TW201705216A - 批次處理腔室 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露的實施例提供一種處理腔室，該處理腔室具有頂部、底部與側壁，氣體分配器，基板支撐件及能量源，該頂部、該底部與該側壁耦接在一起以界定一體積，該氣體分配器圍繞該側壁設置，該基板支撐件設置於該體積中，該基板支撐件具有一中心排氣開口，該中心排氣開口具有沿該中心排氣開口的縱軸設置的溝道與旋轉致動器，及複數個基板凹穴繞該中心排氣開口分佈，該能量源耦接至該底部。

Description

批次處理腔室
本發明揭露的實施例一般係關於用於半導體處理之方法與設備。更具體言之，本發明所述的實施例係關於用於在複數個基板上同時實施磊晶之方法與設備。
磊晶係包含將材料化學添加於層的表面之一種處理過程。此等處理過程在半導體處理中係常見的，在半導體處理中此等處理用於構建特定邏輯元件與記憶體裝置。在用於製造邏輯裝置的典型處理中，矽層在基板上磊晶生長，以提供規則排列的晶體結構。此矽層通常變成電晶體的溝道元件。
磊晶是一緩慢過程且通常在腔室中的單一基板上進行。在當今最先進的生產設備中，磊晶過程通常需要約一個小時來處理300mm的圓形基板。
對於藉由處理複數個基板來增加在磊晶處理的產量係有所需求的。
本發明揭露的實施例提供一種處理腔室，該處理腔室具有頂部、底部與側壁，氣體分配器，基板支撐件及能量源，該頂部、該底部與該側壁耦接在一起以界定一體積，該氣體分配器圍繞該側壁設置，該基板支撐件設置於該體積中，該基板支撐件具有一中心排氣開口，該中心排氣開口具有沿該中心排氣開口的縱軸設置的溝道與旋轉致動器，及複數個基板凹穴繞該中心排氣開口分佈，該能量源耦接至該底部。
本發明亦揭露一種處理腔室，該處理腔室具有頂部、底部與側壁，氣體分配器，基板支撐件，反射體板及能量源，該頂部、該底部與該側壁耦接在一起以界定一體積，該氣體分配器圍繞該側壁設置，該基板支撐件設置於該體積中，該基板支撐件具有一中心排氣開口，該中心排氣開口具有沿該中心排氣開口的縱軸設置的溝道與旋轉致動器，及複數個基板凹穴繞該中心排氣開口分佈，該反射體板設置在面向該基板支撐件的頂部上，該能量源耦接至該底部。
本發明亦揭露一種處理腔室，該處理腔室具有頂部、底部與側壁，氣體分配器，基板支撐件，反射體板及能量源，該頂部、該底部與該側壁耦接在一起以界定一體積，該氣體分配器圍繞該側壁設置，該基板支撐件設置於該體積中，該基板支撐件具有一中心排氣開口，該中心排氣開口具有沿該中心排氣開口的縱軸設置的溝道與旋轉致動器，及複數個基板凹穴繞該中心排氣開口分佈，該反射體板設置在面向該基板支撐件的頂部上，該能量源耦接至該底部，該能量源包含殼體，該殼體含有複數個燈。
在本說明書中，術語「頂部」、「底部」、「側」、「上方」、「下方」、「上」「下」、「向上」、「向下」、「水平」、「垂直」及變體不是指絕對的方向。相反地，這些術語指的是相對於腔室的一基準平面之方向，例如平行於腔室的基板處理表面之平面。定向的***圖示包括在某些圖示中以幫助讀者方向定向。
圖1是根據一個實施例的處理腔室100之截面圖。處理腔室100一般設有基板支撐件102，基板支撐件102具有複數個基板接收位置104。在一個實施例中，基板接收位置104可經配置為凹穴（pocket）106。處理腔室100一般亦具有圍繞處理腔室100的側壁110之氣體分配器108。氣體分配器108包括複數個氣體通道112，複數個氣體通道（passage）112設置於側壁110的周圍。處理氣體自氣源114供應且供應至周圍溝道（channel）116，周圍溝道116形成於側壁110與氣體分配器108的主體118之間。處理氣體自周圍溝道116流動且均勻地分佈通過氣體通道112。多餘的處理氣體接著依以下的方式透過中心排氣出口120排出，該方式為提供均勻氣流且暴露於設置在基板支撐件102上的基板124的整個處理表面122。基板支撐件102的中心排氣開口120耦接至真空泵126且提供一傳導路徑（在下面更詳細描述），傳導路徑主要是沿著處理腔室100的縱軸128。中心排氣開口120包括耦接至基板支撐件102的中心排氣溝道121。
腔室100具有頂部129和底部130以及側壁110一起，頂部129和底部130以及側壁110一起界定處理腔室100的內部體積132。基板支撐件102設置於內部體積132中。所示基板支撐件102在基板傳送位置中，使得基板124被支撐在升舉銷134上。升舉銷134可由透明材料製成，如石英、藍寶石或碳化矽（SiC）。在傳送位置中，基板124與凹穴106分隔開且端效器（未示出）可通過傳送口136進入內部體積132。基板可經由傳送口136輸送進出處理腔室100。可藉由狹縫閥（未示出）選擇性地密封傳送口136。基板支撐件102耦接至移動機構138，移動機構138將基板支撐件102於內部體積132內上下（在Z方向上）移動。移動機構138亦提供基板支撐件102繞縱軸128旋轉。
在處理期間，移動機構138升高基板支撐件102，使得基板124被接收於凹穴106中且淨空升舉銷134。此後，與基板支撐件102耦接的旋轉致動器140可旋轉基板支撐件102。旋轉致動器140以及移動機構138位於處理腔室100的內部體積132的外部。可定位最低的孔112，使得該等最低的孔112之任一孔112的邊緣包括距離基板支撐件102的上表面之一距離。該距離可以是約0微米（µm）至約100µm，如約10µm至約50µm，如20µm。可利用該距離使得跨基板支撐件102上表面的處理氣體之流動平順。在處理凹穴106中的多個基板124之後，一個凹穴106可與升舉銷134對齊。基板支撐件102下降到圖1所示的位置及基板124可被傳送離開處理腔室100。可藉由升舉銷134上的放置而將另一未處理基板引入處理腔室100。可接著升高基板支撐件102以將未處理基板自升舉銷134移除，及可旋轉基板支撐件102以將另一個凹穴106與升舉銷134對齊。傳送處理過程可接著移除已處理的基板並其中引入另一個基板。可再一次升高及旋轉基板支撐件102而將另一個凹穴與升舉銷134對齊以用於基板傳送處理。如果需要的話，可重複基板支撐件102（基板傳送移動）的旋轉、對齊、下降、傳送及升高，使得所有已處理的基板被未處理的基板代換。之後，多個未處理基板的處理可於處理腔室100中進行。
在一些實施例中，可傳送基板至基板支撐件102及升高基板支撐件102至處理位置。可接著旋轉基板支撐件102及從氣體分配器108提供處理氣體。可提供旋轉約30秒至約3分鐘。接著可停止處理氣體及可旋轉基板支撐件102並與升舉銷134對齊。接著可下降基板支撐件102以將基板自基板支撐件件102的凹穴106移除，以用於傳送。在一些實施例中，可在一個時間隨著處理與傳送之間加入及移除一個基板。在其它實施例中，當處理多個基板時，可如上所述地旋轉及下降基板支撐件102以將已處理的基板傳送離開處理腔室100及將未處理的基板傳送至處理腔室100中。接著可升高基板支撐件102並旋轉約60度（當基板支撐件102包括6個凹穴時）以將已處理的基板卸載及裝載未處理的基板。
能量源142耦接於處理腔室100的底部130，能量源142將能量朝向基板支撐件102而投射入內部體積132。能量源142可以是輻射源、熱源或電漿源。輻射源可包括紫外線（UV）、紅外線（IR）以及可見光頻率的燈、雷射和LED或以上各者之組合。熱源可以是雷射、LED和燈絲燈或其組合。電漿源可以是電容式的、電感式的或以上之組合。所示處理腔室100具有能量源142，能量源142具有複數個燈144。在這種情況下，燈144沿著實質平行於基板124的處理表面122的一平面排列且燈144徑向定向。各燈144包括耦接至電源148的電源連接146。電源148可統一或獨立控制燈144。
燈144可依任何方便的方式定向。例如，燈144可依行垂直定向或以列的方式定向。或者，燈可水平地定向。能量源142可具有反射內表面，以增加到基板124的功率傳送之效率。在一個實施例中，每個燈144可設置在反射管150中，以最大化來自每個燈的功率傳送。反射管150可具有反射塗層，其可以是反射金屬，如金或鉑，或反射介電材料，如介電鏡或布拉格反射體（Bragg reflector）。來自燈144的能量透過透明板154移動到基板124的背側152，透明板154形成能量源142的上邊界。透明板154可以是石英、藍寶石或其它合適的材料。透明板154亦可包括抗反射塗層。在所示的實施例中，能量源142被分成多个燈頭156，在圖3中有更詳盡描述。
每個燈頭156包括透明板154，側壁157和底部158，以界定內部體積160。側壁157和底部158可包括不銹鋼或鋁。內部體積160可與壓力平衡系統162以流體耦接，其取決於處理腔室100的內部體積132中的壓力相對於內部體積160中的壓力以及透明版154的厚度。壓力平衡系統162是選擇性的且如果需要的話係可以使用的。例如，如果每個燈頭156上的透明板154係足夠厚以抵抗處理腔室100的內部體積132中的負壓，則內部體積160可具有實質等於周圍（大氣）壓力的壓力。相對地，如果處理腔室100的內部體積132中的壓力可能使透明板154彎曲或破裂，則壓力平衡系統162可用於降低在內部體積160的壓力。壓力平衡系統162可包括一個量表（gauge）164，以測定內部體積160的壓力。真空泵166可以是壓力平衡系統162的部分，以降低內部體積160的壓力。閥168可用來控制內部體積160的壓力。也可利用壓力平衡系統162來冷卻燈頭156。例如，壓力平衡系統162可耦接至流體源161，流體源161可流動冷卻劑至內部體積160。冷卻劑可以是氮、氦或一些其它熱傳遞介質。
反射體板170可耦接至頂部129。反射體板170可由鋁或不銹鋼製成。反射體板170可包括形成在反射體板170的主體中之溝道172，溝道172可用於流動流體（如冷卻劑）通過反射體板170或沿反射體板170。入口174和出口（未示出）可耦接至反射體板170以使流體循環至到溝道172。反射體板170包括反射表面176，反射表面176設置在面向處理腔室100的內部體積132之反射體板170的一側上。反射表面176用來將來自能量源142的輻射能或基板124或基板支撐件102發射的輻射能反射或重新導向往設置在基板支撐件102上的基板124的處理表面122。反射表面176可以是鏡面拋光表面，或由反射材料（如金、鉑或介電材料）組成。
在一些實施例中，反射體板170包括反射表面176和透明板180之間形成的溝道178。溝道178與壓力平衡系統182以流體耦接。當透明板180的表面積遠大於燈頭156的透明板154的表面積時，處理腔室100的內部體積132中的壓力可能使透明板180彎曲或破裂。壓力平衡系統182可用來降低溝道178中的壓力。壓力平衡系統182可包括量表184，以測定溝道178中的壓力。真空泵186可係壓力平衡系統182中的部分以降低溝道178中的壓力。閥188可用來控制溝道178中的壓力。
移動機構138可耦接至燈頭156。o形環190可用於提供它們之間的密封。移動機構138包括與旋轉密封件194的軸193耦接的中空軸192。旋轉致動器140耦接至旋轉軸193，旋轉軸193將中空軸192和基板支撐件102繞縱軸128旋轉。用於來自處理腔室100的內部體積132的氣體之傳導路徑可設置穿過中心排氣開口120、中心軸192中形成的中心排氣溝道121、穿過可旋轉軸193中形成的可旋轉溝道195，及經由旋轉密封件194的固定殼體197中形成的周圍溝道196而至真空泵126。移動機構138亦包括垂直致動器198，垂直致動器198可耦接至固定殼體197。垂直致動器198可包括可旋轉軸199，可旋轉軸199藉由塊101耦接至固定殼體197。馬達103耦接至可旋轉軸199，其中，當馬達103被致動時，可旋轉軸199將塊101在Z方向上移動。以這種方式，固定殼體197、中空軸192和基板支撐件102在處理腔室100的內部體積132中垂直移動。中空軸192和可旋轉軸193可由石英，SiC、SiC塗層的石墨、陶瓷、藍寶石或任何抵抗熱和化學的材料製成。
在一些實施例中，中空軸192具有在第一端171處的中心排氣開口120，第一端171相對於中空軸192的第二端173。中心排氣開口120因此延伸到在中空軸192的第一端171處的處理體積132。所示中空軸192的第一端171終止於與基板支撐件102的上表面175共平面的位置處。在其它實施例中，中心排氣開口120可終止於基板支撐件102的表面175上方的位置處。基板支撐件102可交替附接於基板支撐件102的表面175的平面下方的中空軸192。
基板支撐件102繞中心排氣溝道121設置且流體連接至真空泵126。當中空軸192轉動時，基板支撐件102藉由附接於中空軸192而轉動。中心排氣溝道121可具有一角度分佈（angular profile），使得中心排氣溝道121包括錐形內側壁181，如圖所示。或者，該分佈可能是平緩曲線而使得氣體於中心排氣溝道121中流動平順。在一些實施例中，來自淨化氣源105的淨化氣體可被提供給移動機構138的內部區域107。內部區域107可由波紋管109界定。淨化氣體可經由空間111被提供給處理腔室100的內部體積132且沿基板支撐件102的底部及繞其周邊113而流動。
圖2是圖1處理腔室100的部分之放大截面圖。基板支撐件102的部分與凹穴106一起。基板支撐件102包括主體200，主體200具有形成於其中的凹穴106。主體200可由碳化矽（SiC）、石墨或塗覆有碳化矽的石墨形成。凹穴106可具有主體205，主體205形成於主體200的向內延伸的凸部210之內部。開口205提供來自燈144的輻射能以撞擊基板124的背側152。基板接收表面215設置在主體200的上表面上。基板124可藉由主體200的壁220而橫向固持於凹穴106中。在一些實施例中，壁220可正交於基板接收表面215。在其它實施例中，壁220可相對於基板接收表面215傾斜或彎曲，使得壁220的功能為將基板124置中於凹穴106。
處理腔室100亦包括下襯墊225。在氣體分配器108的主體108沒有延伸到透明板180的實施例中，上襯墊（未示出）實質上圍繞處理腔室100的任何暴露內表面。襯墊225可以是透明的石英、不透明石英或適合於高溫應用的其它材料。密封件230（如彈性體o形環）可用於分隔處理腔室100的各個元件的不同體積。氣體分配器108的氣體通道112的部分通路示於圖2中。在一些實施例中，氣體通道112是圓形的。然而，在其它實施例中，氣體通道112可以是矩形槽、橢圓形或者其它合適的形狀。此外，氣體通道112可相對於縱軸128（示於圖1中）傾斜。在一些實施例中，氣體通道112可徑向朝縱軸128傾斜且正交於縱軸128。在其他實施例中，氣體通道112可相對於縱軸128傾斜。例如，氣體通道112的至少一部分可相對於縱軸128傾斜約10度至約15度。
如在圖1中討論的，由於表面積差異，多個燈頭156（在圖2中只示出一個）的透明板154可包括小於透明板180厚度的一厚度235。厚度235可小於約1.0英吋，如介於約0.5英吋至約0.75英吋之間。由多個燈頭156所提供的透明板154之減少的表面積可提供燈頭156的內部體積160在大氣壓或接近大氣壓的條件下工作。然而，如果需要的話，可提供一埠240於側壁157中的一個側壁中，以用於耦接至圖1中所述的壓力平衡系統162。
圖3是圖1的處理腔室100的等角頂部視圖。入口174和出口300耦接至反射體板170，以提供流體到冷卻劑溝道172（示於圖1中）。此外，緊固件305被示出且被用於將反射體板170耦接至處理腔室100的側壁110。
圖4是圖1的處理腔室100的等角底部視圖。所示為移動機構138的部分耦接至三個燈頭156。在一個實施例中，每個燈頭156包括殼體400，殼體400是在X-Y平面上是瓣形或弧形。三個透明板154中的各者可具有與殼體400相同的形狀。如果需要壓力平衡系統162（示於圖1中），所示可選的埠240形成於殼體400中。
圖5是圖1移除了反射體板170及基板支撐件102的處理腔室100的等角頂部視圖。清楚表示了三個透明板154和能量源142的反射管150。所示下襯墊225在透明板154上方。開口500設置於下襯墊225內。在一些實施例中，下襯墊225包括圍繞中空軸192的上表面510之內環505。上表面510圍繞中心排氣開口120。上表面510可包括一或多個介面裝置515，介面裝置515利於基板支撐件102（示於圖1和6中）對準和（或）耦接中空軸192。一或多個介面裝置515可以是緊固件（如螺栓或螺釘）、用於接收緊固件的開口、銷或其他分度裝置（indexing device）或以上各者之組合。下襯墊225亦包括外環520，外環520由一或多個輪輻（spoke）525耦接至內環505。
圖6是圖1移除了反射體板170的處理腔室100的等角頂部視圖。基板支撐件102安裝在處理腔室100中且藉由一或多個介面裝置515耦接至可旋轉中空軸192。如圖1所述，可通過中空軸192藉由移動機構138將基板支撐件102升起及下降。當基板支撐件102被升起以清除升舉銷134，基板支撐件件102可相對於殼體400、透明板154及下襯墊225（示於圖5中）旋轉。來自氣體通道112的氣體可徑向向內流動並經由中空軸192的中心排氣溝道121排氣到至真空泵126。
凹穴106所示為基板支撐件102的上表面175中的凹槽。示於圖6中的凹穴106的各者包括用於在每個凹穴106中支撐基板的凸部600。凸部600接觸基板的邊緣，留下大部分的基板面積暴露於來自燈（在圖6中看不到）而穿過透明板154的輻射。凸部600從每個凹穴106的壁605徑向向內延伸。壁605可係垂直（vertical）的（即垂直（perpendicular）於基板支撐件件102的上表面175）。或者，壁605可以是傾斜的。壁605可以是直的、彎曲的、或傾斜的剖面。凸部600可自壁605延伸任何方便的（convenient）距離。作為凹穴106的半徑的一部分，凸部600可延伸半徑的5％至10％。例如，如果凹穴的半徑為150mm，凸部可自壁605延伸約5mm至約15mm，如約8-12mm，例如約10mm。在其他實施例中，凹穴106可具有底板，而不是一個凸緣，以支撐基板。底板可以是平的或彎曲的，且可包括熱發射材料（如碳化矽或石墨），使得底板用作熱感受器（susceptor）。在一個實施例中，凹穴106是彎曲的碟。在凹穴106具有底板的實施例中，各底板會有開口以容納升舉銷134。
凹穴106可具有接觸最小化結構，接觸最小化結構最小化基板和凹穴106之間的導熱接觸。例如，在凹穴106具有凸部600的一個實施例中，該等凸部可包括特徵610（如脊、凸塊、和（或）凹槽），以減少基板和凸部600之間的導熱接觸。在凹穴106包括底板的實施例中，底板可同樣地具有脊、凸塊和（或）凹槽。在一些實施例中，底板可具有當腔室壓力降低時，防止凹穴106中的基板移動的孔口（vent）。
凹穴106可與凹穴106彼此最接近的點分隔一距離。兩個以上凹穴使用的線性距離可為約1mm至約100mm。可使用任何數量的凹穴。可調整基座的尺寸以容納任何數量的凹穴，亦可使用多級、列或行的凹穴。在一些實施例中，突出物620可設置在基板支撐件102的上表面175上。可利用突出物620在處理期間以提高跨越基板支撐件102的氣體流動。
雖然前面所述係針對特定實施例，但在不背離本發明揭露的基本範圍下，可設計其他與進一步的實施例。
100‧‧‧處理腔室
101‧‧‧方塊
102‧‧‧基板支撐件
103‧‧‧馬達
104‧‧‧基板接收位置
105‧‧‧淨化氣源
106‧‧‧凹穴
107‧‧‧內部區域
108‧‧‧氣體分配器
109‧‧‧波紋管
110‧‧‧側壁
111‧‧‧空間
112‧‧‧氣體通道
114‧‧‧氣源
116‧‧‧周圍溝道
118‧‧‧主體
120‧‧‧中心排氣開口
121‧‧‧中心排氣溝道
122‧‧‧處理表面
124‧‧‧基板
126‧‧‧真空泵
128‧‧‧縱軸
132‧‧‧內部體積
134‧‧‧升舉銷
136‧‧‧埠
138‧‧‧移動機構
140‧‧‧旋轉致動器
142‧‧‧能量源
144‧‧‧燈
146‧‧‧電源連接
148‧‧‧電源
150‧‧‧反射管
152‧‧‧背側
154‧‧‧透明板
156‧‧‧燈頭
157‧‧‧側壁
160‧‧‧內部體積
161‧‧‧流體源
162‧‧‧壓力平衡系統
164‧‧‧量表
166‧‧‧真空泵
168‧‧‧閥
170‧‧‧反射體板
171‧‧‧第一端
172‧‧‧冷卻劑溝道
173‧‧‧第二端
174‧‧‧入口
175‧‧‧上表面
176‧‧‧反射表面
178‧‧‧溝道
180‧‧‧透明板
181‧‧‧內側壁
182‧‧‧壓力平衡系統
184‧‧‧量表
186‧‧‧真空泵
188‧‧‧閥
190‧‧‧o形環
192‧‧‧中空軸
193‧‧‧可旋轉軸
194‧‧‧旋轉密封件
195‧‧‧可旋轉溝道
196‧‧‧周圍溝道
197‧‧‧固定殼體
198‧‧‧垂直致動器
199‧‧‧可旋轉軸
200‧‧‧主體
205‧‧‧開口
210‧‧‧凸部
215‧‧‧基板接收表面
220‧‧‧壁
225‧‧‧下襯墊
230‧‧‧密封件
235‧‧‧厚度
240‧‧‧埠
300‧‧‧出口
305‧‧‧緊固件
400‧‧‧殼體
500‧‧‧開口
505‧‧‧內環
510‧‧‧上表面
515‧‧‧介面裝置
520‧‧‧外環
525‧‧‧輪輻
600‧‧‧凸部
605‧‧‧壁
610‧‧‧特徵
620‧‧‧突出物
圖1是根據一個實施例的處理腔室之概要截面圖。
圖2是圖1的處理腔室的部分之放大截面圖。
圖3是圖1的處理腔室的等角頂部視圖。
圖4是圖1的處理腔室的等角底部視圖。
圖5是圖1移除了反射體板及基板支撐件的處理腔室的等角頂部視圖。
圖6是圖1移除了反射體板的處理腔室的等角頂部視圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。可以預期，一個實施例中揭露的元件可有利地用於其它實施例中而無需贅述。
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100‧‧‧處理腔室
101‧‧‧方塊
102‧‧‧基板支撐件
103‧‧‧馬達
104‧‧‧基板接收位置
105‧‧‧淨化氣源
106‧‧‧凹穴
107‧‧‧內部區域
108‧‧‧氣體分配器
109‧‧‧波紋管
110‧‧‧側壁
111‧‧‧空間
112‧‧‧氣體通道
114‧‧‧氣源
116‧‧‧周圍溝道
118‧‧‧主體
120‧‧‧中心排氣開口
121‧‧‧中心排氣溝道
122‧‧‧處理表面
124‧‧‧基板
126‧‧‧真空泵
128‧‧‧縱軸
132‧‧‧內部體積
134‧‧‧升舉銷
136‧‧‧埠
138‧‧‧移動機構
140‧‧‧旋轉致動器
142‧‧‧能量源
144‧‧‧燈
146‧‧‧電源連接
148‧‧‧電源
150‧‧‧反射管
152‧‧‧背側
154‧‧‧透明板
156‧‧‧燈頭
157‧‧‧側壁
160‧‧‧內部體積
161‧‧‧流體源
162‧‧‧壓力平衡系統
164‧‧‧量表
166‧‧‧真空泵
168‧‧‧閥
170‧‧‧反射體板
171‧‧‧第一端
172‧‧‧冷卻劑溝道
173‧‧‧第二端
174‧‧‧入口
175‧‧‧上表面
176‧‧‧反射表面
178‧‧‧溝道
180‧‧‧透明板
181‧‧‧內側壁
182‧‧‧壓力平衡系統
184‧‧‧量表
186‧‧‧真空泵
188‧‧‧閥
190‧‧‧o形環
192‧‧‧中空軸
193‧‧‧可旋轉軸
194‧‧‧旋轉密封件
195‧‧‧可旋轉溝道
196‧‧‧周圍溝道
197‧‧‧固定殼體
198‧‧‧垂直致動器
199‧‧‧可旋轉軸
240‧‧‧埠

Claims (25)

  1. 一種處理腔室，包括： 一頂部、一底部與一側壁，該頂部、該底部與該側壁耦接在一起以界定一體積； 一氣體分配器，該氣體分配器圍繞該側壁設置； 一基板支撐件，該基板支撐件設置於該體積中，該基板支撐件具有一中心排氣開口，該中心排氣開口具有沿該中心排氣開口的一縱軸設置的一溝道與一旋轉致動器，及複數個基板凹穴繞該中心排氣開口分佈；及 一能量源，該能量源耦接至該底部。
  2. 如請求項1所述之處理腔室，其中該能量源是一熱能量源，及進一步包括一燈組件，該燈組件含有複數個燈。
  3. 如請求項2所述之處理腔室，其中該燈組件包括三個外殼。
  4. 如請求項3所述之處理腔室，其中該等三個外殼實質對稱於該處理腔室的一縱軸。
  5. 如請求項3所述之處理腔室，其中該等三個外殼在X-Y平面上是弧形。
  6. 如請求項2所述之處理腔室，其中該殼體包括一透明板，該透明板設置在該體積和該等燈之間。
  7. 如請求項6所述之處理腔室，其中該透明板包括三個透明板。
  8. 如請求項6所述之處理腔室，其中該等三個透明板在X-Y平面上是弧形。
  9. 如請求項1所述之處理腔室，其中該頂部進一步包括面向該基板支撐件的一反射板。
  10. 如請求項9所述之處理腔室，進一步包括一透明板，該透明板設置在該基板支撐件和該反射板之間。
  11. 如請求項10所述之處理腔室，其中一溝道設置在該反射板和該透明板之間，及該溝道中的壓力係受控制的。
  12. 一種處理腔室，包括： 一頂部、一底部與一側壁，該頂部、該底部與該側壁耦接在一起以界定一體積； 一氣體分配器，該氣體分配器圍繞該側壁設置； 一基板支撐件，該基板支撐件設置於該體積中，該基板支撐件具有一中心排氣開口，該中心排氣開口具有沿該中心排氣開口的一縱軸設置的一溝道與一旋轉致動器，及複數個基板凹穴繞該中心排氣開口分佈； 一反射體板，該反射體板設置在面向該基板支撐件的該頂部上；及 一能量源，該能量源耦接至該底部。
  13. 如請求項12所述之處理腔室，進一步包括一透明板，該透明板設置在該基板支撐件和該反射體板之間。
  14. 如請求項13所述之處理腔室，其中一溝道設置在該反射體板和該透明板之間。
  15. 如請求項13所述之處理腔室，其中該溝道中的壓力是可控制的。
  16. 如請求項12所述之處理腔室，其中該能量源包括三個外殼。
  17. 如請求項16所述之處理腔室，其中該等三個外殼實質對稱於該處理腔室的一縱軸。
  18. 如請求項16所述之處理腔室，其中該等三個外殼在X-Y平面上是弧形。
  19. 一種處理腔室，包括： 一頂部、一底部與一側壁，該頂部、該底部與該側壁耦接在一起以界定一體積； 一氣體分配器，該氣體分配器圍繞該側壁設置； 一基板支撐件，該基板支撐件設置於該體積中，該基板支撐件具有一中心排氣開口，該中心排氣開口具有沿該中心排氣開口的一縱軸設置的一溝道與一旋轉致動器，及複數個基板凹穴繞該中心排氣開口分佈； 一反射體板，該反射體板設置在面向該基板支撐件的該頂部上；及 一能量源，該能量源耦接至該底部，該能量源包含一殼體，該殼體含有複數個燈。
  20. 如請求項19所述之處理腔室，其中該殼體包括三個外殼。
  21. 如請求項20所述之處理腔室，其中該等三個外殼實質對稱於該處理腔室的一縱軸。
  22. 如請求項20所述之處理腔室，其中該等三個外殼在X-Y平面上是弧形。
  23. 如請求項19所述之處理腔室，其中該透明板包括三個透明板。
  24. 如請求項23所述之處理腔室，其中該等三個透明板在X-Y平面上是弧形。
  25. 如請求項19所述之處理腔室，其中一溝道設置在該反射體板和該透明板之間。
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