TW201716946A - 觸控裝置及其雜訊補償電路及雜訊補償方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供觸控裝置及其雜訊補償電路及雜訊補償方法。雜訊補償電路包括積分電路、雜訊儲存電路以及雜訊偵測電路。雜訊偵測電路接收連續的多個觸控偵測信號，並使觸控偵測信號與第一臨界值及第二臨界值進行比較以分別產生多數個偵測結果。雜訊偵測電路並依據偵測結果來儲存雜訊信號至雜訊儲存電路或多個有效信號至積分電路。其中，雜訊儲存電路在時間區間中依據儲存的雜訊信號以產生平均雜訊，並傳送平均雜訊至積分電路，積分電路依據平均雜訊以及有效信號產生觸控偵測結果。

Description

觸控裝置及其雜訊補償電路及雜訊補償方法
本揭露是有關於一種外嵌式（on-cell）觸控面板的雜訊補償電路及雜訊補償方法。
隨著電子科技的進步，電子產品成為人們生活中必要的一種工具。而為了提供人性化的使用介面，在電子產品上提供具有觸控功能的觸控式顯示面板成為一種必要的趨勢。
在現今的技術領域中，觸控面板分為外掛式及非外掛式觸控面板兩種，非外掛式觸控面板可再分為外嵌式（on-cell）及內嵌式（in-cell）觸控面板兩種，外嵌式觸控面板是將觸控面板（Touch Panel）的驅動電極以及感測電極設置於顯示面板（Display Panel）表面上。
內嵌式觸控面板則是將觸控感測器直接置入顯示器的結構中。而外嵌式觸控面板的技術中，觸控面板容易受到下板顯示器的雜訊干擾而導致觸控點的偵測錯誤的現象，特別是當觸控顯示面板（例如主動陣列式有機發光二極體（AMOLED）顯示面板結合觸控面板）厚度越來越薄時，例如達到低於100微米以下等級，AMOLED顯示面板的上電極將會對感應電場產生的影響也越來越明顯，這樣感應不良的情況會常常發生；另外，外嵌式觸控面板會因為自電容的電容值上升而使得互電容相對於自電容的比例下降而降低觸控偵測的靈敏度。特別是在可撓式的顯示觸控面板上，由於面板彎曲所造成的電性不均的現象，更會影響觸控點偵測的準確度。
本揭露提供一種雜訊補償電路及雜訊補償方法，適用於外嵌式觸控面板，可有效降低雜訊對觸控面板所產生的影響並增加外嵌式觸控面板的感測靈敏度。
本揭露另提供一種觸控裝置，透過雜訊補償電路來有效降低雜訊對觸控面板所產生的影響並增加外嵌式觸控面板的感測靈敏度。
本揭露的雜訊補償電路包括積分電路、雜訊儲存電路以及雜訊偵測電路。雜訊儲存電路耦接積分電路。雜訊偵測電路耦接積分電路及雜訊儲存電路，接收連續的多個觸控偵測信號，並使觸控偵測信號與第一臨界值及第二臨界值進行比較以分別產生多數個偵測結果。雜訊偵測電路並依據偵測結果來儲存觸控偵測信號中的多數個雜訊信號至雜訊儲存電路或傳送觸控偵測信號中的多個有效信號至積分電路。其中，雜訊儲存電路在時間區間中依據儲存的雜訊信號以產生平均雜訊，並傳送平均雜訊至積分電路，積分電路依據平均雜訊以及有效信號產生觸控偵測結果。
本揭露的觸控裝置包括外嵌式觸控面板以及訊補償電路。外嵌式觸控面板包括多數個觸控感測線以及至少一參考信號線。雜訊補償電路耦接外嵌式觸控面板。雜訊補償電路包括積分電路、雜訊儲存電路以及雜訊偵測電路。雜訊儲存電路耦接積分電路。雜訊偵測電路耦接積分電路及雜訊儲存電路，接收連續的多個觸控偵測信號，並使觸控偵測信號與第一臨界值及第二臨界值進行比較以分別產生多數個偵測結果。雜訊偵測電路並依據偵測結果來儲存觸控偵測信號中的多數個雜訊信號至雜訊儲存電路或傳送觸控偵測信號中的多個有效信號至積分電路。其中，雜訊儲存電路在時間區間中依據儲存的雜訊信號以產生平均雜訊，並傳送平均雜訊至積分電路，積分電路依據平均雜訊以及有效信號產生觸控偵測結果。
本揭露的外嵌式觸控面板的雜訊補償方法包括：接收連續的多個觸控偵測信號；使觸控偵測信號與第一臨界值及第二臨界值進行比較以分別產生多個偵測結果；依據偵測結果來判別出觸控偵測信號中的多個雜訊信號及多個有效信號；在時間區間中依據儲存雜訊信號以產生平均雜訊；以及，依據平均雜訊以及有效信號產生觸控偵測結果。
基於上述，本揭露提供雜訊偵測電路來將偵測結果中的雜訊信號儲存至雜訊儲存電路中。並且，雜訊儲存電路依據在一時間區間中所儲存的雜訊信號以產生平均雜訊，並將平均雜訊與偵測結果中非雜訊信號的有效信號提供至積分電路，並透過積分電路來產生觸控偵測結果。如此一來，觸控面板中的雜訊所產生的影像將可以有效的被降低，提升觸控偵測的精準度。並且，觸控裝置的靈敏度也可以對應被提升。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下請參照圖1，圖1繪示本揭露一實施例的雜訊補償電路的示意圖。雜訊補償電路100包括積分電路110、雜訊儲存電路120以及雜訊偵測電路130。雜訊儲存電路120耦接積分電路110，雜訊偵測電路130則耦接積分電路110及雜訊儲存電路120。積分電路110、雜訊儲存電路120以及雜訊偵測電路130皆接收連續的多個觸控偵測信號DET，而雜訊偵測電路130使觸控偵測信號DET同時與第一臨界值及第二臨界值進行比較，並藉以分別產生多數個偵測結果DS。雜訊偵測電路130並依據所產生的偵測結果DS來決定將觸控偵測信號DET中的多個雜訊信號傳送至雜訊儲存電路120，或者將觸控偵測信號中的多個有效信號傳送至積分電路110。其中，第一臨界值大於第二臨界值。
關於動作細節的方面，當雜訊偵測電路130判斷各觸控偵測信號DET的數值大於第一臨界值或小於第二臨界值時，雜訊偵測電路130判定所判斷的觸控偵測信號DET為雜訊信號。相對的，若雜訊偵測電路130判斷各觸控偵測信號DET的數值介於第一臨界值及第二臨界值時，則判定所判斷的觸控偵測信號DET為有效信號。在另一方面，雜訊偵測電路130可依據上述的判斷產生偵測結果DS，並將偵測結果DS傳送致積分電路110以及雜訊儲存電路120。
在當偵測結果DS指示對應的偵測信號DET為雜訊信號時，對應的偵測信號DET可被雜訊儲存電路120所接收，且並不被積分電路110所接收，相對的，若當偵測結果DS指示對應的偵測信號DET為有效信號時，對應的偵測信號DET不被雜訊儲存電路120所接收，而可被積分電路110所接收。值得一提的是，在一時間區間中，雜訊儲存電路120可接收到多個判定為雜訊信號的偵測信號DET，雜訊儲存電路120並可在時間區間結束的時間點時依據所儲存的多個偵測信號DET產生平均雜訊ANS，並將平均雜訊ANS傳送至積分電路110。
也就是說，在本實施例中，積分電路110除接收判斷為有效信號的偵測信號DET外，另接收平均雜訊ANS，此外，積分電路110可依據有效信號的偵測信號DET以及平均雜訊ANS來產生觸控偵測結果VOUT外，可降低雜訊對偵測動作所產生的影響。
上述的第一臨界值與第二臨界值是預設的數值，其中，當觸控偵測信號DET的數值過大（超過第一臨界值）或是過小（低於第二臨界值時），表示觸控偵測信號DET是為雜訊干擾所產生的不合理的數值，不適合被直接傳送至積分器110以進行觸控偵測結果VOUT的計算。然而，這些被判定為雜訊信號的觸控偵測信號DET中或可能帶有有效的觸控資訊而也不適合被捨棄，因此，本揭露實施例將之傳送至雜訊儲存電路120並使雜訊儲存電路120計算出平均雜訊ANS來作為計算觸控偵測結果VOUT的依據。
以下請參照圖2，圖2繪示本揭露另一實施例的雜訊補償電路的示意圖。雜訊補償電路200包括積分電路210、雜訊儲存電路220以及雜訊偵測電路230。積分電路210接收多個連續產生的觸控偵測信號DET，積分電路210包括運算放大器OP1、電容C2、開關SW5以及由開關SW1~SW4以及電容C1所構成的切換式電容電路。電容C2連接在運算放大器OP1的負輸入端以及輸出端間，而開關SW5也連接在運算放大器OP1的負輸入端以及輸出端間以與電容C2並連耦接，其中，開關SW5受控於時脈信號CK3。運算放大器OP1的正輸入端則耦接至參考接地端GND。
在關於切換式電容電路的部分，開關SW1的第一端接收觸控偵測信號DET，並受控於時脈信號CK1，開關SW2的第一端耦接至開關SW1的第二端，開關SW2的第二端耦接至參考接地端GND，且開關SW2受控於時脈信號CK2。電容C1的第一端耦接至開關SW2的第一端。開關SW3的第一端耦接至電容C1的第二端，開關SW3的第二端耦接至參考接地端GND，開關SW3並受控於時脈信號CK1。開關SW4的第一端耦接至電容C1的第二端，開關SW4受控於偵測結果DS2。
上述的時脈信號CK1以及CK2為頻率相同、完全不重疊且互補的兩個時脈信號。而時脈信號CK3則用來控制積分電路210是否執行觸控偵測結果VOUT的產出動作。時脈信號CK3的頻率遠低於時脈信號CK1以及CK2的頻率。
值得注意的，在本實施例中，開關SW4會依據偵測結果DS2以被導通或斷開，也就是說，當所接收的觸控偵測信號DET為有效信號時，開關SW4會依據偵測結果DS2而被導通，觸控偵測信號DET可透過切換式電容電路傳送至運算放大器OP1的負輸入端，相對的，當所接收的觸控偵測信號DET為雜訊信號時，開關SW4會依據偵測結果DS2而被斷通，觸控偵測信號DET不會透過切換式電容電路傳送至運算放大器OP1的負輸入端。
關於雜訊儲存電路220的部分，雜訊儲存電路220包括開關SW6-SW10、重置開關SWR以及電容C3及C4。開關SW6的第一端接收觸控偵測信號DET，並受控於時脈信號CK1，開關SW7的第一端耦接開關SW6的第二端，開關SW7的第二端耦接至參考接地端GND，且開關SW7受控於時脈信號CK2。電容C3的第一端耦接至開關SW7的第一端。開關SW8的第一端耦接至電容C3的第二端，開關SW8的第二端耦接至參考接地端GND。開關SW9的第一端耦接至電容C3的第二端，並受控於偵測結果DS1。電容C4耦接開關SW9的第二端以及參考接地端GND間。開關SW10的第一端耦接至開關SW9的第二端，開關SW10的第二端耦接至積分電路210，開關SW10並受控於平均雜訊傳送信號TR。
雜訊儲存電路220另包括重置開關SWR，重置開關SWR耦接在開關SW9的第一端與參考接地端GND間，並受控於時脈信號CK3，其中時脈信號CK3作為一重置信號。
在當積分電路210不進行觸控偵測結果VOUT的產生動作時，時脈信號CK3使開關SW5以及重置開關SWR被導通，此時運算放大器OP1產生的觸控偵測結果VOUT可等於參考接地端GND的接地電壓，且電容C4可透過導通的重置開關SWR來將存的電荷釋放置參考接地端GND。而在當積分電路210進行觸控偵測結果VOUT的產生動作時，時脈信號CK3使開關SW5以及重置開關SWR被斷開，此時運算放大器OP1形成積分器以進行所接收信號的積分動作，而電容C4則提供以儲存雜訊信號。
另外，開關SW9受控於偵測結果DS1，並在當雜訊儲存電路220所接收的偵測信號DET被判定為雜訊信號時，開關SW9可依據偵測結果DS1而導通，並使被判定為雜訊信號的偵測信號DET被儲存至電容C4中。相對的，當雜訊儲存電路220所接收的偵測信號DET被判定為有效信號時，開關SW9可依據偵測結果DS1而斷開。在此可以得知，電容C4可以在一個時間區間中，多次的儲存不同電壓值的雜訊信號，並藉以獲得平均雜訊。
在另一方面，開關SW10可依據平均雜訊傳送信號TR以導通或斷開，並在當計算平均雜訊的時間區間結束時，開關SW10可依據平均雜訊傳送信號TR而導通，並將電容C4中所儲存的平均雜訊傳送至運算放大器OP1的負輸入端，以提供作為運算放大器OP1產生觸控偵測結果VOUT的依據。
在本實施例中，平均雜訊傳送信號TR可以依據時脈信號CK3來產生，其中，時脈信號CK3指示積分電路210進行積分動作結束前的一段時間區間中，平均雜訊傳送信號TR可被提供以導通開關SW10。
關於雜訊偵測電路230，請先參照圖3，圖3繪示觸控偵測信號偵測方式的示意圖。雜訊偵測電路230可依據偵測觸控偵測信號DET的電壓值大小與第一、第二臨界值VH、VL的關係來判定觸控偵測信號DET是否為雜訊信號。在圖3中，觸控偵測信號DETA的電壓值大於第一臨界值VH，因此，觸控偵測信號DETA為雜訊信號。另外，觸控偵測信號DETB的電壓值小於第二臨界值VL，因此，觸控偵測信號DETB也為雜訊信號。其餘的，觸控偵測信號的電壓值介於第一、第二臨界值VH、VL間，皆為有效信號。
請重新參照圖2，雜訊偵測電路230包括比較器CMP1以及CMP2以及邏輯運算電路231。比較器CMP1以及CMP2可由不同的運算放大器所分別構成。比較器CMP1接收觸控偵測信號DET與第一臨界值VH，比較器CMP1依據比較觸控偵測信號DET與第一臨界值VH以分別產生比較結果CP1。比較器CMP2則接收觸控偵測信號DET與第二臨界值VL，比較器CMP2依據比較觸控偵測信號DET與第二臨界值VL以分別產生比較結果CP2。
邏輯運算電路231耦接比較器CMP1以及CMP2，並依據各比較結果CP1以及CP2產生偵測結果DS1及DS2。在本實施例中，邏輯運算電路231包括互斥或閘XOR1及XOR2。其中，互斥或閘XOR1接收比較結果CP1以及CP2來產生偵測結果DS1。互斥或閘XOR2則接收比較結果CP1以及反相比較結果CP2B來產生偵測結果DS2。反相比較結果CP2B為比較結果CP2的反相。
細節上來說明，在當觸控偵測信號DET大於第一臨界值VH時，觸控偵測信號DET可被判定為雜訊信號，並且，比較器CMP1可產生邏輯高準位的比較結果CP1，比較器CMP2則可產生邏輯低準位的比較結果CP2（及邏輯高準位的比較結果CP2B）。此時，互斥或閘XOR1產生邏輯高準位的偵測結果DS1，互斥或閘XOR2則產生邏輯低準位的偵測結果DS2。因此，開關SW4被斷開，開關SW9被導通，且被判定為雜訊信號的觸控偵測信號DET可被儲存在電容C4。
在當觸控偵測信號DET小於第二臨界值VL時，觸控偵測信號DET同樣可被判定為雜訊信號，並且，比較器CMP1可產生邏輯高準位的比較結果CP1，比較器CMP2則可產生邏輯低準位的比較結果CP2（及邏輯高準位的比較結果CP2B）。此時，互斥或閘XOR1產生邏輯高準位的偵測結果DS1，互斥或閘XOR2則產生邏輯低準位的偵測結果DS2。因此，開關SW4被斷開，開關SW9被導通，且被判定為雜訊信號的觸控偵測信號DET可被儲存在電容C4。
以下請參照圖4，圖4繪示本揭露實施例的雜訊補償電路的動作波形圖。在圖4中，時間區間TA、TB以及TC進行多次的觸控偵測動作，觸控偵測結果VOUT的電壓值分別在時間區間TA、TB以及TC中依據積分電路的積分動作隨時間而上升。觸控偵測信號DET透過與第一、第二臨界值進行比較，並對應產生偵測結果DS1以及DS2。其中，舉例來說明，在時間點T1、T3中，觸控偵測信號DET的電壓值大於第一臨界值，而在時間點T2、T4中，觸控偵測信號DET的電壓值小於第二臨界值，因此，對應時間點T1~T4的觸控偵測信號DET都會被判定為雜訊信號。也因此，高準位的偵測結果DS1在時間點T1~T4被產生，而在其他的時間點，則產生高準位的偵測結果DS2並指示對應的觸控偵測信號DET為有效信號。
以下請參照圖5A，圖5A繪示本揭露另一實施例的觸控裝置的示意圖。觸控裝置500包括外嵌式觸控面板510、積分電路521、522以及雜訊補償電路530。積分電路521、522分別耦接至外嵌式觸控面板510中的多數個觸控感測線的其中之一以及參考信號線。觸控感測線用來傳輸外嵌式觸控面板510上的觸控偵測單元上的電容變化的相關信號，參考信號線則傳送帶有雜訊資訊的參考信號。積分電路521、522分別將觸控感測線傳送的電容變化信號以及參考信號進行積分，並將積分結果傳送至雜訊補償電路530。
雜訊補償電路530中更包括差分電路531，差分電路531接收積分電路521、522所產生的積分結果，並計算兩個積分結果的差值來產生觸控偵測信號DET。基於觸控感測線會持續的傳送出連續的電容變化信號，因此，差分電路531會產生連續的多個觸控偵測信號DET。
雜訊補償電路530除差分電路531外的電路與本案前述的圖2實施例的電路相同，可依據連續的多個觸控偵測信號DET來進行偵測，並對應產生觸控偵測結果VOUT。相關的動作細節在前述的實施例已有詳盡的說明，在此恕不贅述。
以下請參照圖5B，圖5B繪示本揭露實施例的雜訊補償電路的另一實施方式的示意圖。在圖5B中，雜訊補償電路551包括的積分電路5511以及雜訊儲存電路5512與前述的實施例不相同。其中，本實施方式中，利用電阻R1、R2以及R3來取代切換式電容電路的作法，並提高高頻雜訊的抵抗能力。在細節上，在積分電路5511中，電阻R1的一端接收觸控偵測信號DET，電阻R1的另一端則耦接至開關SW4的一端，此外，開關SW4的另一端耦接至運算放大器OP1的負輸入端。運算放大器OP1的正輸入端則耦接至參考接地端GND，並且，電阻R3與電容C2相互並連，且接連接於運算放大器OP1的負輸入端與輸出端間。開關SW4則受控於偵測結果DS2以被導通或斷開。
在雜訊儲存電路5512中，電阻R2的一端接收觸控偵測信號DET，電阻R2的另一端則耦接至開關SW9的一端，此外，開關SW9的另一端耦接至運算放大器OP1的負輸入端。電容C4串接在運算放大器OP1的負輸入端與參考接地端GND間，並可具有消除高頻雜訊的能力。開關SW9則受控於偵測結果DS1以被導通或斷開。
以下請參照圖5C，圖5C繪示本揭露實施例的差分電路的另一實施方式的示意圖。在本實施方式中，差分電路包括運算放大器OP2以及電阻R4~R7。運算放大器OP2的輸出端產生觸控偵測信號DET，而其正輸入端耦接至電阻R5以及R6。電阻R5另耦接至前級的積分電路（例如積分電路521），電阻R6則另耦接至參考接地電壓GND。運算放大器OP2的負輸入端耦接至電阻R4以及R7，電阻R7另耦接至運算放大器OP2的輸出端，電阻R4則可另耦接至運算放大器OP2的前級的另一積分電路（例如積分電路522）。
以下請參照圖6，圖6繪示本揭露實施例的外嵌式觸控面板的雜訊補償方法的流程圖。在步驟S610中，多個連續的觸控偵測信號被接收，接著，在步驟S620中，進行觸控偵測信號與第一臨界值及第二臨界值的比較動作並分別產生多數個偵測結果。在步驟S630中，則依據步驟S620所產生的偵測結果來判別出多個雜訊信號（如觸控偵測信號中的雜信訊號、突波訊號、離散雜訊等）及多個有效信號，並在步驟S640中，在一時間區間中將判別出為雜訊信號的多個觸控偵測信號進行儲存，並藉以產生平均雜訊、統計雜訊、區間雜訊等。在步驟S650中，則依據平均雜訊以及有效信號以產生觸控偵測結果。
值得一提的，在步驟S650之後，所產生的觸控偵測結果可被傳送至後端電路，並在步驟S660中依據觸控偵測結果進行後端的訊號處理，並且，在步驟S670中將後端訊號處理後的結果轉換成數位碼可完成報點偵測顯示的動作。
另外，在本發明其他實施例中，觸控偵測信號的產生方法可依以下步驟完成：首先，接收外嵌式觸控面板中的多數條觸控感測線的其中之一傳送的多數個電容變化信號以及外嵌式觸控面板中的至少一參考信號線傳送的一參考信號；接著，依據計算電容變化信號以及參考信號的差來產生觸控偵測信號。
關於上述步驟的實施細節，在本揭露前述的實施例已有詳盡的說明，以下恕不多贅述。
綜上所述，本揭露透過雜訊偵測電路的判斷動作，以在固定的時間區間中，將雜訊信號儲存並產生平均雜訊，除針對有效信號外，另提供平均雜訊至積分電路，使積分電路可依據有效信號以及平均雜訊來產生觸控偵測結果，降低雜訊對偵測結果的影響。附帶一提的，本揭露更提供切換電容式的積分電路，可改善外嵌式觸控面板的靈敏度不佳的問題。而且，在本揭露的實施例中，即便是應用至可撓性外嵌式觸控面板，面板彎曲所造成的電性不均勻現象也可透過差分電路的相減動作而獲得改善。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200、530‧‧‧雜訊補償電路
110、210、521、522、5511‧‧‧積分電路
120、220、5512‧‧‧雜訊儲存電路
130、230‧‧‧雜訊偵測電路
DS、DS1、DS2‧‧‧偵測結果
DET、DETA、DETB‧‧‧觸控偵測信號
ANS‧‧‧平均雜訊
OP1、OP2‧‧‧運算放大器
C1~C4‧‧‧電容
SW1~SW10‧‧‧開關
CK1~CK3‧‧‧時脈信號
GND‧‧‧參考接地端
SWR‧‧‧重置開關
TR‧‧‧平均雜訊傳送信號
VH‧‧‧第一臨界值
VL‧‧‧第二臨界值
CMP1、CMP2‧‧‧比較器
231‧‧‧邏輯運算電路
CP1、CP2、CP2B‧‧‧比較結果
XOR1、XOR2‧‧‧互斥或閘
TA、TB、TC‧‧‧時間區間
T1~T4‧‧‧時間點
500‧‧‧觸控裝置
510‧‧‧外嵌式觸控面板
S610~S650‧‧‧步驟
VOUT‧‧‧觸控偵測結果
R1~R7‧‧‧電阻
圖1繪示本揭露一實施例的雜訊補償電路的示意圖。 圖2繪示本揭露另一實施例的雜訊補償電路的示意圖。 圖3繪示觸控偵測信號偵測方式的示意圖。 圖4繪示本揭露實施例的雜訊補償電路的動作波形圖。 圖5A繪示本揭露另一實施例的觸控裝置的示意圖。 圖5B繪示本揭露實施例的雜訊補償電路的另一實施方式的示意圖。 圖5C繪示本揭露實施例的差分電路的另一實施方式的示意圖。 圖6繪示本揭露實施例的外嵌式觸控面板的雜訊補償方法的流程圖。
100‧‧‧雜訊補償電路
110‧‧‧積分電路
120‧‧‧雜訊儲存電路
130‧‧‧雜訊偵測電路
DS‧‧‧偵測結果
DET‧‧‧觸控偵測信號
ANS‧‧‧平均雜訊
VOUT‧‧‧觸控偵測結果

Claims (20)

  1. 一種雜訊補償電路，用於外嵌式觸控面板中，包括： 一積分電路； 一雜訊儲存電路，耦接該積分電路；以及 一雜訊偵測電路，耦接該積分電路及該雜訊儲存電路，接收連續的多個觸控偵測信號，並使該些觸控偵測信號與一第一臨界值及一第二臨界值進行比較以分別產生多數個偵測結果，該雜訊偵測電路並依據該些偵測結果來儲存該些觸控偵測信號中的多數個雜訊信號至該雜訊儲存電路或傳送該些觸控偵測信號中的多個有效信號至該積分電路， 其中，該雜訊儲存電路在一時間區間中依據儲存的該些雜訊信號以產生一平均雜訊，並傳送該平均雜訊至該積分電路，該積分電路依據該平均雜訊以及該些有效信號產生一觸控偵測結果。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雜訊補償電路，其中該雜訊偵測電路包括：     一第一比較器，接收該些觸控偵測信號與該第一臨界值，依據比較該些觸控偵測信號與該第一臨界值以分別產生多數個第一比較結果；     一第二比較器，接收該些觸控偵測信號與該第二臨界值，依據比較該些觸控偵測信號與該第二臨界值以分別產生多數個第二比較結果；以及     一邏輯運算電路，耦接該第一及該第二比較器，依據各該第一及第二比較結果產生各該偵測結果。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的雜訊補償電路，其中該邏輯運算電路包括：     一第一互斥或閘，分別接收該些第一比較結果以及該些第二比較結果來分別產生多數個第一偵測結果；以及     一第二互斥或閘，分別接收該些第一比較結果以及多數個反相第二比較結果來分別產生多數個第二偵測結果。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的雜訊補償電路，其中當各該觸控偵測信號大於該第一臨界值或小於該第二臨界值時，對應的偵測結果使對應的觸控偵測信號為雜訊信號並儲存至該雜訊儲存電路。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的雜訊補償電路，其中當各該觸控偵測信號小於該第一臨界值且大於該第二臨界值時，對應的偵測結果使對應的觸控偵測信號為有效信號並傳送至該積分電路。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的雜訊補償電路，其中該積分電路包括：     一切換式電容電路，包括：         一第一開關，其第一端接收該些觸控偵測信號，並受控於一第一時脈信號；         一第二開關，其第一端耦接至該第一開關的第二端，該第二開關的第二端耦接至一參考接地端，該第二開關受控於一第二時脈信號；         一第一電容，其第一端耦接至該第二開關的第一端；         一第三開關，其第一端耦接至該第一電容的第二端，該第三開關的第二端耦接至該參考接地端，該第三開關並受控於該第一時脈信號；以及         一第四開關，其一第一端耦接至該第一電容的第二端，該第四開關受控於各該偵測結果；     一運算放大器，具有負輸入端耦接至該第四開關的第二端，以及正輸入端耦接至該參考接地端，該運算放大器的輸出端產生該觸控偵測結果；     一第二電容，串接在該運算放大器的負輸入端及輸出端間；以及     一第五開關，串接在該運算放大器的負輸入端及輸出端間，受控於一第三時脈信號。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的雜訊補償電路，其中該雜訊儲存電路包括：     一第一開關，其第一端接收該些觸控偵測信號，並受控於一第一時脈信號；     一第二開關，其第一端耦接該第一開關的第二端，其第二端耦接至該參考接地端，該第二開關受控於一第二時脈信號；     一第一電容，其第一端耦接至該第二開關的第一端；     一第三開關，其第一端耦接至該第一電容的第二端，該第三開關的第二端耦接至該參考接地端，該第三開關並受控於該第一時脈信號；     一第四開關，其第一端耦接至該第二電容的第二端，該第四開關受控於各該偵測結果；     一第二電容，耦接在該第四開關的第二端以及該參考接地端間；以及     一第五開關，其第一端耦接至該第四開關的第二端，其第二端耦接至該積分電路，該第五開關並受控於一平均雜訊傳送信號。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的雜訊補償電路，其中該雜訊儲存電路更包括：     重置開關，耦接在該第五開關的第一端與該參考接地端間，並受控於一重置信號。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的雜訊補償電路，更包括：     一差分電路，耦接該積分電路、該雜訊儲存電路以及該雜訊偵測電路，接收一觸控感測線傳送的至少一電容變化信號以及一參考信號線傳送的一參考信號，依據計算該電容變化信號以及該參考信號的差來產生該些觸控偵測信號。
  10. 一種觸控裝置，包括：     一外嵌式觸控面板，包括多數個觸控感測線以及至少一參考信號線；     一雜訊補償電路，耦接該外嵌式觸控面板，包括：         一積分電路，耦接該外嵌式觸控面板並接收連續的多數個觸控偵測信號；         一雜訊儲存電路，耦接該積分電路；以及         一雜訊偵測電路，耦接該積分電路及該雜訊儲存電路，接收該些觸控偵測信號，並使該些觸控偵測信 號與一第一臨界值及一第二臨界值進行比較以分別產生多數個偵測結果，該雜訊偵測電路並依據該些偵測結果來儲存該些觸控偵測信號中的多數個雜訊信號至該雜訊儲存電路或傳送該些觸控偵測信號中的多個有效信號至該積分電路， 其中，該雜訊儲存電路在一時間區間中依據儲存的該些雜訊信號以產生一平均雜訊，並傳送該平均雜訊至該積分電路，該積分電路依據該平均雜訊以及該些有效信號產生一觸控偵測結果。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的觸控裝置，其中該雜訊補償電路更包括：     一差分電路，耦接該些觸控感測線以及該至少一參考信號線，該差分電路接收該些觸控感測線其中之一傳送的多數個電容變化信號以及該至少一參考信號線傳送的一參考信號，依據計算該電容變化信號以及該參考信號的差來產生該些觸控偵測信號。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的觸控裝置，其中該雜訊偵測電路包括：     一第一比較器，接收該些觸控偵測信號與該第一臨界值，依據比較該些觸控偵測信號與該第一臨界值以分別產生多數個第一比較結果；     一第二比較器，接收該些觸控偵測信號與該第二臨界值，依據比較該些觸控偵測信號與該第二臨界值以分別產生多數個第二比較結果；以及     一邏輯運算電路，耦接該第一及該第二比較器，依據各該第一及第二比較結果產生各該偵測結果。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的觸控裝置，其中該邏輯運算電路包括：     一第一互斥或閘，分別接收該些第一比較結果以及該些第二比較結果來分別產生多數個第一偵測結果；以及     一第二互斥或閘，分別接收該些第一比較結果以及多數個反相第二比較結果來分別產生多數個第二偵測結果。
  14. 如申請專利範圍第10項所述的觸控裝置，其中當各該觸控偵測信號大於該第一臨界值或小於該第二臨界值時，對應的偵測結果使對應的觸控偵測信號為雜訊信號並儲存至該雜訊儲存電路。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的觸控裝置，其中當各該觸控偵測信號小於該第一臨界值且大於該第二臨界值時，對應的偵測結果使對應的觸控偵測信號為有效信號並傳送至該積分電路。
  16. 如申請專利範圍第10項所述的觸控裝置，其中該積分電路包括：     一切換式電容電路，包括：         一第一開關，其第一端接收該些觸控偵測信號，並受控於一第一時脈信號；         一第二開關，其第一端耦接至該第一開關的第二端，該第二開關的第二端耦接至一參考接地端，該第二開關受控於一第二時脈信號；         一第一電容，其第一端耦接至該二開關的第一端；         一第三開關，其第一端耦接至該第一電容的第二端，該第三開關的第二端耦接至該參考接地端，該第三開關並受控於該第一時脈信號；以及         一第四開關，其第一端耦接至該第一電容的第二端，該第四開關受控於各該偵測結果；     一運算放大器，具有負輸入端耦接至該第四開關的第二端，以及正輸入端耦接至該參考接地端，該運算放大器的輸出端產生該觸控偵測結果；     一第二電容，串接在該運算放大器的負輸入端及輸出端間；以及     一第五開關，串接在該運算放大器的負輸入端及輸出端間，受控於一第三時脈信號。
  17. 如申請專利範圍第10項所述的觸控裝置，其中該雜訊儲存電路包括：     一第一開關，其第一端接收該些觸控偵測信號，並受控於一第一時脈信號；     一第二開關，其第一端耦接該第一開關的第二端，其第二端耦接至該參考接地端，該第二開關受控於一第二時脈信號；     一第一電容，其第一端耦接至該第二開關的第一端；     一第三開關，其第一端耦接至該第一電容的第二端，其第二端耦接至該參考接地端；     一第四開關，其第一端耦接至該第二電容的第二端，並受控於各該偵測結果；     一第二電容，耦接在該第四開關的第二端以及該參考接地端間；以及     一第五開關，其第一端耦接至該第四開關的第二端，其第二端耦接至該積分電路，該第五開關並受控於一平均雜訊傳送信號。
  18. 如申請專利範圍第10項所述的觸控裝置，其中該雜訊儲存電路更包括：     重置開關，耦接在該第五開關的第一端與該參考接地端間，並受控於一重置信號。
  19. 一種外嵌式觸控面板的雜訊補償方法，包括：     接收連續的多個觸控偵測信號；     使該些觸控偵測信號與一第一臨界值及一第二臨界值進行比較以分別產生多數個偵測結果；     依據該些偵測結果來判別出該些觸控偵測信號中的多數個雜訊信號及多數個有效信號；     在一時間區間中依據儲存該些雜訊信號以產生一平均雜訊；以及     依據該平均雜訊以及該些有效信號產生一觸控偵測結果。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的外嵌式觸控面板的雜訊補償方法，更包括：     接收該外嵌式觸控面板中的多數條觸控感測線的其中之一傳送的多數個電容變化信號以及該外嵌式觸控面板中的至少一參考信號線傳送的一參考信號；以及     依據計算該電容變化信號以及該參考信號的差來產生該些觸控偵測信號。
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