TW201607082A - 封裝基板之加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是使封裝基板在已矯正的狀態下吸引保持在工作夾台上，並且使封裝基板之分割後的晶片容易從工作夾台分離。解決手段是將封裝基板之加工方法做成具有以下步驟之構成：在以切削水噴嘴將工作夾台之吸引面與封裝基板之間以切削水充滿後，以吸引面吸引保持封裝基板之步驟；以切削刀將封裝基板沿著分割預定線切削而分割成一個個晶片的步驟；以切削水噴嘴將切削水供給到晶片而以切削水密封工作夾台之吸引面的步驟；以及從工作夾台之吸引面噴射吹送空氣，而使晶片從吸引面分離以回收的步驟。

Description

封裝基板之加工方法 發明領域
本發明是有關於車用LED的封裝基板之加工方法。
發明背景
已知車用LED之封裝基板的情況，是在成為發光面之封裝基板的表面上形成有樹脂製的透鏡以覆蓋晶片(參照例如專利文獻1)。又，作為封裝基板之底座基板，已知有在底座基板的表面形成樹脂層之基板(參照例如專利文獻2)。又，作為形成有透鏡之封裝基板的分割方法，已知有使封裝基板之透鏡側收容於治具的收容部，並從封裝基板的背面側切削以分割成一個個晶片的方法(參照例如專利文獻3)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-103354號公報
專利文獻2：日本專利特開2013-175511號公報
專利文獻3：日本專利特開2012-174701號公報
發明概要
在上述封裝基板上是利用金屬板而形成有配線圖案，會有因金屬板與樹脂的熱膨脹係數不同而產生翹曲的問題。又，在以往之封裝基板用的工作夾台上，是配合封裝基板之分割後的晶片而形成有複數個吸引孔，且藉由將一個個吸引孔設成負壓來吸引保持有翹曲的封裝基板。但是，在這種封裝基板用的工作夾台上，在已將封裝基板的翹曲矯正成平整的狀態下，要吸引保持封裝基板是有困難的。
此外，封裝基板用的工作夾台，由於一個個吸引孔在工作台內部是連通的，所以有在一部分的吸引孔中產生之洩漏會影響到其他吸引孔的可能性。亦即，雖然分割後的晶片，是藉由從工作夾台之各吸引孔噴射出的吹送空氣(blow air)而被分離，但是如果只有一部分的晶片先從一部分的吸引孔分離時，就會使吹送空氣從該一部分的吸引孔洩漏出。藉此，由於其他吸引孔之吹送空氣壓力降低，所以會有被其他吸引孔所保持之晶片變得難以從工作夾台分離的問題。
本發明是有鑒於此問題點而作成的發明，其目的在於提供一種封裝基板之加工方法，其可使封裝基板在已矯正的狀態下吸引保持於工作夾台上，並且使封裝基板之分割後的晶片容易從工作夾台分離。
本發明的封裝基板之加工方法，是以加工裝置之切削刀將表面有凸部且將該凸部以分割預定線劃分之封裝基板沿著該分割預定線切削以生成晶片的封裝基板之加工方法，該加工裝置包含有具有吸引保持該封裝基板之吸引面的工作夾台，和供水以覆蓋於至少該封裝基板的上表面的供水機構，該工作夾台包含有將凸部收容至該吸引面的凹部、對應於該分割預定線而供該切削刀進入之進入溝，及可在以該進入溝所劃分出之區域中吸引保持晶片的複數個吸引孔，該封裝基板之加工方法是由以下步驟所形成：保持步驟，以該供水機構使該水供給至該工作夾台之該吸引面，並在將該水充滿於該封裝基板的表面與該吸引面之間後，使該吸引孔與該吸引源連通而使其吸引該水，並在吸引該水時使該凸部收容於該凹部且以該吸引面吸引保持該封裝基板的表面；分割步驟，從已在該保持步驟中被吸引保持之該封裝基板的背面使該切削刀切入並沿著該分割預定線切削進給來進行切削而分割成該晶片；水充填步驟，以該供水機構將該水供給至已在該分割步驟中被分割之該晶片上，且至少將相鄰之該晶片間以該水充滿；以及晶片回收步驟，在已於該水充填步驟中至少將相鄰之該晶片間以該水充滿的狀態下，將該工作夾台之吸引切換成噴射，使其從該吸引面噴射流體並使該晶片從該吸引面分離而回收該晶片。
依據此構成，是在已將封裝基板的表面之凸部收容在工作夾台的吸引面之凹部的狀態下，以水充滿封裝基板的表面與工作夾台的吸引面之間。然後，藉由將水吸引到複數個吸引孔中，並且使封裝基板被吸引面之複數個吸引孔吸引，而藉由封裝基板將工作夾台上的水擠壓到外側。因此，不會有空氣進入封裝基板的表面與工作夾台的吸引面之間的情形，且可在翹曲已被矯正的狀態下將封裝基板吸引保持於工作夾台上。又，在使封裝基板之分割後的晶片從工作夾台上分離之時，是使至少相鄰的晶片間被水充滿，而使工作夾台之吸引面藉由水而被密封。由於可用水的密封抑制吸引孔之空氣的洩漏，所以即使一部分的晶片先從吸引面分離，空氣吹送(air blow)壓力也不會大幅降低。據此，可以使晶片容易藉由空氣吹送而從工作夾台之吸引面分離。
又，在上述封裝基板之加工方法中，該封裝基板具備圍繞該凸部而形成之剩餘區域，該工作夾台之該吸引孔是配置成可進行該剩餘區域之吸引，以在該保持步驟與該水充填步驟之間實施剩餘區域去除步驟而構成，該剩餘區域去除步驟是以該切削刀切削該凸部與該剩餘區域之分界，並使其以該凹部吸引保持該凸部而使該剩餘區域從該工作夾台分離。
又，在上述封裝基板之加工方法中，該封裝基板在背面側配置有金屬板，該保持步驟是吸引保持該封裝基板的表面以用切削刀從該封裝基板的背面側切入。
依據本發明，藉由在吸引保持封裝基板時，將封裝基板的表面與工作夾台的吸引面之間以水充滿，可以使封裝基板在已矯正的狀態下吸引保持於工作夾台上。又，藉由在使封裝基板之分割後的晶片從工作夾台分離之時，至少將相鄰的晶片間以水充滿，可以使封裝基板之分割後的晶片容易從工作夾台分離。
1‧‧‧加工裝置
11‧‧‧基台
12‧‧‧工作夾台
13‧‧‧切削進給機構
14‧‧‧切削機構
15‧‧‧分度進給機構
16‧‧‧切入進給機構
17‧‧‧攝像機構
21‧‧‧立壁部
23、24‧‧‧吸引源
25、26、27‧‧‧閥
31、51、61‧‧‧導軌
32‧‧‧X軸基台
33、53‧‧‧滾珠螺桿
34、54、64‧‧‧驅動馬達
35‧‧‧θ基台
41‧‧‧吸引面
42‧‧‧凹部
43‧‧‧支撐面
44‧‧‧進入溝
45、46‧‧‧吸引孔(貫通孔)
52‧‧‧Y軸基台
62‧‧‧Z軸基台
71‧‧‧切削刀
72‧‧‧主軸
73‧‧‧刀片蓋
74‧‧‧切削水噴嘴(供水機構)
81‧‧‧分割預定線
82‧‧‧凸部
83‧‧‧金屬板
89‧‧‧毛邊
A1‧‧‧元件區域
A2‧‧‧剩餘區域
C‧‧‧晶片
W‧‧‧封裝基板
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1為本實施形態之加工裝置的立體圖。
圖2A~2C為比較例的封裝基板之加工方法的說明圖。
圖3A~3C為本實施形態之保持步驟的說明圖。
圖4A~4B為本實施形態之分割步驟的說明圖。
圖5為本實施形態之剩餘區域去除步驟的說明圖。
圖6為本實施形態之水充填步驟的說明圖。
圖7A~7B為本實施形態之晶片回收步驟的說明圖。
用以實施發明之形態
以下，參照附加圖式，就適用於本實施形態的封裝基板之加工方法的加工裝置加以說明。圖1為本實施形態之加工裝置立體圖。圖2為比較例之封裝基板的加工方法的說明圖。再者，本實施形態之加工裝置，不限定於圖1所示之構成。本實施形態之封裝基板的加工方法，只要是可分割封裝基板之加工裝置，則在任何種類的加工裝置中均能適用。
如圖1所示，加工裝置1是構成為使工作夾台12相對於切削機構14作相對移動，以將保持於工作夾台12上之封裝基板W分割成一個個晶片C(參照圖5)。封裝基板W是在長方形金屬板83的表面上將複數(在本實施形態中為3個)個樹脂製之凸部82排列於長邊方向上而設置。又，封裝基板W被分成配置有複數個凸部82之LED元件用的複數個元件區域A1與元件區域A1周圍的剩餘區域A2。各元件區域A1是藉由格子狀的分割預定線81而被劃分成複數個區域，且在各區域中配置有LED元件(圖未示)。
此封裝基板W是將剩餘區域A2當作端材而去除，且元件區域A1沿著分割預定線81被分割成一個個晶片C(參照圖5)。再者，封裝基板W不限於LED元件用的基板，也可以是半導體元件用之基板。又，不限於搭載晶片後的基板，也可以是搭載晶片前的基板。封裝基板W之凸部82雖然是例如以環氧樹脂、矽氧樹脂所形成，但只要能在金屬板83上形成凸部82，則任何種類的樹脂均可。
在加工裝置1之基台11上，設置有在X軸方向上移動工作夾台12之切削進給機構13。切削進給機構13包含有配置於基台11上之平行於X軸方向的一對導軌31，和設置成可在一對導軌31上滑動之馬達驅動X軸基台32。在X軸基台32的背面側上，分別形成圖未示之螺帽部，且在這些螺帽部中螺合有滾珠螺桿33。然後，藉由將連結於滾珠螺桿33之一端部的驅動馬達34旋轉驅動，就能使工作夾台12沿著導軌31在X軸方向上切削進給。
在X軸基台32上，是透過θ基台35將俯視下為長方形之工作夾台12設置成可旋轉。工作夾台12具有保持封裝基板W之吸引面41。在工作夾台12之吸引面41上是將複數個凹部42對應於封裝基板W之複數個凸部82，在長邊方向上排列而形成。工作夾台12之各凹部42是形成為具有與封裝基板W之各凸部82的高度一致的深度，而可收容封裝基板W之各凸部82。在各凹部42的周圍形成有支撐面43以支撐封裝基板W之凸部82的周圍之剩餘區域A2。
在工作夾台12之吸引面41上形成有對應於封裝基板W之分割預定線81而可讓切削刀71進入的進入溝44。在工作夾台12之之凹部42的底面(吸引面41)上形成有複數個吸引孔45，該等吸引孔45是在由進入溝44劃分成格子狀之區域中，吸引保持封裝基板W之分割後的一個個的晶片C。又，在凹部42的周圍之支撐面43(吸引面41)上形成有吸引保持封裝基板W之剩餘區域A2的複數個吸引孔46。各吸引孔45、46，各自通過工作夾台12內之流路而與吸引源23(參照圖3A)連接。
又，各吸引孔45也各自通過工作夾台12內之流路與空氣源24(參照圖3A)連接。在從工作夾台12往吸引源23及空氣源24的配管途中，設置有控制對貫通孔45、46之吸引力與吹送空氣之供給的閥25、26、27(參照圖3A)。在吸引保持分割前之封裝基板W時，藉由將各吸引孔45、46連通到吸引源23，可以使吸引面41成為負壓而吸引保持封裝基板W。要使封裝基板W之分割後的晶片C(參照圖5)分離時， 是藉由將各吸引孔45連通於空氣源24，以利用吹送空氣使晶片C從吸引面41分離。
在基台11上，設置有已在局部形成開口以避開工作夾台12之移動路徑之立壁部21。在立壁部21上設置有將切削機構14在Y軸方向上及Z軸方向上移動之分度進給機構15與切入進給機構16。分度進給機構15具有配置於立壁部21前面之平行於Y軸方向的一對導軌51，和設置成可在一對導軌51上滑動之Y軸基台52。切入進給機構16具有配置於Y軸基台52上之平行於Z軸方向的一對導軌61，和設置成可在一對導軌61上滑動之Z軸基台62。
Y軸基台52的背面側形成有螺帽部，在此螺帽部中螺合有滾珠螺桿53。又，在Z軸基台62的背面側形成有螺帽部，在此螺帽部中螺合有滾珠螺桿(圖未示)。在Y軸基台52用的滾珠螺桿53、Z軸基台62用的滾珠螺桿的一端部，各自連結有驅動馬達54、64。藉由使各個滾珠螺桿53被這些驅動馬達54、64旋轉驅動，可以將已固定在Z軸基台62上之切削機構14沿著導軌51、61在Y軸方向上分度進給，並在往Z軸方向上切入進給。
切削機構14是在主軸72的前端裝設切削刀71而構成。切削刀71是藉由刀片蓋73使周圍被覆蓋，且在刀片蓋73上設置有朝向切削部分噴射切削水的切削水噴嘴74。切削水噴嘴74不但會在加工中噴射切削水，還在加工前與加工後作為將切削水供給以覆蓋至少封裝基板W之上表面的供水機構而發揮功能。又，在主軸72上設置有攝像機構 17，並根據攝像機構17之拍攝影像，使切削刀71相對於封裝基板W之分割預定線81被校準。
然而，如圖2A所示，分割前之封裝基板W會因金屬板83與凸部82之熱膨脹係數的不同而產生翹曲。又，如圖2B所示，封裝基板W之分割後的各晶片C，雖然一個個地被工作夾台12之各吸引孔45所保持，但因各吸引孔45在基台內是相連通的，所以當於一部分的吸引孔45上發生洩漏時，就會有也影響到其他吸引孔45的疑慮。此外，如圖2C所示，雖然也可從封裝基板W之表面側之樹脂製的凸部82進行切削，但是在切入樹脂時切削刀71會發熱。會因切削刀71的發熱使金屬板83的切削變困難而使毛邊89變嚴重。
此處，在本實施形態中，是在將封裝基板W的表面與工作夾台12的吸引面41之間已用切削水(水)充滿了的狀態下，使封裝基板W吸引保持於工作夾台12上，藉此矯正封裝基板W之翹曲(參照圖3)。又，在封裝基板W的分割後，是形成為藉由一邊以切削水密封工作夾台12之吸引面41，一邊以吹送空氣使晶片C分離，來抑制吹送空氣的洩漏(參照圖7)。此外，在封裝基板W的切削加工時，是藉由用切削刀71從封裝基板W之背面側的金屬板83進行切削，以利用切削水冷卻切削刀71與金屬板83來抑制金屬板83的毛邊的產生(參照圖4)。
以下，參照圖3到圖6，就本實施形態的封裝基板之加工方法來加以說明。圖3為本實施形態之保持步驟的說 明圖。圖4為本實施形態之分割步驟的說明圖。圖5為本實施形態之剩餘區域去除步驟的說明圖。圖6為本實施形態之水充填步驟的說明圖。圖7為本實施形態之晶片回收步驟的說明圖。再者，保持步驟、分割步驟、剩餘區域去除步驟、水充填步驟、晶片回收步驟都只不過是其中一例，仍可作適當變更。
如圖3所示，首先實施保持步驟。如圖3A所示，在保持步驟中，是從切削機構14(參照圖4)之切削水噴嘴74將切削水供給到工作夾台12的吸引面41上，使工作夾台12的吸引面41被切削水充滿。此時，不但工作夾台12之凹部42，連凹部42之周圍的支撐面43也被切削水充滿。又，將吸引源23用之閥25、26關閉，而將吸引源23對吸引孔45、46的吸引力遮斷。同樣地，也將空氣源24用之閥27關閉，將空氣源24對吸引孔45之吹送空氣的供給停止。
如圖3B所示，將封裝基板W的表面以朝下的狀態載置於工作夾台12之吸引面41上的切削水的水面上。藉此，使封裝基板W的表面與工作夾台12的吸引面41之間被切削水充滿，以藉由切削水使封裝基板W從工作夾台12之吸引面41浮起。此時，可將封裝基板W之表面側的凸部82定位至工作夾台12的凹部42。又，在封裝基板W上，會如上述地因樹脂製的凸部82與金屬板83的熱膨脹係數之不同而稍微產生翹曲。
如圖3C所示，將吸引源23用之閥25、26打開而使吸引源23與吸引孔45、46連通，以在工作夾台12的吸引 面41上產生吸引力。可藉由吸引孔45、46吸引切削水，並且利用吸引力將封裝基板W吸引到吸引面41上。藉此，將封裝基板W之各凸部82收容於工作夾台12的各凹部42中。又，在封裝基板W的外周側的剩餘區域A2上，是一邊將切削水從工作夾台12擠壓到外側，一邊將剩餘區域A2朝支撐面43吸引。據此，在封裝基板W的表面與工作夾台12的吸引面41之間不會有空氣進入，且可將封裝基板W的翹曲強力地拉向支撐面43。
並且，將封裝基板W之各凸部82吸引保持在工作夾台12的凹部42中，且將封裝基板W的剩餘區域A2吸引保持在工作夾台12的支撐面43上。像這樣，可使工作夾台12的吸引面41被封裝基板W氣密地密封，並藉由吸引面41的吸引力使封裝基板W的翹曲被矯正。再者，可對閥25、26的切換時機進行控制，而利用吸引孔45、46同時吸引保持封裝基板W之凸部82與剩餘區域A2亦可，也可以在利用吸引孔45吸引保持封裝基板W的凸部82後，用吸引孔46吸引保持封裝基板W的剩餘區域A2。
如圖4所示，在保持步驟後，是實施分割步驟。如圖4A所示，在分割步驟中，是藉由分度進給機構15使切削刀71在Y軸方向上移動以相對於封裝基板W之分割預定線81進行對位，並藉由切入進給機構16使切削刀71在Z軸方向上移動以下降到可將封裝基板W作全切(full-cut)的高度。然後，藉由工作夾台12相對於高速旋轉之切削刀71在X軸方向上移動，使切削刀71進入工作夾台12的進入溝44而將封 裝基板W沿著分割預定線81切削進給。
如圖4B所示，當封裝基板W沿著一個方向的所有分割預定線81被切削後，即可使工作夾台12旋轉90度，開始進行與一個方向之分割預定線81為直交之其他方向的分割預定線81的切削進給。其結果，可將封裝基板W分割成一個個晶片C，而使各晶片C被工作夾台12所吸引保持。在分割步驟中，因為工作夾台12之凹部42的深度與封裝基板W之凸部82的高度一致，所以在直到切削結束為止可將已小片化的晶片C持續吸引保持在相同的位置上。
此時，封裝基板W的表面側被工作夾台12所吸引保持，並以切削刀71從封裝基板W之背面側的金屬板83切入。由於是將切削水直接供給到切削刀71以及金屬板83，所以可以藉由切削水將切削刀71以及金屬板83充分地冷卻。因為是在切削刀71以及金屬板83的發熱受到抑制的狀態下被切削，所以可以抑制金屬板83之毛邊的產生。據此，並不是像從封裝基板W的表面側之凸部82切入的情形一樣，在切削刀71發熱的狀態下切入金屬板83，因而可以一邊抑制毛邊的產生一邊有效地切斷封裝基板W。
如圖5所示，在分割步驟之後，會實施剩餘區域去除步驟。在剩餘區域去除步驟中，是與分割步驟同樣地，以切削刀71(參照圖4)切削封裝基板W之凸部82(晶片C)與剩餘區域A2的分界。並且，在吸引源23用之閥25已被打開的狀態下，僅閥26是被關閉的。藉此，可在原樣維持對一個個晶片C之吸引力的情形下，停止對於剩餘區域A2之吸 引力。然後，將剩餘區域A2從工作夾台12分離以作為端材廢棄。再者，剩餘區域去除步驟也可藉由操作員的手動作業實施，也可以藉由圖未示之去除裝置來實施。
如圖6所示，在剩餘區域去除步驟之後，會實施水充填步驟。在水充填步驟中，是從切削機構14(參照圖4)之切削水噴嘴74向一個個晶片C供給切削水，且以切削水覆蓋相鄰之晶片C之間以及晶片C的上表面。由於晶片C被切削水所淹沒，所以可藉由切削水確實地密封工作夾台12的吸引面41。再者，在水充填步驟中，並不受限於以切削水覆蓋全部晶片C之構成，只要使至少相鄰的晶片C之間被切削水充滿，即可充分地密封工作夾台12的吸引面41。
如圖7所示，在水充填步驟之後，會實施晶片回收步驟。如圖7A所示，在晶片回收步驟中，是在來自切削水噴嘴74之切削水的供給已停止的狀態下，將吸引源23用的閥25關閉，並將空氣源24用的閥27打開，以將工作夾台12的吸引切換成噴射。藉此，使吹送空氣從工作夾台12的吸引面41(凹部42)之吸引孔45噴射出來，使一個個晶片C從吸引面41分離。當一個個晶片C從工作夾台12的吸引面41分離時，即可藉由切削水使一個個晶片C上浮至吸引面41的上方。
此時，因為工作夾台12的吸引面41被切削水完全地密封，所以即使一部分的晶片C先分離，吹送空氣也不易從保持該一部分之晶片C的吸引孔45中洩漏。因此，不會有吹送空氣壓力大幅下降的情形，要做到藉由吹送空氣使晶 片C容易從工作夾台之吸引面41分離會變得可行。再者，取代從吸引孔45噴射吹送空氣之作法，改為噴射液體或氣體等流體，來使晶片C從工作夾台12的吸引面41分離亦可。
如圖7B所示，當一個個晶片C從工作夾台12的吸引面41分離時，即可藉由切削水噴嘴74從工作夾台12的一端側噴灑切削水，而在吸引面41上形成流向工作夾台12的另一端側的切削水的流動。藉此，可使晶片C流到配置於工作夾台12的另一端側之晶片回收容器29中，以藉由晶片回收容器29將一個個晶片C回收。再者，也可以做成從空氣噴嘴噴射出空氣而製造切削水的流動，以取代從切削水噴嘴74噴射切削水而製造切削水的流動。
如以上所述，根據本實施形態的封裝基板W之加工方法，是在已將封裝基板W之表面的凸部82收容在工作夾台12之吸引面41的凹部42的狀態下，以切削水充滿封裝基板W之表面與工作夾台12的吸引面41之間。然後，藉由將切削水吸引到複數個吸引孔45中，並且將封裝基板W吸引向吸引面41之複數個吸引孔45，以藉由封裝基板W將切削水從工作夾台12擠壓到外側。因此，空氣不會進入封裝基板W的表面與工作夾台12的吸引面41之間，而可在翹曲已被矯正的狀態下將封裝基板W吸引保持於工作夾台12上。又，在使封裝基板W之分割後的晶片C從工作夾台12分離時，是至少使相鄰的晶片C之間被切削水充滿，而使工作夾台12的吸引面41被切削水密封。因為可藉切削水之密封抑制吸引孔45之空氣的洩漏，所以即使一部分的晶片C先從吸引面 被分離，空氣吹送壓力也不會大幅降低。據此，可使晶片C容易藉由空氣吹送而從工作夾台12的吸引面41分離。
再者，本發明並不受限於上述實施形態，且可進行各種變更而實施。在上述實施形態中，關於在附加圖式中所圖示之大小或形狀等，並不受限於此，且可在發揮本發明的效果的範圍內作適當變更。另外，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，均可以作適當變更而實施。
例如，在上述實施形態中，雖然是以切削機構14之切削水噴嘴74構成供水機構，但是並不限定於此構成。除切削水噴嘴74之外，另外設置供水機構亦可。此時，供水機構只要是可將水供給到封裝基板W的上表面之構成即可，構成為將切削水以外的水供給到封裝基板W上亦可。
又，在上述實施形態中，雖然是將封裝基板W構成為具有金屬板83，但是並不限定於此構成。封裝基板W也可以是不具有金屬板83的基板。
又，在上述的實施形態中，雖然是將封裝基板W之加工方法做成包含剩餘區域去除步驟的構成，但也可以是不具有剩餘區域去除步驟的構成。當不具有剩餘區域去除步驟時，也可在吸引保持了封裝基板W之剩餘區域A2的狀態下，實施晶片回收步驟。
又，在上述實施形態中，雖然是做成在分割步驟後實施剩餘區域去除步驟之構成，但並不限定於此構成。剩餘區域去除步驟只要可以在保持步驟與水充填步驟間實施即可，也可以在例如分割步驟前實施剩餘區域去除步驟。 亦即，也可以在將剩餘區域A2與形成晶片C之元件區域A1的分界切斷，而僅去除剩餘區域A2之後，再分割成一個個晶片C。此時，封裝基板W之加工方法是以保持步驟、切削元件區域A1與剩餘區域A2之分界的切削步驟、剩餘區域去除步驟、分割步驟、水充填步驟、晶片回收步驟之順序實施。
又，在上述之實施形態中，雖是是設定成在水充填步驟之後實施晶片回收步驟之步驟，但並不限定於此構成。晶片回收步驟只要可以在於水充填步驟中已用水充滿至少相鄰之晶片間的狀態下實施即可，也可以在例如水充填步驟的途中實施。
產業上之可利用性
如以上所說明的，本發明是使封裝基板在已矯正的狀態下吸引保持於工作夾台上，並且具有可以使封裝基板之分割後的晶片容易從工作夾台分離的效果，特別是在車用LED的封裝基板之加工方法上是有用的。
1‧‧‧加工裝置
11‧‧‧基台
12‧‧‧工作夾台
13‧‧‧切削進給機構
14‧‧‧切削機構
15‧‧‧分度進給機構
16‧‧‧切入進給機構
17‧‧‧攝像機構
21‧‧‧立壁部
31‧‧‧導軌
32‧‧‧X軸基台
33‧‧‧滾珠螺桿
34‧‧‧驅動馬達
35‧‧‧θ基台
41‧‧‧吸引面
42‧‧‧凹部
43‧‧‧支撐面
44‧‧‧進入溝
45、46‧‧‧吸引孔(貫通孔)
51‧‧‧導軌
52‧‧‧Y軸基台
53‧‧‧滾珠螺桿
54‧‧‧驅動馬達
61‧‧‧導軌
62‧‧‧Z軸基台
64‧‧‧驅動馬達
71‧‧‧切削刀
72‧‧‧主軸
73‧‧‧刀片蓋
74‧‧‧切削水噴嘴(供水機構)
81‧‧‧分割預定線
82‧‧‧凸部
83‧‧‧金屬板
A1‧‧‧元件區域
A2‧‧‧剩餘區域
W‧‧‧封裝基板
X、Y、Z‧‧‧方向

Claims (3)

  1. 一種封裝基板之加工方法，是以加工裝置之切削刀將表面有凸部且將該凸部以分割預定線劃分之封裝基板沿著該分割預定線切削以生成晶片的封裝基板之加工方法，該加工裝置包含有具有吸引保持該封裝基板之吸引面的工作夾台，和供水以覆蓋於至少該封裝基板的上表面的供水機構，該工作夾台包含有將該凸部收容至該吸引面的凹部、對應於該分割預定線而供該切削刀進入之進入溝、及可在以該進入溝所劃分出之區域中吸引保持晶片的複數個吸引孔，該封裝基板之加工方法是由以下各步驟所形成：保持步驟，以該供水機構使該水供給至該工作夾台之該吸引面，並在將該水充滿於該封裝基板的表面與該吸引面之間後，使該吸引孔與該吸引源連通而吸引該水，並在吸引該水時使該凸部收容於該凹部且以該吸引面吸引保持該封裝基板的表面；分割步驟，從已在該保持步驟中吸引保持之該封裝基板的背面使該切削刀切入並沿著該分割預定線切削進給來進行切削而分割成該晶片；水充填步驟，以該供水機構將該水供給至已在該分割步驟中被分割之該晶片上，且至少將相鄰之該晶片間 以該水充滿；以及晶片回收步驟，在已於該水充填步驟中至少將相鄰之該晶片間以該水充滿的狀態下，將該工作夾台之吸引切換成噴射，使其從該吸引面噴射流體並使該晶片從該吸引面分離而回收該晶片。
  2. 如請求項1的封裝基板之加工方法，其中，該封裝基板具備圍繞該凸部而形成之剩餘區域，而該工作夾台之該吸引孔是配置成可進行該剩餘區域之吸引，以在該保持步驟與該水充填步驟之間實施剩餘區域去除步驟而構成，該剩餘區域去除步驟是以該切削刀切削該凸部與該剩餘區域之分界，並使其以該凹部吸引保持該凸部而使該剩餘區域從該工作夾台分離。
  3. 如請求項1或請求項2的封裝基板之加工方法，其中，該封裝基板在背面側配置有金屬板，該保持步驟是吸引保持該封裝基板的表面以用該切削刀從該封裝基板的背面側切入。
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