TW201635359A - 雷射切割用粘合片以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種透過粘合片照射雷射進行的雷射切割時，可抑制粘合片上的雷射的散射，且在粘合片上易於藉由擴張進行晶片分割，並且，可抑制在晶片分割時產生的粉塵的附著，製造成品率良好的晶片的雷射切割用粘合片。本發明提供一種雷射切割用粘合片，其特徵為基材膜的一側的面上含有背面層，該背面層含有減摩劑以及抗靜電劑，另一面具有粘合劑層，所述背面層表面的算數平均粗糙度為Ra為0.1μm以下，所述粘合片在23℃下的拉伸彈性率為50~200MPa，400~1400nm的波長區域的平行線透射率為85%以上。

Description

雷射切割用粘合片以及半導體裝置的製造方法
本發明關於粘合片以及利用該粘合片的半導體裝置的製造方法。進一步本發明關於，利用雷射將半導體晶圓雷射切割時，可從粘合片側照射雷射的雷射切割用粘合片，以及具備利用該粘合片對半導體晶圓進行加工步驟的半導體裝置的製造方法。
半導體晶圓是，形成電路後貼合粘合片，然後分別供應到，切割(Dicing)成元件小片，洗淨，乾燥，粘合片的擴張(Expanding)，從粘合片剝離元件小片(Pickup)，安裝(Mounting)等步驟。這些步驟中使用的粘合片(Dicing tape)，希望具備從切割步驟至乾燥步驟中對切割的元件小片(Chip)具有充分的粘合力，且希望該粘合力應減小至在拾取步驟中無膠殘留的程度。
另一方面，隨著近年的IC器件的高性能化以及小型化，半導體晶片的薄型化正在推進，以往的厚度為350μm程度的晶圓需要降低厚度到100μm以下。
但是，用於半導體晶圓的矽為脆性材料，降低厚度會有在運輸或加工時損壞的可能。特別是，用旋轉車刀切割晶圓時產生的缺口或者碎片，會顯著地降低晶片的抗彎強度。
因此，作為抑制碎片產生的方法，將在紅外區域的波長的雷射聚集到半導體晶圓的內部形成改質層，以改質層為起點分割晶圓，所謂隱形切割的晶圓分割方法已被公開(專利文獻1)。
此方法中，一般情況下從晶圓的電路面側入射雷射，但電路面附有的TEG(Test Element Group)或者金屬膜，無法透過雷射，故無法在晶圓內部形成改質層。
為瞭解決上述問題，透過為了固定晶圓貼附的粘合片照射雷射，從晶圓的背面側入射雷射，在晶圓內部形成改質部的方法被提議。
專利文獻2公開了，在23℃下的楊氏模量為30~600MPa，波長1064nm下的直線透射率為80%以上，波長1064nm下的相位差為100nm的粘合片。
另外，專利文獻3公開了，400~1100nm波長區域的平行線透射率為80%以上，基材膜的背面(形成粘合劑層的面的另一側面)的算數平均粗糙度Ra為0.1~0.3μm的粘合片。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利第3762409號
【專利文獻2】日本特開2011-139042號公報
【專利文獻3】日本專利第5391158號
通常，透過粘合片照射雷射時，一般進行可見光的定位，但是，專利文獻2記載的粘合片沒有對可見光區域的光的透射率進行規定，故會產生定位困難的可能。另外，專利文獻2記載該基材膜的背面的粗糙度曲線的算數平均粗糙度Ra小於0.1μm，但是若Ra小於0.1μm，則有可能在輸出粘合片時粘合片彼此產生貼合，或者擴張粘合片來分割晶圓時粘合片的滑動性降低導致分割困難。
另外，專利文獻3記載的粘合片，未規定可見光區域的光的透射率，但是由於基材膜的彈性率，很可能產生晶圓切割困難的可能性。
此外，雷射切割步驟中，分割晶片時產生粉塵附著到晶片，導致製造成品率降低或者需要增加洗淨步驟。因此，粘合片還需要在晶圓切割時可 以防止異物附著於晶片。
本發明為瞭解決上述問題提供一種，透過粘合片照射雷射進行雷射切割時，抑制粘合片上的雷射的散射的同時，藉由粘合片的擴張易於進行晶片分割，且可抑制晶片分割時產生的粉塵的附著，晶片的製造成品率良好的雷射切割用粘合片。
藉由本發明提供一種，基材膜的一側面上具有背面層，該背面層含有減摩劑以及抗靜電劑，另一側面具有粘合劑層，所述背面層表面的算數平均粗糙度Ra為0.1μm以下，所述粘合片的在23℃的拉伸彈性率為50~200MPa，在400~1400nm波長區域的平行線透射率為85%以上的雷射切割用粘合片。
透過粘合片照射雷射時，粘合片的底面(形成有粘合劑層的面的另一側面)的表面粗糙度大，導致在粘合片的底面上的雷射的散射增加，損害其直行性，因此出於此觀點，優選為底面的表面粗糙度小的粘合片。另一方面，粘合片的底面的表面粗糙度越小，對粘合片進行擴張來分割晶圓時，粘合片的滑動性降低，影響晶片分割的進行。在這種情況下，雷射的散射的抑制以及粘合片的良好的擴張性能是一種權衡關係，根據以往的技術尚未存在充分滿足上述兩方面的要求的雷射切割用粘合片。
在這種情況下，本發明的發明人，為了得到比以往的粘合片具有優異的特性的雷射切割用粘合片銳意研究的結果，發現藉由在基材膜的底面側形成含有減摩劑以及抗靜電劑的背面層，控制背面層表面的算數平均粗糙度Ra為0.1μm以下，且控制粘合片的在23℃下的拉伸彈性率為50~200MP，得到兼備抑制雷射的散射以及具有良好的擴張性能的粘合片，且可抑制異物的附著的粘合片，完成本發明。
藉由本發明，可以透過粘合片在半導體晶圓上照射雷射的同時，可抑制晶片分割時發生的粉塵的附著，可生產製造成品率良好的晶片。
1‧‧‧粘合片
3‧‧‧基材膜
5‧‧‧背面層
7‧‧‧粘合劑層
圖1表示本發明的一實施方式的雷射切割用粘合片構成的截面圖。
以下對為了實施本發明的優選方式進行說明。
如附圖1所示，本發明的一實施方式的雷射切割用粘合片1，其基材膜3的一側的面具有背面層5，該背面層5含有減摩劑(摩擦減少劑)以及抗靜電劑，另一側面具有粘合劑層7。
<粘合片1>
粘合片1在23℃下的拉伸彈性率為50~200MPa，優選為70~180MPa。粘合片1的拉伸彈性率低於50MPa，粘合片1會變得柔軟，即使為了分割晶片進行擴張，也有可能無法分割晶片。另外，粘合片1的拉伸彈性率高於200MPa，難以進行擴張。
另外，粘合片1在400~1400nm的波長區域的平行線透射率為85%，優選為90%以上。在400~1400nm的波長區域的平行線透射率小於85%，會導致雷射的直行性降低，製造成品率降低。
<基材膜3>
作為基材膜3可使用例如，聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯、乙烯-乙烯醇、聚氨酯、離聚物。這些樹脂可以是，熔融混合物、共聚物或多層片材。基材膜3可以具有多個樹脂層。
基材膜3藉由實施電暈放電或者打底等處理，提高與粘合劑層1或者背面層5之間的密合性。基材膜3的厚度優選為80~100μm。基材膜3的厚度低於80μm，擴張時粘合片有可能破裂，厚度高於100μm，粘合片1的平行線透射率降低，或者擴張時的作用力無法充分傳達到晶片，有可能無法進行晶片分割。
另外，為了使背面層5的表面的算數平均粗糙度Ra在0.1μm以下，優 選將基材膜3的背面的表面粗糙度充分變小(優選Ra在0.1μm以下)。背面層5的表面的算數平均粗糙度Ra大於0.1μm，透過粘合片1照射雷射時發生雷射的散射，製造成品率降低。另一方面，背面層5的表面的Ra變小，從捲曲形狀輸出粘合片1時，會產生粘合片1之間相貼合導致操作性差，或者擴張性能惡化等問題。但是，本實施方式的粘合片1，其背面層5中含有減摩劑，因此可抑制上述問題的發生。
<背面層5>
背面層5只要含有減摩劑以及抗靜電劑的情況下，對其組成沒有特別的限制，其含量優選為，相對於有機粘合劑100質量份，抗靜電劑0.005~10質量份，以及減摩劑0.005~10質量份。
(減摩劑)
作為減摩劑，只要能降低粘合片1和擴張裝置之間的摩擦係數的物質，沒有特別的限制，例如，矽樹脂，以及氟樹脂，(變形)矽油等。這些減摩劑也可作為多個成分的混合物使用。特別是，矽類接枝共聚物與背面層5的相容性良好，可實現抗靜電性和擴張性能之間的平衡，因此優選使用。
作為矽類接枝共聚物可使用，矽分子鏈的末端為(甲基)丙烯醯基或者苯乙烯基等的單體(以下稱，“矽類單體”)和，將(甲基)丙烯酸類單體，苯乙烯等的具有乙烯基的單體聚合而成的乙烯基聚合物等(例如，參照日本專利特開2000-080135號公報)。
作為矽類接枝共聚物的(甲基)丙烯酸類單體可使用，(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、改質(甲基)丙烯酸羥基酯、以及(甲基)丙烯酸等，其中優選為，(甲基)丙烯酸烷基酯。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯可舉例為，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、以及(甲基)丙烯酸異冰片酯、以及(甲基)丙烯酸羥基烷基酯等。
作為(甲基)丙烯酸羥基烷基酯可舉例為，(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、以及(甲基)丙烯酸羥基丁酯等。
作為改質(甲基)丙烯酸羥基酯可舉例為，環氧乙烷改質(甲基)丙烯酸羥基酯以及內酯改質(甲基)丙烯酸羥基酯等。
矽類單體和其他具有乙烯基的單體的比率沒有特別的限定，優選為，矽類接枝共聚物100質量份中，含有矽類單體15~50質量份。矽類單體的含量少，擴張時粘合片無法充分且均勻地擴張，含量過多導致成本增加。
減摩劑的添加量沒有特別的限制，優選為相對於有機粘合劑100質量份， 添加0.005~10質量份。若減摩劑的添加量少，則無法充分擴張粘合片，若添加量過多則導致抗靜電效果降低。
(抗靜電劑)
抗靜電劑沒有特別的限制，可使用季銨鹽單體等。
作為季銨鹽單體可舉例為，(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯的季銨鹽、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯的季銨鹽、(甲基)丙烯酸甲基乙基氨基乙酯的季銨鹽、對二甲基氨基苯乙烯的季銨鹽、以及對二乙基氨基苯乙烯的季銨鹽等，優選使用甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯的季銨鹽。
抗靜電劑的添加量沒有特別的限制，優選為相對於有機粘合劑100質量份，添加0.005~10質量份。抗靜電劑的添加量不足，無法發揮抗靜電效果，添加量過多導致基材膜3與背面層5之間的密合性降低。
(有機粘合劑)
作為有機粘合劑沒有特別的限制，可舉例為，(甲基)丙烯酸酯類聚合物、丙烯酸類、聚氨酯類、聚酯類、環氧類、聚氯乙烯類、三聚氰胺類、聚醯亞胺類、以及矽類等。
(甲基)丙烯酸酯類聚合物是指，具有(甲基)丙烯酸酯單體單元的乙烯基化合物的聚合物。(甲基)丙烯酸酯類聚合物可以具有，來自含有官能團的單 體、苯乙烯、乙烯基甲苯、乙酸烯丙酯、(甲基)丙烯腈、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、叔碳酸乙烯酯、乙烯基乙基醚、乙烯基丙基醚、乙烯基異丁基醚等的單體單元。
作為(甲基)丙烯酸酯類聚合物，優選使用(甲基)丙烯酸酯單體和含有官能團的單體的共聚物。
含有官能團的單體是指，具有羥基、羧基、環氧基、醯胺基、氨基、羥甲基、磺酸基、氨基磺酸基、(亞)磷酸酯基等的官能團的單體。
(甲基)丙烯酸酯類聚合物，從(1)抗靜電劑或者減摩劑之間的相容性良好，(2)可強化背面層5與基材膜3之間的密合性等的觀點，作為有機粘合劑優選使用。
(甲基)丙烯酸酯單體可使用，例如，(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸環己基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯等。(甲基)丙烯酸酯單體可並用多個成分。
作為具有羥基的單體，可舉例為，2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丁基(甲基)丙烯酸酯等。
作為具有羧基的單體，可舉例為，(甲基)丙烯酸、丁烯酸、馬來酸、馬來酸酐、亞甲基丁二酸、反丁烯二酸、丙烯醯胺N-乙醇酸、肉桂酸等
作為具有環氧基的單體，可舉例為，丙基縮水甘油醚、(甲基)丙烯酸縮水甘油醚等。
作為具有醯胺基的單體，可舉例為，(甲基)丙烯醯胺等。作為具有氨基的單體，可舉例為，(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯等。作為具有羧甲基的單體，可舉例為，N-羥甲基丙烯醯胺等。具有官能團的單體，可以並用多個成分。
作為(甲基)丙烯酸酯類聚合物，除了上述的單體，還可適宜使用例如，苯乙烯、乙烯基甲苯、乙酸烯丙酯、(甲基)丙烯腈、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、叔碳酸乙烯酯、乙烯基乙基醚、乙烯基丙基醚、乙烯基異丁基醚等。
背面層5中可適宜添加各種添加劑，例如，固化劑、增塑劑、抗老化劑、填料、無機潤滑劑等。
形成背面層5的方法沒有特別的限制，例如，可利用凹印塗布機、逗號塗布機、線棒塗布機、刮刀塗布機或輥塗機等塗布機，在基材膜3上直接塗布的方法，或者可利用凸板印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、膠版印刷、或絲網印刷等印刷方法。
形成的背面層5的厚度為，優選乾燥後的厚度呈0.1~20μm。太薄無法發揮抗靜電效果，過度塗布也沒有進一步可期待的效果，不經濟。
<粘合劑層7>
粘合劑層7是在基材膜3上塗布粘合劑而形成。粘合劑沒有特別的限定，例如可以使用，橡膠類粘合劑，丙烯酸類粘合劑，聚氨酯類粘合劑，矽類粘合劑等。本實施方式優選使用紫外線固化型粘合劑，因此優選使用丙烯酸類粘合劑。在此情況下可使用，例如含有(甲基)丙烯酸酯共聚物，分子中具有2個以上的光聚合性碳-碳雙鍵結構的光聚合性化合物，多官能異氰酸酯固化劑，以及光聚合引發劑的粘合劑。
粘合劑中可適宜添加各種添加劑，例如，增粘劑、固化劑、增塑劑、光聚合性化合物、光引發劑、發泡劑、阻聚劑、抗老化劑、填料等。
形成粘合劑層7的方法沒有特別的限制，可利用例如，凹印塗布機、逗號塗布機、線棒塗布機、刮刀塗布機、或輥塗機等塗布機，在基材膜3上 直接塗布的方法，或者可利用凸板印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、膠版印刷、或絲網印刷等的印刷方法。粘合劑層7的厚度，優選為乾燥後的厚度呈2~30μm。粘合劑層小於2μm，無法發揮充分的粘結力。相反，粘合劑層厚度大於30μm，粘合片的平行線透射率則會下降，或者擴張時的作用力無法充分傳達到晶片上，可能會使晶片無法切割。
<半導體裝置的製造方法>
本實施方式的雷射切割用粘合片1，優選利用於，在表面形成有半導體晶圓上，透過粘合片照射雷射進行雷射切割的用途。雷射切割優選為隱形切割，隱形切割是，如專利文獻1的公開，藉由雷射的照射在半導體晶圓內部形成改質部，以該改質部為起點進行半導體晶圓的切割方式，但本發明不限於此，利用雷射的任意的切割方式均可採用。
在這裏說明，使用粘合片1的半導體裝置的製造方法中，半導體晶圓的加工步驟。
首先，表面形成有電路的半導體晶圓的背面或者表面上貼附粘合片1(貼附步驟)。
其次，透過粘合片1，對半導體晶圓照射可見光區的波長的雷射，對半導體晶圓進行定位(定位步驟)。
然後，透過粘合片1，對半導體晶圓照射紅外光區的波長的雷射，使半導體晶圓內形成改質部(改質部形成步驟)
之後，藉由對粘合片1進行擴張來分割半導體晶圓使其晶片化(擴張 步驟)。
如上所述，在粘合片1，形成在基材膜3的背面層側的背面層5的表面的算數平均粗糙度Ra為0.1μm以下，且400~1400nm波長區域的平行線透射率為85%以上，因此，透過粘合片1照射可視區域或者紅外區域的波長的雷射時，直行性高的雷射以高透射率透過粘合片1。因此，易於適當地進行定位步驟以及改質部形成步驟。
另外，粘合片1在23℃的拉伸彈性率為50~200MPa，且基材膜3的背面側形成背面層5，該背面層5含有減摩劑以及抗靜電劑，因此，粘合片1可適度的伸張，且粘合片1對擴張裝置容易滑動，因此，易於適當地進行擴張步驟。另外，背面層5含有抗靜電層，可抑制分割後的晶片上附著異物。
【實施例】
以下，利用實施例說明本發明，但本發明不限於這些實施例。
(使用原料)
有機粘合劑：甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸正丁酯的共聚物，市售品。
抗靜電劑：甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯的季銨鹽(季銨類乙烯基單體)，市售品。
減摩劑：含有在矽分子鏈的末端具有(甲基)丙烯醯基的矽類低聚物單元30質量份，且將丙烯酸類乙烯基單元70質量份聚合而成的矽類接枝共聚 物；市售品。
丙烯酸酯共聚物：2-乙烯己酯/丙烯酸甲酯/丙烯酸/丙烯酸2-羥基乙酯=22/71.5/6/0.5(質量比)，Mw=18萬，Tg=-10℃)，市售品。
光聚合性化合物：六亞甲基二異氰酸酯與二季戊四醇五丙烯酸而成的氨基甲酸酯丙烯酸酯，市售品。
固化劑：甲苯二異氰酸酯以及三羥甲基丙烷三丙烯酸酯的加合物，市售品。
光聚合引發劑：苯偶醯二甲基縮酮，市售品。
基材膜：厚度為80μm的離聚物樹脂，市售品。
<實施例1>
粘合片1由如下方式製成。
(背面層5)
將有機粘合劑100質量份，抗靜電劑10質量份，減摩劑10質量份的混合溶液，利用凹版塗布機塗布於基材膜3上，形成厚度為1μm的背面層5。
(粘合劑)
作為粘合劑，使用相對於丙烯酸酯共聚物100質量份，使用光聚合性化合物50質量份，固化劑3質量份，光聚合引發劑3質量份而成的粘合劑。
(粘合片的製造)
將紫外線固化型粘合劑塗布於聚對苯二酸乙二醇酯制之分離膜上，使乾 燥後的粘合劑層7的厚度呈10μm。將該粘合劑層7塗布於預先設有厚度為1μm的背面層5的基材膜3的，且與背面層5相反側的面上，之後，在40℃熟化7日，得到粘合片1。
(評價方法)
算術平均粗糙度Ra：背面層5表面的算術平均粗糙度Ra為，遵照JIS B0601：2001，利用三豐(Mitutoyo)公司制的表面粗糙度測定儀(SURFTEST SJ-310)，N=10的條件下測定，求出其平均值。
拉伸彈性率：粘合片1的拉伸彈性率為，利用萬能拉張試驗機(ORIENTEC公司制TENSILON RTA-T-2M)，遵照JIS K7161：1994，在23℃，濕度50%的環境下，以張拉速度5mm/分的條件測定。另外，粘合片的拉伸彈性率為，紫外線照射前的粘合片的拉伸彈性率。
平行線透射率：粘合片1的平行線透射率是，利用村上色彩研究所制的光譜霧度計HSP-150V，遵照JIS K 7361-1：1999測定。400~1400nm的波長區域的測定範圍中，將最低的透射率記載到表格。
動摩擦係數：在23℃，濕度50%的環境下的粘合片1的背面層5的動摩擦係數是，遵照JIS K 7125，利用摩擦測定儀TR-2(東洋精機製作所制)測定。
抗靜電性能：在23℃，濕度50%的環境下的粘合片1的背面層5的表面電阻率是，遵照JIS K 6911，利用電位計(愛德萬測試公司製R8340A)以及電阻率.樣品室(愛德萬測試公司製R12704A)測定的。
晶片分割性：在直徑為8英寸，厚度為100μm的磨削完的矽晶圓上貼附粘合片1，透過粘合片1照射雷射，使在矽晶圓內部形成改質層。之後，利用擴張裝置，以拉伸量為20mm，擴張速度為10mm/s的條件下，將粘合片擴張，分割晶片。根據晶片分割率，由以下基準評價。
A：晶片分割率為95%以上
B：晶片分割率為90%以上且小於95%
C：晶片分割率為小於90%
雷射的照射條件如下。
．光源：Nd-YAG雷射
．波長：1064nm
．重複頻率：100kHz
．脈衝寬度：30ns
．切割速度：100mm/秒
．晶圓大小：50mm×50mm(正方形)
．切割晶片大小：5mm×5mm
異物附著與否：用光學顯微鏡觀察10個分割成的晶片，確認是否附著 有2μm以上的粉塵。其結果如表1所示。
<實施例2~11以及比較例1~4>
將抗靜電劑以及減摩劑的添加量，基材膜3的種類以及厚度，背面層5的表面的表面粗糙度如表1~表2所示變更之外，與實施例1同樣的方法製造粘合片，進行評價。其結果如表1~表2所示。
【表1】
實施例1~11的粘合片1的平行線透射率為85%，且顯示出適當的拉伸彈性率以及抗靜電性能，由此可提高晶片分割率，且可抑制分割後的異物附著。另外，對於可視光也顯示出高透射率，利於晶圓的定位。另一方面，比較例1~4中，晶片分割率低，或者分割後的晶片有異物附著。
在比較例1，背面層5上未添加抗靜電劑，導致分割後的晶片有異物附著。
在比較例2，背面層5上未添加減摩劑，導致晶片分割性惡化。
在比較例3，背面層5表面的表面粗糙度過大，導致晶片分割性惡化。
在比較例4，基材膜3的拉伸彈性率過大，導致晶片分割性惡化。
1‧‧‧粘合片
3‧‧‧基材膜
5‧‧‧背面層
7‧‧‧粘合劑層

Claims (6)

  1. 一種雷射切割用粘合片，其特徵在於：基材膜的一側面具有背面層，該背面層含有減摩劑以及抗靜電劑，其另一側面具有粘合劑層，所述背面層表面的算數平均粗糙度Ra為0.1μm以下，所述粘合片在23℃的拉伸彈性率為50~200MPa，以及在400~1400nm波長區域的平行線透射率為85%以上。
  2. 如請求項1所述的雷射切割用粘合片，其中所述減摩劑為矽類接枝共聚物。
  3. 如請求項1或2所述的雷射切割用粘合片，其中所述抗靜電劑為季銨鹽單體。
  4. 如請求項1~3任一項所述的雷射切割用粘合片，其中所述背面層含有有機粘合劑100質量份、抗靜電劑0.005~10質量份、以及減摩劑0.005~10質量份。
  5. 如請求項4所述的雷射切割用粘合片，其中所述有機粘合劑為，(甲基)丙烯酸酯共聚物。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，包括：在表面形成有電路的半導體晶圓的背面或者表面上，貼附請求項1至5中任一項所述的雷射切割用粘合片的步驟；透過所述粘合片，對所述半導體晶圓照射可見光區域的波長的雷射，對晶圓進行定位的步驟；透過所述粘合片，對所述半導體晶圓照射紅外光區域的波長的雷射，在晶圓內部形成改質部的步驟；以及 藉由擴張所述粘合片來分割所述半導體晶圓使其晶片化的步驟。
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