TW201611155A - 基板處理裝置的反應器 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種基板處理裝置的反應器。該基板處理裝置的反應器係用以處理至少一基板之一基板處理裝置的反應器，且該反應器具有一水平橫截面，而該水平橫截面設置成具有至少二曲率半徑的一形狀。

Description

基板處理裝置的反應器

本申請案主張在韓國智慧財產局中，在2014年8月26日申請之韓國專利申請案第10-2014-0111757號的利益，且該申請案之揭露內容在此全部加入作為參考。

本發明係有關於一種基板處理裝置的反應器且，詳而言之，有關於一種基板處理裝置的反應器，其藉由將該反應器之一水平橫截面設置成具有至少二曲率半徑之一形狀，可增加一基板處理操作之均一性及增加一基板處理氣體之排出效率。

製造一半導體裝置一定需要用以在例如一矽晶圓上沈積一薄膜的一製程。在該薄膜沈積製程中通常使用例如濺鍍、化學蒸氣沈積(CVD)、原子層沈積(ALD)等方法。

該濺鍍法是用以利用在電漿狀態產生之氬離子來打擊一靶之表面，且使用由該靶之表面產生之一靶材在一基板上沈積一薄膜的一技術。該濺鍍法可形成具有極佳黏著性之一高純度薄膜，但不會形成具有一高高寬比之一微細圖案。

該CVD法係用以將各種氣體注入一反應腔室， 容許因例如熱、光或電漿之高能量產生的該等氣體與一反應氣體化學地反應，且因此在一基板上沈積一薄膜的一技術。由於立即發生之化學反應，故該CVD法無法輕易地控制原子之動態穩定性，且會降低該薄膜之物理、化學及電特性。

該ALD法係用以交替地供應一源氣體，即，一反應氣體，及一沖洗氣體且在一基板上沈積一薄膜至一原子層之厚度的一技術。由於使用表面反應來克服階梯覆蓋之限制，故可適當地使用該ALD法來形成具有一高高寬比之一微細圖案，且可獲得該薄膜之極佳電與物理特性。

ALD裝置可分成用以一次將一單一基板載入一腔室以進行一沈積製程之一單一晶圓型ALD裝置，及用以將多數基板載入一腔室以在該等基板上同時進行一沈積製程之一批式ALD裝置。

圖1係一習知批式ALD裝置的立體圖。

圖2係顯示在該習知批式ALD裝置中一基板處理氣體之流動的水平橫截面圖。

請參閱圖1與2，該習知批式ALD裝置包括用以提供一腔室11之一處理管10，而該腔室11對應於裝載多數基板40及進行沈積操作之一空間。該沈積操作所需之組件，例如，一氣體供應器20及一氣體排出器30，設置在該處理管10中。該習知批式ALD裝置亦包括與該處理管10緊密地耦合之一底座51，***該處理管10中之一突起53，及包括多數支持桿55以堆疊多數基板40之一舟部50。

在這習知批式ALD裝置中，該處理管10具有如圖2所示之一圓形橫截面。此外，該氣體供應器20及該氣體排出器30係設置在兩端而互相相對。在一基板處理操作中由該氣體供應器20供應至該腔室11中之基板處理氣體可沿路徑1立即流至且通過該氣體排出器30排出，或可沿路徑2在該處理管10之一內壁上反射且通過該氣體排出器30排出。但是，若該基板處理氣體係在該處理管10之內壁上如路徑3所示地以一小入射角供應，或在該處理管10之內壁上如路徑4所示地以一大入射角供應，則該基板處理氣體不會立即通過該氣體排出器30排出而是會反射且在排出前在該腔室11中對流。這是因為路徑2、3與4之入射角的和P'、P"與P'''互相不同。

當該基板處理氣體未立即排出而是如路徑3或4所示地在該腔室11中反射時，由於該基板處理氣體與該等基板40另外地反應且因此只在該等基板40之一特定部分上進一步進行沈積，故該等基板40之沈積均一性會降低。

此外，在該習知批式ALD裝置中，由於該處理管10具有一圓形橫截面，該氣體排出器30只可依據該水平橫截面而設置在該等基板40外側之一部分[或該基板裝載器50之突起53]與該處理管10之內壁間的一空間31中。因此，為藉由減少腔室11之體積及減少供應至該腔室11中之一處理氣體量來達成成本降低，應減少該氣體排出器30所佔據之一空間的尺寸。例如，應減少包含在該氣體排出器30中之氣體排出管(未圖示)的數目，或應減少該等氣體排出 管的直徑。因此，由設置在該窄小空間31中之該氣體排出器30所排出之氣體的排出效率低。

同時，一般而言，該習知ALD裝置使用該鐘形處理管10作為一理想形狀以便輕易地對抗該腔室11內之壓力。但是，由於該鐘形腔室11之一上空間12，需要更多時間來供應及排出一處理氣體，且浪費該處理氣體。

本發明之一實施例提供一種基板處理裝置的反應器，其藉由將用以處理基板之該反應器之一水平橫截面設置成具有至少二曲率半徑的一形狀，可增加一基板處理氣體之排出效率。

本發明之一實施例亦提供一種基板處理裝置的反應器，其藉由容許一基板處理氣體在與多數基板之沈積反應後立即排出，可增加該等之沈積均一性。

本發明之一實施例亦提供一種基板處理裝置的反應器，其藉由將該反應器之一頂表面由一鐘形修改成一平坦形，可減少該反應器之一內部空間。

依據本發明之一方面，提供一種用以處理至少一基板之基板處理裝置的反應器，該反應器具有一水平橫截面，而該水平橫截面設置成具有至少二曲率半徑的一形狀。

依據本發明之另一方面，提供一種用以處理至少一基板之基板處理裝置的反應器，該反應器具有一水平橫截面，而該水平橫截面設置成具有比該基板之一直徑大之曲率半徑的至少二弧的一形狀。

依據本發明之另一方面，提供一種用以處理至少一基板之基板處理裝置的反應器，該反應器具有一水平橫截面，而該水平橫截面設置成具有比該基板之一直徑大之一短軸的一橢圓的一形狀。

1,2,3,4,a,b,c,d,e,f,g,h,i,j‧‧‧路徑

10‧‧‧處理管

11‧‧‧腔室

12‧‧‧上空間

20,200‧‧‧氣體供應器

30,300‧‧‧氣體排出器

31,301‧‧‧空間

40‧‧‧基板

50‧‧‧舟部；基板裝載器

51‧‧‧底座

53‧‧‧突起

55‧‧‧支持桿

100,100a,100b,100c,100d,100e‧‧‧反應器

110‧‧‧基板處理器

120,121,122,130,131,132‧‧‧補強肋

210‧‧‧氣體供應管

220‧‧‧供應孔

310‧‧‧氣體排出管

320‧‧‧排出孔

400‧‧‧殼體

450‧‧‧歧管

500‧‧‧基板裝載器

510‧‧‧主要底座

520‧‧‧輔助底座

530‧‧‧基板支持件

c1,c2‧‧‧點

L1,L2,L5,L6‧‧‧弧

L3‧‧‧直線

L4,L8,L9‧‧‧弧部分

L7‧‧‧圓弧

l‧‧‧長軸

P',P'',P''',P1,P2,P3,P4,P5,P6,P7,P8,P9,P10‧‧‧入射角與反射角的和

s‧‧‧短軸

藉由參照附圖詳細說明本發明之實施例可更了解本發明之以上及其他特徵與優點，其中：圖1係一習知批式原子層沈積(ALD)裝置的立體圖；圖2係顯示在該習知批式ALD裝置中一基板處理氣體之流動的水平橫截面圖；圖3係依據本發明一實施例之一基板處理裝置的立體圖；圖4至8係依據本發明各種實施例之反應器的水平橫截面圖；及圖9顯示依據本發明實施例，與一反應器之一頂表面耦合之多數補強肋的立體圖。

以下將參照顯示本發明之實施例的附圖更完整地說明本發明。但是，本發明可以許多其他形態實施且不應被解釋為受限於在此提出之實施例。因此，雖然本發明可有各種修改例及替代形態，但在圖中透過舉例顯示且在此將詳細說明其特定實施例。然而，應了解的是不是意圖要限制本發明於所揭露之特定形態，而是相反地，本發明可涵蓋落在如申請專利範圍所界定之本發明之精神與範疇內的所有修改例、等效物及替代例。在該等圖之全部說明 中類似數字表示類似元件。在圖中，該等層與區域之厚度被放大以便清楚顯示。

在這說明書中，可了解基板包括半導體基板、在例如LED及LCD之顯示裝置中使用的基板、太陽能電池基板等。

此外，在這說明書中，一基板處理操作係一沈積製程且，更詳而言之，使用原子層沈積(ALD)之一沈積製程。但是，該基板處理操作不限於此且可了解的是包括使用化學蒸氣沈積(CVD)之一沈積製程、一熱處理製程等。在以下說明中假定是使用ALD之沈積製程。

以下參照附圖詳細地說明依據本發明實施例之一批式裝置。

圖3係依據本發明一實施例之一基板處理裝置的立體圖。

請參閱圖3，依據該實施例之該基板處理裝置可包括一反應器100、一殼體400及一基板裝載器500。

該反應器100作為一處理管，收納堆疊多數基板40之一基板裝載器500，且提供一基板處理器110。該基板處理器110係一腔室，而該腔室可進行例如一沈積層形成操作之一基板處理操作。

該反應器100之材料可為石英、不鏽鋼(SUS)、鋁、石墨、碳化矽及氧化鋁中之至少一者。

該反應器100可包括用以處理該等基板40之一腔室的該基板處理器110，用以供應一基板處理氣體該基板處 理器110中之一氣體供應器200，及用以排出供應至該基板處理器110中之該基板處理氣體的一氣體排出器300。

該氣體供應器200可包括沿該氣體供應器200之一長度方向(即，圖3中之垂直方向)設置的至少一氣體供應管210。在此，該氣體供應管210不限於圖3所示之管形狀，且可具有另一形狀，例如，一孔，只要該氣體供應管210可作為用以由該反應器100之外側接收該基板處理氣體且將其供應至該基板處理器110中的一路徑即可。但是，該氣體供應管210可組配為用以準確地控制所供應之基板處理氣體量的一管。此外，雖然在圖3中該氣體供應器200包括一氣體供應管210，但氣體供應管210之數目可適當地改變。

多數供應孔220可設置在該氣體供應管210之一側且朝向設置在該基板處理器110中之該等基板40。

該氣體排出器300可包括沿該氣體排出器300之一長度方向(即，圖3中之垂直方向)設置的至少一氣體排出管310。在此，該氣體排出管310不限於圖3所示之管形狀，且可具有另一形狀，例如，一孔，只要該氣體排出管310可作為用以排出該基板處理器110內之該基板處理氣體至該反應器100外側的一路徑即可。該氣體排出管310可組配為具有比該氣體供應管210之直徑大之一直徑以適當地排出該基板處理氣體的一管。除了氣體排出管310以外，該氣體排出器300可包括具有用以排出該基板處理氣體之多數孔的一排出通道(未圖示)，以便使用一泵排出該基板處理氣體，而該泵與該排出通道之一端連接。此外，雖然在圖3 中該氣體排出器300包括一氣體排出管310，但氣體排出管310之數目可適當地改變。

多數排出孔320可設置在該氣體排出管310之一側且朝向設置在該基板處理器110中之該等基板40。

該供應孔220及該等排出孔320可設置成當該基板裝載器500與一歧管450耦合且因此該等基板40被收納在該基板處理器110中時對應於在被多數基板支持件530支持之相鄰基板40間的空間，使得該基板處理氣體均一地供應在該等基板40之間且輕易地被抽吸及排出至外側。

該殼體400具有一開口底部，且可具有對應於該反應器100之一形狀以包圍該反應器100。該殼體400之一頂表面可被例如一無塵室之一處理室(未圖示)的一頂表面支持。該殼體400之最外表面可具有SUS、鋁等，且包括多數順序地連接之彎曲部分(例如，「∪」或「∩」形)的一加熱器可設置在該殼體400之一內側表面上。

該基板裝載器500係設置成可藉由一習知升降系統(未圖示)升降，且可包括一主要底座510、一輔助底座520及該等基板支持件530。

該主要底座510係設置成一實質圓柱形且可安裝在該處理室之一底表面上，並且該主要底座510之一頂表面可與該歧管450緊密地耦合，而該歧管450與該殼體400之一下部耦合。

該輔助底座520係設置成一準圓柱形且安裝在該主要底座510之頂表面上，且可***該反應器100之基板處 理器110中。該輔助底座520可與一馬達(未圖示)聯結而可旋轉地設置以使該等基板40在該基板處理操作中旋轉及達成一半導體製程的均一性。此外，用以在該基板處理操作中由該等基板40下方施加熱之一輔助加熱器(未圖示)可包含在該輔助底座520中以獲得該操作之可靠性。在該基板處理操作前，堆疊且儲存在該基板裝載器500上之該等基板40可藉由該輔助加熱器預熱。

該基板支持件530可以某間隔沿該輔助底座520之一邊緣設置。多數支持槽可設置在該基板支持件530之內側且朝向該輔助底座520之中心軸而互相對應。該等基板40之邊緣被***且被該等支持槽支持，並且因此該等基板40可垂直地堆疊及儲存在該基板裝載器500上。

該基板裝載器500可升高而與該歧管450之一底表面可分離地耦合，該歧管450具有一頂表面，且該頂表面與該反應器100之一底表面及該氣體供應器200與該氣體排出器300之底表面耦合。該氣體供應器200之氣體供應管210可***該歧管450之一氣體供應連接孔(未圖示)而與一外部氣體供應裝置連接，且該氣體排出器300之該氣體排出管310可***該歧管450之一氣體排出連接孔(未圖示)而與一外部氣體排出裝置連接。

當該基板裝載器500升高且因此該基板裝載器500之主要底座510的頂表面與該歧管450之底表面耦合時，該等基板40可被載入該基板處理器110中且可密封該基板處理器110。為了獲得穩定之密封，可在該歧管450與該基 板裝載器500之主要底座510間設置一密封構件(未圖示)。

本發明之實施例的特徵在於該反應器100之一水平橫截面具有至少二曲率半徑。這表示具有不同曲率之多數弧互相連續地連接而形成該反應器100之水平橫截面。

本發明之實施例的特徵亦在於該反應器100之水平橫截面係設置成一形狀，其中具有大於該等基板40之一直徑之曲率半徑的至少二弧互相接觸。

本發明之實施例的特徵更在於該反應器100之水平橫截面係設置成一橢圓之形狀，且該橢圓具有比該等基板40之直徑大的一短軸。

圖4至8係依據本發明各種實施例之反應器100：100a、100b、100c、100d與100e的水平橫截面圖。

請參閱圖4，該反應器100a之一水平橫截面可設置成一形狀，其中具有大於該等基板40之直徑之曲率半徑的二弧L1與L2在點c1與c2互相接觸。

與圖2所示且具有一圓形水平橫截面之習知處理管10不同，在反應器100a中，在該反應器100a之一內壁上由該氣體供應器200以任一入射角供應之氣體可在該反應器100a之內壁上反射而沿路徑a或b朝向該氣體排出器300前進。這是因為在該反應器100a之內壁上由該氣體供應器200供應之氣體的一入射角，與在該反應器100a之內壁上該氣體之一反射角的和是不變的。換言之，該路徑a之一入射角與一反射角的和p1可實質等於該路徑b之一入射角與一反射角的和p2。

因為該反應器100a之水平橫截面設置成接近一橢圓之形狀且該氣體供應器200及該氣體排出器300係設置成靠近該橢圓之焦點，而在一橢圓上之一特定點與該橢圓之二焦點間形成的一角度不變的橢圓特徵可類似地應用於此，故該入射角與該反射角的和不變。

請參閱圖5，該反應器100b之一水平橫截面可設置成一橢圓之形狀，且該橢圓具有比該等基板40之直徑大的一短軸s。在圖5中，由於該橢圓之短軸s對應於該反應器100b之一垂直長度而該橢圓之一長軸l對應於該反應器100b之一水平長度，故該橢圓之長軸l明顯地大於該等基板40之直徑及該橢圓之短軸s。該橢圓可被解釋為具有不同曲率半徑之無限數目之弧互相連續地連接的一形狀。

與圖2所示且具有一圓形水平橫截面之習知處理管10不同，在反應器100b中，在該反應器100b之一內壁上由該氣體供應器200以任一入射角供應之氣體可在該反應器100b之內壁上反射而沿路徑c或d朝向該氣體排出器300前進。這是因為在該反應器100b之內壁上由該氣體供應器200供應之氣體的一入射角，與在該反應器100a之內壁上該氣體之一反射角的和是不變的。換言之，該路徑c之一入射角與一反射角的和p3可實質等於該路徑d之一入射角與一反射角的和p4。

因為該反應器100b之水平橫截面設置成一橢圓之形狀且該氣體供應器200及該氣體排出器300係設置成靠近該橢圓之焦點，而在一橢圓上之一特定點與該橢圓之 二焦點間形成的一角度不變的橢圓特徵可同樣地應用於此，故該入射角與該反射角的和不變。

請參閱圖6，該反應器100c之一水平橫截面可設置成一形狀，其中只有圖4或5所示之形狀的兩端部分變成直線L4。即，除了在兩端部分之直線L4以外，部分L3可設置成二弧或一橢圓之形狀，且該二弧或橢圓具有比該等基板40之直徑大的曲率半徑(或半徑)。

依據上述反應器100a或100b之相同原理，在反應器100c中，路徑e之一入射角與一反射角的和p5可實質等於路徑f之一入射角與一反射角的和p6，且在該反應器100c之一內壁上由該氣體供應器200以任一入射角供應之氣體可在該反應器100c之內壁上反射而沿該路徑e或f朝向該氣體排出器300前進。

請參閱圖7，該反應器100d之一水平橫截面可設置成一形狀，其中只有圖4或5所示之形狀的兩端部分變成弧L6。即，除了該等弧L6以外，在兩端部分之弧L6及部分L5可設置成四弧或一橢圓之形狀，且該四弧或橢圓具有比該等基板40之直徑大的曲率半徑(或半徑)。在這情形中，該等四弧L5與L6可具有相同或不同曲率。

依據上述反應器100a或100b之相同原理，在反應器100d中，路徑g之一入射角與一反射角的和p7可實質等於路徑h之一入射角與一反射角的和p8，且由該氣體供應器200以該反應器100d之一內壁之任一入射角供應的氣體可在該反應器100d之內壁上反射而沿該路徑g或h朝向該 氣體排出器300前進。

如上所述，在依據本發明之反應器100中，由於由該氣體供應器200供應之氣體在該基板處理器110中連續地對流而避免其滯留且在與該等基板40沈積反應後立即通過該氣體排出器300排出，故可增加該基板處理氣體之排出效率。

此外，由於由該氣體供應器200供應之氣體連續地對流而避免其滯留且立即通過該氣體排出器300排出，故沈積不會集中在該等基板40之一特定部分上且可在全部基板40上實施至一均一厚度。

同時，與圖2所示且具有一圓形水平橫截面之習知處理管10不同，依據本發明之實施例，用於該氣體排出器300之一空間301可更大。依據其水平橫截面，在該習知處理管10中，該氣體排出器30可設置在該等基板40外之一部分[或該基板裝載器50之該等突起53]與該處理管10之內壁間的該空間31中，但是在依據本發明實施例之反應器100中，該氣體排出器30可設置在面向該氣體供應器200之該等基板40外側一部分[或該基板裝載器500之輔助底座52與該反應器100之內壁間的該空間301中。由於該空間301係具有比該空間31之水平長度大之一水平長度的一寬空間，故與該習知氣體排出器30[請參見圖2]相較，可增加該等氣體排出管310之數目或直徑。因此，可增加該基板處理氣體之排出效率。

請參閱圖8，該反應器100e之一水平橫截面可設 置成一形狀，且該形狀分成具有該習知處理管10之圓形的一左半部及具有圖4或5之形狀的一右半部。即，除了一圓弧L7以外之部分L8與L9可設置成二弧或一橢圓之形狀，且該二弧或橢圓具有比該等基板40之直徑大的曲率半徑(或半徑)。

與該等100a、100b、100c與100d不同，在該反應器100e中，雖然路徑i之一入射角與一反射角的和p9會不等於路徑j之一入射角與一反射角的和p10，但由於可設置該氣體排出器300之空間301大，故可增加該基板處理氣體之排出效率。

圖9顯示依據本發明實施例，與該反應器100之一頂表面耦合之多數補強肋120或130的立體圖。

與圖1所示之習知批式基板處理裝置的鐘形處理管10不同，依據本發明實施例之該反應器100可具有一平坦頂表面。由於該反應器100之頂表面平坦且因此不需要無法收納該等基板40之該鐘形腔室11(請參見圖1)的上空間12，故可減少該反應器100之基板處理器110的體積。然而，為解決會因為內部壓力相較於該習知鐘形腔室11未均一分布而造成的耐用性問題，依據本發明實施例之該批式基板處理裝置的特徵在於該等補強肋120或130與該反應器100之頂表面耦合。

該等補強肋120或130可使用與該反應器100相同之材料，但不限於此。可使用適合支持該反應器100之頂表面的各種材料。

藉由提供如圖9之(a)所示之互相交叉的多數補強肋121與122，或藉由提供如圖9之(b)所示之互相平行的多數補強肋131、132及133，該等補強肋120或130可與該反應器100之頂表面耦合。該等補強肋120或130可使用，例如，焊接，與該反應器100之頂表面耦合。

如上所述，依據本發明之實施例，藉由將該反應器100之一水平橫截面設置成具有至少二曲率半徑之一形狀，可增加一基板處理氣體的排出效率。此外，藉由容許該基板處理氣體在與該等基板40之沈積反應後立即排出，可增加該等基板40之沈積均一性。

此外，藉由將該反應器100之一頂表面設置成一平坦形，可減少該反應器100之內部空間的尺寸，亦可減少該基板處理氣體之使用量，且可使上述效果最大化。另外，藉由耦合該等補強肋120或130與該反應器100之頂表面，可增加該反應器100之耐用性。

依據本發明之實施例的上述說明，藉由將用以處理基板之一反應器的一水平橫截面設置成具有至少二曲率半徑之一形狀，可增加一基板處理氣體之排出效率。

此外，依據本發明之實施例，藉由容許該基板處理氣體在與該等基板之沈積反應後立即排出，可增加該等基板之沈積均一性。

另外，依據本發明之實施例，藉由將該反應器之一頂表面由一鐘形修改為一平坦形，可減少該反應器之一內部空間。

雖然本發明已參照其實施例特別顯示及說明過了，但是所屬技術領域中具有通常知識者可了解的是在不偏離由以下申請專利範圍所界定之本發明之精神與範疇的情形下可進行形態及細節之各種變化。

40‧‧‧基板

100‧‧‧反應器

110‧‧‧基板處理器

200‧‧‧氣體供應器

210‧‧‧氣體供應管

220‧‧‧供應孔

300‧‧‧氣體排出器

310‧‧‧氣體排出管

320‧‧‧排出孔

400‧‧‧殼體

450‧‧‧歧管

500‧‧‧基板裝載器

510‧‧‧主要底座

520‧‧‧輔助底座

530‧‧‧基板支持件

Claims (11)

1. 一種基板處理裝置的反應器，用以處理至少一基板，該反應器具有一水平橫截面，而該水平橫截面設置成一具有至少二曲率半徑的形狀。
2. 一種基板處理裝置的反應器，用以處理至少一基板，該反應器具有一水平橫截面，而該水平橫截面設置成一具有比該基板之一直徑大之曲率半徑的至少二弧的形狀。
3. 一種基板處理裝置的反應器，用以處理至少一基板，該反應器具有一水平橫截面，而該水平橫截面設置成一具有比該基板之一直徑大之一短軸的一橢圓的形狀。
4. 如請求項1至3中任一項之反應器，包含：一基板處理器，且該基板在該基板處理器中處理；一氣體供應器，用以將一基板處理氣體供應至該基板處理器中；及一氣體排出器，用以排出被供應至該基板處理器中之基板處理氣體。
5. 如請求項4之反應器，其中該氣體排出器面向該氣體供應器，且設置在該基板之一圓周部份與該反應器之一內壁間的一空間中。
6. 如請求項4之反應器，其中該氣體供應器包含：至少一氣體供應管，其沿該氣體供應器之一長度方向設置；及 多數供應孔，其設置在該氣體供應管之一側且面向該基板。
7. 如請求項4之反應器，其中該氣體排出器包含：一氣體排出管，其沿該氣體排出器之一長度方向設置；及多數排出孔，其設置在該氣體排出管之一側且面向該基板。
8. 如請求項1至3中任一項之反應器，包含一頂表面，其中該頂表面是平坦的。
9. 如請求項8之反應器，其中多數補強肋係與該頂表面耦合。
10. 如請求項9之反應器，其中該等多數補強肋互相交叉或互相平行。
11. 如請求項1至3中任一項之反應器，包含石英、不鏽鋼(SUS)、鋁、石墨、碳化矽及氧化鋁中之至少一者。