位寬度之可撓性板46之彎曲剛性設為40000 N・mm2 /mm以下，可使吸附保持於可撓性板46之基板2適度地彎曲變形。作為本體板50，可例示：聚碳酸酯樹脂、聚氯乙烯(PVC)樹脂、丙烯酸系樹脂、聚縮醛(POM)樹脂等樹脂製構件、及金屬製構件。 [可撓性板48] 可撓性板48如圖9及圖10所示，具備：尺寸大於積層體1且尺寸小於本體板50之矩形狀之本體板74、及將積層體1之基板2(參照圖2)吸附保持之矩形狀之橡膠製多孔質片材76。多孔質片材76貼附於本體板74之下表面。 多孔質片材76之厚度亦與多孔質片材52之厚度同樣地較佳為2 mm以下，較佳為1 mm以下。 於多孔質片材76具備框狀之槽78。槽78係經由本體板74所具備之複數個貫通孔80而連接於圖6所示之真空泵82。 因此，若驅動真空泵82，則貫通孔80及槽78之空氣被抽吸，積層體1之基板2被真空吸附保持於多孔質片材76。藉此，積層體1之基板2被本體板74支持。 即，積層體1如圖10(B)所示，藉由使支持基板3吸附保持於可撓性板46，使基板2吸附保持於可撓性板48，而被剝離組裝體42支持。並且，本體板74之下表面壓抵於殼體54之上表面。藉此，圖8(A)所示之液槽68成為由上下之可撓性板48、46與殼體54所密閉之液槽。因此，藉由自供給孔62供給至液槽68內之液體而充滿積層體1之側面。 再者，如圖9所示，於本體板74具備將液槽68內之空氣抽出之貫通孔84。該貫通孔84係相對於圖8所示之供給孔62為對角線上之位置，於使剝離組裝體42傾斜時，配置於液槽68內之最上部。藉此，可利用液體填充液槽68內，又，藉由於填充液體時在液體自貫通孔84溢出時、或剛要溢出時停止液體之供給，可容易地確認液槽68被液體裝滿。 本體板74之構成及功能由於與本體板50相同，故而省略說明。 繼而，返回圖6，對剝離裝置40之可動裝置86進行說明。 [可動裝置86] 可動裝置86係隔著剝離組裝體42而上下配置。由於上下配置之一對可動裝置86、86為相同構成，故而此處，對於圖6之配置於下側之可動裝置86進行說明，對配置於上側之可動裝置86藉由標註相同之符號而省略說明。 可動裝置86係由複數個可動體44、針對每個可動體44之使可動體44升降移動之複數個驅動裝置88、及針對每個驅動裝置88之控制驅動裝置88之控制器90等構成。 複數個可動體44如圖7所示柵格狀地固定於本體板50之下表面。該等可動體44係藉由螺栓等緊固構件而固定於本體板50，但亦可代替螺栓而接著固定。該等可動體44係利用由控制器90驅動控制之驅動裝置88而獨立地升降移動。 即，控制器90可控制驅動裝置88，使剝離組裝體42自圖6之水平姿勢傾斜為圖11所示之剝離開始位置之傾斜姿勢。又，控制器90使圖7中之自位於積層體1之角部1A側之可動體44至位於箭頭A所示之剝離進行方向之角部1B側之可動體44依序下降移動。藉由該動作，積層體1之基板2與支持基板3以剝離開始部5(參照圖4)為起點，相對地隔開，並自角部1A沿著朝向與角部1A於對角線上對向之角部1B之剝離進行方向剝離。再者，圖6、圖11所示之積層體1係藉由圖3中所說明之雷射光照射裝置10而製作出剝離開始部5之積層體1。 驅動裝置88係例如由旋轉式之伺服馬達及滾珠螺桿機構等構成。伺服馬達之旋轉運動係藉由滾珠螺桿機構而轉換為直線運動，並傳遞至滾珠螺桿機構之桿92。於桿92之前端部經由球接頭94而設置有可動體44。藉此，使可動體44追隨於可撓性板46之彎曲變形而傾動。因此，可在不對可撓性板46施加強行之力下使可撓性板46自角部1A朝向角部1B彎曲變形。再者，作為驅動裝置88，並不限定於旋轉式之伺服馬達及滾珠螺桿機構，亦可為線性式之伺服馬達、或流體壓力缸(例如空氣壓力氣缸)。又，可撓性板46之彎曲變形方向可為自角部1A朝向角部1B之對角線上，亦可為相對於鄰接於角部1A之邊為45度之方向。 複數個驅動裝置88較佳為經由緩衝構件98而安裝於可升降之框架96。緩衝構件98係以追隨於可撓性板46之彎曲變形之方式彈性變形。藉此，使桿92相對於框架96傾動。 控制器90係構成為包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、及RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等記錄媒體等之電腦。控制器90係藉由使CPU執行記錄於記錄媒體之程式，而針對每個驅動裝置88控制複數個驅動裝置88，從而控制複數個可動體44之升降移動。 [藉由剝離裝置40之基板2與支持基板3之剝離方法] 圖12(A)～(D)、圖13(A)～(E)、圖14(A)～(C)、及圖15(A)～(C)表示藉由圖3中所說明之雷射光照射裝置10而於角部1A製作出剝離開始部5之積層體1之剝離方法。又，於該等圖中，時間序列性地表示將基板2與支持基板3相對地剝離之剝離方法。 即，於圖12(A)～(D)中，依序表示使剝離組裝體42保持積層體1之步驟、使剝離組裝體42以相對於水平方向為θ之傾斜角度傾斜之步驟、及於液槽68填充液體100之步驟。 又，於圖13(A)～(E)中，表示使可撓性板46彎曲變形而使支持基板3相對於基板2彎曲並剝離之步驟。 又，於圖14(A)～(C)中，表示經剝離之支持基板3之搬出步驟。 又，於圖15(A)～(C)中，依序表示經剝離之基板2之搬出步驟。 積層體1向剝離組裝體42之搬入作業、及所剝離之支持基板3及基板2之搬出作業係藉由圖12(A)等所示之具備吸附墊104之搬送裝置106而進行。再者，於圖12(A)～圖15(C)中，為了避免圖式之繁雜，省略可動裝置86之圖示。 [剝離方法] 以下，依序說明剝離方法。 如圖12(A)所示，剝離開始前之可撓性板46、48係藉由可動裝置86而使其姿勢定位於水平方向，且使可撓性板48退避於可撓性板46之上方。於該初始狀態下將積層體1藉由搬送裝置106而搬送至可撓性板46之上方，藉由可撓性板46之多孔質片材52而吸附保持積層體1之支持基板3後，使可撓性板48下降移動，如圖12(B)所示藉由可撓性板48之多孔質片材76而吸附保持積層體1之基板2。藉此，使積層體1配置於液槽68內。 繼而，如圖12(C)所示，使剝離組裝體42以相對於水平方向為θ之角度傾斜。剝離組裝體42之傾斜姿勢係如上所述，設為使供給孔62(圖8(A))位於液槽68之最下部，使貫通孔84(圖9(A))位於液槽68之最上部之姿勢。藉此，於液槽68內，積層體1使圖7之角部1A位於最高之位置，使角部1B位於最低之位置。 再者，剝離組裝體42之傾斜角度θ係由使可撓性板46、48彎曲時可撓性板46、48之曲率半徑等決定，以使液體100因重力之作用而朝向剝離時產生之剝離前線移動。於本實施形態中，可撓性板46、48之曲率半徑係設定為1000 mm，剝離組裝體42之傾斜角度θ係設定為1至4度(較佳為2度)。 繼而，如圖12(D)所示，將液體100如箭頭所示自供給孔62藉由送液泵66(參照圖6)供給向液槽68。藉此，積層體1之所有側面被液體100裝滿，又，亦向剝離開始部5供給液體100(液體供給步驟)。 繼而，如圖13(A)～(D)所示，使可撓性板46向下方彎曲變形，開始支持基板3之剝離。可撓性板46之彎曲方向係於圖7中自可撓性板46之角部46A朝向角部46B之箭頭A方向。藉此，支持基板3係自角部1A朝向角部1B彎曲變形並被剝離。 此時，積層體1係以剝離開始部5(參照圖5)為起點而剝離。即，於圖11所示之下側之可撓性板46之複數個可動體44中，使自位於可撓性板46之角部46A側之可動體44至位於角部46B側之可動體44依序下降移動。藉此，支持基板3向下方彎曲變形，故而基板2與支持基板3自角部1A朝向角部1B剝離(剝離步驟)。並且，如圖13(E)所示，支持基板3被自基板2完全剝離。 又，於支持基板3之剝離中，自殼體54溢出之液體100被殼體70堵住，自排水孔72向剝離組裝體42之外部排水。藉此，剝離裝置40之使用環境不被液體100污染，又，若將自排水孔72排出之液體100進行回收，則亦可將液體100再利用。 於圖13(A)～(D)所示之剝離步驟中，由於傾斜之積層體1之側面被液體100裝滿，故而若自該狀態開始剝離，則液體100立即流入至基板2與樹脂層4之間之間隙、或支持基板3與樹脂層4之間之間隙，一面於經剝離之剝離面上藉由重力而移動至下方，一面立即使藉由剝離而依序出現剝離面潤濕。液體100藉由重力而流入之同時，伴隨剝離之進行而形成新空間。該空間被基板與液體100包圍，液體100受大氣壓擠壓，故而剝離面立即被液體100潤濕。若自該狀態開始剝離，則由於位於積層體1之周圍之液體100之水面高於剝離面，故而立即藉由重力而流入至經剝離之剝離面，立即潤濕藉由剝離而依序出現之剝離面。 即，剝離裝置40係使積層體1傾斜而利用液體100裝滿積層體1之側面，故而可依賴於液體100之重力而將液體100自積層體1之側面之外連續地供給並遍及至剛剝離後之剝離面。 於圖13(E)所示之支持基板3之剝離狀態下，經剝離之支持基板3係真空吸附保持於可撓性板46之多孔質片材52，基板2係真空吸附保持於可撓性板48之多孔質片材76。又，可撓性板46之彎曲變形被解除。 繼而，如圖14(A)所示使可撓性板46、48之姿勢恢復為水平方向後，如圖14(B)所示使可撓性板48相對於可撓性板46退避於上方。 繼而，將支持基板3之吸附保持解除後，藉由搬送裝置106之吸附墊104而吸附支持基板3，將支持基板3藉由搬送裝置106而自剝離組裝體42取出(圖14(C))。 並且，最後，如圖15(A)所示，利用搬送裝置106之吸附墊104吸附保持基板2，其後，將藉由可撓性板48進行之基板2之吸附保持解除，藉由搬送裝置106而將基板2自剝離組裝體42取出(圖15(B)、(C))。 藉由以上之剝離裝置40之動作，可將基板2與支持基板3順利地剝離。 [本實施形態之作用、效果] 於圖1之剝離開始部製作步驟(S130)中，自圖3所示之雷射光照射裝置10之出射部12向積層體1之外周緣部之一部分照射雷射光，使樹脂層4之一部分藉由氣化而去除，從而於外周緣部之一部分製作剝離開始部5。 繼而，於圖1之剝離步驟(S140)中，一面自圖6之送液泵66向剝離開始部5供給液體100，且向基板2與樹脂層4之間之間隙或支持基板3與樹脂層4之間之間隙供給液體100，一面以剝離開始部5為起點將基板2與支持基板3藉由剝離裝置40相對地隔開並剝離。 即，根據本實施形態，使用雷射光之剝離範圍係設為積層體1之外周緣部之一部分，將該剝離範圍作為剝離開始部5，一面向該剝離開始部5供給液體100，一面使基板2與支持基板3相對地隔開並剝離。由於藉由該剝離動作而將液體100供給至依序剝離之基板2與樹脂層4之間之間隙、或支持基板3與樹脂層4之間之間隙，使該等之界面潤濕，故而剝離動作順利地進行。 剝離結束後，即便於支持基板3殘存樹脂層4，亦無需將樹脂層4去除，可直接將該支持基板3作為附樹脂層4之支持基板3而再循環使用。又，於在作為製品基板之基板2殘存樹脂層4之情形時，藉由清洗而將樹脂層4去除。 如上所述，根據本實施形態，於使用雷射光剝離積層體1時，使用雷射光之剝離範圍僅為積層體1之外周緣部之一部分，故而可抑制因氣化之樹脂層4之成分導致之煤於基板2及支持基板3之附著。 雷射之出射部12係經由基板2或支持基板3中厚度較厚之支持基板3而將雷射光照射至樹脂層4之一部分。 若經由厚度較薄之基板2而向樹脂層4照射雷射光，則有照射到雷射光之樹脂層4之表層氣化，而該氣體被封閉於樹脂層4與基板2之間之情形。於該情形時，有因被封閉之氣體之壓力而使基板2破損之情形。因此，於本實施形態中，經由厚度厚於基板2之支持基板3、即強度高於基板2之支持基板3而將雷射光照射至樹脂層4。藉此，可防止因樹脂層4氣化導致之厚度較薄之基板2之破損。 雷射光照射裝置10係向構成為矩形狀之積層體之外周緣部之一個角部1A照射雷射光，於上述角部1A製作剝離開始部。 於構成為矩形狀之積層體1之情形時，僅向外周緣部之一個角部1A照射雷射光，於上述角部1A形成剝離開始部5。再者，於積層體1為矩形狀以外之情形時，向積層體1之外周部中適當選擇之其一部分照射雷射光而形成剝離開始部5。 藉由自製作有剝離開始部5之積層體1之一個角部1A，沿著朝向與上述角部1A於對角線上對向之另一角部1B之剝離進行方向，使基板2及支持基板3中之至少一個基板彎曲，而使基板2與支持基板3藉由剝離裝置40剝離。 藉此，可將基板及支持基板3沿著剝離進行方向相對地隔開並順利地剝離。 具備使用玻璃板作為基板2及支持基板3，應用聚醯亞胺樹脂作為樹脂層4，於厚度較薄之玻璃製之基板2之露出面形成功能層之功能層形成步驟(S100)；於功能層形成步驟(S100)後，進行分離步驟(S120)。 於電子裝置之製造步驟中，將耐熱性高於樹脂之玻璃板用作基板2及支持基板3，又，將耐熱性較高之聚醯亞胺樹脂用作樹脂層4，於藉由該等所構成之積層體1中厚度較薄之基板2之露出面於高溫條件下形成功能層。其後，可藉由經由剝離開始部製作步驟(S130)及剝離步驟(S140)而將各玻璃板分離，製造形成有功能層之玻璃板即電子裝置。 再者，樹脂層4亦可於將基板2與支持基板3分離後，殘留於基板2或支持基板3之任一者。於將樹脂層4殘留於基板2之情形(尤其是將聚醯亞胺用作樹脂層4之情形)時，可提高基板2之強度及耐衝擊性。 於本實施形態中，由於在剝離步驟後，於基板2之背面2b殘留樹脂層4，故而可藉由樹脂層4而抑制於背面2b產生之微裂痕等微小瑕疵擴大。 本案係基於2015年8月21日提出申請之日本專利申請2015-163372者，並將其內容作為參照而併入於本文中。
1‧‧‧積層體
1A‧‧‧積層體之角部
1B‧‧‧積層體之角部
2‧‧‧基板
2a‧‧‧基板之表面
2b‧‧‧基板之背面
3‧‧‧支持基板
3a‧‧‧支持基板之表面
4‧‧‧樹脂層
5‧‧‧剝離開始部
10‧‧‧雷射光照射裝置
12‧‧‧出射部
14‧‧‧台
40‧‧‧剝離裝置
42‧‧‧剝離組裝體
44‧‧‧可動體
46‧‧‧可撓性板
46A‧‧‧可撓性板之角部
46B‧‧‧可撓性板之角部
48‧‧‧可撓性板
50‧‧‧本體板
52‧‧‧多孔質片材
54‧‧‧殼體
56‧‧‧槽
58‧‧‧貫通孔
60‧‧‧真空泵
62‧‧‧供給孔
64‧‧‧貫通孔
66‧‧‧送液泵
68‧‧‧液槽
70‧‧‧殼體
71‧‧‧貫通孔
72‧‧‧排水孔
74‧‧‧本體板
76‧‧‧多孔質片材
78‧‧‧槽
80‧‧‧貫通孔
82‧‧‧真空泵
84‧‧‧貫通孔
86‧‧‧可動裝置
88‧‧‧驅動裝置
90‧‧‧控制器
92‧‧‧桿
94‧‧‧球接頭
96‧‧‧框架
98‧‧‧緩衝構件
100‧‧‧液體
104‧‧‧吸附墊
106‧‧‧搬送裝置
A‧‧‧複合片材
圖1係表示電子裝置之製造步驟之流程圖。 圖2係供於電子裝置之製造步驟之積層體之主要部分放大側視圖。 圖3係表示雷射光照射裝置之構成之立體圖。 圖4係製作有剝離開始部之積層體之主要部分放大剖視圖。 圖5係製作有剝離開始部之積層體之俯視圖。 圖6係表示本實施形態之剝離裝置之構成之縱剖視圖。 圖7係模式性地表示複數個可動體相對於剝離組裝體之配置位置的剝離組裝體之俯視圖。 圖8(A)係構成剝離組裝體之可撓性板之俯視圖，圖8(B)係沿著圖8(A)之C-C線之可撓性板之剖視圖。 圖9(A)係構成剝離組裝體之可撓性板之仰視圖，圖9(B)係沿著圖9(A)之D-D線之可撓性板之剖視圖。 圖10(A)係表示可撓性板與積層體之對應關係之剖視圖，圖10(B)係藉由可撓性板而保持積層體之剖視圖。 圖11係表示將剝離組裝體傾斜為剝離開始姿勢之狀態之剖視圖。 圖12(A)～12(D)係表示將積層體保持於剝離組裝體之步驟、將剝離組裝體以θ之角度傾斜之步驟、及向液槽填充液體之步驟之動作說明圖。 圖13(A)～13(E)係表示使下側之可撓性板彎曲變形而將支持基板剝離之步驟之動作說明圖。 圖14(A)～14(C)係表示經剝離之支持基板之搬出步驟之動作說明圖。 圖15(A)～15(C)係表示經剝離之基板之搬出步驟之動作說明圖。
1‧‧‧積層體
40‧‧‧剝離裝置
42‧‧‧剝離組裝體
44‧‧‧可動體
46‧‧‧可撓性板
48‧‧‧可撓性板
50‧‧‧本體板
54‧‧‧殼體
58‧‧‧貫通孔
60‧‧‧真空泵
62‧‧‧供給孔
64‧‧‧貫通孔
66‧‧‧送液泵
68‧‧‧液槽
70‧‧‧殼體
71‧‧‧貫通孔
72‧‧‧排水孔
74‧‧‧本體板
80‧‧‧貫通孔
82‧‧‧真空泵
84‧‧‧貫通孔
86‧‧‧可動裝置
88‧‧‧驅動裝置
90‧‧‧控制器
92‧‧‧桿
94‧‧‧球接頭
96‧‧‧框架
98‧‧‧緩衝構件

Claims (10)

  1. 一種積層體之剝離裝置，其係將第1基板與第2基板經由吸附層而以可剝離之方式貼附而成之積層體之剝離裝置；其特徵在於包括： 雷射光照射構件，其係對上述積層體之外周緣部之一部分照射雷射光，使上述吸附層之一部分藉由氣化而去除，從而於上述外周緣部之一部分製作剝離開始部； 液體供給構件，其係向上述剝離開始部供給液體，且向上述第1基板與上述吸附層之間之間隙或上述第2基板與上述吸附層之間之間隙供給上述液體；及 剝離構件，其係以上述剝離開始部為起點而將上述第1基板與上述第2基板相對地隔開並剝離。
  2. 一種積層體之剝離方法，其係將第1基板與第2基板經由吸附層而以可剝離之方式貼附而成之積層體之剝離方法；其特徵在於包括： 剝離開始部製作步驟，其係對上述積層體之外周緣部之一部分照射雷射光，使上述吸附層之一部分藉由氣化而去除，從而於上述外周緣部之一部分製作剝離開始部；及 剝離步驟，其係一面向上述剝離開始部供給液體，且向上述第1基板與上述吸附層之間之間隙或上述第2基板與上述吸附層之間之間隙供給上述液體，一面以上述剝離開始部為起點而將上述第1基板與上述第2基板相對地隔開並剝離。
  3. 如請求項2之積層體之剝離方法，其中上述第1基板之厚度與上述第2基板之厚度互不相同，且 經由上述第1基板或上述第2基板中厚度較厚之基板而將上述雷射光照射至上述吸附層之一部分。
  4. 如請求項2或3之積層體之剝離方法，其中對構成為矩形狀之上述積層體之外周緣部之一個角部照射上述雷射光，而於上述角部製作上述剝離開始部。
  5. 如請求項4之積層體之剝離方法，其中上述剝離步驟係自製作有上述剝離開始部之上述積層體之上述角部，沿著朝向與上述角部於對角線上對向之另一角部之剝離進行方向，使上述第1基板及上述第2基板中之至少一個基板彎曲。
  6. 如請求項2至5中任一項之積層體之剝離方法，其中上述第1基板及上述第2基板為玻璃板，上述吸附層為聚醯亞胺層； 該方法包括功能層形成步驟，其係於上述第1基板及上述第2基板中厚度較薄之玻璃板之露出面形成功能層；且 於上述功能層形成步驟後，進行上述剝離開始部製作步驟。
  7. 如請求項6之積層體之剝離方法，其中上述功能層形成步驟包括形成有機發光二極體元件之步驟。
  8. 一種電子裝置之製造方法，其包括：功能層形成步驟，其係對將第1基板與第2基板經由吸附層而以可剝離之方式貼附而成之積層體於上述第1基板之露出面形成功能層；及分離步驟，其係將上述第2基板自形成有上述功能層之上述第1基板分離；且該製造方法之特徵在於： 上述分離步驟包括： 剝離開始部製作步驟，其係對上述積層體之外周緣部之一部分照射雷射光，使上述吸附層之一部分藉由氣化而去除，從而於上述外周緣部之一部分製作剝離開始部；及 剝離步驟，其係一面向上述剝離開始部供給液體，且向上述第1基板與上述吸附層之間之間隙或上述第2基板與上述吸附層之間之間隙供給上述液體，一面以上述剝離開始部為起點而將上述第1基板與上述第2基板相對地隔開並剝離。
  9. 如請求項8之電子裝置之製造方法，其中上述功能層形成步驟包括形成有機發光二極體元件之步驟。
  10. 如請求項8或9之電子裝置之製造方法，其中上述吸附層於上述剝離步驟後殘留於上述第1基板之與上述功能層相反側之表面。
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TWI758210B (zh) * 2020-08-27 2022-03-11 日商信越工程股份有限公司 工件分離裝置及工件分離方法

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