TW201632998A - 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

資料修正部21之蝕刻特性記憶部212將對於對象物上之複數個對象位置之各者之蝕刻特性作為對象蝕刻特性而加以記憶。特性群組獲取部213藉由將與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置包含於1個特性群組,而將複數個對象位置分成少於該複數個對象位置之特定數量之特性群組。分割資料修正部217將藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料分割成與設定於對象物上之複數個分割區域對應之複數個分割資料,並基於代表與該分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置所屬之一特性群組之蝕刻特性而修正各分割資料。由此能夠高效地進行高精度之蝕刻修正。

Description

資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄媒體
本發明係關於一種對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行修正之技術。
先前,於半導體基板或印刷基板、或者電漿顯示裝置或液晶顯示裝置用玻璃基板等(以下稱為「基板」)之製程中,對基板實施各種處理。例如,藉由對於表面上形成有抗蝕劑之圖案之基板實施蝕刻而於基板上形成配線圖案。於該蝕刻中,藉由圖案配置之疏密或圖案之大小等,而存在形成於基板上之圖案之形狀與設計資料不同之情形。
於日本專利第3074675號公報中,揭示有如下技術,即藉由利用電子束直接描繪裝置於基板上形成抗蝕劑圖案,並利用電漿蝕刻裝置進行蝕刻而形成圖案。另外,提出有於根據圖案之設計資料而產生電子束直接描繪用資料之處理中,包含修正由微負載效應(micro loading effect)所致之蝕刻後之圖案尺寸之變化之處理。
於日本專利第4274784號公報中,提出有使用蝕刻後之基板之圖像資料及設計資料,產生表示為了獲得所需之蝕刻後基板而必須如何 修正設計資料之尺寸調整規則(resizing rule)。
於日本專利特開2008-134512號公報中,揭示有如下方法:於製作光罩時,針對每一圖案間之間隔(距離)而指定用以修正過蝕刻之修正值。另外,提出有於直線圖案與圓弧圖案對向之情形時,對該對向之部位施加進一步之修正。
於日本專利特開2013-12562號公報中,揭示有如下技術:於一面根據導體圖案之設計資料而考慮側蝕刻一面製作輪廓形狀(導體圖案之外形形狀)時,基於鄰接之輪廓形狀間之距離而設定修正值。
日本專利特開2013-250101號公報涉及一種藉由蝕刻而形成之配線圖案之缺陷檢查。於該缺陷檢查中,自形成於基板之表面上之測定用圖案測定蝕刻資訊(蝕刻曲線),並使用該蝕刻曲線對設計資料進行蝕刻模擬而產生檢查資料。然後,藉由將基板上之配線圖案之圖像資料與檢查資料對照而檢測出配線圖案之缺陷。於本文獻中,提出有於設定於印刷基板之上表面之複數個檢查區域分別配置1個測定用圖案,且獲取各檢查區域用之蝕刻曲線。於檢查區域中包含複數個相同之單部分圖案,對這些複數個單部分圖案基於該檢查區域用之蝕刻曲線而同樣地進行修正。
近年來,於進行對基板之蝕刻之裝置中,為了提高生產性而對配置有複數個相同之部分(piece)(圖案)之大型基板進行蝕刻。因此,蝕刻特性根據基板上之位置而不同,即便係對相同部分之蝕刻,亦存在蝕刻結果不同之情形。於該情形時,亦考慮針對各部分獲取蝕刻特性,並基於該蝕刻特性而進行資料之修正(蝕刻修正),但對所有部分之蝕刻修正需要較長時間。
本發明適於對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行修正之資料修正裝置,其目的在於效率佳地進行高精度之蝕刻修 正。
本發明之資料修正裝置包括:設計資料記憶部,其記憶藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料;蝕刻特性記憶部,其將針對上述對象物上之複數個對象位置之各者之蝕刻特性作為對象蝕刻特性,而記憶針對上述複數個對象位置之複數個對象蝕刻特性;特性群組獲取部,其藉由將與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置包含於1個特性群組中,而將上述複數個對象位置分成少於上述複數個對象位置少之特定數量之特性群組;及分割資料修正部,其將上述設計資料分割成與設定於上述對象物上之複數個分割區域對應之複數個分割資料,並基於代表與上述各分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置所屬之一個特性群組之蝕刻特性而修正各分割資料。
根據本發明,能夠效率佳地進行高精度之蝕刻修正。
於本發明之一較佳形態中,上述特性群組獲取部包括:群組特性獲取部,其獲取與各特性群組建立關聯之蝕刻特性作為群組蝕刻特性;及群組化處理部,其基於表示各對象蝕刻特性與上述各特性群組之上述群組蝕刻特性之類似度之值,而進行將與上述各對象蝕刻特性對應之對象位置包含於上述特定數量之特性群組之任一者之群組化處理。
於該情形時,更佳為,上述特性群組獲取部更包括重複控制部,該重複控制部係使利用上述群組特性獲取部之上述群組蝕刻特性之獲取、及利用上述群組化處理部之上述群組化處理重複進行,直至滿足特定條件為止,且上述群組特性獲取部根據藉由前一上述群組化處理而包含於上述各特性群組中之對象位置之對象蝕刻特性,而求出上述各特性群組之上述群組蝕刻特性。
於本發明之另一較佳形態中,上述設計資料之上述複數個分割資料各自表示之分割圖案為相同。
於本發明之一態樣中,資料修正裝置更包括對象蝕刻特性獲取部,該對象蝕刻特性獲取部係針對上述對象物上之複數個基準位置之各者而預先獲取基準蝕刻特性,並針對上述複數個對象位置之各者,基於各對象位置與上述複數個基準位置之位置關係而對上述複數個基準位置之複數個基準蝕刻特性進行加權,並且基於進行加權後之上述複數個基準蝕刻特性而求出上述各對象位置之上述對象蝕刻特性。
於本發明之另一態樣中,資料修正裝置更包括群組數量決定部,該群組數量決定部係針對複數個臨時群組數量之各者,使上述特性群組獲取部進行分組,求出表示代表各特性群組之蝕刻特性、與屬於上述各特性群組之所有對象位置之對象蝕刻特性之差異度之值之所有特性群組之和作為評估值,並將上述評估值為特定閾值以下之最小之臨時群組數量決定為上述特定數量。
本發明亦適於在對象物上描繪圖案之描繪裝置。本發明之描繪裝置包括:上述資料修正裝置;光源;光調變部,基於藉由上述資料修正裝置修正之設計資料而調變來自上述光源之光;及掃描機構,於對象物上掃描已藉由上述光調變部調變之光。
本發明亦適於檢查藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之檢查裝置。本發明之檢查裝置包括:上述資料修正裝置;實際圖像記憶部,其記憶藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之圖像資料即檢查圖像資料;及缺陷檢測部,其藉由對已利用上述資料修正裝置修正之設計資料與上述檢查圖像資料進行比較,而檢測形成於上述對象物上之上述圖案之缺陷。
本發明亦適於修正藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料之資料修正方法、於對象物上描繪圖案之描繪方法、檢查藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之檢查方法、及記錄對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行修正之程式之記錄媒體。
上述目的及其他目的、特徵、形態及優點可藉由以下參照隨附圖式而進行之本發明之詳細說明而變得明瞭。
1‧‧‧描繪裝置
1a‧‧‧檢查裝置
2‧‧‧資料處理裝置
3‧‧‧曝光裝置
8‧‧‧記錄媒體
9‧‧‧基板
9a‧‧‧測試基板
21、21a‧‧‧資料修正部
22‧‧‧資料轉換部
25‧‧‧實際圖像記憶部
26‧‧‧缺陷檢測部
31‧‧‧描繪控制器
32‧‧‧載台
33‧‧‧光出射部
35‧‧‧掃描機構
80‧‧‧程式
83‧‧‧設計圖案
84‧‧‧部分圖案
93‧‧‧測試圖案
95‧‧‧特性獲取用圖案
201‧‧‧CPU
202‧‧‧ROM
203‧‧‧RAM
204‧‧‧固定磁盤
205‧‧‧顯示器
206a‧‧‧鍵盤
206b‧‧‧滑鼠
207‧‧‧讀取/寫入裝置
208‧‧‧通信部
211‧‧‧設計資料記憶部
212‧‧‧蝕刻特性記憶部
213‧‧‧特性群組獲取部
214‧‧‧群組特性獲取部
215‧‧‧群組化處理部
216‧‧‧重複控制部
217‧‧‧分割資料修正部
218‧‧‧對象蝕刻特性獲取部
219‧‧‧群組數量決定部
331‧‧‧光源
332‧‧‧光調變部
951‧‧‧第1圖形要素群
952‧‧‧第1圖形要素
953‧‧‧第2圖形要素群
954‧‧‧第2圖形要素
A1‧‧‧矩形
d‧‧‧差
E1、E2‧‧‧蝕刻曲線
Et‧‧‧蝕刻量
P、P1‧‧‧對象位置
P0‧‧‧基準位置
S11~S22‧‧‧步驟
G‧‧‧間隙寬度
x、y‧‧‧方向
圖1係表示第1實施形態之描繪裝置之構成之圖。
圖2係表示資料處理裝置之構成之圖。
圖3係表示資料處理裝置之功能之框圖。
圖4係表示利用描繪裝置之描繪之流程之圖。
圖5係測試基板之俯視圖。
圖6係將特性獲取用圖案之一部分放大而表示之圖。
圖7係將測定圖案之一部分放大而表示之圖。
圖8係表示蝕刻曲線之圖。
圖9係表示各特性群組中所包含之對象位置之圖。
圖10係表示設計圖案之圖。
圖11係表示測試基板上之基準位置及對象位置之圖。
圖12係表示第2實施形態之檢查裝置之功能之框圖。
圖13係表示利用檢查裝置之檢查之流程之一部分之圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之描繪裝置1之構成之圖。描繪裝置1係藉由對設置於印刷基板、半導體基板、液晶基板等(以下簡稱為「基板9」)之表面上之感光材料即抗蝕劑膜照射光,而直接於抗蝕劑膜上描繪電路圖案等圖像之直接描繪裝置。對利用描繪裝置1描繪有圖案之基板9,於基板處理裝置等(省略圖示)實施顯影、蝕刻。由此,於基板9上形成圖案。對基板9之蝕刻係例如藉由對基板9賦予蝕刻液而進行之濕式蝕刻。此外,作為對基板9之蝕刻,例如亦可進行利用電漿等之乾式蝕刻。
描繪裝置1包括資料處理裝置2、及曝光裝置3。資料處理裝置2 修正描繪於基板9上之圖案之設計資料而產生描繪資料。曝光裝置3基於自資料處理裝置2發送之描繪資料而進行對基板9之描繪(即曝光)。資料處理裝置2與曝光裝置3只要能夠進行兩裝置間之資料之授受,則可物理性地隔開,當然亦可一體地設置。
圖2係表示資料處理裝置2之構成之圖。資料處理裝置2成為一般計算機系統之構成,即包含進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)201、記憶基本程式之ROM(Read Only Memory,唯讀記憶體)202、及記憶各種資訊之RAM(Random Access Memory,隨機存取記憶體)203。資料處理裝置2還包含:固定磁盤204,其進行資訊記憶;顯示器205,其進行圖像等各種資訊之顯示;鍵盤206a及滑鼠206b,其等受理來自操作者之輸入;讀取/寫入裝置207,其自光碟、磁碟、磁光碟等計算機能夠讀取之記錄媒體8進行資訊之讀取及寫入;及通信部208,其於與描繪裝置1等其他構成之間收發信號。
於資料處理裝置2中,事前經由讀取/寫入裝置207自記錄媒體8讀出程式80並記憶於固定磁盤204。CPU201藉由按照程式80一面利用RAM203或固定磁盤204一面執行運算處理(即藉由計算機執行程式)而實現下述功能。
圖3係表示資料處理裝置2之功能之框圖。於圖3中一併表示有連接於資料處理裝置2之曝光裝置3之構成之一部分(描繪控制器31)。資料處理裝置2包括資料修正部21、及資料轉換部22。資料修正部21對藉由蝕刻而形成於基板9上之圖案之設計資料進行修正。資料修正部21包括設計資料記憶部211、蝕刻特性記憶部212、特性群組獲取部213、及分割資料修正部217。特性群組獲取部213包括群組特性獲取部214、群組化處理部215、及重複控制部216。對資料轉換部22輸入藉由資料修正部21修正後之設計資料(以下稱為「已修正完畢資 料」)。已修正完畢資料通常為多邊形等矢量資料。資料轉換部22係將作為矢量資料之已修正完畢資料轉換成作為名冊資料之描繪資料。此外,於圖3中利用虛線之矩形表示之對象蝕刻特性獲取部218及群組數量決定部219之功能係利用於下述之處理例中。資料處理裝置2之功能可藉由專用之電路實現,亦可局部地使用專用之電路。
如圖1所示,曝光裝置3包括描繪控制器31、載台32、光出射部33、及掃描機構35。描繪控制器31控制光出射部33及掃描機構35。載台32係於光出射部33之下方保持基板9。光出射部33包括光源331、及光調變部332。光源331係朝向光調變部332出射雷射光。光調變部332係調變來自光源331之光。藉由光調變部332調變後之光被照射至載台32上之基板9。作為光調變部332,例如可利用二維地排列有複數個光調變元件之DMD(Digital Mirror Device,數位微鏡器件)。光調變部332亦可為一維地排列有複數個光調變元件之調變器等。
掃描機構35使載台32於水平方向移動。具體而言,藉由掃描機構35而使載台32於主掃描方向、及與主掃描方向垂直之副掃描方向移動。由此,藉由光調變部332調變後之光於基板9上被於主掃描方向及副掃描方向掃描。於曝光裝置3中,亦可設置使載台32水平地旋轉之旋轉機構。另外,亦可設置使光出射部33於上下方向移動之升降機構。掃描機構35只要能夠於基板9上掃描來自光出射部33之光,則不一定必須為使載台32移動之機構。例如,亦可藉由掃描機構35而使光出射部33於載台32之上方沿主掃描方向及副掃描方向移動。
接下來,一面參照圖4,一面對利用描繪裝置1之描繪之流程進行說明。首先,對於一主面上形成有抗蝕劑膜之測試用之基板(與下述之步驟S20中之進行描繪之基板9為相同之形狀及大小,以下稱為「測試基板」),藉由曝光裝置3描繪特定之測試圖案。
圖5係表示藉由曝光裝置3而描繪有測試圖案93之測試基板9a之俯 視圖。實際上,測試基板9a上之測試圖案93能夠藉由實施顯影處理而以抗蝕劑圖案之形式被視認到。此處,將圖5之測試圖案93之各圖形要素之位置、形狀、大小設為與測試圖案用之設計資料(但是,未進行利用資料修正部21之修正)所表示之圖案嚴格一致。即,圖5之測試圖案93亦正係測試圖案用之設計資料所表示之圖案本身。圖5之測試基板9a為矩形,於圖5中,將沿測試基板9a之相互正交之2條邊之方向表示為x方向及y方向。
測試圖案93包含複數個特性獲取用圖案95。於圖5中,利用矩形表示特性獲取用圖案95。複數個特性獲取用圖案95之各者係經過顯影、蝕刻、抗蝕劑剝離等處理而最終成為用以測定蝕刻特性之測定圖案之預定描繪圖案。於圖5之例中,複數個特性獲取用圖案95係於x方向及y方向以固定之間距排列。若將配置各特性獲取用圖案95之位置(例如該圖案之中央)P稱為「對象位置」,則於測試基板9a上設定有複數個對象位置P。測試基板9a上之對象位置P之個數例如為4個以上,較佳為9個以上。各特性獲取用圖案95包含複數個圖形要素。於圖5中表示特性獲取用圖案95之矩形係包含該複數個圖形要素全體之大致最小之矩形。
圖6係將特性獲取用圖案95之一部分放大而表示之圖。於圖6所示之例中,特性獲取用圖案95包含複數個第1圖形要素群951。各第1圖形要素群951包含相互平行地大致沿y方向延伸之2條大致直線狀之第1圖形要素952。各第1圖形要素群951中之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G(即2條第1圖形要素952之與長度方向垂直之x方向上之間隙之寬度),與其他第1圖形要素群951中之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G不同。
藉由對測試基板9a之顯影處理,而於測試基板9a上形成有表示測試圖案93之抗蝕劑圖案。繼而,對測試基板9a以該抗蝕劑圖案作為掩 模而實施蝕刻,進而實施抗蝕劑剝離等處理,由此於測試基板9a之主面上形成有表示複數個特性獲取用圖案95之複數個測定圖案。
圖7係將與特性獲取用圖案95對應之測定圖案96之一部分放大而表示之圖。測定圖案96包含分別表示複數個第1圖形要素群951之複數個第2圖形要素群953。於圖7中,將1個第2圖形要素群953放大而表示。各第2圖形要素群953包含與2條第1圖形要素952對應之大致直線狀之2條第2圖形要素954。第2圖形要素954係利用抗蝕劑圖案中之第1圖形要素952之部位並藉由蝕刻而形成。於圖7中,利用二點鏈線一併表示第1圖形要素952之輪廓線。
此處,將形成各第2圖形要素群953中之2條第2圖形要素954間之間隙之各第2圖形要素954之邊(輪廓線之部位)、與對應於該邊之第1圖形要素952之邊之間之距離(與形成該間隙之輪廓線之部位垂直之方向之距離)稱為蝕刻量Et。蝕刻量Et表示該2條第2圖形要素954間之間隙中之第2圖形要素954之邊相對於各第1圖形要素952之邊之移動量(輪廓線之單側之變細量)。蝕刻量Et係相依於與該2條第2圖形要素954對應之2條第1圖形要素952間之間隙寬度G而變化。間隙寬度G與蝕刻量Et之關係係藉由如下方法獲取:拍攝測試基板9a而獲取測定圖案96之圖像,並比較該圖像與特性獲取用圖案95之設計資料。
圖8係表示蝕刻曲線之圖,該蝕刻曲線表示間隙寬度G與蝕刻量Et之關係。於圖8中,將2條蝕刻曲線標註符號E1、E2而表示。於蝕刻曲線中,隨著間隙寬度G變小,蝕刻量Et亦逐漸變小。於間隙寬度G為某種程度大之範圍內,蝕刻量Et與間隙寬度G大致成正比例,但當間隙寬度G變小時,相對於間隙寬度G之減小而蝕刻量Et急遽地減小。換句話說,當間隙寬度G變小時,蝕刻曲線之斜率變大。
於複數個特性獲取用圖案95中,由於測試基板9a上之位置(即對象位置P)不同,因此如圖8之2條蝕刻曲線E1、E2般,存在蝕刻曲線之 形狀互不相同之情形。於本處理例中,自複數個特性獲取用圖案95分別獲取多條蝕刻曲線。換句話說,針對複數個對象位置P而獲取多條蝕刻曲線。此外,於圖8中,利用黑色或白色之四角點表示各第1圖形要素群951之間隙寬度G上之蝕刻量Et。於複數個特性獲取用圖案95中,測定蝕刻量Et之間隙寬度G之大小或個數亦可不同。
特性獲取用圖案95亦可包含除矩形以外之各種形狀之圖形要素及各種組合之圖形要素群。例如,亦可使特性獲取用圖案95包含直徑不同之複數個圓形圖形要素,並獲取表示圓形圖形要素之直徑與蝕刻量之關係之蝕刻曲線。對於此種蝕刻曲線之種類,亦可獲取與複數個對象位置P分別對應之複數條蝕刻曲線。於以下之說明中,將相對於測試基板9a及基板9上之各位置之1條或複數條蝕刻曲線統稱為「蝕刻特性」,並將與對象位置P對應之蝕刻特性稱為「對象蝕刻特性」。蝕刻特性代表性地表示於設計資料所表示之圖案中相互鄰接之圖形要素間之間隙(設計間隙)之寬度、與藉由蝕刻而形成之圖案中之該圖形要素間之間隙(實際間隙)之寬度之關係。
於描繪裝置1中,將相對於各對象位置P之1條或複數條蝕刻曲線記憶於上述蝕刻特性記憶部212。即,將相對於複數個對象位置P之複數個對象蝕刻特性記憶於蝕刻特性記憶部212,為下述之處理做準備(步驟S11)。此外,複數個對象蝕刻特性可於除描繪裝置1以外之裝置獲取,亦可於描繪裝置1獲取。於在描繪裝置1獲取對象蝕刻特性之情形時,於描繪裝置1設置獲取測定圖案96(參照圖7)之圖像之攝像部、及基於測定圖案96之圖像及特性獲取用圖案95(參照圖6)之設計資料而求出各對象位置之對象蝕刻特性之蝕刻特性運算部(於第2實施形態之檢查裝置1a中相同)。
於特性群組獲取部213之群組特性獲取部214中,決定特性群組之個數(以下稱為「設定群組數量」)(步驟S12)。此處,特性群組係僅 包含與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置P之集合。設定群組數量係例如基於操作者經由輸入部(鍵盤206a及滑鼠206b等)之輸入而決定。設定群組數量亦可預先決定。
繼而,隨機地特定出設定群組數量之量之對象位置P,並分別分配至設定群組數量之特性群組。將被分配至各特性群組之對象位置P之對象蝕刻特性作為與該特性群組建立關聯之蝕刻特性(以下稱為「群組蝕刻特性」)來處理(步驟S13)。於群組化處理部215中,求出表示各對象位置P之對象蝕刻特性與各特性群組之群組蝕刻特性之類似度之值(此處,兩者之類似度越高則值越大,以下稱為「類似度評估值」)。
例如,於某對象位置P之對象蝕刻特性之蝕刻曲線、及某特性群組之群組蝕刻特性之蝕刻曲線為圖8中之蝕刻曲線E1、E2之情形時,於預先規定之複數個間隙寬度之各者,求出2條蝕刻曲線E1、E2之蝕刻量Et之差(絕對值)d。繼而,求出複數個間隙寬度中之該差d之和作為該2條蝕刻曲線E1、E2之間之距離。於對象蝕刻特性只包含一種蝕刻曲線之情形時,該距離成為上述類似度評估值。於對象蝕刻特性包含複數種蝕刻曲線之情形時,複數種蝕刻曲線之該距離之和成為上述類似度評估值。
若針對各對象位置P,求出與設定群組數量之特性群組之各者之類似度評估值,則將該對象位置P分配至類似度評估值成為最小之特性群組。如此,於群組化處理部215中,基於各對象蝕刻特性與各特性群組之群組蝕刻特性之類似度評估值,而進行將與該對象蝕刻特性對應之對象位置P包含於設定群組數量之特性群組中之任一者之群組化處理(步驟S14)。藉由群組化處理,於各特性群組中包含至少1個對象位置P。此外,於類似度評估值之運算中,求出差d之複數個間隙寬度之個數(樣品數量)及值可任意地決定,不一定必須與測試圖案93之 第1圖形要素952間之間隙寬度G一致。與第1圖形要素952間之間隙寬度G不同之間隙寬度之蝕刻量係藉由各種插值運算而求出。
重複控制部216當確認到未滿足下述之結束條件時(步驟S15),使群組特性獲取部214再次獲取各特性群組之群組蝕刻特性(步驟S13)。此時,自藉由前一群組化處理而包含於各特性群組中之對象位置之對象蝕刻特性求出該特性群組之群組蝕刻特性。具體而言,關於蝕刻曲線之各種類,於各特性群組中所包含之對象位置之蝕刻曲線中,獲取表示各間隙寬度中之蝕刻量之平均值或中央值等代表值之蝕刻曲線作為群組蝕刻特性之蝕刻曲線。此外,各間隙寬度中之蝕刻量之代表值只要為表示蝕刻量之分佈之中央附近之值即可。
群組蝕刻特性亦可藉由其他方法而求出。例如,亦可求出各特性群組中所包含之各對象位置之蝕刻曲線、與該特性群組中所包含之其他對象位置之蝕刻曲線之上述距離之和,並獲取該和成為最小之蝕刻曲線作為群組蝕刻特性之蝕刻曲線。如此,各特性群組之群組蝕刻特性之蝕刻曲線亦可為一個對象位置P之蝕刻曲線本身,該一個對象位置P之蝕刻曲線表示該特性群組中所包含之複數個對象位置P之蝕刻曲線之分佈之中央附近。實際上,由於各對象位置P之蝕刻曲線包含干擾(錯誤值),所以就使群組蝕刻特性之蝕刻曲線平滑化之觀點來說,較佳為如上述般獲取表示代表值之蝕刻曲線(於下述之代表蝕刻特性之蝕刻曲線中同樣)。
於群組化處理部215中,與上述同樣地,求出各對象蝕刻特性與各特性群組之群組蝕刻特性之類似度評估值,並基於類似度評估值而進行將各對象位置P包含於任一特性群組中之新之群組化處理(對象位置P之重新分配)(步驟S14)。換句話說,對各特性群組中所包含之對象位置P進行更新。
於重複控制部216中,確認更新後之各特性群組中所包含之對象 位置P係否與更新前之該特性群組中所包含之對象位置P一致。此處,更新後之特性群組中所包含之對象位置P與更新前之特性群組中所包含之對象位置P不同,確認出未滿足結束條件(步驟S15)而重複上述步驟S13、S14。若步驟S14之更新後之各特性群組中所包含之對象位置P與即將更新之前之該特性群組中所包含之對象位置P一致,即,對象位置P未於特性群組間移動,則確認出滿足結束條件(步驟S15)而結束上述步驟S13、S14之重複。於以下之說明中,將滿足結束條件時之特性群組稱為「決定特性群組」。
如此,於特性群組獲取部213中,重複進行步驟S13之群組蝕刻特性之獲取、及步驟S14之群組化處理直至滿足特定之結束條件為止。由此,與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置包含於1個決定特性群組,複數個對象位置被分成較該複數個對象位置少之設定群組數量之決定特性群組。於圖9中,藉由按3種情形來變更標註於表示特性獲取用圖案95之矩形之平行斜線之寬度,而表示3個決定特性群組中所包含之對象位置P。此外,結束條件亦可為上述步驟S13、S14之重複次數達到預先規定之次數之情形等。另外,特性群組獲取部213中之對象位置P之分組可利用除上述方法(k平均法)以外之方法進行。
將於前一步驟S13所獲取之複數個特性群組之群組蝕刻特性分別決定為複數個決定特性群組之代表蝕刻特性(步驟S16)。於下述之處理中,將各決定特性群組之代表蝕刻特性作為該決定特性群組中所包含之對象位置P之蝕刻特性來處理。於步驟S16中,只要各決定特性群組之代表蝕刻特性實質上代表該決定特性群組中所包含之複數個對象位置P之對象蝕刻特性(表示複數個蝕刻特性之特徵),則亦可利用與步驟S13不同之方法獲取。
繼而,於描繪裝置1中,將藉由蝕刻而形成於基板9上之預定圖 案之設計資料輸入至資料修正部21,並記憶於設計資料記憶部211,由此以做準備(步驟S17)。
圖10係表示設計資料所表示之設計圖案83之圖。於圖10中,將供描繪設計圖案83之預定之大致矩形之基板9之外形以粗二點鏈線表示。設計圖案83包括呈矩陣狀配置(即複接)之複數個部分圖案84。複數個部分圖案84分別為構成設計圖案83之圖案要素,設計圖案83係複數個圖案要素之集合即圖案要素群。於圖10中,將部分圖案84以矩形表示。
於圖10中表示各部分圖案84之矩形係包圍該部分圖案84中所包含之複數個圖形要素全體之大致最小之矩形。於圖10之例中,沿與利用二點鏈線表示之基板9之正交之2條邊對應之2個方向(於圖10中,與圖5等同樣地表示為x方向及y方向),二維地排列複數個部分圖案84。這些部分圖案84係互為相同之圖案。
由於設計圖案83係描繪於基板9上之預定之圖案,所以能夠理解為於設計圖案83中亦設定有複數個對象位置P。同樣地,能夠理解為於基板9上設定有供描繪各部分圖案84之預定位置(以下簡稱為「部分圖案84之位置」)。
於分割資料修正部217中,自設計圖案83之設計資料提取分別表示複數個部分圖案84之複數個分割資料(資料塊)。換句話說,設計圖案83之設計資料被分割成分別表示複數個部分圖案84之複數個分割資料。另外,特定出相對於各分割資料所表示之部分圖案84之位置(例如部分圖案84之中央)而最接近之對象位置P。然後,基於該對象位置P之蝕刻特性、即該對象位置P所屬之決定特性群組之代表蝕刻特性而修正該分割資料,由此求出表示各部分圖案84之已修正完畢分割資料(步驟S18)。此外,於圖9中,將以各對象位置P作為最接近之對象位置之區域利用以該對象位置P為中心之二點鏈線之矩形A1表示,於圖 10中亦同樣。
於分割資料之修正中,考慮於基板9上之各部分圖案84之位置,進行按照蝕刻特性所表示之蝕刻量之過度(即超過所需量)之蝕刻。即,參照與各部分圖案84之位置之蝕刻特性大致等效之決定特性群組之代表蝕刻特性,以使蝕刻後之基板9上之圖案之各圖形要素形成為所需之線寬或大小之方式,進行使各分割資料之圖形要素之線寬變粗、或使圖形要素變大之修正。
此處,若將供描繪各部分圖案84之基板9上之區域(部分)稱為分割區域,則於步驟S18中,藉由分割資料修正部217,首先將設計圖案83之設計資料分割成與設定於基板9上之複數個分割區域分別對應之複數個分割資料。而且,對各分割資料基於代表與該分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置P所屬之一個決定特性群組之蝕刻特性(代表蝕刻特性)而進行修正。如此,藉由進行對各分割資料之蝕刻修正而獲取已修正完畢分割資料。
如上所述,於圖10所示之例中,設計資料之複數個分割資料分別表示之分割圖案、即部分圖案84相同。因此,能夠直接利用使用各決定特性群組之代表蝕刻特性而獲取之已修正完畢分割資料來作為以該決定特性群組中所包含之對象位置P為最接近之對象位置之其他分割區域之分割資料。由此,對分割資料之蝕刻修正之執行次數變少,而於短時間完成與複數個分割區域分別對應之複數個已修正完畢分割資料之獲取(蝕刻修正)。於圖10中,藉由使標註於表示部分圖案84之矩形之平行斜線之寬度一致,而表現利用相同之已修正完畢分割資料之部分圖案84。
於分割資料修正部217中,藉由彙總上述複數個已修正完畢分割資料而產生上述已修正完畢資料。該已修正完畢資料自資料修正部21發送至資料轉換部22。於資料轉換部22中,將作為矢量資料之已修正 完畢資料轉換成名冊資料即描繪資料(步驟S19)。
該描繪資料自資料轉換部22發送至曝光裝置3之描繪控制器31。於曝光裝置3中,藉由基於來自資料處理裝置2之描繪資料並利用描繪控制器31控制光出射部33之光調變部332及掃描機構35而進行對基板9之描繪(步驟S20)。藉由對已被進行描繪之基板9進行顯影、蝕刻等各種處理,而於基板9上形成有分別表示部分圖案84之複數個獨立之配線圖案。
實際上,對以相同之設計圖案83作為描繪對象之複數個基板9,利用相同之已修正完畢資料依序進行描繪。另外,當變更設計圖案、即以新之設計圖案作為描繪對象時,一面直接利用複數個決定特性群組之代表蝕刻特性,一面使用該新之設計圖案進行步驟S17、S18,而產生已修正完畢資料。然後,基於該已修正完畢資料進行對基板9之描繪。
此處,假定如下之比較例之處理:對與以各對象位置P作為最接近之對象位置之分割區域(部分)對應之分割資料基於該對象位置P之對象蝕刻特性進行修正。由於複數個對象位置P之複數個對象蝕刻特性通常互不相同,所以於比較例之處理中,必須獲取所有對象位置P之個數之量之已修正完畢分割資料。由於1個已修正完畢分割資料之獲取需要一定程度之時間,所以若獲取所有對象位置P之個數之量之已修正完畢分割資料,則難以效率佳地實施利用描繪裝置1之描繪。另外,雖然亦考慮將測試基板9a上之對象位置P之個數預先限定為數個(減少測定點數),但於該情形時,以各對象位置P作為最接近之對象位置之範圍變廣,而無法進行高精度之蝕刻修正。
相對於此,於資料修正部21之特性群組獲取部213中,藉由將與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置P包含於1個特性群組,而將複數個對象位置P分成特定數量之決定特性群組。即,對複數個對象 位置P基於對象蝕刻特性(基於蝕刻曲線之形狀)而進行分組。然後,藉由分割資料修正部217,對設計資料之各分割資料基於代表與該分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置P所屬之一個決定特性群組之蝕刻特性而進行修正。由此,能夠實現效率佳地進行高精度之蝕刻修正。另外,於設置該資料修正部21之描繪裝置1中,能夠將複數個部分圖案84高精度地且(藉由蝕刻修正之效率化)而於短時間描繪於基板9上。
另外,特性群組獲取部213包括:群組特性獲取部214,獲取各特性群組之群組蝕刻特性;及群組化處理部215,基於各對象蝕刻特性與各特性群組之群組蝕刻特性之類似度評估值而進行群組化處理。而且,重複進行利用群組特性獲取部214之群組蝕刻特性之獲取、及利用群組化處理部215之群組化處理直至滿足特定條件為止。另外,於重複這些處理中,自藉由前一群組化處理而包含於各特性群組中之對象位置P之對象蝕刻特性求出該特性群組之群組蝕刻特性。由此,能夠對複數個對象位置P適當地進行分組。
接下來,對利用圖3之對象蝕刻特性獲取部218之處理進行說明。利用對象蝕刻特性獲取部218之處理係於圖4中之步驟S11中進行之處理。於本處理例之說明中,將圖5中之對象位置P稱為「基準位置」,將與對象位置P對應之對象蝕刻特性稱為「基準蝕刻特性」。
圖11係表示測試基板9a之俯視圖,對測試基板9a上之複數個特性獲取用圖案95之位置(基準位置)標註符號P0。另外,於圖11中,與複數個部分圖案84對應之區域亦利用二點鏈線之矩形表示。與複數個基準位置P0對應之複數個基準蝕刻特性係與上述處理(獲取對象蝕刻特性之處理)同樣地獲取。
繼而,於對象蝕刻特性獲取部218中,將各部分圖案84之位置設為對象位置,並基於複數個基準位置P0之複數個基準蝕刻特性而求出 複數個對象位置之複數個對象蝕刻特性(步驟S11)。對象蝕刻特性係基於對象位置(各部分圖案84之位置)與複數個基準位置P0之各個位置關係,而對與複數個基準位置P0對應之複數個基準蝕刻特性進行加權,並且基於進行加權後之複數個基準蝕刻特性而求出。另外,對複數個基準蝕刻特性之加權例如係藉由使基於與各基準蝕刻特性對應之基準位置P0和對象位置之間之距離之加權因子與該基準蝕刻特性相乘而進行。
詳細來說,藉由使用對象位置及複數個基準位置P0之雙線性插值(bilinear interpolation),一面進行對上述複數個基準蝕刻特性之蝕刻曲線之加權,一面求出對象蝕刻特性之蝕刻曲線。例如,若關注於圖11中標註符號P1之對象位置,則藉由基於該對象位置P1、與包圍該對象位置P1之4個基準位置P0(形成最小之矩形之4個基準位置P0)中之(+y)側之2個基準位置P0之間之x方向之距離,對(+y)側之2個基準位置P0之蝕刻曲線進行線性插值,而求出第1插值蝕刻曲線。具體而言,若將上述2個基準位置P0中之一個基準位置P0與對象位置P1之間之x方向之距離設為d1,且將另一個基準位置P0與對象位置P1之間之x方向之距離設為d2,則將(d2/(d1+d2))設為加權因子來與該一個基準位置P0之蝕刻曲線(之蝕刻量)相乘。另外,將(d1/(d1+d2))設為加權因子來與該另一個基準位置P0之蝕刻曲線相乘。然後,藉由將對2條蝕刻曲線之乘法結果相加而求出第1插值蝕刻曲線。
同樣地,藉由基於上述對象位置P1、與上述4個基準位置P0中之(-y)側之2個基準位置P0之間之x方向之距離,對(-y)側之2個基準位置P0之蝕刻曲線進行線性插值而求出第2插值蝕刻曲線。具體而言,若將上述2個基準位置P0中之一個基準位置P0與對象位置P1之間之x方向之距離設為d3,且將另一個基準位置P0與對象位置P1之間之x方向之距離設為d4,則將(d4/(d3+d4))設為加權因子來與該一個基準位置 P0之蝕刻曲線相乘。另外,將(d3/(d3+d4))設為加權因子來與該另一個基準位置P0之蝕刻曲線相乘。然後,藉由將對2條蝕刻曲線之乘法結果相加而求出第2插值蝕刻曲線。
然後,藉由基於對象位置P1、與上述4個基準位置P0中之(-x)側或(+x)側之2個基準位置P0之間之y方向之距離,對第1插值蝕刻曲線及第2插值蝕刻曲線進行線性插值而獲取蝕刻曲線。具體而言,若將上述2個基準位置P0中之(+y)側之基準位置P0與對象位置P1之間之y方向之距離設為d5,且將(-y)之基準位置P0與對象位置P1之間之y方向之距離設為d6,則將(d6/(d5+d6))設為加權因子來與第1插值蝕刻曲線相乘。另外,將(d5/(d5+d6))設為加權因子來與第2插值蝕刻曲線相乘。然後,藉由將對2條插值蝕刻曲線之乘法結果相加(即基於已進行上述加權之多條蝕刻曲線)而求出蝕刻曲線。
於對象蝕刻特性獲取部218中,關於基準蝕刻特性中所包含之所有蝕刻曲線之種類,與上述同樣地,藉由獲取蝕刻曲線而求出對象蝕刻特性。上述處理係針對所有對象位置(所有部分圖案84之位置)進行,而獲取與複數個對象位置對應之複數個對象蝕刻特性。此外,配置於基板9(測試基板9a)之外緣附近、且未於周圍配置4個基準位置P0之對象位置之對象蝕刻特性係藉由利用該對象位置附近之1個或數個基準位置P0之基準蝕刻特性之運算而求出,或者作為最接近之基準位置P0之基準蝕刻特性而求出。
當獲取複數個對象蝕刻特性以做準備時,與參照圖4所說明之上述處理同樣地,特性群組獲取部213藉由將與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置包含於1個特性群組,而將複數個對象位置分成特定數量之決定特性群組(步驟S12~S16)。然後,利用分割資料修正部217,對設計資料之各分割資料基於與該分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置、即表示該分割區域之位置之對象位置所屬之決定 特性群組之代表蝕刻特性而進行修正(步驟S17~S18),並使用基於已修正完畢資料之描繪資料而進行對基板9之描繪(步驟S19、S20)。
如上所述,於利用對象蝕刻特性獲取部218之處理中,針對基板9上之複數個基準位置之各者而預先獲取基準蝕刻特性。然後,針對複數個對象位置之各者,基於各對象位置與複數個基準位置之位置關係而對複數個基準位置之複數個基準蝕刻特性進行加權,並且基於進行加權後之複數個基準蝕刻特性而求出該對象位置之對象蝕刻特性。由此,即便於在基板9上設定有複數個對象位置之情形時,亦能夠一面考慮因基板9上之位置之不同所致之蝕刻特性之差異,一面容易地獲取各對象位置之適當之對象蝕刻特性。假若於對與各分割區域對應之分割資料基於該分割區域之對象蝕刻特性而進行修正之情形時,則需要求出複數個已修正完畢分割資料,但於本處理例中,藉由基於對象蝕刻特性對複數個對象位置進行分組,而與上述情形相比,能夠效率極佳地進行蝕刻修正。此外,各對象位置之對象蝕刻特性可藉由除上述之雙線性插值以外之各種方法求出。
於上述處理例中,於利用描繪裝置1之描繪中,以於能夠容許之時間內完成設計資料之修正之方式,於圖4中之步驟S12中由操作者輸入設定群組數量,但亦可藉由其他方法決定設定群組數量。接下來,對利用圖3之群組數量決定部219決定設定群組數量之處理進行說明。
於決定設定群組數量時,藉由群組數量決定部219之控制而將一群組數量設為臨時之設定群組數量(為較對象位置之總數小之數目,以下簡稱為「臨時群組數量」),進行與上述步驟S13~S15同樣之處理。另外,針對所分組之該臨時群組數量之特性群組(決定特性群組)之各者求出代表蝕刻特性。然後,求出表示各特性群組之代表蝕刻特性、與屬於該特性群組之所有對象位置之對象蝕刻特性之差異度之值(此處,兩者之差異度越高則值越大)。
具體而言,針對蝕刻曲線之各種類,各特性群組之代表蝕刻特性之蝕刻曲線、與屬於該特性群組之各對象位置之對象蝕刻特性之蝕刻曲線之間之蝕刻量之差(絕對值)係於預先規定之複數個間隙寬度之各者求出。求出該複數個間隙寬度之該差之和作為該等2條蝕刻曲線之間之距離,並求出蝕刻曲線之所有種類之該距離之和作為上述代表蝕刻特性、與上述對象蝕刻特性之間之特性間距離。進而,獲取屬於該特性群組之所有對象位置之特性間距離之和作為表示該特性群組之代表蝕刻特性、與屬於該特性群組之所有對象位置之對象蝕刻特性之差異度之值。然後,求出表示該差異度之值之所有特性群組之和作為判定評估值。
於群組數量決定部219中,針對複數個臨時群組數量之各者求出判定評估值。然後,將判定評估值成為特定之閾值以下、即判定評估值收斂某程度之最小之臨時群組數量決定為設定群組數量。於利用群組數量決定部219之上述處理中,決定設定群組數量之圖4之步驟S12之處理包含步驟S13~S15之處理,於將複數個臨時群組數量以升序進行變更之情形時,與決定設定群組數量同時完成複數個對象位置向該設定群組數量之特性群組(決定特性群組)之分組。
如上所述,於群組數量決定部219中,對於複數個臨時群組數量之各者,藉由使特性群組獲取部213進行對象位置之分組,而求出表示代表各特性群組之蝕刻特性、與屬於該特性群組之所有對象位置之對象蝕刻特性之差異度之值之所有特性群組之和作為判定評估值。然後,將判定評估值成為特定之閾值以下之最小之臨時群組數量決定為設定群組數量。由此,實現容易地決定較佳之群組數量。
於上述處理例中,係將對象位置向決定特性群組分組完成之後,決定代表蝕刻特性,但亦可預先決定代表蝕刻特性。例如,於對藉由上述處理例而決定之各決定特性群組中所包含之對象位置於特定 之時序進行更新來作為每一固定期間之校準等時,進行按照圖4之處理。
具體而言,與上述實施形態同樣地,藉由於測試基板9a上描繪測試圖案93,而獲取複數個對象位置之對象蝕刻特性(步驟S11)。繼而,將已經獲取之決定特性群組(以下稱為「更新前之決定特性群組」)之群組數量設為設定群組數量(步驟S12)而進行步驟S13、S14。此時,於步驟S13中,將更新前之各決定特性群組之代表蝕刻特性與一個特性群組建立關聯而作為群組蝕刻特性來利用。另外,將不重複進行步驟S13、S14(即,省略步驟S15)而藉由步驟S14之一次群組化處理所獲取之特性群組作為更新後之決定特性群組來處理。
於步驟S16中,將更新前之決定特性群組之代表蝕刻特性作為更新後之決定特性群組之代表蝕刻特性而直接利用。另外,於本處理例中,設計資料之複數個分割資料分別表示之複數個部分圖案84(分割圖案)亦相同。進而,基於更新前之決定特性群組之代表蝕刻特性之已修正完畢分割資料(使用該代表蝕刻特性而獲取之已修正完畢分割資料)已經存在。因此,於步驟S17、S18中,對於以更新後之各決定特性群組中所包含之對象位置作為最接近之對象位置之分割區域,直接利用基於與該更新後之決定特性群組對應之更新前之決定特性群組之代表蝕刻特性之已修正完畢分割資料。由此,能夠於極短時間完成分別與複數個分割區域對應之複數個已修正完畢分割資料之獲取(蝕刻修正)。將彙總複數個已修正完畢分割資料而得之新之已修正完畢資料轉換成描繪資料,並利用於對基板9之描繪中(步驟S19、S20)。
另外,於在複數個描繪裝置1中將相同之設計圖案描繪於基板9上之情形時,亦可基於特定之複數個蝕刻特性而預先獲取複數個已修正完畢分割資料,並將該複數個蝕刻特性之各者作為更新前之決定特性群組之代表蝕刻特性來處理,於各描繪裝置1中進行按照圖4之上述 處理。於該情形時,能夠一面考慮複數個描繪裝置1中之蝕刻特性之分佈之不同,一面效率極佳地進行蝕刻修正。
進而,亦可於排列有複數個部分圖案之設計圖案中包含複數個特性獲取用圖案。於該情形時,基於藉由描繪及蝕刻形成於基板9上之複數個測定圖案而獲取複數個對象蝕刻特性,並進行對象位置向決定特性群組之群組化處理、決定特性群組之代表蝕刻特性之獲取、及利用該代表蝕刻特性之已修正完畢資料之獲取。另外,每當基於該已修正完畢資料而於基板9上形成圖案時,測定該基板9上之複數個測定圖案而獲取複數個對象位置之對象蝕刻特性。然後,以上述決定特性群組之代表蝕刻特性作為群組蝕刻特性而進行群組化處理,於各特性群組中所包含之對象位置與對應於該特性群組之決定特性群組(更新前之決定特性群組)不同之情形時,將該特性群組設為更新後之決定特性群組而產生新之已修正完畢資料。由此,於產生由各種條件之變化所引起之蝕刻特性之分佈之變動之情形時,能夠迅速地獲取較佳之已修正完畢資料(於下述之檢查裝置1a中同樣)。
接下來,對本發明之第2實施形態之檢查裝置進行說明。圖12係表示檢查裝置1a之功能之框圖。檢查裝置1a係檢查藉由描繪設計圖案後之蝕刻而形成於基板9上之圖案之裝置。於檢查裝置1a中,比較基板9上之圖案、與下述之蝕刻修正後之設計資料。檢查裝置1a係與圖2所示之資料處理裝置2同樣成為一般之計算機系統之構成。
檢查裝置1a包括資料修正部21a、實際圖像記憶部25、及缺陷檢測部26。資料修正部21a係與圖3所示之資料修正部21同樣地包括設計資料記憶部211、蝕刻特性記憶部212、特性群組獲取部213、及分割資料修正部217。實際圖像記憶部25記憶形成於基板9上之圖案之圖像資料即檢查圖像資料。缺陷檢測部26檢測形成於基板9上之該圖案之缺陷。於檢查裝置1a中,亦可設置圖3之對象蝕刻特性獲取部218及群 組數量決定部219。
接下來,一面參照圖13,一面對利用檢查裝置1a之檢查之流程進行說明。於利用檢查裝置1a之檢查中,進行與圖4之步驟S11~S18同樣之處理。具體而言,基於形成於測試基板9a上之測定圖案而獲取複數個對象位置之對象蝕刻特性,並記憶於蝕刻特性記憶部212中以做準備(步驟S11)。繼而,決定設定群組數量(步驟S12)。於特性群組獲取部213中,進行步驟S13~S15之處理。即,重複進行各特性群組之群組蝕刻特性之獲取、及基於各對象位置之對象蝕刻特性與各特性群組之群組蝕刻特性之間之類似度評估值之群組化處理直至滿足特定之結束條件為止,而決定決定特性群組。另外,決定決定特性群組之代表蝕刻特性(步驟S16)。
繼而,將設計圖案83之設計資料記憶於設計資料記憶部211中以做準備(步驟S17)。於分割資料修正部217中,自設計圖案83之設計資料提取分別表示複數個部分圖案84(參照圖10)之複數個分割資料。換句話說,將設計圖案83之設計資料分割成分別與複數個分割區域對應之複數個分割資料。而且,基於代表與各分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置所屬之一個決定特性群組之蝕刻特性,利用分割資料修正部217修正該分割資料(即進行蝕刻修正),而求出各部分圖案84之已修正完畢分割資料(步驟S18)。
此處,檢查裝置1a之蝕刻修正之內容與描繪裝置1之蝕刻修正不同。具體而言,考慮於基板9之各部分圖案84之位置,於實際蝕刻時進行按照蝕刻特性所表示之蝕刻量之過度蝕刻。即,以使各部分圖案84中所包含之圖形要素成為實際蝕刻後之線寬或大小之方式,進行使各分割資料之圖形要素之線寬變細、或使圖形要素變小之修正。換句話說,對各分割資料進行與於描繪裝置1之上述步驟S18中對各分割資料進行之修正相反之修正。
於分割資料修正部217中,藉由彙總與複數個部分圖案84對應之複數個已修正完畢分割資料,而產生經修正之設計圖案83之設計資料即已修正完畢資料。該已修正完畢資料自資料修正部21發送至缺陷檢測部26。
繼而,獲取基板9上之蝕刻圖案之圖像資料,並將該圖像資料設為檢查圖像資料而記憶於實際圖像記憶部25中以做準備(步驟S21)。此處,基板9上之蝕刻圖案為如下圖案,其係藉由基於修正前之設計圖案83之設計資料對描繪於基板9上之抗蝕劑膜之圖案進行顯影來形成抗蝕劑圖案,並利用該抗蝕劑圖案實施蝕刻而形成於基板9上。步驟S21可與步驟S11~S18同時進行,亦可於步驟S11~S18之前進行。該檢查圖像資料可於除檢查裝置1a以外之裝置獲取,亦可於檢查裝置1a獲取。於在檢查裝置1a獲取檢查圖像資料之情形時,於檢查裝置1a設置獲取檢查圖像資料之攝像部。此外,於上述步驟S11中,於在檢查裝置1a獲取測定圖案96之圖像之情形時,較佳為亦於檢查裝置1a進行檢查圖像資料之獲取。
檢查圖像資料自實際圖像記憶部25發送至缺陷檢測部26。於缺陷檢測部26中,藉由比較該檢查圖像資料、與自資料修正部21a發送之已修正完畢資料(即已藉由資料修正部21a進行蝕刻修正之設計資料),而檢測出形成於基板9上之蝕刻圖案之缺陷(步驟S22)。如上所述,該已修正完畢資料係以使各部分圖案84之圖形要素成為實際蝕刻後之線寬或大小之方式進行修正而得,因此於缺陷檢測部26中,檢測檢查圖像資料與已修正完畢資料之差異作為基板9上之蝕刻圖案之缺陷。
如以上所說明般,於資料修正部21a中,藉由將與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置包含於1個特性群組,而將複數個對象位置分成特定數量之決定特性群組。然後,藉由分割資料修正部217, 對設計資料之各分割資料基於代表與該分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置所屬之一個決定特性群組之蝕刻特性而進行修正。由此,能夠效率佳地進行高精度之蝕刻修正。另外,於檢查裝置1a中,能夠抑制假設於比較檢查圖像資料與未進行蝕刻修正之設計資料之情形時所檢測出之誤報(檢測出因過度蝕刻所引起之假缺陷),而高精度地進行基板9上之蝕刻圖案之檢查。進而,藉由蝕刻修正之效率化而能夠於短時間進行圖案之檢查。
於上述描繪裝置1及檢查裝置1a中,能夠進行各種變更。
圖4及圖13中之處理之順序可適當變更。例如,步驟S17與步驟S11~S16可並行進行,步驟S17亦可於步驟S11~S16之前進行。
設計圖案83之複數個部分圖案84(基板9上之複數個部分)之配置及數量並不限定於圖10所示之情形,可適當變更。測試基板9a上之複數個特性獲取用圖案95之配置及數量亦不限定於圖5所示之情形,可適當變更。特性獲取用圖案95不一定必須以固定之間距排列。例如,可於基板9上於部分之良率較高之區域較疏地配置特性獲取用圖案95,於部分之良率低之區域較密地配置特性獲取用圖案95。
於設計圖案83中,亦可包含互為相同之一個種類之複數個部分圖案84、及互為相同之另一個種類之複數個部分圖案84。於該情形時,於相同之複數個部分圖案84中,亦能夠對最接近之對象位置屬於相同之特性群組之部分圖案84,利用相同之已修正完畢分割資料而效率佳地進行高精度之蝕刻修正。
於分割資料修正部217中,亦可僅於以一個決定特性群組中所包含之對象位置作為最接近之對象位置之2個以上之部分區域中之1個部分區域配置已修正完畢之部分圖案,其他部分區域僅具有配置有與配置於該1個部分區域者相同之部分圖案之主旨之資訊。於該情形時,於資料轉換部22進行已修正完畢資料之轉換時,將與配置於上述1個 部分區域之已修正完畢之部分圖案之名冊資料相同之名冊資料配置於該其他部分區域。
描繪裝置1可利用於向除基板9以外之各種對象物上描繪圖案。檢查裝置1a亦可利用於藉由蝕刻而形成於除基板9以外之各種對象物上之圖案之檢查。資料修正部21、21a可作為自描繪裝置1及檢查裝置1a獨立之資料修正裝置而利用。該資料修正裝置可利用於藉由蝕刻而形成於除基板9以外之各種對象物上之圖案之設計資料之修正。
上述實施形態及各變化例之構成只要不相互矛盾,則可適當組合。
詳細地描述了發明,但上述之說明為例示而並非為限定性者。因此,可說只要不脫離本發明之範圍則能夠有複數種變形或形態。
2‧‧‧資料處理裝置
21‧‧‧資料修正部
22‧‧‧資料轉換部
31‧‧‧描繪控制器
211‧‧‧設計資料記憶部
212‧‧‧蝕刻特性記憶部
213‧‧‧特性群組獲取部
214‧‧‧群組特性獲取部
215‧‧‧群組化處理部
216‧‧‧重複控制部
217‧‧‧分割資料修正部
218‧‧‧對象蝕刻特性獲取部
219‧‧‧群組數量決定部

Claims (17)

  1. 一種資料修正裝置,其係修正藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料者,且包括:設計資料記憶部,其記憶藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料;蝕刻特性記憶部,其將針對上述對象物上之複數個對象位置之各者之蝕刻特性作為對象蝕刻特性,而記憶針對上述複數個對象位置之複數個對象蝕刻特性;特性群組獲取部,其藉由將與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置包含於1個特性群組,而將上述複數個對象位置分成少於上述複數個對象位置之特定數量之特性群組;及分割資料修正部,其將上述設計資料分割成與設定於上述對象物上之複數個分割區域對應之複數個分割資料,並基於代表與上述各分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置所屬之一個特性群組之蝕刻特性而修正各分割資料。
  2. 如請求項1之資料修正裝置,其中上述特性群組獲取部包括:群組特性獲取部,其獲取與各特性群組建立關聯之蝕刻特性作為群組蝕刻特性;及群組化處理部,其基於表示各對象蝕刻特性與上述各特性群組之上述群組蝕刻特性之類似度之值,而進行將與上述各對象蝕刻特性對應之對象位置包含於上述特定數量之特性群組之任一者之群組化處理。
  3. 如請求項2之資料修正裝置,其中上述特性群組獲取部更包括重複控制部,該重複控制部係使利用上述群組特性獲取部之上述群組蝕刻特性之獲取、及利用上述群組化處理部之上述群組化 處理重複進行直至滿足特定條件為止;上述群組特性獲取部自藉由前一上述群組化處理而包含於上述各特性群組中之對象位置之對象蝕刻特性,求出上述各特性群組之上述群組蝕刻特性。
  4. 如請求項1之資料修正裝置,其中上述設計資料之上述複數個分割資料各自表示之分割圖案為相同。
  5. 如請求項1之資料修正裝置,其更包括對象蝕刻特性獲取部,該對象蝕刻特性獲取部係針對上述對象物上之複數個基準位置之各者預先獲取基準蝕刻特性,並針對上述複數個對象位置之各者,基於各對象位置與上述複數個基準位置之位置關係,而對上述複數個基準位置之複數個基準蝕刻特性進行加權,並且基於進行加權後之上述複數個基準蝕刻特性而求出上述各對象位置之上述對象蝕刻特性。
  6. 如請求項1之資料修正裝置,其更包括群組數量決定部,該群組數量決定部係針對複數個臨時群組數量之各者,使上述特性群組獲取部進行分組,求出表示代表各特性群組之蝕刻特性、與屬於上述各特性群組之所有對象位置之對象蝕刻特性之差異度之值之所有特性群組之和作為評估值,並將上述評估值成為特定閾值以下之最小之臨時群組數量決定為上述特定數量。
  7. 一種描繪裝置,其係於對象物上描繪圖案者,且包括:如請求項1至6中任一項之資料修正裝置;光源;光調變部,其基於已藉由上述資料修正裝置修正之設計資料而調變來自上述光源之光;及掃描機構,於對象物上掃描已藉由上述光調變部調變之光。
  8. 一種檢查裝置,其係檢查藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案 者,且包括:如請求項1至6中任一項之資料修正裝置;實際圖像記憶部,其記憶藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之圖像資料即檢查圖像資料;及缺陷檢測部,其藉由對已利用上述資料修正裝置修正之設計資料與上述檢查圖像資料進行比較,而檢測形成於上述對象物上之上述圖案之缺陷。
  9. 一種資料修正方法,其係修正藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料者,且包括如下步驟:a)準備藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料;b)將針對上述對象物上之複數個對象位置之各者之蝕刻特性作為對象蝕刻特性,而準備針對上述複數個對象位置之複數個對象蝕刻特性;c)藉由將與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置包含於1個特性群組,而將上述複數個對象位置分成少於上述複數個對象位置之特定數量之特性群組;及d)將上述設計資料分割成與設定於上述對象物上之複數個分割區域對應之複數個分割資料,並基於代表與上述各分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置所屬之一個特性群組之蝕刻特性而修正各分割資料。
  10. 如請求項9之資料修正方法,其中上述c)步驟包括如下步驟:c1)獲取與各特性群組建立關聯之蝕刻特性作為群組蝕刻特性;及c2)基於表示各對象蝕刻特性與上述各特性群組之上述群組蝕刻特性之類似度之值,而進行將與上述各對象蝕刻特性對應之對象位置包含於上述特定數量之特性群組之任一者之群組化處 理。
  11. 如請求項10之資料修正方法,其中上述c)步驟更包括如下步驟:重複進行上述c1)步驟之上述群組蝕刻特性之獲取、及上述c2)步驟之上述群組化處理,直至滿足特定條件為止,且於上述c1)步驟中,自藉由前一上述群組化處理而包含於上述各特性群組中之對象位置之對象蝕刻特性,求出上述各特性群組之上述群組蝕刻特性。
  12. 如請求項9之資料修正方法,其中上述設計資料之上述複數個分割資料各自表示之分割圖案為相同。
  13. 如請求項9之資料修正方法,其中針對上述對象物上之複數個基準位置之各者而預先獲取基準蝕刻特性,且於上述b)步驟中,針對上述複數個對象位置之各者,基於各對象位置與上述複數個基準位置之位置關係,而對上述複數個基準位置之複數個基準蝕刻特性進行加權,並且基於進行加權後之上述複數個基準蝕刻特性而求出上述各對象位置之上述對象蝕刻特性。
  14. 如請求項9之資料修正方法,其中針對複數個臨時群組數量之各者執行上述c)步驟而進行分組,求出表示代表各特性群組之蝕刻特性、與屬於上述各特性群組之所有對象位置之對象蝕刻特性之差異度之值之所有特性群組之和作為評估值,並將上述評估值成為特定閾值以下之最小之臨時群組數量決定為上述特定數量。
  15. 一種描繪方法,其係於對象物上描繪圖案者,且包括如下步驟:藉由如請求項9至14中任一項之資料修正方法而修正設計資料;及 基於經修正之上述設計資料而於對象物上掃描經調變之光。
  16. 一種檢查方法,其係檢查藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案者,且包括如下步驟:藉由如請求項9至14中任一項之資料修正方法而修正設計資料;及藉由比較經修正之上述設計資料與藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之圖像資料即檢查圖像資料,而檢測形成於上述對象物上之上述圖案之缺陷。
  17. 一種記錄媒體,其係記錄對藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料進行修正之程式者,且利用計算機之上述程式之執行,係使上述計算機執行如下步驟:a)準備藉由蝕刻而形成於對象物上之圖案之設計資料;b)將針對上述對象物上之複數個對象位置之各者之蝕刻特性作為對象蝕刻特性,而準備針對上述複數個對象位置之複數個對象蝕刻特性;c)藉由將與相互類似之對象蝕刻特性對應之對象位置包含於1個特性群組,而將上述複數個對象位置分成少於上述複數個對象位置之特定數量之特性群組;及d)將上述設計資料分割成與設定於上述對象物上之複數個分割區域對應之複數個分割資料,並基於代表與上述各分割資料對應之分割區域之最接近之對象位置所屬之一個特性群組之蝕刻特性而修正各分割資料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI672557B (zh) * 2017-08-30 2019-09-21 台灣積體電路製造股份有限公司 導電線結構、修改佈局圖的系統及產生修改佈局圖的方法
TWI771080B (zh) * 2020-09-23 2022-07-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板位置檢測方法、描繪方法、基板位置檢測裝置以及描繪裝置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108416747B (zh) * 2018-02-27 2020-07-10 平安科技(深圳)有限公司 元素位置修正方法、装置、计算机设备及存储介质
JP7072844B2 (ja) 2018-03-30 2022-05-23 東レエンジニアリング先端半導体Miテクノロジー株式会社 ウェハパターンのエッジと基準パターンのエッジとの乖離量と基準パターンのスペース幅との関係を示す補正線を生成する方法および装置、並びにコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3074675B2 (ja) 1997-11-20 2000-08-07 日本電気株式会社 電子線直描方法及び装置
JP4158384B2 (ja) * 2001-07-19 2008-10-01 株式会社日立製作所 半導体デバイスの製造工程監視方法及びそのシステム
JP4274784B2 (ja) * 2002-05-28 2009-06-10 新光電気工業株式会社 配線形成システムおよびその方法
JP4515184B2 (ja) * 2003-07-31 2010-07-28 富士フイルム株式会社 パターン製造システム、露光装置および露光方法
KR20050014767A (ko) * 2003-07-31 2005-02-07 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 패턴제조시스템, 노광장치 및 노광방법
JP2008134512A (ja) 2006-11-29 2008-06-12 Toppan Printing Co Ltd パターンデータの補正方法、フォトマスクおよび回路基板
JP5254068B2 (ja) * 2009-02-05 2013-08-07 株式会社エスケーエレクトロニクス カラーフィルタ用フォトマスクの補正方法
JP5398318B2 (ja) * 2009-03-24 2014-01-29 株式会社東芝 露光装置および電子デバイスの製造方法
JP2011233744A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Toshiba Corp 露光方法および半導体デバイスの製造方法
JP5852341B2 (ja) 2011-06-29 2016-02-03 株式会社図研 エッチングパターン作成装置、エッチングパターン作成方法、プログラムおよびコンピューター読み取り可能な記録媒体
JP5826707B2 (ja) * 2012-05-31 2015-12-02 株式会社Screenホールディングス 基板検査装置および基板検査方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI672557B (zh) * 2017-08-30 2019-09-21 台灣積體電路製造股份有限公司 導電線結構、修改佈局圖的系統及產生修改佈局圖的方法
US10515178B2 (en) 2017-08-30 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Merged pillar structures and method of generating layout diagram of same
US11157677B2 (en) 2017-08-30 2021-10-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Merged pillar structures and method of generating layout diagram of same
TWI771080B (zh) * 2020-09-23 2022-07-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板位置檢測方法、描繪方法、基板位置檢測裝置以及描繪裝置

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