TW201540875A - 蝕刻劑及使用該蝕刻劑製造顯示裝置之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種蝕刻劑和一種使用該蝕刻劑製造顯示裝置的方法。

Description

蝕刻劑及使用該蝕刻劑製造顯示裝置之方法
本申請根據2014年4月28日遞交的韓國專利申請KR 10-2014-0050924主張優先權，其藉由整體引用而併入本申請中。
本發明的示例性實施方式有關於一種蝕刻劑和一種使用該蝕刻劑製造顯示裝置的方法。
一般情況下，薄膜電晶體(TFT)面板用作液晶顯示裝置或有機電致發光(EL)顯示裝置中獨立驅動每個像素的電路板。TFT面板包括：掃描訊號佈線或閘極佈線，用於傳輸掃描訊號；和圖像訊號佈線或資料佈線，用於傳輸圖像訊號。而且，它進一步包括：與閘極佈線和資料佈線連接的TFT，以及與TFT連接的像素電極。
這樣的TFT面板藉由在基板上形成用於閘極佈線和資料佈線的金屬層，然後蝕刻上述金屬層來製造。
閘極佈線和資料佈線由導電性高且電阻低的銅製成。然而，銅在應用光阻和使其圖案化的步驟中造成困難，因此，不使用銅單層膜而使用多層金屬膜形成閘極佈線和資料佈線。
通常用作多層金屬膜的是鈦/銅雙層膜。當同時蝕刻該鈦/銅雙層膜時，蝕刻輪廓可能變差並且後續步驟難以進行。
因此，本發明的示例性實施方式提供一種蝕刻劑和一種使用該蝕刻劑製造顯示裝置的方法。
本發明的實施方式提供一種蝕刻劑，包含：0.5wt%~20wt%的過硫酸鹽；0.01wt%~2wt%的氟化合物；1wt%~10wt%的無機酸；0.5wt%~5wt%的含氮原子(N)的雜環化合物；0.1wt%~5wt%的氯化合物；0.05wt%~3wt%的銅鹽；0.1wt%~10wt%的有機酸或有機酸鹽；0.1wt%~5wt%的供電子化合物；以及餘量的溶劑。
本發明的另一個實施方式提供一種製造顯示裝置的方法，包括：在絕緣基板上形成閘極金屬層，前述閘極金屬層包括下部閘極金屬層和上部閘極金屬層；使用上述蝕刻劑來蝕刻前述閘極金屬層，從而形成包括閘極電極的閘極線；在前述閘極線上形成閘極絕緣膜；在前述閘極絕緣膜上按序形成第一非晶矽層、第二非晶矽層、下部資料金屬層，和上部資料金屬層；蝕刻前述第一非晶矽層、前述第二非晶矽層、前述下部資料金屬層，和前述上部資料金屬層，從而形成半導體層、歐姆接觸層、包括源極電極的資料線，和汲極電極；在前述資料線、前述汲極電極和前述閘極絕緣膜上形成鈍化層；以及在前述鈍化層上形成像素電極以與前述汲極電極連接。
根據本發明示例性實施方式，提供一種對鈦/銅雙層膜表現出優異的蝕刻輪廓並且不產生溶解性差的沉澱物的蝕刻劑，以及一種使用該蝕刻劑製造顯示裝置的方法。
藉由結合附圖的以下詳細描述，將更清楚地理解本發明的上述以及其他目的、特徵和優點。
110‧‧‧基板
120‧‧‧閘金屬層
120r‧‧‧上部閘極金屬層
120p‧‧‧下部閘極金屬層
121‧‧‧閘線
124‧‧‧閘電極
124r‧‧‧上部膜
124p‧‧‧下部膜
140‧‧‧閘絕緣膜
150、160‧‧‧非晶矽層
154‧‧‧半導體層
163、165‧‧‧歐姆接觸元件
170‧‧‧資料金屬層
170r‧‧‧上部資料金屬層
170p‧‧‧下部資料金屬層
171‧‧‧資料線
171r‧‧‧上部膜
171p‧‧‧下部膜
173‧‧‧源極電極
173r‧‧‧上部膜
173p‧‧‧下部膜
175‧‧‧汲極電極
175r‧‧‧上部膜
175p‧‧‧下部膜
180‧‧‧鈍化層
185‧‧‧接觸孔
191‧‧‧像素電極
圖1是示出根據本發明的實施方式的顯示裝置的橫剖面圖。
圖2是沿圖1的線II-II觀看的橫剖面圖。
圖3至圖8是示出根據本發明的實施方式的製造顯示裝置的方法的視圖。
圖9是示出根據本發明的實施方式的蝕刻劑的作用機制的示意圖。
由於本發明的實施方式可以按許多不同的形式進行各種修改，現將詳細參考本發明的多種實施方式其具體實例示於附圖中並描述在下文中。要理解的是，本描述並不將本發明限於那些實施方式，本發明包括在本發明的精神和範圍內的各種修改、等同替換。
在下文中，將參照附圖提供本發明的實施方式的詳細描述。在全部附圖中，相同的附圖標記指代相同或相似的元件，因此省略重複描述。
除非上下文清楚地另外指明外，如本文所用的單數形式也意在包括複數形式。
將理解的是，當在本說明書中使用時，術語「包含」、「包括」、「具有」等是指存在所陳述的要素或元件，但不排除存在或增加一個或複數個其他要素或元件。
而且，將理解的是，當例如膜、區域或片材被稱為在另一元件「上」時，它可以直接在另一元件上，或居間元件(intervening element)可以存在於其間。
為使附圖清楚起見，元件的尺寸被描繪成大於或小於實際尺寸。例如，附圖中各個元件的尺寸和厚度是任意描繪的，並且本發明不必限於此。
當實施任何實施方式時，具體的步驟順序可以不同於所描述的順序實施。例如，連續描述的兩個步驟可以基本上同時執行，或者可以按相反的順序進行。
下面是根據本發明實施方式的蝕刻劑的描述。
蝕刻劑用於蝕刻雙層金屬佈線，該雙層金屬佈線包括：鈦(Ti)或含鈦金屬膜，和在鈦或含鈦金屬膜上的銅(Cu)或含銅金屬膜。
蝕刻劑包括：過硫酸鹽、氟化合物、無機酸、含N的雜環化合物、氯化合物、銅鹽、有機酸或有機酸鹽、供電子化合物、以及餘量的溶劑。
該蝕刻劑可以是無過氧化氫的蝕刻劑。如此，無過氧化氫的蝕刻劑是指不含過氧化氫的蝕刻劑。
過硫酸鹽主要用於蝕刻銅或含銅金屬膜，並且相對於蝕刻劑的總量過硫酸鹽含量可以為5wt%~20wt%。如果過硫酸鹽在上述含量範圍內，銅或含銅金屬膜的蝕刻速率可 以變得很高並且得以保持，使得蝕刻步驟得到適當地控制。
過硫酸鹽可以包括但不限於選自過硫酸鉀、過硫酸鈉和過硫酸銨中的至少一種。
氟化合物主要用於蝕刻鈦或含鈦金屬膜，並且在蝕刻步驟中起著除去殘餘物的作用。相對於蝕刻劑的總量氟化合物的含量可以為0.01wt%~2wt%。如果氟化合物在上述含量範圍內，鈦或含鈦金屬膜的蝕刻速率可以增加，從而防止產生蝕刻殘餘物，並且防止損傷金屬佈線形成在其上的基板(例如玻璃)和與金屬佈線一起形成的含矽絕緣膜。
氟化合物是指在溶液中離解成氟離子或多原子氟離子的化合物。氟化合物可以包括但不限於選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟氫化銨、氟氫化鈉和氟氫化鉀中的至少一種。
無機酸用作用於蝕刻銅或含銅金屬膜和鈦或含鈦金屬膜的輔助氧化劑，並且相對於蝕刻劑的總量無機酸的含量可以為1wt%~10wt%。如果無機酸在上述含量範圍內，銅或含銅金屬膜和鈦或含鈦金屬膜的蝕刻速率可以增加，並因此蝕刻輪廓可以變得良好，並且不發生過度蝕刻和光阻開裂，且沒有蝕刻殘餘物，從而防止佈線由於化學物質的滲透而短路。
無機酸可以包括選自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸中的至少一種。
含N的雜環化合物起到控制銅或含銅金屬膜的蝕刻速率的作用。相對於蝕刻劑的總量含N的雜環化合物的含量 可以為0.5wt%~5wt%。如果含N的雜環化合物在上述含量範圍內，銅的蝕刻速率可以被控制，從而防止過度蝕刻並且防止由於銅的低蝕刻速率所導致的加工時間增加，由此使得生產率增加。
含N的雜環化合物可以包括但不限於選自5-胺基四唑、3-胺基-1,2,4-***、4-胺基-4H-1,2,4-***、苯並***、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉中的至少一種。
氯化合物起到用於蝕刻銅或含銅金屬膜的輔助氧化劑的作用，並且起到調節錐角的作用。相對於蝕刻劑的總量氯化合物的含量可以為0.1wt%~5wt%。如果氯化合物的含量小於0.1wt%，那麼銅或含銅金屬膜的蝕刻速率可能減小，不期望地使蝕刻輪廓變差。相反，如果其含量超過5wt%，那麼金屬佈線可能由於過度蝕刻而損失。
氯化合物是指離解成氯離子的化合物，並且可以包括但不限於選自鹽酸(HCl)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)和氯化銨(NH4Cl)中的至少一種。
銅鹽起到調節CD偏斜的作用，並且相對於蝕刻劑的總量銅鹽的含量可以為0.05wt%~3wt%。如果銅鹽的量小於0.05wt%，那麼每加工片材的CD偏斜變化的偏差可能會增加。相反，如果其含量超過3wt%，那麼主氧化劑的氧化能力可能會變差，並因此加工片材的數目可能會降低。
銅鹽可以包括但不限於選自硝酸銅(Cu(NO3)2)、硫酸銅(CuSO4)和磷酸銅銨(NH4CuPO4)中的至少一種。
有機酸或有機酸鹽起到防止由於與所蝕刻的金屬離子螯合而產生的對蝕刻劑的影響，最終增加加工片材的數目。相對於蝕刻劑的總量有機酸或有機酸鹽的含量可以為0.1wt%~10wt%。如果有機酸或有機酸鹽的量小於1wt%，那麼沒有增加加工片材的數目的效果。相反，如果其含量超過10wt%，那麼沒有更多增加加工片材的數目的效果。
有機酸或有機酸鹽可以包括但不限於選自如下化合物中的至少一種：乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞胺基二乙酸、乙二胺四乙酸(EDTA)，以及它們的鈉鹽、鉀鹽和銨鹽。
供電子化合物被添加以防止由於蝕刻組合物與蝕刻銅佈線所生成的銅離子的結合而產生沉澱物，並由此負責阻礙沉澱物結合。如此，相對於蝕刻劑的總量供電子化合物的含量可以為0.1wt%~5wt%。如果供電子化合物的含量小於0.1wt%，那麼可能形成溶解性差的沉澱物。相反，如果其含量超過5wt%，那麼難以保持起初的蝕刻性能。
供電子化合物是非環狀有機化合物，並且可以包括但不限於選自如下化合物中的至少一種：L-異白胺酸、草酸、己二酸、棕櫚酸、乳酸、馬來酸、二伸乙基三胺五乙酸、N-乙醯-L-半胱胺酸、L-絲胺酸、L-甲硫胺酸，以及它們的鉀鹽、鈉鹽和銨鹽。
供電子化合物可以例舉為但不限於選自如下化合物中 的至少一種：L-異白胺酸、二伸乙基三胺五乙酸、N-乙醯-L-半胱胺酸、L-絲胺酸、L-甲硫胺酸，以及它們的鉀鹽、鈉鹽和銨鹽。
在使用包含過硫酸鹽、氟化合物、有機酸、無機酸、氯化合物、銅鹽、含N的雜環化合物和溶劑的蝕刻劑的蝕刻步驟中，所產生的銅離子可以與蝕刻劑的至少一種組分結合，從而形成溶解性差的沉澱物。溶解性差的沉澱物會導致污染待蝕刻的基板和堵塞用於蝕刻的管道的問題。
下面的表1示出了評價基本上由過硫酸鹽、氟化合物、有機酸、無機酸、銅鹽和溶劑組成，選擇性地包含氯化合物和/或含N的雜環化合物的蝕刻劑是否產生溶解性差的沉澱物的測試結果。在表1中，測試例1至3示出了包含溶解的3500ppm銅的蝕刻劑中的Cu濃度的變化。如此，Cu濃度的減小意味著沉澱物產生對應於該減小的量的量。
從表1中明顯看出，不包含含N的雜環化合物或不包含氯化合物的蝕刻劑(測試例1和2)幾乎不引起Cu濃度的變化。然而，在同時使用含N的雜環化合物和氯化合物的測試例3中，Cu濃度急劇降低。因此，同時包含含N的雜環化合物和氯化合物的蝕刻劑可能產生溶解性差的沉澱物，並且由蝕刻步驟所產生的過量銅離子可以進一步加快這樣的溶解性差的沉澱物的產生程度。
下面的表2示出了評價溶解性差的沉澱物的產生是否取決於氯化合物的含量的測試結果。
從表2中明顯看出，當氯化合物的含量減小時，溶解性差的沉澱物以非常少的量產生。然而，在氯化合物的含量降低的情況下，不能保持所希望的蝕刻性能，因此不認為簡單地減小氯化合物的含量是抑制溶解性差的沉澱物的產生的較佳方案。
根據本發明的實施方式，蝕刻劑包括供電子化合物。該供電子化合物可以與銅離子結合，該銅離子與含N的雜環化合物螯合。因而，供電子化合物可以起到防止Cl-與螯合的化合物結合的作用。因此，包含供電子化合物的蝕刻劑不產生溶解性差的沉澱物。該機制示於圖9中。
根據本發明的實施方式，蝕刻劑包括使蝕刻劑的總量為100wt%的餘量的溶劑。溶劑可以是水，該水可以是指去離子水。例如，溶劑被例舉為但不限於適合於半導體加工且具有18MΩ/cm以上的去離子水。相對於蝕刻劑的總量，水的含量為使銅鈦蝕刻劑的總量為100wt%的餘量。
而且，根據本發明的實施方式的蝕刻劑可以進一步包括金屬離子螯合劑和腐蝕抑制劑。
使用上述蝕刻劑對於蝕刻雙層金屬佈線是有效的，該雙層金屬佈線包括：鈦或含鈦金屬膜和在該鈦或含鈦金屬膜上的銅或含銅金屬膜。
而且，根據本發明的實施方式的蝕刻劑不僅可用於製造平板顯示器(例如液晶顯示裝置)，而且可用於製造記憶體半導體面板。此外，它可被應用於製造其他包括雙層金屬佈線的電子裝置，該雙層金屬佈線包括：鈦或含鈦金屬膜和在該鈦或含鈦金屬膜上的銅或含銅金屬膜。
下面是使用上述蝕刻劑製造顯示裝置的方法。
圖1示出根據本發明的實施方式的顯示裝置的TFT面板，而圖2是沿圖1的線II-II觀看的橫剖面圖。
根據本發明的實施方式的顯示裝置的TFT面板被配置為包括閘極電極124的複數條閘極線121；閘極絕緣膜140；複數個半導體層154；複數個歐姆接觸元件163、165；複數條資料線171以及複數個汲極電極175按序形成在由絕緣材料(例如玻璃或塑膠)製成的基板110上。
每條閘極線121起到傳輸閘極訊號的作用，並且主要 在水平方向上延伸，並且閘極電極124在閘極線121的上方突出。
閘極線121由下部膜124p(下部膜124p包括：鈦或含鈦金屬)和上部膜124r(上部膜124r包括：銅或含銅金屬)組成。
每條資料線171起到傳輸資料訊號的作用，並且主要在豎直方向上延伸，從而貫穿閘極線121。每條資料線171包括向閘極電極124延伸的源極電極173。汲極電極175以獨立於資料線171的方式形成，並且被設置為面對源極電極173，且閘極電極124介於其間。
資料線171、源極電極173和汲極電極175分別被配置為包括下部膜171p、173p、175p(下部膜171p、173p、175p包括：鈦或含鈦金屬)和上部膜171r、173r、175r(上部膜171r、173r、175r包括：銅或含銅金屬)。
每個半導體層154被設置在閘極電極124上，並且其上的歐姆接觸元件163、165僅被設置在半導體層154和資料線171/汲極電極175之間，從而減少它們之間的接觸電阻。
單個閘極電極124、單個源極電極173和單個汲極電極175與半導體層154一起構成單個TFT，並且TFT的通道形成在源極電極173和汲極電極175之間的半導體層154上。
而且，由矽氮化物或矽氧化物製成的鈍化層180形成在資料線171和汲極電極175上。
鈍化層180具有用於暴露汲極電極175的接觸孔185，並且像素電極191形成在鈍化層180上並藉由接觸孔185與汲極電極175連接。
此外，下面參照圖3至圖8和圖2進行描述根據本發明的實施方式的製造用於顯示裝置的TFT面板的方法。
圖3至圖8是按序示出根據本發明的實施方式的製造用於顯示裝置的TFT面板的方法的橫剖面圖。
如圖3所示，閘極金屬層120形成在透明絕緣基板110上，閘極金屬層120包括下部閘極金屬層120p(該下部閘極金屬層120p包括：鈦或含鈦金屬)和上部閘極金屬層120r(該上部閘極金屬層120r包括：銅或含銅金屬)。
接下來，如圖4所示，使用上述蝕刻劑蝕刻閘極金屬層120，從而形成閘極電極124，並且在包括閘極電極124的絕緣基板110的整個表面上形成閘極絕緣膜140。
閘極電極124包括下部膜124p(該下部膜124p包括：鈦或含鈦金屬)和上部膜124r(該上部膜124r包括：銅或含銅金屬)。
接下來，如圖5所示，在閘極絕緣膜140上按序形成非晶矽層150、雜質摻雜的非晶矽層160和資料金屬層170。如此，資料金屬層170包括下部資料金屬層170p(該下部資料金屬層170p包括：鈦或含鈦金屬)和上部資料金屬層170r(該上部資料金屬層170r包括：銅或含銅金屬)。
接下來，如圖6和圖7所示，上述蝕刻劑被應用於蝕 刻資料金屬層170、非晶矽層150和雜質摻雜的非晶矽層160，從而形成包括源極電極173的資料線171；汲極電極175；歐姆接觸層163、165；和半導體層154。
資料線171、源極電極173和汲極電極175分別包括下部膜171p、173p、175p(下部膜171p、173p、175p包括：鈦或含鈦金屬)和上部膜171r、173r、175r(上部膜171r、173r、175r包括：銅或含銅金屬)。
接下來，如圖8所示，鈍化層180形成在資料線171、汲極電極175和閘極絕緣膜140的整個表面上，在此之後，如圖2所示，形成用於暴露汲極電極175的接觸孔185，並且在鈍化層180上形成像素電極191。
下面，藉由下面的測試例描述根據本發明的實施方式的蝕刻劑的性能。
(實施例)
<實施例1>
如下面的表3中所示製備10kg的蝕刻劑，包含：10wt%的過硫酸鈉、0.5wt%的氟氫化銨、3wt%的硝酸、1.5wt%的5-胺基四唑、1.5wt%的氯化鈉、0.2wt%的硫酸銅、3wt%的乙酸、3wt%的二伸乙基三胺五乙酸和餘量的水。
<實施例2>
如下面的表3中所示製備10kg的蝕刻劑，包含：10wt%的過硫酸鈉、0.5wt%的氟氫化銨、3wt%的硝酸、1.5wt%的5-胺基四唑、1.5wt%的氯化鈉、0.2wt%的硫酸 銅、3wt%的乙酸、0.1wt%的N-乙醯-L-半胱胺酸和餘量的水。
<實施例3>
如下面的表3中所示製備10kg的蝕刻劑，包含：10wt%的過硫酸鈉、0.5wt%的氟氫化銨、3wt%的硝酸、1.5wt%的5-胺基四唑、1.5wt%的氯化鈉、0.2wt%的硫酸銅、3wt%的乙酸、2wt%的L-甲硫胺酸和餘量的水。
<比較例1>
如下面的表3中所示，製備了10kg的蝕刻劑，包含：10wt%的過硫酸鈉、0.5wt%的氟氫化銨、3wt%的硝酸、1.5wt%的5-胺基四唑、1.5wt%的氯化鈉、0.2wt%的硫酸銅、3wt%的乙酸和餘量的水。
<測試例1-沉澱物的產生>
就沉澱物的產生對實施例1至3和比較例1的蝕刻劑進行評價。
將3000ppm的Cu粉末添加至所製備的蝕刻劑中，並攪拌約30分鐘，以使Cu粉末完全溶解。隨後，當在-9℃以下將所得到的溶液儲存在聚乙烯瓶中時，即時觀察沉澱物的產生。結果示於下面的表4中。
從表4中明顯看出，實施例1至3的蝕刻劑沒有產生任何溶解性差的沉澱物，但比較例1的蝕刻劑產生了溶解性差的沉澱物，並且所產生的沉澱物的量隨時間而增加。
<測試例2-蝕刻特性>
就蝕刻特性對實施例1至3和比較例1的蝕刻劑進行評價。
將SiNx層沉積在玻璃上，鈦膜形成在SiNx層上，並且銅膜形成在鈦膜上。進一步使用光阻使預定圖案形成在銅膜上，並用鑽石刀將得到的基板切割成550mm×650mm，由此製造測試樣品。
將實施例1至3和比較例1的各個蝕刻劑置於噴霧蝕刻機中並溫熱至25℃。此後，當加工溫度達到30±0.1℃時，執行蝕刻步驟。如此，在總蝕刻時間的方面上，相對 於EPD以200%進行過度蝕刻。對置於噴霧蝕刻機中的每個測試樣品噴灑蝕刻劑。在蝕刻完成後，將測試樣品從蝕刻機中取出，用去離子水進行洗滌，並使用熱風乾燥機進行乾燥，在此之後，使用光阻剝離劑從中除去光阻。在洗滌和乾燥後，使用掃描電子顯微鏡評價蝕刻特性。結果示於下面的表5中。
從表5中明顯看出，實施例1至3的蝕刻劑展示出良好的蝕刻特性。雖然本發明的較佳實施方式已被公開用於說明的目的，但本領域技術人員將理解不脫離所附申請專利範圍中公開的本發明的範圍和精神的各種修改、添加和替換都是可能的。例如，雖然這些實施方式公開了液晶顯示裝置，但是本發明可以應用至各種種類的包括TFT的顯示裝置。
110‧‧‧基板
124‧‧‧閘電極
124r‧‧‧上部膜
124p‧‧‧下部膜
140‧‧‧閘絕緣膜

Claims (14)

  1. 一種蝕刻劑，包含：0.5wt%~20wt%的過硫酸鹽；0.01wt%~2wt%的氟化合物；1wt%~10wt%的無機酸；0.5wt%~5wt%的含氮原子的雜環化合物；0.1wt%~5wt%的氯化合物；0.05wt%~3wt%的銅鹽；0.1wt%~10wt%的有機酸或有機酸鹽；0.1wt%~5wt%的供電子化合物；以及餘量的溶劑。
  2. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述過硫酸鹽包括選自過硫酸鉀、過硫酸鈉和過硫酸銨中的至少一種。
  3. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述氟化合物包括選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟氫化銨、氟氫化鈉和氟氫化鉀中的至少一種。
  4. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述無機酸包括選自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸中的至少一種。
  5. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述含氮原子的雜環化合物包括選自5-胺基四唑、3-胺基-1,2,4-***、4-胺基-4H-1,2,4-***、苯並***、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉中的至少一種。
  6. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述氯化合物包括選自鹽酸、氯化鈉、氯化鉀和氯化銨中的至少一種。
  7. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述銅鹽包括選自硝酸銅、硫酸銅和磷酸銅銨中的至少一種。
  8. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述有機酸或有機酸鹽包括選自如下化合物中的至少一種：乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞胺基二乙酸、乙二胺四乙酸；以及乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞胺基二乙酸和乙二胺四乙酸的鉀鹽、鈉鹽和銨鹽。
  9. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述供電子化合物包括選自如下化合物中的至少一種：L-異白胺酸、草酸、己二酸、棕櫚酸、乳酸、馬來酸、二伸乙基三胺五乙酸、N-乙醯-L-半胱胺酸、L-絲胺酸、L-甲硫胺酸，以及L-異白胺酸、草酸、己二酸、棕櫚酸、乳酸、馬來酸、二伸乙基三胺五乙酸、N-乙醯-L-半胱胺酸、L-絲胺酸和L-甲硫胺酸的鉀鹽、鈉鹽和銨鹽。
  10. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述溶劑包括去離子水。
  11. 如請求項1所記載的蝕刻劑，其中前述蝕刻劑不含過氧化氫。
  12. 一種製造顯示裝置的方法，包括：在絕緣基板上形成閘極金屬層，前述閘極金屬層包括下部閘極金屬層和上部閘極金屬層；使用如請求項1至11中任一項所記載的蝕刻劑來蝕刻前述閘極金屬層，從而形成包括閘極電極的閘極線；在前述閘極線上形成閘極絕緣膜；在前述閘極絕緣膜上按序形成第一非晶矽層、第二非晶矽層、下部資料金屬層，和上部資料金屬層；蝕刻前述第一非晶矽層、前述第二非晶矽層、前述下部資料金屬層，和前述上部資料金屬層，從而形成半導體層、歐姆接觸層、包括源極電極的資料線，和汲極電極；在前述資料線、前述汲極電極和前述閘極絕緣膜上形成鈍化層；以及在前述鈍化層上形成像素電極以與前述汲極電極連接。
  13. 如請求項12所記載的方法，其中前述下部閘極金屬層和前述下部資料金屬層由鈦或含鈦金屬形成，並且前述上部閘極金屬層和前述上部資料金屬層由銅或含銅金屬形成。
  14. 如請求項12所記載的方法，其中使用前述蝕刻劑同時 蝕刻前述上部金屬層和前述下部金屬層。
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